TW201906117A - 引線框架及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供引線框架及其製造方法，該引線框架的設計自由度大、能有效減少應切斷的金屬體積而使切斷加工容易、充分抑制引線、阻擋棒的變形、翹曲和扭曲、使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。引線框架具有阻擋棒和引線，在阻擋棒中的由引線的連接於阻擋棒的端部的寬度方向的邊和阻擋棒中的寬度方向的邊圍成的部位、及引線中的連接於阻擋棒的端部附近部位合併而成的第一部位，在比引線的連接於阻擋棒的端部的寬度方向的兩端靠近內側、具有以比連接於阻擋棒的端部窄的寬度橫斷阻擋棒的橫斷部，橫斷部具有與金屬板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的橫斷部以外的部位及阻擋棒中的與第一部位相鄰且不與引線連接的第二部位具有比金屬板的板厚薄的板厚。

Description

引線框架及其製造方法

本發明涉及引線框架及其製造方法，前述引線框架是藉由蝕刻形成的多排型引線框架中構成產品單元的引線框架，具備阻擋棒和引線，前述阻擋棒在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分；前述引線連接於阻擋棒，且從連接於阻擋棒的端部到既定範圍具有與金屬板的板厚同等程度的板厚部分。

作為多排型引線框架中構成產品單元的引線框架的、具有多個焊錫連接用端子的多個倒裝晶片（Flip chip）安裝用引線框架中的主要搭載晶片的部位、成為各端子用引線的部位具有用於連接於作為支持體的框架整體的引線。這些部位的引線與支承引線連接而成為一體，但有時根據形狀的不同會強度不足，因而成為變形的原因。QFN（Quad Flat Non-Leaded Package，四側無引腳扁平封裝）型、LED型引線框架中，多數情況下，對這些部位的引線、支承引線的正面和背面中的至少一面進行半蝕刻加工，從而形成例如長度1mm以上、粗細0.3mm以下的細長形狀，因此特別容易發生變形。

實施半蝕刻加工而形成的引線中，作為引線框架材料使用的金屬板的板厚的50～70%左右由於蝕刻而熔化，因此內部應力釋放而發生應變。由於該應變，發生框架整體產生起伏、產生變形的現象。而且，半蝕刻加工的面積越寬，半蝕刻加工的深度越深，則變形的程度越大。 此外，實施半蝕刻加工而形成的引線細長或彎曲的情況下，引線前端的例如形成端子的部分容易產生段差，在引線框架製造過程中的輸送中，由於引線前端卡住等，對引線所連接的作為切斷對象的最細的支承引線產生過大的負荷，由此容易發生多處扭曲變形。

另一方面，支承引線（support lead）中，成為切斷對象的支承引線亦即阻擋棒的一部分或整體藉由鋸切加工而被除去。因此，如果不對這些部位實施半蝕刻加工而形成，則在引線框架上搭載半導體元件且用密封樹脂密封後進行用於分離成產品單元的切斷加工時，應當切斷的金屬部分的體積變大，因而將密封樹脂和金屬同時切斷的刀片容易發生堵塞，連續加工時間不會延長。

因此，以往，例如下面的專利文獻1、2中，提出了減小作為成為切斷對象的支承引線的阻擋棒的一部分厚度的引線框架。

就專利文獻1中記載的引線框架而言，例如如圖5所示，在由阻擋棒50中與各個端子部的引線60連接的連接部51和連接於連接部51的引線60中藉由切割除去的部位組成的第一部位53，該第一部位53中的接近寬度方向端部的部位藉由實施半蝕刻加工而被薄壁化，該第一部位53中的寬度方向的中央部成為厚的部分，且在位於阻擋棒50中的連接部51之間的第二部位52，該第二部位52中的寬度方向的兩端部藉由實施半蝕刻加工而被薄壁化，該第二部位52中的寬度方向的中央部形成具有與第一部位53中的寬度方向的中央部相同寬度的厚的部分。

此外，就專利文獻1中記載的另一例引線框架而言，例如如圖6所示，在第一部位53、第二部位52這兩者中，接近寬度方向的中央部的部位形成半蝕刻部，接近寬度方向的端部的部位未被實施半蝕刻加工而形成與半蝕刻部相比更厚的部分。

此外，就專利文獻1中記載的再另一個例子的引線框架而言，例如如圖7所示，僅第一部位53藉由實施半蝕刻加工而整體上被薄壁化，第二部位52完全未被實施半蝕刻加工，其整體形成為與半蝕刻部相比更厚的部分。

而且，就專利文獻1中記載的引線框架而言，藉由使阻擋棒50部分薄壁化而使切斷容易，同時，藉由形成被薄壁化的容易切斷的部位、以及與容易切斷的部位相比更厚而確保強度的部位，實現多排型引線框架強度的保證。

就專利文獻2中記載的引線框架而言，例如如圖8所示，在阻擋棒70中的、與多個引線80連接的位置，形成與各引線80相同厚度的支承部70a，且相鄰支承部70a間形成有與各引線80相比薄壁的樹脂通道部70b。 而且，專利文獻2中記載的引線框架藉由使阻擋棒70部分薄壁化而使得密封樹脂能夠移動，實現密封樹脂填充性的提高。 現有技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利第5214911號公報 專利文獻2：日本特開2007-281207號公報

發明所要解決的課題

可是，專利文獻1中記載的引線框架中，例如圖5所示那樣的、使阻擋棒50中實施半蝕刻加工部位的寬度比阻擋棒50的寬度窄的構成難以應用於阻擋棒50的寬度小的引線框架。此外，無法改變實施半蝕刻加工部位的數目、半蝕刻加工的寬度，會限制設計的自由度。

此外，例如圖6所示那樣的、設置貫穿阻擋棒50的長度方向實施半蝕刻加工的部位和未實施半蝕刻加工的位置的構成中，成為未實施半蝕刻加工的厚的部分的第一部位53和第二部位52中的接近寬度方向的端部的部位貫穿長度方向全部未經半蝕刻加工而殘留，應當切斷的金屬體積相應增加，將阻擋棒50切斷的刀片容易發生堵塞，連續加工時間難以延長。

此外，如果例如圖7所示那樣的、引線60中的連接於阻擋棒50的端部、以及阻擋棒50中的與引線60的端部連接的部位全部（第一部位53）被實施半蝕刻加工，則存在下述可能性：引線細長或彎曲的情況下，引線前端的例如成為端子的部分容易產生段差，在引線框架的製造過程中，由於輸送時的卡住等，對引線所連接的成為切斷對象的最細的支承引線產生過大的負荷，有發生扭曲變形之虞。

而且，圖5、圖6、圖7所示那樣的、在對阻擋棒中的不與引線連接的部位未實施半蝕刻加工而具有厚的部分的形狀的引線框架中，存在下述可能性：密封樹脂隔著阻擋棒向相鄰引線框架區域的移動被阻擋棒中的厚的部分阻擋，有產生未填充樹脂的位置之虞。

此外，圖8所示那樣的、在對阻擋棒70中的與各引線80連接的位置以外的部分實施半蝕刻加工而使密封樹脂容易移動、使阻擋棒70中的與各引線80連接的位置的支承部70a形成為與引線80相同厚度的結構中，存在下述可能性：鋸切步驟中將引線切斷的部位的剖面在寬度方向上擴大，剖面積增大，工作拉伸應力不集中於切斷部，壓縮應力增大，有切斷後的引線80發生變形之虞。

本發明是鑒於上述以往的課題而做出的，其目的在於，提供一種引線框架及其製造方法，前述引線框架不管作為切斷對象的引線的寬度如何均能適用，設計自由度大，能夠有效減少應當切斷的金屬體積而使切斷加工容易，且充分抑制細長或者彎曲的引線、阻擋棒的變形、翹曲和扭曲，能夠使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。 用於解決課題的方法

為了實現上述目的，根據本發明的引線框架的特徵在於，構成多排型引線框架中的產品單元，具備阻擋棒和引線，前述阻擋棒在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分，前述引線連接於前述阻擋棒，且從連接於前述阻擋棒的端部到既定範圍具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚部分，前述引線框架中，在第一部位具備橫斷部，前述第一部位是將前述阻擋棒中的由前述引線連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的邊和前述阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及前述引線中的連接於前述阻擋棒的端部附近部位合併而成，前述橫斷部形成於與前述引線連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側，且以與連接於前述阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷前述阻擋棒；前述橫斷部具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚；前述第一部位中的前述橫斷部以外的部位、以及前述阻擋棒中的與前述第一部位相鄰且不與前述引線連接的第二部位具有與前述金屬板的板厚相比更薄的板厚。

此外，根據本發明的引線框架的製造方法的特徵在於，前述引線框架構成多排型引線框架中的產品單元，且具備阻擋棒和引線，前述阻擋棒在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分，前述引線連接於前述阻擋棒，且從連接於前述阻擋棒的端部到既定範圍具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚部分，前述引線框架的製造方法中，以下述方式對與前述金屬板一側的前述阻擋棒和前述引線對應的區域實施半蝕刻加工：在第一部位具備橫斷部，前述第一部位是將前述阻擋棒中的由前述引線連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的邊和前述阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及前述引線中的連接於前述阻擋棒的端部附近部位合併而成，前述橫斷部形成於與前述引線的連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側，且以與連接於前述阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷前述阻擋棒；前述橫斷部具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚；前述第一部位中的前述橫斷部以外的部位、以及前述阻擋棒中的與前述第一部位相鄰且不與前述引線連接的第二部位具有與前述金屬板的板厚相比更薄的板厚。 發明的效果

根據本發明，可得到一種引線框架及其製造方法，前述引線框架不管作為切斷對象的引線的寬度如何均能適用，設計自由度大，能夠有效減少應當切斷的金屬體積而使切斷加工容易，且充分抑制細長或者彎曲的引線、阻擋棒的變形、翹曲和扭曲，能夠使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。

在說明實施方式之前，先對完成導出本發明的經過和本發明的作用效果進行說明。

上述對引線、支承引線實施半蝕刻加工的目的在於，實現：在將半導體元件倒裝晶片安裝於引線框架時防止焊錫向與半導體元件連接的襯墊、成為連接端子的部分以外的引線的滲出、減輕對半導體元件的雜訊之影響、提高密封樹脂對與半導體元件的連接部周邊縫隙的填充性、使得密封樹脂在隔開相鄰的半導體元件搭載區域的阻擋棒部分的移動容易、減少在搭載半導體元件且用密封樹脂密封後將樹脂和金屬同時切斷時的金屬體積從而使切斷加工容易等。

可是，如上所述，在圖5、圖6、圖7所示專利文獻1中記載的那樣的、對阻擋棒50中的不與引線60連接的部位未實施半蝕刻加工而具有厚的部分的形狀的引線框架中，存在如下可能性：密封樹脂隔著阻擋棒50向相鄰引線框架區域的移動被阻擋棒50中的厚的部分阻擋，有產生未填充樹脂的位置之虞。

因此，本發明人研究了使得密封樹脂隔著阻擋棒向相鄰引線框架區域的移動容易的圖9所示構成。 圖9是顯示導出本發明的過程中，本發明人研究的一個方式的引線框架的主要部分構成的說明圖，圖9的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，(b)為從斜下方觀察到的圖，圖9的(c)為圖9的(a)的H-H剖面圖。 就圖9所示引線框架而言，阻擋棒2在遍及由引線1連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2中的寬度方向的邊圍成的第一部位2a’、以及與第一部位2a’相鄰且不與引線1連接的第二部位2b的整個區域實施了半蝕刻加工，從而與引線1相比形成薄壁。此外，關於引線1，連接於阻擋棒2的端部未被實施半蝕刻加工，從而形成厚壁。 根據圖9所示引線框架，能夠使密封樹脂從阻擋棒2中的不與引線1連接的第二部位2b向相鄰引線框架區域的移動容易。

可是，圖9所示引線框架在實施了半蝕刻加工時，如圖10的(a)所示呈引線1中的連接於阻擋棒2的端部形成為厚壁的構成，因此在實施蝕刻加工而形成引線2、阻擋棒1的外形時，如圖10的(b)所示，作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部形成大的R（參照箭頭所示部分）。 而且，如果作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部以厚壁的狀態形成大的R，則如圖10的(c)所示，將引線1切斷的剖面在寬度方向上增大，剖面積變大。 如果使引線切斷的部位的剖面積變大，則存在下述可能性：工作拉伸應力不集中於切斷部位，壓縮應力增大而切斷後的引線發生變形。

此外，圖8所示、專利文獻2中記載的那樣的、在阻擋棒70中的、與多個引線80連接的位置形成與各引線80相同厚度的支承部70a、且相鄰的支承部70a間形成有與各引線80相比薄壁的的樹脂通道部70b的引線框架能夠使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。

可是，如上前述，圖8所示引線框架是使阻擋棒70中的與各引線80連接的位置的支承部70a形成為與引線80相同厚度的結構，因此，鋸切步驟中將引線切斷的部位的剖面在寬度方向上增大，剖面積變大。 詳細而言，在藉由實施半蝕刻加工而形成了厚度小的樹脂通道部70b時，如圖11的(a)所示，在樹脂通道部70b與支承部70a的邊界面形成R（參照箭頭所示部分），作為引線80與阻擋棒70的邊界的部位的金屬幾乎未被半蝕刻，保持厚壁的狀態。而且，在藉由實施蝕刻加工而形成了引線80、阻擋棒70的外形時，如圖11的(b)所示，在作為引線80與阻擋棒70的邊界的角部形成大的R（參照箭頭所示部分）。 而且，如果作為引線80與阻擋棒70的邊界的角部形成大的R，則如圖11的(c)所示，將引線80切斷的切斷對象部位的剖面在寬度方向上增大，剖面積變大。 如果將引線切斷的部位的剖面積變大，此外，在樹脂通道部70b與支承部70a的邊界面形成R形狀，則存在下述可能性：工作拉伸應力不集中於切斷部位，有壓縮應力增大而切斷後的引線80大幅變形之虞。

因此，為了藉由減小如圖8所示引線框架的阻擋棒70中的與各引線80連接的位置的支承部70a的厚度，在樹脂通道部70b與支承部70a的邊界面不形成R形狀，減小在作為引線80與阻擋棒70的邊界的角部形成的R，減小切斷對象部位的剖面積，本發明人構思並研究了圖12所示構成。 圖12是顯示導出本發明的過程中，本發明人所導出的另一方式的引線框架的主要部分構成的說明圖，圖12的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖12的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖12的(c)為圖12的(a)的K-K剖面圖。 圖12所示引線框架中，將引線1與阻擋棒2所交叉的區域（即，由阻擋棒2中的引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2中的寬度方向的邊圍成的部位）與引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位合併而成的第一部位2a、以及阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰不與引線1連接的第二部位2b具有比金屬板的板厚薄的板厚。 根據圖12所示引線框架，切斷對象部位的剖面積變小，因此，能夠使作用於切斷部之拉伸應力集中，抑制壓縮應力而使切斷後的引線1的變形小。 詳細而言，圖12所示引線框架在實施了半蝕刻加工時，如圖13的(a)所示，呈引線1中的連接於阻擋棒2的端部形成為薄壁的構成，因而在實施蝕刻加工而形成了引線2、阻擋棒1的外形時，如圖13的(b)所示，作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部形成小的R（參照箭頭所示部分）。 而且，如果作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部為薄壁且形成小的R，則如圖13的(c)所示，由於將引線1切斷的切斷對象部位的剖面不會在寬度方向上增大，而且被薄壁化，因而剖面的高度變低，剖面積變小。 如果將引線切斷的部位的剖面積變小，則作用於切斷部之拉伸應力集中，壓縮應力減小而切斷後的引線難以變形。

可是，如果如圖12所示引線框架那樣、在引線與阻擋棒交叉的區域沿切斷方向形成薄壁部，則形成在阻擋棒的長度方向上薄壁部不平衡的構成，因此無法充分抑制阻擋棒的變形。 即，如果從作為材料的金屬板一側實施半蝕刻加工，則作為引線框架的材料的經軋製加工的金屬板所具有的、軋製加工時產生的應變集中於一側。其結果是，容易由於因半蝕刻加工產生的強度降低和殘留於一側的應變而翹曲、變形變大。而且，如果如圖12所示引線框架那樣、引線中的連接於阻擋棒的端部和阻擋棒中的與引線的端部連接的部位全部被實施了半蝕刻，則存在下述可能性：在引線細長或彎曲的情況下，引線的前端部分容易產生段差，在引線框架的製造過程中，由於輸送時的卡住等，對引線所連接的作為切斷對象的最細的支承引線產生過大的負荷，有發生扭曲變形之虞。

因此，本發明人經過反復試驗，構想出在使切斷對象部位的剖面積窄而抑制切斷後的引線的變形的同時，使薄壁部在阻擋棒的長度方向上不會不平衡，能夠充分抑制細長或者彎曲的引線、阻擋棒的變形、翹曲和扭曲，以及不會阻礙密封樹脂的移動的半蝕刻加工形狀，從而導出了本發明。

本發明的引線框架是構成多排型引線框架中的產品單元，具備在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分的阻擋棒、以及連接於阻擋棒且從連接於阻擋棒的端部到既定範圍具有與金屬板的板厚同等程度的板厚部分的引線，前述引線框架中，在將由阻擋棒中的引線的連接於阻擋棒的端部的寬度方向的邊和阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線中的連接於該阻擋棒的端部附近部位合併而成的第一部位，具有形成於與引線的連接於阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側的、以與連接於阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷阻擋棒的橫斷部，橫斷部具有與金屬板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的橫斷部以外的部位、以及阻擋棒中的與第一部位相鄰且不與引線連接的第二部位具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚。

如果如本發明的引線框架那樣，設為在將由阻擋棒中的引線的連接於阻擋棒的端部的寬度方向的邊和阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線中的連接於阻擋棒的端部附近部位合併而成的第一部位，具有形成於與引線連接於阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側的、以與連接於阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷阻擋棒的橫斷部，橫斷部具有與金屬板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的橫斷部以外的部位具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚的構成，則作為引線與阻擋棒的邊界的角部形成小的R，將引線1切斷的切斷對象部位的剖面不會在寬度方向上增大，而且橫斷部以外的部位被薄壁化，從而該部位的剖面的高度也變低，剖面積變小。 因此，與圖12所示引線框架同樣，能夠使作用於切斷部之拉伸應力集中，抑制壓縮應力從而使切斷後的引線的變形小。

此外，如果如本發明的引線框架那樣、設為橫斷阻擋棒的橫斷部具有與金屬板的板厚同等程度的板厚的構成，則與圖12所示引線框架不同，不會形成厚度小的部分在阻擋棒的長度方向上不平衡的構成，而且，與圖12所示引線框架不同，不會形成引線中的連接於阻擋棒的端部、以及阻擋棒中的與引線的端部連接的部位全部被實施了半蝕刻的構成，因此能夠充分抑制阻擋棒的變形。 即，從作為材料的金屬板之一側實施了半蝕刻加工時，能夠抵消經軋製加工的金屬板所具有的、軋製加工時產生的內部應力而不易發生應變，結果，能夠使應變所導致的變形難以發生。而且，即使在引線細長或彎曲的情況下，引線的前端部分也難以產生段差，在引線框架的製造過程，不會由於輸送時的卡住等，對引線所連接的作為切斷對象的最細的支承引線產生過大的負荷，難以發生扭曲變形。

此外，如果如本發明的引線框架那樣、設為阻擋棒中的與第一部位相鄰且不與引線連接的第二部位具有比金屬板的板厚薄的板厚的構成，則切斷位置的金屬體積減少，能夠使切斷加工容易。此外，能夠使密封樹脂由阻擋棒中的第二部位向相鄰引線框架區域的移動容易。

此外，如果如本發明的引線框架那樣、設為第一部位中的橫斷部以外的部位、以及阻擋棒中的與第一部位相鄰且不與引線連接的第二部位具有比金屬板的板厚薄的板厚的構成，則與圖5、圖6所示專利文獻1中記載的那樣的引線框架不同，能夠根據引線任意設計半蝕刻加工的深度、寬度、引線中間變細的部分、間距、數量等，能夠具有高的設計自由度。

其結果是，根據本發明，可獲得下述引線框架：藉由根據引線任意設計形成凹凸形狀時半蝕刻加工的深度、寬度、引線中間變細的部分、間距、數量等，能夠有效減少應當切斷的金屬體積而使切斷加工容易，且充分抑制細長或者彎曲的引線、阻擋棒的變形、翹曲和扭曲，能夠使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。

以下，使用圖式對本發明的實施方式進行說明。 第一實施方式 圖1為概念性地顯示本發明一個實施方式涉及的引線框架的主要部分構成的一例的說明圖，圖1的(a)為顯示實施半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖1的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖1的(c)為圖1的(a)的M-M剖面圖。圖2為更詳細地顯示圖1的引線框架中引線連接於阻擋棒的端部的構成的說明圖，圖2的(a)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的立體圖，圖2的(b)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的俯視圖，圖2的(c)為圖2的(b)的N-N剖面圖。

本實施方式的引線框架為構成多排型引線框架中的產品單元的引線框架，如圖1所示，具備阻擋棒2、以及連接於阻擋棒2的引線1。需要說明的是，圖1中雖然省略了圖示，但引線1前端側的部分可以形成為將長引線和短引線組合而成的用於安裝倒裝晶片的既定形狀。 阻擋棒2和引線1以形成引線框架的基材的金屬板為材料而形成。 在將阻擋棒2中的由引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2中的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位合併而成的第一部位2a，形成有橫斷阻擋棒2的橫斷部3。 橫斷部3具有與形成在與連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側之連接於阻擋棒的端部相比更窄的寬度。 而且，本實施方式的引線框架中，橫斷部3具有與金屬板的板厚同等程度的板厚，第一部位2a中的橫斷部3以外的部位、以及阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰且不與引線1連接的第二部位2b具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚。

根據本實施方式的引線框架，設為在將阻擋棒2中的由引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位合併而成的第一部位2a，具有形成於與引線1的連接於阻擋棒2的端部方向的兩端相比更靠近內側的、以與連接於阻擋棒2的端部相比更窄的寬度橫斷阻擋棒2的橫斷部3，橫斷部3具有與金屬板的板厚同等程度的板厚，第一部位2a中的橫斷部3以外的部位具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚的構成，因而如圖2的(a)、圖2的(b)所示，作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部形成小的R。 而且，由於作為引線1與阻擋棒2的邊界的角部為薄壁且形成小的R，因此如圖2的(c)所示，將引線1切斷的切斷對象部位的剖面不會在寬度方向上增大，而且第一部位2a中的橫斷部3以外的部位被薄壁化，從而該部位的剖面的高度也變低，剖面積變小。 其結果是，作用於切斷部之拉伸應力集中，壓縮應力減小而切斷後的引線難以變形。 因此，根據本實施方式的引線框架，與圖12所示之引線框架同樣，能夠使作用於切斷部之拉伸應力集中，抑制壓縮應力而使切斷後的引線1的變形小。

此外，根據本實施方式的引線框架，設為橫斷阻擋棒2的橫斷部3具有與金屬板的板厚同等程度的板厚的構成，因而與圖12所示引線框架不同，不會形成薄壁部在阻擋棒的長度方向上不平衡的構成，而且，與圖12所示引線框架不同，不會形成引線1中的連接於阻擋棒2的端部、以及阻擋棒2中的與引線1的端部連結的部位全部被實施了半蝕刻的構成，因此能夠充分抑制阻擋棒的變形。 即，在從材料亦即金屬板之一側實施了半蝕刻加工時，能夠抵消經軋製加工的金屬板所具有的、軋製加工時產生的內部應力而難以產生應變，結果，能夠使應變導致的變形難以發生。而且，即使在引線細長或彎曲的情況下，引線的前端部分也難以產生段差，在引線框架的製造過程中，不會由於輸送時的卡住等，對引線所連接的作為切斷對象的最細的支承引線產生過大的負荷，難以發生扭曲變形。

此外，根據本實施方式的引線框架，設為阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰不與引線1連接的第二部位2b具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚的構成，因而，切斷位置的金屬體積減少，能夠使切斷加工容易。此外，藉由阻擋棒2中的第二部位2b，能夠使密封樹脂向相鄰引線框架區域的移動容易。

此外，根據本實施方式的引線框架，設為第一部位2a中的橫斷部3以外的部位、以及阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰不與引線1連接的第二部位2b具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚的構成，因而，與圖5、圖6所示專利文獻1中記載的那樣的引線框架不同，能夠根據引線任意設計半蝕刻加工的深度、寬度、引線中間變細的部分、間距、數量等，能夠具有高的設計自由度。

其結果是，根據本實施方式的引線框架，藉由根據引線任意設計形成凹凸形狀時半蝕刻加工的深度、寬度、引線中間變細的部分、間距、數量等，能夠有效減少應當切斷的金屬體積而使切斷加工容易，且充分抑制細長或者彎曲的引線、阻擋棒的變形、彎曲和扭曲，能夠使密封樹脂容易移動而提高密封樹脂的填充性。 實施例

圖3為概念性地顯示本發明一個實施例涉及的引線框架的構成的說明圖，圖3的(a)為顯示產品單元的引線框架區域中的實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖3的(b)為顯示多排圖3的(a)的引線框架排列而成的狀態的一例的俯視圖。圖4為概念性地顯示本發明一個比較例涉及的引線框架的構成的說明圖，是顯示產品單元的引線框架區域中的實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖。

實施例和比較例的引線框架中產生的應變導致的變形量的比較試驗 作為實施例1的引線框架，製造在排列方向上連接有多個（例如排列方向上分別為20～30個。這裡為25個）具備本實施方式的構成的產品單元的引線框架（參照圖3的(a)）的多排型引線框架。 此外，作為比較例1的引線框架，製造在排列方向上連接有多個（例如排列方向上分別為20～30個。這裡為25個）的多排型引線框架具備下述產品單元的引線框架（參照圖4）：具備圖12所示引線框架的基本構成，即在將阻擋棒2中的由引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2中的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位合併而成的第一部位2a、以及阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰且不與引線1連接的第二部位2b具有與金屬板的板厚相比更薄的板厚的構成。 然後，比較了實施例1、比較例1的多排型引線框架中各自的應變導致的變形量。

實施例1的引線框架的薄壁部是對作為材料的金屬板的一面的既定部位實施半蝕刻加工而製造的。詳細而言，對於全長13.0mm×寬度0.200mm的阻擋棒2，在將阻擋棒2中的由引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位（從阻擋棒2寬度方向的兩端部向外側直到0.050mm的部位）合併而成的第一部位2a，對於對應於從引線1的寬度方向的兩端部至0.050mm的、以與引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度相比更窄的寬度0.100mm使阻擋棒2橫斷的橫斷部3的部位以外的部位的區域、以及對應於阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰且不與引線1連接的第二部位2b的區域，從作為材料的金屬板一側，以0.110mm的深度實施半蝕刻加工。此外，對於連接於阻擋棒2的引線1，從金屬板一側，對於對應於作為引線1前端的端子的部分以外的既定部位的區域，也以0.110mm的深度實施半蝕刻加工。其中，作為材料的金屬板使用板厚0.200mm的銅板。接下來，實施蝕刻加工，形成引線2、阻擋棒1的外形，完成實施例1的多排型引線框架。

比較例1的引線框架薄壁部是對作為材料的金屬板一面的既定部位實施半蝕刻加工而製造的。詳細而言，對於全長13.0mm×寬度0.200mm的阻擋棒2，在對應於將阻擋棒2中的由引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的邊和阻擋棒2中的寬度方向的邊圍成的部位、以及引線1中的連接於阻擋棒2的端部附近部位（從阻擋棒2寬度方向的兩端部向外側直到0.050mm的部位）合併而成的第一部位2a的區域、以及對應於阻擋棒2中的與第一部位2a相鄰不與引線1連接的第二部位2b的區域，從作為材料的金屬板一側，以0.110mm的深度實施半蝕刻加工。對於連接於阻擋棒2的引線1，從金屬板一側，在對應於作為引線1前端的端子的部分以外的既定部位的區域，也以0.110mm的深度實施半蝕刻加工。其中，作為材料的金屬板使用板厚0.200mm的銅板。接下來，實施蝕刻加工，形成引線2、阻擋棒1的外形，完成比較例1的多排型引線框架。

然後，比較分別實施蝕刻加工而完成的實施例1、比較例1的多排型引線框架中的應變導致的變形量。 應變導致的變形量的確認如下進行：從實施了蝕刻加工的多排型引線框架的上方照射光，藉由目測觀察光從斜側方的反射程度，並且測定襯墊距離基準面的高度。應變導致的變形量大的多排型引線框架在藉由目測進行的觀察中，從多排型引線框架的面反射的照明光的形狀確認到變形。 詳細而言，製造比較例1和實施例1的多排型引線框架各1000片，對於比較例1和實施例1的引線框架各1000片，檢查變形不良的有無，對比較例1和實施例1的引線框架發生變形不良的片數、發生率進行比較。 其結果是，比較例1的引線框架中，1000片全部發生變形不良，變形不良發生率為100%。而實施例1的引線框架中，變形不良片數是1000片中為2片，變形不良發生率為0.2%，確認到具有對變形的抑制效果。

另外，實施例1的引線框架的製造如下操作而進行。 作為金屬板，使用厚度0.200mm的銅材，在兩面粘貼乾膜抗蝕劑，形成抗蝕劑層。 接下來，準備形成了引線框架形狀的玻璃光罩。此時，以形成如下抗蝕劑光罩的方式設計玻璃光罩的圖案：對應於金屬板一側的第一部位2a中的、形成於與引線1的連接於阻擋棒2的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側的、以與連接於阻擋棒2的端部相比更窄的寬度使阻擋棒2橫斷的橫斷部3的區域、以及對應於金屬板一側的成為引線1前端的端子的部分的區域不會被半蝕刻加工，而對應於金屬板一側的第一部位2a中的橫斷部3以外的部位的區域、對應於金屬板一側的第二部位2b的區域、以及對應於金屬板一側的成為引線1前端的端子的部分以外的既定部位的區域會被半蝕刻加工。 然後，以從金屬板一側開始，半蝕刻加工的深度均為0.110mm的方式設計玻璃光罩的圖案。

另外，在實施例1中，針對作為切斷加工的對象的阻擋棒2，沿長度方向的剖面由第一部位2a中的橫斷部3、第一部位2a中的橫斷部3以外的部位和第二部位2b形成連續的凹凸波狀。

使用以這種方式形成的玻璃光罩蝕刻形成的引線框架是，在一側，半蝕刻加工面存在於第一部位2a中的橫斷部3以外的部位、以及阻擋棒2的與第一部位2a相鄰不與引線1連接的第二部位2b，同時，存在於引線1中的作為前端的端子的部分以外的規定區域，沿阻擋棒2的長度方向對剖面進行觀察的情況下，阻擋棒2是，由沒有因半蝕刻加工導致的斷線的第一部位2a中的橫斷部3、第一部位2a中的橫斷部3以外的部位和第二部位2b連續的凹凸形成波狀。此時，第一部位2a中的橫斷部3以外的部位和第二部位2b中的半蝕刻加工後的剩餘板厚為0.090mm。 產業可利用性

本發明的引線框架是藉由蝕刻形成的多排型引線框架中構成產品單元的引線框架，具有細長或者彎曲的引線及與該引線連接的阻擋棒，在用於用密封樹脂將半導體元件搭載側密封的半導體製造的引線框架是必需的領域是有用的。

1‧‧‧引線

2‧‧‧阻擋棒

2a、2a’‧‧‧第一部位

2b‧‧‧第二部位

3‧‧‧橫斷部

50、70‧‧‧阻擋棒

51‧‧‧連接部

52‧‧‧第二部位

53‧‧‧第一部位

60‧‧‧（端子部的）引線

70a‧‧‧支承部

70b‧‧‧樹脂通道部

80‧‧‧引線

圖1為概念性地顯示本發明一個實施方式涉及的引線框架的主要部分構成的一例的說明圖，圖1的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖1的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖1的(c)為圖1的(a)的M-M剖面圖。 圖2為更詳細地顯示圖1的引線框架中引線連接於阻擋棒的端部的構成的說明圖，圖2的(a)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的立體圖，圖2的(b)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的俯視圖，圖2的(c)為圖2的(b)的N-N剖面圖。 圖3為概念性地顯示本發明一個實施例涉及的引線框架的構成的說明圖，圖3的(a)為顯示產品單元的引線框架區域中的實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖3的(b)為顯示多排圖3的(a)的引線框架排列而成的狀態的一例的俯視圖。 圖4為概念性地顯示本發明一個比較例涉及的引線框架的構成的說明圖，是顯示產品單元的引線框架區域中的實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖。 圖5為顯示以往的引線框架的一例中阻擋棒的構成的說明圖，圖5的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖5的(b)為圖5的(a)的A-A剖面圖，圖5的(c)為圖5的(a)的B-B剖面圖。 圖6為顯示以往的引線框架的另一例中阻擋棒的構成的說明圖，圖6的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖6的(b)為圖6的(a)的C-C剖面圖，圖6的(c)為圖6的(a)的D-D剖面圖。 圖7為顯示以往的引線框架的再另一個例子中阻擋棒的構成的說明圖，圖7的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖7的(b)為圖7的(a)的E-E剖面圖，圖7的(c)為圖7的(a)的F-F剖面圖。 圖8為顯示以往的引線框架的再另一個例子中阻擋棒的構成的說明圖，圖8的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖8的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖8的(c)為圖8的(a)的G-G剖面圖。 圖9為顯示導出本發明的過程中，本發明人研究的一個方式的引線框架的主要部分構成的說明圖，圖9的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖9的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖9的(c)為圖9的(a)的H-H剖面圖。 圖10為更詳細地顯示圖9的引線框架中引線連接於阻擋棒的端部的構成的說明圖，圖10的(a)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的立體圖，圖10的(b)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的俯視圖，圖10的(c)為圖10的(b)的I-I剖面圖。 圖11為更詳細地顯示圖8的引線框架中引線連接於阻擋棒的端部的構成的說明圖，圖11的(a)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的立體圖，圖11的(b)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的俯視圖，圖11的(c)為圖11的(b)的J-J剖面圖。 圖12為顯示導出本發明的過程中，本發明人所導出的另一方式的引線框架的主要部分構成的說明圖，圖12的(a)為顯示實施了半蝕刻加工的部位的俯視圖，圖12的(b)為從斜下方觀察到的圖，圖12的(c)為圖12的(a)的K-K剖面圖。 圖13為更詳細地顯示圖12的引線框架中引線連接於阻擋棒的端部的構成的說明圖，圖13的(a)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的立體圖，圖13的(b)為顯示實施了半蝕刻加工之側在上面的俯視圖，圖13的(c)為圖13的(b)的L-L剖面圖。

Claims (2)

1. 一種引線框架，其特徵在於，前述引線框架構成多排型引線框架中的產品單元，具備阻擋棒和引線，前述阻擋棒在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分，前述引線連接於前述阻擋棒，且從連接於前述阻擋棒的端部到既定範圍具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚部分， 前述引線框架中，在第一部位具備橫斷部，前述第一部位是將前述阻擋棒中的由前述引線的連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的邊和前述阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及前述引線中的連接於前述阻擋棒的端部附近部位合併而成，前述橫斷部形成於與前述引線的連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側，且以與連接於前述阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷前述阻擋棒， 前述橫斷部具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚， 前述第一部位中的前述橫斷部以外的部位、以及前述阻擋棒中的與前述第一部位相鄰且不與前述引線連接的第二部位具有與前述金屬板的板厚相比更薄的板厚。
2. 一種引線框架的製造方法，其特徵在於，前述引線框架構成多排型引線框架中的產品單元，且具備阻擋棒和引線，前述阻擋棒在既定位置具有與形成引線框架的基材的金屬板的板厚相比更薄的板厚部分，前述引線連接於前述阻擋棒，且從連接於前述阻擋棒的端部到既定範圍具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚部分， 前述引線框架的製造方法中，以下述方式對與前述金屬板一側的前述阻擋棒和前述引線對應的區域實施半蝕刻加工：在第一部位具備橫斷部，前述第一部位是將前述阻擋棒中的由前述引線的連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的邊和前述阻擋棒的寬度方向的邊圍成的部位、以及前述引線中的連接於前述阻擋棒的端部附近部位合併而成，前述橫斷部形成於與前述引線的連接於前述阻擋棒的端部的寬度方向的兩端相比更靠近內側，且以與連接於前述阻擋棒的端部相比更窄的寬度橫斷前述阻擋棒；前述橫斷部具有與前述金屬板的板厚同等程度的板厚；前述第一部位中的前述橫斷部以外的部位、以及前述阻擋棒中的與前述第一部位相鄰且不與前述引線連接的第二部位具有與前述金屬板的板厚相比更薄的板厚。