CN109119395A - 引线框架及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供引线框架及其制造方法，该引线框架的设计自由度大、能有效减少应切断的金属体积而使切断加工容易、充分抑制引线、堤坝的变形、翘曲和扭曲、使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。引线框架具有堤坝和引线，在堤坝中的由引线的连接于堤坝的端部的宽度方向的边和堤坝中的宽度方向的边围成的部位、及引线中的连接于堤坝的端部附近部位合并而成的第一部位，在比引线的连接于堤坝的端部的宽度方向的两端靠近内侧、具有以比连接于堤坝的端部窄的宽度横断堤坝的横断部，横断部具有与金属板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的横断部以外的部位及堤坝中的与第一部位相邻且不与引线连接的第二部位具有比金属板的板厚薄的板厚。
Description
技术领域
本发明涉及引线框架及其制造方法，所述引线框架是通过蚀刻形成的多排型引线框架中构成产品单元的引线框架，具备堤坝和引线，所述堤坝在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分；所述引线连接于堤坝，且从连接于堤坝的端部到预定范围具有与金属板的板厚同等程度的板厚部分。
背景技术
作为多排型引线框架中构成产品单元的引线框架的、具有多个焊锡连接用端子的多个倒装芯片(Flip chip)安装用引线框架中的主要搭载芯片的部位、成为各端子用引线的部位具有用于连接于作为支持体的框架整体的引线。这些部位的引线与支承引线连接而成为一体，但有时根据形状的不同会强度不足，因而成为变形的原因。QFN(Quad Flat Non-Leaded Package，四侧无引脚扁平封装)型、LED型引线框架中，多数情况下，对这些部位的引线、支承引线的正面和背面中的至少一面进行半蚀刻加工，从而形成例如长度1mm以上、粗细0.3mm以下的细长形状，因此特别容易发生变形。
实施半蚀刻加工而形成的引线中，作为引线框架材料使用的金属板的板厚的50～70％左右由于蚀刻而熔化，因此内部应力释放而发生畸变。由于该畸变，发生框架整体产生起伏、产生变形的现象。而且，半蚀刻加工的面积越宽，半蚀刻加工的深度越深，则变形的程度越大。
此外，实施半蚀刻加工而形成的引线细长或弯曲的情况下，引线前端的例如形成端子的部分容易产生高低差，在引线框架制造过程中的输送中，由于引线前端卡住等，对引线所连接的作为切断对象的最细的支承引线产生过大的负荷，由此容易发生多处扭曲变形。
另一方面，支承引线(support lead)中，作为成为切断对象的支承引线的堤坝的一部分或整体通过锯切加工而被除去。因此，如果不对这些部位实施半蚀刻加工而形成，则在引线框架上搭载半导体元件且用密封树脂密封后进行用于分离成产品单元的切断加工时，应当切断的金属部分的体积变大，因而将密封树脂和金属同时切断的刀片容易发生堵塞，连续加工时间不会延长。
然而，以往，例如下面的专利文献1、2中，提出了减小作为成为切断对象的支承引线的堤坝的一部分厚度的引线框架。
就专利文献1中记载的引线框架而言，例如如图5所示，在由堤坝50中与各个端子部的引线60连接的连接部51和连接于连接部51的引线60中通过切割除去的部位组成的第一部位53，该第一部位53中的接近宽度方向端部的部位通过实施半蚀刻加工而被薄壁化，该第一部位53中的宽度方向的中央部成为厚的部分，且在位于堤坝50中的连接部51之间的第二部位52，该第二部位52中的宽度方向的两端部通过实施半蚀刻加工而被薄壁化，该第二部位52中的宽度方向的中央部形成具有与第一部位53中的宽度方向的中央部相同宽度的厚的部分。
此外，就专利文献1中记载的另一例引线框架而言，例如如图6所示，在第一部位53、第二部位52这两者中，接近宽度方向的中央部的部位形成半蚀刻部，接近宽度方向的端部的部位未被实施半蚀刻加工而形成与半蚀刻部相比更厚的部分。
此外，就专利文献1中记载的再另一个例子的引线框架而言，例如如图7所示，仅第一部位53通过实施半蚀刻加工而整体上被薄壁化，第二部位52完全未被实施半蚀刻加工，其整体形成为与半蚀刻部相比更厚的部分。
而且，就专利文献1中记载的引线框架而言，通过使堤坝50部分薄壁化而使切断容易，同时，通过形成被薄壁化的容易切断的部位、以及与容易切断的部位相比更厚而确保强度的部位，实现多排型引线框架强度的保证。
就专利文献2中记载的引线框架而言，例如如图8所示，在堤坝70中的、与多个引线80连接的位置，形成与各引线80相同厚度的支承部70a，且相邻支承部70a间形成有与各引线80相比薄壁的树脂通道部70b。
而且，专利文献2中记载的引线框架通过使堤坝70部分薄壁化而使得密封树脂能够移动，实现密封树脂填充性的提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5214911号公报
专利文献2：日本特开2007-281207号公报
发明内容
发明所要解决的课题
可是，专利文献1中记载的引线框架中，例如图5所示那样的、使堤坝50中实施半蚀刻加工部位的宽度比堤坝50的宽度窄的构成难以应用于堤坝50的宽度小的引线框架。此外，无法改变实施半蚀刻加工部位的数目、半蚀刻加工的宽度，会限制设计的自由度。
此外，例如图6所示那样的、设置贯穿堤坝50的长度方向实施半蚀刻加工的部位和未实施半蚀刻加工的位置的构成中，成为未实施半蚀刻加工的厚的部分的第一部位53和第二部位52中的接近宽度方向的端部的部位贯穿长度方向全部未经半蚀刻加工而残留，应当切断的金属体积相应增加，将堤坝50切断的刀片容易发生堵塞，连续加工时间难以延长。
此外，如果例如图7所示那样的、引线60中的连接于堤坝50的端部、以及堤坝50中的与引线60的端部连接的部位全部(第一部位53)被实施半蚀刻加工，则存在下述可能性：引线细长或弯曲的情况下，引线前端的例如成为端子的部分容易产生高低差，在引线框架的制造过程中，由于输送时的卡住等，对引线所连接的成为切断对象的最细的支承引线产生过大的负荷，发生扭曲变形。
而且，图5、图6、图7所示那样的、在对堤坝中的不与引线连接的部位未实施半蚀刻加工而具有厚的部分形状的引线框架中，存在下述可能性：密封树脂隔着堤坝向相邻引线框架区域的移动被堤坝中的厚的部分阻挡，产生未填充树脂的位置。
此外，图8所示那样的、在对堤坝70中的与各引线80连接的位置以外的部分实施半蚀刻加工而使密封树脂容易移动、使堤坝70中的与各引线80连接的位置的支承部70a形成为与引线80相同厚度的结构中，存在下述可能性：锯切工序中将引线切断的部位的截面在宽度方向上扩大，截面积增大，工作拉伸应力不集中于切断部，压缩应力增大，切断后的引线80发生变形。
本发明是鉴于上述以往的课题而做出的，其目的在于，提供一种引线框架及其制造方法，所述引线框架不管作为切断对象的引线的宽度如何均能适用，设计自由度大，能够有效减少应当切断的金属体积而使切断加工容易，且充分抑制细长或者弯曲的引线、堤坝的变形、翘曲和扭曲，能够使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。
用于解决课题的方法
为了实现上述目的，根据本发明的引线框架的特征在于，构成多排型引线框架中的产品单元，具备堤坝和引线，所述堤坝在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分，所述引线连接于所述堤坝，且从连接于所述堤坝的端部到预定范围具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚部分，所述引线框架中，在第一部位具备横断部，所述第一部位是将所述堤坝中的由所述引线连接于所述堤坝的端部的宽度方向的边和所述堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及所述引线中的连接于所述堤坝的端部附近部位合并而成，所述横断部形成于与所述引线连接于所述堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧，且以与连接于所述堤坝的端部相比更窄的宽度横断所述堤坝；所述横断部具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚；所述第一部位中的所述横断部以外的部位、以及所述堤坝中的与所述第一部位相邻且不与所述引线连接的第二部位具有与所述金属板的板厚相比更薄的板厚。
此外，根据本发明的引线框架的制造方法的特征在于，所述引线框架构成多排型引线框架中的产品单元，且具备堤坝和引线，所述堤坝在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分，所述引线连接于所述堤坝，且从连接于所述堤坝的端部到预定范围具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚部分，所述引线框架的制造方法中，以下述方式对与所述金属板一侧的所述堤坝和所述引线对应的区域实施半蚀刻加工：在第一部位具备横断部，所述第一部位是将所述堤坝中的由所述引线连接于所述堤坝的端部的宽度方向的边和所述堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及所述引线中的连接于所述堤坝的端部附近部位合并而成，所述横断部形成于与所述引线的连接于所述堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧，且以与连接于所述堤坝的端部相比更窄的宽度横断所述堤坝；所述横断部具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚；所述第一部位中的所述横断部以外的部位、以及所述堤坝中的与所述第一部位相邻且不与所述引线连接的第二部位具有与所述金属板的板厚相比更薄的板厚。
发明的效果
根据本发明，可得到一种引线框架及其制造方法，所述引线框架不管作为切断对象的引线的宽度如何均能适用，设计自由度大，能够有效减少应当切断的金属体积而使切断加工容易，且充分抑制细长或者弯曲的引线、堤坝的变形、翘曲和扭曲，能够使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。
附图说明
图1为概念性地显示本发明一个实施方式涉及的引线框架的主要部分构成的一例的说明图，图1的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图1的(b)为从斜下方观察到的图，图1的(c)为图1的(a)的M-M截面图。
图2为更详细地显示图1的引线框架中引线连接于堤坝的端部的构成的说明图，图2的(a)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的立体图，图2的(b)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的俯视图，图2的(c)为图2的(b)的N-N截面图。
图3为概念性地显示本发明一个实施例涉及的引线框架的构成的说明图，图3的(a)为显示产品单元的引线框架区域中的实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图3的(b)为显示多排图3的(a)的引线框架排列而成的状态的一例的俯视图。
图4为概念性地显示本发明一个比较例涉及的引线框架的构成的说明图，是显示产品单元的引线框架区域中的实施了半蚀刻加工的部位的俯视图。
图5为显示以往的引线框架的一例中堤坝的构成的说明图，图5的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图5的(b)为图5的(a)的A-A截面图，图5的(c)为图5的(a)的B-B截面图。
图6为显示以往的引线框架的另一例中堤坝的构成的说明图，图6的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图6的(b)为图6的(a)的C-C截面图，图6的(c)为图6的(a)的D-D截面图。
图7为显示以往的引线框架的再另一个例子中堤坝的构成的说明图，图7的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图7的(b)为图7的(a)的E-E截面图，图7的(c)为图7的(a)的F-F截面图。
图8为实现以往的引线框架的再另一个例子中堤坝的构成的说明图，图8的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图8的(b)为从斜下方观察到的图，图8的(c)为图8的(a)的G-G截面图。
图9为显示导出本发明的过程中，本发明人研究的一个方式的引线框架的主要部分构成的说明图，图9的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图9的(b)为从斜下方观察到的图，图9的(c)为图9的(a)的H-H截面图。
图10为更详细地显示图9的引线框架中引线连接于堤坝的端部的构成的说明图，图10的(a)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的立体图，图10的(b)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的俯视图，图10的(c)为图10的(b)的I-I截面图。
图11为更详细地显示图8的引线框架中引线连接于堤坝的端部的构成的说明图，图11的(a)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的立体图，图11的(b)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的俯视图，图11的(c)为图11的(b)的J-J截面图。
图12为显示导出本发明的过程中，本发明人所导出的另一方式的引线框架的主要部分构成的说明图，图12的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图12的(b)为从斜下方观察到的图，图12的(c)为图12的(a)的K-K截面图。
图13为更详细地显示图12的引线框架中引线连接于堤坝的端部的构成的说明图，图13的(a)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的立体图，图13的(b)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的俯视图，图13的(c)为图13的(b)的L-L截面图。
符号说明
1：引线；2：堤坝；2a、2a’：第一部位；2b：第二部位；3：横断部；50、70：堤坝；51：连接部；52：第二部位；53：第一部位；60：(端子部的)引线；70a：支承部；70b：树脂通道部；80：引线。
具体实施方式
在说明实施方式之前，先对完成导出本发明的经过和本发明的作用效果进行说明。
上述对引线、支承引线实施半蚀刻加工的目的在于，实现：在将半导体元件倒装芯片安装于引线框架时防止焊锡向与半导体元件连接的衬垫、成为连接端子的部分以外的引线的渗出、减轻对半导体元件的噪音影响、提高密封树脂对与半导体元件的连接部周边缝隙的填充性、使得密封树脂在隔开相邻的半导体元件搭载区域的堤坝部分的移动容易、减少在搭载半导体元件且用密封树脂密封后将树脂和金属同时切断时的金属体积从而使切断加工容易等。
可是，如上所述，在图5、图6、图7所示专利文献1中记载的那样的、对堤坝50中的不与引线60连接的部位未实施半蚀刻加工而具有厚的部分的形状的引线框架中，存在如下可能性：密封树脂隔着堤坝50向相邻引线框架区域的移动被堤坝50中的厚的部分阻挡，产生未填充树脂的位置。
因此，本发明人研究了使得密封树脂隔着堤坝向相邻引线框架区域的移动容易的图9所示构成。
图9是显示导出本发明的过程中，本发明人研究的一个方式的引线框架的主要部分构成的说明图，图9的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，(b)为从斜下方观察到的图，图9的(c)为图9的(a)的H-H截面图。
就图9所示引线框架而言，堤坝2在遍及由引线1连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2中的宽度方向的边围成的第一部位2a’、以及与第一部位2a’相邻且不与引线1连接的第二部位2b的整个区域实施了半蚀刻加工，从而与引线1相比形成薄壁。此外，关于引线1，连接于堤坝2的端部未被实施半蚀刻加工，从而形成厚壁。
根据图9所示引线框架，能够使密封树脂从堤坝2中的不与引线1连接的第二部位2b向相邻引线框架区域的移动容易。
可是，图9所示引线框架在实施了半蚀刻加工时，如图10的(a)所示呈引线1中的连接于堤坝2的端部形成为厚壁的构成(需要说明的是，图10的(a)箭头表示该部分未进行半蚀刻)，因此在实施蚀刻加工而形成引线2、堤坝1的外形时，如图10的(b)所示，作为引线1与堤坝2的边界的角部形成大的R(参照箭头所示部分)。
而且，如果作为引线1与堤坝2的边界的角部以厚壁的状态形成大的R，则如图10的(c)所示，将引线1切断的截面在宽度方向上增大，截面积变大。
如果使引线切断的部位的截面积变大，则存在下述可能性：工作拉伸应力不集中于切断部位，压缩应力增大而切断后的引线发生变形。
此外，图8所示、专利文献2中记载的那样的、在堤坝70中的、与多个引线80连接的位置形成与各引线80相同厚度的支承部70a、且相邻的支承部70a间形成有与各引线80相比薄壁的的树脂通道部70b的引线框架能够使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。
可是，如上所述，图8所示引线框架是使堤坝70中的与各引线80连接的位置的支承部70a形成为与引线80相同厚度的结构，因此，锯切工序中将引线切断的部位的截面在宽度方向上增大，截面积变大。
详细而言，在通过实施半蚀刻加工而形成了厚度小的树脂通道部70b时，如图11的(a)所示，在树脂通道部70b与支承部70a的边界面形成R(参照箭头所示部分)，作为引线80与堤坝70的边界的部位的金属几乎未被半蚀刻，保持厚厚壁的状态。而且，在通过实施蚀刻加工而形成了引线80、堤坝70的外形时，如图11的(b)所示，在作为引线80与堤坝70的边界的角部形成大的R(参照箭头所示部分)。
而且，如果作为引线80与堤坝70的边界的角部形成大的R，则如图11的(c)所示，将引线80切断的切断对象部位的截面在宽度方向上增大，截面积变大。
如果将引线切断的部位的截面积变大，此外，在树脂通道部70b与支承部70a的边界面形成R形状，则存在下述可能性：工作拉伸应力不集中于切断部位，压缩应力增大而切断后的引线80大幅变形。
因此，为了通过减小如图8所示引线框架的堤坝70中的与各引线80连接的位置的支承部70a的厚度，在树脂通道部70b与支承部70a的边界面不形成R形状，减小在作为引线80与堤坝70的边界的角部形成的R，减小切断对象部位的截面积，本发明人构思并研究了图12所示构成。
图12是显示导出本发明的过程中，本发明人所导出的另一方式的引线框架的主要部分构成的说明图，图12的(a)为显示实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图12的(b)为从斜下方观察到的图，图12的(c)为图12的(a)的K-K截面图。
图12所示引线框架中，将引线1与堤坝2所交叉的区域(即，由堤坝2中的引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2中的宽度方向的边围成的部位)与引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位合并而成的第一部位2a、以及堤坝2中的与第一部位2a相邻不与引线1连接的第二部位2b具有比金属板的板厚薄的板厚。
根据图12所示引线框架，切断对象部位的截面积变小，因此，能够使工作拉伸应力集中于切断部，抑制压缩应力而使切断后的引线1的变形小。
详细而言，图12所示引线框架在实施了半蚀刻加工时，如图13的(a)所示，呈引线1中的连接于堤坝2的端部形成为薄壁的构成(需要说明的是，图13的(a)中箭头表示该部分未进行半蚀刻)，因而在实施蚀刻加工而形成了引线2、堤坝1的外形时，如图13的(b)所示，作为引线1与堤坝2的边界的角部形成小的R(参照箭头所示部分)。
而且，如果作为引线1与堤坝2的边界的角部为薄壁且形成小的R，则如图13的(c)所示，由于将引线1切断的切断对象部位的截面不会在宽度方向上增大，而且被薄壁化，因而截面的高度变低，截面积变小。
如果将引线切断的部位的截面积变小，则工作拉伸应力集中于切断部，压缩应力减小而切断后的引线难以变形。
可是，如果如图12所示引线框架那样、在引线与堤坝交叉的区域沿切断方向形成薄壁部，则形成在堤坝的长度方向上薄壁部不平衡的构成，因此无法充分抑制堤坝的变形。
即，如果从作为材料的金属板一侧实施半蚀刻加工，则作为引线框架的材料的经轧制加工的金属板所具有的、轧制加工时产生的畸变集中于一侧。其结果是，容易由于因半蚀刻加工产生的强度降低和残留于一侧的畸变而翘曲、变形变大。而且，如果如图12所示引线框架那样、引线中的连接于堤坝的端部和堤坝中的与引线的端部连接的部位全部被实施了半蚀刻，则存在下述可能性：在引线细长或弯曲的情况下，引线的前端部分容易产生高低差，在引线框架的制造过程中，由于输送时的卡住等，对引线所连接的作为切断对象的最细的支承引线产生过大的负荷，发生扭曲变形。
然而，本发明人经过反复试验，构想出在使切断对象部位的截面积窄而抑制切断后的引线的变形的同时，使薄壁部在堤坝的长度方向上不会不平衡，能够充分抑制细长或者弯曲的引线、堤坝的变形、翘曲和扭曲，以及不会阻碍密封树脂的移动的半蚀刻加工形状，从而导出了本发明。
本发明的引线框架是构成多排型引线框架中的产品单元，具备在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分的堤坝、以及连接于堤坝且从连接于堤坝的端部到预定范围具有与金属板的板厚同等程度的板厚部分的引线，所述引线框架中，在将由堤坝中的引线的连接于堤坝的端部的宽度方向的边和堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及引线中的连接于该堤坝的端部附近部位合并而成的第一部位，具有形成于与引线的连接于堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧的、以与连接于堤坝的端部相比更窄的宽度横断堤坝的横断部，横断部具有与金属板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的横断部以外的部位、以及堤坝中的与第一部位相邻且不与引线连接的第二部位具有与金属板的板厚相比更薄的板厚。
如果如本发明的引线框架那样，设为在将由堤坝中的引线的连接于堤坝的端部的宽度方向的边和堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及引线中的连接于堤坝的端部附近部位合并而成的第一部位，具有形成于与引线连接于堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧的、以与连接于堤坝的端部相比更窄的宽度横断堤坝的横断部，横断部具有与金属板的板厚同等程度的板厚，第一部位中的横断部以外的部位具有与金属板的板厚相比更薄的板厚的构成，则作为引线与堤坝的边界的角部形成小的R，将引线1切断的切断对象部位的截面不会在宽度方向上增大，而且横断部以外的部位被薄壁化，从而该部位的截面的高度也变低，截面积变小。
因此，与图12所示引线框架同样，能够使工作拉伸应力集中于切断部，抑制压缩应力从而使切断后的引线的变形小。
此外，如果如本发明的引线框架那样、设为横断堤坝的横断部具有与金属板的板厚同等程度的板厚的构成，则与图12所示引线框架不同，无法形成厚度小的部分在堤坝的长度方向上不平衡的构成，而且，与图12所示引线框架不同，不会形成引线中的连接于堤坝的端部、以及堤坝中的与引线的端部连接的部位全部被实施了半蚀刻的构成，因此能够充分抑制堤坝的变形。
即，从作为材料的金属板一侧实施了半蚀刻加工时，能够抵消经轧制加工的金属板所具有的、轧制加工时产生的内部应力而不易发生畸变，结果，能够使畸变所导致的变形难以发生。而且，即使在引线细长或弯曲的情况下，引线的前端部分也难以产生高低差，在引线框架的制造过程，不会由于输送时的卡住等，对引线所连接的作为切断对象的最细的支承引线产生过大的负荷，难以发生扭曲变形。
此外，如果如本发明的引线框架那样、设为堤坝中的与第一部位相邻且不与引线连接的第二部位具有比金属板的板厚薄的板厚的构成，则切断位置的金属体积减少，能够使切断加工容易。此外，能够使密封树脂由堤坝中的第二部位向相邻引线框架区域的移动容易。
此外，如果如本发明的引线框架那样、设为第一部位中的横断部以外的部位、以及堤坝中的与第一部位相邻且不与引线连接的第二部位具有比金属板的板厚薄的板厚的构成，则与图5、图6所示专利文献1中记载的那样的引线框架不同，能够根据引线任意设计半蚀刻加工的深度、宽度、引线中间变细的部分、间距、数量等，能够具有高的设计自由度。
其结果是，根据本发明，可获得下述引线框架：通过根据引线任意设计形成凹凸形状时半蚀刻加工的深度、宽度、引线中间变细的部分、间距、数量等，能够有效减少应当切断的金属体积而使切断加工容易，且充分抑制细长或者弯曲的引线、堤坝的变形、翘曲和扭曲，能够使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。
第一实施方式
图1为概念性地显示本发明一个实施方式涉及的引线框架的主要部分构成的一例的说明图，图1的(a)为显示实施半蚀刻加工的部位的俯视图，图1的(b)为从斜下方观察到的图，图1的(c)为图1的(a)的M-M截面图。图2为更详细地显示图1的引线框架中引线连接于堤坝的端部的构成的说明图，图2的(a)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的立体图，图2的(b)为显示实施了半蚀刻加工一侧在上面的俯视图，图2的(c)为图2的(b)的N-N截面图。
本实施方式的引线框架为构成多排型引线框架中的产品单元的引线框架，如图1所示，具备堤坝2、以及连接于堤坝2的引线1。需要说明的是，图1中虽然省略了图示，但引线1前端侧的部分可以形成为将长引线和短引线组合而成的用于安装倒装芯片的预定形状。
堤坝2和引线1以形成引线框架的基材的金属板为材料而形成。
在将堤坝2中的由引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2中的宽度方向的边围成的部位、以及引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位合并而成的第一部位2a，形成有横断堤坝2的横断部3。
横断部3形成在与连接于堤坝2的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧，具有与连接于堤坝的端部相比更窄的宽度。
而且，本实施方式的引线框架中，横断部3具有与金属板的板厚同等程度的板厚，第一部位2a中的横断部3以外的部位、以及堤坝2中的与第一部位2a相邻且不与引线1连接的第二部位2b具有与金属板的板厚相比更薄的板厚。
根据本实施方式的引线框架，设为在将堤坝2中的由引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2的宽度方向的边围成的部位、以及引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位合并而成的第一部位2a，具有形成于与引线1的连接于堤坝2的端部方向的两端相比更靠近内侧的、以与连接于堤坝2的端部相比更窄的宽度横断堤坝2的横断部3，横断部3具有与金属板的板厚同等程度的板厚，第一部位2a中的横断部3以外的部位具有与金属板的板厚相比更薄的板厚的构成，因而如图2的(a)、图2的(b)所示，作为引线1与堤坝2的边界的角部形成小的R。需要说明的是，图2的(a)中的箭头表示该部分经半蚀刻，图2的(b)中的箭头表示边界部形成小的R。
而且，由于作为引线1与堤坝2的边界的角部为薄壁且形成小的R，因此如图2的(c)所示，将引线1切断的切断对象部位的截面不会在宽度方向上增大，而且第一部位2a中的横断部3以外的部位被薄壁化，从而该部位的截面的高度也变低，截面积变小。
其结果是，工作拉伸应力集中于切断部，压缩应力减小而切断后的引线难以变形。
因此，根据本实施方式的引线框架，与图12所示引线框架同样，能够使工作拉伸应力集中于切断部，抑制压缩应力而使切断后的引线1的变形小。
此外，根据本实施方式的引线框架，设为横断堤坝2的横断部3具有与金属板的板厚同等程度的板厚的构成，因而与图12所示引线框架不同，不会形成薄壁部在堤坝的长度方向上不平衡的构成，而且，与图12所示引线框架不同，不会形成引线1中的连接于堤坝2的端部、以及堤坝2中的与引线1的端部连接的部位全部被实施了半蚀刻的构成，因此能够充分抑制堤坝的变形。
即，在从作为材料的金属板一侧实施了半蚀刻加工时，能够抵消经轧制加工的金属板所具有的、轧制加工时产生的内部应力而难以产生畸变，结果，能够使畸变导致的变形难以发生。而且，即使在引线细长或弯曲的情况下，引线的前端部分也难以产生高低差，在引线框架的制造过程中，不会由于输送时的卡住等，对引线所连接的作为切断对象的最细的支承引线产生过大的负荷，难以发生扭曲变形。
此外，根据本实施方式的引线框架，设为堤坝2中的与第一部位2a相邻不与引线1连接的第二部位2b具有与金属板的板厚相比更薄的板厚的构成，因而，切断位置的金属体积减少，能够使切断加工容易。此外，能够使密封树脂由堤坝2中的第二部位2b向相邻引线框架区域的移动容易。
此外，根据本实施方式的引线框架，设为第一部位2a中的横断部3以外的部位、以及堤坝2中的与第一部位2a相邻不与引线1连接的第二部位2b具有与金属板的板厚相比更薄的板厚的构成，因而，与图5、图6所示专利文献1中记载的那样的引线框架不同，能够根据引线任意设计半蚀刻加工的深度、宽度、引线中间变细的部分、间距、数量等，能够具有高的设计自由度。
其结果是，根据本实施方式的引线框架，通过根据引线任意设计形成凹凸形状时半蚀刻加工的深度、宽度、引线中间变细的部分、间距、数量等，能够有效减少应当切断的金属体积而使切断加工容易，且充分抑制细长或者弯曲的引线、堤坝的变形、弯曲和扭曲，能够使密封树脂容易移动而提高密封树脂的填充性。
实施例
图3为概念性地显示本发明一个实施例涉及的引线框架的构成的说明图，图3的(a)为显示产品单元的引线框架区域中的实施了半蚀刻加工的部位的俯视图，图3的(b)为显示多排图3的(a)的引线框架排列而成的状态的一例的俯视图。图4为概念性地显示本发明一个比较例涉及的引线框架的构成的说明图，是显示产品单元的引线框架区域中的实施了半蚀刻加工的部位的俯视图。
实施例和比较例的引线框架中产生的畸变导致的变形量的比较试验
作为实施例1的引线框架，制造在排列方向上连接有多个(例如排列方向上分别为20～30个。这里为25个)具备本实施方式的构成的产品单元的引线框架(参照图3的(a))的多排型引线框架。
此外，作为比较例1的引线框架，制造在排列方向上连接有多个(例如排列方向上分别为20～30个。这里为25个)的多排型引线框架具备下述产品单元的引线框架(参照图4)：具备图12所示引线框架的基本构成，即在将堤坝2中的由引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2中的宽度方向的边围成的部位、以及引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位合并而成的第一部位2a、以及堤坝2中的与第一部位2a相邻且不与引线1连接的第二部位2b具有与金属板的板厚相比更薄的板厚的构成。
然后，比较了实施例1、比较例1的多排型引线框架中各自的畸变导致的变形量。
实施例1的引线框架的薄壁部是对作为材料的金属板的一面的预定部位实施半蚀刻加工而制造的。详细而言，对于全长13.0mm×宽度0.200mm的堤坝2，在将堤坝2中的由引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2的宽度方向的边围成的部位、以及引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位(从堤坝2宽度方向的两端部向外侧直到0.050mm的部位)合并而成的第一部位2a，对于对应于从引线1的宽度方向的两端部至0.050mm的、以与引线1的连接于堤坝2的端部的宽度相比更窄的宽度0.100mm使堤坝2横断的横断部3的部位以外的部位的区域、以及对应于堤坝2中的与第一部位2a相邻且不与引线1连接的第二部位2b的区域，从作为材料的金属板一侧，以0.110mm的深度实施半蚀刻加工。此外，对于连接于堤坝2的引线1，从金属板一侧，对于对应于作为引线1前端的端子的部分以外的预定部位的区域，也以0.110mm的深度实施半蚀刻加工。其中，作为材料的金属板使用板厚0.200mm的铜板。接下来，实施蚀刻加工，形成引线2、堤坝1的外形，完成实施例1的多排型引线框架。
比较例1的引线框架薄壁部是对作为材料的金属板一面的预定部位实施半蚀刻加工而制造的。详细而言，对于全长13.0mm×宽度0.200mm的堤坝2，在对应于将堤坝2中的由引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的边和堤坝2中的宽度方向的边围成的部位、以及引线1中的连接于堤坝2的端部附近部位(从堤坝2宽度方向的两端部向外侧直到0.050mm的部位)合并而成的第一部位2a的区域、以及对应于堤坝2中的与第一部位2a相邻不与引线1连接的第二部位2b的区域，从作为材料的金属板一侧，以0.110mm的深度实施半蚀刻加工。对于连接于堤坝2的引线1，从金属板一侧，在对应于作为引线1前端的端子的部分以外的预定部位的区域，也以0.110mm的深度实施半蚀刻加工。其中，作为材料的金属板使用板厚0.200mm的铜板。接下来，实施蚀刻加工，形成引线2、堤坝1的外形，完成比较例1的多排型引线框架。
然后，比较分别实施蚀刻加工而完成的实施例1、比较例1的多排型引线框架中的畸变导致的变形量。
畸变导致的变形量的确认如下进行：从实施了蚀刻加工的多排型引线框架的上方照射光，通过目测观察光从斜侧方的反射程度，并且测定衬垫距离基准面的高度。畸变导致的变形量大的多排型引线框架在通过目测进行的观察中，从多排型引线框架的面反射的照明光的形状确认到变形。
详细而言，制造比较例1和实施例1的多排型引线框架各1000片，对于比较例1和实施例1的引线框架各1000片，检查变形不良的有无，对比较例1和实施例1的引线框架发生变形不良的片数、发生率进行比较。
其结果是，比较例1的引线框架中，1000片全部发生变形不良，变形不良发生率为100％。而实施例1的引线框架中，变形不良片数是1000片中为2片，变形不良发生率为0.2％，确认到具有对变形的抑制效果。
其中，实施例1的引线框架的制造如下操作而进行。
作为金属板，使用厚度0.200mm的铜材，在两面粘贴干膜抗蚀剂，形成抗蚀剂层。
接下来，准备形成了引线框架形状的玻璃掩模。此时，以形成如下抗蚀剂掩模的方式设计玻璃掩模的图案：对应于金属板一侧的第一部位2a中的、形成于与引线1的连接于堤坝2的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧的、以与连接于堤坝2的端部相比更窄的宽度使堤坝2横断的横断部3的区域、以及对应于金属板一侧的成为引线1前端的端子的部分的区域不会被半蚀刻加工，而对应于金属板一侧的第一部位2a中的横断部3以外的部位的区域、对应于金属板一侧的第二部位2b的区域、以及对应于金属板一侧的成为引线1前端的端子的部分以外的预定部位的区域会被半蚀刻加工。
然后，以从金属板一侧开始，半蚀刻加工的深度均为0.110mm的方式设计玻璃掩模的图案。
另外，在实施例1中，针对作为切断加工的对象的堤坝2，沿长度方向的截面由第一部位2a中的横断部3、第一部位2a中的横断部3以外的部位和第二部位2b形成连续的凹凸波状。
使用以这种方式形成的玻璃掩模蚀刻形成的引线框架是，在一侧，半蚀刻加工面存在于第一部位2a中的横断部3以外的部位、以及堤坝2的与第一部位2a相邻不与引线1连接的第二部位2b，同时，存在于引线1中的作为前端的端子的部分以外的规定区域，沿堤坝2的长度方向对截面进行观察的情况下，堤坝2是，由没有因半蚀刻加工导致的断线的第一部位2a中的横断部3、第一部位2a中的横断部3以外的部位和第二部位2b连续的凹凸形成波状。此时，第一部位2a中的横断部3以外的部位和第二部位2b中的半蚀刻加工后的剩余板厚为0.090mm。
产业可利用性
本发明的引线框架是通过蚀刻形成的多排型引线框架中构成产品单元的引线框架，具有细长或者弯曲的引线及与该引线连接的堤坝，在用于用密封树脂将半导体元件搭载侧密封的半导体制造的引线框架是必需的领域是有用的。
Claims (2)
1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架构成多排型引线框架中的产品单元，具备堤坝和引线，所述堤坝在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分，所述引线连接于所述堤坝，且从连接于所述堤坝的端部到预定范围具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚部分，
所述引线框架中，在第一部位具备横断部，所述第一部位是将所述堤坝中的由所述引线的连接于所述堤坝的端部的宽度方向的边和所述堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及所述引线中的连接于所述堤坝的端部附近部位合并而成，所述横断部形成于与所述引线的连接于所述堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧，且以与连接于所述堤坝的端部相比更窄的宽度横断所述堤坝，
所述横断部具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚，
所述第一部位中的所述横断部以外的部位、以及所述堤坝中的与所述第一部位相邻且不与所述引线连接的第二部位具有与所述金属板的板厚相比更薄的板厚。
2.一种引线框架的制造方法，其特征在于，所述引线框架构成多排型引线框架中的产品单元，且具备堤坝和引线，所述堤坝在预定位置具有与形成引线框架的基材的金属板的板厚相比更薄的板厚部分，所述引线连接于所述堤坝，且从连接于所述堤坝的端部到预定范围具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚部分，
所述引线框架的制造方法中，以下述方式对与所述金属板一侧的所述堤坝和所述引线对应的区域实施半蚀刻加工：在第一部位具备横断部，所述第一部位是将所述堤坝中的由所述引线的连接于所述堤坝的端部的宽度方向的边和所述堤坝的宽度方向的边围成的部位、以及所述引线中的连接于所述堤坝的端部附近部位合并而成，所述横断部形成于与所述引线的连接于所述堤坝的端部的宽度方向的两端相比更靠近内侧，且以与连接于所述堤坝的端部相比更窄的宽度横断所述堤坝；所述横断部具有与所述金属板的板厚同等程度的板厚；所述第一部位中的所述横断部以外的部位、以及所述堤坝中的与所述第一部位相邻且不与所述引线连接的第二部位具有与所述金属板的板厚相比更薄的板厚。
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