TWI802479B - 半導體裝置的製造方法以及引線框架 - Google Patents

Abstract

引線框架（1）的背面（1b）具有受到於第一掃描步驟時掃描的雷射光（L2）與於第二掃描步驟時掃描的雷射光（L3）兩者照射的、重複照射區域（1c），藉由切斷步驟所形成的單位樹脂成形品（12）具有以重疊於引線框架（1）的重複照射區域（1c）的方式所處的角部（12t），重複照射區域（1c）於自背面（1b）側經雷射光（L2）照射時，抑制雷射光（L2）到達位於引線框架（1）的表面（1a）之側的樹脂材料（9）中的、位於與角部（12t）對應的位置的樹脂材料（9）的部分。

Description

半導體裝置的製造方法以及引線框架

本說明書是有關於一種半導體裝置的製造方法以及引線框架。

如下述專利文獻1所揭示，已知有四方無引線扁平封裝（Quad Flat Non-leaded Package，QFN）型等所謂無引線型的半導體裝置。專利文獻1所揭示的半導體裝置中，於引線框架的引線部中，於與晶片搭載面側為相反側的部分，形成有凹狀部。專利文獻1（段落[0063]）中描述，藉由向凹狀部照射雷射光，從而可將填充於凹狀部的密封樹脂去除。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-077278號公報

[發明所欲解決之課題] 於引線框架，相互交叉地設有沿著第一方向延伸的第一槽部、與沿著和第一方向交叉（例如正交）的第二方向延伸的第二槽部。進而，為了將第一槽部內的樹脂材料去除，沿著第一槽部於第一方向掃描雷射光，為了將第二槽部內的樹脂材料去除，沿著第二槽部於第二方向掃描雷射光。

於將第一槽部內的樹脂材料及第二槽部內的樹脂材料去除時，不對雷射光的照射動作進行特殊的控制的情形時，會對第一槽部與第二槽部相互交叉的部分重複照射雷射光。於第一槽部與第二槽部相互交叉的部分的位置對應於作為最終製品的半導體裝置的角部的情形時，有可能受到雷射光的重複照射的影響而難以將角部形成為所需的狀態，或角部容易破損。

本說明書的目的在於揭示一種半導體裝置的製造方法以及引線框架，即便於向引線框架的第一槽部與第二槽部相互交叉的部分重複照射雷射光的情形時，亦可抑制導致作為最終製品的半導體裝置的角部的品質降低。 [解決課題之手段]

基於本揭示的半導體裝置的製造方法包括：準備步驟，準備引線框架，該引線框架具有搭載有半導體晶片的表面、及所述表面的相反側的背面，沿著第一方向延伸的第一槽部、與沿著和所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二槽部相互交叉地形成於所述背面；成形步驟，藉由利用樹脂材料將所述引線框架及搭載於所述引線框架的多個半導體晶片密封，從而形成樹脂成形品；第一掃描步驟，藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光，從而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除；第二掃描步驟，藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光，從而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除；以及切斷步驟，藉由沿著所述第一槽部及所述第二槽部各自將所述樹脂成形品切斷，從而形成經單片化的多個單位樹脂成形品，且於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時，所述引線框架的所述背面具有：重複照射區域，受到於所述第一掃描步驟時掃描的雷射光與於所述第二掃描步驟時掃描的雷射光兩者照射，藉由所述切斷步驟所形成的多個中的至少一個所述單位樹脂成形品具有以重疊於所述引線框架的所述重複照射區域的方式所處的角部，所述引線框架的所述重複照射區域於自所述背面側經雷射光照射時，抑制雷射光到達位於所述引線框架的所述表面之側的所述樹脂材料中的、位於與所述角部對應的位置的所述樹脂材料的部分。

基於本揭示的引線框架具有搭載有半導體晶片的表面、及所述表面的相反側的背面，沿著第一方向延伸的第一槽部、與沿著和所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二槽部相互交叉地形成於所述背面，所述引線框架藉由與搭載於所述引線框架的多個半導體晶片一起由樹脂材料密封從而構成樹脂成形品，藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光從而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除，藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光從而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除，藉由沿著所述第一槽部及所述第二槽部各自將所述樹脂成形品切斷，從而形成經單片化的多個單位樹脂成形品，且於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時，所述背面具有：重複照射區域，於藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光從而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除時、與藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光從而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除時兩者，受到雷射光照射，所述單位樹脂成形品具有以重疊於所述引線框架的所述重複照射區域的方式所處的角部，所述引線框架的所述重複照射區域於自所述背面側經雷射光照射時，抑制雷射光到達位於所述引線框架的所述表面之側的所述樹脂材料中的、位於與所述角部對應的位置的所述樹脂材料的部分。 [發明的效果]

根據所述結構，可獲得一種半導體裝置的製造方法以及引線框架，即便於向引線框架的第一槽部與第二槽部相互交叉的部分重複照射雷射光的情形時，亦可抑制導致作為最終製品的半導體裝置的角部的品質降低。

以下，一方面參照圖式一方面對實施形態進行說明。以下的說明中，有時對相同的零件及相應零件標註相同的參照編號，不反覆進行重複的說明。以下，首先對實施形態的引線框架1的結構進行說明，然後對實施形態的半導體裝置的製造方法進行說明。

[引線框架1] 圖1為表示引線框架1的自背面1b側觀看的結構的平面圖，圖2為將圖1中的II線所包圍的區域放大表示的平面圖。圖3為表示引線框架1的自背面1b側觀看的結構的立體圖。

圖1、圖2並非表示引線框架1的剖面結構，但為了方便圖示，對構成引線框架1的部分賦予有沿傾斜方向延伸的陰影線。此處使用兩種陰影線，其差異將於後述。於圖1～圖3中，圖示有第一方向A1、和第一方向A1交叉（此處，作為一例為正交）的第二方向A2、及和該些兩方向交叉（此處，作為一例為正交）的厚度方向H，以下的說明中適當參照該些方向。

如圖1～圖3所示，引線框架1具有沿著第一方向A1及第二方向A2兩者延伸的、大致板狀的形狀。引線框架1具有位於搭載有半導體晶片6（圖5、圖6）之側的表面1a、及位於表面1a的相反側的背面1b，包含銅等金屬。引線框架1包含多個晶粒墊2、多個引線部3、多個系桿部4a（第一系桿部）及多個系桿部4b（第二系桿部）。

（晶粒墊2、引線部3、系桿部4a、系桿部4b） 多個晶粒墊2於第一方向A1及第二方向A2兩者空開間隔地排列。晶粒墊2為於晶粒墊2的表面1a上搭載半導體晶片6的部位（參照圖6）。如圖1所示，於多個晶粒墊2各自的周圍（四方），以矩形狀並排配置有多個引線部3。多個引線部3各自具有厚壁部3a及薄壁部3b（圖2、圖3）。

以包圍多個晶粒墊2的各晶粒墊2的方式，以格子狀配置有多個系桿部4a、4b。系桿部4a相對於第一方向A1平行地延伸，系桿部4b相對於第二方向A2平行地延伸。於沿著第一方向A1並排的多個引線部3中，各自的厚壁部3a經由薄壁部3b連結於系桿部4a。於沿著第二方向A2並排的多個引線部3中，各自的厚壁部3a經由薄壁部3b連結於系桿部4b。

於厚度方向H上，晶粒墊2及厚壁部3a較薄壁部3b更厚。對於晶粒墊2及厚壁部3a，賦予有自圖1、圖2的紙面右上側向左下側延伸的陰影線。對於薄壁部3b，賦予有自圖1、圖2的紙面左上側向右下側延伸的陰影線。此處，引線部3的薄壁部3b及系桿部4a、系桿部4b具有相同厚度，對於引線部3的薄壁部3b及系桿部4a、系桿部4b，賦予有自圖1、圖2的紙面左上側向右下側延伸的陰影線。

（第一槽部5a、第二槽部5b） 參照圖2，此處將相對於引線框架1的背面1b正交的方向（相當於厚度方向H）的位置定義為「高度位置」。系桿部4a、系桿部4b的背面1b的高度位置與引線部3的薄壁部3b的背面1b的高度位置相同。另一方面，相較於系桿部4a、系桿部4b的背面1b的高度位置及引線部3的薄壁部3b的背面1b的高度位置，引線部3的厚壁部3a的背面1b的高度位置更高。

即，系桿部4a、系桿部4b的背面1b及引線部3的薄壁部3b的背面1b呈相對於引線部3的厚壁部3a的背面1b凹陷的形狀，藉由該結構，於引線框架1中，於系桿部4a的背面1b側形成有沿著第一方向A1延伸的第一槽部5a，於系桿部4b的背面1b側形成有沿著第二方向A2延伸的第二槽部5b。第一槽部5a與第二槽部5b相互交叉，第一槽部5a與第二槽部5b形成於引線框架1的與搭載有半導體晶片6之側為相反側的面、即背面1b。

第一槽部5a及第二槽部5b並未將引線框架1沿厚度方向H方向貫通，例如具有引線框架1的厚度的一半的槽深，可藉由將引線框架1加以蝕刻（乾式蝕刻）而形成。第一槽部5a及第二槽部5b具有槽寬W1（圖2）。槽寬W1例如為0.40 mm～0.50 mm。第一槽部5a的槽寬W1與第二槽部5b的槽寬W1可相同，亦可互不相同。關於槽寬W1及槽深，只要考慮到確保於後續步驟中不產生變形等不良狀況的程度的強度，可於後續步驟中進行良好的外觀檢查，以及考慮作為成品的半導體裝置的良好的封裝強度等而設定即可。

（掃描區域R1、掃描區域R2、重複照射區域1c） 圖4為表示引線框架1的自背面1b側觀看的結構的平面圖，表示雷射光的掃描區域R1、掃描區域R2及分割線DC1、分割線DC2。如圖2及圖4所示，引線框架1具有重複照射區域1c。

雖然詳細情況將於後述，但實施形態的半導體裝置的製造方法中，實施成形步驟、第一掃描步驟及第二掃描步驟。於成形步驟中，利用樹脂材料9（參照圖6、圖7）將引線框架1及搭載於引線框架1的多個半導體晶片6密封，藉此形成樹脂成形品11。

第一掃描步驟中（參照圖4、圖9、圖10），於樹脂成形品11的第一槽部5a上沿著第一方向A1掃描雷射光L2（圖10），藉此將第一槽部5a內的樹脂材料9去除。於將引線框架1的背面1b中的、於第一掃描步驟中受到雷射光L2照射的區域設為掃描區域R1（圖4）的情形時，掃描區域R1如圖4所示，沿著第一方向A1以帶狀延伸。為了方便圖示，圖4中賦予自圖4的紙面右上側向左下側延伸的陰影線來表現掃描區域R1。掃描區域R1具有與第一槽部5a的槽寬W1（圖2）對應的寬度W5。

於第二掃描步驟中，亦同樣地（參照圖4、圖10），於樹脂成形品11的第二槽部5b上沿著第二方向A2掃描雷射光L3（圖10），藉此將第二槽部5b內的樹脂材料9去除。於將引線框架1的背面1b中的、於第二掃描步驟中受到雷射光L3照射的區域設為掃描區域R2（圖4）的情形時，掃描區域R2如圖4所示，沿著第二方向A2以帶狀延伸。為了方便圖示，於圖4中，賦予自圖4的紙面左上側向右下側延伸的陰影線來表現掃描區域R2。掃描區域R2具有與第二槽部5b的槽寬W1（圖2）對應的寬度W5。

所謂重複照射區域1c，為如下般定義的區域。即，於自相對於引線框架1的背面1b垂直的方向觀看背面1b的情形時，引線框架1的背面1b中，受到於第一掃描步驟時掃描的雷射光L2（圖10）與於第二掃描步驟時掃描的雷射光L3（圖10）兩者照射的區域為重複照射區域1c。換言之，引線框架1中的掃描區域R1、掃描區域R2重疊的區域為重複照射區域1c。此處，重複照射區域1c（參照圖2、圖4）設於系桿部4a與系桿部4b相互交叉的位置。

如圖2所示，此處重複照射區域1c具有四方形的形狀。重複照射區域1c的第二方向A2上的寬度E2較系桿部4a中的連接於重複照射區域1c的部分P1（圖2、圖3）的第二方向A2上的寬度d1（圖2）更大。同樣地，重複照射區域1c的第一方向A1上的寬度E1較系桿部4b中的連接於重複照射區域1c的部分P2（圖2、圖3）的第一方向A1上的寬度d2（圖2）更大。進而，若使該寬度E1或寬度E2與第一槽部5a及第二槽部5b的槽寬W1（圖2）相比較為同等或更大，則重複照射區域1c可作為對角部12t的遮光罩而更可靠地發揮功能。

（分割線DC1、分割線DC2、角部12t） 雖然詳細情況將於後述，但實施形態的半導體裝置的製造方法中，進而實施切斷步驟（參照圖12）。藉由將樹脂成形品11沿著第一槽部5a及第二槽部5b各自切斷，從而形成經單片化的單位樹脂成形品（半導體裝置12）。

圖4中，使用分割線DC1來表現於將樹脂成形品11沿著第一槽部5a切斷時引線框架1中的被切斷（被去除）的區域。使用分割線DC2來表現於將樹脂成形品11沿著第二槽部5b切斷時引線框架1中的被切斷（被去除）的區域。分割線DC1、分割線DC2均於引線框架1內以帶狀延伸。

切斷步驟中，例如使用具有寬度W2（圖12）的刀片13將引線框架1及樹脂材料9的全厚部分切斷。刀片13的寬度W2（與分割線DC1、分割線DC2的寬度大致相同）為較第一槽部5a及第二槽部5b的槽寬W1（圖2）更小的值。藉由將樹脂成形品11切斷，從而獲得經單片化的單位樹脂成形品（半導體裝置12）。各單位樹脂成形品於分割線DC1、分割線DC2交叉的部位，具有角部12t（參照圖4、圖13）。角部12t形成於單位樹脂成形品（半導體裝置12）中相互接觸的側面彼此之間。

參照圖4，於本實施形態的引線框架1中，於自相對於引線框架1的背面1b垂直的方向觀看背面1b的情形時，以重複照射區域1c重疊於角部12t（應成為角部12t的部分）的方式設置。引線框架1的重複照射區域1c於自背面1b側經雷射光L2、雷射光L3（圖10）照射時，抑制雷射光L2、雷射光L3到達位於引線框架1的表面1a之側的樹脂材料9中的、位於與角部12t對應的位置的樹脂材料9的部分（詳細情況將於後述）。

[半導體裝置的製造方法] 實施形態的半導體裝置的製造方法包括準備步驟、成形步驟、第一掃描步驟、第二掃描步驟、鍍敷步驟及切斷步驟。

（準備步驟） 圖5為表示自引線框架1的表面1a側觀看準備步驟中準備的引線框架1及多個半導體晶片6的狀況的平面圖。圖6為沿著圖5中的VI-VI線的箭視剖面圖，表示於引線框架1的晶粒墊2上接合有半導體晶片6的狀態。如圖5、圖6所示，設於各半導體晶片6的多個電極經由接合線7電性連接於引線部3（厚壁部3a）。再者，為方便起見，於圖5中未圖示接合線7。

（成形步驟） 圖7為表示進行了成形步驟的狀態的剖面圖。於成形步驟中，於接合有半導體晶片6的狀態下，利用樹脂材料9將引線框架1及半導體晶片6密封。藉此可獲得樹脂成形品11。如圖6及圖7所示，可於成形步驟之前，於引線框架1的第一槽部5a及第二槽部5b之側貼附保護膜8（例如聚醯亞胺樹脂帶），貼附保護膜8後進行樹脂密封。

半導體裝置的製造方法亦可於成形步驟與下文將述的各掃描步驟之間，更包含下述步驟，即：於樹脂成形品11的與引線框架1的第一槽部5a及第二槽部5b為相反側的表面9a（圖7），進行藉由照射雷射光L1而進行的雷射打標。藉由使用脈波雷射利用掃描光學系統進行掃描，從而可進行型號或序列號（serial number）等任意資訊的印字。

如圖8所示，於進行下文將述的各掃描步驟之前自引線框架1剝下保護膜8。藉由去除保護膜8，從而形成於引線框架1的第一槽部5a及第二槽部5b內的樹脂材料9（9c）露出。再者，護膜8亦可於進行一方面參照圖7一方面說明的雷射打標的步驟之前，自引線框架1剝下。

（第一掃描步驟、第二掃描步驟） 如圖9、圖10所示，於第一掃描步驟中，向第一槽部5a內的樹脂材料9（9c）照射雷射光L2而將第一槽部5a內的樹脂材料9（9c）去除。作為雷射光L2，能以脈波雷射的形式利用下述雷射，即：於雷射光激振裝置中藉由二次諧波產生（Second Harmonic Generation，SHG）材料將釔鋁石榴石（Yttrium-Aluminum Garnet，YAG）雷射或YVO4雷射或自該些雷射發出的雷射光進行波長變換的綠色雷射。而且，藉由利用掃描光學系統進行掃描，從而可使雷射光L2的照射區域變化。

根據樹脂材料9（9c）的材質或樹脂材料9（9b）的尺寸（第一槽部5a的槽寬W1等），以可將樹脂材料9（9b）高效率地去除的方式，使雷射光L2的波長、輸出、雷射徑、照射時間等最適化。作為雷射光L2的激振裝置，亦可利用與雷射打標（圖7）所用的裝置相同的裝置。如圖10所示，同樣地，於第二掃描步驟中，向第二槽部5b內的樹脂材料9照射雷射光L3而將第二槽部5b內的樹脂材料9去除。

此時，本實施形態的引線框架1中，重複照射區域1c（更具體而言為重複照射區域1c的四個角部分）是以重疊於作為最終製品的半導體裝置12的角部12t（應成為角部12t的部分）的方式設置。重複照射區域1c作為對四個角部12t的遮光罩發揮功能。引線框架1的重複照射區域1c於自背面1b側經雷射光L2、雷射光L3（圖10）照射時，抑制雷射光L2、雷射光L3到達位於引線框架1的表面1a之側的樹脂材料9中的、位於與角部12t對應的位置的樹脂材料9的部分。

（鍍敷步驟） 如圖11所示，將第一槽部5a（及圖11中未圖示的第二槽部5b）內的樹脂材料去除後，對引線框架1進行鍍敷處理。於引線框架1的晶粒墊2、引線框架1的系桿部4a（及系桿部4b）的表面、以及第一槽部5a（及第二槽部5b）的表面，形成鍍敷層10。此處，作為鍍敷層10的材料，可根據用於封裝的焊料材料而選定焊料濡濕性良好的材料。例如於使用Sn（錫）系的焊料的情形時，可使用錫（Sn）、錫-銅合金（Sn-Cu）、錫-銀合金（Sn-Ag）、錫-鉍（Sn-Bi）等，亦可設為對引線框架1側的基底使用Ni的積層體的鍍敷層10。

於鍍敷步驟中，可對引線框架1進行既定的清洗處理後進行鍍敷處理。作為鍍敷步驟的前處理的引線框架1的表面處理，除了清洗處理以外，亦可進行用於氧化膜的去除、表面活化等的處理。第一槽部5a及第二槽部5b內的樹脂材料9有時受到雷射光的照射而改質（例如碳化），即便於稍許的樹脂材料9殘存的情形時，經改質的樹脂材料9亦可藉由進行鍍敷處理之前的清洗處理等表面處理而自第一槽部5a及第二槽部5b內去除。

一方面參照圖7一方面說明的進行雷射打標的步驟亦可代替於成形步驟與掃描步驟之間進行或除此以外，於所述各掃描步驟與所述鍍敷步驟之間進行。

（切斷步驟） 如圖12（及圖4）所示，將進行了鍍敷處理的引線框架1沿著第一槽部5a及第二槽部5b切斷。該切斷步驟中，使用具有寬度W2（圖12）的刀片13將引線框架1及樹脂材料9的全厚部分切斷。

藉由實施切斷步驟，從而獲得多個作為單位樹脂成形品的半導體裝置12。如圖13所示，半導體裝置12為於平面視的情形時電性連接用的引線不向製品的外方突出的、QFN型的無引線型的製品。再者，圖13中表示於半導體裝置12的角部殘留重複照射區域1c的一部分的狀況，但該重複照射區域1c的一部分亦可去除。

如圖14所示，於半導體裝置12中，於各引線部3的側部（單側部）形成有階差，於引線部3的側面3t中未形成有鍍敷層10而使原本的金屬露出。半導體裝置12例如是以樹脂材料9之側為上且以引線部3之側為下而封裝於印刷基板。於印刷基板，於與引線部3對應的位置形成有焊盤（land）14，經由焊料15將引線部3與焊盤14連接。

（作用及效果） 根據本實施形態的引線框架1，重複照射區域1c是以重疊於作為最終製品的半導體裝置12的角部12t（應成為角部12t的部分）的方式設置。引線框架1的重複照射區域1c於自背面1b側經雷射光L2、雷射光L3（圖10）照射時，抑制雷射光L2、雷射光L3到達位於引線框架1的表面1a之側的樹脂材料9中的、位於與角部12t對應的位置的樹脂材料9的部分。

因此，藉由採用本實施形態的引線框架1，即便於向引線框架1的第一槽部5a與第二槽部5b相互交叉的部分重複照射雷射光的情形時，亦可抑制導致作為最終製品的半導體裝置12的角部12t的品質降低。

而且，於本實施形態的引線框架1中，重複照射區域1c形成得較晶粒墊2及厚壁部3a更薄。假設於重複照射區域1c為與晶粒墊2相同的厚度的情形時，例如於切斷步驟中利用較重複照射區域1c的寬度更薄的刀片13進行切斷，故而於藉由單片化所得的半導體裝置12的角部12t，重複照射區域1c的一部分以於上下方向長長地延伸的突起狀（柱狀）殘留。相對於此，藉由將重複照射區域1c形成得較晶粒墊2及厚壁部3a更薄，從而可抑制重複照射區域1c的一部分以於上下方向長長地延伸的突起狀（柱狀）殘留。

[比較例] 圖15為表示比較例的引線框架1z的自背面1b側觀看的結構的平面圖，表示雷射光的掃描區域R1、掃描區域R2及分割線DC1、分割線DC2。於比較例的引線框架1z中，亦設有重複照射區域1c。然而，引線框架1z的重複照射區域1c具有「十」的字形狀（或「X」的字形狀），且未以重疊於作為最終製品的半導體裝置12的角部12t（應成為角部12t的部分）的方式設置。

引線框架1z的重複照射區域1c於自背面1b側經雷射光L2、雷射光L3（參照圖10）照射時，無法抑制雷射光L2、雷射光L3到達位於引線框架1z的表面1a之側的樹脂材料9中的、位於與角部12t對應的位置的樹脂材料9的部分。該結構中，有可能受到雷射光的重複照射的影響而難以將角部12t形成為所需的狀態，或角部容易破損。

[變形例] 圖16為表示實施形態的變形例的引線框架1m的自背面1b側觀看的結構的平面圖。引線框架1m中，重複照射區域1c以總體呈環形狀的方式配置，於該環形狀的內側未設有所述引線框架1。即，重複照射區域1c以包圍空洞部分1h的方式呈環形狀而形成為中空狀。再者，引線框架1m的重複照射區域1c亦以重疊於作為最終製品的半導體裝置12的角部12t（應成為角部12t的部分）的方式設置，該方面於本變形例與所述實施形態中共同。

空洞部分1h包含於雷射光的掃描區域R1、掃描區域R2（參照圖4），受到雷射光重複照射。然而，空洞部分1h為藉由刀片13的全切處理而去除的區域，即不包含於作為最終製品的半導體裝置12的部分，故而不受對空洞部分1h的重複照射所致的影響。於刀片13的全切處理時，空洞部分1h中不存在引線框架1，故而可降低對刀片13的負荷。

以上，對實施形態進行了說明，但所述揭示內容於所有方面為例示而非限制性。本發明的技術範圍是由申請專利範圍所示，意指包含與申請專利範圍均等的含意及範圍內的所有變更。

1、1m、1z:引線框架 1a、9a:表面 1b:背面 1c:重複照射區域 1h:空洞部分 2:晶粒墊 3:引線部 3a:厚壁部 3b:薄壁部 3t:側面 4a:系桿部（第一系桿部） 4b:系桿部（第二系桿部） 5a:第一槽部 5b:第二槽部 6:半導體晶片 7:接合線 8:保護膜 9、9c:樹脂材料 10:鍍敷層 11:樹脂成形品 12:半導體裝置 12t:角部 13:刀片 14:焊盤 15:焊料 A1:第一方向 A2:第二方向 DC1、DC2:分割線 E1、E2、W2、W5、d1、d2:寬度 H:厚度方向 L1、L2、L3:雷射光 P1、P2:部分 R1、R2:掃描區域 W1:槽寬

圖1為表示實施形態的引線框架1的自背面1b側觀看的結構的平面圖。 圖2為將圖1中的II線所包圍的區域放大表示的平面圖。 圖3為表示實施形態的引線框架1的自背面1b側觀看的結構的立體圖。 圖4為表示實施形態的引線框架1的自背面1b側觀看的結構的平面圖，表示雷射光的掃描區域R1、掃描區域R2及分割線DC1、分割線DC2。 圖5為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示自引線框架1的表面1a側觀看準備步驟中準備的引線框架1及多個半導體晶片6的狀況的平面圖。 圖6為沿著圖5中的VI-VI線的箭視剖面圖，表示於引線框架1的晶粒墊2上接合有半導體晶片6的狀態。 圖7為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示進行了成形步驟的狀態的剖面圖。 圖8為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示於進行掃描雷射光的步驟（第一掃描步驟）之前去除了保護膜的狀態的剖面圖。 圖9為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示進行第一掃描步驟的狀況的剖面圖。 圖10為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，用以說明進行第一掃描步驟及第二掃描步驟的狀況的立體圖。 圖11為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示進行鍍敷步驟後的狀況的剖面圖。 圖12為關於實施形態的半導體裝置的製造方法，表示進行切斷步驟的狀況的剖面圖。 圖13為表示藉由實施形態的製造方法所得的半導體裝置（半導體裝置12）的立體圖。 圖14為表示藉由實施形態的製造方法所得的半導體裝置經封裝的狀況的剖面圖。 圖15為比較例的引線框架1z的自背面1b側觀看的結構的平面圖，表示雷射光的掃描區域R1、掃描區域R2及分割線DC1、分割線DC2。 圖16為表示實施形態的變形例的引線框架1m的自背面1b側觀看的結構的平面圖。

1:引線框架 1a:表面 1b:背面 1c:重複照射區域 2:晶粒墊 3:引線部 3a:厚壁部 3b:薄壁部 4a:系桿部（第一系桿部） 4b:系桿部（第二系桿部） 5a:第一槽部 5b:第二槽部 A1:第一方向 A2:第二方向 H:厚度方向 P1、P2:部分

Claims (6)

1. 一種半導體裝置的製造方法，包括： 準備步驟，準備引線框架，所述引線框架具有搭載有半導體晶片的表面、及所述表面的相反側的背面，沿著第一方向延伸的第一槽部、與沿著和所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二槽部相互交叉地形成於所述背面； 成形步驟，藉由利用樹脂材料將所述引線框架及搭載於所述引線框架的多個半導體晶片密封，從而形成樹脂成形品； 第一掃描步驟，藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光，從而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除； 第二掃描步驟，藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光，從而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除；以及 切斷步驟，藉由沿著所述第一槽部及所述第二槽部各自將所述樹脂成形品切斷，從而形成經單片化的多個單位樹脂成形品，且 於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時， 所述引線框架的所述背面具有：重複照射區域，受到於所述第一掃描步驟時掃描的雷射光與於所述第二掃描步驟時掃描的雷射光兩者照射， 藉由所述切斷步驟所形成的多個中的至少一個所述單位樹脂成形品具有以重疊於所述引線框架的所述重複照射區域的方式所處的角部， 所述引線框架的所述重複照射區域於自所述背面側經雷射光照射時，抑制雷射光到達位於所述引線框架的所述表面之側的所述樹脂材料中的位於與所述角部對應的位置的所述樹脂材料的部分。
2. 如請求項1所述的半導體裝置的製造方法，其中於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時，所述準備步驟中準備的所述引線框架具有： 第一系桿部，沿著所述第一方向延伸，於所述背面側形成有所述第一槽部；以及 第二系桿部，沿著所述第二方向延伸，於所述背面側形成有所述第二槽部， 所述重複照射區域設於所述第一系桿部與所述第二系桿部相互交叉的位置， 所述重複照射區域的所述第二方向上的寬度較所述第一系桿部中的連接於所述重複照射區域的部分的所述第二方向上的寬度更大， 所述重複照射區域的所述第一方向上的寬度較所述第二系桿部中的連接於所述重複照射區域的部分的所述第一方向上的寬度更大。
3. 如請求項2所述的半導體裝置的製造方法，其中所述重複照射區域以總體呈環形狀的方式配置，於所述環形狀的內側未設有所述引線框架。
4. 一種引線框架，具有搭載有半導體晶片的表面、及所述表面的相反側的背面，且沿著第一方向延伸的第一槽部、與沿著和所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二槽部相互交叉地形成於所述背面， 所述引線框架藉由與搭載於所述引線框架的多個半導體晶片一起由樹脂材料密封，從而構成樹脂成形品， 藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除，藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除，藉由沿著所述第一槽部及所述第二槽部各自將所述樹脂成形品切斷，從而形成經單片化的多個單位樹脂成形品，且 於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時， 所述背面具有：重複照射區域，於藉由在所述第一槽部上沿著所述第一方向掃描雷射光而將所述第一槽部內的所述樹脂材料去除時、與藉由在所述第二槽部上沿著所述第二方向掃描雷射光而將所述第二槽部內的所述樹脂材料去除時兩者，受到雷射光照射， 所述單位樹脂成形品具有以重疊於所述引線框架的所述重複照射區域的方式所處的角部， 所述引線框架的所述重複照射區域於自所述背面側經雷射光照射時，抑制雷射光到達位於所述引線框架的所述表面之側的所述樹脂材料中的位於與所述角部對應的位置的所述樹脂材料的部分。
5. 如請求項4所述的引線框架，其中於自相對於所述引線框架的所述背面垂直的方向觀看所述背面的情形時， 所述引線框架具有： 第一系桿部，沿著所述第一方向延伸，於所述背面側形成有所述第一槽部；以及 第二系桿部，沿著所述第二方向延伸，於所述背面側形成有所述第二槽部， 所述重複照射區域設於所述第一系桿部與所述第二系桿部相互交叉的位置， 所述重複照射區域的所述第二方向上的寬度較所述第一系桿部中的連接於所述重複照射區域的部分的所述第二方向上的寬度更大， 所述重複照射區域的所述第一方向上的寬度較所述第二系桿部中的連接於所述重複照射區域的部分的所述第一方向上的寬度更大。
6. 如請求項5所述的引線框架，其中所述重複照射區域以總體呈環形狀的方式配置，於所述環形狀的內側未設有所述引線框架。

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