KR102071561B1 - 반도체 패키지용 몰딩 장치 - Google Patents

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KR102071561B1 KR1020190120649A KR20190120649A KR102071561B1 KR 102071561 B1 KR102071561 B1 KR 102071561B1 KR 1020190120649 A KR1020190120649 A KR 1020190120649A KR 20190120649 A KR20190120649 A KR 20190120649A KR 102071561 B1 KR102071561 B1 KR 102071561B1
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Abstract

본 발명은 반도체 패키지용 몰딩 장치에 관한 것이다. 본 발명에서 가동측에는 상면에 반도체 칩이 실장된 기판(P)이 안착되는 하부 캐비티(210)가 구비되는 하부 몰드(200)가 설치된다. 상기 가동측과 마주보는 고정측 상부에는 상기 반도체 칩과 대응되는 위치에 상부 캐비티(310)가 구비되는 상부 몰드(300)가 설치된다. 상기 상부 몰드(300)의 가장자리를 따라서는 상기 상부 캐비티(310)와 하부 캐비티(210) 사이에 존재하는 기체가 외부로 방출되도록 에어벤트부(400)가 형성된다. 상기 에어벤트부(400)는 상기 상부 캐비티(310)와 인접한 위치에 형성되는 제 1에어 벤트(410) 및 일측이 상기 제 1에어 벤트(410)와 연통되고, 타측이 외부와 연통되는 제 2에어 벤트(420)로 구성된다. 상기 제 1에어 벤트(410)의 깊이는 상기 제 2에어 벤트(420)의 깊이보다 더 깊게 형성된다. 이와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 상기 상부 및 하부 캐비티 내 기체가 원활한 배출이 이루어질 수 있으므로 레진 플래시 및 보이드 발생을 용이하게 방지할 수 있는 이점이 있다.

Description

반도체 패키지용 몰딩 장치{MOLDING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 패키지용 몰딩 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상부 몰드에 형성된 에어벤트부를 통해 캐비티 내부 기체만 외부로 용이하게 배출될 수 있도록 구성되는 반도체 패키지용 몰딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지 제조 공정에 있어서 몰딩(molding) 공정은 리드프레임(leadframe) 또는 인쇄회로기판(printed circuit board)과 같은 기판에 반도체 칩이 실장되어 전기적인 연결이 완료된 상태의 패키지 반제품에 대하여 물리적 또는 화학적인 외부 환경으로부터의 보호를 위하여 반도체 칩과 전기적인 연결 부위를 밀봉하는 공정이다.
상기 몰딩 공정은 대부분 경제성과 양산성이 뛰어나고 내흡수성이 우수한 에폭시 몰딩 컴파운드(epoxy molding compound)를 사용하는 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 방식이 널리 사용되고 있다.
트랜스퍼 몰딩 방식은 고체 상태인 에폭시 몰딩 컴파운드의 펠릿(pellet)을 열을 가하여 용융시켜 일정한 점도를 가지게 한 후 패키지 반제품이 안착된 몰딩 금형의 캐비티(cavity)로 주입하고 경화시켜 패키지 반제품의 일정 부분을 밀봉하는 방식이다.
상기와 같은 트랜스퍼 몰딩 방식의 반도체 패키지 제조 장치의 구조를 간단히 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조 장치(1)는 고정측에 구비되는 상부 금형 어셈블리(10)와 가동측에 구비되는 하부 금형 어셈블리(20)로 구성된다.
하부 금형 어셈블리(20)는 에폭시 몰딩 컴파운드(이하 '컴파운드'라 칭함)가 펠릿 상태로 공급되어 용융되는 포트(22)가 형성된 센터 블록(24)을 중심으로 양쪽 주변에 패키지 반제품(LF)이 탑재되는 복수의 하부 캐비티(26)가 배치되는 구조이다.
그리고 상부 금형 어셈블리(10)는 상기 포트(22)에 대응되는 컬(cull)(12)이 형성된 컬 블록(14)을 중심으로 상부 캐비티(16)가 배치되는 구조이다. 상기 포트(22) 내에는 용융된 컴파운드(C)를 가압하여 상부 및 하부 캐비티(16, 26)로 공급시키는 플런저(plunger)(30)가 상하 이동 가능하도록 설치된다.
또한, 도시되지는 않았지만 상기 하부 캐비티(26) 내부에 진공 라인이 형성되고, 그에 연결되어 패키지 반제품(LF)을 흡입하는 진공구멍이 형성된다. 이때, 진공 라인은 진공 펌프(vacuum pump)와 연결되어 진공 흡입력이 인가된다.
이와 같은 구조는 최근 반도체 소자의 대용량화와 소형화에 대한 소비자의 요구에 따른 패키지 제품의 두께가 얇아지는 것으로 인하여 몰딩 과정에서 가해지는 고열에 의해 휨 및 그로 인한 몰딩 불량의 발생을 방지하기 위한 것이다. 이에 따라 몰딩 과정에서 리드 프레임이 하부 캐비티(26)에 밀착될 수 있다.
그러나 컴파운드(C)의 반응성과 내부 소자를 형성한 구조의 복잡성에 의하여 공정의 설계와 원료 선정 등의 매우 복합적인 성격을 지니게 되고, 와이어 변형이나 다이패드 이동과 같은 불량이 발생한다. 또한, 보이드(void)의 형성도 반도체 패키지를 트랜스퍼 몰딩에 의하여 생산 시에 발생하는 대표적인 불량 중 하나이다.
보이드는 고형 컴파운드의 내부에 초기 상태부터 함유되어 있던 기체와 컴파운드 조성 시에 포함된 휘발성 물질 또는 성형 시에 런너 및 캐비티 내부에 잔류한 기체가 원인이 되어 발생하는 것으로 알려져 있다.
이와 같이 보이드를 형성한 기체와 캐비티 내부의 잔류 공기를 제거하기 위한 방편으로 몰딩 장치에 에어 벤트(air vent)(40)를 형성한다. 반도체 패키지의 종류에 따라 정확한 위치는 차이가 있으나 에어 벤트(40)는 일반적으로 컴파운드(C)가 공급되는 포트(22)와 반대편에 위치하는 것이 보통이다.
하지만, 상기 에어 벤트(40)의 깊이가 지나치게 깊으면 과도한 레진 플래시(Resin Flash)가 발생할 가능성이 높고 지나치게 낮으면 캐비티(16, 26) 내부의 기체와 잔류공기가 배출되지 못해, 보이드가 발생할 수 있는 문제점이 있다.
따라서 기체의 배출이 용이한 것과 동시에 보이드 및 레진 플래시의 발생을 방지할 수 있는 에어 밴트가 형성된 반도체 패키지용 몰딩 장치가 요구된다.
대한민국 등록특허공보 제10-0232501호(1999년 09월 06일 등록) 대한민국 공개실용신안 실2000-0012769호(2000년 07월 15일 공개)
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 발명된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 몰딩 공정 시 상부 및 하부 캐비티 내에 발생하는 보이드 및 레진 플래시를 방지할 수 있도록 구성되는 반도체 패키지용 몰드 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치에 따르면, 가동측에 설치되고, 상면에 반도체 칩이 실장된 기판이 안착되는 하부 캐비티가 구비되는 하부 몰드; 상기 가동측과 마주보는 고정측 상부에 설치되고, 상기 반도체 칩과 대응되는 위치에 상부 캐비티가 구비되는 상부 몰드; 및 상기 상부 캐비티와 하부 캐비티 사이에 존재하는 기체가 외부로 방출되도록 상기 상부 몰드의 가장자리를 따라 형성되는 에어벤트부;를 포함하고, 기 에어벤트부는, 상기 상부 캐비티와 인접한 위치에 형성되는 제 1에어 벤트 및 일측이 상기 제 1에어 벤트와 연통되고, 타측이 외부와 연통되는 제 2에어 벤트로 구성되고, 상기 제 1에어 벤트의 깊이는 상기 제 2에어 벤트의 깊이보다 더 깊게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1에어 벤트는, 복수 개가 서로 소정 간격 이격되어 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 2에어 벤트는 각각의 상기 제 1에어 벤트에 적어도 하나 이상 연통되게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 하부 몰드의 가장자리를 따라서 하부 벤트가 형성되고, 상기 하부 벤트의 깊이는 상기 제 1에어 벤트의 깊이보다 덜 깊게 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1에어 벤트의 깊이는 상기 상부 및 하부 캐비티에 공급되는 에폭시 몰딩 컴파운드의 입자 크기보다 두 배 이상 세 배 이하인 것을 특징으로 한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치에 따르면, 에어벤트부의 제 1에어 벤트의 깊이는 제 2에어 벤트의 깊이보다 더 깊게 형성되므로, 에어벤트부는 기체의 배출 방향으로 체적이 점차 작아진다. 따라서 상기 상부 및 하부 캐비티 내 기체가 컴파운드의 충진압력에 비례하여 원활한 배출이 이루어질 수 있으므로 레진 플래시 및 보이드 발생을 용이하게 방지할 수 있는 효과가 있다.
그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치에 따르면, 제 1에어 벤트 및 제 2에어 벤트의 깊이는 컴파운드의 입자 크기에 따라 형성될 수 있으므로, 컴파운드의 입자가 크거나 작아도 기체나 공기만 캐비티 외부로 배출 할 수 있어 내부 보이드 발생을 효과적으로 줄일 수 있는 효과도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치에 따르면, 제 2에어 벤트의 깊이가 컴파운드의 입자 크기보다 절반 이하로 형성되므로, 컴파운드가 캐비티 외부로 배출되지 않는다. 따라서 반도체 패키지 제조 시 컴파운드 주입 압력을 일정하게 유지할 수 있는 효과도 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 장치의 일부 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 일부 구성을 나타내는 개략단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 고정측 상부 에어벤트부의 상세도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 가동측 하부 벤트의 상세도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. 각 도면에서 동일한 또는 대응하는 구성요소에는 동일한 참조 번호를 부여하였다.
도 2에는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 구성이 사시도로 도시되어 있고, 도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지용 몰딩 장치의 일부 구성이 개략단면도로 도시되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장치(100)는 가동측에 구비되는 하부 몰드(200)와 고정측에 구비되는 상부 몰드(300)로 크게 구성된다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 하부 몰드(200)는 에폭시 몰딩 컴파운드(이하 '컴파운드'라 칭함)가 펠릿 상태로 공급되어 용융되는 포트(202)가 형성된 센터 블록(204)을 중심으로 양쪽 주변에 패키지 반제품, 예를 들어 반도체 칩이 실장된 기판(P)이 안착되는 하부 캐비티(210)가 배치되는 구조이다.
상기 포트(202) 내에는 용융된 컴파운드(C)를 가압하여 하부 캐비티(210) 및 상부 캐비티(310)로 공급시키는 플런저(미도시)가 상하 이동 가능하도록 설치된다.
또한, 도시되지는 않았지만 상기 하부 캐비티(210) 내부에 진공 라인이 형성되고, 그에 연결되어 패키지 반제품을 흡입하는 진공구멍이 형성된다. 이때, 진공 라인은 진공 펌프(vacuum pump)와 연결되어 진공 흡입력이 인가된다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상부 몰드(300)는 상기 포트(202)에 대응하는 컬(cull)(301)이 형성된 컬 블록(303)을 중심으로 상부 캐비티(310)가 배치되는 구조이다. 상기 상부 캐비티(310)는 상기 반도체 칩의 형상과 대응되는 형상을 갖도록 형성된다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 상부 몰드(300)의 가장자리를 따라서는 에어벤트부(400)가 형성된다. 도 3을 기준으로 보았을 때, 상기 상부 캐비티(310)를 중심으로, 좌측에는 컬(301)이 형성되고, 우측에는 에어벤트부(400)가 형성된다. 상기 에어벤트부(400)는 상기 상부 캐비티(310)와 하부 캐비티(210) 사이에 존재하는 기체가 외부로 방출되도록 상기 상부 몰드의 가장자리를 따라 형성된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 에어벤트부(400)는 상기 상부 몰드(300)를 평면으로 보았을 때 상기 상부 몰드(300)의 양측 가장자리에 복수 개가 서로 소정 간격 이격되어 형성된다. 이때, 상기 에어벤트부(400)는 컴파운드(C)가 흐르는 방향으로 형성되는 것이 바람직하다. 이는 컴파운드(C)가 흐르는 방향을 따라 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내부의 기체가 배출되도록 하기 위한 것이다.
본 실시예에서, 상기 에어벤트부(400)는 제 1에어 벤트(410) 및 제 2에어 벤트(420)로 구성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 1에어 벤트(410)는 상기 상부 캐비티(310)와 인접한 위치에 형성된다. 상기 제 1에어 벤트(410)는 복수 개가 서로 소정 간격 이격되어 형성된다. 상기 제 1에어 벤트(410)는 상기 상부 캐비티(310)와 연통된다. 상기 제 1에어 벤트(410)의 폭은 아래에서 설명될 제 2에어 벤트(420)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 이는 제 1에어 벤트(410)의 체적을 제 2에어 벤트(420)의 체적보다 크게 형성하기 위함이다.
상기 제 1에어 벤트(410)의 깊이(D)는 상기 컴파운드(C)의 입자 크기보다 두 배 이상 세 배 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 컴파운드(C)의 입자 크기가 약 0.020mm 일 때, 상기 제 1에어 벤트(410)의 깊이(D)는 컴파운드(C) 입자 크기의 두 배 이상 세 배 이하인 0.045 이상 mm 내지 0.050mm로 형성될 수 있다.
이는 상기 제 1에어 벤트(410)를 통해 기체만 원활하게 빠져나가게 하는 것과 동시에 상기 제1에어 벤트(410)의 깊이에 의해 레진 플래쉬(Resin flash :컴파운드 누수 현상)가 발생하는 것을 방지하기 위함이다.
상기 제 2에어 벤트(420)의 일측은 상기 제 1에어 벤트(410)와 연통되고, 타측은 상기 상부 몰드(300)의 외부와 연통된다. 즉, 상기 제 1 및 제 2에어 벤트(410, 420)를 순차적으로 통해 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내의 기체가 빠져나가면서 보이드가 발생되는 것이 방지된다.
상기 제 2에어 벤트(420)는 상기 제 1에어 벤트(410)에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 2에어 벤트(420)는 이젝트 핀(미도시)이나 기타 작업에 필요한 핀의 위치를 회피하여 복수 개가 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제 2에어 벤트(420)의 깊이(d)는 상기 컴파운드(C) 입자 크기의 절반 이하, 즉, 컴파운드(C) 입자 크기의 25% 이상 40% 이하로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 컴파운드(C) 입자 크기가 약 0.020mm 일 때, 상기 제 2에어 벤트(420)의 깊이(d)는 컴파운드(C) 입자 크기 절반 이하인 0.005mm 내지 0.008mm로 형성될 수 있다. 이는 25% 이하이면 공기가 원활하게 빠져나오지 못해 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내의 압력이 높아지며 보이드가 발생할 수 있고, 40% 이상이면 레진 플래시가 발생할 수 있기 때문이다.
이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 실시예의 효과에 있어서, 종래 기술과 비교하여 보면 아래 표 1과 같다.
항목 본원 발명 종래 기술
레진 플래시 발생률 50% 이상 감소 1.0
보이드(Void) 발생률 90% 이상 감소 1.0
불완전 성형 0% 1.0
캐비티 내의 압력 차이 15% 이상 감소 1.0
본 실시예에서, 상기 제 1 및 제 2에어 벤트(410, 420)은 도 3에 도시된 바와 같이, 기체의 배출 방향으로 체적이 점차 작아지게 형성됨으로써, 상기 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내 기체가 컴파운드(C)의 충진압력에 비례하여 원활한 배출이 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내의 보이드 발생을 억제하여 고품질의 반도체 패키지를 제공할 수 있다. 또한, 컴파운드(C)의 주입 압력을 일정하게 유지할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제 1에어 벤트(410) 및 제 2에어 벤트(420)의 깊이는 컴파운드(C)의 입자 크기에 따라 가변되어 제작될 수 있다. 따라서 컴파운드(C)의 입자가 크거나 작아도 제 1 및 제 2에어 벤트(410, 420)의 체적을 가변시켜, 기체나 공기만 캐비티 외부로 배출 할 수 있으므로 내부 보이드 발생을 효과적으로 줄일 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 제 1에어 벤트(410) 사이에는 보조 벤트가 형성될 수 있다. 상기 보조벤트의 일측은 상기 상부 캐비티(310)에 연결되고, 타단은 상기 상부 몰드(300)의 외부와 연결된다. 상기 보조 벤트의 깊이는 상기 제 2에어 벤트(420)의 깊이와 동일한 깊이로 형성될 수 있다. 상기 보조 벤트는 상기 에어벤트부(400)와 함께 보이드 발생을 방지하는 역할을 한다. 본 실시예에서, 상기 보조 벤트는 인덱스 홀이 형성되지 않은 상부 몰드에 적용될 수 있다. 여기서 인덱스 홀은 몰딩 후 다음 공정에서 필요한 홀이며, 피치(PITCH) 이송 및 정확한 위치 결정을 하는 홀로, 일반적으로 상부 몰드(300)의 가장자리를 따라 복수 개 형성된다.
한편, 본 실시예에서, 상기 하부 몰드(200)에는 에어벤트부가 형성되지 않지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 몰드(200)에는 하부 벤트(430)가 형성될 수 있다. 상기 하부 벤트(430)는 복수 개가 서로 이격되어 형성될 수 있다. 상기 하부 벤트(430)는 상기 에어벤트부(400)와 함께 상부 및 하부 캐비티(310, 210) 내의 기체가 외부로 배출되도록 하는 부분이다. 본 실시예에서, 상기 하부 벤트(430)의 깊이는 상기 제 1에어 벤트(410)의 깊이보다 덜 깊게 형성될 수 있다. 이는 레진 플래시 및 보이드를 방지하기 위함이다.
한편, 본 실시예에서, 상기 상부 캐비티(310)의 높이는 하부 캐비티(210)의 높이보다 상대적으로 높게 형성될 수 있다. 이는 컴파운드가 하부 및 상부 캐비티(210, 310)로 흐를 때 상부 캐비티(210)를 흐르는 컴파운드 유속이 하부 캐비티(210)를 흐르는 컴파운드 유속보다 빠르다. 그러나 상부 캐비티(310)를 흐르는 컴파운드는 기체가 배출되도록 형성된 에어벤트부(400) 위치에서 잠시 머물게 되므로, 속도가 지연된다. 그러나 하부 캐비티(210)의 특성 상 상대적으로 체적이 작기 때문에 유속이 빨라 상부와 채워지는 속도는 거의 동일하다.
따라서, 하부 및 상부 캐비티(210, 310)를 통해 흐르는 컴파운드가 에어벤트부(400) 방향으로 거의 동일한 시간에 도착하게 되므로, 하부 및 상부 캐비티(210, 310) 내부의 기체가 에어벤트부(400)를 통해 완전히 배출될 수가 있게 되어, 패키지에 보이드가 발생되는 것이 방지된다.
한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100: 반도체 패키지용 몰딩 장치
200: 하부 몰드 202: 포트
204: 센터 블록 210: 하부 캐비티
300: 상부 몰드 301: 컬
303: 컬 블록 310: 상부 캐비티
400: 에어벤트부 410: 제 1에어 벤트
420: 제 2에어 벤트 430: 하부 벤트

Claims (5)

  1. 가동측에 설치되고, 상면에 반도체 칩이 실장된 기판이 안착되는 하부 캐비티가 구비되는 하부 몰드;
    상기 가동측과 마주보는 고정측 상부에 설치되고, 상기 반도체 칩과 대응되는 위치에 상부 캐비티가 구비되는 상부 몰드; 및
    상기 상부 캐비티와 하부 캐비티 사이에 존재하는 기체가 외부로 방출되도록 상기 상부 몰드의 가장자리를 따라 형성되는 에어벤트부;를 포함하고,
    상기 에어벤트부는,
    상기 상부 캐비티와 인접한 위치에 형성되는 제 1에어 벤트 및
    일측이 상기 제 1에어 벤트와 연통되고, 타측이 외부와 연통되는 제 2에어 벤트로 구성되고,
    상기 제 1에어 벤트의 깊이는 상기 제 2에어 벤트의 깊이보다 더 깊게 형성되며,
    상기 제 1에어 벤트의 폭은 상기 제 2에어 벤트의 폭보다 크게 형성되고,
    상기 제 1에어 벤트의 깊이는 상기 상부 및 하부 캐비티에 공급되는 에폭시 몰딩 컴파운드의 입자 크기보다 두 배 이상 세 배 이하이며,
    상기 제 2에어 벤트의 깊이는 에폭시 몰딩 컴파운드의 입자 크기의 25% 이상 40% 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1에어 벤트는,
    복수 개가 서로 소정 간격 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2에어 벤트는 각각의 상기 제 1에어 벤트에 적어도 하나 이상 연통되게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 몰드의 가장자리를 따라서 하부 벤트가 형성되고,
    상기 하부 벤트의 깊이는 상기 제 1에어 벤트의 깊이보다 덜 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 몰딩 장치.
  5. 삭제
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