JPH11198187A - トランスファ成形装置 - Google Patents
トランスファ成形装置Info
- Publication number
- JPH11198187A JPH11198187A JP10238582A JP23858298A JPH11198187A JP H11198187 A JPH11198187 A JP H11198187A JP 10238582 A JP10238582 A JP 10238582A JP 23858298 A JP23858298 A JP 23858298A JP H11198187 A JPH11198187 A JP H11198187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer molding
- port
- molding apparatus
- resin
- molding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 90
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- ZKFQEACEUNWPMT-UHFFFAOYSA-N Azelnidipine Chemical compound CC(C)OC(=O)C1=C(C)NC(N)=C(C(=O)OC2CN(C2)C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C1C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 ZKFQEACEUNWPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229950004646 azelnidipine Drugs 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形金型の内部に残留する空気を効率良く排
出でき、樹脂の流動性を向上させ、製品の信頼性を向上
させるトランスファ成形装置を提供する。 【解決手段】 樹脂を充填させる上部及び下部キャビテ
ィ２５、２６をお互い嵌合するように形成した上部金型
２１及び下部金型２２と、下部キャビティ２６に連通し
て且つ上部及び下部キャビティ２５、２６に樹脂を供給
するランナー２３と、このランナー２３と対向するよう
に下部キャビティ２６に連通させて空気を排出するエア
ベント２８と、樹脂をランナー２３に導入するポート１
５とを備えた成形金型を設け、ポート１５内の樹脂を押
し上げるために垂直運動するプランジャ１７を有し、ポ
ート１５と対向して嵌合する金型の嵌合面に形成してポ
ート１５より大きい直径を有する凹部と、この凹部の中
央に突設する突出部３４とを有するカルブロック３０を
さらに設ける。
出でき、樹脂の流動性を向上させ、製品の信頼性を向上
させるトランスファ成形装置を提供する。 【解決手段】 樹脂を充填させる上部及び下部キャビテ
ィ２５、２６をお互い嵌合するように形成した上部金型
２１及び下部金型２２と、下部キャビティ２６に連通し
て且つ上部及び下部キャビティ２５、２６に樹脂を供給
するランナー２３と、このランナー２３と対向するよう
に下部キャビティ２６に連通させて空気を排出するエア
ベント２８と、樹脂をランナー２３に導入するポート１
５とを備えた成形金型を設け、ポート１５内の樹脂を押
し上げるために垂直運動するプランジャ１７を有し、ポ
ート１５と対向して嵌合する金型の嵌合面に形成してポ
ート１５より大きい直径を有する凹部と、この凹部の中
央に突設する突出部３４とを有するカルブロック３０を
さらに設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファ成形
装置に係り、より詳しくは樹脂をポートからランナーを
介してキャビティに充填する成形金型を備えたトランス
ファ成形装置に関する。
装置に係り、より詳しくは樹脂をポートからランナーを
介してキャビティに充填する成形金型を備えたトランス
ファ成形装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体組立工程において、ワイヤボンデ
ィング工程を経た半導体チップ付きのリードフレーム
は、そのリードフレームに実装されている半導体素子の
電気的機能を外部環境から保護するために成形樹脂で封
止する工程を実行している。このような工程を成形工程
という。半導体素子は、表面が酸化膜及び有機膜でコー
トされているが、これらの膜は機械的且つ化学的に弱い
ため、成形工程により半導体素子を成形樹脂で封止する
ことにより保護するとともに、リードフレームと半導体
チップとの間の電気的接続状態を維持するように形成さ
れている。一般に、このような成形工程では、封止樹脂
としてエポキシ成形樹脂を用いたトランスファ成形装置
が主に使用されている。このトランスファ成形装置は、
多ピン化、パッケージ外径の精密、及び大量生産に適合
している。
ィング工程を経た半導体チップ付きのリードフレーム
は、そのリードフレームに実装されている半導体素子の
電気的機能を外部環境から保護するために成形樹脂で封
止する工程を実行している。このような工程を成形工程
という。半導体素子は、表面が酸化膜及び有機膜でコー
トされているが、これらの膜は機械的且つ化学的に弱い
ため、成形工程により半導体素子を成形樹脂で封止する
ことにより保護するとともに、リードフレームと半導体
チップとの間の電気的接続状態を維持するように形成さ
れている。一般に、このような成形工程では、封止樹脂
としてエポキシ成形樹脂を用いたトランスファ成形装置
が主に使用されている。このトランスファ成形装置は、
多ピン化、パッケージ外径の精密、及び大量生産に適合
している。
【０００３】以下、添付図面を参照して従来のトランス
ファ成形装置を説明する。図８乃至図１０は、従来のト
ランスファ成形装置を用いた成形工程の段階を示す図で
ある。図８は、エポキシ成形樹脂が成形金型に注入され
る前の状態を示し、図９は、エポキシ成形樹脂が注入さ
れる状態を示し、図１０は、エポキシ成形樹脂が注入さ
れた後の状態を示している。
ファ成形装置を説明する。図８乃至図１０は、従来のト
ランスファ成形装置を用いた成形工程の段階を示す図で
ある。図８は、エポキシ成形樹脂が成形金型に注入され
る前の状態を示し、図９は、エポキシ成形樹脂が注入さ
れる状態を示し、図１０は、エポキシ成形樹脂が注入さ
れた後の状態を示している。
【０００４】図８に示すように、従来のトランスファ成
形装置５０は、上部金型６１と下部金型６２とにより構
成される成形金型６０を備えている。この成形金型６０
には、ワイヤボンディング済みの半導体チップ付きリー
ドフレームが下部金型６１と上部金型６２との間のキャ
ビティ６７に搭載され、成形樹脂タブレット４５をポー
ト５５に供給するように形成されている。図９に示すよ
うに、成形樹脂タブレット４５が溶融した液状樹脂４６
は、プランジャ５７により成形金型６０のランナー６３
を介してキャビティ６７に注入される。そして、液状樹
脂４６は、液状樹脂４６を硬化することにより、半導体
チップ４１、ボンディングワイヤ４２、及びリードフレ
ーム４０部分を封止して外部環境から保護する。
形装置５０は、上部金型６１と下部金型６２とにより構
成される成形金型６０を備えている。この成形金型６０
には、ワイヤボンディング済みの半導体チップ付きリー
ドフレームが下部金型６１と上部金型６２との間のキャ
ビティ６７に搭載され、成形樹脂タブレット４５をポー
ト５５に供給するように形成されている。図９に示すよ
うに、成形樹脂タブレット４５が溶融した液状樹脂４６
は、プランジャ５７により成形金型６０のランナー６３
を介してキャビティ６７に注入される。そして、液状樹
脂４６は、液状樹脂４６を硬化することにより、半導体
チップ４１、ボンディングワイヤ４２、及びリードフレ
ーム４０部分を封止して外部環境から保護する。
【０００５】また、トランスファ成形装置５０は、液状
樹脂４６の流動を容易にするため、上部金型６１におけ
るポート５５と対向する位置にカルブロック（ｃｕｌｌ
ｂｌｏｃｋ：流動ブロック）７０を設けてある。
樹脂４６の流動を容易にするため、上部金型６１におけ
るポート５５と対向する位置にカルブロック（ｃｕｌｌ
ｂｌｏｃｋ：流動ブロック）７０を設けてある。
【０００６】エポキシ成形樹脂４５は、タブレットの形
態でトランスファ成形装置５０のポート５０に供給され
る。そして、エポキシ成形樹脂４５がポート５５に供給
された後、ヒーター５９により加熱プレート５２が加熱
される。加熱されたプレート５２により固体状のエポキ
シ成形樹脂４５が溶融されてゼル状態の液状樹脂４６と
なる。この際、タブレット内に存在する空気と、固体状
から溶融してゼル状態に変化する時に吸収された空気と
が、ゼル状態の成形樹脂４６内に存在することになる。
態でトランスファ成形装置５０のポート５０に供給され
る。そして、エポキシ成形樹脂４５がポート５５に供給
された後、ヒーター５９により加熱プレート５２が加熱
される。加熱されたプレート５２により固体状のエポキ
シ成形樹脂４５が溶融されてゼル状態の液状樹脂４６と
なる。この際、タブレット内に存在する空気と、固体状
から溶融してゼル状態に変化する時に吸収された空気と
が、ゼル状態の成形樹脂４６内に存在することになる。
【０００７】これらの空気は、プランジャ５７の上昇運
動によりエポキシ成形樹脂４６がランナー６３を介して
キャビティ６７に注入される際、エポキシ成形樹脂４６
と一緒にキャビティ６７に注入される。そして、注入が
完了してエポキシ成形樹脂４６が硬化されると、図１０
に示すように、空気４８は成形金型６０と封止部とが接
する境界面に残存するか、封止部の内部に残存してボイ
ド４９を形成する。この封止部内の空気の大部分は、ラ
ンナーと対向するエアベント６８を介して排出される
か、または、この空気が封止部内に残存することもあ
る。
動によりエポキシ成形樹脂４６がランナー６３を介して
キャビティ６７に注入される際、エポキシ成形樹脂４６
と一緒にキャビティ６７に注入される。そして、注入が
完了してエポキシ成形樹脂４６が硬化されると、図１０
に示すように、空気４８は成形金型６０と封止部とが接
する境界面に残存するか、封止部の内部に残存してボイ
ド４９を形成する。この封止部内の空気の大部分は、ラ
ンナーと対向するエアベント６８を介して排出される
か、または、この空気が封止部内に残存することもあ
る。
【０００８】この種の空気は、パッケージの封止部と成
形金型との境界面において不完全成形を引き起こすか、
またはパッケージの封止部内においてボイドを形成して
熱によるストレスが生ずることによりパッケージクラッ
クを引き起こすという不具合があった。これは、パッケ
ージの信頼性に悪影響を及ぼしてしまう。
形金型との境界面において不完全成形を引き起こすか、
またはパッケージの封止部内においてボイドを形成して
熱によるストレスが生ずることによりパッケージクラッ
クを引き起こすという不具合があった。これは、パッケ
ージの信頼性に悪影響を及ぼしてしまう。
【０００９】特に、従来のトランスファ成形装置５０で
は、カルブロック７０とポート５５との間の空間７８に
発生する空気は上部金型６１と下部金型６２とが嵌合さ
れてプランジャ５７によって上昇する際、エアベント６
８を介して完全に排出させることが困難になる。固体状
のエポキシ成形樹脂４５がゼル状態に変化しつつ容積が
増加し、空間７８内の空気が完全に排出される前に、図
９に示すように、液状の成形樹脂４６がランナー６３内
に充填するからである。これにより、プランジャ５７が
その動作を継続すると、空気４７が遅れてランナー６３
に導入され、エアベント６８を介して排出される前に液
状樹脂４６が硬化する。プランジャ５７がカルブロック
７０の凹部７２に完全に密着するまでは、空気の完全な
排出が成されない状態になる。このため、不完全成形や
ボイドの発生が多発する。
は、カルブロック７０とポート５５との間の空間７８に
発生する空気は上部金型６１と下部金型６２とが嵌合さ
れてプランジャ５７によって上昇する際、エアベント６
８を介して完全に排出させることが困難になる。固体状
のエポキシ成形樹脂４５がゼル状態に変化しつつ容積が
増加し、空間７８内の空気が完全に排出される前に、図
９に示すように、液状の成形樹脂４６がランナー６３内
に充填するからである。これにより、プランジャ５７が
その動作を継続すると、空気４７が遅れてランナー６３
に導入され、エアベント６８を介して排出される前に液
状樹脂４６が硬化する。プランジャ５７がカルブロック
７０の凹部７２に完全に密着するまでは、空気の完全な
排出が成されない状態になる。このため、不完全成形や
ボイドの発生が多発する。
【００１０】さらに、エアベント６８を介して空気排出
が遅れた場合、エアベント６８における成形樹脂の詰ま
り（フィルム現象（ｆｉｌｍ ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）
ともいう）を招いてしまう。エアベント６８における樹
脂の詰まりは、エアベント６８を介した空気の排出を妨
害し、成形工程での深刻な不良を引き起こす。
が遅れた場合、エアベント６８における成形樹脂の詰ま
り（フィルム現象（ｆｉｌｍ ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）
ともいう）を招いてしまう。エアベント６８における樹
脂の詰まりは、エアベント６８を介した空気の排出を妨
害し、成形工程での深刻な不良を引き起こす。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のトラ
ンスファ成形装置では、成形金型の空間内に残存する空
気が完全に排出されないため、不完全成形やボイド等が
発生してしまい製品の信頼性を低下させてしまう不具合
があった。また、エアベントを介して空気排出が遅れた
場合、エアベントにおける成形樹脂の詰まりを招いてし
まい、エアベントを介した空気の排出を妨害して成形工
程での深刻な不良を引き起こすため、生産効率を低下し
てしまうという不具合があった。従って、本発明はこの
ような課題を解決し、成形金型と半導体チップパッケー
ジの封止部との間の境界面に残留する空気を効率良く排
出できるトランスファ成形装置を提供することを目的と
する。また、本発明の他の目的は、エポキシ成形樹脂の
流動性を向上させるとともに、半導体チップパッケージ
の信頼性を向上させるトランスファ成形装置を提供する
ことを目的とする。
ンスファ成形装置では、成形金型の空間内に残存する空
気が完全に排出されないため、不完全成形やボイド等が
発生してしまい製品の信頼性を低下させてしまう不具合
があった。また、エアベントを介して空気排出が遅れた
場合、エアベントにおける成形樹脂の詰まりを招いてし
まい、エアベントを介した空気の排出を妨害して成形工
程での深刻な不良を引き起こすため、生産効率を低下し
てしまうという不具合があった。従って、本発明はこの
ような課題を解決し、成形金型と半導体チップパッケー
ジの封止部との間の境界面に残留する空気を効率良く排
出できるトランスファ成形装置を提供することを目的と
する。また、本発明の他の目的は、エポキシ成形樹脂の
流動性を向上させるとともに、半導体チップパッケージ
の信頼性を向上させるトランスファ成形装置を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するために、所定の樹脂を充填するキャビティ部
を嵌合により形成する上部金型及び下部金型と、キャビ
ティに連通して且つキャビティに樹脂を供給するランナ
ーと、このランナーと対向してキャビティに連通するよ
うに形成してキャビティ内の空気を排出するエアベント
と、樹脂をランナーに導入するポートとを備えた成形金
型を設け、ポートと対向して嵌合するように形成されて
ポートより大きい直径を有する凹部とこの凹部の中央に
突設する突出部とを備えたカルブロックをさらに設け
る。
を解決するために、所定の樹脂を充填するキャビティ部
を嵌合により形成する上部金型及び下部金型と、キャビ
ティに連通して且つキャビティに樹脂を供給するランナ
ーと、このランナーと対向してキャビティに連通するよ
うに形成してキャビティ内の空気を排出するエアベント
と、樹脂をランナーに導入するポートとを備えた成形金
型を設け、ポートと対向して嵌合するように形成されて
ポートより大きい直径を有する凹部とこの凹部の中央に
突設する突出部とを備えたカルブロックをさらに設け
る。
【００１３】ここで、成形金型は、上部金型と下部金型
とからなり、この上部金型と下部金型とが分離した状態
で半導体チップ付きリードフレームを搭載し、上部金型
と下部金型とを嵌合させてリードフレームを固定するこ
とが望ましい。また、突出部は、ポートと対向する先端
部に凹状の凹面を形成し、このポートの内径と同一の直
径に形成することが好ましい。また、成形金型は、セン
タゲート型であり、複数のポートと複数のカルブロック
とを形成することが好ましい。また、カルブロックの凹
部は、内周に複数の溝部を有し、この溝部の数はランナ
ーの数と同一であるとともに、溝部は上部金型と下部金
型とが嵌合する際にランナーと対応する嵌合面に形成す
ることが好ましい。また、溝部は、突出部を挟んで両側
に形成することが好ましい。また、突出部の外周面は、
ポートの内周面と同一の垂直線上に設けてあることが好
ましい。また、ポートは下部金型に形成され、前記カル
ブロックは前記上部金型に形成されて成形金型から着脱
可能に設けることが好ましい。
とからなり、この上部金型と下部金型とが分離した状態
で半導体チップ付きリードフレームを搭載し、上部金型
と下部金型とを嵌合させてリードフレームを固定するこ
とが望ましい。また、突出部は、ポートと対向する先端
部に凹状の凹面を形成し、このポートの内径と同一の直
径に形成することが好ましい。また、成形金型は、セン
タゲート型であり、複数のポートと複数のカルブロック
とを形成することが好ましい。また、カルブロックの凹
部は、内周に複数の溝部を有し、この溝部の数はランナ
ーの数と同一であるとともに、溝部は上部金型と下部金
型とが嵌合する際にランナーと対応する嵌合面に形成す
ることが好ましい。また、溝部は、突出部を挟んで両側
に形成することが好ましい。また、突出部の外周面は、
ポートの内周面と同一の垂直線上に設けてあることが好
ましい。また、ポートは下部金型に形成され、前記カル
ブロックは前記上部金型に形成されて成形金型から着脱
可能に設けることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、添図面を参照して本発明に
よるトランスファ成形装置の実施の形態を詳細に説明す
る。図１は、本発明によるトランスファ成形装置の実施
の形態を示す図である。
よるトランスファ成形装置の実施の形態を詳細に説明す
る。図１は、本発明によるトランスファ成形装置の実施
の形態を示す図である。
【００１５】図１に示すように、本発明によるトランス
ファ成形装置１０は、複数のプランジャを備えており、
上部プレート１３及び下部プレート１４からなるプレー
ト１２と、上部金型２１及び下部金型２２からなる成形
金型２０と、カルブロック３０と、複数のプランジャ１
７とを備えている。ここで、上部プレート１３と下部プ
レート１４とには、所定面に上部金型２１及び下部金型
２２を各々装着して固定している。この上部金型２１及
び下部金型２２は、封止される半導体チップパッケージ
の形状によって各々異なる形状の金型を複数備えてい
る。
ファ成形装置１０は、複数のプランジャを備えており、
上部プレート１３及び下部プレート１４からなるプレー
ト１２と、上部金型２１及び下部金型２２からなる成形
金型２０と、カルブロック３０と、複数のプランジャ１
７とを備えている。ここで、上部プレート１３と下部プ
レート１４とには、所定面に上部金型２１及び下部金型
２２を各々装着して固定している。この上部金型２１及
び下部金型２２は、封止される半導体チップパッケージ
の形状によって各々異なる形状の金型を複数備えてい
る。
【００１６】また、上部プレート１３及び下部プレート
１４には、成形金型２０を予熱するヒーター（図示せ
ず）が各々設けられている。成形金型２０は、半導体チ
ップ付きリードフレームを封止するために所定の深さと
形状とを備えて形成されたキャビティ２５、２６を所定
面に設けた上部金型２１及び下部金型２２を備えてい
る。
１４には、成形金型２０を予熱するヒーター（図示せ
ず）が各々設けられている。成形金型２０は、半導体チ
ップ付きリードフレームを封止するために所定の深さと
形状とを備えて形成されたキャビティ２５、２６を所定
面に設けた上部金型２１及び下部金型２２を備えてい
る。
【００１７】下部金型２２には、垂直運動するプランジ
ャ１７がエポキシ成形樹脂タブレット４５を押圧し得る
深さを備えたポート１５が形成されており、このポート
１５を挟んで両側に対向するようにキャビティ２６が形
成されている。この下部金型２２のキャビティを下部キ
ャビティという（以下、下部キャビティ２６と称す）。
この下部キャビティ２６は、ランナー２３を介してポー
ト１５と連結するように設けてある。本実施の形態で
は、図１に示すように、１つのポート１５に２つの下部
キャビティ２６が両側に連結されている。またポート１
５と下部キャビティ２６とは、下部金型２２に複数セッ
ト（図１では４列で１セット）形成されている。また、
下部金型２２において、ランナー２３と対向する延長線
上には、空気を排出するためのエアベント２８が形成さ
れている。また、下部金型２２には、成形済みの半導体
製品を成形金型から離型するためのエゼクトピン３６を
さらに複数備えている。
ャ１７がエポキシ成形樹脂タブレット４５を押圧し得る
深さを備えたポート１５が形成されており、このポート
１５を挟んで両側に対向するようにキャビティ２６が形
成されている。この下部金型２２のキャビティを下部キ
ャビティという（以下、下部キャビティ２６と称す）。
この下部キャビティ２６は、ランナー２３を介してポー
ト１５と連結するように設けてある。本実施の形態で
は、図１に示すように、１つのポート１５に２つの下部
キャビティ２６が両側に連結されている。またポート１
５と下部キャビティ２６とは、下部金型２２に複数セッ
ト（図１では４列で１セット）形成されている。また、
下部金型２２において、ランナー２３と対向する延長線
上には、空気を排出するためのエアベント２８が形成さ
れている。また、下部金型２２には、成形済みの半導体
製品を成形金型から離型するためのエゼクトピン３６を
さらに複数備えている。
【００１８】一方、上部金型２１は、下部金型２２の下
部キャビティ２６に対応して嵌合されるキャビティ２５
を備えている。この上部金型２１のキャビティ２５を上
部キャビティという（以下、上部キャビティ２５と称
す）。また、上部金型２１には、ポート１５と対向して
嵌合する位置にカルブロック３０が形成されている。こ
のカルブロック３０は、エポキシ成形樹脂タブレット４
５を流動的に供給するため、半球状の凹部に形成されて
いる。またカルブロック３０は、凹部から突出する突出
部３４を一体に形成している。次に、このようなカルブ
ロック３０について詳しく説明する。
部キャビティ２６に対応して嵌合されるキャビティ２５
を備えている。この上部金型２１のキャビティ２５を上
部キャビティという（以下、上部キャビティ２５と称
す）。また、上部金型２１には、ポート１５と対向して
嵌合する位置にカルブロック３０が形成されている。こ
のカルブロック３０は、エポキシ成形樹脂タブレット４
５を流動的に供給するため、半球状の凹部に形成されて
いる。またカルブロック３０は、凹部から突出する突出
部３４を一体に形成している。次に、このようなカルブ
ロック３０について詳しく説明する。
【００１９】図２は、図１に示したトランスファ成形装
置のカルブロック３０を示す斜視図である。また図３
は、図１に示したトランスファ成形装置のカルブロック
３０を示す平面図である。また、図４は、図１に示した
トランスファ成形装置のカルブロック３０およびポート
１５の構造を示す断面図である。
置のカルブロック３０を示す斜視図である。また図３
は、図１に示したトランスファ成形装置のカルブロック
３０を示す平面図である。また、図４は、図１に示した
トランスファ成形装置のカルブロック３０およびポート
１５の構造を示す断面図である。
【００２０】図２乃至図４を参照すると、カルブロック
３０は、凹部３２を有し、その凹部３２の中央部に突出
部３４が形成されている。この突出部３４は、図４に示
すように、ポート１５の直径ｃとほぼ同一の直径ａを備
え、側面Ｇはポート１５の内周面Ｅに嵌合するように同
一の垂直線上に設けてある。これは、プランジャ１７に
より所定の圧力でエポキシ成形樹脂が押圧される際、樹
脂をランナー２３側に容易に流動させるためである。
３０は、凹部３２を有し、その凹部３２の中央部に突出
部３４が形成されている。この突出部３４は、図４に示
すように、ポート１５の直径ｃとほぼ同一の直径ａを備
え、側面Ｇはポート１５の内周面Ｅに嵌合するように同
一の垂直線上に設けてある。これは、プランジャ１７に
より所定の圧力でエポキシ成形樹脂が押圧される際、樹
脂をランナー２３側に容易に流動させるためである。
【００２１】また、突出部３４の高さｂは、その上部が
カルブロック３０の上面Ｆと同一の水平面上の高さの位
置、または、突出部３４の上部がカルブロック３０の上
面Ｆより下側に突出させた位置のいずれかにより設けて
ある。また、突出部３４の上面３４’は、中央部の端部
が凹状に低く形成している。これは、プランジャ１７と
接触する面積を減少させて突出部３４とプランジャ１７
との間の摩擦を低減するためであって、プランジャ１７
やカルブロック３０の寿命を向上させるのに有効であ
る。また、凹部３２は、突出部３４を中心として両側に
設けられた溝部３３（図３参照）を形成している。この
溝部３３の数は、ランナーの数と同一である。従って、
溝部３３は、ランナーへの成形樹脂の流れを容易且つ均
衡的に維持することができる。
カルブロック３０の上面Ｆと同一の水平面上の高さの位
置、または、突出部３４の上部がカルブロック３０の上
面Ｆより下側に突出させた位置のいずれかにより設けて
ある。また、突出部３４の上面３４’は、中央部の端部
が凹状に低く形成している。これは、プランジャ１７と
接触する面積を減少させて突出部３４とプランジャ１７
との間の摩擦を低減するためであって、プランジャ１７
やカルブロック３０の寿命を向上させるのに有効であ
る。また、凹部３２は、突出部３４を中心として両側に
設けられた溝部３３（図３参照）を形成している。この
溝部３３の数は、ランナーの数と同一である。従って、
溝部３３は、ランナーへの成形樹脂の流れを容易且つ均
衡的に維持することができる。
【００２２】また、カルブロック３０は、両側面に隣接
する上部金型２１の間（図２参照）に脱着可能に装着し
ており、半導体チップパッケージの種類や樹脂の仕様に
よって交替することが可能に形成されている。
する上部金型２１の間（図２参照）に脱着可能に装着し
ており、半導体チップパッケージの種類や樹脂の仕様に
よって交替することが可能に形成されている。
【００２３】次に、図５乃至図７を参照として、トラン
スファ成形装置の動作について詳細に説明する。図５乃
至図７は、図１に示したトランスファ成形装置を用いた
成形工程の段階を示す断面図であり、図５は成形樹脂が
金型に注入される前の状態を示す断面図である。また、
図６は、成形樹脂が金型に注入した状態を示す断面図で
ある。また、図７は成形樹脂の注入を完了した状態を示
す断面図である。
スファ成形装置の動作について詳細に説明する。図５乃
至図７は、図１に示したトランスファ成形装置を用いた
成形工程の段階を示す断面図であり、図５は成形樹脂が
金型に注入される前の状態を示す断面図である。また、
図６は、成形樹脂が金型に注入した状態を示す断面図で
ある。また、図７は成形樹脂の注入を完了した状態を示
す断面図である。
【００２４】図５に示すように、トランスファ成形装置
１０において、下部金型２２の上部に半導体チップ４２
を装着したリードフレーム４０が搭載され、上部金型２
１が下部金型２２に嵌合するように下降することによ
り、リードフレーム４０が固定される。この半導体チッ
プ４１は、ボンディングワイヤによりリードフレーム４
０と電気的に接続されており、この電気的接続部が上部
キャビティ２５と下部キャビティ２６との間に形成され
る成形空間２７（又はキャビティ）内に位置するように
設置する。
１０において、下部金型２２の上部に半導体チップ４２
を装着したリードフレーム４０が搭載され、上部金型２
１が下部金型２２に嵌合するように下降することによ
り、リードフレーム４０が固定される。この半導体チッ
プ４１は、ボンディングワイヤによりリードフレーム４
０と電気的に接続されており、この電気的接続部が上部
キャビティ２５と下部キャビティ２６との間に形成され
る成形空間２７（又はキャビティ）内に位置するように
設置する。
【００２５】半導体チップ４１を成形空間内に設置する
と、下部金型２２のポート１５内に固体状のエポキシ成
形樹脂タブレット４５が供給される。この際、上部金型
２１と下部金型２２とは、上部プレート１２と下部プレ
ート１３とに設けられているヒーター１９により１７０
〜１８０℃の温度に予熱される。固体状の樹脂タブレッ
ト４５は、このような温度条件により固体状態からゼル
状態に変化する。ここで本実施の形態では、カルブロッ
ク３０に突出部３４を形成しているため、ポート１５と
カルブロック３０との間に形成される空間７８が突出部
３４の占有空間によって従来技術に比べて小さくなり、
これにより排出しなければならない空気の量も減少す
る。
と、下部金型２２のポート１５内に固体状のエポキシ成
形樹脂タブレット４５が供給される。この際、上部金型
２１と下部金型２２とは、上部プレート１２と下部プレ
ート１３とに設けられているヒーター１９により１７０
〜１８０℃の温度に予熱される。固体状の樹脂タブレッ
ト４５は、このような温度条件により固体状態からゼル
状態に変化する。ここで本実施の形態では、カルブロッ
ク３０に突出部３４を形成しているため、ポート１５と
カルブロック３０との間に形成される空間７８が突出部
３４の占有空間によって従来技術に比べて小さくなり、
これにより排出しなければならない空気の量も減少す
る。
【００２６】図６に示すように、ポート１５内でゼル状
態になったエポキシ成形樹脂４６は、プランジャ５７が
上昇することにより、カルブロック３０の方向に押し上
げられる。すると、成形樹脂４６は、カルブロック３０
の突出部３４に当接し、ランナー２３側に流れ込む。こ
の際、カルブロック３０に突出部３４を形成しているた
め、空間７８内の空気が片側（図５に示した上部金型２
１と下部金型２２との間）に形成されたエアベント２８
を介して所定の量排出される前に、エポキシ成形樹脂４
６がランナー２３に充填することを防止することができ
る。従って、空気は、エポキシ成形樹脂４６が供給され
る経路に沿って押されて、エアベント２８から排出され
る。ランナー２３が樹脂４６により充填されると、大部
分の空気は既に排出された状態になり、残存する空気は
プランジャ１７の継続的な垂直運動により排出される。
態になったエポキシ成形樹脂４６は、プランジャ５７が
上昇することにより、カルブロック３０の方向に押し上
げられる。すると、成形樹脂４６は、カルブロック３０
の突出部３４に当接し、ランナー２３側に流れ込む。こ
の際、カルブロック３０に突出部３４を形成しているた
め、空間７８内の空気が片側（図５に示した上部金型２
１と下部金型２２との間）に形成されたエアベント２８
を介して所定の量排出される前に、エポキシ成形樹脂４
６がランナー２３に充填することを防止することができ
る。従って、空気は、エポキシ成形樹脂４６が供給され
る経路に沿って押されて、エアベント２８から排出され
る。ランナー２３が樹脂４６により充填されると、大部
分の空気は既に排出された状態になり、残存する空気は
プランジャ１７の継続的な垂直運動により排出される。
【００２７】図７に示すように、エポキシ成形樹脂４６
は、完全に成形空間２７（図６参照）に注入され、半導
体チップ４１及びリードフレーム４０の一部が封止され
るとともに、その状態でエポキシ成形樹脂４６が硬化す
る。このように、空気がエアベント２８を介して成形空
間２７から完全に除去された状態で成形工程が進行され
るため、ボイドのない半導体チップパッケージが得られ
る。樹脂の硬化を完了した後には、上部金型２１と上部
プレート１３との結合金型を上昇するか、下部金型２２
と下部プレート１４との結合金型を下降するかのいずれ
かにより金型を開き、エゼクトピン３６が上昇してパッ
ケージを下部金型２２から離型する。
は、完全に成形空間２７（図６参照）に注入され、半導
体チップ４１及びリードフレーム４０の一部が封止され
るとともに、その状態でエポキシ成形樹脂４６が硬化す
る。このように、空気がエアベント２８を介して成形空
間２７から完全に除去された状態で成形工程が進行され
るため、ボイドのない半導体チップパッケージが得られ
る。樹脂の硬化を完了した後には、上部金型２１と上部
プレート１３との結合金型を上昇するか、下部金型２２
と下部プレート１４との結合金型を下降するかのいずれ
かにより金型を開き、エゼクトピン３６が上昇してパッ
ケージを下部金型２２から離型する。
【００２８】このように本発明によるトランスファ成形
装置では、カルブロックに突出部を形成することによ
り、エポキシ成形樹脂の注入経路及び成形空間にある空
気の量を減少させることができる。また、カルブロック
３０が突出部３４を備えているため、成形空間内の空気
がエアベント２８を介して所定の量排出するまではエポ
キシ成形樹脂４６がランナー２３に充填することを防止
できる。従って、エポキシ成形樹脂４６が成形空間２７
に充填される際には、空気の完全な排出がなされる。こ
のように空気の完全な排出がなされると、成形装置の内
部圧力を維持することができ、成形樹脂の流動性を向上
させることができる。また樹脂の流動性の向上により、
エアベントの詰まりが生ずることを防止することができ
る。
装置では、カルブロックに突出部を形成することによ
り、エポキシ成形樹脂の注入経路及び成形空間にある空
気の量を減少させることができる。また、カルブロック
３０が突出部３４を備えているため、成形空間内の空気
がエアベント２８を介して所定の量排出するまではエポ
キシ成形樹脂４６がランナー２３に充填することを防止
できる。従って、エポキシ成形樹脂４６が成形空間２７
に充填される際には、空気の完全な排出がなされる。こ
のように空気の完全な排出がなされると、成形装置の内
部圧力を維持することができ、成形樹脂の流動性を向上
させることができる。また樹脂の流動性の向上により、
エアベントの詰まりが生ずることを防止することができ
る。
【００２９】さらに、前述したマルチプランジャ型トラ
ンスファ成形装置は、成形金型に複数のポートが設けら
れており、１つのポートに２つのキャビティが連結され
るものであって、ポートとキャビティ間の距離が短いた
め、突出部を備えるカルブロックの効果を増加させるこ
とができ、パッケージ成形品の信頼性を向上させること
ができる。
ンスファ成形装置は、成形金型に複数のポートが設けら
れており、１つのポートに２つのキャビティが連結され
るものであって、ポートとキャビティ間の距離が短いた
め、突出部を備えるカルブロックの効果を増加させるこ
とができ、パッケージ成形品の信頼性を向上させること
ができる。
【００３０】以上、本発明によってなされたトランスフ
ァ成形装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は
前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、１つのポ
ート１５に２つの下部キャビティ２６を両側に連結して
４列で１セットにした金型の実施の形態を説明したが、
これに限定されるものではなく、キャビティ部を複数設
けて生産効率を向上させてもよい。
ァ成形装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は
前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨
を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、１つのポ
ート１５に２つの下部キャビティ２６を両側に連結して
４列で１セットにした金型の実施の形態を説明したが、
これに限定されるものではなく、キャビティ部を複数設
けて生産効率を向上させてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるトラ
ンスファ成形装置によると、カルブロックに突出部を形
成することにより、排出しなければならない空気の量を
最小化して不完全成形やボイドの発生を防止するととも
に、ゼル形態のエポキシ成形樹脂の流動性を向上させ、
内圧を一定に維持して半導体チップパッケージ組立工程
の成形工程において信頼性を向上させることができる。
また、カルブロックに突出部を形成することにより、エ
ポキシ成形樹脂の使用量を低減することができ、コスト
節減を実現することができる。
ンスファ成形装置によると、カルブロックに突出部を形
成することにより、排出しなければならない空気の量を
最小化して不完全成形やボイドの発生を防止するととも
に、ゼル形態のエポキシ成形樹脂の流動性を向上させ、
内圧を一定に維持して半導体チップパッケージ組立工程
の成形工程において信頼性を向上させることができる。
また、カルブロックに突出部を形成することにより、エ
ポキシ成形樹脂の使用量を低減することができ、コスト
節減を実現することができる。
【図１】本発明によるトランスファ成形装置の実施の形
態を示す斜視図。
態を示す斜視図。
【図２】図１に示したトランスファ成形装置のカルブロ
ックを示す斜視図。
ックを示す斜視図。
【図３】図１に示したトランスファ成形装置のカルブロ
ックを示す平面図。
ックを示す平面図。
【図４】図１に示したトランスファ成形装置のカルブロ
ックおよびポートの構造を示す断面図。
ックおよびポートの構造を示す断面図。
【図５】図１に示したトランスファ成形装置を用いた成
形工程で成形樹脂が金型に注入される前の状態を示す断
面図。
形工程で成形樹脂が金型に注入される前の状態を示す断
面図。
【図６】図１に示したトランスファ成形装置を用いた成
形工程で成形樹脂が金型に注入した状態を示す断面図。
形工程で成形樹脂が金型に注入した状態を示す断面図。
【図７】図１に示したトランスファ成形装置を用いた成
形工程で成形樹脂の注入を完了した状態を示す断面図。
形工程で成形樹脂の注入を完了した状態を示す断面図。
【図８】従来のトランスファ成形装置を用いた成形工程
でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入される前の状態を
示す断面図。
でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入される前の状態を
示す断面図。
【図９】従来のトランスファ成形装置を用いた成形工程
でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入された状態を示す
断面図。
でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入された状態を示す
断面図。
【図１０】従来のトランスファ成形装置を用いた成形工
程でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入された後の状態
を示す断面図。
程でエポキシ成形樹脂が成形金型に注入された後の状態
を示す断面図。
１０ トランスファ成形装置 １２ プレート １３ 上部プレート １４ 下部プレート １５ ポート １７ プランジャ １９ ヒーター ２０ 成形金型 ２１ 上部金型 ２２ 下部金型 ２３ ランナー ２４ ゲート ２５ 上部キャビティ ２６ 下部キャビティ ２７ 成形空間 ２８ エアベント ３０ カルブロック ３４ 突出部 ３６、３７ エゼクトピン
Claims (14)
- 【請求項１】 所定の樹脂を充填するキャビティ部を嵌
合により形成する上部金型及び下部金型と、前記キャビ
ティに連通して且つ前記キャビティに樹脂を供給するラ
ンナーと、前記ランナーと対向して前記キャビティに連
通するように形成して前記キャビティ内の空気を排出す
るエアベントと、前記樹脂を前記ランナーに導入するポ
ートとを備えた成形金型を設け、前記ポート内の樹脂を
押し上げるために垂直運動するプランジャを設けたトラ
ンスファ成形装置において、 前記ポートと対向して嵌合するように形成され、前記ポ
ートより大きい直径を有する凹部と、この凹部の中央に
突設する突出部とを備えたカルブロックをさらに設けた
ことを特徴とするトランスファ成形装置。 - 【請求項２】 前記突出部は、前記ポートと対向する先
端部に凹状の凹面が形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項３】 前記成形金型は、センタゲート型である
ことを特徴とする請求項１に記載のトランスファ成形装
置。 - 【請求項４】 前記突出部は、前記ポートの内径と同一
の直径を有することを特徴とする請求項１に記載のトラ
ンスファ成形装置。 - 【請求項５】 前記成形金型には、複数のポートと複数
のカルブロックとを有していることを特徴とする請求項
１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項６】 前記カルブロックの凹部は、内周に複数
の溝部をさらに有していることを特徴とする請求項１に
記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項７】 前記溝部の数は、前記ランナーの数と同
一であることを特徴とする請求項６に記載のトランスフ
ァ成形装置。 - 【請求項８】 前記溝部は、前記上部金型と前記下部金
型とが嵌合する際、前記ランナーと対応する嵌合面に形
成されることを特徴とする請求項６に記載のトランスフ
ァ成形装置。 - 【請求項９】 前記溝部は、前記突出部を挟んで両側に
形成されることを特徴とする請求項６に記載のトランス
ファ成形装置。 - 【請求項１０】 前記突出部の先端部は、前記カルブロ
ックの上面より下側に突出して形成していることを特徴
とする請求項１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項１１】 前記ポートは前記下部金型に形成さ
れ、前記カルブロックは前記上部金型に形成されること
を特徴とする請求項１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項１２】 前記突出部の先端部は、前記カルブロ
ックの上面と同一の水平面上に形成されていることを特
徴とする請求項１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項１３】 前記突出部の外周面は、前記ポートの
内周面と同一の垂直線上にあることを特徴とする請求項
１に記載のトランスファ成形装置。 - 【請求項１４】 前記カルブロックは、前記成形金型か
ら着脱可能に設けてあることを特徴とする請求項１に記
載のトランスファ成形装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970069219A KR100241175B1 (ko) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치 |
| KR1997P-69219 | 1997-12-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11198187A true JPH11198187A (ja) | 1999-07-27 |
| JP3642685B2 JP3642685B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=19527446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23858298A Expired - Fee Related JP3642685B2 (ja) | 1997-12-16 | 1998-08-25 | トランスファ成形装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6106259A (ja) |
| JP (1) | JP3642685B2 (ja) |
| KR (1) | KR100241175B1 (ja) |
| TW (1) | TW437022B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013177068A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Asmo Co Ltd | ウォッシャノズル |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001179748A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Teeantee:Kk | 樹脂モールド用金型 |
| IT1318257B1 (it) * | 2000-07-27 | 2003-07-28 | St Microelectronics Srl | Lead-frame per dispositivi a semiconduttore. |
| KR100521977B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2005-10-17 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 몰드블럭 |
| KR100715313B1 (ko) * | 2001-05-15 | 2007-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체용 성형금형 |
| US6555400B2 (en) | 2001-08-22 | 2003-04-29 | Micron Technology, Inc. | Method for substrate mapping |
| US6666997B2 (en) * | 2001-10-02 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Method for removing cleaning compound flash from mold vents |
| SG120053A1 (en) * | 2001-10-05 | 2006-03-28 | Advanced Systems Automation | Apparatus for molding a semiconductor wafer and process therefor |
| US7264456B2 (en) * | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
| US6515312B1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-02-04 | Windell Corporation | Method for packaging organic electroluminescent device |
| JP2006093588A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Nec Electronics Corp | 表面に突起部を有する半導体装置および半導体パッケージの識別方法。 |
| KR100611438B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2006-08-09 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 반도체 패키지 몰딩시 금선의 오버랩 방지장치 |
| ES2897736T3 (es) | 2010-08-13 | 2022-03-02 | Greene Tweed Inc | Composite de fibras termoplásticas con carga de elevado volumen de fibras y procedimiento de fabricación del mismo |
| CN103021902A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 国碁电子(中山)有限公司 | 半导体封装铸模装置及方法 |
| KR20130100526A (ko) * | 2012-03-02 | 2013-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 제조장치 |
| US20140275915A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device including a molded planar transformer |
| TWI529059B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-04-11 | Taiwan Green Point Entpr Co | Injection molding machine and the use of the tablet press detection system and detection methods |
| US9484228B2 (en) | 2014-10-01 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Simultaneous independently controlled dual side PCB molding technique |
| US10099411B2 (en) | 2015-05-22 | 2018-10-16 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for simultaneously encapsulating semiconductor dies with layered lead frame strips |
| US11621181B2 (en) * | 2020-05-05 | 2023-04-04 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Dual-sided molding for encapsulating electronic devices |
| US20220254720A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Package substrate and semiconductor structure with same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201429A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Toshiba Corp | 半導体樹脂封止装置 |
| US4708613A (en) * | 1985-03-27 | 1987-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plunger for a multi-plunger type resin mold device |
| JPS61219613A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Hokkai Semiconductor Kk | トランスフアモ−ルド装置 |
| JPS6319218A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd | モ−ルド装置 |
| US5123826A (en) * | 1990-02-13 | 1992-06-23 | Motorola, Inc. | Molding pot having configured bottom |
| JPH04147814A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Daiichi Seiko Kk | 樹脂封入成形用金型 |
| JPH0820046A (ja) * | 1994-07-06 | 1996-01-23 | Sony Corp | 樹脂成形用金型 |
-
1997
- 1997-12-16 KR KR1019970069219A patent/KR100241175B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-05-29 TW TW087108406A patent/TW437022B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-25 JP JP23858298A patent/JP3642685B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-24 US US09/160,523 patent/US6106259A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013177068A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Asmo Co Ltd | ウォッシャノズル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990050157A (ko) | 1999-07-05 |
| TW437022B (en) | 2001-05-28 |
| JP3642685B2 (ja) | 2005-04-27 |
| KR100241175B1 (ko) | 2000-02-01 |
| US6106259A (en) | 2000-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3642685B2 (ja) | トランスファ成形装置 | |
| US5603879A (en) | Method of molding resin to seal electronic parts using two evacuation steps | |
| JPH04147814A (ja) | 樹脂封入成形用金型 | |
| CN111799187B (zh) | 树脂密封装置和树脂密封方法 | |
| JP2004153045A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JP3999909B2 (ja) | 樹脂封止装置及び封止方法 | |
| JP2666630B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102071561B1 (ko) | 반도체 패키지용 몰딩 장치 | |
| JP2690662B2 (ja) | 半導体装置封止用金型 | |
| KR0163525B1 (ko) | 에어 벤트가 형성되어 있는 반도체 칩 패키지 몰딩 장치 | |
| JPH06218754A (ja) | 樹脂モールド装置及びその制御方法 | |
| JPS6154633A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 | |
| CN110544637B (zh) | 一种半导体器件模封方法及用于该模封方法的封装模具 | |
| JP2004160882A (ja) | 樹脂封止装置 | |
| KR100331068B1 (ko) | 반도체 패키지용 금형 구조 | |
| JP4731058B2 (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
| JPH056347B2 (ja) | ||
| JP3543742B2 (ja) | 樹脂封止成形装置 | |
| JP2000061976A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPH0919939A (ja) | トランスファ成形装置 | |
| JPH06106560A (ja) | 電子部品封止用成形金型 | |
| JPH10217275A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| KR20010001599A (ko) | 반도체패키지용 금형 | |
| JP2639858B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JPH08281720A (ja) | 樹脂成形装置および樹脂成形方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040914 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |