EA026823B1 - Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры - Google Patents

Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры Download PDF

Info

Publication number
EA026823B1
EA026823B1 EA201390802A EA201390802A EA026823B1 EA 026823 B1 EA026823 B1 EA 026823B1 EA 201390802 A EA201390802 A EA 201390802A EA 201390802 A EA201390802 A EA 201390802A EA 026823 B1 EA026823 B1 EA 026823B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
substrate
nanowire
nanowires
graphite
growth
Prior art date
Application number
EA201390802A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201390802A1 (ru
Inventor
Хельг Веман
Бьерн-Ове Фимланд
Дон Чуль Ким
Original Assignee
Норвегиан Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Энтиэню)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Норвегиан Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Энтиэню) filed Critical Норвегиан Юниверсити Оф Сайенс Энд Текнолоджи (Энтиэню)
Publication of EA201390802A1 publication Critical patent/EA201390802A1/ru
Publication of EA026823B1 publication Critical patent/EA026823B1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02376—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H01L21/02645—Seed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02653—Vapour-liquid-solid growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0676—Nanowires or nanotubes oriented perpendicular or at an angle to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L29/1606—Graphene

Abstract

Композиция материала, включающего по меньшей мере одну нанопроволоку на графитовой подложке, причем указанная по меньшей мере одна нанопроволока выращена путем эпитаксии на указанной подложке, где указанная нанопроволока включает по меньшей мере одно соединение Групп III-V или по меньшей мере одно соединение Групп II-VI или включает по меньшей мере один элемент Группы IV, не являющийся углеродом.

Description

Изобретение относится к способу эпитаксиального выращивания нанопроволок на графитовых подложках. В частности, в изобретении применяют технологии молекулярно-пучковой эпитаксии для эпитаксиального выращивания идеально вертикальных нанопроволок на графитовых подложках. Получающиеся нанопроволоки на подложке образуют еще один аспект изобретения. Нанопроволоки предпочтительно являются полупроводящими материалами и имеют широкий диапазон применений, например, в электронной промышленности или в фотоэлементах солнечных батарей.
В последние годы по мере того как нанотехнология становится важной инженерной дисциплиной, усилился интерес к полупроводниковым нанопроволокам. Обнаружили, что нанопроволоки, которые также называют нитевидными нанокристаллами, наностержнями, наностолбиками или наноколоннами и т.п., имеют важные применения во множестве электрических устройств, таких как датчики, от фотоэлементов солнечных батарей до светодиодов.
В настоящей заявке термин нанопроволока следует интерпретировать как структуру, по существу, являющуюся одномерной, т.е. обладающую размерами в диапазоне нанометров по своей ширине или диаметру, и ее длина обычно составляет от нескольких сотен нанометров до нескольких микрометров. Обычно считают, что нанопроволоки имеют по меньшей мере два измерения не более 200 нм.
Регулирование одномерного роста в нанометровом масштабе предлагает уникальные возможности для объединения материалов и для управления свойствами, включая механические, электрические, оптические, термоэлектрические, пьезоэлектрические и электромагнитные свойства, и для конструирования новых устройств.
Существует много различных типов нанопроволок, включая металлические (например, Νί, Ρΐ, Аи), полупроводящие (например, δί, ΙηΡ, ΟαΝ. ОаАк, ΖηΟ и т.д.) и изолирующие (например, δίθ2, ΤίΟ2) нанопроволоки. Авторы настоящего изобретения главным образом имели дело с полупроводящими нанопроволоками, хотя предполагается, что принципы, подробно описанные ниже, применимы к технологиям с всевозможными нанопроволоками.
Традиционно полупроводящие нанопроволоки выращивают на подложке, идентичной самой нанопроволоке (гомоэпитаксиальный рост). Таким образом, ОаАк нанопроволоки выращивают на ОаАк подложках и т.п. Это, конечно, обеспечивает существование соответствия параметров решетки кристаллической структуры подложки и кристаллической структуры растущей нанопроволоки. Как подложка, так и нанопроволока могут иметь идентичные кристаллические структуры.
Выращивание нанопроволоки на совпадающей подложке, однако, является очень дорогим и имеет ограничения. Например, ОаАк подложки необходимо специально изготавливать, что дорого. Чтобы обеспечить рост нанопроволоки в нормальном предпочтительном направлении [111]В, подложку необходимо специально нарезать на пластины, чтобы они имели [111]В ориентированную поверхность по сравнению с более обыкновенной подложкой с (001) ориентированной поверхностью. [111]В ориентированные ОаАк подложки являются более дорогими, чем (001) ориентированные ОаАк подложки. Также ОаАк не является идеальным материалом, чтобы вообще нести нанопроволоку. Он, например, не является механически прочным или инертным. Он не является гибким или прозрачным. Лучше применять другие, более привлекательные подложки.
Авторы настоящего изобретения искали пути ухода от этих ограничивающих подложек. Конечно, такой подход не ограничивается только использованием других подложек. Если подложка является отличной от выращиваемой нанопроволоки, тогда по определению между подложкой и нанопроволокой существует потенциальное несоответствие параметров решетки, а также необходимо учитывать многочисленные другие возможные проблемы. Тем не менее в литературе содержатся попытки других авторов вырастить полупроводящие нанопроволоки на альтернативных подложках.
В Р1188атб с1 а1., №по1есйпо1о§у, 21, 2010, 385602-10 были сделаны попытки вырастить вертикальные ОаАк нанопроволоки на кремниевых [111] ориентированных подложках с использованием Оа в качестве катализатора. Кремний, очевидно, является предпочтительной электронной подложкой, однако он слишком дорог в чистой форме. Более того, он непрозрачен и негибок. Также его свойства ухудшаются от негативного взаимодействия с золотом - катализатором, часто используемым при выращивании нанопроволоки. Золото может диффундировать в кремний и образовывать дефекты уровней в центре запрещенной зоны в нанопроволоке и подложке. РНккатб е1 а1. фактически делают вывод, что использование золота с кремниевой подложкой невозможно, и разрабатывают технологию выращивания нанопроволоки без использования золота.
Авторы настоящего изобретения пытались вырастить нанопроволоки путем эпитаксии на графитовых подложках. Графитовые подложки представляют собой подложки, состоящие из одного или множества слоев графена или его производных. В своей тончайшей форме графен является слоем с толщиной, составляющей один атом углерода, в котором атомы углерода связаны друг с другом двойными электронными связями (так называемая связь между §р2-гибридизованными атомами) и упорядочены в решетчатую структуру в виде сот. В отличие от других полупроводящих подложек, таких как ОаАк подложки, графитовые подложки являются очень дешевыми, легкодоступными материалами, которые обеспечивают идеальную подложку для роста нанопроволок. Использование нескольких уложенных слоями графеновых подложек является идеальным, так как они тонкие, легкие и гибкие, а также очень прочные.
- 1 026823
Их электрические свойства можно изменять от высокой электропроводности до свойств изоляционного материала. Они также непроницаемы, очень инертны и, следовательно, совместимы с золотом и другими катализаторами.
Однако дефект свободного эпитаксиального роста нанопроволок между такими различными классами материалов не является очевидным, так как (большинство) полупроводников являются трехмерными с химически активными свободными связями на поверхности, в то время как графит имеет двумерную сотовую структуру без свободных связей на поверхности и, таким образом, образует очень инертную и гидрофобную поверхность.
Выращивание нанопроволок на таких подложках, как графит, также может представлять проблему, так как очевидно наличие больших несоответствий параметров решеток между подложкой и растущей нанопроволокой. Большие несоответствия параметров решеток могут привести к дефектам нанопроволок, связанным с дислокациями, или, фактически, вообще к отсутствию роста нанопроволок. Для эпитаксиального роста нанопроволоки важно, чтобы нанопроволока была упорядочена и принимала совместимую кристаллическую структуру, которая соответствует подложке.
Для многих применений важно, чтобы нанопроволоки могли расти вертикально, перпендикулярно поверхности подложки. Полупроводниковые нанопроволоки обычно растут в [111] направлении (при кубической кристаллической структуре) или в [0001] направлении (при гексагональной кристаллической структуре). Это означает, что поверхность подложки должна быть [111] или [0001] ориентирована, когда атомы поверхности подложки упорядочены в гексагональной симметрии.
Существует еще много препятствий, которые необходимо преодолеть до того, как можно будет вырастить полупроводниковую нанопроволоку на графитовой поверхности.
Как отмечено выше, были предприняты попытки вырастить вертикальные ОаЛв нанопроволоки на кремниевых [111] подложках. Настоящее изобретение связано только с графитовыми подложками. Также были предприняты некоторые попытки выращивания кристаллических наноматериалов на графитовых подложках.
В 1АС8. 2010, 132, 3270-3271 нанокристаллы оксидов и гидроксидов Νί, Со и Ре синтезируют на графеновой подложке.
В Αρρί. Ρΐινδ. Ьей., 95, 213101, 2009, Ктш е1 а1. сообщают о вертикально упорядоченных наноструктурах ΖηΟ, выращенных на графеновых слоях. Их выращивали, используя металло-органическую газофазную эпитаксию (МОГФЭ) без катализатора, и морфология поверхности наноструктур ΖηΟ зависела от температуры выращивания.
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что эпитаксиальные нанопроволоки некоторых соединений/элементов можно вырастить на графитовых подложках. Так как графитовые подложки не имеют свободных связей на поверхности и обладают очень короткой длиной атомной связи по сравнению с обычными полупроводниками типа кремния и ОаАв, не существует причины ожидать формирования на них центров образования зародышей и эпитаксиального роста нанопроволок. Как неожиданно отмечено ниже, существует хорошее соответствие параметров решетки со многими полупроводниками при использовании графена в зависимости от того, как атомы полупроводников размещены на поверхности графена.
В частности, использование молекулярно-пучковой эпитаксии обеспечивает превосходные результаты в показателях роста нанопроволоки. В частности, в изобретении обеспечивают рост нанопроволок из полупроводников Групп IV, ΙΙ-νΙ или, в особенности, Групп ΙΙΙ-У на графитовых подложках. Помимо этого полагают, что это является первым описанием выращенной путем эпитаксии нанопроволоки Групп ΙΙΙ-У на графитовой подложке, и первым описанием нанопроволоки на графитовой подложке, выращенной путем эпитаксии с помощью катализатора.
Сущность изобретения
Таким образом, с точки зрения одного аспекта в изобретении предложена композиция материала, включающая по меньшей мере одну нанопроволоку на графитовой подложке, причем указанная по меньшей мере одна нанопроволока была выращена путем эпитаксии на указанной подложке, где указанная нанопроволока содержит по меньшей мере одно соединение Групп ΙΙΙ-У или по меньшей мере одно соединение Групп ΙΙ-νΙ или содержит по меньшей мере один элемент Группы ГУ, не являющийся углеродом.
С точки зрения другого аспекта в изобретении предложен способ изготовления по меньшей мере одной нанопроволоки, выращенной путем эпитаксии на графитовой подложке, включающий стадии:
(1) обеспечения элементов Групп ΙΙ-νΙ, или элементов Групп ΙΙΙ-У, или по меньшей мере одного элемента Группы РУ, не являющегося углеродом, на поверхности указанной графитовой подложки, предпочтительно посредством молекулярного пучка, и (2) эпитаксиального выращивания по меньшей мере одной нанопроволоки из поверхности графитовой подложки.
С точки зрения другого аспекта в изобретении предложен способ изготовления по меньшей мере одной нанопроволоки, выращенной путем эпитаксии на графитовой подложке в присутствии катализатора, включающий стадии:
- 2 026823 (1) обеспечения элементов Групп ΙΙ-νΙ, или элементов Групп Ш-У, или по меньшей мере одного элемента Группы IV, не являющегося углеродом, на поверхности указанной графитовой подложки, предпочтительно посредством молекулярного пучка, и (2) эпитаксиального выращивания по меньшей мере одной нанопроволоки из поверхности графитовой подложки.
При необходимости, поверхность графитовой подложки можно химически/физически модифицировать для усиления эпитаксиального роста нанопроволок.
С точки зрения другого аспекта в изобретении предложена нанопроволока, изготовленная путем определенного выше способа.
С точки зрения другого аспекта в изобретении предложено устройство, такое как электронное устройство, включающее определенную выше композицию, например фотоэлемент солнечной батареи.
С точки зрения другого аспекта в изобретении предложено применение молекулярно-пучковой эпитаксии для определенного выше выращивания по меньшей мере одной нанопроволоки на графитовой подложке.
Определения
Под соединением Групп ΙΙΙ-У понимают соединение, включающее по меньшей мере один ион из Группы ΙΙΙ и по меньшей мере один ион из Группы V. Аналогично, соединение Групп ΙΙ-νΙ представляет собой соединение, включающее по меньшей мере ион Группы ΙΙ и по меньшей мере один ион Группы УТ Из каждой группы может присутствовать более одного иона, например ΙηΟαΛδ и т.п. Нанопроволоки из элемента Группы ГУ, не являющегося углеродом, содержат по меньшей мере один элемент Группы ГУ, не являющийся углеродом, например кремниевые нанопроволоки.
Термин нанопроволока используют в данном документе для описания твердой, подобной проволоке структуры с наноразмерами. Нанопроволоки предпочтительно имеют одинаковый диаметр на большей части нанопроволоки, например по меньшей мере на 75% ее длины. Термин нанопроволока предназначен для того, чтобы охватывать применения наностержней, наностолбиков, наноколонн или нитевидных нанокристаллов, некоторые из которых могут быть структурами с коническим концом. Нанопроволоки могут, по существу, находиться в так называемой одномерной форме с размерами в нанометровом диапазоне по их ширине или диаметру и с длиной, обычно находящейся в диапазоне от нескольких сотен нанометров до нескольких микрометров. Обычно нанопроволоки имеют размеры по двум измерениям не более 200 нм.
Предпочтительно диаметр у основания нанопроволоки и диаметр вверху нанопроволоки должны оставаться примерно одинаковыми (например, отличаться друг от друга в пределах 20%). Следует понимать, что проволока должна сужаться на самом верху, обычно образуя полусферу.
Следует понимать, что подложка предпочтительно включает множество нанопроволок. Это можно назвать массивом нанопроволок.
Графитовые подложки являются подложками, состоящими из одного или множества слоев графена или его производных. Термин графен относится к плоскому листу связанных между собой 8р2-гибридизованных атомов углерода в сотовой кристаллической структуре. Производные графена представляют собой графен с модификацией поверхности. Например, к поверхности графена можно присоединить атомы водорода с образованием графана. Графен с присоединенными к поверхности атомами кислорода наряду с атомами углерода и водорода называют оксидом графена. Модификация поверхности также возможна путем химического легирования или путем обработки кислородной/водородной плазмой.
Термин эпитаксия происходит от греческих корней эпи, означающего над и таксис, означающего упорядоченность. Расположение атомов нанопроволоки основано на кристаллографической структуре подложки. Этот термин широко используют в этой области техники. Эпитаксиальный рост означает в данном документе рост на подложке нанопроволоки, которая воспроизводит ориентацию подложки.
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) представляет собой способ образования осаждений на кристаллических подложках. Способ МПЭ выполняют путем нагревания кристаллической подложки в вакууме так, чтобы энергетически возбудить структуру решетки подложки. Затем атомный или молекулярный пучок (пучки) направляют на поверхность подложки. Использованный выше термин элемент предназначен для того, чтобы охватывать применение атомов, молекул или ионов этого элемента. Когда направленные атомы или молекулы достигают поверхности подложки, направленные атомы или молекулы соударяются с энергетически возбужденной структурой решетки подложки или вкраплением катализатора, как подробно описано ниже. Со временем поступающие атомы образуют нанопроволоку.
- 3 026823
Подробное описание изобретения
Изобретение связано с эпитаксиальным ростом нанопроволок на графитовой подложке. Композиция по изобретению включает как подложку, так и выращенные на ней нанопроволоки.
Наличие выращенной путем эпитаксии нанопроволоки придает однородность образованному материалу, что может улучшить различные конечные свойства, например механические, оптические или электрические свойства.
Эпитаксиальные нанопроволоки можно вырастить из газообразных или жидких предшественников. Так как подложка действует как затравочный кристалл, осажденная нанопроволока может принимать структуру решетки и ориентацию, идентичные подложке. В этом состоит отличие от других способов осаждения тонких пленок, в которых наносят поликристаллические или аморфные пленки, даже на монокристаллические подложки.
В настоящем изобретении подложка является графитовой подложкой, более конкретно она является графеном. Используемый в данном документе термин графен относится к плоскому листу связанных 8р2гибридизованных атомов углерода, которые плотно упакованы в сотовую (гексагональную) кристаллическую решетку. Эта графеновая подложка должна содержать не более 10 слоев графена или его производных, предпочтительно не более 5 слоев (что называют малослойным графеном). Особенно предпочтительно она является плоским листом графена толщиной в один атом.
Кристаллическая или чешуйчатая форма графита состоит из многих графеновых листов, расположенных друг над другом (т.е. более 10 листов). Под графитовой подложкой поэтому понимают подложку, образованную из одного или множества графеновых листов.
Предпочтительно, если подложка имеет толщину 20 нм или менее. Графеновые листы укладывают друг на друга с образованием графита с межплоскостным расстоянием, составляющим 0,335 нм. Подложка предпочтительно включает только несколько таких слоев и предпочтительно может иметь толщину менее 10 нм. Еще более предпочтительно она может иметь толщину 5 нм или меньше. Площадь подложки не ограничена. Она может составлять 0,5 мм2 или более, например до 5 мм2 или более, в частности до 10 см2. Таким образом, площадь подложки ограничена только практическими аспектами.
Ясно, что может возникнуть необходимость в носителе для графитовой подложки, чтобы обеспечить рост на ней нанопроволок. Графеновый лист можно нанести на любой сорт материалов, включая стандартные полупроводниковые подложки и прозрачные стекла. Предпочтительным является использование диоксида кремния. Носитель должен быть инертным. Также возможно выращивать графитовую подложку непосредственно на никелевой пленке, осажденной на окисленной кремниевой пластине, или непосредственно на медной фольге. Затем графитовые подложки можно отсоединить от металла путем травления и легко переместить на любые материалы.
В особенно предпочтительном воплощении графитовая подложка является многослойной подложкой, отслоенной от первичного графита, или высокоупорядоченным пиролитическим графитом (ВУНГ). Альтернативно, она может быть графеновой подложкой, выращенной химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ) на никелевой пленке или медной фольге.
Хотя и предпочтительно, если графитовую подложку используют без модификации, поверхность графитовой подложки можно модифицировать. Например, ее можно обработать плазмой из водорода, кислорода, ΝΟ2 или их сочетаний. Окисление подложки вероятно усиливает образование зародышей нанопроволоки. Также может быть предпочтительной предварительная обработка подложки, например, для обеспечения чистоты перед выращиванием нанопроволоки. Возможным вариантом является обработка сильной кислотой, такой как НЕ или БТО (буферный травитель для оксида). Подложки можно промыть изопропанолом, ацетоном или н-метил-2-пирролидоном, чтобы устранить поверхностные примеси.
Очищенную графитовую поверхность можно дополнительно модифицировать путем легирования. Легирующие атомы или молекулы могут действовать как затравка для растущих нанопроволок. На стадии легирования можно использовать раствор ЕеС13, АиС13 или ОаС13.
Использование графитовых подложек, предпочтительно тонких графитовых подложек, является высокоэффективным в настоящем изобретении, так как они тонкие, но очень прочные, легкие и гибкие, обладают высокой электропроводностью и теплопроводностью. Они прозрачны при предпочтительно применяемых в данном случае низких толщинах, они непроницаемы и инертны.
Для того чтобы приготовить нанопроволоки промышленного значения, существенно, чтобы они росли путем эпитаксии на подложке. Также идеально, если рост происходит перпендикулярно к подложке и поэтому идеально в [111] направлении (для кубической кристаллической структуры) или [0001] направлении (для гексагональной кристаллической структуры). Как отмечено выше, не существует гарантии, что это возможно для конкретной подложки, чей материал отличается от выращиваемой нанопроволоки. Авторы настоящего изобретения определили, однако, что эпитаксиальный рост на графитовых подложках возможен путем определения возможного соответствия параметров решетки между атомами в полупроводниковой нанопроволоке и атомами углерода в листе графена.
Длина углерод-углеродной связи в слоях графена составляет примерно 0,142 нм. Графит обладает гексагональной кристаллической геометрией. Это показано на фиг. 1а. Авторы настоящего изобретения неожиданно поняли, что графит может обеспечить подложку, на которой можно выращивать полупро- 4 026823 водниковые нанопроволоки, так как несоответствие параметров решетки между материалом растущей нанопроволоки и графитовой подложкой может быть очень небольшим.
Изобретатели поняли, что в силу гексагональной симметрии графитовой подложки и гексагональной симметрии атомов полупроводника в [111] плоскостях для нанопроволоки, растущей в [111] направлении при кубической кристаллической структуре (или в [0001] плоскостях для нанопроволоки, растущей в [0001] направлении при гексагональной кристаллической структуре), можно достичь соответствия параметров решетки между растущими нанопроволоками и подложкой. На фиг. 1а показаны гексагональные положения атомов полупроводника в [111] (или [0001]) плоскостях нанопроволоки поверх гексагональных атомов углерода графенового слоя, помещенные таким образом, что не возникает никакого несоответствия параметров решетки.
Точного соответствия параметров решетки можно достичь, если постоянная решетки, а, кубического кристалла полупроводника (постоянную решетки, а, определяют как длину стороны кубической элементарной ячейки) равна 1,422 А (расстояние между атомами углерода) х 3 х ^2 = 6,033 А.
Это близко к постоянной решетки кристаллов полупроводников большинства соединений Групп Ш-У, таких как ΙηΆδ, ОаЛк, ΙηΡ, Оа8Ь, 1и8Ь, ОаР и ΛίΆδ, и соединений Групп ΙΙ-νΙ, таких как М§8е, ΖηΤβ, Сй8е и Ζη8е.
В частности, это близко к постоянной решетки кристаллов полупроводников соединений Групп IIIV, таких как ΙηΆδ (а = 6,058 А), Оа8Ь (а = 6,096 А), и А18Ь (а = 6,136 А), и соединений Групп ΙΙ-νΙ, таких как ΖηΤе (а = 6,103 А) и Сй8е (а = 6,052 А).
Точного соответствия параметров решетки также можно достичь, если постоянная решетки, а1, гексагонального кристалла полупроводника (постоянную решетки, а!, определяют как длину стороны гексагонального основания гексагональной элементарной ячейки) равна 1,422 А (расстояние между атомами углерода) х 3 = 4,266 А. Мы показываем это на фиг. 1а. Это близко к постоянным решетки а1 (совпадающим с расстоянием между атомами полупроводника) кристаллов гексагональных форм материалов Групп ΙΙ-νΙ СЙ8 (а1 = 4,160 А) и Сй8е (а = 4,30 А).
Также нужно отметить, что многие из этих кристаллов полупроводников могут образовывать как кубическую, так и гексагональную кристаллическую структуру в течение роста нанопроволоки, в отличие от объемного или тонкопленочного роста, когда обычно только одна из этих кристаллических форм является устойчивой. Расстояние между атомами в кубической решетке и гексагональной решетке одного и того же полупроводника обычно является почти одинаковым, так что а = а1 х ^2, и поэтому несовпадение параметров решетки с графитовым слоем также является почти одинаковым для обеих кристаллических структур.
Не желая ограничиваться какой-либо теорией, в силу гексагональной симметрии атомов углерода в слоях графита и гексагональной симметрии атомов кубических или гексагональных полупроводников в [111] и [0001] кристаллическом направлении, соответственно, (предпочтительное направление для основного роста нанопроволоки), можно достичь близкого совпадения параметров решетки между графитовой подложкой и полупроводником, когда атомы полупроводника размещают выше атомов углерода графитовой подложки, идеально с образованием гексагональной структуры. Это новое и неожиданное открытие и оно может обеспечить эпитаксиальный рост нанопроволок на графитовых подложках.
На фиг. 1а атомы полупроводника размещены над некоторыми особыми центрами гексагональных углеродных звеньев, такими как полости (Н-центр). Вместо размещения над Н-центрами все атомы полупроводника также можно жестко сдвинуть так, чтобы они находились над мостиковой связью (Вцентр) между атомами углерода, или все сосредотачивались над атомами углерода (Т-центр) таким образом, чтобы все еще сохранялась структура с гексагональной симметрией. Эти три различных гексагональных расположения атомов полупроводника накладывают такие же требования на постоянные решеток полупроводников. Какое положение (над положением Н-, В- или Т-центра) атомов полупроводника соотносится с атомами углерода графитовой подложки, может зависеть от полупроводника (является ли он элементом Группы ΙΙ, ΙΙΙ, Ιν, V или νΙ и т. д.) и от того, как образованы химические связи.
В приведенном выше описании все атомы полупроводника должны иметь одинаковое локализованное положение (над положением Н-, В- или Т-центра) над графитовой поверхностью. Также возможно поддерживать гексагональную симметрию атомов полупроводника, если атомы помещают как над Н-, так и В-центрами (фиг. 1Ь), или как над Н-, так и Т-центрами (фиг. 1с). Показанные на фиг. 1Ь и 1с положения атомов дают два дополнительных значения соответствия параметров решетки атомов полупроводника и графитовой поверхности. Если атомы полупроводника помещают над чередующимися Н- и Вцентрами, как на фиг. 1Ь, точного соответствия параметров решетки можно достичь, если постоянная решетки, а, кубического кристалла полупроводника равна 1,422 А х 3/2 х ^6 = 5,225 А. Это близко к постоянной решетки 8ί (а = 5,43 А), ОаР (а = 5,45 А), А1Р (а = 5,45 А), ΙηΝ (а = 4,98 А) и Ζη8 (а = 5,42 А). Для гексагональных кристаллов полупроводников точного соответствия параметров решетки достигают, если постоянная решетки, а1, равна 1,422 А х 3/2 х ^3 = 3,694 А. Это близко к постоянным решетки а1 гексагональных форм кристаллов ΙηΝ (а1 = 3,54 А) и Ζη8 (а1 = 3,82 А).
Если атомы полупроводника помещают над чередующимися Н- и Т-центрами, как на фиг. 1с, точ- 5 026823 ного соответствия параметров решетки можно достичь, если постоянная решетки, а, кубического кристалла полупроводника равна 1,422 А х 2 х ^2 = 4,022 А. Существует несколько кубических полупроводников с постоянными решетки, близкими к этому значению, при этом самое близкое значение имеет 3С 81С (а = 4,36 А). Для гексагональных кристаллов полупроводников точного соответствия параметров решетки можно достичь, если постоянная решетки, а1, равна 1,422 А х 2 = 2,844 А. Существует несколько гексагональных полупроводников с постоянными решетки, близкими к этому значению, при этом самое близкое значение имеют кристаллы δίΤ’ (а1 = 3,07 А), Α1Ν (а1 =3,11 А), СаЫ (а1 = 3,19 А) и ΖηΟ (а1 = 3,25 А).
Пять описанных выше различных гексагональных расположений атомов полупроводника могут обеспечить вертикальный рост полупроводниковых нанопроволок из таких материалов с образованием нанопроволок, свободно стоящих поверх тонкого графитового материала на основе углерода.
Хотя идеальным является отсутствие несоответствия параметров решетки между растущей нанопроволокой и подложкой, нанопроволоки могут приспосабливаться к намного большему несоответствию параметров решетки, чем, например, тонкие пленки. Нанопроволоки по изобретению могут иметь несоответствие параметров решетки с подложкой, составляющее примерно до 10%, и при этом все еще возможен эпитаксиальный рост. Предпочтительно, несоответствие параметров решетки должно составлять 7,5% или менее, например 5% или менее.
Для некоторых полупроводников, подобных кубическому ΙηΑκ (а = 6,058 А), кубическому СаδЬ (а = 6,093 А), кубическому С'Же (а = 6,052 А) и гексагональному С'Же (а! = 4,30 А) несоответствие параметров решетки настолько мало (меньше примерно 1%), что можно ожидать превосходного роста этих полупроводников.
Для некоторых полупроводников, подобных СаАк (а = 5,653 А), несоответствие параметров решетки полностью подобно расположению, когда атомы полупроводника помещают на тех же центрах, как на фиг. 1а (а = 6,033 А и, таким образом, постоянная решетки для СаАк на 6,3% меньше), или подобно расположению чередующихся Н- и В- центров, как на фиг. 1Ь (а = 5,255 А и, таким образом, постоянная решетки для СаАк на 8,2% больше), так что возможны оба вида расположения.
Способ по изобретению может обеспечить вертикальный рост полупроводниковых нанопроволок из вышеупомянутых материалов с образованием нанопроволок, свободно стоящих поверх тонкого графитового материала на углеродной основе.
Выращенная по настоящему изобретению нанопроволока может иметь длину от 250 нм до нескольких микрон (мкм), например до 5 мкм. Предпочтительно нанопроволоки имеют длину по меньшей мере 1 мкм. Когда выращивают множество нанопроволок, является предпочтительным, если все они удовлетворяют этим требованиям к размеру. Предпочтительно по меньшей мере 90% выращенных на подложке нанопроволок имеют длину по меньшей мере 1 мкм. Предпочтительно, по существу, все нанопроволоки имеют длину по меньшей мере 1 мкм.
Помимо этого, является предпочтительным, если выращенные нанопроволоки имеют одинаковые размеры, например отличающиеся друг от друга в пределах 10%. Таким образом, по меньшей мере 90% нанопроволок (предпочтительно, по существу, все нанопроволоки) на подложке предпочтительно имеют одинаковый диаметр и/или одинаковую длину (т.е. отличаются друг от друга по диаметру/длине в пределах 10%). Поэтому фактически специалист стремится к однородности и нанопроволокам, которые по существу являются одинаковыми по размерам.
Длину нанопроволок часто регулируют с помощью продолжительности протекания процесса выращивания. Более длительный процесс обычно приводит к (намного) более длинной нанопроволоке.
Нанопроволоки обычно имеют гексагональную форму поперечного сечения. Нанопроволока может иметь поперечное сечение (т.е. толщину) диаметром от 25 до 200 нм. Как отмечалось выше, предпочтительно диаметр является постоянным для большей части нанопроволоки. Диаметр нанопроволоки можно регулировать путем управления соотношением атомов, используемых для получения нанопроволоки, как описано ниже.
Помимо этого, на длину и диаметр нанопроволок можно влиять с помощью температуры, при которой они образуются. Более высокие температуры способствуют высоким аспектным отношениям (т.е. более длинным и/или более тонким нанопроволокам). Специалист способен управлять процессом роста для того, чтобы создать нанопроволоки требуемых размеров.
Нанопроволоки по изобретению формируют из по меньшей мере одного соединения Групп ΙΙΙ-ν, по меньшей мере одного соединения Групп ΙΙ-νΐ или они могут быть нанопроволоками, выращенными из по меньшей мере одного элемента Группы Ιν, выбранного из δί, Се, δη или РЬ, в особенности δί и Се. Поэтому представляется возможным образование нанопроволок только из элемента Группы Ιν или таких нанопроволок, как δίΤ’ и δ^Се.
Элементами Группы ΙΙ являются Ве, Мд, Са, Ζη, Сб и Нд. Предпочтительными вариантами в данном случае являются Ζη и Сб.
- 6 026823
Вариантами элементов Группы III являются В, А1, Оа, Ιη и Т1. Предпочтительными вариантами в данном случае являются Оа, А1 и Ιη.
Вариантами элементов Группы V являются Ν, Р, Аз, 8Ь. Все являются предпочтительными.
Варианты элементов Группы VI включают О, δ, 8е и Те. Применение 8е и Те является предпочтительным.
Изготовление соединения Групп Ш-ν является предпочтительным. Следует иметь в виду, что любое соединение, которое образуется в течение роста нанопроволоки, необязательно должно быть полностью стехиометрическим, так как существует возможность введения легирующей примеси, как обсуждается ниже.
Предпочтительные соединения для изготовления нанопроволоки включают IηАз, ОаАз, IηР, Оа8Ь, Ш8Ь, ОаР, 2пТе, Сб8е и 2п§е. Использование ОаАз или IηАз особенно предпочтительно. Другие варианты включают δί, ΖηΟ, ΟπΝ, Λ1Ν и ΡιΝ.
Хотя предпочтительно использование бинарных материалов, не существует причины, по которой с помощью способа по изобретению нельзя выращивать тройные или четверные и т.п. нанопроволоки. До тех пор, пока решетка рассматриваемого соединения соответствует решетке подложки, особенно графена, можно ожидать эпитаксиальный рост. Таким образом, возможным вариантом в данном случае являются тройные системы, в которых присутствуют два катиона Группы III и анион Группы V, такие как ШОаАз. Специалисту понятны и другие варианты.
В объеме изобретения находится легирование нанопроволок. Легирование обычно включает введение ионов примесей в нанопроволоку. Их можно вводить на уровне, составляющем до 1019/см3, предпочтительно до 1018/см3. Нанопроволоки по желанию могут быть нелегированными, легированными р-типа или легированными η-типа. Легированные полупроводники обладают примесной электропроводностью, тогда как нелегированные полупроводники обладают собственной электропроводностью.
Примесные полупроводники с концентрацией электронов, большей чем концентрация дырок, известны как полупроводники η-типа. В полупроводниках η-типа электроны являются основными носителями, а дырки являются неосновными носителями. Полупроводники η-типа создают легированием собственно полупроводника донорными примесями. Подходящими донорами для соединений Групп Ш-ν могут быть, например, δί и Те. Подходящими донорами для полупроводников Группы IV могут быть, например, Р и Аз.
Полупроводники р-типа имеют концентрацию дырок, большую, чем концентрация электронов. Выражение р-типа относится к положительному заряду дырки. В полупроводниках р-типа дырки являются основными носителями и электроны являются неосновными носителями. Полупроводники р-типа создают легированием собственно полупроводника акцепторными примесями. Подходящими акцепторами для соединений Групп могут быть, например, Ве и Ζη. Подходящим акцептором для полупроводников Группы IV может быть, например, В. Следует понимать, что в некоторых случаях от ориентации растущей поверхности и условий выращивания зависит то, будет ли примесь действовать как донор или как акцептор в соединении Групп Ш^. Легирующие примеси можно вводить в течение процесса роста или путем ионной имплантации в нанопроволоки после их образования.
Нанопроволоки по изобретению выращивают путем эпитаксии. Они присоединяются к лежащей ниже графитовой подложке посредством ковалентной связи или квази-Ван-дер-Ваальсовой связи. Соответственно, в месте соединения подложки и основания нанопроволоки внутри нанопроволоки путем эпитаксии образуются кристаллические плоскости. Это нарастание слоев один поверх другого в одном и том же кристаллографическом направлении обеспечивает, таким образом, эпитаксиальный рост нанопроволоки. Предпочтительно нанопроволоки растут вертикально. Термин вертикально здесь используют для обозначения того, что нанопроволоки растут перпендикулярно к графитовой подложке. Следует понимать, что экспериментальные данные об угле роста могут не составлять в точности 90°, однако термин вертикально обозначает, что нанопроволоки находятся в пределах 10° от вертикали/перпендикуляра, например, в пределах 5°.
Следует понимать, что подложка предпочтительно содержит множество нанопроволок. Предпочтительно нанопроволоки растут приблизительно паралелльно друг другу. Поэтому предпочтительно, если по меньшей мере 90%, например по меньшей мере 95%, предпочтительно, по существу, все нанопроволоки растут в одинаковом направлении из одной и той же плоскости подложки.
Следует понимать, что существует множество плоскостей в пределах подложки, на которых может происходить эпитаксиальный рост. Предпочтительно, если, по существу, все нанопроволоки растут в одной и той же плоскости, так что они являются параллельными. Наиболее предпочтительно, чтобы плоскость была перпендикулярна подложке.
Нанопроволоки по изобретению должны предпочтительно расти в [111] направлении для нанопроволок с кубической кристаллической структурой и в [0001] направлении для нанопроволок с гексагональной кристаллической структурой. Если кристаллическая структура растущей нанопроволоки является кубической, это также представляет собой [111] поверхность раздела между кубической нанопроволокой и вкраплением катализатора, на котором происходит аксиальный рост. Если нанопроволока имеет гексагональную кристаллическую структуру, тогда [0001] поверхность раздела между нанопроволокой и
- 7 026823 вкраплением катализатора представляет собой плоскость, на которой происходит аксиальный рост. Плоскости [111] и [0001] обе представляют собой одинаковую (гексагональную) плоскость нанопроволоки, при этом очевидно, что номенклатура плоскости изменяется в зависимости от кристаллической структуры растущей нанопроволоки.
Нанопроволоки предпочтительно выращивают путем молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Хотя в объеме изобретения находится и использование осаждения из паровой фазы, например ХОПФ, особенно способ химического осаждения из паровой фазы металлорганических соединений (ХОПФМО) или способ металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ), использование МПЭ является особенно предпочтительным. В этом способе на подложку подают молекулярный пучок каждого реагента, например элемента Группы III и элемента Группы V, предпочтительно подаваемых одновременно. Большей степени регулирования образования зародышей и роста нанопроволок на графитовой подложке можно достичь с помощью способа МПЭ с использованием эпитаксии со стимулированной миграцией (ЭСМ) или атомно-слоевой МПЭ (АСМПЭ), где, например, элементы Групп III и V можно подавать поочередно.
Предпочтительным является способ МПЭ из твердого источника, в котором очень чистые элементы, такие как галлий и мышьяк, нагревают в отдельных эффузионных элементах до тех пор, пока они не начнут медленно испаряться (например, галлий) или сублимироваться (например, мышьяк). Газообразные элементы затем конденсируются на подложке, где они могут реагировать друг с другом. В случае галлия и мышьяка образуется монокристаллический арсенид галлия. Использование термина пучок означает, что испаренные атомы (например, галлия) или молекулы (например, Αδ4 или Αδ2) не взаимодействуют друг с другом или с газами вакуумной камеры до тех пор, пока они не достигнут подложки.
Используя МПЭ, также можно легко вводить легирующие ионы. На фиг. 2 представлена возможная установка способа МПЭ.
Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) происходит в сверхвысоком вакууме с фоновым давлением, обычно составляющим примерно от 1,3 х 10-8 Па до 1,3 х 10-7 Па (от 10-10 до 10-9 Торр). Наноструктуры обычно растут медленно, со скоростью до нескольких мкм, примерно до 10 мкм, в час. Это позволяет нанопроволокам расти путем эпитаксии и максимизирует структурные характеристики.
В объеме изобретения находится выращивание нанопроволок в присутствии или в отсутствие катализатора. Выращивание нанопроволок без катализатора является, таким образом, одним из воплощений изобретения.
В процессе роста предпочтительно используют катализатор. Катализатор может быть одним из составляющих нанопроволоку элементов, так называемый автокатализ, или отличным от любого из элементов, составляющих нанопроволоку.
Для каталитического роста катализатором может быть Аи или Ад, или катализатором может быть металл из Группы, используемой при выращивании нанопроволоки (например, металлом Группы II или III), особенно одним из металлических элементов, составляющих данную нанопроволоку (автокатализ). Таким образом, возможно использовать другой элемент из Группы III в качестве катализатора для выращивания нанопроволоки Групп Ш-ν, например использовать Оа в качестве катализатора для нанопроволоки из Ση (Группа V) и т.п. Предпочтительно катализатором является Аи или рост является автокаталитическим (т.е. Оа для нанопроволоки из Оа (Группа V) и т.п.). Катализатор можно осадить на графитовую подложку, чтобы он действовал в качестве центра образования зародышей для роста нанопроволок. Предпочтительно этого можно достичь путем использования тонкой пленки каталитического материала, образованной поверх поверхности подложки. При расплавлении пленки катализатора (часто с образованием эвтектического сплава с одной или более составляющих полупроводниковой нанопроволоки), она образует вкрапления на подложке, и эти вкрапления образуют точки, из которых могут расти нанопроволоки. Это называют выращиванием на основе механизма пар - жидкость - твердое тело (ПЖТ), в котором катализатором является жидкость, молекулярный пучок представляет собой паровую фазу, и нанопроволока представляет собой твердый компонент. В некоторых случаях при выращивании нанопроволоки частица катализатора также может быть твердой, при так называемом механизме роста пар - твердое тело - твердое тело (ПТТ). По мере роста нанопроволоки (с помощью механизма ПЖТ) вкрапления жидкости (например, золота) остаются наверху нанопроволоки. Это изображено на чертежах.
Как отмечалось выше, также возможно приготовить автокатализируемые нанопроволоки. Под автокатализируемыми понимают, что один из компонентов нанопроволоки действует как катализатор ее роста.
Например, слой Оа можно нанести на подложку, расплавить с образованием вкраплений, действующих как центры образования зародышей для выращивания содержащих Оа нанопроволок. Здесь также часть металлического Оа можно расположить наверху нанопроволоки. Похожий способ можно осуществить, используя металлы Группы II или Группы III в качестве катализаторов для нанопроволок, содержащих данный катализатор в качестве компонента.
Более подробно, поток Оа/Ф можно подать на поверхность подложки в течение некоторого периода времени для инициирования образования вкраплений Оа/Ф на поверхности после нагревания подложки. Температуру подложки затем можно установить на уровне температуры, подходящем для роста рассматриваемой нанопроволоки. Температура роста может находиться в пределах от 300 до 700°С. Однако
- 8 026823 применяемая температура обусловлена природой материала нанопроволоки и каталитического материала. Для СаАк предпочтительная температура составляет от 590 до 630°С, например 610°С. Для 1пАк диапазон ниже, например от 430 до 540°С, в частности 450°С.
Рост нанопроволоки можно инициировать путем одновременного открывания затвора эффузионного элемента Са/Ιη и эффузионного элемента противоиона после того, как каталитическая пленка осаждена и расплавлена.
Температуру эффузионных ячеек можно использовать для регулирования скорости роста. Подходящие скорости роста, измеренные в течение стандартного роста с плоским фронтом затвердевания (слой на слой), составляют от 0,05 до 2 мкм/ч, например 1 мкм/ч.
Давление молекулярных пучков также можно настроить в зависимости от природы выращиваемой нанопроволоки. Подходящие уровни эквивалентных давлений пучков составляют от 1,3х10-5 до 1,3 х 10-3 Па (от 10-7 до 10-5 Торр).
Неожиданно было найдено, что использование МПЭ вызывает рост СаАк нанопроволок вертикально на [111]В плоскости СаАк подложки.
Отношение потоков реагентов в пучке (например, атомов Группы III и молекул Группы V) можно изменять, причем предпочтительное отношение потоков зависит от других параметров роста и от природы выращиваемой нанопроволоки.
Было обнаружено, что отношение потоков реагентов в пучке может влиять на кристаллическую структуру нанопроволоки. Например, при использовании в качестве катализатора Аи, выращивании СаАк нанопроволок с температурой роста 540°С, потоке Са, эквивалентном скорости роста с плоским фронтом затвердевания (слой на слой) 0,6 мкм/ч и эквивалентном давлении пучка (ЭДП) 1,2х10-3 Па (9х10-6 Торр) для Ак4 получают кристаллическую структуру вюртцита. В противоположность этому, выращивание СаАк нанопроволок при той же температуре роста, однако с потоком Са, эквивалентном скорости роста с плоским фронтом затвердевания 0,9 мкм/ч и ЭДП 5,3х10-4 Па (4х10-6 Торр) для Ак4 получают кристаллическую структуру цинковой обманки.
Диаметр нанопроволоки в некоторых случаях можно изменять путем изменения параметров роста. Например, при автокаталитическом выращивании СаАк нанопроволок при условиях, когда скорость аксиального роста нанопроволоки определяется потоком Ак4, диаметр нанопроволоки можно увеличить/уменьшить путем увеличения/уменьшения отношения потоков Са:Ак4. Поэтому специалист способен влиять на нанопроволоку множеством способов.
Таким образом, воплощением изобретения является применение многостадийной, в частности двухстадийной, процедуры выращивания, например для отдельной оптимизации образования зародышей нанопроволоки и роста нанопроволоки.
Значительное преимущество МПЭ состоит в том, что рост нанопроволоки можно анализировать ίη κίΙιι. например, используя отражательную дифракцию электронов высоких энергий (ОДЭВЭ). ОДЭВЭ представляет собой технологию, обычно используемую для определения поверхности кристаллических материалов. Эту технологию нельзя применять также легко, когда нанопроволоки образуют с помощью других технологий, таких как МОГФЭ.
Одно ограничение описанных выше технологий состоит в том, что существует ограниченный контроль над местами, в которых нанопроволоки растут на поверхности подложки. Нанопроволоки растут там, где образуются вкрапления катализатора, однако места, в которых эти вкрапления могут образовываться, контролируются в малой степени. Дополнительная проблема состоит в том, что трудно контролировать размер вкраплений. Если образуются вкрапления, которые слишком малы для инициирования образования зародышей нанопроволоки, выходы нанопроволок могут быть низкими. Это представляет собой особенную проблему при использовании золотого катализатора, так как образуемые золотом вкрапления могут быть слишком маленькими для того, чтобы обеспечить выращивание нанопроволок с высоким выходом.
Чтобы изготовить более регулярный массив нанопроволок, изобретатели предусматривают использование на подложке защитного покрытия (маски). Это защитное покрытие может быть снабжено регулярными отверстиями, в которых нанопроволоки могут расти равномерно по всей поверхности. Комбинации отверстий в защитном покрытии можно легко изготовить, используя стандартную фото/электронно-лучевую литографию или наноимпринтинг. Также можно использовать технологию фокусированного ионного пучка, чтобы создать регулярный массив центров образования зародышей на графитовой поверхности для выращивания нанопроволок.
Таким образом, на подложку можно нанести защитное покрытие и протравить в нем отверстия, открывающие поверхность графитовой подложки, при необходимости структурированные регулярным образом. Помимо этого, размер отверстий можно тщательно регулировать. Затем в эти отверстия можно ввести катализатор, чтобы обеспечить центры образования зародышей для роста нанопроволоки. При регулярном расположении отверстий можно вырастить нанопроволоки регулярной структуры.
Помимо этого, размер отверстий можно регулировать для обеспечения того, что только одна нанопроволока может вырасти в каждом отверстии. Наконец, отверстия можно изготовить такого размера,
- 9 026823 при котором вкрапление катализатора, которое образуется внутри отверстия, является достаточно большим, чтобы обеспечить рост нанопроволоки. Таким способом можно вырастить регулярный массив даже при использовании катализатора из золота.
Материал защитного покрытия может быть любым материалом, который при осаждении не повреждает лежащие под ним графитовые слои значительным образом. Используемые в этом воплощении отверстия могут быть немного больше, чем диаметр нанопроволоки, например до 200 нм. Минимальный размер отверстия может составлять 50 нм, предпочтительно по меньшей мере 100-200 нм.
Само защитное покрытие можно изготовить из инертного соединения, такого как диоксид кремния или нитрид кремния. Его можно нанести на поверхность подложки с помощью любой подходящей технологии, такой как электронно-лучевое напыление, ХОПФ, плазменно-химическое осаждение из паровой фазы и катодное напыление. Само защитное покрытие может иметь толщину менее 50 нм.
Чтобы приготовить катализируемую Аи нанопроволоку, расположенную на графитовой подложке, можно осадить тонкий слой Аи, например, толщиной менее 50 нм, после протравливания комбинаций отверстий в защитном покрытии. Осаждение можно осуществить с нанесенным поверх фото- или электронным резистом. Путем удаления фоторезиста или электронного резиста так называемым способом отслаивания можно изготовить регулярно расположенную комбинацию вкраплений Аи на поверхности графитовой подложки. Факультативно защитное покрытие можно частично или полностью удалить после изготовления.
Хотя в изобретении предпочтительно применять технологии выращивания с использованием катализатора, предусматривается, что нанопроволоки можно выращивать на графитовых подложках в отсутствие катализатора. Особенно это можно осуществить в сочетании с защитным покрытием.
В частности, простое использование механизма роста пар - твердое тело может обеспечить рост нанопроволоки. Таким образом, в контексте МПЭ простое нанесение реагентов, например Ιη и Аб, на подложку без какого-либо катализатора может привести к образованию нанопроволоки. Это образует еще один аспект изобретения, который, таким образом, обеспечивает непосредственный рост полупроводниковой нанопроволоки, образованной из описанных выше элементов, на графитовой подложке. Термин непосредственный означает, таким образом, отсутствие пленки обеспечивающего рост катализатора.
Как отмечалось выше, нанопроволоки по изобретению предпочтительно растут в виде кубической (цинковая обманка) или гексагональной (вюртцит) структур. Изобретатели обнаружили, что возможно изменить кристаллическую структуру растущей нанопроволоки путем управления количествами подаваемых на подложку реагентов, как обсуждалось выше. Например, более высокие подачи Са обеспечивают для СаА§ кристалла кубическую кристаллическую структуру. Более низкие подачи способствуют образованию гексагональной структуры. Поэтому, управляя концентрациями реагентов, можно изменить кристаллическую структуру нанопроволоки.
Введение различных кристаллических структур делает возможным отличие электронных свойств, присутствующих в нанопроволоке. Это может сделать возможным образование квантовых вкраплений в кристаллической фазе и обеспечить разработку других интересных электронных технологий.
Также в объеме изобретения находится изменение природы образующего нанопроволоку материала в течение процесса выращивания. Таким образом, изменяя природу молекулярных пучков, в нанопроволоку можно ввести части различных структур. Начальную СаА§ нанопроволоку можно было бы продолжить отрезком 1пАб нанопроволоки, например, заменяя подачу Са на подачу Ιη. СаАкЛпАк нанопроволоку затем можно было бы продолжить отрезком СаА§ нанопроволоки, заменяя подачу обратно на Са, и т.д. Также, развивая различные структуры с отличающимися электронными свойствами, изобретатели предлагают нанопроволоки с интересными и управляемыми электронными свойствами, которые можно с помощью производителей подстроить под любые способы конечных применений.
На нанопроволоки по изобретению можно нанести покрытие с помощью известных способов, например нанести радиальные эпитаксиальные оболочки. Например, можно образовать смесь беспримесных и примесных полупроводников путем покрытия беспримесной или примесной базовой нанопроволоки оболочкой из другого типа полупроводника. Из смеси беспримесных и примесных проводников также можно образовать более сложную нанопроволоку. Например, изолирующий беспримесный слой можно поместить между примесными слоями р-типа и η-типа. Таким образом, сердечник р-типа можно покрыть беспримесной полупроводниковой оболочкой с примесной проводящей оболочкой η-типа на внешней стороне (или наоборот). Это имеет особенное применение в светодиодах и технологии фотоэлементов солнечных батарей.
Покрытие оболочкой можно осуществить с помощью МПЭ или другой эпитаксиальной технологии (например, МОГФЭ), используя соответствующие параметры роста, которые известны/ясны специалисту. Изобретение обеспечивает получение нанопроволок на графитовых подложках только в одном заранее определенном направлении. Такие структуры облегчают выращивание однодоменных сращенных слоев с нанопроволоками в качестве шаблонов или изготовление полупроводниковых устройств для электронных, оптоэлектронных, фотонных применений и т.п.
- 10 026823
Применения
Нанопроволоки по изобретению имеют широкий диапазон применений. Они являются полупроводниками, так что можно ожидать, что они применимы в любой области, для которой подходит полупроводниковая технология. В первую очередь они используются в интегральных наноэлектронных и нанооптоэлектронных применениях.
Идеальным устройством для их применения может быть фотоэлемент солнечной батареи на основе нанопроволоки. Такой фотоэлемент солнечной батареи способен быть эффективным, дешевым и гибким одновременно. Это быстро развивающаяся область, и дальнейшие применения этих ценных материалов будут обнаружены в последующие годы.
Полупроводниковые нанопроволоки также являются подходящими для области автоэлектронных эмиттеров из-за их острых вершин, высокого аспектного отношения и высокой тепловой и механической устойчивости. Их очень высокое отношение площади поверхности к объему можно использовать в биологических и химических датчиках, устройствах для эффективной конверсии и хранения энергии.
Такой же подход можно также использовать для изготовления светодиодов, волноводов и лазеров.
Теперь изобретение будет дополнительно описано в связи со следующими не ограничивающими примерами и чертежами.
Краткое описание чертежей
На фиг. 1а показано гексагональные положения атомов углерода (серые кружки) графитовой подложки и гексагональные положения атомов полупроводника (желтые кружки) в [111] и [0001] плоскости кубической или гексагональной кристаллической структуры соответственно. Показано расстояние между атомами полупроводника (4,266 А=3х 1,422 А (расстояние между атомами углерода)), необходимое для достижения точного соответствия параметров решетки с графитовой подложкой. В этом примере атомы полупроводника размещены над некоторыми конкретными пустыми центрами (Н-центр) гексагональных углеродных колец. Вместо размещения над Н-центрами все атомы полупроводника также можно жестко сдвинуть так, чтобы они находились над мостиковой связью (В-центр) между атомами углерода или все сосредотачивались над атомами углерода (Т-центр) таким образом, чтобы все еще сохранялась структура с гексагональной симметрией;
на фиг. 1Ь - положения атомов полупроводника в [111] и [0001] плоскости кубической или гексагональной кристаллической структуры, соответственно, над Н- и В-центрами атомов углерода графеновой поверхности. Показано расстояние между атомами полупроводника (3,694 А=3/2х/3х 1,422 А (расстояние между атомами углерода)), необходимое для достижения точного соответствия параметров решетки с графитовой подложкой;
на фиг. 1с - положения атомов полупроводника в [111] и [0001] плоскости кубической или гексагональной кристаллической структуры, соответственно, над Н- и Т-центрами атомов углерода графеновой поверхности. Показано расстояние между атомами полупроводника (2,844 А=2х 1,422 А (расстояние между атомами углерода)), необходимое для достижения точного соответствия параметров решетки с графитовой подложкой;
на фиг. 2 - экспериментальная установка МПЭ;
фиг. 3 а представляет собой идеализированное изображение (авто)катализированного галлием выращивания ОаАк нанопроволок на графите;
фиг. 3Ь - повернутый на 45° вид изображения СЭМ (сканирующей электронной микроскопии) двух вертикальных ОаАк нанопроволок, выращенных путем МПЭ с помощью галлиевого катализатора на отслоенной пластинке первичного графита. Сферические частицы являются вкраплениями галлия;
фиг. 3 с - изображение поперечного сечения, полученное путем просвечивающей электронной микроскопии, поверхности раздела графит/нанопроволока вертикальной ОаАк нанопроволоки, выращенной путем эпитаксии с помощью галлиевого катализатора над первичным графитом;
на фиг. 4 показано изображение защитного слоя, в котором были протравлены отверстия, на поверхности графита.
Далее изобретение описывается со ссылкой на следующий не ограничивающий пример.
Пример 1. Экспериментальная методика.
Нанопроволоки (НП) выращивали в системе молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) Уапап Оеп II Моби1ат, оборудованной двойной нитевой ячейкой для Оа, двойной нитевой ячейкой 8ИМО для 1п и ячейкой с открыванием клапана для Ак, позволяющей фиксировать соотношение димеров и тетрамеров. В настоящем исследовании основная часть соединений мышьяка представляла собой Ак4. Выращивание НП выполняют либо на отслоенной пластинке первичного графита, либо на графеновой пленке (толщиной от 1 до 7 одиночных слоев), выращенной путем технологии химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) непосредственно на никелевой пленке, осажденной на окисленную кремниевую пластину. ХОПФ графеновые пленки покупали в ОгарЬепе 8иреттатке1, США. Образцы приготавливали, используя две различных процедуры. В первой процедуре образцы очищали изопропанолом, затем просушивали потоком азота и затем связывали с кремниевой пластиной, используя 1п. Во второй процедуре слой δίθ2 толщиной примерно 30 нм осаждали в камере электронно-лучевой установки для напыления на об- 11 026823 разцы, приготовленные с использованием первой процедуры, затем проделывали отверстия примерно 100 нм в диаметре в δίΟ2„ используя электронно-лучевую литографию и плазменно-химическое травление.
Образцы затем загружали в систему МПЭ для выращивания НП. Поток Оа/Ιη сперва подавали на поверхность в течение интервала времени, обычно составлявшего от 5 с до 10 мин, в зависимости от потока Оа/Ιη и требуемого размера вкраплений, при этом затвор Αδ был закрыт, для инициирования образования Оа/Ιη вкраплений на поверхности. Температуру подложки повышали до температуры, подходящей для роста ОаЛ8/1пЛ8 НП, т.е. до 610°С/450°С соответственно. Рост ΟαΑδ/ΙηΛδ НП инициировали путем одновременного открывания затвора Оа/Ιη эффузионной ячейки и затвора и клапана Αδ эффузионной ячейки. Температуру Оа/Ιη эффузионной ячейки предварительно устанавливали для получения номинальной скорости роста с плоским фронтом затвердевания 0,1 мкм/ч. Для образования Ο;·ιΛδ НП используют поток Λδ4, составляющий 1,46х 10-4 Па (1,1 х 10-6 Торр), в то время как для образования ΙηΑδ НП используют поток Λδ4, составляющий 5,32х10-4 Па (4х10-6 Торр).

Claims (16)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры, включающий стадии:
    (1) подачи по меньшей мере одного элемента группы ΙΙΙ и по меньшей мере одного элемента группы V на поверхность графитовой подложки и (2) эпитаксиального выращивания по меньшей мере одной нанопроволоки из поверхности графитовой подложки в [111] или [0001] направлении.
  2. 2. Способ по п.1, в котором элементы подают на подложку посредством молекулярно-пучковой эпитаксии.
  3. 3. Способ по п.1 или 2, в котором на подложке осаждают катализатор, и указанный катализатор является Ли или металлом выращиваемой нанопроволоки, например Оа.
  4. 4. Способ по любому из пп.1-3, в котором подложку покрывают защитным покрытием с отверстиями, причем указанный катализатор вводят на открытую поверхность графитовой подложки через данные отверстия.
  5. 5. Способ по п.4, в котором защитное покрытие с отверстиями включает δίΟ2 или δί3Ν4, осажденные путем электронно-лучевого напыления, химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ), плазменно-химического осаждения из паровой фазы или катодного напыления.
  6. 6. Способ по п.4 или 5, в котором открытую поверхность графитовой подложки модифицируют с помощью обработки плазмой из газообразного кислорода, водорода, ΝΟ2 или их сочетаний.
  7. 7. Полупроводниковая наноструктура, включающая по меньшей мере одну нанопроволоку на графитовой подложке, причем указанная по меньшей мере одна нанопроволока выращена путем эпитаксии на указанной подложке, где указанная нанопроволока включает по меньшей мере одно соединение групп ΙΙΙ-ν, при этом указанная нанопроволока выращена в [111] или [0001] направлении.
  8. 8. Наноструктура по п.7, в которой соединение групп ΙΙΙ-ν представляет собой Оа8Ь, ОаР, ОаΑδ или
    ΙηΑδ.
  9. 9. Наноструктура по п.7 или 8, в которой графитовая подложка включает графен, графан или оксид графена, содержащие 10 или меньше слоев.
  10. 10. Наноструктура по любому из пп.7-9, в которой графитовая подложка является многослойной подложкой, отслоенной от первичного графита, высокоупорядоченным пиролитическим графитом (ВУПГ), или графеновыми слоями, выращенными химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ) на никелевых пленках, или графеновыми слоями, выращенными химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ) на медной фольге.
  11. 11. Наноструктура по любому из пп.7-10, в которой графитовая подложка является гибкой и прозрачной.
  12. 12. Наноструктура по любому из пп.7-11, в которой поверхность подложки модифицирована путем обработки ее плазмой из газообразного кислорода, водорода, ΝΟ2 или их сочетаний или в которой поверхность подложки модифицирована путем химического легирования с использованием растворов РеС13, ЛиС1з или ОаС1.
  13. 13. Наноструктура по любому из пп.7-12, в которой нанопроволока составляет не более 200 нм в диаметре и имеет длину, составляющую до 5 мкм.
  14. 14. Наноструктура по любому из пп.7-13, в которой указанная подложка включает множество нанопроволок и указанные нанопроволоки, по существу, параллельны.
  15. 15. Фотоэлемент солнечной батареи, включающий полупроводниковую наноструктуру по любому из пп.7-14.
  16. 16. Светодиод, включающий полупроводниковую наноструктуру по любому из пп.7-14.
EA201390802A 2010-12-13 2011-12-13 Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры EA026823B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB1021112.6A GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2010-12-13 Nanowires
PCT/EP2011/072612 WO2012080252A1 (en) 2010-12-13 2011-12-13 Nanowire epitaxy on a graphitic substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201390802A1 EA201390802A1 (ru) 2013-12-30
EA026823B1 true EA026823B1 (ru) 2017-05-31

Family

ID=43567105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201390802A EA026823B1 (ru) 2010-12-13 2011-12-13 Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры

Country Status (15)

Country Link
US (2) US9966257B2 (ru)
EP (1) EP2652771B1 (ru)
JP (1) JP6006729B2 (ru)
KR (1) KR101931394B1 (ru)
CN (1) CN103477418B (ru)
AU (2) AU2011344238B2 (ru)
BR (1) BR112013014613A2 (ru)
CA (1) CA2820904C (ru)
DK (1) DK2652771T3 (ru)
EA (1) EA026823B1 (ru)
ES (1) ES2777951T3 (ru)
GB (1) GB201021112D0 (ru)
MY (1) MY164032A (ru)
SG (1) SG191131A1 (ru)
WO (1) WO2012080252A1 (ru)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2011-01-26 Ntnu Technology Transfer As Nanowires
GB201200355D0 (en) * 2012-01-10 2012-02-22 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Nanowires
GB201211038D0 (en) * 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
JP5876408B2 (ja) * 2012-12-14 2016-03-02 日本電信電話株式会社 ナノワイヤの作製方法
US10266963B2 (en) 2013-03-08 2019-04-23 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Growth of crystalline materials on two-dimensional inert materials
US9018056B2 (en) 2013-03-15 2015-04-28 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Complementary field effect transistors using gallium polar and nitrogen polar III-nitride material
US9236432B2 (en) 2013-03-20 2016-01-12 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Graphene base transistor with reduced collector area
GB201311101D0 (en) * 2013-06-21 2013-08-07 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Semiconducting Films
GB2517186A (en) * 2013-08-14 2015-02-18 Norwegian University Of Science And Technology Radial P-N junction nanowire solar cells
CN103531441B (zh) * 2013-10-23 2016-05-04 中国科学院半导体研究所 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
US10403889B2 (en) 2014-10-21 2019-09-03 RAMOT AT TEL-AVIV UNlVERSITY LTD. High-capacity silicon nanowire based anode for lithium-ion batteries
KR102266615B1 (ko) 2014-11-17 2021-06-21 삼성전자주식회사 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101694485B1 (ko) * 2014-12-16 2017-01-10 한국생산기술연구원 태양 전지의 제조 방법 및 이에 의한 태양 전지
CN107170510A (zh) * 2014-12-31 2017-09-15 重庆元石石墨烯技术开发有限责任公司 金属纳米线—石墨烯桥架结构复合材料及其制备方法
CN104766910B (zh) * 2015-02-06 2017-07-04 中山大学 一种GaN纳米线及其制备方法
JP2016167534A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 日本電信電話株式会社 ナノワイヤの製造方法
AU2016292850B2 (en) 2015-07-13 2019-05-16 Crayonano As Nanowires or nanopyramids grown on graphitic substrate
BR112018000603A2 (pt) * 2015-07-13 2018-09-11 Crayonano As fotodetetores e diodos emitindo luz com forma de nanofios/nanopirâmides
CA2993884A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-09 Crayonano As Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates
KR102465353B1 (ko) * 2015-12-02 2022-11-10 삼성전자주식회사 전계 효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 소자
EP3182459A1 (en) * 2015-12-15 2017-06-21 IMEC vzw Method of producing a pre-patterned structure for growing vertical nanostructures
CN105544017B (zh) * 2016-01-27 2017-07-14 浙江大学 一种高导电石墨烯纤维及其制备方法
US9711607B1 (en) * 2016-04-15 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. One-dimensional nanostructure growth on graphene and devices thereof
CN106653567A (zh) * 2016-12-01 2017-05-10 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
CN106803478B (zh) * 2016-12-05 2019-12-06 南京大学 一种GaN纳米结构阵列生长方法
GB201701829D0 (en) 2017-02-03 2017-03-22 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Device
CN108572196A (zh) * 2017-03-08 2018-09-25 天津大学 基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
KR102483991B1 (ko) * 2018-02-13 2022-12-30 성균관대학교산학협력단 마이크로 버블 집적구조체 및 이의 제조방법
WO2019206844A1 (en) * 2018-04-22 2019-10-31 Epinovatech Ab Reinforced thin-film device
CN112331553B (zh) * 2019-07-16 2024-04-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米线单片外延集成结构、制作方法与应用
GB201910170D0 (en) 2019-07-16 2019-08-28 Crayonano As Nanowire device
CN110284198B (zh) * 2019-07-22 2020-11-10 南京大学 一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
CN110504159B (zh) * 2019-08-21 2021-05-11 中国科学院半导体研究所 硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法
GB201913701D0 (en) 2019-09-23 2019-11-06 Crayonano As Composition of matter
EP3836227A1 (en) 2019-12-11 2021-06-16 Epinovatech AB Semiconductor layer structure
EP3866189B1 (en) 2020-02-14 2022-09-28 Epinovatech AB A mmic front-end module
EP3879706A1 (en) 2020-03-13 2021-09-15 Epinovatech AB Field-programmable gate array device
EP4101945B1 (en) 2021-06-09 2024-05-15 Epinovatech AB A device for performing electrolysis of water, and a system thereof
CN114656274B (zh) * 2022-03-08 2023-05-05 西北工业大学 一种纳米线阵列改性石墨烯蜂窝增强纳米气凝胶隔热吸波复合材料
GB202212397D0 (en) 2022-08-25 2022-10-12 Crayonano As Nanowire device with mask layer
CN117664401B (zh) * 2023-12-08 2024-04-26 浙江大学 一种铁路监测用柔性无源压力传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080191317A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 International Business Machines Corporation Self-aligned epitaxial growth of semiconductor nanowires
US7442575B2 (en) * 2006-09-29 2008-10-28 Texas Christian University Method of manufacturing semiconductor nanowires
US20110121264A1 (en) * 2009-11-25 2011-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite structure of graphene and nanostructure and method of manufacturing the same

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213801A (en) 1979-03-26 1980-07-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Ohmic contact of N-GaAs to electrical conductive substrates by controlled growth of N-GaAs polycrystalline layers
KR101008294B1 (ko) 2001-03-30 2011-01-13 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스
JP3823784B2 (ja) 2001-09-06 2006-09-20 富士ゼロックス株式会社 ナノワイヤーおよびその製造方法、並びにそれを用いたナノネットワーク、ナノネットワークの製造方法、炭素構造体、電子デバイス
FR2840452B1 (fr) 2002-05-28 2005-10-14 Lumilog Procede de realisation par epitaxie d'un film de nitrure de gallium separe de son substrat
US7594982B1 (en) 2002-06-22 2009-09-29 Nanosolar, Inc. Nanostructured transparent conducting electrode
US7335908B2 (en) 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
JP4701161B2 (ja) * 2003-04-04 2011-06-15 キューナノ エービー 正確に位置決めされたナノウィスカおよびナノウィスカアレイ、およびそれらを作成する方法
US7354850B2 (en) * 2004-02-06 2008-04-08 Qunano Ab Directionally controlled growth of nanowhiskers
WO2006000790A1 (en) 2004-06-25 2006-01-05 Btg International Limited Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material
KR100533645B1 (ko) 2004-09-13 2005-12-06 삼성전기주식회사 발광 효율을 개선한 발광 다이오드
GB2418532A (en) 2004-09-28 2006-03-29 Arima Optoelectronic Textured light emitting diode structure with enhanced fill factor
US7939218B2 (en) 2004-12-09 2011-05-10 Nanosys, Inc. Nanowire structures comprising carbon
EP1829141B1 (en) 2004-12-09 2013-05-29 Nanosys, Inc. Nanowire-based membrane electrode assemblies for fuel cells
EP2410582B1 (en) 2005-05-24 2019-09-04 LG Electronics Inc. Nano rod type light emitting diode and method for fabricating a nano rod type light emitting diode
EP1952467B9 (en) 2005-11-21 2012-03-14 Nanosys, Inc. Nanowire structures comprising carbon
US7570355B2 (en) 2006-01-27 2009-08-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowire heterostructures and methods of forming the same
US7643136B2 (en) 2006-02-02 2010-01-05 Optilia Instrument Ab Device for inspection of narrow spaces and objects in narrow spaces
WO2008048704A2 (en) 2006-03-10 2008-04-24 Stc.Unm Pulsed growth of gan nanowires and applications in group iii nitride semiconductor substrate materials and devices
FR2904146B1 (fr) 2006-07-20 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une nanostructure a base de nanofils interconnectes,nanostructure et utilisation comme convertisseur thermoelectrique
JP4106397B2 (ja) 2006-09-14 2008-06-25 株式会社島津製作所 光または放射線検出器の製造方法
US8426224B2 (en) 2006-12-18 2013-04-23 The Regents Of The University Of California Nanowire array-based light emitting diodes and lasers
JP2010525557A (ja) 2007-03-28 2010-07-22 クナノ アーベー ナノワイヤ回路構造物
KR100904588B1 (ko) 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
US7714317B2 (en) 2007-08-30 2010-05-11 Brookhaven Science Associates, Llc Assembly of ordered carbon shells on semiconducting nanomaterials
KR101541560B1 (ko) 2007-10-26 2015-08-03 큐나노 에이비 이종 재료상의 나노와이어 성장
US8273983B2 (en) 2007-12-21 2012-09-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic device and method of making same using nanowires
US8435676B2 (en) 2008-01-09 2013-05-07 Nanotek Instruments, Inc. Mixed nano-filament electrode materials for lithium ion batteries
US7871653B2 (en) 2008-01-30 2011-01-18 Ocean Duke Corporation Double-stack shrimp tray
US8129763B2 (en) 2008-02-07 2012-03-06 International Business Machines Corporation Metal-oxide-semiconductor device including a multiple-layer energy filter
JP5386747B2 (ja) 2008-02-21 2014-01-15 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子
KR101445877B1 (ko) * 2008-03-24 2014-09-29 삼성전자주식회사 산화아연 나노와이어의 제조방법
TW200952184A (en) 2008-06-03 2009-12-16 Univ Nat Taiwan Structure of mixed type heterojunction thin film solar cells and its manufacturing method
WO2010014032A1 (en) 2008-07-07 2010-02-04 Glo Ab A nanostructured LED
US8735797B2 (en) 2009-12-08 2014-05-27 Zena Technologies, Inc. Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor
WO2010056064A2 (ko) 2008-11-13 2010-05-20 주식회사 엘지화학 리튬 이차전지용 비수 전해액 및 이를 구비한 리튬 이차전지
KR101071906B1 (ko) 2008-11-14 2011-10-11 한국과학기술원 단결정 게르마늄코발트 나노와이어, 게르마늄코발트 나노와이어 구조체, 및 이들의 제조방법
CN101504961B (zh) 2008-12-16 2010-08-11 华中科技大学 面发射多色发光二极管及其制造方法
US8389387B2 (en) 2009-01-06 2013-03-05 Brookhaven Science Associates, Llc Segmented nanowires displaying locally controllable properties
KR101650310B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-24 삼성전자주식회사 도광부재 및 이를 구비하는 제전유닛, 화상형성장치, 화상독취장치
FR2941688B1 (fr) 2009-01-30 2011-04-01 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de nano-fils
WO2010087853A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Hewlett-Packard Development Company Photovoltaic structure and solar cell and method of fabrication employing hidden electrode
WO2010096035A1 (en) 2009-02-23 2010-08-26 Nanosys, Inc. Nanostructured catalyst supports
US20120135158A1 (en) 2009-05-26 2012-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Methods and systems for electric field deposition of nanowires and other devices
US9162896B2 (en) 2009-05-31 2015-10-20 College Of William And Mary Method for making polymer composites containing graphene sheets
JP5299105B2 (ja) 2009-06-16 2013-09-25 ソニー株式会社 二酸化バナジウムナノワイヤとその製造方法、及び二酸化バナジウムナノワイヤを用いたナノワイヤデバイス
CN101931507B (zh) 2009-06-18 2012-09-05 华为技术有限公司 码本生成方法、数据传输方法及装置
US8409366B2 (en) 2009-06-23 2013-04-02 Oki Data Corporation Separation method of nitride semiconductor layer, semiconductor device, manufacturing method thereof, semiconductor wafer, and manufacturing method thereof
WO2011016616A2 (ko) * 2009-08-03 2011-02-10 인제대학교 산학협력단 신규한 구조의 탄소계 나노복합체 및 이의 제조방법
US8507797B2 (en) 2009-08-07 2013-08-13 Guardian Industries Corp. Large area deposition and doping of graphene, and products including the same
WO2011048808A1 (ja) 2009-10-20 2011-04-28 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子およびその製造方法
JP4718652B2 (ja) 2009-10-21 2011-07-06 パナソニック株式会社 太陽電池およびその製造方法
US9306099B2 (en) 2009-12-01 2016-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Material including graphene and an inorganic material and method of manufacturing the material
WO2011067893A1 (ja) 2009-12-04 2011-06-09 パナソニック株式会社 基板およびその製造方法
WO2011081440A2 (ko) 2009-12-30 2011-07-07 성균관대학교산학협력단 그래핀 필름의 롤투롤 도핑 방법 및 도핑된 그래핀 필름
WO2011090863A1 (en) 2010-01-19 2011-07-28 Eastman Kodak Company Ii-vi core-shell semiconductor nanowires
US8377729B2 (en) 2010-01-19 2013-02-19 Eastman Kodak Company Forming II-VI core-shell semiconductor nanowires
US8212236B2 (en) 2010-01-19 2012-07-03 Eastman Kodak Company II-VI core-shell semiconductor nanowires
US20110240099A1 (en) 2010-03-30 2011-10-06 Ellinger Carolyn R Photovoltaic nanowire device
TWI440074B (zh) 2010-04-02 2014-06-01 Univ Nat Chiao Tung 一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法
EP2557597A4 (en) 2010-04-07 2014-11-26 Shimadzu Corp RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
BR112012030016B8 (pt) 2010-05-24 2021-05-18 Siluria Technologies Inc processo para preparar etileno a partir de metano e método para preparar um produto a jusante de etileno
JP4949540B2 (ja) 2010-06-07 2012-06-13 パナソニック株式会社 太陽電池及びその製造法
KR101781552B1 (ko) 2010-06-21 2017-09-27 삼성전자주식회사 보론 및 질소로 치환된 그라핀 및 제조방법과, 이를 구비한 트랜지스터
KR20130138657A (ko) 2010-06-24 2013-12-19 글로 에이비 배향된 나노와이어 성장을 위해 버퍼 층을 갖는 기판
WO2012021460A2 (en) 2010-08-07 2012-02-16 Michael Eugene Young Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods
CN102376817A (zh) 2010-08-11 2012-03-14 王浩 一种半导体光电器件的制备方法
KR20130093115A (ko) 2010-09-01 2013-08-21 샤프 가부시키가이샤 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드
WO2012029381A1 (ja) 2010-09-01 2012-03-08 シャープ株式会社 発光素子およびその製造方法、発光装置の製造方法、照明装置、バックライト、表示装置、並びにダイオード
KR101636915B1 (ko) 2010-09-03 2016-07-07 삼성전자주식회사 그래핀 또는 탄소나노튜브를 이용한 반도체 화합물 구조체 및 그 제조방법과, 반도체 화합물 구조체를 포함하는 반도체 소자
KR101691906B1 (ko) 2010-09-14 2017-01-02 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광 소자 제조방법
US8901536B2 (en) 2010-09-21 2014-12-02 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Transistor having graphene base
KR101802374B1 (ko) 2010-10-05 2017-11-29 삼성전자주식회사 도핑된 그래핀 함유 투명전극, 그의 제조방법, 및 이를 구비하는 표시소자와 태양전지
US8321961B2 (en) 2010-10-07 2012-11-27 International Business Machines Corporation Production scale fabrication method for high resolution AFM tips
KR101217209B1 (ko) 2010-10-07 2012-12-31 서울대학교산학협력단 발광소자 및 그 제조방법
KR101142545B1 (ko) 2010-10-25 2012-05-08 서울대학교산학협력단 태양전지 및 그 제조 방법
JP6069209B2 (ja) 2010-11-12 2017-02-01 ジェンティウム ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ 移植片対宿主病（ｇｖｈｄ）の予防および／または治療に使用するためのデフィブロタイド
US20120141799A1 (en) 2010-12-03 2012-06-07 Francis Kub Film on Graphene on a Substrate and Method and Devices Therefor
GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2011-01-26 Ntnu Technology Transfer As Nanowires
KR20120065792A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성전자주식회사 나노 센서 및 그의 제조 방법
KR20120083084A (ko) 2011-01-17 2012-07-25 삼성엘이디 주식회사 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101227600B1 (ko) 2011-02-11 2013-01-29 서울대학교산학협력단 그래핀-나노와이어 하이브리드 구조체에 기반한 광센서 및 이의 제조방법
US8591990B2 (en) 2011-03-25 2013-11-26 GM Global Technology Operations LLC Microfiber supported metal silicide nanowires
JP2012230969A (ja) 2011-04-25 2012-11-22 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ系半導体デバイスの製造方法
US9713650B2 (en) 2011-05-06 2017-07-25 The Research Foundation For The State University Of New York Magnetic graphene-like nanoparticles or graphitic nano- or microparticles and method of production and uses thereof
US9564579B2 (en) 2011-05-27 2017-02-07 University Of North Texas Graphene magnetic tunnel junction spin filters and methods of making
WO2012167282A1 (en) 2011-06-02 2012-12-06 Brown University High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on ge quantumdots and ge/si hetero-nanowires
KR101305705B1 (ko) 2011-07-12 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 전극 제조 방법
US20130020623A1 (en) 2011-07-18 2013-01-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for single gate non-volatile memory device
CN102254969B (zh) 2011-08-17 2012-11-14 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法
KR101217216B1 (ko) 2011-08-31 2012-12-31 서울대학교산학협력단 전자 소자 및 그 제조 방법
WO2013052541A2 (en) 2011-10-04 2013-04-11 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Quantum dots, rods, wires, sheets, and ribbons, and uses thereof
US8440350B1 (en) 2011-11-10 2013-05-14 GM Global Technology Operations LLC Lithium-ion battery electrodes with shape-memory-alloy current collecting substrates
US20130158322A1 (en) 2011-11-29 2013-06-20 Siluria Technologies, Inc. Polymer templated nanowire catalysts
KR20130069035A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성전자주식회사 그래핀상의 하이브리드 나노구조체 형성 방법
GB201200355D0 (en) * 2012-01-10 2012-02-22 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Nanowires
EP2815423B1 (en) 2012-02-14 2017-05-24 Hexagem AB Gallium nitride nanowire based electronics
TW201344749A (zh) 2012-04-23 2013-11-01 Nanocrystal Asia Inc 以塡膠燒結方式製造選擇性成長遮罩之方法
US20130311363A1 (en) 2012-05-15 2013-11-21 Jonathan E. Ramaci Dynamically re-programmable transaction card
GB201211038D0 (en) 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
FR2997558B1 (fr) 2012-10-26 2015-12-18 Aledia Dispositif opto-electrique et son procede de fabrication
EP2922891A1 (en) 2012-11-26 2015-09-30 Massachusetts Institute of Technology Nanowire-modified graphene and methods of making and using same
JP5876408B2 (ja) 2012-12-14 2016-03-02 日本電信電話株式会社 ナノワイヤの作製方法
CN103050498B (zh) 2012-12-28 2015-08-26 中山大学 一种微纳米线阵列结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法
GB201311101D0 (en) 2013-06-21 2013-08-07 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Semiconducting Films
GB2517186A (en) 2013-08-14 2015-02-18 Norwegian University Of Science And Technology Radial P-N junction nanowire solar cells
KR101517551B1 (ko) 2013-11-14 2015-05-06 포항공과대학교 산학협력단 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 발광소자
BR112018000603A2 (pt) 2015-07-13 2018-09-11 Crayonano As fotodetetores e diodos emitindo luz com forma de nanofios/nanopirâmides

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442575B2 (en) * 2006-09-29 2008-10-28 Texas Christian University Method of manufacturing semiconductor nanowires
US20080191317A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-14 International Business Machines Corporation Self-aligned epitaxial growth of semiconductor nanowires
US20110121264A1 (en) * 2009-11-25 2011-05-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Composite structure of graphene and nanostructure and method of manufacturing the same

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AVINASH PATSHA ET AL.: "Growth of GaN nanostructures on graphene", NANOSCIENCE, ENGINEERING AND TECHNOLOGY (ICONSET), 2011 INTERNATIONAL CONFERENCE ON, 28 November 2011 (2011-11-28), pages 553-555, XP055024020, ISBN: 978-1-46-730071-1, *"2. Experimental details", "3. Results and discussion"; figures 1-4* *
H.Y. PENG, N. WANG, X.T. ZHOU, Y.F. ZHENG, C.S. LEE, S.T. LEE: "Control of growth orientation of GaN nanowires", CHEMICAL PHYSICS LETTERS, NORTH-HOLLAND, vol. 359, no. 3-4, 1 June 2002 (2002-06-01), pages 241 - 245, XP055024044, ISSN: 00092614, DOI: 10.1016/S0009-2614(02)00644-9 *
HANA YOON ET AL.: "Vertical epitaxial Co5Ge7 nanowires and nanobelts arrays on a thin graphitic layer for flexible FED", 2010 3rd INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE (INEC), 1 January 2010 (2010-01-01), pages 1155-1156, XP055024015, DOI: 10.1109/INEC.2010.5424984, ISBN: 978-1-42-443544-9, *Section "Current results"; figures 1, 2 *
J. H. PAEK, NISHIWAKI T., YAMAGUCHI M., SAWAKI N.: "MBE-VLS growth of GaAs nanowires on (111)Si substrate", PHYSICA STATUS SOLIDI (C), vol. 5, no. 9, 1 July 2008 (2008-07-01), pages 2740 - 2742, XP055024565, ISSN: 16101634, DOI: 10.1002/pssc.200779248 *

Also Published As

Publication number Publication date
AU2015213350A1 (en) 2015-09-03
CA2820904A1 (en) 2012-06-21
ES2777951T3 (es) 2020-08-06
WO2012080252A1 (en) 2012-06-21
AU2011344238B2 (en) 2015-05-14
JP6006729B2 (ja) 2016-10-12
EP2652771A1 (en) 2013-10-23
JP2014506222A (ja) 2014-03-13
EA201390802A1 (ru) 2013-12-30
KR20140014105A (ko) 2014-02-05
CN103477418B (zh) 2017-09-01
US20130334497A1 (en) 2013-12-19
US9966257B2 (en) 2018-05-08
DK2652771T3 (da) 2020-03-23
BR112013014613A2 (pt) 2018-04-03
US10861696B2 (en) 2020-12-08
AU2011344238A1 (en) 2013-07-11
CA2820904C (en) 2020-03-10
US20180254184A1 (en) 2018-09-06
CN103477418A (zh) 2013-12-25
KR101931394B1 (ko) 2018-12-21
MY164032A (en) 2017-11-15
AU2015213350B2 (en) 2017-07-27
SG191131A1 (en) 2013-07-31
GB201021112D0 (en) 2011-01-26
EP2652771B1 (en) 2020-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA026823B1 (ru) Способ изготовления полупроводниковой наноструктуры
JP6147277B2 (ja) グラフェンのトップ及びボトム電極を備えたナノワイヤーデバイス及びそのようなデバイスの製造方法
US11257967B2 (en) Solar cells
US11450528B2 (en) Process for growing nanowires or nanopyramids on graphitic substrates
EP3323153A1 (en) Nanowires or nanopyramids grown on graphitic substrate
KR20160025332A (ko) 그래핀을 포함하는 나노와이어 구조체를 기반으로 하는 광전도 소자 및 그 제조 방법
Zou et al. Assembly-line flash synthesis of ZnO nanobelts on metal Zn

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM