TW201832898A - 模具 - Google Patents

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Abstract

本發明之實施形態提供一種能夠將樹脂充分地填充於模腔內,並且能夠抑制樹脂從排氣孔漏出之模具。 本實施形態之模具具備與被處理基板之表面相接之第1面。模腔部於遠離第1面之第1方向後退。排氣口部於第1方向後退且較模腔部更接近第1面,與模腔部連通,成為模腔部內之氣體之排出路徑。吸引部於第1方向後退且較排氣口部更遠離第1面,與排氣口部連通。第1開閉部設置於排氣口部與吸引部之間,將排出路徑開閉或窄小化。第2開閉部設置於第1開閉部與吸引部之間,將排出路徑開閉。

Description

模具
本發明之實施形態係關於一種模具。
因半導體裝置之微細化或積層化等,而使得於將半導體裝置樹脂密封時流入樹脂之間隙窄小化。為了應對此種間隙之窄小化而使樹脂之黏性降低。然而,若樹脂之黏性降低,則樹脂會於短時間通過模具之模腔內並到達至脫氣孔。因此,若於樹脂之填充即將完成之前繼續模具之模腔內之排氣,則樹脂會從排氣孔漏出。 又,若樹脂之黏性變低,則樹脂一面捲入孔隙(氣體)一面於模腔內流動。為了使孔隙消失,較佳為於樹脂之填充即將完成之前對模腔內減壓及脫氣。然而,於該情形時,樹脂仍然容易從排氣孔漏出。
本發明之實施形態提供一種能夠將樹脂充分地填充至模腔內,並且能夠抑制從排氣孔漏出樹脂之模具。 本實施形態之模具具備與被處理基板之表面相接之第1面。模腔部於遠離第1面之第1方向後退。排氣口部於第1方向後退且較模腔部更接近第1面,與模腔部連通,成為模腔部內之氣體之排出路徑。吸引部於第1方向後退且較排氣口部更遠離第1面,與排氣口部連通。第1開閉部設置於排氣口部與吸引部之間,將排出路徑開閉或窄小化。第2開閉部設置於第1開閉部與吸引部之間,將排出路徑開閉。
以下,參照附圖對本發明之實施形態進行說明。本實施形態並不限定本發明。附圖係示意性或概念性之圖,各部分之厚度與寬度之關係、部分間之大小之比率等並不一定與現實中之相同。即便於表示相同部分之情形時,亦存在根據附圖而相互之尺寸或比率不同地表示之情形。於本案說明書與各圖中,對於與已說明之圖中上述者相同之要素標註相同之符號並適當省略詳細說明。 (第1實施形態) 圖1係例示第1實施形態之模具之俯視圖。圖2(A)及圖2(B)係例示第1實施形態之模具及轉移成型裝置之剖面圖。圖1係從圖2(A)之箭頭AA觀察之俯視圖。圖2(A)係沿著圖1之A1-A2線之剖面圖。圖2(B)係沿著圖1之B1-B2線之剖面圖。 如圖2(A)所示,本實施形態之模具10M包含第1模具10及第2模具20。第1模具10之主面10a以與第2模具20之主面20a對向之方式配置。圖2(A)表示2個模具相互離開之狀態之例。將從第2模具20朝向第1模具10之方向設為作為第1方向之Z軸方向。將相對於Z軸方向垂直之1個方向設為X軸方向。將相對於Z軸方向及X軸方向垂直之方向設為Y軸方向。 於第2模具20之主面20a上配置被處理物70之被處理基板71。於被處理基板71上例如設置有半導體晶片72。被處理基板71及半導體晶片72利用樹脂材料封裝而成為半導體裝置。此外,第1模具10之位置與第2模具20之位置亦可相互調換。例如,亦可於第1模具10上配置被處理基板71,且於被處理基板71上配置第2模具20。 圖2(B)表示將2個模具閉合之狀態。第1模具10具有作為第1面之基板夾固面11(基板夾固部之表面)。如圖2(B)所示,於2個模具10、20之間配置被處理基板71。於將2個模具10、20閉合之狀態下,基板夾固面11例如與被處理基板71相接。 如圖2(A)所示,於第1模具10與第2模具20之間配置被處理物70,第1模具10下降或第2模具20上升而將第1模具10與第2模具20閉合。由此,被處理物70配置於第1模具10與第2模具20之間之模腔部10c內。此時,如圖2(B)所示,基板夾固面11與被處理基板71之表面71a相接。被處理基板71由基板夾固面11與第2模具20之表面(主面20a)夾固。 如圖2(A)所示,於第1模具10之主面10a設置有凹部。藉由凹部而於第1模具10與第2模具20閉合時形成模腔部10c等。當將樹脂材料40導入至模腔部10c內時,樹脂材料40將模腔部10c內之半導體晶片72密封,對應於模腔部10c之形狀而成型。 於第1模具10之主面10a,作為凹部而設置有剔除部10u、流道部10r、澆口部10g、模腔部10c、排氣口部10v、中間模腔(虛設模腔)10d、及吸引部10e。該等各凹部係從第1模具10之主面10a之平坦部(基板夾固面11)後退之區域。這些各凹部如圖3所示,於第1模具10與第2模具20閉合時,以樹脂材料40及氣體能夠通過之方式連通。圖3係表示將第1實施形態之模具及轉移成型裝置閉合之狀態之剖面圖。 剔除部10u係作為樹脂材料40之導入部,以與基板夾固面11相對變遠(變深)之方式後退。流道部10r係隨著從剔除部10u向澆口部10g移行而接近基板夾固面11(變淺)。即,流道部10r係以隨著從剔除部10u向澆口部10g移行而樹脂材料40之路徑變窄之方式形成。澆口部10g係從基板夾固面11較淺地後退,如圖1所示,於寬度方向亦狹窄。由此,填充於模腔部10c內之樹脂材料40之分離變得容易。 模腔部10c係以能夠於與模具20之間收容半導體晶片72之方式從基板夾固面11向Z方向後退。模腔部10c內之半導體晶片72由樹脂材料40密封之後,作為產品而分離。 排氣口部10v從基板夾固面11向Z方向後退,但較模腔部10c更接近基板夾固面11且較淺。於將第1模具10與第2模具20閉合時,排氣口部10v與模腔部10c連通而成為模腔部10c內之氣體之排出路徑。中間模腔10d位於排氣口部10v與吸引部10e之間,且以較排氣口部10v更遠離基板夾固面11(變深)之方式後退。中間模腔部10d如圖1所示,於X方向之寬度上,從與模腔部10c相同程度寬之區域向窄小之排出路徑延伸。吸引部10e從基板夾固面11向Z方向後退,且較排氣口部10v更遠離基板夾固面11(變深)。 如圖3所示,於將第1模具10與第2模具20閉合時,樹脂材料40之路徑及氣體之排出路徑從剔除部10u至吸引部10e連通。因此,於將樹脂材料40導入模腔部10c內時,將模腔部10c內之氣體從吸引部10e排氣,並且將樹脂材料40從剔除部10u導入。由此,將樹脂材料40順利地導入而填充於模腔部10c內。 於第1模具10設置有第1開閉部12a及第2開閉部12b。第1及第2開閉部12a、12b例如為關斷銷。第1開閉部12a設置於排氣口部10v與吸引部10e之間之中間模腔部10d,將模腔部10c內之空氣之排出路徑開閉。第2開閉部12b設置於第1開閉部12a與吸引部10e之間,將上述排出路徑開閉。如圖1所示,第1及第2開閉部12a設置於中間模腔部10d中窄小之排出路徑,抑制樹脂材料40向吸引部10e側進入。由此,第1及第2開閉部12a、12b不會妨礙模腔部10c內部之排氣,能夠抑制樹脂材料40向吸引部10e或吸引路徑20p流出。 第1及第2開閉部12a、12b藉由向與Z方向相反之方向移動而成為關閉狀態,藉由向Z方向返回而成為打開狀態。所謂第1及第2開閉部12a、12b之打開狀態係指以可排出氣體之方式將排出路徑開放之狀態。於圖2(A)中,第1及第2開閉部12a、12b成為打開狀態。另一方面,所謂第1及第2開閉部12a、12b之關閉狀態,係指以抑制或妨礙氣體或樹脂之通過之方式使排出路徑分斷或窄小化之狀態。此外,第1開閉部12a之關閉狀態不僅包含將排出路徑氣密或液密地分斷之狀態,亦包含使排出路徑較打開狀態窄小化之狀態(縮窄之狀態)。即,有即便使第1開閉部12a為關閉狀態,亦於排出路徑存在間隙(參照圖5之G)之情形。 使第1及第2開閉部12a、12b動作之驅動部12d設置於模具10M或成型裝置110主體。驅動部12d使第1及第2開閉部12a、12b向Z方向或Z方向之相反方向移動,而使第1及第2開閉部12a、12b為打開狀態或關閉狀態。驅動部12d能夠分別獨立地控制第1及第2開閉部12a、12b,且能夠分別以不同之時序動作。此外,如於第5實施形態中下文所敍述,驅動部12d並不特別限定,例如,既可為馬達,亦可為利用空氣壓力使第1及第2開閉部12a、12b移動之空氣致動器(氣缸)。於驅動部12d為馬達之情形時,考慮到模具10M之熱而將驅動部12d配置於模具10M之外側。由於空氣致動器耐熱性較高,所以驅動部12d亦可配置於模具10M之內部。 感測器50a、50b設置於第1及第2開閉部12a、12b附近之第1模具10。感測器50a、50b例如設置於第1模具10中模腔部10c之排氣側之端部、排氣口部10v、或中間模腔部10d。 控制器60根據來自感測器50a、50b之檢測信號而控制驅動部12d,驅動第1及第2開閉部12a、12b。又,控制器60例如控制來自模具10M內之空間之氣體之排出,或者控制基於轉移部31之動作之樹脂材料40之導入。控制器60既可設置於模具10M,亦可設置於成型裝置110之主體。 (第1及第2開閉部12a、12b之動作時序) 若將樹脂材料40或氣體之流出源頭設為上游,將樹脂材料40或氣體之流出目的地設為下游,則於本實施形態中,感測器50a配置於第1開閉部12a之上游側,且配置於排氣口部10v與第1開閉部12a之間。感測器50b配置於第2開閉部12b之上游側,且配置於第1開閉部12a與第2開閉部12b之間。感測器50a、50b例如可為檢測第1模具10之溫度之溫度感測器,檢測樹脂材料40或氣體之壓力之壓力感測器,或者,檢測反射光強度或透過光強度之至少一者之光感測器。即,感測器50a、50b所檢測之參數可為模具10之溫度、樹脂材料40之壓力、氣體之壓力、反射光強度或透過光強度之任一者。感測器50a、50b既可為相同種類之感測器,亦可為互不相同之種類之感測器。 感測器50a、50b檢測樹脂材料40。例如,於感測器50a、50b為溫度感測器之情形時,於樹脂材料40接近或接觸於感測器50a、50b時,感測器50a、50b周圍之溫度或者感測器50a、50b本身之溫度上升。感測器50a、50b於測定溫度超過臨限值時,向控制器60輸出表示樹脂材料40到達之檢測信號。控制器60根據檢測信號而控制驅動部12d。由此,驅動部12d能夠使第1及第2開閉部12a、12b為關閉狀態。 例如,於感測器50a、50b為壓力感測器之情形時,於樹脂材料40接近或接觸於感測器50a、50b時,感測器50a、50b偵測樹脂材料40之壓力或者氣體之壓力之上升。感測器50a、50b於壓力超過臨限值時,向控制器60輸出表示樹脂材料40到達之檢測信號。 例如,於感測器50a、50b為光感測器之情形時,於樹脂材料40藉由感測器50a、50b之正下方時,感測器50a、50b使用反射光強度之變化或者透過光強度之變化而偵測樹脂材料40。感測器50a、50b於反射光強度或者透過光超過臨限值時或者低於臨限值時,向控制器60輸出表示樹脂材料40到達之檢測信號。 又,感測器50c亦可設置於驅動柱塞32之馬達35。感測器50c例如可為根據馬達35之旋轉位置而檢測柱塞32之位置之編碼器。向模腔部10c內供給之樹脂材料40之體積可根據柱塞32之移動距離獲知。因此,於柱塞32之位置達到特定位置時,能夠判斷為樹脂材料40到達至排氣口部10v之附近。因此,感測器50c於柱塞32之位置達到特定位置時,將表示樹脂材料40到達之檢測信號向控制器60輸出。於該情形時,感測器50c所檢測之參數為柱塞32之位置或者樹脂材料40之量(體積)。此外,於該情形時,感測器50c不配備於模具10M,而配備於成型裝置110之主體。 來自感測器50a、50b、50c之檢測信號如上所述,成為使第1及第2開閉部12a、12b動作之觸發器。因此,必須以第1及第2開閉部12a、12b於適當之時序動作之方式,適當地調整感測器50a、50b、50c之各位置及參數之臨限值。 感測器50a、50b、50c只要設置任意1個以上即可。例如,於僅設置有感測器50a~50c之任意1個之情形時,控制器60只要於該感測器輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,經過特定時間之後使第2開閉部12b為關閉狀態即可。即,第1開閉部12a由來自感測器之檢測信號控制,第2開閉部12b由來自感測器之檢測信號及時間控制。於該情形時,使第2開閉部12b動作之參數成為從控制器60接收到檢測信號後之時間。 例如,於設置有感測器50a~50c之任意2個之情形時,控制器60只要於一個感測器輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,於另一個感測器輸出檢測信號時使第2開閉部12b為關閉狀態即可。或者,控制器60亦可於2個感測器輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,於經過特定時間之後使第2開閉部12b為關閉狀態。 例如,於設置有感測器50a~50c之全部之情形時,控制器60只要於2個感測器輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,於剩下之1個感測器輸出檢測信號時使第2開閉部12b為關閉狀態即可。或者,控制器60只要於1個感測器輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,於剩下之2個感測器輸出檢測信號時使第2開閉部12b為關閉狀態即可。進而,控制器60亦可於3個感測器全部輸出檢測信號時使第1開閉部12a為關閉狀態,然後,於經過特定時間之後使第2開閉部12b為關閉狀態。 這樣,能夠將感測器50a~50c進行各種各樣組合而用於第1及第2開閉部12a、12b之控制。 (成型裝置110之動作) 其次,對本實施形態之成型裝置110之動作進行說明。 圖4係表示第1實施形態之成型裝置110之動作例之流程圖。於本實施形態中,使用感測器50a及50b。 首先,於2個模具10、20之間配置被處理物70,使該等模具10、20接近而閉合(S10)。此時,第1及第2開閉部12a、12b為打開狀態。因此,模腔部10c內之氣體(例如,空氣或來自樹脂材料40之外部氣體)經由包含排氣口部10v、中間模腔10d、吸引部10e及吸引路徑20p之排出路徑而排出。吸引部10e與吸引路徑20p之一端相連,吸引路徑20p之另一端與未圖示之減壓裝置(例如,排氣泵)相連。減壓裝置經由吸引路徑20p而吸引模腔部10c內部之氣體(S20)。此外,於圖2(A)中,吸引路徑20p設置於第2模具20,但吸引路徑20p亦可設置於第1模具10。 當模腔部10c減壓時,導入樹脂材料40(S30)。樹脂材料40經由設置於模具10M之罐槽部23而導入柱塞32上。此外,於圖2(A)中,罐槽部23設置於第2模具20,但罐槽部23亦可設置於第1模具10。 罐槽部23之至少一部分例如為筒狀。於罐槽部23之內部配置柱塞32。於柱塞32之端部配置樹脂材料40。轉移部31例如可於上下(沿著Z軸方向)移動。藉由轉移部31之移動而柱塞32移動,將樹脂材料40朝模具10M內(即,第1模具10與第2模具20之間之模腔部10c)供給。 例如,第1及第2開閉部12a、12b保持打開狀態,將樹脂材料40導入剔除部10u。通過剔除部10u之樹脂材料40通過流道部10r而到達澆口部10g。然後,將樹脂材料40導入模腔部10c。 於樹脂材料40到達中間模腔10d之前,第1感測器50a不檢測樹脂材料40,第1開閉部12a成為打開狀態(S40之否(NO))。另一方面,於樹脂材料40通過排氣口部10v而到達至中間模腔10d時,第1感測器50a檢測樹脂材料40,將檢測信號向控制器60輸出(S40的是(YES))。控制器60控制驅動部12d,如圖5(A)所示將第1開閉部12a設為關閉狀態(S50)。圖5(A)係表示第1感測器50a檢測到樹脂材料40時之情形之剖面圖。第1開閉部12a將中間模腔部10d之開口徑縮窄而窄小化。此時,第1開閉部12a亦可將中間模腔部10d設為密閉狀態。然而,第1開閉部12a亦可如圖5(A)所示於中間模腔部10d留出間隙G。此時之間隙G之開口面積小於排氣口部10v之開口面積。由此,模腔部10c內之樹脂材料40不易通過排氣路徑,但氣體依然能夠通過間隙G。因此,抑制樹脂材料40之流動,並持續自模腔部10c排氣。 此外,第1開閉部12a於Z方向上於與被處理基板71或模具20之間形成間隙G。然而,第1開閉部12a亦可於X方向於與模具10之中間模腔部10d之側壁之間形成間隙(未圖示)。於該情形時,只要使第1開閉部12a之X方向之寬度小於中間模腔部10d之X方向之寬度即可。由此,於將第1開閉部12a設為關閉狀態時,即便第1開閉部12a到達至模具20,仍於第1開閉部12a之X方向之側部形成間隙,能夠使氣體通過。即便為此種構成,亦可抑制樹脂材料40之流動,並持續自模腔部10c排氣。 其次,於樹脂材料40通過間隙G之前,第2感測器50b不檢測樹脂材料40,第2開閉部12b成為打開狀態。(S60之否)。此時,繼續樹脂材料40之導入 (S65)。另一方面,於樹脂材料40通過間隙G並到達至第2感測器50b時,第2感測器50b檢測到樹脂材料40,將檢測信號向控制器60輸出(S60的是)。控制器60控制驅動部12d,如圖5(B)所示使第2開閉部12b為關閉狀態(S70)。圖5(B)係表示第2感測器50b檢測樹脂材料40時之情形之剖面圖。第2開閉部12b將中間模腔部10d之開口關閉(關斷)。即,第2開閉部12b使氣體之排出路徑大致為密閉狀態。由此,抑制模腔部10c內之樹脂材料40向吸引部10e及吸引路徑20p流出。 藉由第2開閉部12b成為關閉狀態,樹脂材料40之填充結束。然後,將由樹脂材料40密封之半導體封裝從模具10M取出,進入至下一半導體晶片之封裝處理。此時,第1及第2開閉部12a、12b藉由驅動部12d等返回至打開狀態。 於上述實施形態中,將感測器50a及50b用作第1及第2感測器。然而,亦可將感測器50c及50b用作第1及第2感測器。於該情形時,於步驟S40中,於第1感測器50c檢測到柱塞32之位置到達至特定位置時,使第1開閉部12a為關閉狀態。第2感測器50b之動作可與上述步驟S60之動作相同。 又,亦可將感測器50c及50a用作第1及第2感測器。於該情形時,於步驟S40中,於作為第1感測器之感測器50c檢測到柱塞32之位置到達至特定位置時,使第1開閉部12a為關閉狀態。於步驟S60中,於作為第2感測器之感測器50a檢測到樹脂材料40時,使第2開閉部12b為關閉狀態。 又,亦可將感測器50a及50c用作第1及第2感測器。於該情形時,第1感測器50a之動作可與上述步驟S40之動作相同。第2感測器50c於步驟S60中,於第2感測器50c檢測到柱塞32之位置到達至特定位置時,使第2開閉部12b為關閉狀態。 又,於僅設置有感測器50a~50c之任意1個之情形時,於步驟S40中,於感測器(50a~50c之任一者)輸出檢測信號時,第1開閉部12a成為關閉狀態。然後,於步驟S60中,於接收檢測信號之後經過特定時間之後,第2開閉部12b成為關閉狀態。 這樣,本實施形態之模具10M具備設置於排氣口部10v與吸引部10e之間之第1及第2開閉部12a、12b。由此,於樹脂材料40到達至中間模腔部10d時,第1開閉部12a使中間模腔部10d之氣體之排出路徑窄小化(縮窄)。由此,能夠維持模腔部10c內之氣體之排出,並且於某程度抑制樹脂材料40之流動。進而,於樹脂材料40到達至第1開閉部12a與第2開閉部12b之間時,第2開閉部12b將中間模腔部10d之氣體之排出路徑遮斷(關斷)。由此,能夠抑制樹脂材料40向吸引部10e及吸引路徑20p漏出。這樣,第1及第2開閉部12a、12b於2個階段阻止樹脂材料40之流動。其結果,本實施形態之模具10能夠將樹脂充分地填充至模腔內,且更切實地抑制樹脂從排氣孔漏出。 (變化例) 圖6(A)~圖6(F)係表示第1及第2開閉部12a、12b之配置之俯視圖。圖6(A)~圖6(F)表示較模腔部10c更靠下游側,省略較其更靠上游側。模具10M即便為圖6(A)~圖6(F)之平面佈局之任一者,亦可獲得上述實施形態之效果。 於圖6(A)中,中間模腔部10d從主路徑10d_1之中途分支為多個副路徑10d_2。第1開閉部12a設置於主路徑10d_1之各者,第2開閉部12b設置於副路徑10d_2之各者。因此,第1開閉部12a相對於多個第2開閉部12b共通地設置。 於圖6(B)中,中間模腔部10d成為相對於多個第1開閉部12a及多個第2開閉部12b共通化之1條共通路徑。因此,連接於模腔部10c之多個第1開閉部12a全部連接於1個中間模腔部10d,且連接於吸引部10e之多個第2開閉部12b亦全部連接於相同之中間模腔部10d。 圖6(C)於第1開閉部12a設置於主路徑10d_1與副路徑10d_2之分支點之方面與圖6(A)不同。圖6(C)之模具10之其他構成與圖6(A)所示之構成相同。 圖6(D)係相對於圖6(C)之構成附加有排氣口部10v_2。於排氣口部10v_2未設置開閉部。因此,排氣口部10v_2作為模腔部10c與吸引部10e之間之旁路發揮功能。排氣口部10v_2能夠將來自模腔部10c內之氣體逐漸排氣。另一方面,排氣口部10v_2較排氣口部10v_1更窄且於樹脂材料40流動之方向(Y方向)較長。因此,排氣口部10v_2幾乎不使樹脂材料40通過。 圖6(E)係圖6(B)與圖6(C)之組合。因此,中間模腔部10d成為相對於多個第1開閉部12a及多個第2開閉部12b共通化之1條共通路徑。又,第1開閉部12a設置於主路徑10d_1與副路徑10d_2之分支點。 圖6(F)係將多個中間模腔部10d於不分支之情形時連接於模腔部10c與吸引部10e之間。第1及第2開閉部12a、12b連續地設置於各中間模腔部10d。圖6(F) 類似於圖1之平面佈局。 即便為此種圖6(A)~圖6(F)之任一個構成,亦不會喪失本實施形態之效果。此外,以下之實施形態之模具之平面佈局亦可為圖6(A)~圖6(F)之任一者。 (第2實施形態) 圖7(A)及圖7(B)係例示第2實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。於圖7(A)及圖7(B)中,表示從模腔部10c至中間模腔部10d為止之模具10之構成。於第2實施形態中,感測器50b配置於感測器50a與第1開閉部12a之間。感測器50a、50b連續地配置於第1開閉部12a之上游側。第2實施形態之其他構成可與第1實施形態之對應之構成相同。 其次,參照圖4對第2實施形態之成型裝置之動作進行說明。 感測器50a、50b並不特別限定,例如,可分別為光感測器及壓力感測器。於該情形時,於樹脂材料40到達至中間模腔10d之前,感測器50a不檢測樹脂材料40,第1開閉部12a成為打開狀態。(圖4之S40之否)。另一方面,於樹脂材料40通過排氣口部10v並到達至中間模腔10d時,感測器50a檢測樹脂材料40,將檢測信號向控制器60輸出(圖4之S40的是)。控制器60控制驅動部12d,如圖7(A)所示使第1開閉部12a為關閉狀態(圖4之S50)。由此,第1開閉部12a使中間模腔部10d之開口徑窄小化。 當使第1開閉部12a為關閉狀態時,樹脂材料40之流動變差,因此於第1開閉部12a之近前,樹脂材料40之壓力上升。於樹脂材料40之壓力未達臨限值之情形時(圖4之S60之否),第2感測器50b不檢測樹脂材料40,第2開閉部12b成為打開狀態。此時,繼續樹脂材料40之導入(圖4之S65)。另一方面,若樹脂材料40之壓力超過臨限值(圖4之S60的是),則第2感測器50b檢測到樹脂材料40,將檢測信號向控制器60輸出。控制器60控制驅動部12d,如圖7(B)所示使第2開閉部12b為關閉狀態(圖4之S70)。此時,第2開閉部12b將中間模腔部10d之氣體之排出路徑遮斷為大致密閉狀態。由此,抑制模腔部10c內之樹脂材料40向吸引部10e及吸引路徑20p流出。 這樣,感測器50a、50b亦可設置於第1開閉部12a之上游側。即便為此種構成,第2實施形態亦能夠獲得與第1實施形態相同之效果。 此外,亦可代替感測器50a使用感測器50c。於該情形時,於柱塞32之位置或者樹脂材料40之量超過臨限值時,只要使第1開閉部12a為關閉狀態即可。 (第3實施形態) 圖8(A)~圖8(D)係例示第3實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。第3實施形態之模具10於更具備第3開閉部12c與感測器50d之方面與第2實施形態之模具10不同。第3實施形態之其他構成可與第2實施形態之構成相同。 感測器50a、50b、第1及第2開閉部12a、12b之構成及動作可與第2實施形態之那些構成及動作相同。圖8(A)及圖8(B)與圖7(A)及圖7(B)對應。 如圖8(A)~圖8(D)所示,第3開閉部12c設置於第2開閉部12b與吸引部10e之間,根據第2開閉部12b之動作而開閉排出路徑。第3開閉部12c與第1及第2開閉部12a、12b相同地既可由驅動部12d驅動,亦可由其他驅動機構驅動。 第3驅動部12c於第2開閉部12b不動作之情形時,成為關閉狀態,將中間模腔部10d之氣體之排出路徑遮斷為大致密閉狀態。為了檢測第2開閉部12b是否正常地動作,感測器50d設置於模具20。感測器50d檢測第2開閉部12b之前端到達至模具20之表面。 例如,感測器50d可為使用反射光之光感測器或者使用電磁感應之觸控感測器。感測器50d檢測第2開閉部12b接近或者接觸於模具20。如圖8(C)所示,於第2開閉部12b接觸於感測器50d時,感測器50d根據反射光強度或電動勢,將表示第2開閉部12b之接觸之檢測信號向控制器60輸出。控制器60根據檢測信號控制驅動部12d。驅動部12d於檢測到檢測信號時,既可使第3開閉部12c為關閉狀態,亦可保持打開狀態。其原因在於,於該情形時,由於第2開閉部12b成為關閉狀態,所以樹脂材料40被第2開閉部12b關斷。另一方面,如圖8(D)所示,於未檢測到檢測信號時,驅動部12d使第3開閉部12c為關閉狀態。其原因在於,於該情形時,有第2開閉部12b無法正常地動作之可能性,第3開閉部12c必須將樹脂材料40關斷。 圖9係例示第3實施形態之轉移成型裝置之動作之流程圖。參照圖8(A)~圖9,對第3實施形態之成型裝置之動作進行說明。 首先,執行圖4所示之步驟S10~S70。於步驟S70中,於感測器50b剛檢測到樹脂材料40之後,第2開閉部12b如圖8(B)所示為關閉狀態。於第2開閉部12b正常地動作之情形時,於感測器50b剛檢測到樹脂材料40之後,感測器50d檢測第2開閉部12b。 因此,在於接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止感測器50d檢測到第2開閉部12b之情形時(S80的是),感測器50d輸出檢測信號。控制器60具有計時器(未圖示),對從感測器50b接收檢測信號之後之時間進行計時。而且,控制器60控制驅動部12d,使第3開閉部12c為關閉狀態,或者,維持打開狀態(S90)。於感測器50d檢測到第2開閉部12b之情形時,由於第2開閉部12b正常地動作且成為關閉狀態,所以控制器60既可使第3開閉部12c為關閉狀態,亦可維持打開狀態。於圖8(C)中,第3開閉部12c為關閉狀態。 若於從接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止感測器50d未檢測到第2開閉部12b之情形時(S80之否),感測器50d於從接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止不輸出檢測信號。於該情形時,第2開閉部12b無法正常地動作之可能性較高。因此,控制器60如圖8(D)所示,控制驅動部12d,使第3開閉部12c為關閉狀態(S95)。 這樣,根據第3實施形態,模具10更具備第3開閉部12c,於第2開閉部12b無法正常地動作之情形時將排氣路徑關斷。由此,即便於第2開閉部12b無法正常地動作之情形時,亦可抑制樹脂材料40從吸引部10e向下游漏出。又,第3實施形態能夠獲得與第1實施形態相同之效果。 此外,亦可代替感測器50a,使用圖2之感測器50c。於該情形時,於柱塞32之位置或者樹脂材料40之量超過臨限值時,只要使第1開閉部12a為關閉狀態即可。 (第4實施形態) 圖10(A)~圖10(E)係例示第4實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。成型裝置之動作流程可與圖9所示之動作流程相同。 根據第4實施形態,模具10之排氣口部10v能夠向Z方向或Z方向之相反方向動作。排氣口部10v作為第1開閉部12a發揮功能。例如,於柱塞32之位置到達至特定位置之前,或者於感測器50a檢測到樹脂材料40之前,如圖10(A)所示,使第1開閉部12a(即,模具10之排氣口部10v)為大幅度打開之狀態。由此,模腔部10c內之氣體容易通過排氣口部10v。 於感測器50c檢測到柱塞32之位置到達至特定位置時,或者於感測器50a檢測到樹脂材料40時,如圖10(B)所示,使第1開閉部12a(即,模具10之排氣口部10v)為關閉狀態。由此,排氣口部10v之間隙窄小化,能夠抑制樹脂材料40之流動,並且維持來自模腔部10c之排氣。 然後,第2及第3開閉部12b、12c之動作可與第3實施形態之那些動作相同。即,若感測器50b檢測到樹脂材料40,則如圖10(C)所示,第2開閉部12b成為關閉狀態。此時,於從接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止感測器50d檢測到第2開閉部12b之情形時(圖9之S80的是),控制器60如圖10(D)所示,使第3開閉部12c為關閉狀態,或者維持打開狀態(S90)。於圖10(D)中,使第3開閉部12c為關閉狀態。 若於從接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止感測器50d未檢測到第2開閉部12b之情形時(圖9之S80之否),感測器50d於從接收到感測器50b之檢測信號至經過特定時間為止不輸出檢測信號。於該情形時,意味著第2開閉部12b無法正常地動作。因此,控制器60如圖10(E)所示,控制驅動部12d使第3開閉部12c為關閉狀態(圖9之S95)。由此,代替第2開閉部12b,第3開閉部12c將中間模腔部10d之排出路徑遮斷。 這樣,亦可使模具10之排氣口部10v可動來用作第1開閉部12a。即便為此種構成,於第2開閉部12b無法正常地動作之情形時,第3開閉部12c亦能夠將排氣路徑關斷。因此,第4實施形態能夠獲得與第3實施形態相同之效果。 (變化例1) 於第4實施形態中,第1開閉部12a(即,可動排氣口部10v)僅1次使排出路徑窄小化。然而,第1開閉部12a亦可將排出路徑分多次階段性地窄小化。 圖11(A)~圖11(D)係例示變化例1之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。例如,感測器50a為光感測器,感測器50b為壓力感測器。 如圖11(A)所示,於感測器50a檢測到樹脂材料40之前,使第1開閉部12a為大幅度打開之狀態。由此,模腔部10c內之氣體容易通過排氣口部10v。將第1開閉部12a距模具20表面之高度設為h0。 其次,若感測器50a檢測到樹脂材料40,則第1開閉部12a如圖11(B)所示,將排出路徑窄小化至第1高度h1(h1<h0)。由此,一面繼續模腔部10c內之排氣,一面開始阻止樹脂材料40。由此,模腔部10c內之樹脂材料40之壓力逐漸上升。 其次,若感測器50b檢測到樹脂材料40之壓力,且其壓力成為第1壓力,則第1開閉部12a如圖11(C)所示,將排出路徑窄小化至低於第1高度h1之第2高度h2(h1<h2)。由此,一面進而繼續模腔部10c內之排氣,一面使阻止樹脂材料40之效果提高。由此,模腔部10c內之樹脂材料40之壓力進而上升。 然後,若樹脂材料40之壓力成為高於第1壓力之第2壓力,則如圖11(D)所示,第2開閉部12b成為關閉狀態。由此,排出路徑被遮斷,樹脂材料40之導入結束。第2開閉部12b及第3開閉部12c之動作可與參照圖10(D)及圖10(E)所說明之動作相同。 此外,於變化例1中,第1開閉部12a之動作藉由樹脂材料40之壓力控制。然而,第1開閉部12a之動作亦可使用感測器50c並利用柱塞32之位置控制。於該情形時,於柱塞32之位置到達至第1位置時,第1開閉部12a將排出路徑窄小化至第1高度。於柱塞32之位置到達至較第1位置靠前之第2位置時,第1開閉部12a將排出路徑窄小化至第2高度。然後,於柱塞32之位置到達至較第2位置靠前之第3位置時,第2開閉部12b成為關閉狀態。由此,排出路徑被遮斷,樹脂材料40之導入結束。 又,第1開閉部12a之動作亦可使用樹脂材料40之壓力及柱塞32之位置之兩者來控制。 又,於變化例1中,第1開閉部12a被控制為3個階段之高度。然而,並不限定於此,第1開閉部12a亦可被控制為4個階段以上之高度。 (變化例2) 於變化例2中,於第1開閉部12a正常地動作之情形時,與第4實施形態相同地動作。另一方面,於第1開閉部12a無法正常地動作之情形時,立即使第2開閉部12b為關閉狀態。於該情形時,如圖11(A)~圖11(D)所示,於第1開閉部12a之正下方之模具20設置感測器50e。感測器50e例如為螺線管等,根據由第1開閉部12a之接近所引起之感應電力而檢測第1開閉部12a之位置。由此,感測器50e檢測第1開閉部12a是否正常地動作。 圖12係表示第4實施形態之變化例2之轉移成型裝置之動作例之流程圖。於執行步驟S10~S40之後,於S40的是之情形時,第1開閉部12a成為關閉狀態(S50)。此時,於從接收到感測器50a之檢測信號至經過特定時間為止感測器50e檢測到第1開閉部12a之情形時(S51的是),控制器60執行圖4所示之步驟S60~S95。 若於從接收到感測器50a之檢測信號至經過特定時間為止感測器50e未檢測到第1開閉部12a之情形時(S51之否),感測器50e於從接收到感測器50e之檢測信號至經過特定時間為止不輸出檢測信號。因此,控制器60不等待感測器50b檢測到樹脂材料40便使第2開閉部12b為關閉狀態(S70)。然後,只要執行步驟S80~S95即可。 這樣,於第1開閉部12a無法正常地動作之情形時,亦可立即使第2開閉部12b為關閉狀態。由此,能夠進而切實地抑制樹脂材料40向吸引部10e進入。 (第5實施形態) 圖13係例示第5實施形態之模具之俯視圖。 於驅動部12d例如為氣缸之情形時,能夠將驅動部12d組裝至模具10內。然而,於模具10內,多為組裝氣缸之空間狹窄,且難以確保從模具10之外部至氣缸為止之氣體流路。因此,存在難以針對每一各排出路徑設置個別之氣缸,必須以多個排出路徑為單位設置氣缸之情形。 相對於此,第5實施形態之模具10更具備連接於第1及第2開閉部12a、12b,且於模具10之上方延伸之桿12ra、12rb。驅動部12d經由桿12ra、12rb而驅動第1及第2開閉部12a、12b。於該情形時,驅動部12d由於能夠安裝於模具10之外壁,所以亦可為耐熱性並不則高之致動器。例如,驅動部12d亦可為伺服馬達或螺線管等。伺服馬達、線性馬達或者螺線管與氣缸相比能夠高速動作,且能夠階段性地控制第1及第2開閉部12a、12b。 又,將驅動部12d配置於模具10之外部,將桿12ra、12rb設置於各排出路徑之第1及第2開閉部12a、12b之各者。由此,驅動部12d能夠針對每一各排出路徑,對第1及第2開閉部12a、12b個別地進行控制。 藉由於作為驅動部12d之伺服馬達、線性馬達、或者螺線管流通反向電流使之向相反方向動作,亦可將第1及第2開閉部12a、12b容易地向Z方向返回(上升)。 例如,藉由將桿連接於圖10(A)~圖10(E)之第1開閉部12a(可動排氣口部10v),驅動部12d能夠按照第4實施形態,將第1開閉部12a高速且階段性地控制。 第5實施形態亦可應用於上述實施形態或下述實施形態之任一者。 (第6實施形態) 於上述實施形態中,對轉移成型裝置進行了說明。相對於此,第6實施形態係對壓縮成型裝置應用第1及第2開閉部12a、12b之例。 圖14(A)及圖14(B)係表示第6實施形態之模具及壓縮成型裝置之構成例之剖面圖及俯視圖。圖14(A)係沿著圖14(B)之A-A線之剖面圖。 如圖14(B)所示,於第1模具10_1、10_2中,作為凹部而設置有模腔部10c、排氣口部10v、中間模腔(虛設模腔)10d、及吸引部10e。這些各凹部係從第1模具10之平坦部(基板夾固面11)後退之區域。這些各凹部於將第1模具10與第2模具20閉合時,以樹脂材料40及空氣能夠通過之方式連通。模腔部10c、排氣口部10v及中間模腔10d距基板夾固面11之距離(深度)之關係可與第1實施形態之相同。 如圖14(B)所示,中間模腔部10d分別設置於模腔部10c之四邊。排氣口部10v設置於模腔部10c之四邊之中間模腔部10d之各者與模腔部10c之間,且使它們之間連通。吸引部10e設置於模腔部10c之四角落,經由中間模腔部10d及排氣口部10v而與模腔部10c連通。這樣,若將第1模具10_1、10_2與第2模具20閉合,則排氣口部10v及中間模腔部10d構成排出路徑。 進而,於第1模具10_1、10_2設置有第1開閉部12a及第2開閉部12b。第1及第2開閉部12a、12b之配置及構成可與第1實施形態之配置及構成相同。因此,第1開閉部12a設置於排氣口部10v與吸引部10e之間之中間模腔部10d,且將模腔部10c內之空氣之排出路徑開閉。第2開閉部12b設置於第1開閉部12a與吸引部10e之間,且將上述排出路徑開閉。由此,第1及第2開閉部12a、12b不妨礙模腔部10c內部之排氣,能夠抑制樹脂材料40向吸引部10e漏出。第1及第2開閉部12a、12b如圖14(A)所示,亦可為由氣缸驅動之關斷銷。 又,未圖示,感測器50a~50c設置於第1模具10_1、10_2。感測器50a~50c之構成及配置可與第1實施形態相同。 另一方面,第2模具20之底面21平坦,安裝著被處理物70。 於成型動作中,如圖14(A)所示,藉由將熔融之樹脂材料40預先供給至第1模具10_1、10_2之凹部,且將第1及第2模具10、20閉合,而將第2模具20上之被處理物70壓抵於樹脂材料40。此時,利用彈性體200將模具10_1向第2模具20彈性地壓抵。由此,半導體裝置被壓縮成型。 於成型時,如圖14(B)所示,模腔部10c內之氣體通過排氣口部10v及中間模腔部10d從吸引部10e排出。此時,第1及第2開閉部12a、12b抑制樹脂材料40向吸引部10e或吸引路徑20p漏出。第1及第2開閉部12a、12b之動作及感測器50a~50c之動作可與第1實施形態所示之動作相同。由此,本實施形態亦能夠應用於壓縮成型裝置。 又,於第6實施形態中,中間模腔部10d配置於模腔部10c之周圍。由此,從排氣口部10v至吸引部10e為止之排出路徑之距離變長。其結果,能夠使樹脂材料40於中間模腔部10d流動之時間變長。由此,模腔部10c內之減壓時間變長,能夠充分地進行模腔部10c內之排氣。 若於排出路徑較短之情形時,導致樹脂材料40以短時間到達至吸引部10e。於該情形時,模腔部10c內之氣體之排出不充分,於壓縮時模腔部10c內之真空度惡化。 相對於此,於第6實施形態中,由於模腔部10c內之減壓時間變長,所以即便壓縮,亦能夠充分地進行模腔部10c內之排氣。 此外,包括排氣口部10v及中間模腔部10d之排出路徑亦可僅設置於模腔部10c之對向之兩邊。即便於該情形時,亦不會喪失本實施形態之效果。 又,第6實施形態之壓縮成型裝置亦可更具備第3開閉部12c、感測器50d、感測器50e。因此,第6實施形態亦能夠與第1~第5實施形態之任一者組合。 對本發明之幾個實施形態進行了說明,但這些實施形態係作為例提出之,並不意圖限定發明之範圍。這些實施形態能夠以其他各種方式實施,能夠於不脫離發明之主旨之範圍中,進行各種省略、置換、變更。這些實施形態或實施形態之變化與包含於發明之範圍或主旨相同地,包含於權力要求書記載之發明及其均等之範圍中。 [相關申請案] 本申請案享有以日本專利申請案2017-40474號(申請日:2017年3月3日)為基礎申請案之優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案之全部內容。
10‧‧‧第1模具
10_1‧‧‧第1模具
10_2‧‧‧第1模具
10M‧‧‧模具
10a‧‧‧主面
10c‧‧‧模腔部
10d‧‧‧中間模腔
10d_1‧‧‧主路徑
10d_2‧‧‧副路徑
10e‧‧‧吸引部
10g‧‧‧澆口部
10r‧‧‧流道部
10u‧‧‧剔除部
10v‧‧‧排氣口部
10v_1‧‧‧排氣口部
10v_2‧‧‧排氣口部
11‧‧‧基板夾固面
12a‧‧‧第1開閉部
12b‧‧‧第2開閉部
12c‧‧‧第3開閉部
12ra‧‧‧桿
12rb‧‧‧桿
12d‧‧‧驅動部
20‧‧‧第2模具
20a‧‧‧主面
20p‧‧‧吸引路徑
23‧‧‧罐槽部
31‧‧‧轉移部
32‧‧‧柱塞
35‧‧‧馬達
40‧‧‧樹脂材料
50a‧‧‧感測器
50b‧‧‧感測器
50c‧‧‧感測器
50d‧‧‧感測器
50e‧‧‧感測器
60‧‧‧控制器
70‧‧‧被處理物
71‧‧‧被處理基板
71a‧‧‧表面
72‧‧‧半導體晶片
110‧‧‧成型裝置
AA‧‧‧箭頭
A1-A2‧‧‧線
B1-B2‧‧‧線
G‧‧‧間隙
h0‧‧‧第1開閉部12a距模具20表面之高度
h1‧‧‧第1高度
h2‧‧‧第2高度
S10‧‧‧步驟
S20‧‧‧步驟
S30‧‧‧步驟
S40‧‧‧步驟
S50‧‧‧步驟
S51‧‧‧步驟
S60‧‧‧步驟
S65‧‧‧步驟
S70‧‧‧步驟
S80‧‧‧步驟
S90‧‧‧步驟
S95‧‧‧步驟
X‧‧‧軸方向
Y‧‧‧軸方向
Z‧‧‧軸方向
圖1係例示第1實施形態之模具之俯視圖。 圖2(A)及(B)係例示第1實施形態之模具及轉移成型裝置之剖面圖。 圖3係表示將第1實施形態之模具及轉移成型裝置閉合之狀態之剖面圖。 圖4係表示第1實施形態之成型裝置之動作例之流程圖。 圖5(A)及(B)係表示第1及第2感測器檢測樹脂材料時之情形之剖面圖。 圖6(A)~(F)係表示第1及第2開閉部之配置之俯視圖。 圖7(A)及(B)係例示第2實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。 圖8(A)~(D)係例示第3實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。 圖9係例示第3實施形態之轉移成型裝置之動作之流程圖。 圖10(A)~(E)係例示第4實施形態之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。 圖11(A)~(D)係例示變化例1之模具及轉移成型裝置之局部性之剖面圖。 圖12係表示第4實施形態之變化例2之轉移成型裝置之動作例之流程圖。 圖13係例示第5實施形態之模具之俯視圖。 圖14(A)及(B)係表示第6實施形態之模具及壓縮成型裝置之構成例之剖面圖及俯視圖。

Claims (5)

  1. 一種模具,其包括: 第1面,其與被處理基板之表面相接; 模腔部,其於遠離上述第1面之第1方向後退,供導入樹脂材料; 排氣口部,其於上述第1方向後退且較上述模腔部更接近上述第1面,與上述模腔部連通,成為上述模腔部內之氣體之排出路徑; 吸引部,其於上述第1方向後退且較上述排氣口部更遠離上述第1面,與上述排氣口部連通; 第1開閉部,其設置於上述排氣口部與上述吸引部之間,將上述排出路徑開閉或窄小化;及 第2開閉部,其設置於上述第1開閉部與上述吸引部之間,將上述排出路徑開閉。
  2. 如請求項1之模具,其更具備感測器,該感測器檢測上述模具之溫度、上述樹脂材料之壓力、上述排出路徑之反射光強度或透過光強度、上述第1開閉部為關閉狀態或自窄小化起之時間之至少1個參數。
  3. 如請求項1或2之模具,其更具備第3開閉部,該第3開閉部設置於上述第2開閉部與上述吸引部之間,根據上述第2開閉部之動作而將上述排出路徑開閉。
  4. 如請求項1或2之模具,其中上述排氣口部能夠於上述第1方向或上述第1方向之相反方向動作。
  5. 如請求項1或2之模具,其更具備驅動部,該驅動部配置於上述模具之外壁,且驅動上述第1及第2開閉部。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6499105B2 (ja) * 2016-03-11 2019-04-10 東芝メモリ株式会社 金型
JP6576862B2 (ja) * 2016-03-16 2019-09-18 東芝メモリ株式会社 トランスファ成型装置
JP6981935B2 (ja) * 2018-08-23 2021-12-17 アピックヤマダ株式会社 モールド金型及びそれを備えた樹脂モールド装置
KR102545290B1 (ko) * 2018-08-29 2023-06-16 삼성전자주식회사 반도체 패키지 몰딩 장치
US11114313B2 (en) * 2019-05-16 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer level mold chase
JP7386548B2 (ja) * 2021-08-04 2023-11-27 株式会社笠原成形所 射出成形機
US11955347B2 (en) * 2021-12-02 2024-04-09 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Encapsulation process for double-sided cooled packages
WO2023114049A1 (en) * 2021-12-13 2023-06-22 Barnes Group Inc. Injection molding device and method

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5397230A (en) * 1993-08-04 1995-03-14 Gencorp Inc. Vent apparatus for an injection mold
JP3423766B2 (ja) * 1994-03-11 2003-07-07 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型装置
JPH10256287A (ja) 1997-03-17 1998-09-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置
JP3510554B2 (ja) 2000-02-10 2004-03-29 山形日本電気株式会社 樹脂モールド方法、モールド成形用金型及び配線基材
JP4243177B2 (ja) * 2003-12-22 2009-03-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US7351611B2 (en) * 2004-02-20 2008-04-01 Carsem (M) Sdn Bhd Method of making the mould for encapsulating a leadframe package
US7481642B2 (en) * 2004-04-23 2009-01-27 Husky Injection Molding Systems Ltd. Method and apparatus for controlling a vent gap with active material elements
JP5044366B2 (ja) * 2007-11-02 2012-10-10 株式会社ブイテックス 真空ゲートバルブおよびこれを使用したゲート開閉方法
JP5140517B2 (ja) * 2008-08-07 2013-02-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP2010165938A (ja) 2009-01-16 2010-07-29 Sony Corp 樹脂封止装置
TWI523164B (zh) * 2010-11-25 2016-02-21 山田尖端科技股份有限公司 樹脂模塑裝置
JP5776094B2 (ja) * 2011-03-15 2015-09-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
KR20130100526A (ko) * 2012-03-02 2013-09-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지 제조장치
JP6058431B2 (ja) * 2013-03-08 2017-01-11 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置、および樹脂モールド方法
JP6111459B2 (ja) * 2013-05-09 2017-04-12 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置
JP6062810B2 (ja) 2013-06-14 2017-01-18 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置
JP5971270B2 (ja) * 2014-02-27 2016-08-17 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
KR102376487B1 (ko) * 2015-02-12 2022-03-21 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 장치 및 그 제조 방법
JP6499105B2 (ja) 2016-03-11 2019-04-10 東芝メモリ株式会社 金型
JP6576862B2 (ja) * 2016-03-16 2019-09-18 東芝メモリ株式会社 トランスファ成型装置

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