KR20130100526A - 반도체 패키지 제조장치 - Google Patents

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정성욱
최병갑
최상진
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삼성전자주식회사
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Abstract

트랜스퍼 장치의 크기를 축소시킨 반도체 패키지 제조장치를 개시한다. 반도체 패키지 제조장치는 반도체 칩이 실장된 반도체 소자를 몰딩하여 반도체 패키지를 제조하는 반도체 패키지 제조장치에 있어서, 제1금형과, 제2금형과, 반도체 소자의 몰딩이 이루어지도록 제1금형과 제2금형이 형합하여 형성되는 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 금형과, 단부에 적어도 하나의 금형이 장착되고 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 구성된 회전 유닛과, 금형과 회전축 사이에 장착되어 회전 유닛이 회전축을 중심으로 회전하면 원심력에 의해 몰딩 수지를 캐비티 내부로 공급하도록 구성된 트랜스퍼 장치를 포함하여 구성될 수 있다.

Description

반도체 패키지 제조장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 소자를 몰딩하여 반도체 패키지를 만들기 위한 반도체 패키지 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지의 제조를 위한 패키징 공정은 웨이퍼(wafer) 공정에 의해 만들어진 개개의 칩(chip)을 실제 전자 부품으로 사용할 수 있도록 전기적 연결을 해주고, 외부의 충격에 보호되도록 밀봉 포장해주는 공정을 말한다.
특히, 웨이퍼(wafer)로 부터 분리된 반도체칩을 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 또는 리드프레임(leadframe) 상에 실장하고, 전기적 연결이 완료된 상태의 반도체 소자를 밀봉하는 공정이 몰딩 공정이다.
몰딩 공정은 대부분 경제성과 양산성이 뛰어나고 내흡수성이 우수한 성형 수지인 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 사용하는 트랜스퍼 몰딩이 주로 사용되고 있다.
트랜스퍼 몰딩은 고체 상태인 에폭시 몰딩 컴파운드의 타블렛을 열을 가하여 용융시켜 일정함 점도를 가지게 한 후 반도체 소자가 개재된 금형의 캐비티로 주입하고 경화시켜 반도체 패키지를 제조하는 방법이다.
종래 트랜스퍼 몰딩 장치에 있어서, 몰딩 수지를 가압하는 트랜스퍼 장치의 크기의 크기가 커 너무 많은 공간을 활용하는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 측면은 트랜스퍼 장치의 크기를 축소시킨 반도체 패키지 제조장치를 개시한다.
본 발명의 사상에 따른 반도체 패키지 제조장치는 반도체 칩이 실장된 반도체 소자를 몰딩하여 반도체 패키지를 제조하는 반도체 패키지 제조장치에 있어서, 제1금형과, 제2금형과, 상기 반도체 소자의 몰딩이 이루어지도록 상기 제1금형과 상기 제2금형이 형합하여 형성되는 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 금형;과, 단부에 상기 적어도 하나의 금형이 장착되고, 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 구성된 회전 유닛;과, 상기 금형과 상기 회전축 사이에 장착되어, 상기 회전 유닛이 회전축을 중심으로 회전하면 원심력에 의해 몰딩 수지를 상기 캐비티 내부로 공급하도록 구성된 트랜스퍼 장치;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 장치는 상기 금형 내부에 수용되어 상기 몰딩 수지를 가압하여 상기 몰딩 수지가 상기 캐비티 내부로 공급되도록 하는 가압부;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 장치는 상기 트랜스퍼 장치의 질량을 증가시켜 상기 가압부가 상기 몰딩 수지를 가압하는 힘을 더 크게 하도록 구성된 트랜스퍼 매스;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 장치는 상기 가압부와 상기 트랜스퍼 매스를 연결하는 연결부를 더 포함하고, 상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 외부에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 내부에 배치되고, 상기 트랜스퍼 매스와 상기 가압부는 일체로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 회전 반경 내측에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 회전 유닛은 제1단부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 금형은 상기 회전 유닛의 상기 제1단부에 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 회전 유닛은 상기 제1단부의 반대쪽에 마련된 제2단을 포함하고, 상기 금형과 질량 균형을 맞추어 상기 회전 유닛이 용이하게 회전할 수 있도록 상기 제2단부에 배치되는 밸런스 매스;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 금형은 상기 금형의 내부에 형성되어 상기 트랜스퍼 장치의 일부를 수용하는 수용부;를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따른 반도체 패키지 제조장치는 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 구성된 회전 유닛;과, 상기 회전 유닛의 단부에 장착되어 상기 회전 유닛과 함께 회전하며, 반도체 소자의 몰딩이 이루어지는 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 금형;과, 상기 적어도 하나의 금형에 장착되어, 상기 적어도 하나의 금형이 회전하면 몰딩 수지를 원심력 방향으로 가압하여 상기 몰딩 수지가 상기 캐비티 전체로 퍼지도록 하는 트랜스퍼 매스;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 트랜스퍼 매스는 원심력 방향에 대해 상기 금형과 상기 회전축 사이에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 회전 유닛은 길이 방향으로 연장된 제1바디와, 제2바디를 포함하고, 상기 제1바디와 상기 제2바디는 상기 회전 유닛의 상기 중심부를 중심으로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 적어도 하나의 금형은 상기 제1바디와 제2바디의 단부 중 적어도 하나에 장착되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면 비교적 간단한 회전 유닛을 이용하여 트랜스퍼 장치가 충분한 힘으로 몰딩 수지를 캐비티 내로 주입되도록 가압할 수 있다.
또한, 트랜스퍼 장치의 크기 및 구조 단순화로 공간 활용도가 높아질 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도.
도 2는 도 1에서 A-A선의 단면도.
도 3 및 도 4는 도 1에서 B-B선의 단면도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 금형을 구비한 반도체 패키지 제조장치를 도시한 도면.
도 6은 도 5에서 C-C선의 단면도.
도 7 내지 도 11은 도 5에서 D-D 선의 단면도.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 블록도.
도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 금형의 단면도.
도 14는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도.
도 15는 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도.
도 16는 본 발명의 제6실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도.
이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조장치는 회전 유닛(10a)과, 회전 유닛(10a)에 장착된 금형(20a); 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 구동력을 공급하는 구동장치(60), 금형(20a)과 질량 균형을 맞추어 회전 유닛(10a)이 원활하게 회전할 수 있도록 하는 밸런스 매스(80)를 포함하여 구성된다.
구동장치(60)는 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 회전력을 생성한다. 구동장치(60)는 모터와 같은 회전력을 발생하는 장치가 사용될 수 있다. 구동장치(60)에는 회전 샤프트(65)이 구비되어 있어 구동장치(60)에 의해 발생된 구동력을 회전 유닛(10a)에 전달한다.
회전 유닛(10a)은 회전 중심에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)이 연결될 수 있도록 홀 형태의 회전축(120)가 형성된다. 회전축(120)에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)이 결합되면, 구동장치(60)가 생성한 구동력이 회전 샤프트(65)을 통해 회전 유닛(10a)에 전달되어 회전 유닛(10a)이 회전한다.
회전 유닛(10a)은 회전축(120)를 기준으로 양 방향으로 연장되어 형성된 바디(100)와, 바디(100)의 양단에 형성되어 금형(20a)과 밸런스 매스(80)가 장착되는 장착부(111, 112)로 형성된다. 회전 유닛(10a)은 전체적으로 길게 연장되어 형성된 바 형상을 가진다.
바디(100)는 회전축(120)에서 양 방향으로 연장되어 형성되는데 단부에 형성된 장착부(111, 112)에 장착된 금형(20a) 및 밸런스 매스(80)의 무게를 견딜 수 있도록 형성되어야 한다.
바디(100)의 길이는 후술한 트랜스퍼 장치(50, 도 3 참조)의 원심력을 결정하는 요소의 하나가 된다. 원심력 F는 F=mrωㅂ 의 공식으로 나타낼 수 있는데 이 중 원심력을 발생하는 물체에서 회전 중심까지의 거리 r을 결정하는 요소의 하나가 바디(100)의 길이이기 때문이다. 이 점에 대해서는 트랜스퍼 장치(50)를 설명하면서 자세히 설명하기로 한다.
바디(100)의 양 단부에는 금형(20a) 및 밸런스 매스(80)가 장착되는 장착부(111, 112)가 형성된다. 장착부(111, 112)는 금형(20a) 및 밸런스 매스(80)가 안정적으로 장착될 수 있도록 바디(100)보다 그 폭이 넓게 형성된다. 도면상 금형(20a) 및 밸런스 매스(80)의 바닥면의 면적과 동일한 면적을 가지도록 장착부(111, 112)가 형성된다.
장착부(111, 112)는 바디(100)의 양 단부에 형성되므로 제1장착부(111)와 제2장착부(112)를 포함한다. 즉, 제1장착부(111)와 제2장착부(112)는 회전 유닛(10a)의 회전축(120)를 기준으로 서로 반대 방향에 형성된다. 본 실시예에서는 제1장착부(111)에는 밸런스 매스(80)가 장착되고, 제2장착부(112)에는 금형(20a)이 장착된다.
밸런스 매스(80)는 제2장착부(112)에 장착된 금형(20a)과 질량 균형을 이룰 수 있도록 소정의 질량을 가진다.
밸런스 매스(80)는 제2장착부(112)와 반대 방향에 형성된 제1장착부(111)에 장착된다. 따라서, 밸런스 매스(80)와 금형(20a)은 회전 유닛(10a)의 회전축(120)를 기준으로 서로 반대 방향에 형성된다.
밸런스 매스(80)가 없다면, 바디(100) 전체적으로 금형(20a)이 장착된 부분에 더 많은 질량을 가져 원활한 회전을 할 수 없다. 그러나, 밸런스 매스(80)에 의해 금형(20a)과 밸런스 매스(80)가 질량 균형을 이루면 바디(100) 전체적으로 질량 균형을 이루어 바디(100)가 원활하게 회전할 수 있다.
이하, 도 2내지 도 3에서 금형(20a)의 구성에 대해 설명한다. 전체 도면에 있어서 금형은 필요한 구성을 위주로 간략하게 도시하였다.
도 2는 도 1에서 A-A선의 단면도이고, 도 3은 도 1에서 B-B선의 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 금형(20a)은 크게 제1금형(210)과, 제2금형(310)과, 이젝트 핀(330)과, 트랜스퍼 장치(50)로 구성된다. 그 외 구성은 위 구성을 지지하거나 위 구성을 동작하게 하는 구성이다.
제1금형(210)은 상부에 위치하는 상부 금형이고, 제2금형(310)은 제1금형(210)의 하부에 위치하는 하부 금형이다. 제1금형(210)과 제2금형(310)이 서로 결합되는 형합 상태에서 몰딩이 이루어 지는 캐비티(410)를 형성한다.
본 실시예에서 상부에 위치한 제1금형(210)이 가동금형으로 동작하고 제2금형(310)은 고정금형이나, 이와 반대로 제1금형(210)이 고정금형이고, 제2금형(310)이 가동금형으로 형성된 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
제1금형(210)의 상부에는 제1금형 지지유닛(220)이 마련되고, 제1금형(210)이 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다.
제1금형 지지유닛(220)의 상부에는 제1금형 구동장치(215)와 가이드부(251)를 고정 지지하는 상부 지지유닛(250)이 배치된다.
상부 지지유닛(250)의 네 모서리에는 제1금형(210) 및 제1금형 지지유닛(220)의 상하 이동을 가이드하는 가이드부(251)가 장착된다. 가이드부(251)는 상부 지지유닛(250)의 하면에 일단이 장착되고, 타단은 제2금형(310)에 장착될 수 있도록 상하 방향으로 길게 연장되어 형성된다.
상부 지지유닛(250)에 장착된 제1금형 구동장치(215)는 제1금형(210)이 상하로 이동할 수 있도록 구동력을 생성한다. 제1금형 구동장치(215)는 모터, 유압 실린더 또는 공압 실린더 등을 포함할 수 있다.
제1금형 구동장치(215)에는 제1샤프트(216)가 연결되어 제1금형 구동장치(215)의 구동력을 전달한다. 제1샤프트(216)의 일단은 제1금형 구동장치(215)에 결합되고, 타단은 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다. 따라서, 제1금형 구동장치(215)의 구동력은 제1샤프트(216)를 통해 제1금형 지지유닛(220)으로 전달된다. 그에 의해 제1금형 지지유닛(220)이 상하로 이동하면 제1금형 지지유닛(220)에 결합된 제1금형(210)도 상하로 이동하게 된다.
제1금형(210)은 아래쪽으로는 제2금형(310)과 결합되어 형합하는 위치까지 이동하고, 위쪽으로는 제1금형 지지유닛(220)이 상부 지지유닛(250)에 접촉하는 위치까지 이동한다.
제1금형(210)의 내부에는 후술할 트랜스퍼 장치(50, 도 3참조)의 원심력을 측정하기 위한 원심력 센서(230)가 장착된다.
제1금형(210)의 하부에는 제2금형(310)이 배치된다. 앞서 설명한 바와 같이 본 실시예에서는 제2금형(310)은 고정되어 있고, 제1금형(210)만이 상하로 이동한다.
제2금형(310)의 내부에는 히터(340)가 장착된다. 히터(340)는 제1금형(210)과 제2금형(310)의 형합에 의해 형성되는 캐비티(410) 내부에 충전되는 몰딩 수지(95)에 열을 가하여 몰딩 수지(95)가 유동을 가진 용융 상태로 변화하게는 기능을 한다.
본 실시예에서 길게 연장되어 형성된 봉 형태의 히터(340) 두 개가 제2금형(310)의 내부에 장착된다. 히터(340)의 형상이나 수는 변경되어도 본 발명의 사상에 포함될 수 있다.
제2금형(310)의 내부에는 히터(340)외에 온도를 측정하는 온도 센서(345)가 장착된다.
제2금형(310)의 하단에는 방열판(320)이 장착된다. 방열판(320)은 제2금형(310) 내부의 히터(340)가 발생하는 열이 다른 구성으로 전달되는 것을 방지한다.
이젝트 핀(330)이 상하 이동할 공간을 형성하기 위해 제2장착부(112)와 방열판(320)의 사이에 방열판 지지부(350)가 배치된다. 방열판 지지부(350)는 두 개로 형성되어 방열판(320)과 제2장착부(112)의 서로 마주보는 두 모서리에 장착된다. 따라서, 두 방열판 지지부(350)의 사이에 이젝트 핀(330)이 이동할 공간이 형성된다.
이젝트 핀(330)은 몰딩이 종료된 후 반도체 패키지(91, 도 11참조)를 금형(20a)에서 분리하는 기능을 한다. 이젝트 핀(330)은 일부가 제2금형(310)의 내부를 관통하도록 설치되고, 나머지 부분은 방열판(320)의 하단으로 돌출되어 단부가 핀 지지유닛(351)에 결합된다.
제2장착부(112)의 하단에는 핀 구동장치(352)가 장착되고, 핀 구동장치(352)에는 핀 구동장치(352)의 구동력을 핀 지지유닛(351)에 전달하는 제2샤프트(353)가 연결된다. 제2샤프트(353)의 일단은 핀 구동장치(352)에 연결되고, 타단은 핀 지지유닛(351)에 연결된다.
따라서, 핀 구동장치(352)에서 발생된 구동력은 제2샤프트(353)를 통해 핀 지지유닛(351)에 전달되어 핀 지지유닛(351)을 상하로 이동하게 한다. 그 결과, 핀 지지유닛(351)에 결합된 이젝트 핀(330) 역시 상하로 움직인다.
이젝트 핀(330)이 하부로 이동한 상태에서는 이젝트 핀(330)의 위쪽 단부는 제2금형(310)의 상부, 즉 캐비티(410) 내부로 돌출되지 않으나, 핀 구동장치(352)의 구동력에 의해 이젝트 핀(330)이 상부로 이동하면 이젝트 핀(330)의 위쪽 단부는 캐비티(410) 내부로 돌출되면서 반도체 패키지(91, 도 11참조)를 제2금형(310)에서 분리하게 된다.
제1금형(210)과 제2금형(310)의 형합에 의해 금형(20a)의 내부에 몰딩이 이루어지는 캐비티(410)와, 몰딩 수지(95)가 주입되는 공급부(430)와, 트랜스퍼 장치(50)의 일부를 수용하는 수용부(440)와, 캐비티(410)와 공급부(430)를 연결하는 러너부(420)가 형성된다.
공급부(430)로는 몰딩 수지(95)가 공급된다. 공급되는 몰딩 수지는 고체 상태의 몰딩 수지와 액체 상태의 몰딩 수지를 모두 포함할 수 있다.
고체 상태의 몰딩 수지는 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound, EMC)를 포함한다.
공급부(430)로 공급된 몰딩 수지(95)는 러너부(420)를 통해 캐비티(410)로 주입된다. 캐비티(410)에는 반도체 소자(90)가 배치되어 있어, 몰딩 수지(95)가 반도체 소자(90)의 주위를 감싼 후 굳어지면 몰딩이 완료된다. 이러한 몰딩 과정에 대해서는 이하 도 7 내지 도 11에서 설명한다.
트랜스퍼 장치(50)는 공급부(430)로 공급된 몰딩 수지(95)가 공급부(430)에서 러너부(420)를 통해 캐비티(410)로 주입되도록 하는 기능을 수행한다.
본 실시예에 따른 트랜스퍼 장치(50)는 직접 몰딩 수지(95)를 가압하는 가압부(530)와, 회전 유닛(10a)의 회전에 의해 원심력을 발생하는 트랜스퍼 매스(510)와, 트랜스퍼 매스(510)와 가압부(530)를 연결하는 연결부(520)를 포함하여 구성된다.
트랜스퍼 매스(510)는 금형(20a)의 외부에 배치된다. 도 1을 참고하면 금형(20a)의 외부에 있어서 회전 유닛(10a)의 회전축(120)에 인접한 금형(20a)의 외부에 트랜스퍼 매스(510)가 배치된다. 이렇게 배치되어야 회전 유닛(10a)이 회전하면서 원심력이 발생하여 회전 유닛(10a)의 회전축(120)에서 멀어지는 쪽으로 원심력이 발생하고, 이 원심력에 의해 가압부(530)를 밀어 몰딩 수지(95)를 캐비티(410)로 주입할 수 있기 때문이다.
원심력 F는 F=mrωㅂ 의 공식으로 나타낼 수 있음은 앞서 설명하였다. 이 중 트랜스퍼 매스(510)의 질량은 위 공식에서 m에 해당하므로 원심력을 결정하는 중요한 요소로 작용한다. 따라서, 트랜스퍼 매스(510)의 질량을 조절하여 원심력의 크기를 조설할 수도 있다.
가압부(530)는 금형(20a) 내부의 수용부(440)에 배치된다. 가압부(530)는 수용부(440) 내부에서 직접 몰딩 수지(95)와 접촉하여 몰딩 수지(95)를 가압하는 기능을 수행한다.
연결부(520)는 수용부(440) 내부에 위치한 가압부(530)와 금형(20a) 외부에 배치된 트랜스퍼 매스(510)를 연결한다. 동시에, 트랜스퍼 매스(510)의 원심력을 가압부(530)로 전달하는 역할을 한다.
이하에서, 도 3 및 도 4를 통해 트랜스퍼 장치(50)의 동작에 대해 설명한다.
도 4는 도 3과 동일하게 도 1에서 A-A 선의 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 장치(50)는 이동 가능하게 설치된다. 특히, 트랜스퍼 장치(50)의 가압부(530)는 금형(20a) 내부의 수용부(440) 내부에서 이동한다.
도면을 기준으로 우측은 회전 유닛(10a)의 회전축(120) 방향이고, 좌측은 회전 유닛(10a)의 회전축(120) 반대 방향인 동시에 회전 유닛(10a)이 회전하면 원심력 방향이 된다.
도 3에 도시된 바와 같이 공급부(430)를 통해 몰딩 수지(95)가 공급된다. 몰딩 수지(95)는 공급부(430)와 수용부(440)를 채우게 된다. 이 때 트랜스퍼 장치(50)는 회전축(120) 방향으로 후퇴해 있다.
도 4는 회전 유닛(10a)이 구동장치(60)에 의해 회전을 하고 있는 상태를 나타낸 도면이다. 회전 유닛(10a)이 회전하면 회전 유닛(10a)의 제2장착부(112)에 장착된 금형(20a) 및 금형(20a)에 장착된 트랜스퍼 장치(50)도 회전한다.
트랜스퍼 장치(50)의 회전에 의해 소정의 질량을 가진 트랜스퍼 매스(510)에 원심력이 발생한다. 원심력은 회전 유닛(10a)의 회전 중심인 회전축(120)에서 멀어지는 방향으로 즉 원심력 방향으로 발생한다.
그에 의해 트랜스퍼 장치(50) 전체는 원심력 방향으로 이동한다. 수용부(440)에 위치한 가압부(530)는 원심력 방향으로 이동한다. 가압부(530)의 이동에 따라 공급부(430) 및 수용부(440)에 충전되어 있던 몰딩 수지(95)는 원심력 방향으로 가압되어 러너부(420)를 따라 캐비티(410)로 주입된다.
앞서 살펴 본 바와 같이 원심력 F는 F=mrωㅂ 의 공식으로 결정된다. 이중 m은 트랜스퍼 매스(510)와 가압부(530)를 포함한 트랜스퍼 매스(50) 전체의 질량을 나타내고, r은 회전 유닛(10a)의 회전축(120)에서 트랜스퍼 장치(50)까지의 거리를 나타낸다. ω는 구동장치(60)에 의해 회전하는 회전 유닛(10a)의 각속도를 나타낸다. 위 요소에 의해 원심력의 크기가 결정된다.
즉, 트랜스퍼 매스(50) 전체의 질량 또는 회전 유닛(10a)의 회전축(120)에서 트랜스퍼 장치(50)까지의 거리 또는 회전 유닛(10a)의 각속도를 적절하게 조절하여 원심력의 크기를 조절할 수 있다.
종래 트랜스퍼 몰딩 장치의 트랜스퍼 장치가 발생하는 힘을 발생하기 위해서는 큰 부피를 가진 구동부가 필요하였는데, 이와 같이 회전 구조를 사용하면 큰 부피를 가진 구동부없이 간단한 구조로 종래 트랜스퍼 장치가 발생하던 힘과 유사한 크기의 힘을 발생할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 금형을 구비한 반도체 패키지 제조장치를 도시한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조장치는 회전 유닛(10a)과, 회전 유닛(10a)에 장착된 금형(20b); 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 구동력을 공급하는 구동장치(60), 금형(20a)과 질량 균형을 맞추어 회전 유닛(10a)이 원활하게 회전할 수 있도록 하는 밸런스 매스(80)를 포함하여 구성된다.
금형(20b)의 내부구조가 도 1과 다르게 형성된다.
구동장치(60)는 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 회전력을 생성한다.
회전 유닛(10a)은 회전 중심에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)이 연결될 수 있도록 홀 형태의 회전축(120)가 형성된다. 회전축(120)에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)이 결합되면, 구동장치(60)가 생성한 구동력이 회전 샤프트(65)을 통해 회전 유닛(10a)에 전달되어 회전 유닛(10a)이 회전한다.
회전 유닛(10a)은 바디(100)와, 바디(100)의 양단에 형성되어, 금형(20a)과 밸런스 매스(80)가 장착되는 장착부(111, 112)로 형성된다.
장착부(111, 112)는 바디(100)의 양 단부에 형성되므로 제1장착부(111)와 제2장착부(112)를 포함한다. 즉, 제1장착부(111)와 제2장착부(112)는 회전 유닛(10a)의 회전축(120)를 기준으로 서로 반대 방향에 형성된다. 본 실시예에서는 제1장착부(111)에는 밸런스 매스(80)가 장착되고, 제2장착부(112)에는 금형(20a)이 장착된다.
밸런스 매스(80)에 의해 금형(20a)과 밸런스 매스(80)가 질량 균형을 이루고, 이에 의해 바디(100)는 전체적으로 질량 균형을 이루어 바디(100)가 원활하게 회전할 수 있다.
도 6은 도 5에서 C-C선의 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 금형(20b)은 크게 제1금형(210)과, 제2금형(310)과, 이젝트 핀(330)과, 트랜스퍼 장치(50)로 구성된다.
제1금형(210)은 상부에 위치하는 상부 금형이고, 제2금형(310)은 제1금형(210)의 하부에 위치하는 하부 금형이다. 제1금형(210)과 제2금형(310)이 서로 결합되는 형합 상태에서 몰딩이 이루어 지도록 대상 물체와 몰딩 수지(95)가 공급되는 캐비티(410)를 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이 제1금형(210)이 고정금형이고, 제2금형(310)이 가동금형으로 형성된 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
제1금형(210)의 상부에는 제1금형 지지유닛(220)이 마련되고, 제1금형(210)이 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다.
제1금형 지지유닛(220)의 상부에는 제1금형 구동장치(215)와 가이드부(251)를 고정하며 지지하는 상부 지지유닛(250)이 배치된다. 상부 지지유닛(250)의 네 모서리에는 제1금형(210) 및 제1금형 지지유닛(220)의 상하 이동을 가이드하는 가이드부(251)가 장착된다. 가이드부(251)는 상부 지지유닛(250)의 하면에 일단이 장착되고, 타단은 제2금형(310)에 장착될 수 있도록 상하 방향으로 길게 연장되어 형성된다.
제1금형 구동장치(215)에는 제1샤프트(216)가 연결되어 제1금형 구동장치(215)의 구동력을 전달한다. 제1샤프트(216)의 일단은 제1금형 구동장치(215)에 결합되고, 타단은 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다.
제1금형 구동장치(215)의 구동력은 제1샤프트(216)를 통해 제1금형 지지유닛(220)에 전달되고, 그에 의해 제1금형 지지유닛(220) 및 제1금형(210)이 동시에 상하로 이동 가능하게 된다.
제2금형(310)의 내부에는 히터(340)가 장착되어 캐비티(410) 내부에 충전되는 몰딩 수지(95)를 유동성을 가진 용융 상태로 변화시킨다.
제2금형(310)의 하단에는 방열판(320)이 장착되어, 히터(340)가 발생하는 열이 다른 부분으로 전달되는 것을 방지한다.
방열판(320)과 제2장착부(112) 사이에 방열판 지지부(350)가 배치된다. 서로 마주보도록 설치된 두 개의 방열판 지지부(350)사이로 이젝트 핀(330)이 이동할 공간이 형성된다.
이젝트 핀(330)은 일부가 제2금형(310)의 내부를 관통하도록 설치되고, 나머지 부분은 방열판(320)의 하단으로 돌출되어 단부가 핀 지지유닛(351)에 결합된다.
제2장착부(112)의 하단에 장착된 핀 구동장치(352)가 발생하는 구동력이 핀 구동장치(352)에 연결된 제2샤프트(353)를 통해 핀 지지유닛(351) 및 이젝트 핀(330)에 전달된다. 그에 의해 이젝트 핀(330)이 상부로 이동하면 이젝트 핀(330)의 위쪽 단부가 캐비티(410) 내부로 돌출되면서 반도체 패키지(91, 도 11참조)를 제2금형(310)에서 분리하게 된다.
도 7은 도 5에서 D-D선의 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 금형(20b) 내부는 몰딩이 이루어지는 캐비티(411, 412, 413)와, 몰딩 수지가 주입되는 공급부(430)와, 트랜스퍼 장치(10a)의 일부를 수용하는 수용부(440)와, 캐비티(411, 412, 413)와 공급부(430)를 연결하는 러너부(420)를 포함하여 구성된다.
본 실시예에서는 총 세 개의 캐비티(411, 412, 413)가 형성된다.
트랜스퍼 장치(50)는 직접 몰딩 수지(95)를 가압하는 가압부(530)와, 회전 유닛(10a)의 회전에 의해 원심력을 발생하는 트랜스퍼 매스(510)와, 트랜스퍼 매스(510)와 가압부(530)를 연결하는 연결부(520)를 포함하여 구성된다.
금형(20a)의 외부에 있어서 회전 유닛(10a)의 회전축(120)에 인접한 금형(20a)의 외부에 트랜스퍼 매스(510)가 배치된다.
가압부(530)는 금형(20b) 내부의 수용부(440)에 배치되고, 연결부(520)는 수용부(440) 내부에 위치한 가압부(530)와 금형(20b) 외부에 배치된 트랜스퍼 매스(510)를 연결한다.
이하 도 7 내지 도 11에서 금형(20b)의 동작 및 트랜스퍼 장치(50)이 동작에 대해 설명한다.
도 7 내지 도 11은 도 5에서 D-D 선의 단면도이다. 도 7 내지 도 11은 금형(20b) 및 트랜스퍼 장치(50)의 동작을 중점적으로 나타내기 위해 다른 구성은 생략하고 도시하였다.
도 7은 제1금형(210)과 제2금형(310)이 분리된 형개 상태를 도시한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1금형(210)과 제2금형(310)은 서로 분리되어 있다. 이러한 형개 상태에 캐비티(410)에 몰딩의 대상이 되는 반도체 소자(90)가 안착된다.
반도체 소자(90)는 칩이 인쇄회로기판 위에 바로 실장되어 형성된다. 칩은 인쇄회로기판의 솔더 볼 등으로 인쇄회로기판에 결합된다. 이러한 형상의 반도체 소자 이 외에도 칩이 리드프레임과 와이어로 연결되어 있는 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
도 8은 제1금형(210)과 제2금형(310)이 형합된 형폐 상태를 도시한 도면이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1금형(210)과 제2금형(310)은 서로 결합되어 금형(20b)이 닫혀있다. 제1금형(210)과 제2금형(310)의 사이로는 캐비티(410)가 형성된다.
앞서 설명한 바와 같이 금형(20b) 내부에는 캐비티(410)와, 공급부(430)와, 수용부(440)와, 러너부(420)가 형성된다.
몰딩 수지(95)는 플런저(460)에 의해 공급부(430)로 공급된다. 플런저(460)는 몰딩 수지(95)를 공급부(430)로 공급하는 역할을 수행하는 동시에 공급부(430)를 닫아 회전 유닛(10a, 도 5 참조)이 회전하여도 몰딩 수지(95)가 금형(20b) 외부로 새지 않도록 하게 한다.
몰딩 수지(95)는 액체 상태 또는 고체 상태를 모두 가질 수 있다. 고체 상태의 몰딩 수지의 경우 앞서 살펴본 바와 같이 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)일 수 있다.
몰딩 수지(95)가 고체 상태인 경우에는 공급부(430)에 공급되기 전에 미리 예열을 거쳐 공급부(430)에 주입된 후에 짧은 시간 내에 용융 상태로 변화할 수 있도록 할 수 있다.
또는, 미리 완전하게 용융된 상태로 변형하여 액체 상태의 몰딩 수지(95)를 공급부(430)로 공급할 수도 있다.
도 9는 히터(340)에 의해 몰딩 수지(95)가 용융된 상태를 도시한 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 몰딩 수지(95)가 용융되어 유동성 있는 상태로 변화하였다. 그러나, 용융된 몰딩 수지(95)라도 점성이 완전이 없는 상태로 되는 것은 아니기 때문에 수용부(440)에서 캐비티(410)로 완전하게 이동할 수 없다. 또, 몰딩 수지(95)가 캐비티(410) 내부에 완전히 채워져야 원하는 형태를 가진 반도체 패키지를 얻을 수 있으므로, 이러한 상태만으로 몰딩이 이루어질 수 없다.
따라서, 몰딩 수지(95)가 캐비티(410) 내부를 완전하게 채울 수 있도록 몰딩 수지(95)를 가압할 필요가 있다.
도 10은 트랜스퍼 장치에 의해 몰딩 수지(95)가 가압되어 캐비티(410)에 주입된 상태를 도시한 도면이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 회전 유닛(60, 도 5 참조)이 회전을 시작하여 회전 유닛(60)의 바디(100, 도 5 참조)에 장착된 금형(20b) 및 금형(20b)에 장착된 트랜스퍼 장치(50)도 회전을 한다.
회전에 의해 원심력이 발생하여 트랜스퍼 장치(50)가 원심력 방향, 즉 회전 유닛(60)의 회전 반경 외측 방향으로 이동한다.
트랜스퍼 장치(50)의 이동에 따라 가압부(530)가 몰딩 수지(95)를 가압하고, 몰딩 수지(95)는 캐비티(410)를 채우게 된다.
도 9 및 도 10에 의하면, 몰딩 수지(95)의 용융이 완료된 후 회전 유닛이 회전하면서 몰딩 수지(95)를 가압부(530)가 가압하는 것으로 단계가 나누어서 도시되었다. 이와 같이 위 두 단계가 별개로 이루어 질 수도 있으나, 몰딩 수지(95)의 용융과 가압이 동시에 이루어질 수 있다. 즉, 히터(340)의 작동과 회전 유닛(60)의 회전이 동시에 이루어지는 것도 본 발명의 사상에 포함된다.
도 11은 몰딩이 완료된 반도체 패키지(91)를 금형에서 분리하는 것을 도시한 도면이다
도 11에 도시된 바와 같이, 캐비티(410)에 몰딩 수지(95)가 채워진 후 냉각, 응고되면 반도체 패키지(91)가 완성된다.
반도체 패키지(91)가 완성되면 제1금형(210)과 제2금형(310)이 분리되어 형개 상태가 된다.
형개가 되면 이젝트 핀(330)이 상승하면서 이젝트 핀(330)의 상측 단부가 캐비티(410) 내부로 돌출되어 반도체 패키지(91)를 제2금형(310)에서 분리한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 블록도이다.
도 12은 본 발명의 제3실시예에 따른 금형의 단면도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 금형(20c)은 크게 제1금형(210)과, 제2금형(310)과, 이젝트 핀(330)과, 트랜스퍼 장치(50)로 구성된다.
제1금형(210)과 제2금형(310)이 서로 결합되는 형합 상태에서 몰딩이 이루어 지는 공간을 형성한다. 이 공간은 몰딩이 이루어지는 캐비티(410)와, 몰딩 수지가 주입되는 공급부(430)와, 트랜스퍼 장치(10a)의 일부를 수용하는 수용부(440)와, 캐비티(410)와 공급부(430)를 연결하는 러너(420)를 포함하여 구성된다.
트랜스퍼 장치(51)는 직접 몰딩 수지(95)를 가압하는 동시에 회전 유닛(10a)의 회전에 의해 원심력을 발생하는 트랜스퍼 매스(510)와, 트랜스퍼 매스(510)에 연결되어 외부로 금형(20c) 외부로 돌출된 연결부(520)를 포함하여 구성된다.
트랜스퍼 매스(510)는 금형(20c) 내부의 수용부(440)에 배치된다.
제1금형(210)의 상부에는 제1금형 지지유닛(220)이 마련되고, 제1금형(210)이 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다.
제1금형 지지유닛(220)의 상부에는 제1금형 구동장치(215)와 가이드부(251)를 고정하며 지지하는 상부 지지유닛(250)이 배치된다. 상부 지지유닛(250)의 네 모서리에는 제1금형(210) 및 제1금형 지지유닛(220)의 상하 이동을 가이드하는 가이드부(251)가 장착된다.
제1금형 구동장치(215)에는 제1샤프트(216)가 연결되어 제1금형 구동장치(215)의 구동력을 전달한다. 제1샤프트(216)의 일단은 제1금형 구동장치(215)에 결합되고, 타단은 제1금형 지지유닛(220)에 결합된다.
제2금형(310)의 내부에는 히터(340)가 장착되어 몰딩 수지(95)를 용융하여 유동성을 가진 상태로 변화시킨다.
제2금형(310)의 하단에는 방열판(320)이 장착되어, 히터(340)가 발생하는 열이 다른 부분으로 전달되는 것을 방지한다.
방열판(320)과 제2장착부(112) 사이에 방열판 지지부(350)가 배치된다. 서로 마주보도록 설치된 두 개의 방열판 지지부(350)사이로 이젝트 핀(330)이 이동할 공간이 형성된다.
이젝트 핀(330)은 일부가 제2금형(310)의 내부를 관통하도록 설치되고, 나머지 부분은 방열판(320)의 하단으로 돌출되어 단부가 핀 지지유닛(351)에 결합된다.
제2장착부(112)의 하단에 장착된 핀 구동장치(352)가 발생하는 구동력이 핀 구동장치(352)에 연결된 제2샤프트(353)를 통해 핀 지지유닛(351) 및 이젝트 핀(330)에 전달된다. 그에 의해 이젝트 핀(330)이 상부로 이동하면 이젝트 핀(330)의 위쪽 단부가 캐비티(410) 내부로 돌출되면서 성형이 완료된 반도체 패키지(91)를 제2금형(310)에서 분리하게 된다.
도 13는 본 발명의 제4실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조장치(1c)는 회전 유닛(10a)과, 회전 유닛(10a)에 장착된 두 개의 금형(21, 22)과, 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 구동력을 공급하는 구동장치(60)를 포함하여 구성된다.
구동장치(60)는 회전 유닛(10a)이 회전할 수 있도록 회전력을 생성하여 이를 회전 샤프트(65)을 통해 회전 유닛(10a)으로 전달한다.
회전 유닛(10a)은 회전 중심에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)가 연결될 수 있도록 홀 형태의 회전축(120)이 형성된다. 회전축(120)에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)가 결합된다.
회전 유닛(10a)은 회전축(120)를 기준으로 양 방향으로 연장되어 형성된 바디(100)와, 바디(100)의 양단에 형성된 장착부(111, 112)로 구성된다.
바디(100)의 양 단부에는 금형(21, 22)이 장착되는 장착부(111, 112)가 형성된다.
장착부(111, 112)는 바디(100)의 양 단부에 형성되므로 제1장착부(111)와 제2장착부(112)를 포함한다. 즉, 제1장착부(111)와 제2장착부(112)는 회전 유닛(10a)의 회전축(120)를 기준으로 서로 반대 방향에 형성된다. 본 실시예에서는 제1장착부(111)와 제2장착부(112) 모두에 금형(21, 22)이 장착된다.
두 개의 금형(21, 22)은 서로 질량 균형을 이루어 회전 유닛(10a)이 원활하게 회전할 수 있게 한다.
도 14는 본 발명의 제5실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 13에 도시된 제4실시예와 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 14에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조장치(1d)는 회전 유닛(10b)과, 회전 유닛(10b)에 장착된 네 개의 금형(21, 22, 23, 24)과, 회전 유닛(10b)이 회전할 수 있도록 구동력을 공급하는 구동장치(60)를 포함하여 구성된다.
회전 유닛(10b)의 형상 및 그에 따른 금형의 개수가 제4실시예와 차이가 난다.
회전 유닛(10b)은 회전 중심에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)가 연결될 수 있도록 홀 형태의 회전축(120)이 형성된다. 회전축(120)에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65)가 결합된다.
회전 유닛(10b)은 회전축(120)을 기준으로 양 방향으로 연장되어 형성된 제1바디(101)와, 제1바디(101)와 교차하도록 회전축(120)을 기준으로 연장되어 형성된 제2바디(102)로 구성된다. 제1바디(101)와 제2바디(102)의 각각의 단부에 장착부(111, 112, 113, 114)가 형성된다.
본 도면에서 제1바디(101)와 제2바디(102)가 직교하며 배치된 것으로 도시되어 있으나, 서로 교차하도록 배치되어 있으면 다른 각도를 가지고 배치된 것도 본 발명의 사상에 포함될 수 있다.
각각의 장착부(111, 112, 113, 114)에는 네 개의 금형(21, 22, 23, 24)이 하나씩 장착된다.
네 개의 금형(21, 22, 23, 24)은 전체적으로 질량 균형을 이루어 회전 유닛(10b)이 원활하게 회전할 수 있도록 하게 한다.
도 15는 본 발명의 제6실시예에 따른 반도체 패키지 제조장치의 구성을 도시한 사시도이다.
이 실시예 역시 도 14에 도시된 제4실시예와 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 15에 도시된 바와 같이, 반도체 패키지 제조장치(1e)는 회전 유닛(10c)과, 회전 유닛(10c)에 장착된 네 개의 금형(21, 22, 23, 24)과, 회전 유닛(10c)이 회전할 수 있도록 구동력을 공급하는 구동장치(60)를 포함하여 구성된다.
회전 유닛(10b)의 형상 및 그에 따른 금형의 개수가 제4실시예와 차이가 난다.
회전 유닛(10c)은 회전 중심에 회전축(120)이 형성되고, 회전축(120)에 구동장치(60)의 회전 샤프트(65, 도 15 참조)가 결합된다.
회전 유닛(10b)은 회전축(120)을 중심으로 한 원형의 판 형상의 바디(103)로 구성된다. 본 실시예에 의한 바디(103)는 별도의 장착부가 마련되어 있지 않다.
바디(103)의 가장자리에 원주 방향을 따라 네 개의 금형(21, 22, 23, 24)이 소정의 간격을 가지고 배열된다.
네 개의 금형(21, 22, 23, 24)은 전체적으로 질량 균형을 이루어 회전 유닛(10b)이 원활하게 회전할 수 있도록 하게 한다.
본 실시예에서 금형은 네 개가 장착된 것이 도시되어 있으나, 본 실시예와 같은 바디(103)의 경우 별도의 장착부가 없기 때문에 금형 간에 질량 균형만 이룰 수 있다면 네 개 이상 또는 이하의 금형이 장착될 수 있다.
이렇게 장착되는 금형의 개수를 늘려 한 번의 회전으로 더 많은 반도체 패키지(91)를 제조할 수 있을 것이다.
1a, 1b, 1c, 1d, 1e: 트랜스퍼 장치
10a, 10b, 10c : 회전 유닛
20a, 20b, 20c, 21, 22, 23, 24 : 금형
210 : 제1금형 310 : 제2금형
410 : 캐비티 420 : 러너부
430 : 공급부 440 : 수용부
50, 51 : 트랜스퍼 장치
510 : 트랜스퍼 매스 520 : 연결부
530 : 가압부
90 : 반도체 소자 91 : 반도체 패키지
95 : 몰딩 수지

Claims (10)

  1. 반도체 칩이 실장된 반도체 소자를 몰딩하여 반도체 패키지를 제조하는 반도체 패키지 제조장치에 있어서,
    제1금형과, 제2금형과, 상기 반도체 소자의 몰딩이 이루어지도록 상기 제1금형과 상기 제2금형이 형합하여 형성되는 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 금형;
    단부에 상기 적어도 하나의 금형이 장착되고, 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 구성된 회전 유닛;
    상기 금형과 상기 회전축 사이에 장착되어, 상기 회전 유닛이 회전축을 중심으로 회전하면 원심력에 의해 몰딩 수지를 상기 캐비티 내부로 공급하도록 구성된 트랜스퍼 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 장치는 상기 금형 내부에 수용되어 상기 몰딩 수지를 가압하여 상기 몰딩 수지가 상기 캐비티 내부로 공급되도록 하는 가압부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 장치는 상기 트랜스퍼 장치의 질량을 증가시켜 상기 가압부가 상기 몰딩 수지를 가압하는 힘을 더 크게 하도록 구성된 트랜스퍼 매스;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 장치는 상기 가압부와 상기 트랜스퍼 매스를 연결하는 연결부를 더 포함하고,
    상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 내부에 배치되고,
    상기 트랜스퍼 매스와 상기 가압부는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 매스는 상기 금형의 회전 반경 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 회전 유닛은 제1단부를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 금형은 상기 회전 유닛의 상기 제1단부에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 회전 유닛은 상기 제1단부의 반대쪽에 마련된 제2단을 포함하고,
    상기 금형과 질량 균형을 맞추어 상기 회전 유닛이 용이하게 회전할 수 있도록 상기 제2단부에 배치되는 밸런스 매스;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  9. 회전축을 중심으로 회전 가능하도록 구성된 회전 유닛;
    상기 회전 유닛의 단부에 장착되어 상기 회전 유닛과 함께 회전하며, 반도체 소자의 몰딩이 이루어지는 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 금형;
    상기 적어도 하나의 금형에 장착되어, 상기 적어도 하나의 금형이 회전하면 몰딩 수지를 원심력 방향으로 가압하여 상기 몰딩 수지가 상기 캐비티 전체로 퍼지도록 하는 트랜스퍼 매스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회전 유닛은 길이 방향으로 연장된 제1바디와, 제2바디를 포함하고,
    상기 제1바디와 상기 제2바디는 상기 회전 유닛의 상기 중심부를 중심으로 교차되어 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조장치.
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