JP2001093921A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部接続端子を覆う樹脂バリが簡単かつ容易
に除去でき、製造歩留が向上する半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 パッケージ１９を黒色のエポキシ系樹脂
で形成すると共に、リード１６の先端部２０をパッケー
ジ１９の外面に露出するように設けたもので、パッケー
ジ１９の成形後に、レーザ照射口２２を移動させること
によって、ＹＡＧレーザをパッケージ１９の片方面全面
を走査するように照射してリード１６の先端部２０を覆
うパッケージ形成樹脂による樹脂バリ２１を除去する。
に除去でき、製造歩留が向上する半導体装置の製造方法
を提供する。 【解決手段】 パッケージ１９を黒色のエポキシ系樹脂
で形成すると共に、リード１６の先端部２０をパッケー
ジ１９の外面に露出するように設けたもので、パッケー
ジ１９の成形後に、レーザ照射口２２を移動させること
によって、ＹＡＧレーザをパッケージ１９の片方面全面
を走査するように照射してリード１６の先端部２０を覆
うパッケージ形成樹脂による樹脂バリ２１を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、合成樹脂製パッケ
ージ外に外部接続端子を露出するように設けた半導体装
置の製造方法に関する。
ージ外に外部接続端子を露出するように設けた半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図７及び図８を参照して説明
する。図７は断面図であり、図８は下面図であって、半
導体装置１は、リードフレーム２のベッド３の下面に半
導体チップ４が固着されており、さらに、半導体チップ
４の端子とリードフレーム２の対応するリード５の内方
側端部とがボンディングワイヤ６によって接続されてい
る。また、リードフレーム２に固着された半導体チップ
４は、合成樹脂材料を用いて成形された略直方体形状の
パッケージ７内に封止され、パッケージ７の下面には、
これと同一面を形成するようにリード５の先端部８が露
出しており、一方、パッケージ７の上面には、これと同
一面を形成するようにベッド３の上面が露出している。
そして、リード５の先端部８の露出面等に半田めっきが
施され、さらにリード５が所定形状となるように成形、
切断され、リードフレーム２から個々の半導体装置１が
切り離される。
する。図７は断面図であり、図８は下面図であって、半
導体装置１は、リードフレーム２のベッド３の下面に半
導体チップ４が固着されており、さらに、半導体チップ
４の端子とリードフレーム２の対応するリード５の内方
側端部とがボンディングワイヤ６によって接続されてい
る。また、リードフレーム２に固着された半導体チップ
４は、合成樹脂材料を用いて成形された略直方体形状の
パッケージ７内に封止され、パッケージ７の下面には、
これと同一面を形成するようにリード５の先端部８が露
出しており、一方、パッケージ７の上面には、これと同
一面を形成するようにベッド３の上面が露出している。
そして、リード５の先端部８の露出面等に半田めっきが
施され、さらにリード５が所定形状となるように成形、
切断され、リードフレーム２から個々の半導体装置１が
切り離される。
【０００３】このようにして形成された半導体装置１で
は、パッケージ７の下面と同一面を形成するように曲折
させたリード５の先端部８が、製造工程での取り扱いミ
ス等によって設計どおりの曲折形状となっていないと、
パッケージ７の成形を行った際、リード５の先端部８の
露出すべき部位が、パッケージ形成樹脂による樹脂バリ
９で一部覆われてしまうことがあった。この樹脂バリ９
は厚さが厚く、ホーニングによるバリ取り工程を設けて
除去しようとしても、非常に除去が困難であり、半導体
装置１の製造歩留が低いものとなっていた。
は、パッケージ７の下面と同一面を形成するように曲折
させたリード５の先端部８が、製造工程での取り扱いミ
ス等によって設計どおりの曲折形状となっていないと、
パッケージ７の成形を行った際、リード５の先端部８の
露出すべき部位が、パッケージ形成樹脂による樹脂バリ
９で一部覆われてしまうことがあった。この樹脂バリ９
は厚さが厚く、ホーニングによるバリ取り工程を設けて
除去しようとしても、非常に除去が困難であり、半導体
装置１の製造歩留が低いものとなっていた。
【０００４】また、樹脂バリ９が中途半端な状態で残っ
ていた場合には、半田めっきを行った際に樹脂面とリー
ド面との境界部分に半田めっきが、例えば通常５μｍ〜
７μｍの厚さであるところが、過電流が流れることで２
０μｍ〜３０μｍの厚さに析出し、半田屑を発生させて
しまい、実装時に隣接するリード５間を短絡させてしま
う要因となっていた。そして、このような樹脂バリ９の
除去には、特殊なバリ取りを行うと共にバリ取り工程を
増やすことが必要となるが、これでは大幅なコスト上昇
を来たすことになって好ましいものではなかった。
ていた場合には、半田めっきを行った際に樹脂面とリー
ド面との境界部分に半田めっきが、例えば通常５μｍ〜
７μｍの厚さであるところが、過電流が流れることで２
０μｍ〜３０μｍの厚さに析出し、半田屑を発生させて
しまい、実装時に隣接するリード５間を短絡させてしま
う要因となっていた。そして、このような樹脂バリ９の
除去には、特殊なバリ取りを行うと共にバリ取り工程を
増やすことが必要となるが、これでは大幅なコスト上昇
を来たすことになって好ましいものではなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
特殊なバリ取りを行うことなく、また大幅にバリ取り工
程を増やすことなく簡単かつ容易に外部接続端子を覆う
パッケージ形成樹脂による樹脂バリを除去することがで
き、製造歩留を向上させることができると共に大幅なコ
スト上昇を来さない半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
特殊なバリ取りを行うことなく、また大幅にバリ取り工
程を増やすことなく簡単かつ容易に外部接続端子を覆う
パッケージ形成樹脂による樹脂バリを除去することがで
き、製造歩留を向上させることができると共に大幅なコ
スト上昇を来さない半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、パッケージを合成樹脂で形成すると共に、外
部接続端子を前記パッケージ外に露出するように設けて
なる半導体装置の製造方法において、前記パッケージの
成形後にレーザを照射して前記外部接続端子部分を覆う
パッケージ形成樹脂を除去するようにしたことを特徴と
するほうほうであり、さらに、照射するレーザが、ＹＡ
Ｇレーザであることを特徴とする方法であり、さらに、
レーザの照射が、レーザービームで外部接続端子部分を
含むパッケージの片側全面を走査するように行うもので
あることを特徴とする方法であり、さらに、外部接続端
子部分以外のパッケージ表面にレーザに対するマスクが
設けられていることを特徴とする方法であり、さらに、
マスクが、銅箔であることを特徴とする方法である。
造方法は、パッケージを合成樹脂で形成すると共に、外
部接続端子を前記パッケージ外に露出するように設けて
なる半導体装置の製造方法において、前記パッケージの
成形後にレーザを照射して前記外部接続端子部分を覆う
パッケージ形成樹脂を除去するようにしたことを特徴と
するほうほうであり、さらに、照射するレーザが、ＹＡ
Ｇレーザであることを特徴とする方法であり、さらに、
レーザの照射が、レーザービームで外部接続端子部分を
含むパッケージの片側全面を走査するように行うもので
あることを特徴とする方法であり、さらに、外部接続端
子部分以外のパッケージ表面にレーザに対するマスクが
設けられていることを特徴とする方法であり、さらに、
マスクが、銅箔であることを特徴とする方法である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００８】先ず第１の実施形態を図１乃至図４により
説明する。図１はバリ取り工程を説明するために示す断
面図であり、図２は要部を拡大して示す断面図であり、
図３は断面図であり、図４は下面図である。
説明する。図１はバリ取り工程を説明するために示す断
面図であり、図２は要部を拡大して示す断面図であり、
図３は断面図であり、図４は下面図である。
【０００９】図１乃至図４において、半導体装置１１
は、薄銅板を所定形状となるよう成形してなるリードフ
レーム１２のベッド１３の片面に、半導体チップ１４が
導電性固着材料により固着されており、さらに、半導体
チップ１４の各端子１５と対応するリードフレーム１２
の所定形状となるよう成形された各リード１６の内方側
端部１７とが、ボンディングワイヤ１８によって接続さ
れている。そして、リードフレーム１２に固着された半
導体チップ１４は、例えば熱硬化性樹脂で黒色のエポキ
シ系合成樹脂材料を用いて成形された略直方体形状のパ
ッケージ１９内に封止されている。
は、薄銅板を所定形状となるよう成形してなるリードフ
レーム１２のベッド１３の片面に、半導体チップ１４が
導電性固着材料により固着されており、さらに、半導体
チップ１４の各端子１５と対応するリードフレーム１２
の所定形状となるよう成形された各リード１６の内方側
端部１７とが、ボンディングワイヤ１８によって接続さ
れている。そして、リードフレーム１２に固着された半
導体チップ１４は、例えば熱硬化性樹脂で黒色のエポキ
シ系合成樹脂材料を用いて成形された略直方体形状のパ
ッケージ１９内に封止されている。
【００１０】また、半導体チップ１４を封止したパッケ
ージ１９の片方面には、これと同一面を形成するように
曲折された外部接続端子であるリード１６の先端部２０
が、パッケージ１９の片方面の各辺部に露出しており、
パッケージ１９の他方面には、これと同一面を形成する
ようにベッド１３の他方面が露出している。そして、パ
ッケージ１９の片方面と同一面を形成するように曲折さ
せたリード１６の先端部２０が設計どおりの曲折形状と
なっていない部分については、先端部２０の露出すべき
部位が、パッケージ形成樹脂によりなる樹脂バリ２１で
一部覆われた状態となっている。
ージ１９の片方面には、これと同一面を形成するように
曲折された外部接続端子であるリード１６の先端部２０
が、パッケージ１９の片方面の各辺部に露出しており、
パッケージ１９の他方面には、これと同一面を形成する
ようにベッド１３の他方面が露出している。そして、パ
ッケージ１９の片方面と同一面を形成するように曲折さ
せたリード１６の先端部２０が設計どおりの曲折形状と
なっていない部分については、先端部２０の露出すべき
部位が、パッケージ形成樹脂によりなる樹脂バリ２１で
一部覆われた状態となっている。
【００１１】次に、上記のようにパッケージ１９が形成
された後、半導体装置１１は、リードフレーム１２に複
数連なるように形成されたままの状態でバリ取り工程に
移され、樹脂バリ２１の除去が実行される。すなわち、
樹脂バリ２１の除去は、先ずＹＡＧレーザ照射装置のレ
ーザ照射口２２に対し、リード１６の先端部２０が露出
している片方面が対向するように半導体装置１１を位置
させる。続いて、レーザービームをパッケージ１９の片
方面に向けて照射しながら、レーザ照射口２２を両矢印
Ｘ１で示すように左右方向に所定速度で移動させると共
に両矢印Ｘ１に直交する方向にも所定速度で移動させ、
リード１６の先端部２０を含むパッケージ１９の片方面
全面をレーザービームにより走査する。
された後、半導体装置１１は、リードフレーム１２に複
数連なるように形成されたままの状態でバリ取り工程に
移され、樹脂バリ２１の除去が実行される。すなわち、
樹脂バリ２１の除去は、先ずＹＡＧレーザ照射装置のレ
ーザ照射口２２に対し、リード１６の先端部２０が露出
している片方面が対向するように半導体装置１１を位置
させる。続いて、レーザービームをパッケージ１９の片
方面に向けて照射しながら、レーザ照射口２２を両矢印
Ｘ１で示すように左右方向に所定速度で移動させると共
に両矢印Ｘ１に直交する方向にも所定速度で移動させ、
リード１６の先端部２０を含むパッケージ１９の片方面
全面をレーザービームにより走査する。
【００１２】こうしたレーザの照射を所定時間行うこと
によって、黒色のパッケージ１９はレーザを吸収して発
熱し、図２に示すように表面が厚さａだけ除去される。
そして、リード１６の先端部２０の一部を覆っていた樹
脂バリ２１は除去され、先端部２０の露出部位の長さ
が、当初は長さｌａであったものが、除去後には長さｌ
ｂと長いものとなる。この後、リード１６の先端部２０
の露出面等に半田めっきが施され、さらにリード１６が
所定形状となるように成形、切断され、リードフレーム
１２から個々の半導体装置１１が切り離される。
によって、黒色のパッケージ１９はレーザを吸収して発
熱し、図２に示すように表面が厚さａだけ除去される。
そして、リード１６の先端部２０の一部を覆っていた樹
脂バリ２１は除去され、先端部２０の露出部位の長さ
が、当初は長さｌａであったものが、除去後には長さｌ
ｂと長いものとなる。この後、リード１６の先端部２０
の露出面等に半田めっきが施され、さらにリード１６が
所定形状となるように成形、切断され、リードフレーム
１２から個々の半導体装置１１が切り離される。
【００１３】このようにして形成された半導体装置１１
では、実装面側となるパッケージ１９の片方面に、これ
と同一面を形成するようにリード１６の先端部２０が、
所定の長さだけ露出することになる。この結果、実装の
ために要する接続面が確実に、また十分に確保されるこ
とになり、半導体装置１１の製造歩留は向上したものに
なる。また、リード１６の先端部２０に半田めっきを行
う際にも、樹脂バリ２１が中途半端な状態で残らず確実
に除去され、半田屑が発生する虞もなく、この点からも
製造歩留は向上したものとなる。さらに、樹脂バリ２１
を除去するバリ取り工程も簡単かつ容易なものであるた
め、バリ取り工程の追加にともなうコスト上昇も最低限
のものですむことなる。
では、実装面側となるパッケージ１９の片方面に、これ
と同一面を形成するようにリード１６の先端部２０が、
所定の長さだけ露出することになる。この結果、実装の
ために要する接続面が確実に、また十分に確保されるこ
とになり、半導体装置１１の製造歩留は向上したものに
なる。また、リード１６の先端部２０に半田めっきを行
う際にも、樹脂バリ２１が中途半端な状態で残らず確実
に除去され、半田屑が発生する虞もなく、この点からも
製造歩留は向上したものとなる。さらに、樹脂バリ２１
を除去するバリ取り工程も簡単かつ容易なものであるた
め、バリ取り工程の追加にともなうコスト上昇も最低限
のものですむことなる。
【００１４】次に、第２の実施形態を図５及び図６によ
り説明する。図５はバリ取り工程を説明するために示す
断面図であり、図６は要部を拡大して示す断面図であ
る。なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、第１の実施形態と異なる本実施形態
の構成について説明する。
り説明する。図５はバリ取り工程を説明するために示す
断面図であり、図６は要部を拡大して示す断面図であ
る。なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、第１の実施形態と異なる本実施形態
の構成について説明する。
【００１５】図５及び図６において、半導体装置３１
は、リードフレーム１２のベッド１３に半導体チップ１
４が固着され、さらに半導体チップ１４の各端子１５と
所定形状に成形された各リード１６の内方側端部１７と
が、ボンディングワイヤ１８によって接続されている。
また、リードフレーム１２に固着された半導体チップ１
４は、例えば熱硬化性樹脂で黒色のエポキシ系合成樹脂
材料を用いて成形された略直方体形状のパッケージ３２
内に封止されている。
は、リードフレーム１２のベッド１３に半導体チップ１
４が固着され、さらに半導体チップ１４の各端子１５と
所定形状に成形された各リード１６の内方側端部１７と
が、ボンディングワイヤ１８によって接続されている。
また、リードフレーム１２に固着された半導体チップ１
４は、例えば熱硬化性樹脂で黒色のエポキシ系合成樹脂
材料を用いて成形された略直方体形状のパッケージ３２
内に封止されている。
【００１６】そして、半導体チップ１４を封止したパッ
ケージ３２の片方面には、これと同一面を形成するよう
に曲折されたリード１６の先端部２０が、パッケージ３
２の片方面の各辺部に露出しており、パッケージ３２の
他方面には、これと同一面を形成するようにベッド１３
の他方面が露出している。そして、パッケージ３２の片
方面と同一面を形成するように曲折させたリード１６の
先端部２０が設計どおりの曲折形状となっていない部分
については、先端部２０の露出すべき部位が、パッケー
ジ形成樹脂によりなる樹脂バリ２１で一部覆われた状態
となっている。
ケージ３２の片方面には、これと同一面を形成するよう
に曲折されたリード１６の先端部２０が、パッケージ３
２の片方面の各辺部に露出しており、パッケージ３２の
他方面には、これと同一面を形成するようにベッド１３
の他方面が露出している。そして、パッケージ３２の片
方面と同一面を形成するように曲折させたリード１６の
先端部２０が設計どおりの曲折形状となっていない部分
については、先端部２０の露出すべき部位が、パッケー
ジ形成樹脂によりなる樹脂バリ２１で一部覆われた状態
となっている。
【００１７】次に、上記のようにパッケージ３２が形成
された後の半導体装置３１に対し、パッケージ３２の片
方面に、リード１６の先端部２０が露出する各辺部３３
を除いて銅箔製のマスク３４を被着する。そして、マス
ク３４が被着された半導体装置３１は、リードフレーム
１２に複数連なるように形成されたままの状態でバリ取
り工程に移され、樹脂バリ２１の除去が実行される。す
なわち、樹脂バリ２１の除去は、第１の実施形態におけ
ると同様に、先ずＹＡＧレーザ照射装置のレーザ照射口
２２に対し、リード１６の先端部２０が露出している片
方面が対向するように半導体装置３１を位置させる。続
いて、レーザービームをパッケージ３２の片方面の各辺
部３３に向けて照射しながら、レーザ照射口２２を両矢
印Ｘ２で示すように各辺部３３内で左右方向に所定速度
で移動させると共に、両矢印Ｘ２に直交する方向にも所
定速度で移動させ、リード１６の先端部２０を含むパッ
ケージ３２の片方面の各辺部３３内をレーザービームに
より走査する。
された後の半導体装置３１に対し、パッケージ３２の片
方面に、リード１６の先端部２０が露出する各辺部３３
を除いて銅箔製のマスク３４を被着する。そして、マス
ク３４が被着された半導体装置３１は、リードフレーム
１２に複数連なるように形成されたままの状態でバリ取
り工程に移され、樹脂バリ２１の除去が実行される。す
なわち、樹脂バリ２１の除去は、第１の実施形態におけ
ると同様に、先ずＹＡＧレーザ照射装置のレーザ照射口
２２に対し、リード１６の先端部２０が露出している片
方面が対向するように半導体装置３１を位置させる。続
いて、レーザービームをパッケージ３２の片方面の各辺
部３３に向けて照射しながら、レーザ照射口２２を両矢
印Ｘ２で示すように各辺部３３内で左右方向に所定速度
で移動させると共に、両矢印Ｘ２に直交する方向にも所
定速度で移動させ、リード１６の先端部２０を含むパッ
ケージ３２の片方面の各辺部３３内をレーザービームに
より走査する。
【００１８】こうしたレーザの照射を所定時間行うこと
によって、黒色のパッケージ３２は、その片方面の各辺
部３３がレーザを吸収して発熱し、表面が所定厚さだけ
除去される。また、同時にリード１６の先端部２０の一
部を覆っていた樹脂バリ２１は除去され、先端部２０が
所定長さ露出する。この後、リード１６の先端部２０の
露出面等に半田めっきが施され、さらにリード１６が所
定形状となるように成形、切断され、リードフレーム１
２から個々の半導体装置１１が切り離される。
によって、黒色のパッケージ３２は、その片方面の各辺
部３３がレーザを吸収して発熱し、表面が所定厚さだけ
除去される。また、同時にリード１６の先端部２０の一
部を覆っていた樹脂バリ２１は除去され、先端部２０が
所定長さ露出する。この後、リード１６の先端部２０の
露出面等に半田めっきが施され、さらにリード１６が所
定形状となるように成形、切断され、リードフレーム１
２から個々の半導体装置１１が切り離される。
【００１９】このようにして形成された半導体装置３１
では、実装面側となるパッケージ３２の片方面に、これ
と同一面を形成するようにリード１６の先端部２０が、
所定の長さだけ露出することになる。この結果、上記の
第１の実施形態と同様に、実装のために要する接続面が
確実に、また十分に確保されることになって、製造歩留
が向上する等の効果を得ることができると共に、レーザ
ービームによる走査領域が限定された狭いものとなるの
で、樹脂バリ２１を除去するための時間が短縮できる。
では、実装面側となるパッケージ３２の片方面に、これ
と同一面を形成するようにリード１６の先端部２０が、
所定の長さだけ露出することになる。この結果、上記の
第１の実施形態と同様に、実装のために要する接続面が
確実に、また十分に確保されることになって、製造歩留
が向上する等の効果を得ることができると共に、レーザ
ービームによる走査領域が限定された狭いものとなるの
で、樹脂バリ２１を除去するための時間が短縮できる。
【００２０】なお、上記の各実施形態においてはパッケ
ージ１９，３２を黒色のものとしたがこれに限るもので
はなく、レーザを吸収し発熱する、例えば黒色系等の濃
い色調のものであればよく、また第２の実施形態ではマ
スク３４を銅箔で形成したが、レーザを反射するもの、
例えば他の金属箔等であればよい。
ージ１９，３２を黒色のものとしたがこれに限るもので
はなく、レーザを吸収し発熱する、例えば黒色系等の濃
い色調のものであればよく、また第２の実施形態ではマ
スク３４を銅箔で形成したが、レーザを反射するもの、
例えば他の金属箔等であればよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、外部接続端子を覆う樹脂バリが簡単かつ容易
に除去でき、大幅なコスト上昇を来すことなく製造歩留
を向上させることができる等の効果を奏する。
によれば、外部接続端子を覆う樹脂バリが簡単かつ容易
に除去でき、大幅なコスト上昇を来すことなく製造歩留
を向上させることができる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態におけるバリ取り工程
を説明するために示す断面図である。
を説明するために示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における要部を拡大し
て示す断面図である。
て示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を示す下面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態におけるバリ取り工程
を説明するために示す断面図である。
を説明するために示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における要部を拡大し
て示す断面図である。
て示す断面図である。
【図７】従来技術を示す断面図である。
【図８】従来技術を示す下面図である。
１１，３１…半導体装置 １２…リードフレーム １６…リード １９，３２…パッケージ ２０…先端部 ２１…樹脂バリ ２２…レーザ照射口 ３３…辺部 ３４…マスク
Claims (5)
- 【請求項１】 パッケージを合成樹脂で形成すると共
に、外部接続端子を前記パッケージ外に露出するように
設けてなる半導体装置の製造方法において、前記パッケ
ージの成形後にレーザを照射して前記外部接続端子部分
を覆うパッケージ形成樹脂を除去するようにしたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 照射するレーザが、ＹＡＧレーザである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 レーザの照射が、レーザービームで外部
接続端子部分を含むパッケージの片側全面を走査するよ
うに行うものであることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 外部接続端子部分以外のパッケージ表面
にレーザに対するマスクが設けられていることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 マスクが、銅箔であることを特徴とする
請求項４記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26910199A JP2001093921A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26910199A JP2001093921A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093921A true JP2001093921A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17467692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26910199A Pending JP2001093921A (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001093921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010187A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-22 JP JP26910199A patent/JP2001093921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010187A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US8338927B2 (en) | 2008-06-24 | 2012-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with the leads projected from sealing body |
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