TW201810736A - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201810736A
TW201810736A TW106141297A TW106141297A TW201810736A TW 201810736 A TW201810736 A TW 201810736A TW 106141297 A TW106141297 A TW 106141297A TW 106141297 A TW106141297 A TW 106141297A TW 201810736 A TW201810736 A TW 201810736A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lead
lead frame
metal layer
light
shape
Prior art date
Application number
TW106141297A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI670871B (zh
Inventor
中林拓也
板東義尚
玉置寬人
Original Assignee
日商日亞化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日亞化學工業股份有限公司 filed Critical 日商日亞化學工業股份有限公司
Publication of TW201810736A publication Critical patent/TW201810736A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI670871B publication Critical patent/TWI670871B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49544—Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種可耐受半導體元件之電極與金屬構件之直接接合的高品質之導線架、及利用其之可靠性較高的半導體裝置。本發明之導線架包含：一對導線部11a、11b，其相互隔開且對向配置，用於與半導體元件之一對電極分別電性接合；及一對支桿12，其與導線部11a、11b隔開，自一導線部11a、11b之側方向另一導線部之側方延長。

Description

發光裝置
本發明係關於一種導線架及可利用於顯示裝置、照明器具、顯示器及液晶顯示器等的背光光源等中之半導體裝置。
近年來，提出各種電子零件並使其實用化，對其等所要求之性能提高。尤其是，對於電子零件要求即便於嚴酷之使用環境下亦能長時間地維持性能。 以記憶體、發光二極體(LED：Light Emitting Diode)為代表之半導體裝置亦同樣，尤其於用於普通照明領域、車載照明領域等之發光裝置中，要求進一步之高輸出(高亮度)化、高可靠性。 因此，例如提出有使用利用壓延壓接形成之積層構造之包覆材料作為硬度及導電性較高的導線架材料(例如JPH5-102386A)。 又，根據半導體裝置之用途，一面維持該等之高性能一面謀求進一步之小型化。 因此，不僅對於半導體元件之構造，而且對於封裝構造亦進行各種設計。 例如，於可進一步實現薄膜化之半導體裝置中，為了謀求半導體元件與密封樹脂及導線之密接性，提出有於晶片座及導線部之對向之端面形成凹凸之技術(例如JP2011-151069A等)。
然而，即便確保利用密封樹脂將半導體元件與導線一體化之密接性，但為了謀求半導體裝置之進一步之小型化、薄膜化，亦進一步要求設計為採用將元件電極直接接合於金屬構件之構造等。 另一方面，於元件電極與金屬構件直接接合時，存在因元件與金屬構件之間之線膨脹係數之差異、尤其是構成元件之半導體層與金屬構件之間之線膨脹係數之差異而容易產生接合破壞之問題。 本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可耐受與元件之直接接合的高品質之導線架、及利用其之可靠性較高的半導體裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明包含以下發明。 (1)一種導線架，其係複數個單元連結而成者，該單元包含：一對導線部，其相互隔開且對向配置，用於與半導體元件之一對電極分別電性接合；及 一對支桿，其與該導線部隔開，且自上述一導線部之側方向另一導線部之側方延長。 (2)一種導線架，其係複數個單元連結而成者，該單元包含相互隔開且對向配置、用於載置半導體元件而與一對電極分別電性接合之一對導線部， 上述導線部包含自該導線部延長之2個鉤部， 上述一導線部之鉤部係於相對於上述單元之中心線之兩側以包圍上述另一導線部之鉤部之前端部之方式配置。 (3)一種半導體裝置，其包括：半導體元件，其於同一面側具有一對電極； 如上述中任一項之導線架；及 樹脂構件，其至少配置於上述相互對向配置之導線部之間，且固定上述導線架。 (4)一種半導體裝置，其包括：半導體元件，其於同一面側具有一對電極； 導線架，其包含一對導線部，該一對導線部相互隔開且對向配置，上述半導體元件之一對電極對向，該一對導線部經由接合構件而與該一對電極電性連接；及 樹脂構件，其至少配置於上述相互隔開且對向配置之導線部之間，且固定上述導線架； 上述導線架更包括一對支桿，該一對支桿係與上述導線部隔開，且自上述一導線部之側方向另一導線部之側方延長。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種可耐受與半導體元件之直接接合的高品質之導線架。 又，藉由使用該導線架，可提供一種高品質且高可靠性且可進一步實現小型化及薄膜化之半導體裝置。
以下，一面參照圖式一面對本發明之導線架及半導體裝置之形態進行說明。再者，為了使說明明確，各圖式所示之構件之大小及位置關係等存在誇大之情況。進而，於以下之說明中，關於相同之名稱、符號，原則上表示相同或同質之構件，適當省略詳細說明。 [導線架] 本實施形態之導線架為金屬構件，且係連結複數個包含作為電極發揮功能之至少一對導線部之單元而構成。 於一實施形態中，導線架可連結有複數個單元而構成，該單元包含作為電極發揮功能之一對導線部、及與該一對導線部對應之一對支桿。支桿較佳為如下所述般具有鉤部。 另一實施形態之導線架係連結有複數個包含一對導線部之單元，且於1個導線部具有2個自導線部延長之鉤部而構成。 通常，單元係於實現此種形狀之圖案之間、其等之外周等處具有框體。於製成半導體裝置時，導線架係針對每個單元進行切斷。以下，對導線架之1個單元進行說明。 (導線部) 一對導線部相互隔開且對向配置。即，以如下之方式配置：一對導線部中之一導線部與下述半導體元件之一對電極中之一電極電性接合，且另一導線部與半導體元件之另一電極電性接合，且至少作為正正電極端子或負電極端子發揮功能。 導線部例如亦可於其表面具有用於劃定半導體元件跨過一對導線部而載置之區域的槽部。此種區域較佳為設為與半導體元件大致相等之面積及形狀、或較其略大之面積及相似形狀。藉此，為了藉由接合構件而將半導體元件接合於經劃定之半導體元件載置區域(以下有時簡稱為元件載置區域)，可使半導體元件有效地對準導線部之適當部位。 具體之導線部及元件載置區域之面積可根據搭載於其上之平面面積、數量、排列狀態等而適當設定。又，一對元件載置區域之間之間隙之形狀或位置可根據所設置之正負電極之形狀而適當設定。 導線部之表面較佳為平坦，但亦可於導線架材料自身形成有少許凹凸，亦可藉由導線架材料之凹凸而具有導線材料與樹脂交替排列之圖案形狀。 導線部之平面形狀並無特別限定，亦可於俯視時具有四邊形等多邊形、圓形或橢圓形等、近似於其等之形狀、梳狀及鋸齒狀等具有凹凸之形狀。進而，亦可為與下述支桿前端之形狀對應之形狀。關於此種形狀於下文進行敍述。 又，導線部之背面亦可具有與導線部之正面不同之形狀(凹凸等)。如圖1B所示，元件載置區域11c亦可於該導線部之一部分具有厚度較薄之區域(以交叉影線所示之部分)。該厚度較薄之區域係以自導線部之背面側進行蝕刻或壓製等而使背面之端部較正面之端部位於更內側之方式進行加工之區域，可形成為占元件載置區域之1/5～1倍左右之面積。 槽部具有以與半導體元件之外周對應之方式，自一對導線部之端面開始朝向離開該端面之方向延長的部位。藉由槽部自端面開始，從而，於半導體裝置之樹脂構件之成型時，可自導線部之端面側注入樹脂，而以樹脂被覆該槽部內。藉此，可更顯著地發揮上述對準效果。此處之離開之方向例如較佳為於相對於包含該端面之導線部之緣而正交或大致正交(±10度)之方向、傾斜之方向(45度±10度)上延長。該延長之部位較佳為形成為直線狀。 (支桿) 支桿係以與一對導線部隔開且自一導線部之側方向另一導線部之側方延長之方式配置。此種支桿較佳為以配置於導線部之兩側之方式具有一對。 支桿之平面形狀並無特別限定，只要為如沿著搭載之半導體元件之一邊之整個側方的細長形狀即可。例如亦可為直線狀，亦可具有自沿著半導體元件之側方之直線狀前端向導線部側延長之鉤部(即L字形狀之部位)。此種鉤部亦可僅存在於1個支桿之一端，但較佳為存在於兩端。或者，亦可並非配置於端部，亦可配置於中央部。又，亦可僅配置於一對支桿中之一者，但較佳為配置於兩者。進而，於一對支桿中，亦可分別配置於不同之一端或端部附近。其中，較佳亦為配置於一對支桿之兩端。又，鉤部可為於俯視時朝向導線部側彎曲者，亦可為朝向導線部之相反側彎曲者。支桿可遍及全長地為相同之粗度，亦可如逐漸寬幅、窄幅等般粗度產生變化。 再者，於在支桿前端具有鉤部之情形時，與該鉤部對向之導線部較佳為設為具有其一部分自導線部向側方延長之部分之形狀、換言之為具有平面形狀為U字狀或L字狀之凹部(錨狀部)之形狀。該凹部較佳為以沿著支桿前端之鉤部之形狀，以U字狀或L字狀包圍鉤部之方式配置。 因此，導線架中包含之支桿之前端之鉤部及導線部之凹部可分別為1個或2～4個。 藉由將此種形狀之支桿配置於導線部之兩側，從而，即便於在半導體裝置中已將半導體元件之電極與導線架直接接合之情形時，亦可有效地抵消半導體元件與導線架之間之線膨脹係數及/或熱膨脹係數之差異、尤其是構成半導體元件之半導體層與導線架之間之線膨脹係數之差異。藉此，可有效地防止接合破壞。 支桿之正面亦可與導線部正面為同一面，支桿之背面亦可與導線部之背面為同一面。即，支桿之厚度亦可與導線部相同，但較佳為薄於導線部。於此情形時，較佳為支桿之正面或背面中之任一者較導線部之正面或背面中之任一者更凹陷(於厚度方向上位於內側)。尤其是，更佳為支桿之背面(於成為半導體裝置之一部分之情形時為載置半導體元件之面之相反面)較導線部之背面更凹陷。 藉此，可阻止因支桿所致之背面之短路等。 支桿之正面或背面之凹陷之深度可列舉導線架之總厚度之5%～60%左右。 如此，使支桿薄於導線部之方法可利用該領域中公知之方法、所謂半蝕刻法而形成。具體而言，可列舉於支桿之正面及/或背面形成具有開口之遮罩圖案並進行蝕刻之方法。蝕刻條件可以僅蝕刻導線架之開口之厚度方向之一部分的方式適當設定。 (鉤部) 導線部亦可如上所述般於1個導線部具有2個自導線部延長之鉤部。此處，所謂鉤部，可列舉於俯視時具有端部彎折之形狀之部位、例如具有呈L字狀、T字狀、U字狀、V字狀、W字狀等彎折之形狀之部位。其中，較佳亦為L字狀、U字狀或T字狀之部位。就另一觀點而言，所謂鉤部，亦可換言之為於俯視時呈凹狀或切口狀凹陷之部位。就又一觀點而言，導線部如雌雄搭扣般具有2個與凸部及凹部對應之凸凹。 若使用將一對導線部分別分解之圖1B進行說明，則導線部11a之兩側具有自該導線部11a延長之2個鉤部A、B。導線部11b之兩側具有自該導線部11ba延長之2個鉤部C、D。此處之兩側係指配置有一對導線部11a、11b之方向(圖1A中為方向)之左右兩側。換言之，係指相對於單元之中心線之兩側。此處之中心線係指通過單元之中心或重心之線，但亦可容許中心線相對於單元之一邊偏移±10%左右之距離。 而且，一導線部11a之鉤部A(凹部A)以包圍另一導線部11b之鉤部D(凸部D)之前端部D1之方式配置。反之，另一導線部11b之鉤部D(凹部D)以包圍一導線部11a之鉤部A(凸部A)之前端部A1之方式配置。該關係存在於配置有一對導線部11a、11b之方向之左右兩側。 又，若就另一觀點進行說明，則導線部於俯視時在一對導線部之配置方向(圖1A中之X方向)上，以導線部11b之一部分(即D1)與導線部11a之一部分(即A1)相互隔開並且重疊之方式呈沿相互之凹凸而嚙合之形狀配置。此種部位配置於X方向之左右兩側。 藉由將此種鉤部配置於配置有一對導線部之方向之左右兩側，從而，即便於在半導體裝置中已將半導體元件之電極與導線架直接接合之情形時，亦可有效地抵消半導體元件與導線架之間之線膨脹係數之差異、尤其是構成半導體元件之半導體層與導線架之間之線膨脹係數之差異。藉此，可有效地防止接合破壞。 鉤部之正面亦可與導線部(尤其是元件搭載區域)正面為同一面，鉤部之背面亦可與導線部(尤其是元件搭載區域)之背面為同一面。即，鉤部之厚度亦可與導線部相同，但較佳為薄於導線部。於此情形時，較佳為鉤部之正面或背面中之任一者較導線部之正面或背面中之任一者更凹陷。尤其是，更佳為鉤部之背面(於成為半導體裝置之一部分之情形時為載置有半導體元件之面之相反面)較導線部之背面更凹陷。 藉此，可阻止因鉤部所致之背面之短路等。 鉤部之正面或背面之凹陷深度可列舉導線架之總厚度之5%～60%左右。 如此，使鉤部薄於導線部之方法可利用該領域中公知之方法、所謂半蝕刻法而形成。具體而言，可列舉於鉤部之正面及/或背面形成具有開口之遮罩圖案並進行蝕刻之方法。蝕刻條件可以僅蝕刻導線架之開口之厚度方向之一部分之方式適當設定。 尤其是，藉由利用半蝕刻法形成鉤部，可使封裝強度提高，於安裝跨過一對導線部而配置之半導體元件時，可使接合強度提高，確保可靠性。 又，藉由不僅進行一面之半蝕刻，而且亦蝕刻正背面，從而，例如可較多地殘留第1金屬層或第2金屬層，容易控制投錨效應。又，藉由將該正面設為波型等異形狀、或如下所述般無電鍍等，可提高與樹脂構件之密接性。 導線部由於具有鉤部，故通常認為其平面面積變大。此種平面面積之增加存在導致與半導體元件之應力差增大之情況。於此種情形時，可於導線部中之非鉤部之部位設置貫通孔等，而使與半導體元件之應力差緩和。 (其他部位) 關於導線架，於一實施形態中，上述一對導線部及與導線部隔開而配置之支桿係作為一個單元而於行列方向、即長邊方向及與其正交之方向即短邊方向上排列有複數個。 又，於其他實施形態中，上述一對導線部及鉤部作為一個單元而於行列方向上排列有複數個。 於本申請案中，導線架不僅包括僅包含此種一個單元者，而且亦包括包含複數個單元者。 即，導線架亦可包含將導線部相互連結之連結部位。又，於相當於半導體裝置之一單元之導線架中，係以與導線部隔開之方式配置，但為了一連串地配置複數個單元，亦可包含連結支桿與導線部之連結部位。 就該等導線架之各部位而言，於成為下述1個半導體裝置之一部分之情形時，例如可埋設於樹脂構件中，亦可自樹脂構件露出，亦可切斷分離。尤其是，鉤部較佳為埋設於樹脂構件中。又，較佳為於上述導線部之槽內亦填充有樹脂構件。 關於導線架之形狀，只要相互隔開且對向配置則無特別限定。例如可為板狀及波狀，可部分地變厚或變薄，亦可為使板狀或波狀者彎曲而成者。 (材料) 導線架通常係由作為端子發揮功能之導電性材料形成。例如，可列舉Fe、Ni、Cu、Co、Ti、Sc、Nb、Zn、Zr、W、Mo、Ta、Al、Au、Pt、Ag、Rh、Ru、Pd、Os、Ir、Hf、V、Mn、Cr、La、Y、Sn等金屬或其等之合金。該等可為單層，亦可為積層構造(例如包覆材料)。作為主成分，較佳為使用Fe、Ni、Cu。又，作為微量含有元素，亦可包含Si、P等非金屬。 導線架之膜厚例如可列舉100～1000 μm左右。 (包覆材料) 本實施形態之導線架較佳為包含包覆材料而形成。 包覆材料較佳為至少包含第1金屬層及包含與第1金屬層不同之金屬之第2金屬層的積層構造者。 第1金屬層及第2金屬層只要具有互不相同之組成即可，亦可為由一部分含有相同金屬元素之材料形成者。 作為互不相同之金屬，可列舉線膨脹係數及/或熱膨脹係數、對於特定蝕刻液之溶解性、導電率、導熱率、反射率及/或硬度互不相同者。其中，較佳亦為熱膨脹係數及對於特定蝕刻液之溶解性互不相同者。 第1金屬層及第2金屬層可選自上述金屬或合金等。具體而言，第1金屬層較佳為具有線膨脹係數或對於特定蝕刻液之溶解性大於第2金屬層之特性者，更佳為銅或銅合金，進而較佳為散熱性優異之銅。尤其是，進而較佳為雜質較少、導熱率較高的無氧銅。例如，藉由對用作電極端子之部分使用Cu，可使焊接變得容易，可獲得散熱性優異之半導體裝置。又，藉由對與下述樹脂構件之接合部分使用無氧銅，可使樹脂構件與導線架之密接性提高，從而抑制其等之剝離。 藉由設為以Cu為主成分之194系合金、EFTEC系合金、KFC系合金，而使包覆材料之生產性提高，可抑制加工時之翹曲、變形等。 第2金屬層較佳為鐵或鐵合金，更佳為Inver、SPCC、Kovar、SUS等，進而較佳為通用性或加工性優異或常溫附近之線膨脹率較小的Fe-Ni系合金。 如此，藉由採用包含不同金屬之第1金屬層及第2金屬層之積層構造的包覆材料，可適當組合利用各金屬之特性，因此，作為導線架，進而於使用其之半導體裝置中，可進一步確保該等之可靠性且賦予高品質。 尤其是，於第1金屬層為具有線膨脹係數大於第2金屬層之特性者之情形時，可使相對於半導體元件等之線膨脹係數之差限於最小限度，或可使半導體元件之接合中使用之接合構件之線膨脹係數接近於半導體元件。其結果為，可有效地防止半導體元件與導線架之接合破壞。對於經由接合構件而將導線部電性連接於半導體元件之一對電極的面朝下型之半導體裝置而言，該效果較為顯著。 又，於第1金屬層具有對於蝕刻液之溶解性大於第2金屬層之特性之情形時，可易於實現第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出的形狀之加工。藉此，可使導線架與樹脂構件之接觸面積增大。又，可發揮導線架對樹脂構件之投錨效應。 再者，作為特定之蝕刻液，具有代表性者可列舉氯化鐵或氯化銅。該溶液之濃度並無特別限定，可考慮第1金屬層及第2金屬層之種類、厚度、蝕刻時使用之遮罩圖案等，而設定為通常之金屬蝕刻中使用之濃度。 包覆材料只要包含第1金屬與第2金屬之積層構造即可，較佳為所謂於整個面上為覆蓋型，但亦可具有一部分包含覆蓋型、嵌入型、無邊型之部分的構造。又，亦可包含三層構造、四層以上之構造。於此情形時，亦可包含第1金屬層及第2金屬層中之任一者或兩者積層複數層而成之構造，與該等金屬層不同之第3、第4、…第n金屬層等可積層於第1金屬層與第2金屬層之間，亦可積層於第1金屬層與第2金屬層之積層體之一面或兩面。此情形時之不同之第3金屬層等可選自上述第1金屬層及第2金屬層等之例示材料。 其中，較佳亦為，導線架由包含第1金屬層及第2金屬層之雙層構造、或包含第1金屬層及第2金屬層依序交替接合而成之三層構造或五層構造之包覆材料形成。於包含雙層構造之包覆材料之情形時，亦可於半導體元件側配置第1金屬層及第2金屬層中之任一者，較佳為配置第1金屬層。此種構造可將端面之凹凸容易地控制為適當之形狀。又，藉由適當選擇第1金屬層及第2金屬層之材料，可藉由控制線膨脹係數而確實地進行上述接合破壞之防止，可確保散熱性。 尤其是，導線架較佳為第1金屬層/第2金屬層/第1金屬層之三層構造。於此情形時，上述支桿可設為蝕刻去除一第1金屬層後之部分。即，較佳為將槽部之下部設為第1金屬層及第2金屬層之雙層構造。藉由此種構成，加工條件之設定較為簡便，可容易地使支桿之厚度變薄。 第1金屬層及第2金屬層之厚度並無特別限定，例如，第1金屬層及第2金屬層可分別設為數十μm～數百μm左右之厚度。尤其是，於第1金屬層及第2金屬層之雙層構造中，可列舉第1金屬層設為10～300 μm左右、第2金屬層設為10～300 μm左右之厚度。於第1金屬層、第2金屬層及第1金屬層依序接合而成之三層構造中，可列舉第1金屬層分別設為50～200 μm左右、第2金屬層設為50～200 μm左右之厚度。於此情形時，第1金屬層可為相同之厚度，亦可為不同之厚度。尤其是，於用於半導體裝置之情形時，較佳為於遠離半導體元件之側配置膜厚較厚之第1金屬層。 第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出之形狀較佳為可使投錨效應最大限度地發揮之形狀。 例如，可列舉：(1)第2金屬層之端面較第1金屬層之端面更突出；(2)第1金屬層及第2金屬層之一者之厚度方向之整個端面較另一者之端面更突出；(3)於第1金屬層、第2金屬層及第1金屬層依序接合而成之三層構造之包覆材料中，第2金屬層之端面較第1金屬層之端面更突出；(4)第2金屬層之端面自第1金屬層之第2金屬層側之緣部以與第1金屬層之第2金屬層側之緣部一致之方式傾斜；(5)第1金屬層之端面較第2金屬層之整個端面位於更內側；(6)位於第2金屬層側之第1金屬層之緣部較位於第2金屬層之相反側之第1金屬層之緣部位於更外側等形狀。 (鍍敷膜) 導線架亦可於其正面或背面之一者、於正背面之兩者、於正面或背面之一者或正背面之兩者及端面被覆有鍍敷膜。於包含上述第1金屬層及第2金屬層或第3金屬層等之包覆材料之情形時，於各層之間無需鍍敷膜，於露出之部分(正面、背面、端面)被覆鍍敷膜即可。例如，亦可於包覆材料之正面或背面之一者、於正背面之兩者、於正面或背面之一者或正背面之兩者及端面被覆有鍍敷膜。 作為鍍敷膜之材料，可列舉Ag、Al、Au或其等之合金等。其中，較佳亦為利用Ag之鍍敷膜。藉此，於半導體元件為發光元件之情形時，尤其可高效率地提取來自發光元件之光。再者，於包覆材料中，於在最表面不存在第1金屬層及/或第2金屬層之情形時，鍍敷膜並非接觸且被覆於該等第1金屬層及第2金屬層者，而接觸且被覆於存在於包覆材料之最表面之層。 又，較佳為於導線架之表面(端面、上表面、下表面)形成基底鍍敷膜。例如，於欲對最表面鍍銀之情形時，較佳為形成Cu、Ni鍍敷膜等作為該基底鍍敷。 鍍敷膜亦可於對導線架進行加工之前實施，但較佳為於對下述導線架進行加工(圖案化)之後形成。藉此，可利用鍍敷膜被覆至包覆材料之端面。 鍍敷膜之厚度並無特別限定，例如可列舉1～10 μm左右。 導線架可藉由公知之方法或依據該公知之方法而製造。 尤其是，包覆材料例如可藉由如下方法等而製造：將芯材及皮材於固相狀態下藉由熱軋於高溫下進行加壓而接合之方法；利用堆焊、澆鑄、鑄焊等熔融接合之方法；壓延接合、爆炸接合、擴散接合等非熔融接合之方法；燒結、熔射之半熔融接合之方法。具體而言，可利用JPH5-102386A中記載之方法。包覆材料較佳為於由作為強磁性體之鐵氧體系不鏽鋼等鐵系合金形成之芯材上接合有銅或銅合金者。 作為加工導線架之方法，並無特別限定，可藉由壓製、衝壓、噴擊、蝕刻等通常用於導線架之加工之方法，按照導線部、支桿等之特定形狀而進行圖案化。 再者，導線架之端面、尤其是埋設於下述樹脂構件之部位之端面較佳為傾斜、或具有凹凸。藉此，可利用導線架對樹脂構件之投錨效應。 例如，於利用包覆材料之情形時，較佳為進行使第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出之加工。例如可列舉利用對第1金屬層及第2金屬層之蝕刻速率不同之蝕刻液的濕式蝕刻法。於此情形時，適合利用將預期之形狀遮蔽或開口之遮罩圖案對導線架之一面進行蝕刻，較佳為利用將預期之形狀遮蔽或開口之遮罩圖案對導線架之兩面進行蝕刻。藉此，可減少加工時間及加工成本。形成於兩面之遮罩圖案可為相同之形狀，亦可為不同之形狀。 又，亦可藉由壓製、衝壓、噴擊等通常用於導線架之加工之方法而於導線架以所期望之圖案成形，其後，僅於第1金屬層及第2金屬層等中之配置於最表面之金屬層形成具有開口之遮罩圖案，並進行噴擊、蝕刻等，從而加工成第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出之形狀。 再者，於該等加工方法中，亦可僅對上述相當於1個單元之形狀進行加工，但較佳為以排列有複數個之形狀進行加工。 藉由利用此種加工方法，易於進行相當於複數個半導體裝置之量的加工。又，可形成其加工形狀、即、使第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出，可易於控制突出之程度。藉此，於將導線架用於半導體裝置之情形時，可對下述樹脂構件更有效地發揮投錨效應。尤其是，當應用於半導體元件之大小(晶片尺寸)極小、且半導體裝置之高度極低者時，可更有效地發揮作用。 如上所述，於導線架在其正面及/或背面及/或端面具有鍍敷膜之情形時，較佳為於上述導線架之加工後實施鍍敷。於此情形時，存在導線架之經加工之端面未露出之情況，尤其是於使用包覆材料之情形時，亦存在第1金屬層及第2金屬層等未露出之情況。 又，導線架係於使樹脂構件成型後，最終作為半導體裝置被單片化(切斷)。因此，該切斷部之導線架之端面存在第1金屬層及第2金屬層等於該端面之一部分露出之情況，關於該等端面，亦存在不具有突出部，而為同一面或大致同一面之情況。進而，亦存在於此種端面未形成鍍敷膜之情況。 [半導體裝置] 本實施形態之半導體裝置包含上述導線架、載置於該導線架上之半導體元件、及固定導線架之樹脂構件。 (半導體元件) 半導體元件並無特別限定，只要為包含矽、鍺等元素半導體、III-V族等化合物半導體者，則可為任意元件。 尤佳為發光元件。發光元件通常包括積層於基板上之包含發光層之半導體層。或者，亦可包括藉由於基板上積層包含發光層之半導體層後去除基板而獲得之半導體層。以下，以作為半導體元件之發光元件為一例進行說明。 (基板) 作為基板，並無特別限定，例如可列舉通常用於使氮化物半導體層成長者。其中，較佳亦為透光性基板。此處之透過性係指可使自發光元件出射之光之60%、65%、70%或80%左右以上透過之性質。作為基板，可列舉藍寶石、尖晶石、NGO、LiAlO2 、LiGaO3 、GaN等。其中，較佳亦為包含氧化物之基板，更佳為包含纖鋅礦型結晶之基板，尤其進而較佳為藍寶石基板。 [半導體層] 積層於基板上(例如第1主面上)之半導體層較佳為至少具有發光構造者。具體而言，半導體層例如可列舉於基板上任意地隔著1層或複數層緩衝層等而依序積層第1半導體層(n型或p型半導體層)、發光層及第2半導體層(p型或n型半導體層)而構成者。 半導體層係自第2半導體層側沿厚度方向去除一區域，即部分地去除，第1半導體層自該處露出，於該露出之區域以外之第1半導體層之其他區域上依序積層發光層及第2半導體層而構成。 作為構成半導體層之第1半導體層、發光層及第2半導體層，並無特別限定，例如可較佳地使用InX AlY Ga1 - X - Y N(0≦X、0≦Y、X＋Y≦1)等氮化物系化合物半導體。該等氮化物半導體層可分別為單層構造，亦可為組成及膜厚等不同之層之積層構造、超晶格構造等。尤其是，發光層較佳為積層有產生量子效應之薄膜之單一量子井或多重量子井構造。 (電極) 半導體元件所具有之一對電極配置於半導體層之同一面側。該等一對電極若為與上述第1半導體層及第2半導體層分別進行如電流-電壓特性成為直線或大致直線之歐姆連接者，則可為單層構造，亦可為積層構造。此種電極可利用該領域中公知之材料及構成以任意厚度形成。例如較佳為數十μm～300 μm。 尤其是，於如下所述般半導體元件之一對電極分別經由接合構件而與導線部電性連接之情形時，較佳為配置反射層(鍍敷膜、DBR(Distributed Bragg Reflection，布拉格反射)膜)作為一對電極之最靠半導體層側之層。 作為反射層，可見光區域之反射率之波長依存性相對較大，尤佳為由在近紫外線區域至長波長側的反射率急遽增大之材料形成。具體而言，較佳為由可有效地反射350 nm以上之波長區域(至紅色)之光的材料形成，更佳為380 nm以上，進而較佳為400 nm以上。具體而言，可列舉Ag或Ag合金。 作為Ag合金，可列舉Ag與選自由Pt、Co、Au、Pd、Ti、Mn、V、Cr、Zr、Rh、Cu、Al、Mg、Bi、Sn、Ir、Ga、Nd及Re(Re為稀土類)所組成之群中之1種或2種以上之合金。關於反射層之厚度，考慮到使所照射之光有效率地反射等，例如適宜為數十nm～數μm左右。 作為DBR膜，可列舉Nb2 O5 、TiO2 、ZrO2 、Ta2 O3 、HfO2 、SiO2 、Al2 O3 、MgF2 等。 藉由使用此種材料，尤其於發光元件之情形時，可使自半導體層出射之光反射從而有效率地提取光。又，可獲得散熱性良好之半導體裝置。其結果為，可使流動大量電流時之發熱緩和，可使半導體元件為更高的輸出。 半導體元件之一對電極通常經由接合構件而電性連接於下述導線架之導線部。即，以面朝下之方式連接。即，以與半導體元件之各電極之形狀對應之方式形成有元件載置區域、即槽部。 此處之半導體元件之「電極之形狀」係指與元件載置區域接觸之電極(焊墊電極)之表面形狀。形成於焊墊電極下且與半導體層接觸之電極(歐姆電極)亦可為與元件載置區域不同之形狀。例如，於設為在p電極之上方隔著絕緣膜而積層n電極等、使p電極與n電極部分地積層之構造之情形時，露出於最表面之p電極及n電極之形狀較佳為設為與導線架之元件載置區域對應之形狀。 又，作為發光元件，亦可使用預先形成有螢光體層之白色發光元件、將發光元件之側面以樹脂或金屬等反射層被覆且於上表面形成螢光體層之白色發光元件。進而，亦可使用如下的發光元件：使自發光元件配置於安裝面之電極之厚度變厚，而於其周圍設有樹脂(白色樹脂)等應力緩和層。 (接合構件) 作為接合構件，一般可列舉於接合半導體元件時使用之材料、例如為共晶合金及焊料。作為較佳之共晶合金，可列舉以Au及Sn作為主成分之合金、以Au及Si作為主成分之合金、以Au及Ge作為主成分之合金等。作為焊料，可列舉以Ag、Cu及Sn作為主成分之合金、以Cu及Sn作為主成分之合金、以Bi及Sn作為主成分之合金等。該等中，較佳亦為Au-Sn之共晶合金。若使用Au-Sn之共晶合金，則可降低因半導體元件對電極之熱壓接所致之劣化，可牢固地接合於導線架。 (樹脂構件) 樹脂構件係固定導線架之構件。於使用發光元件作為半導體元件之情形時，較佳為具有可反射來自發光元件之光之反射面者。 作為樹脂構件，可由熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等樹脂形成。具體而言，可列舉：環氧樹脂組合物、聚矽氧樹脂組合物、聚矽氧改性環氧樹脂等改性環氧樹脂組合物、環氧改性聚矽氧樹脂等改性聚矽氧樹脂組合物、聚醯亞胺樹脂組合物、改性聚醯亞胺樹脂組合物、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚碳酸酯、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯，acrylonitrile-butadiene-styrene)樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)樹脂等樹脂。尤佳為熱硬化性樹脂。其中，作為半導體裝置，設為使用發光元件之發光裝置之情形時，樹脂構件較佳為對來自發光元件之光之反射率為60%以上者，更佳為70%、80%或90%以上者。 例如，亦可使樹脂構件中含有氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石等光反射材料。藉此，可高效率地反射來自發光元件之光。光反射材可藉由樹脂成形法或樹脂流動性等成形條件、且根據反射率或機械強度等特性等而適當調整。例如於使用氧化鈦之情形時，較佳為相對於樹脂構件之總重量含有20～40重量%，進而較佳為含有25～35重量%。 樹脂構件配置於上述一對導線架(即導線部)之間，將兩者絕緣分離。配置於相互隔開且對向配置之導線部之間的樹脂構件較佳為被覆導線架之厚度方向之整個端面。 如上所述，於導線架之端面之一部分突出之形狀之情形時，例如導線架為包覆材料且具有第1金屬層及第2金屬層之一者之端面較另一者之端面更突出之形狀之情形時，此種厚度方向之整個端面由樹脂構件被覆而被埋入於其中，藉此可使導線架與樹脂構件之接觸面積增大，使兩者之密接性提高。又，藉由導線架之端面之部分之突出，可有效地發揮投錨效應。 尤其是，如上所述，於第1金屬層、第2金屬層及第1金屬層依序接合而成之三層構造中，第1金屬層及第2金屬層之一者之厚度方向之整個端面較另一者之端面更突出之情形時，可確保對於上下方向之兩者之投錨效應。又，於第2金屬層之厚度方向之整個端面較第1金屬層之整個端面更突出或較第1金屬層之最突出之端面更突出之情形時，亦可藉由第1金屬層及第2金屬層之線膨脹係數之差異，而更有效地對樹脂構件發揮投錨效應。 關於本實施形態之半導體裝置，尤其於使用發光元件作為半導體元件之情形時，亦可與上述樹脂構件分開地配置被覆發光元件及導線架之一部分之透光性構件。考慮到自發光元件出射之光之配光性及指向性，該透光性構件可列舉凹透鏡或凸透鏡形狀。 此種透光性構件例如可由聚矽氧樹脂組合物、改性聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂組合物、改性環氧樹脂組合物、丙烯酸系樹脂組合物、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、脲樹脂、氟樹脂及至少含有1種以上該等樹脂之混合樹脂等樹脂而形成。 於該透光性構件中亦可含有吸收自發光元件出射之光並將其轉換為不同波長之光的螢光體等波長轉換構件。例如可列舉氧化物系、硫化物系、氮化物系之螢光體等。例如，於使用發出藍色光之氮化鎵系發光元件作為發光元件之情形時，可列舉吸收藍色光而發出黃色～綠色光系之YAG系、LAG系、發出綠色光之SiAlON系(β塞隆)、發出紅色光之SCASN、CASN系、KSF系螢光體(K2 SiF6 :Mn)、硫化物系螢光體之單獨體或組合。又，亦可含有光散射材料(硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等)。 再者，於半導體裝置中，曾納二極體、電橋二極體等保護元件等亦可配置於導線架上。 實施形態1 關於該實施形態之導線架10，如圖1A及1B所示，作為半導體裝置，1個單元U之平面形狀包括構成正負一對之導線部11a、11b及支桿12，該支桿12係於該2個導線部11a、11b之兩側以自導線部11a跨過導線部11b之方式與該兩側平行地配置。換言之，支桿係以其側面跨及導線部11a之側面及導線部11b之側面該等兩個側面而對向之長度設置。 支桿12係如圖1C所示般於其背面以自導線部11a、11b之背面凹陷之方式較導線部11a、11b更薄地進行加工。 支桿12可如圖1C所示般以背面凹陷之方式進行加工，亦可以上表面凹陷之方式進行加工。又，於支桿為三層構造之包覆材料之情形時，亦可以僅殘留正中之層(第2金屬層)之方式，對上層(第1金屬層)及下層(第1金屬層)進行加工，使正中之層露出。又，亦可不限於包覆材料，而對正面或背面進行槽加工。進而，於圖1C中，除使支桿整體之厚度較導線部更薄以外，使實施上述加工(藉由於上表面或下表面設置凹部而部分地使厚度變薄)之區域成為支桿之一部分等，亦可適當選擇厚度。 分割為兩部分之導線部11a、11b係藉由形成於導線架10之正面之槽部16而劃定元件載置區域11c。 藉由此種槽部16之配置，藉由焊料等接合構件而接合發光元件時，可防止接合構件之流動，藉由自對準效應而使發光元件接合於適當部位。尤佳為，於該槽部16填充有下述樹脂構件等與金屬之接合構件(焊料等)之潤濕性較差之構件。藉由此種構件之配置，可更有效地發揮自對準效應。 如圖1D所示，該導線架10係由作為第1金屬層之包含銅合金(194)之層(厚度約100 μm)與作為第2金屬層14之包含鐵合金(Fe-Ni合金、Ni：36%)之層(厚度約50 μm)自上方起(自載置發光元件之側起)以成為第1金屬層13a/第2金屬層14/第1金屬層13b之積層構造之方式積層之包覆材料而形成。於該包覆材料之正背面、即第1金屬層13a、13b之外側之面及該等包覆材料之端面，被覆有包含Ag之鍍敷膜15(厚度約2～3 μm)。 於導線架10中，第1金屬層13a之端面較第2金屬層14之端面更突出。藉此，可有效地發揮投錨效應。 又，第2金屬層14之端面自第1金屬層13a之第2金屬層14側之緣部以與第1金屬層13b之第2金屬層14側之緣部一致之方式傾斜。 進而，第1金屬層13b之端面較第1金屬層13a之整個端面位於更內側。 此外，位於第2金屬層14側之第1金屬層13b之緣部較位於第2金屬層14之相反側之第1金屬層13b之緣部位於更外側。 藉由導線架之此種形狀，可提高與樹脂構件之密接性。又，可降低樹脂構件與導線架之間、半導體元件與導線架之間之線膨脹差。其結果為，可提高該等之接合之可靠性。 如圖1E所示，該導線架10中，構成1個發光裝置之1個單元U之形狀係於長邊方向及與其正交之方向上排列有複數個。 此種導線架1可藉由以下之製造方法而製造。 首先，準備包含第1金屬層13a/第2金屬層14/第1金屬層13b之積層構造的包覆材料。該包覆材料係以第1金屬層與第2金屬層之接合界面擴散結合、且不產生金屬層間之剝離之方式形成。 於包覆材料之表面，例如於整個面設置光阻劑，藉由光微影步驟，詳細而言，藉由經過使用所期望之形狀之圖案之曝光用遮罩進行曝光並顯影之步驟，而形成由光阻劑構成之所期望之形狀的遮罩。將該遮罩設為導線架之蝕刻用遮罩。此情形時之圖案形狀與圖1A所示之形狀對應。 又，亦可形成較形成於表面之遮罩之開口寬度略寬之開口。但，較佳為以正背面各者之遮罩之開口之中心線於投影視時重疊之方式配置。 於在包覆材料之正背面形成遮罩後，例如於45℃下以氯化鐵溶液(FeCl3 濃度：3.2 mol/L、氯濃度：0.7～2.0wt%、比重1.4 g/cc)噴射約6分鐘，對包覆材料進行蝕刻，使其圖案化。 此時，亦可於正面側設置槽部形成用開口較窄之遮罩，同時形成槽部。 又，於圖1A之形狀之導線架中，於在導線架之正面形成槽部16之情形時，於正面形成具有與槽部16對應之形狀之開口之遮罩，且形成被覆背面整個面之遮罩，例如於45℃下以氯化鐵溶液(FeCl3 濃度：3.2 mol/L、氯濃度：0.7～2.0wt%、比重1.4 g/cc)噴射約4分鐘，對包覆材料進行蝕刻。 或者，亦可於正面形成具有與槽部16對應之形狀之開口之遮罩，代替於背面形成整面遮罩，而形成具有與包含元件載置區域11c及槽部16之導線部11a、11b之外周、與該外周連結之部位、支桿12對應之形狀的開口之遮罩，與上述同樣地對包覆材料進行蝕刻。 藉此，槽部16自表面側沿厚度方向部分地(例如第1金屬層1a之厚度方向之一部分或全部)被蝕刻，進而包含元件載置區域11c及槽部16之導線部11a、11b之外周、與該外周連結之部位、支桿12係自背面側沿厚度方向部分地(例如第1金屬層1a之厚度方向之一部分或全部)被蝕刻，藉此於該等部位中，無需使其平面形狀變化便可使厚度變小。藉此，可消除以下問題。 例如，作為使導線架之厚度方向之厚度部分地變化之方法，自先前以來使用壓製加工等。然而，若實施壓製加工，則與減少之厚度對應之金屬於面內方向上被按壓，使其平面形狀變化。於因近年來之半導體裝置之微細化等而使電極/端子間距離、該等之裕度縮小之狀況下，此種平面形狀之變化會導致電極/端子間之短路。 另一方面，藉由如上所述般不使平面形狀變化，而使厚度變小，可有效地防止此種短路。 再者，導線架24藉由壓製加工等進行切斷而成為所期望之形狀，切斷面設定為包含第1金屬構件26或第2金屬構件28之單一材料，藉此無需重疊異種金屬而切斷，因此易於利用壓製加工或蝕刻加工進行導線架24之切斷，故而較佳。 於用作半導體裝置之導線架之情形時，此種厚度之變化可用於僅使導線之一部分(導線部11a、11b、元件載置區域11c)自樹脂構件之上表面及下表面之兩者露出，可使半導體元件、尤其是發光元件之散熱性提高。進而，可將該等露出部用作端子。 又，於導線架之表面側，可於槽部16填充樹脂構件等與金屬之接合構件(焊料等)之潤濕性較差之構件。藉此，可於適當部位以適當之大小容易地劃定接合構件，因此可於半導體元件之接合時適當地發揮自對準效應，將半導體元件容易地配置於適當部位。 進而，可於包含元件載置區域11c及槽部16之導線部11a、11b之外周、與該外周連結之部位、支桿12之背面側被覆樹脂構件，因此可有效防止導線架之短路。 其後，使用包含銀離子之鍍敷液而於導線架表面形成鍍敷膜。鍍敷之條件可根據材料等適當調整。於形成鍍敷膜前，作為預處理，為了去除導線架表面之有機物質，較佳為進行脫脂步驟。繼脫脂步驟之後，較佳為藉由酸處理等進行導線架之表面活性化。又，亦可設置使鍍銀層與導線架之密接性提高的層，如設置觸擊鍍層(strike plating)等0.2 μm左右之較薄之鍍層作為基底層等。又，將鍍銀層作為最表面之鍍敷膜可成為各種積層構造。例如，藉由自下方起設為Ni/Pd/Au/Ag，可製成耐熱性較高的鍍敷膜。又，於導線架包含鐵之情形時，例如由Cu/Fe/Cu等包覆材料形成之情形時，藉由將加工而露出之Fe之端面以鍍敷膜覆蓋，可抑制Fe之端面腐蝕。 再者，於進行此種鍍敷時，為了使支桿12對樹脂構件之密接性提高，亦可利用條紋鍍敷，而不對支桿實施鍍敷。 藉此，可獲得具有上述端面形狀之導線架。 實施形態1之變化例 如圖1F所示，該實施形態之導線架80之1個單元U之平面形狀中，除構成正負一對之導線部81a、81b及於該2個導線部81a、81b之兩側自導線部81a跨過導線部81b之支桿82之形狀不同以外，與實施形態1之構成實質上相同。 即，導線架80係於導線部81a、81b之兩側設有合計4個自導線部81a、81b延長且平面形狀成為U字之凹部、即錨狀部81d。 又，支桿81之前端之兩端具有向導線部81a、81b側延長之鉤部82a。 因此，導線部81a、81b之4個錨狀部81d係以分別包圍支桿82之4個鉤部82a之方式配置。 即，於導線部之配置方向(圖1F中為縱方向)，導線部81a與支桿82以相互隔開並且重疊之方式以沿相互之凹凸而嚙合之形狀配置。藉由此種配置，以抵消兩者之線狀之膨脹之方式相互作用。 實施形態2 尤其是，如圖2A所示，該實施形態之導線架50係由作為第1金屬層23a之包含銅合金(194)之層(厚度約100 μm)與作為第2金屬層24之包含鐵合金(Fe-Ni合金、Ni：36wt%)之層(厚度約100 μm)以成為第1金屬層23a/第2金屬層24/第1金屬層23b之積層構造之方式積層之包覆材料而形成，於其端面形狀中，成為第2金屬層24較第1金屬層23a、23b更突出之形狀，除此以外，與實施形態1之導線架之構成相同。 此種導線架50可藉由以下方法而製造。 例如，將實施形態1中使用之導線架之蝕刻液於實施形態2中設為氯化銅，調整由光阻劑構成之遮罩之開口部之大小、蝕刻條件，除此以外，可與實施形態1相同。 若列舉一例，則於在導線架(包覆材料)之正背面形成由光阻劑構成之遮罩後，於45℃下以氯化銅溶液(CuCl3 濃度：2.2 mol/L、氯濃度：3.0 mol/L、比重1.28 g/cc)噴射約6分鐘，對包覆材料進行蝕刻，使其圖案化。氯化銅液對於Fe系合金之蝕刻速率較氯化鐵低，因此可容易地殘留層之中央部之Fe系合金。 藉由此種導線架，不僅發揮與實施形態1相同之效果，而且尤其是越位於導線架之厚度方向中央，端面越顯著地突出，因此可藉由容易之方法發揮進一步之投錨效應。 實施形態2之變化例 尤其是，如圖2B所示，該實施形態之導線架60係由作為第1金屬層33a之包含銅之層(厚度約150 μm)與作為第2金屬層34之包含鐵合金(Fe-Ni合金、Ni：36wt%)之層(厚度約50 μm)以成為第1金屬層33a/第2金屬層34/第1金屬層33b之積層構造之方式積層的包覆材料而形成，於其端面形狀中，成為第2金屬層34較第1金屬層33a、33b更突出之形狀，除此以外，與實施形態1及2之導線架之構成相同。 於此種導線架60中，使第2金屬層之膜厚變小，除此以外，可藉由與實施形態2之方法相同之方法製造。 藉由此種導線架，可發揮與實施形態2相同之效果。尤其是，藉由調整第2金屬層之厚度的極為簡便之方法，可調整突出之程度，可確實地防止導線架間之短路等。 實施形態3 尤其是，如圖3所示，該實施形態之導線架70係由作為第1金屬層43a之包含銅之層(厚度約100 μm)與作為第2金屬層44之包含鐵合金(Fe-Ni-Co合金、Ni:31%、Co：5%)之層(厚度約100 μm)以成為第1金屬層43a/第2金屬層44a/第1金屬層43b/第2金屬層44b/第1金屬層43b之積層構造之方式積層的包覆材料而形成，於其端面形狀中，成為第2金屬層24a、24b較第1金屬層43a、43b、43c更突出之形狀，除此以外，與實施形態1之導線架之構成相同。 此種導線架70可藉由與實施形態2相同之方法而製造。 藉由此種導線架，不僅可發揮與實施形態1及2相同之效果，而且尤其於導線架之厚度方向之正中附近，端面以2個段階突出，因此可藉由容易之方法發揮進一步之投錨效應。 實施形態4 尤其是，如圖4A及圖4B所示，該實施形態之半導體裝置(發光裝置)20包括：實施形態1之導線架10、埋設並固定導線架10之一部分之樹脂構件18、及載置於導線架10上之發光元件(參照圖4C中之21)。再者，於圖4A及圖4B中，為了明確導線架、其端子部17及樹脂構件之位置關係，省略該等以外之構件之圖示。 樹脂構件18係於相互隔開且對向配置之導線部11a、11b之間被覆導線架10之厚度方向之整個端面。. 發光元件21於同一面側具有一對正負一對元件電極。而且，跨過導線架10之2個導線部11a、11b之元件載置區域11c之間且以面朝下之方式配置。即，發光元件21之各電極使用作為接合構件之共晶焊料(Au-Sn)分別連接於向正負端子部17延長之導線架10之導線部11a、11b。發光元件之元件電極為與導線架之元件載置區域對應之形狀，此處，正極側與負極側之元件電極係以大致相同之形狀及大小之長方形形成。藉由使此種正負元件電極為大致相同之大小，接合時施加之應力容易變得均等，可獲得較高的接著強度。 又，如圖4C所示，位於樹脂構件18之上方且被覆導線架10之一部分及發光元件21之透光性構件19以凸透鏡形狀配置。 再者，雖然未圖示，但於未載置發光元件21之導線架10上載置保護元件，藉由導電線而與導線架10電性連接。 此處使用之導線架係使用線膨脹係數低於通常用作導線架之Cu的Fe合金作為第2金屬層14，因此可使導線架自身之線膨脹係數降低。 藉此，可使導線架之線膨脹係數接近於發光元件自身之線膨脹係數。其結果為，可抑制發光元件(例如電極)與導線架之間之接合破壞。該效果尤其於將發光元件以面朝下之方式接合於導線架之情形時顯著。 又，藉此，於使用任意構件作為接合發光元件與導線架之接合構件之情形時，均因導線架之線膨脹係數之降低，即便於接合構件與發光元件之間存在線膨脹係數之差，亦可抵消該差，可進一步抑制發光元件與導線架之間之接合破壞。 進而，實現導線架之線膨脹係數之降低，並且亦可使用一般線膨脹係數遠遠大於發光元件且散熱性良好之材料。藉此，可實現發光元件之散熱性之維持、提高。 又，實現導線架之線膨脹係數之降低，並且亦可使用與樹脂構件及/或接合構件之密接性良好之材料。藉此，可獲得可靠性更高的發光裝置。 尤其是，此處使用之導線架藉由具有與導線部隔開且其一部分埋沒於樹脂構件之支桿，可使封裝體自身之強度提高。藉此，於安裝跨過2個導線部而搭載之發光元件時，可確保接合強度，可使可靠性提高。 又，於該實施形態中，支桿僅背面側被蝕刻而較薄地形成，但亦可藉由自正背面側進行蝕刻，而僅殘留線膨脹係數較小的材料，藉由將支桿之正面設為凹凸狀、波形狀等異形狀，或藉由僅對支桿無電鍍，可相對於樹脂構件進一步提高密接性。 實施形態5 如圖5所示，該實施形態之發光裝置中，導線架40之元件載置區域41c之形狀藉由槽部46而於導線部41a側較小地被劃定，於導線部41b之表面呈梳狀地配置有凹凸，除此以外，實質上與實施形態4之發光裝置之構成相同。再者，圖5中，為了明確導線架40、其端子部47及樹脂構件18之位置關係，省略該等以外之構件之圖示。 導線部41b表面之梳狀之凹凸可藉由如下方式形成，即，於實施形態1中之導線架之製造方法中，於形成槽部46時之遮罩，與槽部之開口一併亦使梳狀之凹凸圖案開口，與槽部46之蝕刻同時進行蝕刻。 藉由此種梳狀之凹凸，可使導線部41a之元件載置區域41c之形狀與發光元件之電極形狀對應。因此，可進一步發揮發光元件之自對準效應。其結果為，可於適當部位容易地接合發光元件。 實施形態6 如圖6A及6B所示，該實施形態之導線架100中，1個單元U之平面形狀包括兩種部件，即，構成正負一對之導線部111a、111b、及自該2個導線部111a、111b分別延長之平面形狀為U字狀或L字狀等之鉤部A、B、C、D。即，導線部111a係於配置有一對導線部111a、111b之方向(圖6A中為X方向)之左右兩側具有自該導線部111a延長之2個鉤部A、B。導線部111b於X方向之兩側具有自該導線部111ba延長之2個鉤部C、D。 導線部111a之鉤部A係以包圍導線部111b之鉤部D之前端部D1之方式配置。導線部111b之鉤部D係以包圍導線部111a之鉤部A之前端部A1之方式配置。 導線部111b之鉤部C係以包圍導線部111a之鉤部B之前端部B1之方式配置。導線部111a之鉤部B係以包圍導線部111b之鉤部C之前端部C1之方式配置。 該等鉤部A、B、C、D亦可為與導線部111a、111b相同之膜厚，於其背面，以自導線部111a、111b之背面凹陷之方式較導線部111a、111b更薄地進行加工。 已被分割為兩部分之導線部111a、111b藉由形成於導線架100之表面之槽部116而劃定元件載置區域11c。 藉由此種槽部116之配置，使得於藉由焊料等接合構件接合發光元件時，可防止接合構件之流動，藉由自對準效應而使發光元件接合於適當部位。尤佳為，於該槽部116埋設有下述樹脂構件。藉由此種構件之配置，可更有效地發揮自對準效應。 如圖6C所示，該導線架100係由作為第1金屬層之包含銅合金(194)之層(厚度約100 μm)與作為第2金屬層14之包含鐵合金(Fe-Ni合金、Ni：36%)之層(厚度約50 μm)以成為第1金屬層13a/第2金屬層14/第1金屬層13b之積層構造之方式積層的包覆材料而形成。於該包覆材料之正背面、即第1金屬層13a、13b之外側之面及該等包覆材料之端面被覆有包含Ag之鍍敷膜15(厚度約3.0 μm)。 於導線架100中，第1金屬層13a之端面較第2金屬層14之端面更突出。藉此，可有效地發揮投錨效應。 又，第2金屬層14之端面係自第1金屬層13a之第2金屬層14側之緣部以與第1金屬層13b之第2金屬層14側之緣部一致之方式傾斜。 進而，算1金屬層13b之端面較第1金屬層13a之整個端面位於更內側。 而且，位於第2金屬層14側之第1金屬層13b之緣部較位於第2金屬層14之相反側之第1金屬層13b之緣部位於更外側。 藉由此種形狀，可提高使用導線架製造之半導體裝置之機械強度，可製造元件接合之可靠性較高的半導體裝置。具體而言，於使用安裝有半導體元件之半導體裝置時，因點亮未點亮之反覆、環境之寒暖之反覆所致的半導體元件之溫度變化而導致元件自身反覆膨脹收縮，可降低由此產生之應力變化所致之元件破壞。 尤其是，於半導體元件以面朝下之方式安裝於導線架上之情形時，此種效果顯著，可降低對半導體元件與導線架施加之應力。 如圖6D所示，該導線架100中，構成1個發光裝置之1個單元U之形狀係於長邊方向及與其正交之方向上排列有複數個。 此種導線架可依據實施形態1中說明之製造方法而製造。 亦可於實施形態1之表面形成具有與槽部116對應之形狀之開口之遮罩，代替於背面形成整面遮罩，而形成具有與包含元件載置區域111c及槽部116之導線部111a、111b之外周、導線部中之相當於鉤部A、B、C、D之部位、連結於該外周及鉤部之部位等對應之形狀之開口之遮罩，與上述同樣地對包覆材料進行蝕刻。 藉此，槽部116自表面側沿厚度方向部分地(例如第1金屬層1a之厚度方向之一部分或全部)被蝕刻。進而，包含元件載置區域111c及槽部116之導線部111a、111b之外周、相當於鉤部A、B、C、D之部位、連結於該外周及鉤部之部位等自背面側沿厚度方向部分地(例如第1金屬層1a之厚度方向之一部分或全部)被蝕刻。由此，於該等部位，無需使其平面形狀變化便可使厚度變小。 進而，可於包含元件載置區域111c及槽部116之導線部111a、111b之外周、相當於鉤部A、B、C、D之部位、連結於該外周及鉤部之部位之背面側被覆樹脂構件，因此可有效防止因該等之露出所致之短路。 此種導線架除上述以外，亦可發揮與實施形態1相同之效果。 實施形態6之變化例1 尤其是，如圖2A所示，該實施形態之導線架具有與實施形態2相同之剖面形狀，除此以外，與實施形態6之導線架50之構成相同。 此種導線架除上述以外，亦可發揮與實施形態1及6相同之效果。 實施形態6之變化例2 尤其是，如圖2B所示，該實施形態之導線架具有與實施形態2之變化例相同之剖面形狀，除此以外，與實施形態6之導線架之構成相同。 藉由此種導線架，可發揮與實施形態2及6相同之效果。 實施形態6之變化例3 尤其是，如圖3所示，該實施形態之導線架具有與實施形態3相同之剖面形狀，除此以外，與實施形態6之導線架之構成相同。 此種導線架可發揮與實施形態3及6相同之效果。 實施形態7 如圖7所示，該實施形態之導線架80之1個單元U之平面形狀中具有構成正負一對之導線部81a、81b、及自該2個導線部81a、81b分別延長之平面形狀為U字狀或コ字狀之鉤部Aa、Bb、Cc、Dd，除此以外，與實施形態1之構成實質上相同。 即，導線部81a係以於配置有一對導線部81a、81b之方向上線對稱之方式，於左右兩側具有自該導線部81a延長之2個鉤部Aa、Bb。導線部81b係以於配置有一對導線部81a、81b之方向上線對稱之方式，於左右兩側具有自該導線部81b延長之2個鉤部C、D。 實施形態8 尤其是，如圖8所示，該實施形態之發光裝置920具備實施形態6之導線架100、埋設並固定導線架100之一部分之樹脂構件18、及載置於導線架100上之發光元件(參照圖4C中之21)。再者，圖8之發光裝置中，B-B'線剖面實質上與圖4B及圖4C相同。於圖8中，為了明確導線架、其端子部及樹脂構件之位置關係，省略該等以外之構件之圖示。 樹脂構件18係於相互隔開且對向配置之導線部111a、111b之間被覆導線架100之厚度方向之整個端面。 發光元件21係於同一面側具有一對正負電極。而且，跨過導線架10之2個導線部11a、11b之元件載置區域11c之間且以面朝下之方式配置。即，發光元件21之各電極分別使用共晶焊料(Au-Sn)作為接合構件而連接於向正負端子部17延長之導線架10之導線部11a、11b。 又，如圖4C所示，位於樹脂構件18之上方且被覆導線架10之一部分及發光元件21之透光性構件19係以凸透鏡形狀配置(參照圖4C)。 此處使用之導線架係使用線膨脹係數低於通常用作導線架之Cu的Fe合金作為第2金屬層。又，一對導線部分別於發光元件之兩側具有鉤部，該等鉤部以相互對向且卡合之方式配置。藉此，可使導線架自身之線膨脹係數降低，可使導線架之線膨脹係數接近於發光元件自身之線膨脹係數。進而，可抵消各導線部之膨脹。其結果為，可抑制發光元件(例如電極)與導線架之間之接合破壞。於將發光元件以面朝下之方式接合於導線架之情形時，該效果尤其顯著。 尤其是，於發光元件之載置側(正面側)及背面側之兩者，藉由將該等鉤部之一部分埋設於樹脂構件中，可有效地防止因鉤部露出等所致之短路。 此種發光裝置除上述以外，亦可發揮與實施形態4及6相同之效果。 實施形態9 該實施形態之導線架90為半導體裝置(發光裝置)用之導線架，表示發光裝置之1個單元U。1個單元U係於行列方向上排列有複數個，於該1個單元U中，如圖9A所示，導線部91a、91b之元件載置區域91c、91d之形狀係藉由形成於表面之槽部96而劃定。元件載置區域91c、91d具有以載置之發光元件之對角線相對於複數排列之長邊方向及與其正交之方向變得平行之方式、換言之為發光元件之對向之2個角位於導線部91a之端部之方式配置之形狀。因此，槽部96於導線部91a、91b中分別形成為L字狀。 圖9B表示發光元件97之俯視圖，設置有正負一對元件電極95。此處，具有以四邊形之一個角為中心之1/4圓形之n電極95b、及與該處隔開設置之p電極95a。 導線架90之元件載置區域91d、91c分別具備與圖9B所示之發光元件之p電極95a及n電極95b之圖案對應之形狀。即，與發光元件之n電極對應之導線部91b之元件載置區域91c於俯視時具有其端部呈圓弧狀突出之形狀。以包圍該突出之部分之方式設置有L字型之槽部96。該元件載置區域91c於導線部91b之內側、即接近槽部之側厚度較厚，突出之形狀之部位與槽部96同樣地厚度較薄。 與發光元件之p電極對應之導線部91a之元件載置區域91d具有其端部呈沿1/4圓形之弧凹陷之形狀突出之形狀。該元件載置區域91d於導線部91a之內側、即接近槽部之側厚度較厚，突出之形狀之部位與槽部96同等地厚度較薄。 藉由此種元件載置區域91c、91d，發光元件之面積之一半、即夾隔連結對向之角部之對角線而為單側載置於導線架90之厚度較厚之區域，剩餘一半載置於大致厚度較薄之區域。 上述元件載置區域91c、91d之厚度較薄之區域可藉由自導線架90之背面側之蝕刻等而薄膜化。於此情形時，導線架9亦可具有積層構造，例如亦可設為包含銅之單層構造。較薄之區域只要不切斷元件載置區域91c、91d，則亦可較突出之部位更向槽部69側擴充。 於導線架90中，於2個導線部91a、91b之兩側，以自導線部91a跨過導線部91b之方式，與該側面平行地配置有支桿92。 導線架90除具有元件載置區域91c、91d以外，亦於其外周(由交叉影線所示之部位)具有自背面側沿厚度方向部分地被蝕刻之部位。藉此，為了製成發光裝置，對導線架90應用樹脂構件之情形時，於發光裝置之背面側，如圖9C所示，導線架90之導線部91a、91b分別以大致四邊形露出。 藉由此種導線架，可發揮與實施形態1相同之效果。 [產業上之可利用性] 本發明之發光裝置可用於照明用光源、各種指示器用光源、車載用光源、顯示器用光源、液晶背光燈用光源、感測器用光源、信號機等各種發光裝置。又，可應用於所謂邊視型之發光裝置等使用導線架之所有發光裝置。
10‧‧‧導線架
11a‧‧‧導線部
11b‧‧‧導線部
11c‧‧‧元件載置區域
12‧‧‧支桿
13a‧‧‧第1金屬層
13b‧‧‧第1金屬層
14‧‧‧第2金屬層
15‧‧‧鍍敷膜
16‧‧‧槽部
17‧‧‧端子部
18‧‧‧樹脂構件
19‧‧‧透光性構件
20‧‧‧半導體裝置
21‧‧‧發光元件
23a‧‧‧第1金屬層
23b‧‧‧第1金屬層
24‧‧‧第2金屬層
33a‧‧‧第1金屬層
33b‧‧‧第1金屬層
34‧‧‧第2金屬層
40‧‧‧導線架
41a‧‧‧導線部
41b‧‧‧導線部
41c‧‧‧元件載置區域
43a‧‧‧第1金屬層
43b‧‧‧第1金屬層
43c‧‧‧第1金屬層
44‧‧‧第2金屬層
44a‧‧‧第2金屬層
44b‧‧‧第2金屬層
46‧‧‧槽部
47‧‧‧端子部
50‧‧‧導線架
60‧‧‧導線架
70‧‧‧導線架
80‧‧‧導線架
81a‧‧‧導線部
81b‧‧‧導線部
81d‧‧‧錨狀部
82‧‧‧支桿
82a‧‧‧鉤部
90‧‧‧導線架
91a‧‧‧導線部
91b‧‧‧導線部
91c‧‧‧元件載置區域
91d‧‧‧元件載置區域
92‧‧‧支桿
95a‧‧‧p電極
95b‧‧‧n電極
96‧‧‧槽部
97‧‧‧發光元件
100‧‧‧導線架
111a‧‧‧導線部
111b‧‧‧導線部
111c‧‧‧元件載置區域
116‧‧‧槽部
920‧‧‧發光裝置
A‧‧‧鉤部
Aa‧‧‧鉤部
A1‧‧‧前端部
B‧‧‧鉤部
Bb‧‧‧鉤部
B1‧‧‧前端部
C‧‧‧鉤部
Cc‧‧‧鉤部
C1‧‧‧前端部
D‧‧‧鉤部
Dd‧‧‧鉤部
D1‧‧‧前端部
U‧‧‧單元
X‧‧‧主要部分
圖1A係表示本發明之實施形態1之導線架之1個單元之外形的俯視圖。 圖1B係表示用以對圖1A之導線架進行說明之1個單元之俯視圖。 圖1C係圖1B之A-A'線剖面圖。 圖1D係圖1C之主要部分X之放大圖。 圖1E係表示將本發明之實施形態1之導線架之1個單元以複數個連結而成的導線架之俯視圖。 圖1F係本發明之實施形態1之變化例之導線架之主要部分之剖面放大圖。 圖2A係本發明之實施形態2之導線架之概略俯視圖。 圖2B係本發明之實施形態2之變化例之導線架之概略俯視圖。 圖3係本發明之實施形態3之導線架之概略俯視圖。 圖4A係本發明之實施形態4之半導體裝置之概略俯視圖。 圖4B係圖4A之B-B'線剖面圖。 圖4C係與圖4A對應之半導體裝置之B-B'線之概略剖面圖。 圖5係本發明之實施形態5之半導體裝置之俯視圖。 圖6A係表示本發明之實施形態6之導線架之1個單元之俯視圖。 圖6B係用以說明圖6A之導線架之各部位之分解俯視圖。 圖6C係圖6A之導線架之主要部分之概略剖面圖。 圖6D係表示將圖6A之導線架之1個單元以複數個連結而成的導線架之俯視圖。 圖7係表示本發明之實施形態7之導線架之1個單元之俯視圖。 圖8係本發明之實施形態8之半導體裝置之主要部分俯視圖。 圖9A係本發明之實施形態9之導線架之俯視圖。 圖9B係表示載置於圖9A之導線架之發光元件之電極圖案之發光元件之俯視圖。 圖9C係表示將圖9A之導線架作為發光裝置之情形時的背面之導線架之露出形態的圖。

Claims (8)

  1. 一種發光裝置，其包含： 樹脂封裝體，其於上表面設有凹部； 第1導線部及第2導線部； 樹脂部，其與所述第1導線部及所述第2導線部形成為一體；及 發光元件，其被配置於所述凹部之底面； 所述第1導線部及所述第2導線部各者之一部分位於所述凹部之底面， 所述發光元件於一面具有第1電極及第2電極， 所述第1電極以與所述第1導線部對向的方式配置，所述第2電極以與所述第2導線部對向的方式配置， 所述發光元件之所述第1電極具有與所述第2電極對向之第1側面，於所述第1側面中具有自所述第1側面朝內側凹陷之發光元件側溝部， 所述第1導線部具有與所述第2導電部對向之第2側面，於所述第2側面中，具有自所述第2側面朝內側凹陷之導線側溝部，於所述導線側溝部配置有所述樹脂部之一部分， 自上面觀之，所述發光元件側溝部與所述導線側溝部重疊。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中 所述導線側溝部於垂直或大致垂直於所述第2側面之方向上延伸。
  3. 如請求項1之半導體裝置，其中 所述第1導線部及所述第1電極、所述第2導線部與所述第2電極係分別經由接合構件而接合。
  4. 如請求項3之半導體裝置，其中 所述接合構件係以Au及Si作為主成分之合金。
  5. 如請求項3之半導體裝置，其中 位於所述導線側溝部內之所述樹脂部之上表面的所述接合構件之密度比位於所述第1導線部之上表面的所述接合構件之密度小。
  6. 如請求項1之半導體裝置，其中 所述樹脂部係包含改性聚矽氧樹脂組合物。
  7. 如請求項1之半導體裝置，其中 所述第1導線部更具有與所述第2側面垂直，且相互對向之第3側面及第4側面， 所述第1導線部於所述第3側面及第4側面各具有至少一個連接部。
  8. 如請求項7之半導體裝置，其中 自上面觀之，位於所述第3側面之連結部與位於所述第4側面之連結部相對向，所述凹部之底面的一部分位於連結位於所述第3側面之連結部與位於所述第4側面之連結部的直線上。
TW106141297A 2013-03-05 2014-03-05 發光裝置 TWI670871B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-043551 2013-03-05
JP2013043543 2013-03-05
JP2013043551 2013-03-05
JP2013-043543 2013-03-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201810736A true TW201810736A (zh) 2018-03-16
TWI670871B TWI670871B (zh) 2019-09-01

Family

ID=51486841

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107579A TWI628815B (zh) 2013-03-05 2014-03-05 半導體裝置
TW106141297A TWI670871B (zh) 2013-03-05 2014-03-05 發光裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107579A TWI628815B (zh) 2013-03-05 2014-03-05 半導體裝置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9748164B2 (zh)
JP (1) JP6265208B2 (zh)
TW (2) TWI628815B (zh)
WO (1) WO2014136824A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11164998B2 (en) 2019-10-31 2021-11-02 PlayNitride Display Co., Ltd. Electrode structure, micro light emitting device, and display panel
TWI832972B (zh) * 2019-02-21 2024-02-21 日商電化股份有限公司 電路基板、安裝基板、照明裝置、電路基板的製造方法及安裝基板的製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6102187B2 (ja) * 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
US9548261B2 (en) * 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6603982B2 (ja) * 2013-07-31 2019-11-13 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法
JP1537981S (zh) * 2015-04-20 2015-11-16
JP1537979S (zh) * 2015-04-20 2015-11-16
TWI563601B (en) * 2015-11-26 2016-12-21 Phoenix Pioneer Technology Co Ltd Package device and its lead frame and manufacturing method of lead frame
TWI585928B (zh) * 2016-02-02 2017-06-01 Lead frame
US9653385B1 (en) 2016-05-26 2017-05-16 Sdi Corporation Lead frame
CN109563308B (zh) 2016-07-29 2022-02-01 新日本理化株式会社 聚烯烃系树脂用结晶成核剂、聚烯烃系树脂用结晶成核剂的制造方法以及聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性的改良方法
CN109689765A (zh) 2016-09-16 2019-04-26 新日本理化株式会社 聚烯烃系树脂用结晶成核剂、聚烯烃系树脂用结晶成核剂的制造方法以及聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性的改良方法
JP6388012B2 (ja) * 2016-09-30 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6558389B2 (ja) 2017-03-17 2019-08-14 日亜化学工業株式会社 リードフレーム
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) * 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
JP6652117B2 (ja) 2017-11-29 2020-02-19 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージおよび発光装置
CN107994108A (zh) * 2017-12-26 2018-05-04 深圳市灏天光电有限公司 一种防断裂支架及其生产方法
US10438877B1 (en) * 2018-03-13 2019-10-08 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-chip packages with stabilized die pads
CN108807326A (zh) * 2018-05-02 2018-11-13 泰州友润电子科技股份有限公司 一种改进的多载型3pf引线框架
JP6879262B2 (ja) 2018-05-08 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7116303B2 (ja) * 2018-06-25 2022-08-10 日亜化学工業株式会社 パッケージ及び発光装置
US11101197B2 (en) 2019-03-26 2021-08-24 Semiconductor Components Industries, Llc Leadframe systems and related methods
JP7448770B2 (ja) * 2019-07-09 2024-03-13 日亜化学工業株式会社 リードフレーム及び発光装置の製造方法
US11417808B2 (en) 2019-09-12 2022-08-16 Nichia Corporation Light emitting device
EP3848981A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-14 Lumileds Holding B.V. Led module, mold and method for manufacturing the same
JP7464845B2 (ja) 2020-09-10 2024-04-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2023076897A (ja) * 2021-11-24 2023-06-05 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
DE102022119750A1 (de) * 2022-08-05 2024-02-08 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
TWI820855B (zh) * 2022-08-11 2023-11-01 錼創顯示科技股份有限公司 磊晶結構

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH061800B2 (ja) 1984-03-29 1994-01-05 株式会社東芝 リ−ドフレ−ム
JPS617673A (ja) 1984-06-21 1986-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd リ−ドフレ−ム
JPH03188658A (ja) * 1989-12-19 1991-08-16 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法
JPH05102386A (ja) 1991-03-29 1993-04-23 Daido Steel Co Ltd 高強度リードフレーム材およびその製造方法
US5250840A (en) * 1992-02-24 1993-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor lead frame with a chip having bonding pads in a cross arrangement
JPH0823059A (ja) 1994-07-05 1996-01-23 Toppan Printing Co Ltd リードフレームの製造方法及びその方法に適した異種金属積層材料のエッチング方法
US6861735B2 (en) * 1997-06-27 2005-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3062691B1 (ja) * 1999-02-26 2000-07-12 株式会社三井ハイテック 半導体装置
US6373078B1 (en) * 1999-09-28 2002-04-16 International Rectifier Corp. Microelectronic relay with upset and downset lead frames
JP4490878B2 (ja) * 2005-06-29 2010-06-30 株式会社東芝 映像表示装置とその録再部への電源供給方法
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
CN101606246B (zh) * 2006-10-05 2012-07-04 三菱化学株式会社 使用GaN LED芯片的发光器件
TWI435470B (zh) * 2007-11-23 2014-04-21 Epistar Corp 發光元件
CN101621101A (zh) * 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP5710128B2 (ja) 2010-01-19 2015-04-30 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームの製造方法
JP2011159767A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
EP2565951B1 (en) * 2010-04-26 2019-07-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting unit and illuminating apparatus
JP2011249737A (ja) 2010-04-26 2011-12-08 Panasonic Electric Works Co Ltd リードフレーム、配線板およびそれを用いたｌｅｄユニット
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
US8764504B2 (en) 2011-02-25 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device and method for manufacturing the same
JP2012186192A (ja) 2011-03-03 2012-09-27 Panasonic Corp リードフレームおよびそれを用いた発光装置
JP2012190970A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
DE102012107547B4 (de) * 2011-08-22 2020-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung
JP6349648B2 (ja) 2012-11-16 2018-07-04 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI832972B (zh) * 2019-02-21 2024-02-21 日商電化股份有限公司 電路基板、安裝基板、照明裝置、電路基板的製造方法及安裝基板的製造方法
US11164998B2 (en) 2019-10-31 2021-11-02 PlayNitride Display Co., Ltd. Electrode structure, micro light emitting device, and display panel
TWI753317B (zh) * 2019-10-31 2022-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 電極結構、微型發光元件以及顯示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20170229627A1 (en) 2017-08-10
US20170229628A1 (en) 2017-08-10
US9748164B2 (en) 2017-08-29
TW201442302A (zh) 2014-11-01
TWI628815B (zh) 2018-07-01
JPWO2014136824A1 (ja) 2017-02-16
TWI670871B (zh) 2019-09-01
US9887335B2 (en) 2018-02-06
JP6265208B2 (ja) 2018-01-24
US10096758B2 (en) 2018-10-09
US20140252574A1 (en) 2014-09-11
WO2014136824A1 (ja) 2014-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI670871B (zh) 發光裝置
JP7100275B2 (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP6499387B2 (ja) リードフレーム及び発光装置
US20150263248A1 (en) Semiconductor light-emitting device
TWI489654B (zh) LED module manufacturing method and LED module
CN105633238B (zh) 一种倒装led芯片及其制造方法
US7126163B2 (en) Light-emitting diode and its manufacturing method
JP6447580B2 (ja) 発光装置
EP2485286B1 (en) Light emitting device
JP6551210B2 (ja) 発光装置
JP2006351611A (ja) 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置
JP2006100529A (ja) 半導体発光素子
JP6701711B2 (ja) 発光装置
JP5286641B2 (ja) 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP7118227B2 (ja) 光電部品
JP6255884B2 (ja) 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
JP6942780B2 (ja) 光電部品
JP2016072364A (ja) リードフレーム及び発光装置
JP2022035775A (ja) 発光装置及び光源装置
JP2019033300A (ja) 発光装置
JP2009259890A (ja) 発光装置
KR20160057680A (ko) 리드 프레임 및 이를 포함하는 발광소자 패키지