JP5253973B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は配線基板又はリードフレームの部分に応じてマスクをすることで疎水性大気圧プラズマ処理と親水性大気圧プラズマ処理を行ったが、製品により親水性大気圧プラズマ処理だけであってもよい。
14 ランナー部
14A 金メッキ部(ランナー部)
17 電子部品(半導体チップ)
20 第1マスク
30、50 大気圧プラズマ装置
24 突出部
40 第2マスク
44 凹部
Claims (5)
- 配線基板の表面のランナー部を遮蔽して前記ランナー部以外の部分を露出するマスクを介した大気圧プラズマ処理によって前記ランナー部以外の部分を親水性に改質するステップと、
前記配線基板の表面のランナー部以外の部分を遮蔽して前記ランナー部を露出するマスクを介した大気圧プラズマ処理によって前記ランナー部を疎水性に改質するステップと、
電子部品を前記ランナー部以外の部分に搭載した前記配線基板を成形金型に搭載して型締めした後で前記ランナー部から溶融樹脂を注入して前記配線基板上の前記電子部品を樹脂封止するステップと、
前記配線基板の前記ランナー部から不要樹脂を除去するステップと、
を有することを特徴する半導体装置の製造方法。 - 前記ランナー部と前記不要樹脂との間には金メッキが施されていないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記親水性に改質するステップの後に、前記電子部品を前記配線基板に搭載することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記親水性に改質するステップの前に、前記電子部品を前記配線基板に搭載することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- リードフレームの表面のランナー部を遮蔽して前記ランナー部以外の部分を露出するマスクを介した大気圧プラズマ処理によって前記ランナー部以外の部分を親水性に改質するステップと、
前記リードフレームの表面のランナー部以外の部分を遮蔽して前記ランナー部を露出するマスクを介した大気圧プラズマ処理によって前記ランナー部を疎水性に改質するステップと、
電子部品を前記ランナー部以外の部分に搭載した前記リードフレームを成形金型に搭載して型締めした後で前記ランナー部から溶融樹脂を注入して前記リードフレーム上の前記電子部品を樹脂封止するステップと、
前記リードフレームの前記ランナー部から不要樹脂を除去するステップと、
を有することを特徴する半導体装置の製造方法。
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