TWI435470B - 發光元件 - Google Patents

Description

發光元件

本發明係關於一發光元件，尤其是指一具有電流分散電極之發光二極體元件。

發光二極體(LED)之發光原理和結構與傳統光源並不相同，具有體積小、可靠度高等優點，在市場上的應用頗為廣泛。例如，光學顯示裝置、雷射二極體、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫療裝置等。

請參照第1A、1B圖，第1A圖所繪示為習知氮化物發光二極體1之結構上視圖，而第1B圖所繪示為第1A圖之習知氮化物發光二極體1沿A-A’剖面線之結構剖面圖。該習知氮化物發光二極體1之結構包含一基板11、一n型氮化物層12、一發光層13、一p型氮化物層14、一p型透光電極15、一n型電極16，兼具有電極墊的功能、以及一p型電極墊17。電極墊是作為接收外界電流輸入的結構，當電流經p型電極墊17導入後，藉p型透光電極15提高電流分散的效果以使電流均勻分佈，再使電子和電洞於發光層13結合而激發出光子。但是實際上，如第1B圖所示，習知氮化物發光二極體的發光區域多集中在p型透光電極15靠近n型電極16的地方，造成發光效率不佳。並且，更由於電流的集中效 應，使得局部區域溫度升高，而減少習知發光二極體1的壽命。雖然習知技術可藉由進一步提高p型透光電極15的厚度，以改善電流分散的效果，但卻使得p型透光電極15之吸光率提高，透光率因而降低。為了解決上述問題，於美國專利US6,307,218號內容中，揭露如第2圖所繪示之發光二極體2結構上視圖，另外於美國專利US6,614,056號中，亦揭露如第3圖所繪示之發光二極體3結構上視圖。於第2圖中，發光二極體2具有一p型電極以及一n型電極，p型電極包含一p型電極墊24、由電極墊向外延伸的兩條第一臂狀電極24a，以及夾於兩條第一臂狀電極之間的第二臂狀電極24b。臂狀電極可降低p型電極之吸光率，且可使電流經由p型電極墊24導入後再藉由臂狀電極分散開。n型電極包含一n型電極墊25、第三臂狀電極25a，以及第四臂狀電極25b。由p型電極注入的電流，經由發光二極體的發光區後，再由n型電極導出。p型臂狀電極24a、24b與n型臂狀電極25a、25彼此交錯排列。

參考第3圖，發光二極體3包含一n型電極，具有位於發光二極體3第一側的一第一電極墊(contact)35以及一n型指狀電極36與第一電極墊35相連接；以及一p型電極，具有位於發光二極體3第二側的一第二電極墊37以及兩條與第二電極墊37相連接的指狀電極38a、38b，其中第二側係與第一側對立。再者，n型指狀電極36自第一側向第二側延伸，p型指狀電極38a、38b自第二側向第一側延伸，且n型指狀電極36與p型指狀電極38a、 38b彼此交錯排列。於發光元件2、3中，p型電極及n型電極藉由其延伸電極交錯排列的方式解決習知氮化物發光二極體1的電流分散不均，發光效率不佳的問題。

另外參考第4圖，於美國專利US 6,518,598號中揭露一發光二極體4，在發光二極體之磊晶結構中形成螺旋形的凹槽，再於凹槽及非凹槽的磊晶結構表面形成具有兩種不同電性的p型金屬電極41及n型金屬電極42，以及與p型金屬電極41及n型金屬電極42相接的p型電極墊43、n型電極墊44。其中p型電極及n型電極亦成平行螺旋結構的分佈，可解決習知氮化物發光二極體1的電流分散不均，發光效率不佳的問題。

於上述傳統的各種發光二極體結構中，為了避免位於出光面的電極吸收由發光二極體產生的光線，其電極設計多為透光電極或者是透過各種如臂狀、指狀、或螺旋狀電極的設計減少電極的面積，以增加出光面積。一般的電極寬度會小於電極墊的寬度，以避免電極總面積過大，以減少電極遮光面積。

於一實施例中，提供一種發光元件，包含一基板；一發光疊層位於基板上，包含一第一層、一第二層、以及夾於第一層及第二層之間的半導體發光層；一凹槽，此凹槽穿過第二層、發光層至第一層，裸露出第一層之一部分表面；一 第一導電結構，位於凹槽中第一層之裸露表面；以及一第二導電結構，位於第二層上；其中，第一導電結構包含一第一電極以及一第一電極墊，第一電極與該第一電極墊電連接；第二導電結構包含一第二電極以及一第二電極墊，第二電極與第二電極墊電連接；其中第一電極墊及第二電極墊中至少一個的面積介於1.5×10⁴μm²至6.2×10⁴μm²之間。

於一實施例中，上述之第一層包含一第一導電型半導體層，該第二層包含一第二導電型半導體層。

於一實施例中，上述之第一電極墊及第二電極墊中至少一個的面積係介於1.5×10⁴μm²至3×10⁴μm²之間。

於一實施例中，上述之第一電極墊面積介於1.5×10⁴μm²至6.2×10⁴μm²之間，第一電極墊包含一第一打線區以及一第二打線區，一第一導線及一第二導線分別與第一打線區及第二打線區相連接。

於一實施例中，上述之第二電極墊的面積介於1.5×10⁴μm²至6.2×10⁴μm²之間，第二電極墊包含一第三打線區以及一第四打線區；一第三導線及一第四導線分別與第三打線區以及第四打線區相連接。

於一實施例中，上述之第一層包含一電流傳導層，於電流傳導層與發光層之間更包含一半導體層。

於一實施例中，上述之電流傳導層與基板之間更包含一 黏結層。

於一實施例中，上述之電流傳導層包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、及氧化鋅錫所構成材料群組中之至少一種材料。

於一實施例中，上述之黏結層為絕緣黏結層或導電黏結層。

於一實施例中，上述之絕緣黏結層包含選自旋塗玻璃、矽樹脂、環氧樹脂(Epoxy)、聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、及過氟環丁烷(PFCB)所構成材料群組中之至少一種材料。

於一實施例中，上述之導電黏結層包含但不限於銀、金、鋁、銦、錫等金屬材料或其合金，或為自發性導電高分子，或高分子中摻雜金屬材料如鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀、或其合金所組成之導電材質。

於一實施例中，上述之黏結層上下其中一側更包含一反射層。

於一實施例中，上述之第一電極墊及第二電極墊中至少一個的面積介於1.5×10⁴μm²至3×10⁴μm²之間。

於一實施例中，上述之電極墊所佔面積介於3×10⁴μm²至1.24×10⁵μm²之間。

於一實施例中，上述之第一電極及第二電極中至少一個是以一連續不分岔的延伸線結構分佈。

於一實施例中，上述之連續不分岔的延伸線結構係包含選自曲線及直線之至少一種結構。

於一實施例中，上述之連續不分岔的延伸線結構包含螺旋狀結構。

於一實施例中，上述之第一電極及第二電極至少一個電極是一直線狀，自發光元件第一邊向對邊延伸。

於一實施例中，上述之第一電極及第二電極至少一個電極包含M條直線狀電極，M≧2，以及一橫向延伸電極連接此M條直線狀電極。

於一實施例中，上述之第一電極自發光元件第一邊向相對之第二邊延伸；第二電極自發光元件第二邊向相對之第一邊延伸。

於一實施例中，上述之第一電極或第二電極之一個電極包含M條直線狀電極，M≧2，第一電極或第二電極之另一個包含M-1條直線狀電極。

於一實施例中，上述之第一電極墊或第二電極墊位於延伸線結構的非端點處。

於一實施例中，上述之基板包含選自藍寶石、GaN、AlN、SiC、GaAs、GaP、Si、ZnO、MgO、MgAl₂O₄、玻璃、金屬及複合基板所構成材料群組中之至少一種材料。

於一實施例中，上述之第一電極的線寬約小於或等於25 μm。

於一實施例中，上述之第二電極的線寬約小於或等於25μm。

於一實施例中，上述之第一電極的線寬約小於或等於10μm。

於一實施例中，上述之第二電極的線寬約小於或等於10μm。

於一實施例中，提供一種光源產生裝置，包含：一由上述各實施例之發光元件組成之一光源；一電源供應系統，供應光源一電流；以及一控制元件，用以控制電流。

於一實施例中，提供一種背光光源裝置，包含：一上述之光源產生裝置；以及一光學元件。

第5A圖係繪示一第一實施例之發光元件10之結構上視圖，第5B圖係繪示發光元件10之結構沿BB’線段之剖面圖。發光元件10，例如一發光二極體(LED)，包含：一基板100、一緩衝層110、一第一半導體層120、一發光層130、一第二半導體層140、第一、第二電極151及152、以及第一、第二電極墊161及162。在本實施例中，發光元件10為一矩形之立方體，各邊長 為610μm，正面面積約為3.72×10⁵μm²。發光元件10各磊晶層係利用例如有機金屬化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)或分子束磊晶(Molecular-Beam Epitaxy；MBE)等方法，在基板100上形成磊晶結構，該磊晶結構依序為緩衝層110、第一半導體層120、發光層130、以及第二半導體層140。

待磊晶結構完成後，再進行一蝕刻步驟，於磊晶結構中形成凹槽170，並在凹槽170中裸露出第一半導體層120的部分表面，其中凹槽170為一方型螺旋狀，未被蝕刻之磊晶結構亦同樣形成具方形螺旋狀之磊晶結構。

接著，於凹槽170中第一半導體層120的裸露表面上形成第一電極151與第一電極墊161，由於凹槽為方型螺旋狀，因此第一電極151也同樣是方形螺旋狀，且線寬d約為22μm。第一電極墊161之位置可位於第一電極151之兩端點或非端點之線上，於本實施例中，第一電極墊161位於第一電極151之非端點處，由於發光元件10具有較大的發光層面積，因此需較大的操作電流，才能使發光層達到較高之發光效率。為了達到較大的電流輸入量，需提供較多的電流輸入點。於本實施例中，將第一電極墊161設計為可容納至少兩條用來接受外界電流輸入的導線(wire)的面積，使得發光元件有足夠數量的導線供外界電流輸入，以提高發光效率。於本實施例中，第一電極墊的面積為1.9×10⁴μm²。

接著在保留下來的磊晶結構上形成第二電極152與第二電 極墊162，其中，第二電極152線寬約為20μm，呈方形螺旋狀之結構，並與第二電極墊162連接。第二電極墊162可位於第二電極152之兩端點或非端點之線上。於本實施例中，第二電極墊162位於第二電極152之非端點處。同樣地，為了達到較大的電流輸入量，於本實施例中，亦將第二電極墊162設計為可容納至少兩條導線之面積，使得發光元件可藉由足夠的導線供外界電流輸入，以提高發光效率。於本實施例中，第二電極墊的面積為1.73×10⁴μm²。

上述第一電極墊161與第二電極墊162之形狀可為方形、圓形或其他任意形狀，並包含打線區，可位於電極上之任一部份。於本實施例中，第一電極墊161與第二電極墊162之形狀分別為兩圓形部分重疊之形狀，包含第一電極墊的161A及161B兩區打線區，以及第二電極墊的162A及162B兩區打線區，如此可使後續之打線作業上有較好的辨識功能，避免兩條導線打在同一電極墊上的情形發生。於各電極墊上的打線區161A、161B、162A及162B上分別有導線與各打線區電連接，使得發光元件可藉由各導線獲得足夠之電流，產生電子電洞於發光層中結合後發出光線。參考第5C圖，係一電極墊剖面圖，顯示電極墊161的打線區161A及161B上形成金塊180A、180B，於打線過程中經升溫使金塊融熔，再將導線171A及171B與金塊相接合。同樣的在第二電極墊162的打線區162A及162B兩區上以同樣方法分別 形成兩條導線。

上述之螺旋狀可以是順時鐘或逆時鐘，且螺旋之圈數並無限制。基板100可為藍寶石(Sapphire)基板；緩衝層110之材質可由氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGN)或氮化鎵(GaN)所構成；第一半導體層120可由氮化鋁鎵銦((Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN；0≦x≦1；0≦y≦1)所構成；發光層130之材質可由含氮化鋁鎵銦((Al_pGa_1-p)_qIn_1-qN；1≦p≦1；0≦q≦1)材料雙異質或量子井結構所構成；第二半導體層140可由氮化鋁鎵銦((Al_aGa_1-a)_bIn_1-bN；0≦a≦1；0≦b≦1)所構成。

上述第一電極151的材料係選擇自可以和第一半導體層形成歐姆接觸的材料，例如由鈦(Ti)、鋁(Al)、金(Au)之單層或多層金屬結構或其合金、或金屬氧化物導電層所構成；第一電極墊161可由鈦、鋁、或金之單層或多層金屬結構或其合金所構成；第二電極152的材料係選擇自可以和第二半導體層形成歐姆接觸的材料，例如由含鎳(Ni)、金之單層或多層金屬或其合金、或其他導電金屬氧化物所構成；第二電極墊162可由含鎳、金之單層或多層金屬或其合金所構成。

上述第一電極墊161與第二電極墊162之面積不需同時滿足容納至少兩條導線之面積的條件，可以是第一電極墊或第二電極墊其中之一滿足可容納兩條導線的面積條件即可。

第6A圖係繪示一第二實施例之發光元件20之上視圖，第6B 圖係繪示發光元件20之結構沿CC’線段之剖面圖。發光元件20結構包含：一基板200；一黏結層210；一電流傳導層280；一第一半導體層220；一發光層230；一第二半導體層240；第一、第二電極251及252；以及第一、第二電極墊261及262。在本實施例中，發光元件20為一矩形之立方體，各邊長為787μm，正面面積約為6.19×10⁵μm²。發光元件20各磊晶層係在一成長基板(未繪示)上形成磊晶結構。於磊晶結構成長後，再於第一半導體層220上形成具有高電流傳導之電流傳導層280，可將自電極注入之電流分散開來。接著，再藉由黏結層210將磊晶結構與基板200接合在一起。

完成接合步驟後，再進行一蝕刻步驟以在磊晶結構中形成凹槽270，並在凹槽270中裸露出第一半導體層220的部分表面。其中凹槽270為一指狀，自發光元件之第一側向對邊，亦即發光元件之第二側延伸，其中未被蝕刻之磊晶結構亦同樣形成指狀之磊晶結構。

接著，於凹槽270中第一半導體層220的裸露表面上形成第一電極251與第一電極墊261，由於凹槽為指狀，因此第一電極251也同樣是指狀，包含至少三條直線狀延伸電極以及一橫向延伸電極連接此三條直線狀延伸電極。第一電極251線寬約為23μm。第一電極墊261之位置可位於第一電極251之兩端點或非端點之線上，於本實施例中，第一電極墊261是位於靠近發光元件第一 側之第一電極251非端點處。同樣地，為了提高發光效率，於本實施例中，將第一電極墊261設計為可容納至少兩條導線的面積，使得發光元件有足夠之導線供外界電流輸入。於本實施例中，該第一電極墊的面積為2.15×10⁴μm²。

接著在保留下來的磊晶結構上形成第二電極252與第二電極墊262，其中，第二電極252包含三條直線狀延伸電極自發光元件之第二側向第一側延伸，且與第一電極251三條指狀延伸電極交錯；以及一橫向延伸電極連接此三條直線狀延伸電極。第二電極252線寬約為20μm。第二電極墊262位於發光元件之第二側，且與第二電極252連接。於本實施例中，第二電極墊的面積為1.27×10⁴μm²。

於本實施例中，第一電極墊261之形狀分為一長方形，第一電極墊的面積大小可包含第一電極墊的261A及261B兩區打線區，打線區261A及261B上分別可容納至少一條導線與各打線區互相電連接，如此將使得後續之打線作業上有較好的辨識功能，避免兩條導線打在同一電極墊上的情形發生。第二電極墊262之形狀則為一圓形，僅有一打線區262A，打線區262A可連接導線形成電連接。第二電極墊的面積亦可設計為可容納至少兩條導線之面積，例如面積大於1.5×10⁴μm²。

上述之成長基板之材料可以是藍寶石、SiC、GaN、GaAs、或GaP；基板200之材料包含Si、AlN、ZnO、GaAs、玻璃、藍 寶石、金屬、複合材料或其他類似的材料。黏結層210可以是導電黏結層或絕緣黏結層；導電黏結層其材料包含但不限於銀、金、鋁、銦、錫等金屬材料及其合金，或為自發性導電高分子，或高分子中摻雜金屬材料如鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀、或其合金所組成之導電材質。絕緣黏結層其材料包含但不限於旋塗玻璃、矽樹脂、苯并環丁烯(BCB)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(Polyimide)、或過氟環丁烷(PFCB)。當黏結層210為絕緣黏結層時，基板200之材料並無限制。於本實施例中是選擇Si作為基板200之材料，Si具有較高之熱傳係數，可以有效的將發光元件產生的熱擴散至環境中。於黏結層210上下其中一側更包含一反射層(未繪示)，反射層之材料包含金屬、氧化物或金屬及氧化物之組合。氧化物材料包含AlO_x、SiO_x或SiN_x。

當黏結層為導電黏結層時，基板200之材料可選擇絕緣材料，例如玻璃、藍寶石、或AlN，或於黏結層210上下與電流傳導層280或基板之間形成一絕緣層。第7圖繪示之第三實施例係於黏結層210之上與電流傳導層280之間形成絕緣層690，以隔絕電流，絕緣層690之材料可以是SiN_x或SiO₂。上述第一半導體層220係由氮化鋁鎵銦((Al_mGa_1-m)_rIn_1-rN；0≦m≦1；0≦r≦1)或磷化鋁鎵銦((Al_cGa_1-c)_dIn_1-dP；0≦c≦1；0≦d≦1)所構成；發光層230之材質係可由含氮化鋁鎵銦((Al_eGa_1-e)_fIn_1-fN；0≦e≦1；0 ≦f≦1)或磷化鋁鎵銦((Al_iGa_1-i)_jIn_1-jP；0≦i≦1；0≦j≦1)材料雙異質或量子井結構所構成；第二半導體層240係由氮化鋁鎵銦((Al_kGa_1-k)_hIn_1-hN；0≦k≦1；0≦h≦1)或磷化鋁鎵銦((Al_sGa_1-s)_tIn_1-tP；0≦s≦1；0≦t≦1)所構成。

第一電極251之材質係可由含鎳(Ni)、金之單層或多層金屬或其合金、或其他導電金屬氧化物所構成；第一電極墊261可由含鎳、金之單層或多層金屬或其合金所構成；第二電極252可由鈦(Ti)、鋁(Al)、金(Au)之單層或多層金屬結構或其合金、或金屬氧化物導電層所構成；第二電極墊262可由鈦、鋁、或金之單層或多層金屬結構或其合金所構成；上述第一電極251及第二電極252形狀可分別包含M條指狀延伸電極，其中M≧1；上述第一電極251亦可包含M條指狀延伸電極，其中M≧1，且第二電極252可包含M-1條指狀延伸電極。

第8A圖係繪示一第四實施例之發光元件30之結構上視圖，第8B圖係繪示發光元件30之結構沿DD’線段之剖面圖。發光元件30之結構與發光元件10相似，包含：一基板100、一緩衝層110、一第一半導體層120、一發光層130、及一第二半導體層140。於磊晶結構完成後，在第二半導體層140上形成一電流傳導層380。在本實施例中，發光元件30為一矩形之立方體，各邊長為1143μm，正面面積為1.31×10⁶μm²。

電流傳導層完成後，再進行一蝕刻步驟，於電流傳導層及磊 晶結構中形成凹槽370，並在凹槽370中裸露出第一半導體層120的部分表面，其中該凹槽370為一雙螺旋狀，未被蝕刻之電流傳導層及磊晶結構亦同樣形成具雙螺旋狀之結構。

參考第8A圖，發光元件30包含一雙螺旋第一電極351A及351B以及一雙螺旋第二電極352A及352B；一組第一電極墊361A及361B以及一第二電極墊362。於凹槽370形成後，在凹槽370中第一半導體層120的裸露表面上形成第一電極351A及351B與第一電極墊361A及361B。由於凹槽370包含一組螺旋狀，第一電極351也同樣包含一組螺旋狀。第一電極351線寬約為10μm。第一電極墊361A、361B之位置分別位於第一電極351之兩端點或非端點之線上。於本實施例中，第一電極墊361A及361B分別位於第一電極351A及351B鄰近發光元件30之第一邊及相對於第一邊之第二邊處之非端點處。再者，第一電極墊361A及361B的面積同為8.65×10³μm²。

接著在保留下來的電流傳導層380上形成第二電極352A、352B與第二電極墊362，其中，第二電極352A、352B分別是呈螺旋狀之結構，並同時與第二電極墊362連接。第二電極352A、352B線寬約為10μm。第二電極墊362位於與發光元件30第一邊及第二邊共相鄰之第三邊，且同時與第二電極352A、352B相連。為了達到較大的電流輸入量，於本實施例中，亦將第二電極墊362設計為可容納至少兩條導線之面積，使有足夠數量的導線 供外界電流輸入。於本實施例中，第二電極墊362的面積為1.9×10⁴μm²。

於本實施例中，第二電極墊362之形狀分別為兩圓形部分重疊之形狀，包含第二電極墊的362A及362B兩區打線區，如此可使後續之打線作業上有較好的辨識功能，避免兩條導線打在同一電極墊上的情形發生。各電極墊上的打線區361A、361B、362A、及362B可分別外接一導線形成電連接，使得發光元件可藉由各導線獲得足夠之電流，產生電子電洞於發光層中結合後發出光線。前述之各電極、電極墊之結構可應用於前述各實施例之發光元件中；前述之發光元件之形狀包含正方形或長方形；前述之電流傳導層280、380包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅、及氧化鋅錫所構成材料群組中之至少一種材料；前述之各發光元件之各表面可藉由磊晶或蝕刻的方法形成粗化表面，例如基板周圍形成粗化、磊晶層周圍或正面出光面形成粗化、或各電極下方與電極接觸的面形成粗化，以提高出光效率。

第9圖係繪示出一光源產生裝置剖面示意圖，包含本發明任一實施例中之一發光元件。光源產生裝置90可以是一照明裝置，例如路燈、車燈、或室內照明光源；也可以是交通號誌、或一平面顯示器中背光模組的一背光光源。光源產生裝置90包含以前述發光元件組成之一光源910、電源供應系統920、以及一控制元件930，用以控制電源供應系統920。

第10圖係繪示出一背光模組剖面示意圖，背光模組100包含前述實施例中的光源產生裝置90，以及一光學元件1010。光學元件1010可將由光源產生裝置90發出的光加以處裡，使其符合平面顯示器之背光需求條件。光學元件1010包含但不限於光子晶格(photonic lattice)、濾光片(color filter)、波長轉換層(wavelength conversion layer)、抗反射層(antireflective layer)、透鏡或其組合之元件。

本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。

10、20、30‧‧‧發光元件

100、200‧‧‧基板

110‧‧‧緩衝層

120、220‧‧‧第一半導體層

130、230‧‧‧發光層

140、240‧‧‧第二半導體層

151、251、351A、351B‧‧‧第一電極

152、252、352A、352B‧‧‧第二電極

161、261、361A、361B‧‧‧第一電極墊

162、262、362‧‧‧第二電極墊

161A、161B、162A、162B、261A、261B、262A、361A、 361B、362A、362B‧‧‧打線區

170、270、370‧‧‧凹槽

180A、180B‧‧‧金塊

171A、171B‧‧‧導線

210‧‧‧黏結層

280、380‧‧‧電流傳導層

90‧‧‧光源產生裝置

910‧‧‧光源

920‧‧‧電源供應系統

930‧‧‧控制元件

100‧‧‧背光模組

1010‧‧‧光學元件

第1A-1B圖為示意圖，顯示習知之一發光二極體；第2圖為示意圖，顯示習知之一發光二極體；第3圖為示意圖，顯示習知之一發光二極體；第4圖為示意圖，顯示習知之一發光二極體；第5A-5C圖為示意圖，顯示依本發明第一實施例之一發光元件；第6A-6B圖為示意圖，顯示依本發明第二實施例之一發光 元件；第7圖為示意圖，顯示依本發明第三實施例之一發光元件；第8A-8B圖為示意圖，顯示依本發明第四實施例之一發光元件；第9圖為示意圖，顯示利用本發明實施例之發光元件組成之一光源產生裝置；第10圖為示意圖，顯示利用本發明實施例之發光元件組成之一背光模組。

351、351A、351B‧‧‧第一電極

352、352A、352B‧‧‧第二電極

361A、361B‧‧‧第一電極墊

362‧‧‧第二電極墊

Claims (9)

1. 一種發光元件，包含：一基板；一發光疊層，位於該基板上，包含一第一層、一第二層、以及位於該第一層及該第二層之間的一發光層；一凹槽，該凹槽穿過該第二層、該發光層至該第一層，裸露出該第一層之一部分表面；一第一導電結構，位於該凹槽中的該第一層裸露之表面；以及一第二導電結構，位於該第二層上；其中，該第一導電結構包含一第一電極以及一第一電極墊，該第一電極與該第一電極墊電連接；該第二導電結構包含一第二電極以及一第二電極墊，該第二電極與該第二電極墊電連接；其中該第二電極墊為一第一幾何圖案及一第二幾何圖案部分重疊之形狀，具有一面積可容納至少兩條用以接受外界電流輸入的導線，包含一第一打線區以及一第二打線區。
2. 如申請專利範圍第1項所述發光元件，其中，該第一電極包含一第一螺旋狀結構，該第二電極包含一第二螺旋狀結構。
3. 如申請專利範圍第2項所述發光元件，其中，該第一電極更包含一第三螺旋狀結構，該第二電極更包含一第四螺旋狀結構。
4. 如申請專利範圍第3項所述發光元件，其中，該第二電極墊連接該第二電極之第二螺旋狀結構及第四螺旋狀結構。
5. 如申請專利範圍第1項所述發光元件，其中，該第一幾何圖案包含圓形。
6. 如申請專利範圍第1項所述發光元件，其中，該第二幾何圖案包含圓形。
7. 如申請專利範圍第1項所述發光元件，其中該發光元件包含至少一邊未同時具有該第一電極墊與該第二電極墊。
8. 如申請專利範圍第7項所述發光元件，其中該第一電極墊包含至少二個分開之打線區，且該至少二個分開之打線區係位於該發光元件相對之二邊。
9. 如申請專利範圍第8項所述發光元件，其中該至少二個分開之打線區係位於該發光元件相對之二邊之一端。