TW201934477A - 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法 - Google Patents

用於製造二維材料之化學氣相沈積方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201934477A
TW201934477A TW108102545A TW108102545A TW201934477A TW 201934477 A TW201934477 A TW 201934477A TW 108102545 A TW108102545 A TW 108102545A TW 108102545 A TW108102545 A TW 108102545A TW 201934477 A TW201934477 A TW 201934477A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
precursor
selenium
reaction
chalcogenide
Prior art date
Application number
TW108102545A
Other languages
English (en)
Inventor
耐吉 皮凱特
歐貝塔 瑪莎拉
尼奇 普拉卜達斯 薩福加尼
Original Assignee
英商納諾柯技術有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英商納諾柯技術有限公司 filed Critical 英商納諾柯技術有限公司
Publication of TW201934477A publication Critical patent/TW201934477A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01034—Selenium [Se]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明係關於一種合成諸如WSe2及MoSe2之二維金屬硫族化物單層的方法，該方法基於使用H2Se或烷基或芳基硒化物前驅體以形成反應性氣體的化學氣相沈積方法。在經選擇之溫度下，可將該氣態硒前驅體引入至含有金屬前驅體之管形爐中，其中該等硒及金屬前驅體反應以形成金屬硫族化物單層。

Description

用於製造二維材料之化學氣相沈積方法
本發明大體上係關於二維金屬硫族化物材料之合成。更特定言之，本發明係關於用於製造此類2-D材料之化學氣相沈積(CVD)方法。
過渡金屬二硫屬化物(TMDC)材料之二維(2-D)奈米層片在催化至感測、能量儲存及光電裝置範圍內的應用中愈來愈引起關注。單層及幾層TMDC為直接帶隙半導體，其中帶隙及載子類型(n型或p型)之變化視組成、結構及維度而定。
在2-D TMDC中，半導體WSe2 及MoS2 尤其受關注，因為當材料之維度降低至單層或幾層時，儘管大部分保持其本體性質，但是由於量子侷限效應，可出現額外性質。就WSe2 及MoS2 而言，此等性質包括當厚度減少至單一單層時，展示間接帶隙至直接帶隙的轉變，伴有強激子效應。此引起光致發光效率的較強提高，為其在光電裝置中的應用開創新的機會。其他關注的材料包括WS2 及MoSe2 。
第4族至第7族TMDC在分層結構中顯著地結晶化，引起其電、化學、機械及熱性質的各向異性。各層包含經由共價鍵包夾在兩層硫族元素原子之間的金屬原子的六邊形填充層。相鄰層藉由凡得瓦爾(van der Waals)相互作用弱結合，該等凡得瓦爾相互作用可藉由機械或化學方法輕易破壞以產生單層及幾層結構。
單層及幾層TMDC可使用「自上而下」及「自下而上」方法製造。自上而下方法涉及自本體材料機械或化學地移出層。此類技術包括機械剝離、超音波輔助液相剝離(LPE)及夾層技術。自下而上方法(其中TMDC層由其組成元素生長)包括化學氣相沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)及分子束磊晶法(MBE)，以及包括熱注入之基於溶液的方法。
TMDC之CVD生長追溯至1988年，當時Hofmann展示MoS2 及WS2 在各種基板上之金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)生長。[W.K. Hofmann,J. Mater. Sci. , 1988,23 , 3981]對於利用此技術所沈積之半導體薄膜，常規地達成大面積可擴展性、均一性及厚度控制，且近來其已延伸至石墨烯及TMDC單層之生長。[M. Bosi,RSC Adv. , 2015,5 , 75500]
在典型CVD裝配中，基板(通常為SiO2 /Si)用過渡金屬(例如，Mo箔)或金屬氧化物(例如，MoO3 及WO3 )之薄層塗佈，且隨後暴露至硫族元素氛圍。舉例而言，可藉由使用低熔點硫族化物粉末(例如，S或Se粉末)產生硫族化物氛圍。
在CVD反應器內，將硫族化物粉末在惰性氛圍下置放在反應器內，該硫族化物粉末在基板及金屬前驅體的上游。在某一溫度(視前驅體之性質而定)下加熱鍋爐以促進昇華。當硫族化物粉末開始昇華時，蒸汽由運載氣體傳送至金屬前驅體及基板，單層之生長發生在金屬前驅體及基板處。
更近來的方法使用固態金屬前驅體。在此等情況下，金屬前驅體可撒佈在位於鍋爐下游(相對於硫族化物粉末)的基板上，或可直接裝載在介於裸基板與硫族化物粉末之間的加熱管上，其中裸基板位於下游。
使用固態金屬前驅體的可能性使得該方法可用於廣泛範圍之材料(包括金屬鹵化物及羧基化合物)。就WSe2 而言，利用CVD之奈米層片生長已由W金屬、[Y. Gong, Z. Lin, G. Ye, G. Shi, S. Feng, Y. Lei, A.L. Elias, N. Perea-Lopez, R. Vajtai, H. Terrones, Z. Liu, M. Terrones及P.M. Ajayan,ACS Nano , 2015,9 , 11658]WSe2 及WS2 散裝粉末、[G. Clark, S. Wu, P. Rivera, J. Finney, P. Nguyen, D. Cobden及X. Xu,APL Mater ., 2014,2 , 101101]鹵化物：WCln (n = 4、5、6)；WO2 Cl2 及WF6 、[A. Prabakaran, F. Dillon, J. Melbourne, L. Jones, R.J. Nicholls, P. Holdway, J. Britton, A.S. Koos, A. Crossley, P.D. Nellist及N. Grobert,Chem. Commun. , 2014,50 , 12360]銨鹽：(NH4 )6 H2 W12 O40 ；及(NH4 )2 WS4 、[M.L. Zou, J.D. Chen, L.F. Xiao, H. Zhu, T.T. Yang, M. Zhong及M.L. Du,J. Mater. Chem. A , 2015,3 , 18090]及有機前驅體W(CO)6 表明。[S.M. Eichfield, L. Hossain, Y.-C. Lin, A.F. Piasecki, B. Kupp, A.G. Birdwell, R.A. Burke, N. Lu, X. Peng, J. Li, A. Azcatl, S. McDonnell, R.M. Wallace, M.J. Kim, T.S. Mayer, J.M. Redwing及J.A. Robinson,ACS Nano , 2015,9 , 2080]類似前驅體已用於合成MoS2 及MoSe2 。[V. Kranthi Kumar, S. Dhar, T.H. Choudhury, S.A. Shivashankar及S. Raghavan,Nanoscale , 2015,7 , 7802；J. Mann, D. Sun, Q. Ma, J.-R. Chen, E. Preciado, T. Ohta, B. Diaconescu, K. Yamaguchi, T. Tran, M. Wurch, K.M. Magnone, T.F. Heinz, G.L. Kellogg, R. Kavakami及L. Bartels,Eur. Phys. J. B , 2013,86 , 226；K.-K. Liu, W. Zhong, Y.-H. Lee, Y.-C. Lin, M.-T. Chang, C.-Y. Su, C.-S. Chang, H. Li, Y. Shi, H. Zhang, C.-S. Lai及L.-J. Li, Nano Lett., 2012,12 , 1538]
近年來，2-D材料之CVD生長蓬勃發展，但是合成品質可比於利用機械剝離製造之彼等材料的較大單晶2-D材料仍為大的挑戰。此外，相比於單晶石墨烯薄片，目前實現之所得到的單晶TMDC薄片或晶疇相對較小。對CVD生長過程的完全控制至關重要。在基於硫族化物粉末的CVD方法中，反應性硫族化物類之濃度及分壓難以可再生產地控制以實現及維持均一生長條件，且較強地依賴於系統之幾何形狀。常常難以實現全部基板覆蓋，且對於較大基板上之單層生長而言，此問題加劇。
該方法可為極其浪費的，因為僅硫族化物的一部分反應以形成所期望的產物，而大量未反應的硫族化物可在反應器之較冷區域沈積。此亦需要在運行間隔澈底清理及洗滌反應器以避免來自先前合成的污染。
先前技術方法利用在高溫下汽化元素硒粉末以硒化合適的金屬前驅體。硒粉末之均一汽化對於得到均一成核及生長至關重要，但是其在較大面積內難以實現。
金屬氧化物為2-D材料之CVD生長的典型源材料且金屬氧化物需要高溫來昇華，此係因金屬氧化物的高沸點及高蒸氣壓所致(例如，WO3 具有＞1,700℃的沸點)。此高溫對可供用於生長之基板的選擇造成較強限制，例如需要低溫條件以使得可撓性基板可用及可與其他低溫工業製造技術相容。
另一限制為儘管存在具有不同加熱帶的CVD系統，但是大部分所報導方法依賴於將所有前驅體一起裝載在鍋爐內，同一時間且以相同溫度斜率加熱，使得在製程期間第二階段後期引入硫族化物蒸汽不可行，導致通用性有限。
硒粉末並非極易反應的前驅體，如由以下事實所證明：WSe2 為相比MoS2 而言相對更難以合成之材料，例如歸因於硒前驅體具有比硫前驅體更低之反應性的事實。
存在單層及幾層第13族及第14族之分層化合物(諸如GaSe、GeSe及SnSe)的數個報導。儘管此等材料的2-D性質大部分為未知的，但是其本體對應物之各種各樣的光學及電性質表明其可以2-D形式展現引人關注的相異性質。
因此，有必要研發合成TMDC之更通用的方法及在大面積上提供組成均一性的其他金屬硫族化物奈米結構。
在此，描述諸如TMDC單層(例如，WSe2 及MoSe2 )之金屬硫族化物單層之合成的方法。該方法基於CVD方法，使用H2 Se或烷基或芳基硒化物前驅體以形成反應性氣體。在給定溫度下，將氣態硒前驅體引入至含有金屬前驅體之管形爐中，其中硒及金屬前驅體反應以形成金屬硫族化物單層。
在一個實施例中，氣態硒前驅體與其他氣體組合使用以產生梯度組合物或經摻雜之金屬硫族化物單層。
在另一實施例中，氣態硒前驅體與具有低沸點之配位體(諸如硫醇或硒醇)混合，該氣態硒前驅體能夠與原子配位且影響金屬硫族化物單層的生長。
在一個實施例中，反應在低於玻璃之軟化點的一溫度或溫度範圍下進行。
在一個實施例中，反應在減壓下進行。在另一實施例中，反應在大氣壓下進行。在另一實施例中，反應在略微高壓下進行。
奈米層片之側向尺寸可自數奈米至大於100 µm調整。
相關申請案之交叉引用：
本申請案主張2016年5月13日申請之美國臨時申請案第62/336,228號的權益，該申請案之全文內容特此以引用的方式併入本文中。
在此，描述例如TMDC單層(諸如，WSe2 及MoSe2 )之金屬硫族化物單層之合成的方法。該方法基於CVD方法，使用H2 Se或烷基或芳基硒化物前驅體以形成反應性氣體。在圖1中說明用於使用H2 Se氣體合成WSe2 單層的製程。在給定溫度下，將氣態硒前驅體引入至含有金屬前驅體之管形爐中，其中硒及金屬前驅體反應以形成金屬硫族化物單層。
該方法可用於合成TMDC單層，包括(但不限於)：WSe2 ；MoSe2 ；NbSe2 ；PtSe2 ；ReSe2 ；TaSe2 ；TiSe2 ；ZrSe2 ；ScSe2 及VSe2 ，且包括其合金及經摻雜之衍生物。此外，該方法可用於合成其他金屬硒化物單層，包括(但不限於)：GaSe；Ga2 Se3 ；Bi2 Se3 ；GeSe；InSe；In2 Se3 ；SnSe2 ；SnSe；SbSe3 ；ZrSe3 ；MnIn2 Se4 ；MgIn2 Se4 ；Pb2 Bi2 Se5 ；SnPSe3 及PdPSe，且包括其合金及經摻雜之衍生物。
金屬前驅體可包括(但不限於)：金屬，諸如W或Mo；金屬二硒化物散裝粉末，例如WSe2 或MoSe2 ；金屬氧化物，例如WO3 或MoO3 ；無機前驅體，例如WCln (n = 4 - 6)、Mo6 Cl12 、MoCl3 、[MoCl5 ]2 、WO2 Cl2 、MoO2 Cl2 、WF6 、MoF6 、(NH4 )6 H2 W12 O40 或(NH4 )6 H2 Mo12 O40 ；及有機金屬前驅體，諸如羰基鹽，例如Mo(CO)6 或W(CO)6 及其烷基與芳基衍生物；金屬烷基前驅體，例如W(CH3 )6 ；乙基己酸酯鹽，例如Mo[OOCH(C2 H5 )C4 H9 ]x ；或雙(乙苯)鉬[(C2 H5 )y C6 H6-y ]2 Mo (y = 1 - 4)。
在一個實施例中，氣態硒前驅體為H2 Se。H2 Se不僅充當反應性硒源，而且充當運載氣體。在一個實施例中，H2 Se與其他氣體(例如，H2 )混合以促進強還原氛圍及控制金屬之氧化態。在WF6 作為金屬前驅體情況下，需要W原子自WF6 中的+VI氧化態還原至WSe2 中的+IV氧化態。H2 Se自身具有強還原特徵；在一替代實施例中，在不需要額外還原劑情況下，H2 Se促使金屬前驅體自+VI氧化態還原至WSe2 或MoSe2 中的+IV氧化態。相比於元素硒，H2 Se的較高反應性可有利於更好的結晶性及層片生長。
在另一實施例中，氣態硒前驅體為低揮發性之硒化合物，諸如烷基或芳基硒化物。實例包括(但不限於)：二第三丁基硒Se(C(CH3 )3 )2 ；二甲硒(C2 H5 )2 Se；二苯基硒Ph2 Se；及二苯基二硒Ph2 Se2 。前述前驅體為尤其適合的，因為其具有較低沸點，亦即在100℃左右或低於100℃。低揮發性烷基及芳基二硒化物在低溫下分解且利用僅產出氣體副產物的淨化分解路徑分解。
在另一實施例中，氣態硒前驅體與其他氣體(諸如但不限於H2 S)組合使用以產生梯度組合物。此允許調節2-D金屬硫族化物材料之帶隙以形成(例如)WSx Se2-x 、MoSx Se2-x 、GaSx Se1-x 、GeSx Se1-x 、SnSx Se2-x 及Zr(Sx Se1-x )3 。亦可使用氣體混合物以形成經摻雜之金屬硫族化物材料。摻雜可更改金屬硫族化物材料之電子性質，此可引起(例如)改良之光致發光量子產率。
在另一實施例中，氣態硒前驅體與具有低沸點之配位體混合，諸如硫醇或硒醇，能夠與原子配位且影響金屬硫族化物單層的生長。此可提供摻雜之路徑及亦可支持均一尺寸分佈及特製層片生長。合適的配位體包括(但不限於)：烷硫醇，例如1-辛烷硫醇或1-十二烷硫醇；烷硒醇，例如1-辛烷硒醇或1-十二烷硒醇；及其組合。
本文所描述之氣態硒前驅體具有低分解溫度，低於玻璃之軟化點(600℃)，使得玻璃反應器可用，玻璃反應器比在高於600℃的溫度下之CVD生長所需的石英反應器便宜得多。此外，更低反應溫度允許單層在可撓性基板上生長，諸如低成本、熱敏感聚合物基板，該等基板否則會在先前技術中TMDC單層之CVD生長所用的高溫下翹曲、熔融或降解。
在一個實施例中，將氣態硒前驅體在室溫下引入至管形爐，隨後該溫度自室溫系統地逐漸上升至一溫度以誘導金屬硫族化物單層的生長。在一替代性實施例中，將氣態硒前驅體在高溫下引入至管形爐。在加熱鍋爐時，此可預防任何副反應。一般技術者顯而易知反應溫度或溫度之範圍將視前驅體之選擇而定。在一個實施例中，反應在低於玻璃之軟化點的一溫度或溫度範圍下進行。舉例而言，反應可在100℃至550℃範圍內的溫度下發生。在另一實施例中，反應在高於550℃之一溫度或溫度範圍下發生。
在一個特定實施例中，使用純氣態硒前驅體。在另一實施例中，氣態硒前驅體與惰性運載氣體(諸如但不限於，N2 或Ar)混合。在一個實施例中，氣態硒前驅體之供應在生長過程期間經控制以產生濃度梯度。舉例而言，當使用H2 Se時，可引入快速氣體交換步驟，其中H2 Se至鍋爐中的流動可利用經增加之惰性氣體淨化及泵送能力之組合在製程期間的任何時候快速停止且由惰性氣體(諸如N2 或Ar)替代。
舉例而言，可使用質量流量控制器控制任何氣態前驅體及/或運載氣體的流動速率。一般技術者將認識到任何前驅體及/或運載氣體的所需流動速率視前驅體蒸汽需要沿著反應器向下行進的距離而定。所需流動速率亦與反應管之直徑相關；隨著直徑遞增，需要更高的流動速率以獲得流下管的相同蒸汽流量。
反應室之壓力可用於輔助控制成核以及奈米層片的厚度。在一個實施例中，反應在減壓下進行，例如，低於大氣壓低至約2毫巴。在另一實施例中，反應在大氣壓下進行。在又一實施例中，反應在略微高壓下進行，例如，高於大氣壓高至約1.2巴。
本文所述之金屬硫族化物單層可用於廣泛範圍之應用，包括但不限於：光電裝置，例如光電二極體、光電晶體、光偵測器、光伏打、發光二極體、雷射二極體；記憶體裝置；場效電晶體；反相器；邏輯閘；感測器；催化劑；燃料電池；電池組；電漿子裝置；光致發光應用，例如顯示器、照明、光學條形碼、反偽造；電致發光應用，例如顯示器、照明；及生物應用，例如生物成像、生物感測、光熱療法、光動力療法、抗菌活性、藥物遞送。
藉由謹慎調節反應條件，可控制金屬硫族化物單層的側向尺寸。舉例而言，在先前技術中已將H2 引入至CVD反應室以抑制自MoO3 及硫粉末形成之MoS2 奈米層片的側向生長。[J. Jeon, J. Lee, G. Yoo, H.-H. Park, G.Y. Yeom, Y.H. Jang及S. Lee,Nanoscale , 2016,8 , 16995]在一個實施例中，將氣態硒前驅體與還原氣體(諸如但不限於H2 )混合。在另一實施例中，氣態硒前驅體與還原氣體及惰性運載氣體混合。可改變還原氣體與氣態硒前驅體及/或惰性運載氣體的比率以調節金屬硫族化物單層的側向尺寸。一般技術者將認識到金屬硫族化物單層之側向尺寸亦可藉由改變反應參數(諸如但不限於)溫度、壓力、時間、氣態前驅體流動速率及前驅體之選擇來操縱。
在一些實施例中，金屬硫族化物單層之側向尺寸大於100 µm。「大型」(＞100 µm)奈米層片可有利於多個電子電路在單一奈米層片上生長。在另外的實施例中，金屬硫族化物單層之側向尺寸在10 µm與100 µm之間(「中型」奈米層片)。中型奈米層片適合於電子應用範圍。在其他實施例中，金屬硫族化物單層之側向尺寸小於10 µm(「小型」奈米層片)。更特定言之，金屬硫族化物單層之側向尺寸可於量子侷限制度內，其中奈米層片之光學、電子及化學性質可藉由改變其側向尺寸來操縱。舉例而言，在被諸如電或光之能量來源激發時，具有約10 nm或低於10 nm之側向尺寸的材料的金屬硫族化物單層奈米層片(諸如MoSe2 及WSe2 )可呈現諸如大小可調節發射的性質。此等大小可調的發射性質尤其有利於諸如顯示器、照明、光學條形碼、反偽造及生物成像的應用。此外，具有小於腎之腎小球濾過臨限值的流體動力直徑的小型奈米層片尤其適用於活體內生物應用，因為其可易於經由腎排泄。
實例：MoSe2 奈米層片的合成
在圖2中說明反應裝配。將MoO3 粉末(10 mg)置放於氧化鋁船中。經預清理之SiO2 /Si基板面朝下置放在船頂部上。將該船裝載至石英反應管之中心處。將經組裝之反應管置放於管形爐內且連接至利用質量流量控制器控制之N2 及H2 Se反應氣體管線以及排氣管線。在反應之前，利用真空/N2 循環淨化管，隨後用N2 氣體再填充腔室且使運載氣體流保持在90 sccm。打開管形爐，且遵循圖3中所示之經預程式化的溫度特徵曲線。當鍋爐達到730℃時，將H2 Se 以10 sccm之速率引入。
反應引起MoSe2 奈米層片在SiO2 /Si基板上生長。奈米層片之側向尺寸範圍為亞微米至20 µm。單層MoSe2 之形成利用拉曼光譜法(Raman spectroscopy)(圖4)支持，其中A1g 頻帶的位置很好地匹配文獻[J.C. Shaw, H. Zhou, Y. Chen, N.O. Weiss, Y. Liu, Y. Huang及X. Duan, Nano Res., 2014, 7, 511]中關於MoSe2 單層所報導的位置且缺少B1 2g 頻帶的定義。
本發明之此等及其他優點對於熟習此項技術者而言將自前述說明書顯而易見。因此，熟習此項技術者應認識到，可在不背離本發明之廣泛發明概念的情況下對上述實施例進行變化或修改。應理解，本發明不受限於本文所述之特定實施例且可在不背離如由隨附申請專利範圍字面上及等效地涵蓋之本發明的範疇的情況下進行各種變化及修改。
圖1為說明根據本發明之一實施例使用H2 Se氣體合成WSe2 單層的示意圖。
圖2為說明根據本發明之一實施例使用H2 Se氣體合成MoSe2 單層的示意圖。
圖3為用於根據本發明之一實施例使用H2 Se氣體合成MoSe2 單層的管形爐溫度特徵曲線。
圖4為使用H2 Se氣體生長之MoSe2 單層的拉曼光譜。

Claims (2)

  1. 一種合成金屬硫族化物奈米層片之方法，該方法包含： 使氣態硒前驅體與金屬前驅體反應。
  2. 如請求項1之方法，其中使該氣態硒前驅體與該金屬前驅體的反應在低於大氣壓之壓力下進行。
TW108102545A 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法 TW201934477A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662336228P 2016-05-13 2016-05-13
US62/336,228 2016-05-13
US15/587,551 US10062568B2 (en) 2016-05-13 2017-05-05 Chemical vapor deposition method for fabricating two-dimensional materials
US15/587,551 2017-05-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201934477A true TW201934477A (zh) 2019-09-01

Family

ID=59054143

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106115893A TWI673231B (zh) 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法
TW108102545A TW201934477A (zh) 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法
TW108139744A TWI711580B (zh) 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106115893A TWI673231B (zh) 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108139744A TWI711580B (zh) 2016-05-13 2017-05-12 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10062568B2 (zh)
EP (1) EP3443138A1 (zh)
JP (1) JP6934020B2 (zh)
KR (1) KR102213811B1 (zh)
CN (1) CN109154079B (zh)
TW (3) TWI673231B (zh)
WO (1) WO2017194955A1 (zh)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11024710B2 (en) * 2016-09-23 2021-06-01 The Penn State Research Foundation Vertically oriented planar structures of transition metal chalcogenides for advanced electronic and optoelectronic systems
CN107868981B (zh) * 2016-09-28 2020-09-29 清华大学 一种金属铂的半金属化合物及其制备方法
WO2018195004A1 (en) * 2017-04-17 2018-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor transport growth of two-dimensional transition-metal dichalcogenides
CN107802836B (zh) * 2017-12-11 2020-09-08 武汉大学 一种肿瘤靶向光热药剂及制备方法和应用
US11560625B2 (en) 2018-01-19 2023-01-24 Entegris, Inc. Vapor deposition of molybdenum using a bis(alkyl-arene) molybdenum precursor
CN108486656B (zh) * 2018-03-23 2020-01-03 湖南大学 一种碲化铌二维材料及其合成和应用
CN108726492B (zh) * 2018-05-28 2020-01-10 太和气体（荆州）有限公司 高纯硒化氢生产设备以及基于其的高纯硒化氢生产工艺
US11021793B2 (en) * 2018-05-31 2021-06-01 L'Air Liquide, Société Anonyme pour I'Etude et I'Exploitation des Procédés Georges Claude Group 6 transition metal-containing compositions for vapor deposition of group 6 transition metal-containing films
CN108862397B (zh) * 2018-06-15 2020-08-28 肇庆市华师大光电产业研究院 一种直接在基底电极上生长均匀的二硒化铼纳米片的方法及修饰电极和应用
CN109817921A (zh) * 2019-01-22 2019-05-28 五邑大学 一种硫掺杂MXene负极材料及其制备方法和应用
WO2020185164A1 (en) * 2019-03-14 2020-09-17 Agency For Science, Technology And Research Method and arrangement for forming a transition metal dichalcogenide layer
KR20200127524A (ko) * 2019-05-02 2020-11-11 삼성전자주식회사 금속 칼코게나이드 박막 및 그 제조방법과 제조장치
CN110257916A (zh) * 2019-06-14 2019-09-20 中国科学院半导体研究所 二维磁性半导体材料MnIn2Se4的制备方法及在光探测器和场效应晶体管的应用
CN110257800B (zh) * 2019-06-19 2020-09-01 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用
CN112216751A (zh) * 2019-07-11 2021-01-12 哈尔滨工业大学 GaSe/MoS2异质结的制备方法
CN110527977B (zh) * 2019-09-29 2020-12-11 清华大学 一种强织构硒化锡宏观热电薄膜的制备方法
CN111020526A (zh) * 2019-11-11 2020-04-17 中国科学院上海技术物理研究所 一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法
CN111304738B (zh) * 2020-03-16 2021-06-11 华中科技大学 熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法
CN113621939A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 北京大学 一种用于单层过渡金属硫族化合物的通用掺杂方法
CN111690897B (zh) * 2020-06-23 2021-06-08 南京大学 单原胞层二硒化钨薄膜及其生长方法
CN111876828B (zh) * 2020-06-29 2021-05-18 电子科技大学 一种二维硫化铋晶体材料及其制备方法
CN111908433B (zh) * 2020-07-16 2022-06-14 深圳大学 一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
CN111893565B (zh) * 2020-08-04 2021-05-07 中国人民解放军国防科技大学 一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法
CN113697779B (zh) * 2020-10-27 2023-07-14 湖南大学 一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用
CN112663021B (zh) * 2020-11-03 2023-05-16 杭州电子科技大学 一种二维钼-钨-硫垂直异质结构的制备方法
CN112522680A (zh) * 2020-11-10 2021-03-19 深圳大学 二维过渡金属硫族化合物的连续制备方法
CN112429706B (zh) * 2020-11-16 2022-03-29 安阳师范学院 镍硫硒三元化合物纳米棒阵列电极材料及其制备方法
CN112501583B (zh) * 2020-11-26 2023-01-24 北京大学深圳研究生院 一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法
CN112701189A (zh) * 2020-12-29 2021-04-23 杭州电子科技大学 一种光探测器及制备方法
US11434254B2 (en) 2021-01-12 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Dinuclear molybdenum precursors for deposition of molybdenum-containing films
US11390638B1 (en) 2021-01-12 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Molybdenum(VI) precursors for deposition of molybdenum films
US11459347B2 (en) 2021-01-12 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Molybdenum(IV) and molybdenum(III) precursors for deposition of molybdenum films
KR20230143146A (ko) * 2021-01-26 2023-10-11 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 전이 금속 디칼코제나이드 박막을 구비하는 반도체재료 및 그 제조 방법, 및 상기 반도체 재료를 구비하는 수광 소자
CN113278949B (zh) * 2021-04-16 2022-05-20 中国计量大学 一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法
US11760768B2 (en) 2021-04-21 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Molybdenum(0) precursors for deposition of molybdenum films
US20230009266A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit device and method for forming the same
KR102552210B1 (ko) * 2021-11-09 2023-07-06 전북대학교산학협력단 Te 도핑된 p형 MoS2 필름이 적용된 pFET 디바이스
CN118215754A (zh) * 2021-11-11 2024-06-18 弗萨姆材料美国有限责任公司 利用mooddo2cl2和moo2br2的ald沉积
WO2023171489A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 株式会社Adeka 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法
CN115028145B (zh) * 2022-03-21 2023-07-28 湖南大学 过渡金属掺杂的金属硒化物二维材料及其制备和应用
CN115367714A (zh) * 2022-08-31 2022-11-22 西北工业大学 一种二硒化钨纳米片及其制备方法
CN116497444B (zh) * 2023-04-26 2024-01-26 中山大学 一种实现大面积二维层状材料In2Se3的化学气相沉积生长方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786186A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法
DE102005028463A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von nanopartikulären Lanthanoid/Bor-Verbindungen von nanopartikuläre Lanthanoid/Bor-Verbindungen enthaltenden Feststoffgemischen
US20090304924A1 (en) * 2006-03-03 2009-12-10 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
KR100927700B1 (ko) * 2008-03-20 2009-11-18 한국화학연구원 유기 금속 착물 및 칼코겐 원소를 이용하여 나노크기의금속 칼코게나이드를 제조하는 방법
US9175390B2 (en) * 2008-04-25 2015-11-03 Asm International N.V. Synthesis and use of precursors for ALD of tellurium and selenium thin films
US8765223B2 (en) * 2008-05-08 2014-07-01 Air Products And Chemicals, Inc. Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making and using same
US8193027B2 (en) * 2010-02-23 2012-06-05 Air Products And Chemicals, Inc. Method of making a multicomponent film
FR2966474B1 (fr) * 2010-10-25 2013-12-20 Solarwell Procede de fabrication d'un materiau nanocristallin
US9318628B2 (en) * 2011-05-20 2016-04-19 The University Of Chicago Mid-infrared photodetectors
JP5624083B2 (ja) * 2011-06-09 2014-11-12 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 二元及び三元金属カルコゲニド材料ならびにその製造方法及び使用方法
US8741688B2 (en) 2012-07-24 2014-06-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming a metal chalcogenide material
EP2738817A2 (en) * 2012-11-23 2014-06-04 Samsung SDI Co., Ltd. Solar cell
US20150118487A1 (en) * 2013-10-25 2015-04-30 Colin A. Wolden Plasma-assisted nanofabrication of two-dimensional metal chalcogenide layers
KR20150098904A (ko) * 2014-02-21 2015-08-31 엘지전자 주식회사 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막
KR101591833B1 (ko) * 2014-05-12 2016-02-04 엘지전자 주식회사 도핑 된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 및 그 박막
KR101535573B1 (ko) 2014-11-04 2015-07-13 연세대학교 산학협력단 전이금속 칼코겐 화합물 합성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201808795A (zh) 2018-03-16
US20170330748A1 (en) 2017-11-16
CN109154079B (zh) 2021-11-26
TWI711580B (zh) 2020-12-01
KR20190005180A (ko) 2019-01-15
WO2017194955A1 (en) 2017-11-16
TW202000582A (zh) 2020-01-01
TWI673231B (zh) 2019-10-01
JP2019522106A (ja) 2019-08-08
CN109154079A (zh) 2019-01-04
JP6934020B2 (ja) 2021-09-08
US10062568B2 (en) 2018-08-28
EP3443138A1 (en) 2019-02-20
KR102213811B1 (ko) 2021-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI673231B (zh) 用於製造二維材料之化學氣相沈積方法
Lee et al. Thermodynamically stable synthesis of large‐scale and highly crystalline transition metal dichalcogenide monolayers and their unipolar n–n heterojunction devices
Munoz-Rojas et al. Spatial atmospheric atomic layer deposition: a new laboratory and industrial tool for low-cost photovoltaics
US10644175B2 (en) Methods of increasing the thickness of colloidal nanosheets and materials consisting of said nanosheets
JP2018113453A (ja) セレン化１３族ナノ粒子
EA026823B1 (ru) Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры
US10253415B2 (en) Process for the thickness growth of colloidal nanosheets and materials composed of said nanosheets
FR2993792A1 (fr) Film de chalcogenure(s) metallique(s) cristallise(s) a gros grains, solution colloidale de particules amorphes et procedes de preparation.
US20170051400A1 (en) Method for manufacturing a doped metal chalcogenide thin film, and same thin film
KR100785525B1 (ko) 산화아연 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 분포되어있는 형태의 발광 나노와이어 이종구조 및 이의 제조방법
KR20180058647A (ko) 전구체 기화 농도 조절을 통한 대면적 단분자층 전이금속 디칼코제나이드 이종접합 구조체 제조방법
US20230243030A1 (en) Method of growing monolayer transition metal dichalcogenides via sulfurization and subsequent sublimation
US20150280017A1 (en) Nanometer sized structures grown by pulsed laser deposition
Thakur et al. Recent advances in BaZrS3 perovskites: synthesis, properties, and future trends
Pakkala et al. Atomic layer deposition
KR102280763B1 (ko) 전이금속 디칼코게나이드 박막, 그 제조 방법 및 제조 장치
Kim et al. Morphology control of 1D ZnO nanostructures grown by metal-organic chemical vapor deposition
Krishnan et al. Group II–VI Semiconductors
Charvot et al. Organoselenium precursors for atomic layer deposition
Markov et al. Thin films of wide band gap II-VI semiconductor compounds: features of preparation
Terasako et al. ZnO nanowires grown by atmospheric pressure chemical vapor deposition using ZnCl2 and H2O as source materials and their growth mechanisms
Zervos et al. The nitridation of ZnO nanowires
Helbing et al. Growth of CaS thin films by solid source metalorganic chemical vapor deposition
KR101494764B1 (ko) 질화물 반도체 나노 구조체 및 이의 제조 방법
Oluwabi et al. Combinative solution processing and Li doping approach to develop p-type NiO thin films with enchanced electrical properties