JPH0786186A - ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法 - Google Patents
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法Info
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- JPH0786186A JPH0786186A JP25096693A JP25096693A JPH0786186A JP H0786186 A JPH0786186 A JP H0786186A JP 25096693 A JP25096693 A JP 25096693A JP 25096693 A JP25096693 A JP 25096693A JP H0786186 A JPH0786186 A JP H0786186A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】有機金属気相成長法を用いて結晶性の優れたＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を成長することがで
きるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方
法を提供する。 【構成】ＩＩ族有機化合物原料と有機硫黄化合物または
有機セレン化合物の内少なくとも一方を含むＶＩ族有機
化合物原料とを用いた有機金属気相成長法により、半導
体基板上に窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄
膜を３５０℃未満の成長温度で成長し、該窒素を添加し
たＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜に５５０℃以上で該化
合物半導体薄膜の結晶性を損なわない温度範囲で５分間
以下の短時間の熱処理を施すことを特徴とする。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を成長することがで
きるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方
法を提供する。 【構成】ＩＩ族有機化合物原料と有機硫黄化合物または
有機セレン化合物の内少なくとも一方を含むＶＩ族有機
化合物原料とを用いた有機金属気相成長法により、半導
体基板上に窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄
膜を３５０℃未満の成長温度で成長し、該窒素を添加し
たＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜に５５０℃以上で該化
合物半導体薄膜の結晶性を損なわない温度範囲で５分間
以下の短時間の熱処理を施すことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、硫黄またはセレンの内
少なくとも一つを含む広禁制帯幅を有するＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体のｐ型薄膜の製造方法に関するものであ
る。
少なくとも一つを含む広禁制帯幅を有するＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体のｐ型薄膜の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】亜鉛，カドミウム，マグネシウム等のＩ
Ｉ族元素と硫黄，セレン，テルル等のＶＩ族元素との化
合物であるＩＩ−ＶＩ族化合物は、青・緑色発光素子材
料として盛んに研究・開発が行われている。これらの化
合物半導体の中で、特に禁制帯幅が広い硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）やセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）およびこれらの結晶を
主成分とする混晶は、ｐ型層を作製するのが困難であっ
たが、近年の薄膜製造技術の発達により可能になってき
た。ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜の製造方法として
は、主に２種類の方法が用いられている。一つは有機金
属気相成長法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy：
ＭＯＶＰＥ法）で、ＩＩ族原料にジ・メチル亜鉛（ＤＭ
Ｚｎ）やジ・エチル亜鉛（ＤＥＺｎ）等の有機金属を、
ＶＩ族原料に水素化物ガスや有機化合物を用いて、気相
で輸送された原料を加熱された基板上で熱分解して反応
させ、成長させる方法である。もう一つの方法は分子線
蒸着法（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ法）で、ＩＩ
族及びＶＩ族とも、亜鉛やセレンなどの単体金属又はＺ
ｎＳ等の化合物の固体を原料とし、るつぼの中で加熱し
た原料の分子線を高真空中で基板に照射して成長させる
方法である。
Ｉ族元素と硫黄，セレン，テルル等のＶＩ族元素との化
合物であるＩＩ−ＶＩ族化合物は、青・緑色発光素子材
料として盛んに研究・開発が行われている。これらの化
合物半導体の中で、特に禁制帯幅が広い硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）やセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）およびこれらの結晶を
主成分とする混晶は、ｐ型層を作製するのが困難であっ
たが、近年の薄膜製造技術の発達により可能になってき
た。ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜の製造方法として
は、主に２種類の方法が用いられている。一つは有機金
属気相成長法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy：
ＭＯＶＰＥ法）で、ＩＩ族原料にジ・メチル亜鉛（ＤＭ
Ｚｎ）やジ・エチル亜鉛（ＤＥＺｎ）等の有機金属を、
ＶＩ族原料に水素化物ガスや有機化合物を用いて、気相
で輸送された原料を加熱された基板上で熱分解して反応
させ、成長させる方法である。もう一つの方法は分子線
蒸着法（Molecular Beam Epitaxy：ＭＢＥ法）で、ＩＩ
族及びＶＩ族とも、亜鉛やセレンなどの単体金属又はＺ
ｎＳ等の化合物の固体を原料とし、るつぼの中で加熱し
た原料の分子線を高真空中で基板に照射して成長させる
方法である。
【０００３】これらの薄膜製造方法でｐ型のＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を得るためには、ｐ型添加物（ドーパン
ト）となるリチウムやナトリウムなどＩ族元素または窒
素やリンなどのＶ族元素を結晶成長時に添加する必要が
ある。このようなＩ族元素またはＶ族元素をドーパント
とした広禁制帯幅ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体では、これ
までのところＶ族元素の窒素をドーパントに用いた場合
にのみ特性の安定したｐ型層が得られている。前記のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体薄膜の製造方法の内、ＭＢＥ法
ではプラズマで活性状態に励起した窒素分子をドーパン
トに用いる方法を組み合わせて、成長温度２５０℃以下
でｐ型層を成長することができる。ＭＯＶＰＥ法では、
アンモニア、ジ・メチル・ヒドラジンやターシャリ・ブ
チル・アミン（ｔＢＮＨ2 ）などの窒素化合物をドーパ
ントに用いて窒素添加が行われている。例えば、ＩＩ族
原料とＶＩ族原料にＤＥＺｎとＤＥＳe を用い、ドーパ
ント原料にはｔＢＮＨ2 を用いて成長温度５６０℃で窒
素添加ＺｎＳｅの成長を行いｐ型膜が得られている。ま
た、成長中の結晶に光照射して原料の分解を促進する光
ＭＯＶＰＥ法においても、ＩＩ族原料とＶＩ族原料にそ
れぞれＤＥＺｎとジ・メチル・セレン（ＤＭＳｅ）を用
い、ドーパント原料にｔＢＮＨ2 を用いて、Ｘｅ ラン
プの光を照射しながら成長温度３５０℃で窒素添加Ｚｎ
Ｓｅの成長を行いｐ型膜が得られている。
族化合物半導体を得るためには、ｐ型添加物（ドーパン
ト）となるリチウムやナトリウムなどＩ族元素または窒
素やリンなどのＶ族元素を結晶成長時に添加する必要が
ある。このようなＩ族元素またはＶ族元素をドーパント
とした広禁制帯幅ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体では、これ
までのところＶ族元素の窒素をドーパントに用いた場合
にのみ特性の安定したｐ型層が得られている。前記のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体薄膜の製造方法の内、ＭＢＥ法
ではプラズマで活性状態に励起した窒素分子をドーパン
トに用いる方法を組み合わせて、成長温度２５０℃以下
でｐ型層を成長することができる。ＭＯＶＰＥ法では、
アンモニア、ジ・メチル・ヒドラジンやターシャリ・ブ
チル・アミン（ｔＢＮＨ2 ）などの窒素化合物をドーパ
ントに用いて窒素添加が行われている。例えば、ＩＩ族
原料とＶＩ族原料にＤＥＺｎとＤＥＳe を用い、ドーパ
ント原料にはｔＢＮＨ2 を用いて成長温度５６０℃で窒
素添加ＺｎＳｅの成長を行いｐ型膜が得られている。ま
た、成長中の結晶に光照射して原料の分解を促進する光
ＭＯＶＰＥ法においても、ＩＩ族原料とＶＩ族原料にそ
れぞれＤＥＺｎとジ・メチル・セレン（ＤＭＳｅ）を用
い、ドーパント原料にｔＢＮＨ2 を用いて、Ｘｅ ラン
プの光を照射しながら成長温度３５０℃で窒素添加Ｚｎ
Ｓｅの成長を行いｐ型膜が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ
法でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜を成長する場合、一
般的にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体が基板として使用される。これは、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体では構成元素の蒸気圧が高いため、蒸
気圧制御が困難であることなどの理由により、良好な結
晶性を有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板が容易に得
られないためである。しかし、薄膜の成長時間は通常１
時間から数時間に及ぶため、薄膜と基板の化合物が異種
の場合には、成長温度が高温になると基板と成長層の間
で元素の相互拡散が起こり、互いの半導体の中で不純物
となって結晶性や電気伝導性を劣化させる。また、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体より
も構成元素の蒸気圧が高く、イオン結合性も強いために
原子空孔や格子間原子あるいはＩＩ族原子がＶＩ族原子
位置（またはその逆）を占めるアンチサイト等の固有欠
陥を生じ易い。この固有欠陥密度も、成長温度が高いほ
ど増加する。さらには、多重量子井戸構造のような超薄
膜の積層構造を作製する場合にも成長温度が高いと、組
成の異なる超薄膜間で元素の相互拡散が起こるため、界
面の急峻性が得られず所望の特性が得られない。また、
ｐ型ドーパントとして添加する窒素は、成長温度が低い
ほど成長中の結晶表面への付着確率が高まるためドーピ
ング効率が向上する。従って、窒素ドーパント供給量が
少なくても良く、同時に供給するＩＩ族およびＶＩ族原
料と気相中で有害反応を起こす可能性が低下して結晶性
の劣化要因が減る。
法でＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜を成長する場合、一
般的にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体が基板として使用される。これは、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体では構成元素の蒸気圧が高いため、蒸
気圧制御が困難であることなどの理由により、良好な結
晶性を有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板が容易に得
られないためである。しかし、薄膜の成長時間は通常１
時間から数時間に及ぶため、薄膜と基板の化合物が異種
の場合には、成長温度が高温になると基板と成長層の間
で元素の相互拡散が起こり、互いの半導体の中で不純物
となって結晶性や電気伝導性を劣化させる。また、ＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体より
も構成元素の蒸気圧が高く、イオン結合性も強いために
原子空孔や格子間原子あるいはＩＩ族原子がＶＩ族原子
位置（またはその逆）を占めるアンチサイト等の固有欠
陥を生じ易い。この固有欠陥密度も、成長温度が高いほ
ど増加する。さらには、多重量子井戸構造のような超薄
膜の積層構造を作製する場合にも成長温度が高いと、組
成の異なる超薄膜間で元素の相互拡散が起こるため、界
面の急峻性が得られず所望の特性が得られない。また、
ｐ型ドーパントとして添加する窒素は、成長温度が低い
ほど成長中の結晶表面への付着確率が高まるためドーピ
ング効率が向上する。従って、窒素ドーパント供給量が
少なくても良く、同時に供給するＩＩ族およびＶＩ族原
料と気相中で有害反応を起こす可能性が低下して結晶性
の劣化要因が減る。
【０００５】以上に述べたように、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体のｐ型薄膜の成長においては成長温度が低いほど
利点が多い。しかし、前記のＭＯＶＰＥ法においてｔＢ
ＮＨ2 をドーパント原料に用いた場合だけでなく、アン
モニアやジメチル・ヒドラジンを用いても、成長温度が
５００℃以下では膜が高抵抗になってしまい実用的な正
孔濃度のｐ型膜が得られない。この理由は、窒素ドーパ
ント原料が結合力の非常に強い窒素−水素結合を持つ化
合物であるために結合の切断が不完全なまま結晶中に取
り込まれてしまうこと、および、窒素と水素が結合した
状態の方が結晶中に取り込まれ易いことなどによって水
素が窒素の電荷を補償するためと考えられている。した
がって、ＭＯＶＰＥ法では窒素−水素結合を切断するの
に十分な熱エネルギーを供給できる場合、すなわち成長
温度が高い場合にだけｐ型膜が得られている。
半導体のｐ型薄膜の成長においては成長温度が低いほど
利点が多い。しかし、前記のＭＯＶＰＥ法においてｔＢ
ＮＨ2 をドーパント原料に用いた場合だけでなく、アン
モニアやジメチル・ヒドラジンを用いても、成長温度が
５００℃以下では膜が高抵抗になってしまい実用的な正
孔濃度のｐ型膜が得られない。この理由は、窒素ドーパ
ント原料が結合力の非常に強い窒素−水素結合を持つ化
合物であるために結合の切断が不完全なまま結晶中に取
り込まれてしまうこと、および、窒素と水素が結合した
状態の方が結晶中に取り込まれ易いことなどによって水
素が窒素の電荷を補償するためと考えられている。した
がって、ＭＯＶＰＥ法では窒素−水素結合を切断するの
に十分な熱エネルギーを供給できる場合、すなわち成長
温度が高い場合にだけｐ型膜が得られている。
【０００６】本発明は、上述した従来技術の問題点を解
決するためになされたものであり、ＭＯＶＰＥ法を用い
て結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜
を成長することができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ
型薄膜を製造する方法を提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、ＭＯＶＰＥ法を用い
て結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜
を成長することができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ
型薄膜を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製
造する方法は、ＩＩ族有機化合物原料と有機硫黄化合物
または有機セレン化合物の内少なくとも一方を含むＶＩ
族有機化合物原料とを用いたＭＯＶＰＥ法により、半導
体基板上に窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄
膜を３５０℃未満の成長温度で成長し、該窒素を添加し
たＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜に５５０℃以上で該化
合物半導体薄膜の結晶性を損なわない温度範囲で５分間
以下の短時間の熱処理を施すことを特徴とする。本発明
おいて用いるＶＩ族有機化合物原料には、ｔＢＳＨまた
はｔＢＳｅＨ等がある。
に、本発明のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製
造する方法は、ＩＩ族有機化合物原料と有機硫黄化合物
または有機セレン化合物の内少なくとも一方を含むＶＩ
族有機化合物原料とを用いたＭＯＶＰＥ法により、半導
体基板上に窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄
膜を３５０℃未満の成長温度で成長し、該窒素を添加し
たＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜に５５０℃以上で該化
合物半導体薄膜の結晶性を損なわない温度範囲で５分間
以下の短時間の熱処理を施すことを特徴とする。本発明
おいて用いるＶＩ族有機化合物原料には、ｔＢＳＨまた
はｔＢＳｅＨ等がある。
【０００８】
【作用】ＭＯＶＰＥ法で窒素添加ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体薄膜の結晶成長において、１時間〜数時間の長い時
間を要する結晶成長を３５０℃未満の低温で行うことに
より、高濃度の窒素添加が容易になるとともに、基板あ
るいは他の成長層との間の元素相互拡散や固有欠陥の少
ない結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜が得
られる。結晶中での元素の拡散や欠陥の生成は、いずれ
も構成元素が熱エネルギーを得て移動する現象である
が、結晶中の欠陥が少ないほど元素の移動経路が減少す
るために元素の拡散や欠陥生成が起こりにくくなる。よ
って、低温成長で得られた結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体薄膜を成長温度より高温で熱処理しても、
成長時間と比較して短時間の熱処理であれば元素の相互
拡散や新たな固有欠陥の生成は少ない。また、結晶中の
窒素と水素の結合の強さは、５５０℃以上で切断が可能
な程度である。したがって、５５０℃以上で７５０℃以
下程度の温度範囲で５分間以下の短時間の熱処理を施す
ことにより、結晶性を損なうことなく薄膜中の窒素−水
素結合を切断することができ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のｐ型薄膜を得ることが可能となる。
導体薄膜の結晶成長において、１時間〜数時間の長い時
間を要する結晶成長を３５０℃未満の低温で行うことに
より、高濃度の窒素添加が容易になるとともに、基板あ
るいは他の成長層との間の元素相互拡散や固有欠陥の少
ない結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜が得
られる。結晶中での元素の拡散や欠陥の生成は、いずれ
も構成元素が熱エネルギーを得て移動する現象である
が、結晶中の欠陥が少ないほど元素の移動経路が減少す
るために元素の拡散や欠陥生成が起こりにくくなる。よ
って、低温成長で得られた結晶性の優れたＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体薄膜を成長温度より高温で熱処理しても、
成長時間と比較して短時間の熱処理であれば元素の相互
拡散や新たな固有欠陥の生成は少ない。また、結晶中の
窒素と水素の結合の強さは、５５０℃以上で切断が可能
な程度である。したがって、５５０℃以上で７５０℃以
下程度の温度範囲で５分間以下の短時間の熱処理を施す
ことにより、結晶性を損なうことなく薄膜中の窒素−水
素結合を切断することができ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のｐ型薄膜を得ることが可能となる。
【０００９】
【実施例１】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。図１は本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示
した、硫化セレン化亜鉛カドミウム（Ｚｎx Ｃｄ1-x Ｓ
y Ｓe1-y：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）のＭＯＶＰＥ装置
である。図において、１は有機金属原料ガスのキャリア
ガスとなる高純度水素ガスボンベ、２は高純度窒素ガス
ボンベ、３は窒素供給配管、４はプラズマ活性化室、５
は高周波コイル、６は高周波電源、７は窒素プラズマ、
８は成長室、９はＧａＡｓ基板、１０は有機金属原料ガ
ス導入管、１１はオリフィス、１２は基板加熱用炭素製
サセプタ、１３は真空排気装置、３１〜３７は流量制御
器、４１は亜鉛原料（例えばＤＥＺｎ）、４２はカドミ
ウム原料（例えば、ジ・メチル・カドミウム：ＤＭＣ
ｄ）、４３はセレン原料（例えば、ターシャリ・ブチル
・セレノール：ｔＢＳｅＨ）、４４は硫黄原料（例え
ば、ターシャリ・ブタン・チオール：ｔＢＳＨ）、５１
〜６０は原料流路切り替えバルブである。なお、本図面
では、簡略化のため本発明に関連する部分のみを図示し
てあり、通常ＭＯＶＰＥ装置に備えられている圧力計や
バルブなどの機器は一部省略されている。
る。図１は本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示
した、硫化セレン化亜鉛カドミウム（Ｚｎx Ｃｄ1-x Ｓ
y Ｓe1-y：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）のＭＯＶＰＥ装置
である。図において、１は有機金属原料ガスのキャリア
ガスとなる高純度水素ガスボンベ、２は高純度窒素ガス
ボンベ、３は窒素供給配管、４はプラズマ活性化室、５
は高周波コイル、６は高周波電源、７は窒素プラズマ、
８は成長室、９はＧａＡｓ基板、１０は有機金属原料ガ
ス導入管、１１はオリフィス、１２は基板加熱用炭素製
サセプタ、１３は真空排気装置、３１〜３７は流量制御
器、４１は亜鉛原料（例えばＤＥＺｎ）、４２はカドミ
ウム原料（例えば、ジ・メチル・カドミウム：ＤＭＣ
ｄ）、４３はセレン原料（例えば、ターシャリ・ブチル
・セレノール：ｔＢＳｅＨ）、４４は硫黄原料（例え
ば、ターシャリ・ブタン・チオール：ｔＢＳＨ）、５１
〜６０は原料流路切り替えバルブである。なお、本図面
では、簡略化のため本発明に関連する部分のみを図示し
てあり、通常ＭＯＶＰＥ装置に備えられている圧力計や
バルブなどの機器は一部省略されている。
【００１０】本装置では、高純度水素ガスボンベ１から
供給される水素ガスを流量制御器３３〜３６で所定の流
量に調節し、有機金属原料４１〜４４をバブリングする
ことにより有機金属原料ガスを成長室８に輸送する。輸
送した有機金属原料ガスを、成長室８の上流側に配置し
た有機金属原料ガス導入管１０から基板加熱用炭素製サ
セプタ１２で加熱されたＧａＡｓ基板９に向けて吹き付
けると、ＧａＡｓ基板９付近で有機金属原料ガスが熱分
解しＧａＡｓ基板９上にＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶が成
長する。ここで、成長温度はＩＩ族有機原料よりも一般
に熱分解温度が高いＶＩ族有機原料を十分に熱分解でき
る温度が下限となるが、ｔＢＳｅＨやｔＢＳＨを用いる
と１μm ／h 程度の実用的な成長速度を３５０℃未満の
温度で得ることが可能である。高純度窒素ガスボンベ２
から供給される窒素ガスを流量制御器３７で流量調節
し、窒素ガス配管３を通してプラズマ活性化室４に導入
する。ここで、活性化室４内の圧力はプラズマの発生が
容易な数十Ｔｏｒｒ以下に保つ。高周波電源６から高周
波コイル５に高周波電力を供給しプラズマ活性化室４内
に窒素プラズマ７を発生させ、窒素分子を活性な状態に
励起する。この活性窒素分子をオリフィス１１を通して
成長室８に導きＧａＡｓ基板９に向けて吹き付ける。Ｍ
ＯＶＰＥ装置で常用される成長室内の圧力は数十Ｔｏｒ
ｒ〜大気圧であるが、そのような成長室圧力では活性状
態窒素の大半が、オリフィス１１からＧａＡｓ基板９に
到達する前に他のガス分子と衝突して再び不活性な状態
に戻る。よって、他のガス分子との衝突を減少させるた
めに成長室８内の圧力を活性化室４内より低い数Ｔｏｒ
ｒ以下にする。成長室８内で他のガス分子と衝突しなか
った窒素分子は、活性状態のままＧａＡｓ基板９に到達
するが、ＧａＡｓ基板９表面に吸着している雰囲気の水
素と結合して成長中のＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶中に取
り込まれる。このように３５０℃未満の低温度で成長す
ることによりＺｎＣｄＳＳｅの薄膜に高濃度の窒素を添
加することが可能となり、また、基板あるいは他の成長
層との間の元素相互拡散や固有欠陥が少ない結晶性の良
い薄膜が得られるが、窒素とともに取り込まれた水素が
ドーパントである窒素の電荷を補償しているため熱処理
前は高抵抗である。
供給される水素ガスを流量制御器３３〜３６で所定の流
量に調節し、有機金属原料４１〜４４をバブリングする
ことにより有機金属原料ガスを成長室８に輸送する。輸
送した有機金属原料ガスを、成長室８の上流側に配置し
た有機金属原料ガス導入管１０から基板加熱用炭素製サ
セプタ１２で加熱されたＧａＡｓ基板９に向けて吹き付
けると、ＧａＡｓ基板９付近で有機金属原料ガスが熱分
解しＧａＡｓ基板９上にＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶が成
長する。ここで、成長温度はＩＩ族有機原料よりも一般
に熱分解温度が高いＶＩ族有機原料を十分に熱分解でき
る温度が下限となるが、ｔＢＳｅＨやｔＢＳＨを用いる
と１μm ／h 程度の実用的な成長速度を３５０℃未満の
温度で得ることが可能である。高純度窒素ガスボンベ２
から供給される窒素ガスを流量制御器３７で流量調節
し、窒素ガス配管３を通してプラズマ活性化室４に導入
する。ここで、活性化室４内の圧力はプラズマの発生が
容易な数十Ｔｏｒｒ以下に保つ。高周波電源６から高周
波コイル５に高周波電力を供給しプラズマ活性化室４内
に窒素プラズマ７を発生させ、窒素分子を活性な状態に
励起する。この活性窒素分子をオリフィス１１を通して
成長室８に導きＧａＡｓ基板９に向けて吹き付ける。Ｍ
ＯＶＰＥ装置で常用される成長室内の圧力は数十Ｔｏｒ
ｒ〜大気圧であるが、そのような成長室圧力では活性状
態窒素の大半が、オリフィス１１からＧａＡｓ基板９に
到達する前に他のガス分子と衝突して再び不活性な状態
に戻る。よって、他のガス分子との衝突を減少させるた
めに成長室８内の圧力を活性化室４内より低い数Ｔｏｒ
ｒ以下にする。成長室８内で他のガス分子と衝突しなか
った窒素分子は、活性状態のままＧａＡｓ基板９に到達
するが、ＧａＡｓ基板９表面に吸着している雰囲気の水
素と結合して成長中のＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶中に取
り込まれる。このように３５０℃未満の低温度で成長す
ることによりＺｎＣｄＳＳｅの薄膜に高濃度の窒素を添
加することが可能となり、また、基板あるいは他の成長
層との間の元素相互拡散や固有欠陥が少ない結晶性の良
い薄膜が得られるが、窒素とともに取り込まれた水素が
ドーパントである窒素の電荷を補償しているため熱処理
前は高抵抗である。
【００１１】成長した薄膜を図１のＭＯＶＰＥ装置から
取り出し、その表面に熱処理時に薄膜表面から構成元素
が蒸発するのを防ぐために二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
保護膜を０．１μm 程度以上の厚さに堆積する。さら
に、ＳｉＯ2 膜で表面を保護したＺｎＣｄＳＳｅ薄膜
を、図２に示すような加熱部の熱容量を小さくして昇温
・降温速度を高めた熱処理炉に導入する。ここで、１０
０は炉壁、１０１は雰囲気ガスのボンベ（例えば窒素ガ
ス）、１０２は排気口、１０３はヒーター、１０４は温
度調節器、１０５は試料台、１０６は熱処理を施す試料
である。ヒーター１０３で加熱されるのは試料台１０５
と試料１０６だけであるため、熱処理炉の昇温・降温速
度を昇温・降温に要する時間が熱処理時間と同程度かそ
れより短くなるような速度に高めることができる。この
熱処理炉で、温度５５０℃以上で７５０℃以下の温度範
囲で５分間以下の熱処理を施すことにより、結晶性を損
なうことなく薄膜中の窒素−水素結合を切断することが
可能で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を得るこ
とができる。熱処理温度が７５０℃を越えると、保護膜
で被っていない基板からの元素の蒸発が激しくなる。こ
れを防止するために熱処理時間を短くすると、再現性が
劣るなどの問題を生ずる。なおＺｎＣｄＳＳｅは、レー
ザ用半導体の材料として将来有望な材料として評価して
いる。
取り出し、その表面に熱処理時に薄膜表面から構成元素
が蒸発するのを防ぐために二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
保護膜を０．１μm 程度以上の厚さに堆積する。さら
に、ＳｉＯ2 膜で表面を保護したＺｎＣｄＳＳｅ薄膜
を、図２に示すような加熱部の熱容量を小さくして昇温
・降温速度を高めた熱処理炉に導入する。ここで、１０
０は炉壁、１０１は雰囲気ガスのボンベ（例えば窒素ガ
ス）、１０２は排気口、１０３はヒーター、１０４は温
度調節器、１０５は試料台、１０６は熱処理を施す試料
である。ヒーター１０３で加熱されるのは試料台１０５
と試料１０６だけであるため、熱処理炉の昇温・降温速
度を昇温・降温に要する時間が熱処理時間と同程度かそ
れより短くなるような速度に高めることができる。この
熱処理炉で、温度５５０℃以上で７５０℃以下の温度範
囲で５分間以下の熱処理を施すことにより、結晶性を損
なうことなく薄膜中の窒素−水素結合を切断することが
可能で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を得るこ
とができる。熱処理温度が７５０℃を越えると、保護膜
で被っていない基板からの元素の蒸発が激しくなる。こ
れを防止するために熱処理時間を短くすると、再現性が
劣るなどの問題を生ずる。なおＺｎＣｄＳＳｅは、レー
ザ用半導体の材料として将来有望な材料として評価して
いる。
【００１２】
【実施例２】図３は本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の
一例を示した、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置であ
る。２０は窒素ドーパント原料供給配管、２１は配管加
熱用ヒータ、４５は窒素ドーパント原料（例えばｔＢＮ
Ｈ2 ）であり、その他の構成要素は図１と同じである。
有機金属原料４１〜４４のガスを成長室８に導入してＧ
ａＡｓ基板９上にＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶を成長させ
る方法は実施例１と同じであり、ＶＩ族有機原料にｔＢ
ＳｅＨやｔＢＳＨを用いると３５０℃未満での成長が可
能である。高純度窒素ガスボンベ２から供給される窒素
ガスを流量制御器３７で調節し、窒素ドーパント原料４
５をバブリングすることにより窒素ドーパント原料ガス
を窒素ドーパント原料供給配管２０に導く。窒素ドーパ
ント原料の分解温度は、一般に本発明で用いる成長温度
よりも高いため、窒素ドーパント原料供給配管２０内で
配管加熱用ヒータ２１によって成長温度以上の高温で熱
分解して後反応炉８に供給する。例えば、窒素ドーパン
ト原料４５がｔＢＮＨ2 の場合には熱分解温度として６
００℃〜８００℃程度が適当である。熱分解された窒素
ドーパントは、反応炉８内で有機金属原料ガスと混合さ
れるため雰囲気に存在する水素とある程度反応してしま
うが、ＧａＡｓ基板９に到達して成長中のＩＩ−ＶＩ族
化合物の結晶中に取り込まれる。このように３５０℃未
満の低温度で成長することによりＺｎＣｄＳＳｅの薄膜
に高濃度の窒素を添加することが可能となり、また、基
板あるいは他の成長層との間の元素相互拡散や固有欠陥
が少ない結晶性の良い薄膜が得られるが、窒素とともに
取り込まれた水素がドーパントである窒素の電荷を補償
しているため熱処理前は高抵抗である。この窒素添加Ｚ
ｎＣｄＳＳｅ薄膜を図２に示した熱処理炉を用いて実施
例１と同様の方法で熱処理することにより、結晶性を損
なうことなく薄膜中の窒素−水素結合を切断することが
可能で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を得るこ
とができる。
合物半導体のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の
一例を示した、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置であ
る。２０は窒素ドーパント原料供給配管、２１は配管加
熱用ヒータ、４５は窒素ドーパント原料（例えばｔＢＮ
Ｈ2 ）であり、その他の構成要素は図１と同じである。
有機金属原料４１〜４４のガスを成長室８に導入してＧ
ａＡｓ基板９上にＩＩ−ＶＩ族化合物の結晶を成長させ
る方法は実施例１と同じであり、ＶＩ族有機原料にｔＢ
ＳｅＨやｔＢＳＨを用いると３５０℃未満での成長が可
能である。高純度窒素ガスボンベ２から供給される窒素
ガスを流量制御器３７で調節し、窒素ドーパント原料４
５をバブリングすることにより窒素ドーパント原料ガス
を窒素ドーパント原料供給配管２０に導く。窒素ドーパ
ント原料の分解温度は、一般に本発明で用いる成長温度
よりも高いため、窒素ドーパント原料供給配管２０内で
配管加熱用ヒータ２１によって成長温度以上の高温で熱
分解して後反応炉８に供給する。例えば、窒素ドーパン
ト原料４５がｔＢＮＨ2 の場合には熱分解温度として６
００℃〜８００℃程度が適当である。熱分解された窒素
ドーパントは、反応炉８内で有機金属原料ガスと混合さ
れるため雰囲気に存在する水素とある程度反応してしま
うが、ＧａＡｓ基板９に到達して成長中のＩＩ−ＶＩ族
化合物の結晶中に取り込まれる。このように３５０℃未
満の低温度で成長することによりＺｎＣｄＳＳｅの薄膜
に高濃度の窒素を添加することが可能となり、また、基
板あるいは他の成長層との間の元素相互拡散や固有欠陥
が少ない結晶性の良い薄膜が得られるが、窒素とともに
取り込まれた水素がドーパントである窒素の電荷を補償
しているため熱処理前は高抵抗である。この窒素添加Ｚ
ｎＣｄＳＳｅ薄膜を図２に示した熱処理炉を用いて実施
例１と同様の方法で熱処理することにより、結晶性を損
なうことなく薄膜中の窒素−水素結合を切断することが
可能で、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を得るこ
とができる。
【００１３】
【実施例３】実施例１および２ではＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体としてＺｎＣｄＳＳｅの場合を示したが、硫黄ま
たはセレンをＶＩ族元素の主成分として含むＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体であれば本発明を適用することができ
る。例えば、ＩＩ族元素としてマグネシウム（Ｍｇ）、
水銀（Ｈｇ）などを、また、ＶＩ族元素としてテルル
（Ｔｅ）などを含んでも、ＶＩ族元素の主成分として硫
黄またはセレンを含んでいればよい。また、窒素の添加
方法として実施例１では、プラズマで活性状態に励起し
た窒素分子をドーパントに用いた場合を、実施例２では
ｔＢＮＨ2 をドーパント原料に用いた場合を示したが、
本発明はこれらに限らない。例えば、アンモニア、トリ
・メチル・アミンやジ・メチル・ヒドラジン等の有機化
合物をドーパント原料に用い熱分解して供給する方法で
も同様の効果は得られる。
半導体としてＺｎＣｄＳＳｅの場合を示したが、硫黄ま
たはセレンをＶＩ族元素の主成分として含むＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体であれば本発明を適用することができ
る。例えば、ＩＩ族元素としてマグネシウム（Ｍｇ）、
水銀（Ｈｇ）などを、また、ＶＩ族元素としてテルル
（Ｔｅ）などを含んでも、ＶＩ族元素の主成分として硫
黄またはセレンを含んでいればよい。また、窒素の添加
方法として実施例１では、プラズマで活性状態に励起し
た窒素分子をドーパントに用いた場合を、実施例２では
ｔＢＮＨ2 をドーパント原料に用いた場合を示したが、
本発明はこれらに限らない。例えば、アンモニア、トリ
・メチル・アミンやジ・メチル・ヒドラジン等の有機化
合物をドーパント原料に用い熱分解して供給する方法で
も同様の効果は得られる。
【００１４】
【発明の効果】図４は図１の装置を用いた時の、熱処理
温度、熱処理時間と窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の正孔濃度の
関係を示したものである。基板にクロム・酸素ドープの
半絶縁性（１００）ＧａＡｓ上に成長温度３００℃、成
長室８内の圧力１Ｔｏｒｒ、ＤＥＺｎ流量５μｍｏｌ／
ｍｉｎ、ｔＢＳｅＨ流量５０μｍｏｌ／ｍｉｎ、活性化
室４内の圧力８Ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗで窒素添
加ＺｎＳｅ薄膜の成長を行った場合である。このときの
ＺｎＳｅ薄膜の成長速度は１μｍ／ｈであり、二次イオ
ン質量分析で求めた膜中の窒素濃度は１×１０18cm-3で
あった。膜厚３μｍの窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の表面をＳ
ｉＯ2 膜で保護して温度５５０℃、６００℃および７０
０℃で熱処理した後、ＳｉＯ2 膜を除去して正孔濃度を
測定した。ここで、熱処理時の昇温時間は約３分とし、
所定の熱処理温度に保持した時間を熱処理時間とした。
図４に示したように熱処理温度を高く、また熱処理時間
を長くした方が高い正孔濃度が得られる傾向を示すが、
熱処理時間が最適値を越えて長くなると結晶性が劣化し
て再び正孔濃度は減少してしまう。
温度、熱処理時間と窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の正孔濃度の
関係を示したものである。基板にクロム・酸素ドープの
半絶縁性（１００）ＧａＡｓ上に成長温度３００℃、成
長室８内の圧力１Ｔｏｒｒ、ＤＥＺｎ流量５μｍｏｌ／
ｍｉｎ、ｔＢＳｅＨ流量５０μｍｏｌ／ｍｉｎ、活性化
室４内の圧力８Ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗで窒素添
加ＺｎＳｅ薄膜の成長を行った場合である。このときの
ＺｎＳｅ薄膜の成長速度は１μｍ／ｈであり、二次イオ
ン質量分析で求めた膜中の窒素濃度は１×１０18cm-3で
あった。膜厚３μｍの窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の表面をＳ
ｉＯ2 膜で保護して温度５５０℃、６００℃および７０
０℃で熱処理した後、ＳｉＯ2 膜を除去して正孔濃度を
測定した。ここで、熱処理時の昇温時間は約３分とし、
所定の熱処理温度に保持した時間を熱処理時間とした。
図４に示したように熱処理温度を高く、また熱処理時間
を長くした方が高い正孔濃度が得られる傾向を示すが、
熱処理時間が最適値を越えて長くなると結晶性が劣化し
て再び正孔濃度は減少してしまう。
【００１５】図５は図１に示した装置を用いて成長した
窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の、熱処理前と７００℃で２分熱
処理した後の、液体ヘリウム温度におけるホトルミネセ
ンススペクトルを示したものであり、横軸はホトルミネ
センスの光子エネルギー、縦軸はホトルミネセンスの強
度である。成長条件は、図４の場合と同様である。図よ
り熱処理前でも熱処理後でも、結晶の欠陥によって生成
される禁制帯中の深い準位に関係した光子エネルギー
２. ５ｅＶ以下のホトルミネセンスは極めて弱く、本発
明による窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の結晶性が良好であり、
また熱処理によっても劣化しないことを示している。ま
た、光子エネルギー２. ６ｅＶ〜２. ７ｅＶのホトルミ
ネセンスは、薄膜中に残留している不要な浅いｎ型不純
物原子から浅いｐ型添加物原子（窒素原子）への遷移に
基づくものであるが、熱処理前と比較して熱処理後には
弱くなっており、ｐ型添加物原子を電荷補償して膜を高
抵抗化するｎ型不純物原子の実効密度が低下しているこ
とを示している。
窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の、熱処理前と７００℃で２分熱
処理した後の、液体ヘリウム温度におけるホトルミネセ
ンススペクトルを示したものであり、横軸はホトルミネ
センスの光子エネルギー、縦軸はホトルミネセンスの強
度である。成長条件は、図４の場合と同様である。図よ
り熱処理前でも熱処理後でも、結晶の欠陥によって生成
される禁制帯中の深い準位に関係した光子エネルギー
２. ５ｅＶ以下のホトルミネセンスは極めて弱く、本発
明による窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の結晶性が良好であり、
また熱処理によっても劣化しないことを示している。ま
た、光子エネルギー２. ６ｅＶ〜２. ７ｅＶのホトルミ
ネセンスは、薄膜中に残留している不要な浅いｎ型不純
物原子から浅いｐ型添加物原子（窒素原子）への遷移に
基づくものであるが、熱処理前と比較して熱処理後には
弱くなっており、ｐ型添加物原子を電荷補償して膜を高
抵抗化するｎ型不純物原子の実効密度が低下しているこ
とを示している。
【００１６】同様に図３の装置を用い、クロム・酸素ド
ープの半絶縁性（１００）ＧａＡｓ基板上に成長温度３
００℃、成長室８内の圧力３００Ｔｏｒｒ、ＤＥＺｎ流
量１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔＢＳｅＨ流量２０μｍｏｌ
／ｍｉｎ、ｔＢＮＨ2 流量４０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔＢ
ＮＨ2 の熱分解温度７５０℃で窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の
成長を行った。このときのＺｎＳｅ薄膜の成長速度は
１. １μｍ／ｈであり、二次イオン質量分析で求めた膜
中の窒素濃度は１×１０18cm-3であった。膜厚３μｍの
窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の表面をＳｉＯ2 膜で保護して温
度６００℃で１分間熱処理した後、ＳｉＯ2 膜を除去し
て測定した正孔濃度は１０16cm-3台の値であった。
ープの半絶縁性（１００）ＧａＡｓ基板上に成長温度３
００℃、成長室８内の圧力３００Ｔｏｒｒ、ＤＥＺｎ流
量１０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔＢＳｅＨ流量２０μｍｏｌ
／ｍｉｎ、ｔＢＮＨ2 流量４０μｍｏｌ／ｍｉｎ、ｔＢ
ＮＨ2 の熱分解温度７５０℃で窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の
成長を行った。このときのＺｎＳｅ薄膜の成長速度は
１. １μｍ／ｈであり、二次イオン質量分析で求めた膜
中の窒素濃度は１×１０18cm-3であった。膜厚３μｍの
窒素添加ＺｎＳｅ薄膜の表面をＳｉＯ2 膜で保護して温
度６００℃で１分間熱処理した後、ＳｉＯ2 膜を除去し
て測定した正孔濃度は１０16cm-3台の値であった。
【００１７】以上に述べたように、本発明によりＭＯＶ
ＰＥ法を用いて３５０℃未満の成長温度で成長し、簡単
な熱処理により結晶性の優れた窒素添加ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体のｐ型薄膜を得ることできる。
ＰＥ法を用いて３５０℃未満の成長温度で成長し、簡単
な熱処理により結晶性の優れた窒素添加ＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体のｐ型薄膜を得ることできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示し
た、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置の系統図である。
のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示し
た、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置の系統図である。
【図２】本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
のｐ型薄膜の製造に用いる熱処理炉の一例を示した系統
図である。
のｐ型薄膜の製造に用いる熱処理炉の一例を示した系統
図である。
【図３】本発明の方法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示し
た、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置の系統図である。
のｐ型薄膜の製造に用いるＭＯＶＰＥ装置の一例を示し
た、ＺｎＣｄＳＳｅのＭＯＶＰＥ装置の系統図である。
【図４】本発明の方法による窒素添加ｐ型ＺｎＳｅ薄膜
の熱処理温度，熱処理時間と正孔濃度との関係を示す特
性図である。
の熱処理温度，熱処理時間と正孔濃度との関係を示す特
性図である。
【図５】本発明の方法による窒素添加ｐ型ＺｎＳｅ薄膜
（熱処理後）と熱処理前の高抵抗ＺｎＳｅ薄膜の液体ヘ
リウム温度におけるホトルミネセンススペクトル特性図
である。
（熱処理後）と熱処理前の高抵抗ＺｎＳｅ薄膜の液体ヘ
リウム温度におけるホトルミネセンススペクトル特性図
である。
１ 高純度水素ガスボンベ ２ 高純度窒素ガスボンベ ３ 窒素供給配管 ４ プラズマ活性化室 ５ 高周波コイル ６ 高周波電源 ７ 窒素プラズマ ８ 成長室 ９ ＧａＡｓ基板 １０ 有機金属原料ガス導入管 １１ オリフィス １２ 基板加熱用炭素製サセプタ １３ 真空排気装置 １４ 窒素ドーパント原料供給配管 ２１ 配管加熱用ヒータ ３１〜３７ 流量制御器 ４１ 亜鉛原料（例えばジエチル亜鉛） ４２ カドミウム原料（例えばジメチルカドミウム） ４３ セレン原料（例えばターシャリ・ブチル・セレノ
ール） ４４ 硫黄原料（例えばターシャリ・ブタン・チオー
ル） ４５ 窒素ドーパント原料 ５１〜６０ 原料流路切り替えバルブ １００ 炉壁 １０１ 雰囲気ガス（例えば窒素ガス） １０２ 排気口 １０３ ヒーター １０４ 温度調節器 １０５ 試料台 １０６ 熱処理を施す試料
ール） ４４ 硫黄原料（例えばターシャリ・ブタン・チオー
ル） ４５ 窒素ドーパント原料 ５１〜６０ 原料流路切り替えバルブ １００ 炉壁 １０１ 雰囲気ガス（例えば窒素ガス） １０２ 排気口 １０３ ヒーター １０４ 温度調節器 １０５ 試料台 １０６ 熱処理を施す試料
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＩ族有機化合物原料と有機硫黄化合物
または有機セレン化合物の内少なくとも一方を含むＶＩ
族有機化合物原料とを用いた有機金属気相成長法によ
り、半導体基板上に窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体薄膜を３５０℃未満の成長温度で成長し、該成長
後に該窒素を添加したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄膜に
５５０℃以上で該化合物半導体薄膜の結晶性を損なわな
い温度範囲で５分間以下の短時間の熱処理を施すことを
特徴とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造
する方法。 - 【請求項２】 前記有機硫黄化合物としてターシャリ・
ブタン・チオールを用いることを特徴とする請求項１に
記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する
方法。 - 【請求項３】 前記有機セレン化合物としてターシャリ
・ブチル・セレノールを用いることを特徴とする請求項
１に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造
する方法。 - 【請求項４】 前記ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が硫化セ
レン化亜鉛カドミウムであることを特徴とする請求項１
に記載のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造す
る方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096693A JPH0786186A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25096693A JPH0786186A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786186A true JPH0786186A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=17215676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25096693A Pending JPH0786186A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のｐ型薄膜を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019522106A (ja) * | 2016-05-13 | 2019-08-08 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 二次元材料を製造するための化学蒸着方法 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25096693A patent/JPH0786186A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019522106A (ja) * | 2016-05-13 | 2019-08-08 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 二次元材料を製造するための化学蒸着方法 |
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