JPH05102386A - 高強度リードフレーム材およびその製造方法 - Google Patents
高強度リードフレーム材およびその製造方法Info
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- JPH05102386A JPH05102386A JP8264692A JP8264692A JPH05102386A JP H05102386 A JPH05102386 A JP H05102386A JP 8264692 A JP8264692 A JP 8264692A JP 8264692 A JP8264692 A JP 8264692A JP H05102386 A JPH05102386 A JP H05102386A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高強度で且つ導電率の優れた高強度リードフ
レーム材を安価に提供する。 【構成】 熱膨張係数が小さい３８．５Ｎｉ−５．０Ｃ
ｏ−２．５Ｔｉ−残Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
板状の芯材の両面に銅の薄膜を圧延ロールによって圧延
圧着し、応力除去および接合強度向上を目的とする焼鈍
処理を施した後、冷間圧延加工を行って芯材を加工硬化
させるとともに、Ｔｉの析出相を生じさせるための焼鈍
処理を施して析出硬化させることにより、芯材を高強度
化する。
レーム材を安価に提供する。 【構成】 熱膨張係数が小さい３８．５Ｎｉ−５．０Ｃ
ｏ−２．５Ｔｉ−残Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
板状の芯材の両面に銅の薄膜を圧延ロールによって圧延
圧着し、応力除去および接合強度向上を目的とする焼鈍
処理を施した後、冷間圧延加工を行って芯材を加工硬化
させるとともに、Ｔｉの析出相を生じさせるための焼鈍
処理を施して析出硬化させることにより、芯材を高強度
化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ（集積回路）などの
リードフレームとして用いられるリードフレーム材およ
びその製造方法に関するものである。
リードフレームとして用いられるリードフレーム材およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣなどのリードフレームは、一般に熱
膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金、例えば３６〜４２
Ｎｉ−Ｆｅ合金などのインバーが用いられている。ま
た、ＩＣの小型化、高集積化などに伴い、リードフレー
ムのリードを細くして高密度化する傾向があり、加工硬
化や析出硬化などにより高強度化した高強度インバーが
開発されている。特開昭５５−１２２８５５号公報に記
載されているインバーはその一例である。
膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金、例えば３６〜４２
Ｎｉ−Ｆｅ合金などのインバーが用いられている。ま
た、ＩＣの小型化、高集積化などに伴い、リードフレー
ムのリードを細くして高密度化する傾向があり、加工硬
化や析出硬化などにより高強度化した高強度インバーが
開発されている。特開昭５５−１２２８５５号公報に記
載されているインバーはその一例である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
ンバーは導電率（軟銅を１とした場合の百分率）が３％
以下と低く、エネルギー損失が比較的大きいとともに発
熱するなどの問題があった。なお、導電率が高い銅若し
くは銅合金を用いたリードフレームも多用されている
が、熱膨張や強度の点で問題がある。
ンバーは導電率（軟銅を１とした場合の百分率）が３％
以下と低く、エネルギー損失が比較的大きいとともに発
熱するなどの問題があった。なお、導電率が高い銅若し
くは銅合金を用いたリードフレームも多用されている
が、熱膨張や強度の点で問題がある。
【０００４】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、高強度で且つ導電性
に優れたリードフレーム材を提供することにある。
もので、その目的とするところは、高強度で且つ導電性
に優れたリードフレーム材を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための第１の手段】かかる目的を達成
するために、第１発明は、ＩＣなどのリードフレームと
して用いられるリードフレーム材であって、（ａ）熱膨
張係数が小さく且つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
芯材と、（ｂ）その芯材の両面に設けられた導電率の高
い被覆材とを有することを特徴とする。
するために、第１発明は、ＩＣなどのリードフレームと
して用いられるリードフレーム材であって、（ａ）熱膨
張係数が小さく且つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
芯材と、（ｂ）その芯材の両面に設けられた導電率の高
い被覆材とを有することを特徴とする。
【０００６】
【第１発明の作用および効果】このような高強度リード
フレーム材は、加工硬化，析出硬化等により高強度化さ
れた熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材
の両面に、銅，銅合金等の導電率の高い被覆材が設けら
れているため、所望する強度を確保しつつ導電率を高め
ることができる。したがって、かかる高強度リードフレ
ーム材から打抜き加工等によって得られるリードフレー
ムのリードの幅を細くしても充分な強度が得られ、リー
ドの高密度化を図ることができるとともに、導電率の高
い被覆材の作用によりエネルギー損失や発熱が良好に低
減される。また、芯材の両面に銅等の被覆材が設けられ
ているため、芯材と被覆材との熱膨張係数の相違によっ
てリードフレームが変形する恐れもない。なお、被覆材
として銅または銅合金が用いられる場合には、メッキや
ハンダ付性が向上する利点がある。
フレーム材は、加工硬化，析出硬化等により高強度化さ
れた熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材
の両面に、銅，銅合金等の導電率の高い被覆材が設けら
れているため、所望する強度を確保しつつ導電率を高め
ることができる。したがって、かかる高強度リードフレ
ーム材から打抜き加工等によって得られるリードフレー
ムのリードの幅を細くしても充分な強度が得られ、リー
ドの高密度化を図ることができるとともに、導電率の高
い被覆材の作用によりエネルギー損失や発熱が良好に低
減される。また、芯材の両面に銅等の被覆材が設けられ
ているため、芯材と被覆材との熱膨張係数の相違によっ
てリードフレームが変形する恐れもない。なお、被覆材
として銅または銅合金が用いられる場合には、メッキや
ハンダ付性が向上する利点がある。
【０００７】ここで、上記芯材として用いられるＦｅ−
Ｎｉ系合金としては、Ｎｉ（ニッケル）を２６〜５０重
量％程度含んでいるものが好適に用いられ、これに２〜
６重量％程度のＣｏ（コバルト）を含有させても良い。
また、これを高強度化する技術としては、析出硬化およ
び加工硬化の少なくとも一方を用いることが望ましく、
析出硬化元素としては１〜５重量％程度のＴｉ（チタ
ン）や１重量％程度以下のＳｃ（スカンジウム）が効果
的である。更に、固溶強化元素としてＮｂ（ニオブ），
Ｚｒ（ジルコン），Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブ
デン），Ｔａ（タンタル）のうち少なくとも１種類を、
合計で１〜３重量％程度含有させることも、高強度化を
図る上で効果的である。このようなＦｅ−Ｎｉ系合金の
具体例としては、３８．５Ｎｉ−５Ｃｏ−２．５Ｔｉ−
残Ｆｅ合金、４２Ｎｉ−０．２〜０．５Ｓｃ−残Ｆｅ合
金、３８Ｎｉ−０．２５Ｃ−１．８Ｍｏ−残Ｆｅ合金、
３６〜４０Ｎｉ−３Ｎｂ−残Ｆｅ合金、３５Ｎｉ−２〜
６Ｃｏ−３Ｎｂ−残Ｆｅ合金、３６Ｎｉ−２〜６Ｃｏ−
３Ｚｒ−残Ｆｅ合金、３６〜４２Ｎｉ−３Ｚｒ−残Ｆｅ
合金などがある。一方、導電率の高い被覆材としては、
Ｃｕ（銅）若しくはＣｕ合金が好適に用いられるが、Ａ
ｕ（金），Ｐｔ（白金）などを採用することもできる。
かかる被覆材をＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材の両面に
被覆する方法としては、圧延，爆着等によるクラッド、
メッキ、蒸着、溶射など種々の手段を採用できる。ま
た、被覆材の厚さは、芯材を含むリードフレーム材全体
の厚さに対して被覆材の割合が高くなる程導電率は高く
なるが、強度は低下するため、必要とする強度および導
電率に応じて適宜定められる。
Ｎｉ系合金としては、Ｎｉ（ニッケル）を２６〜５０重
量％程度含んでいるものが好適に用いられ、これに２〜
６重量％程度のＣｏ（コバルト）を含有させても良い。
また、これを高強度化する技術としては、析出硬化およ
び加工硬化の少なくとも一方を用いることが望ましく、
析出硬化元素としては１〜５重量％程度のＴｉ（チタ
ン）や１重量％程度以下のＳｃ（スカンジウム）が効果
的である。更に、固溶強化元素としてＮｂ（ニオブ），
Ｚｒ（ジルコン），Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブ
デン），Ｔａ（タンタル）のうち少なくとも１種類を、
合計で１〜３重量％程度含有させることも、高強度化を
図る上で効果的である。このようなＦｅ−Ｎｉ系合金の
具体例としては、３８．５Ｎｉ−５Ｃｏ−２．５Ｔｉ−
残Ｆｅ合金、４２Ｎｉ−０．２〜０．５Ｓｃ−残Ｆｅ合
金、３８Ｎｉ−０．２５Ｃ−１．８Ｍｏ−残Ｆｅ合金、
３６〜４０Ｎｉ−３Ｎｂ−残Ｆｅ合金、３５Ｎｉ−２〜
６Ｃｏ−３Ｎｂ−残Ｆｅ合金、３６Ｎｉ−２〜６Ｃｏ−
３Ｚｒ−残Ｆｅ合金、３６〜４２Ｎｉ−３Ｚｒ−残Ｆｅ
合金などがある。一方、導電率の高い被覆材としては、
Ｃｕ（銅）若しくはＣｕ合金が好適に用いられるが、Ａ
ｕ（金），Ｐｔ（白金）などを採用することもできる。
かかる被覆材をＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材の両面に
被覆する方法としては、圧延，爆着等によるクラッド、
メッキ、蒸着、溶射など種々の手段を採用できる。ま
た、被覆材の厚さは、芯材を含むリードフレーム材全体
の厚さに対して被覆材の割合が高くなる程導電率は高く
なるが、強度は低下するため、必要とする強度および導
電率に応じて適宜定められる。
【０００８】
【課題を解決するための第２の手段】前記目的を達成す
るために、第２発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材であって、（ａ）導電率
の高い芯材と、（ｂ）その芯材の両面に設けられた熱膨
張係数が小さく且つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
被覆材とを有することを特徴とする。
るために、第２発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材であって、（ａ）導電率
の高い芯材と、（ｂ）その芯材の両面に設けられた熱膨
張係数が小さく且つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る
被覆材とを有することを特徴とする。
【０００９】
【第２発明の作用および効果】すなわち、この第２発明
は前記第１発明とは逆に、芯材として銅等の導電率の高
い材質を用い、その芯材の両面に熱膨張係数が小さく且
つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を設けるよ
うにしたのであり、この場合にも所望する強度を確保し
つつ導電率を高めることが可能で、リードの高密度化を
図ることができるとともにエネルギー損失や発熱を低減
できるし、芯材と被覆材との熱膨張係数の相違によって
リードフレームが変形する恐れもない。しかも、本発明
では高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金が被覆材としてリードフ
レーム材の表面側に設けられているため、これを芯材と
してリードフレーム材の内部に設けた第１発明に比較し
て曲げ剛性が高められ、リードフレームの強度が一層向
上する利点がある。なお、リードフレームをエッチング
で形成する場合、内部よりも表面側の方が腐食の進行が
速いため、一般に腐食端面は表裏の中間部分が鋭利に突
き出す形状となるが、芯材として銅または銅合金を用い
た場合には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金よりも銅の方が腐食し易
いため、形成後の腐食端面の凹凸を小さくできる。ま
た、この第２発明においても、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の望ま
しい組成や高強度化技術は前記第１発明と同様であり、
導電率の高い芯材の材質や厚さ等は、第１発明における
被覆材の場合と同様にして定められる。
は前記第１発明とは逆に、芯材として銅等の導電率の高
い材質を用い、その芯材の両面に熱膨張係数が小さく且
つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を設けるよ
うにしたのであり、この場合にも所望する強度を確保し
つつ導電率を高めることが可能で、リードの高密度化を
図ることができるとともにエネルギー損失や発熱を低減
できるし、芯材と被覆材との熱膨張係数の相違によって
リードフレームが変形する恐れもない。しかも、本発明
では高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金が被覆材としてリードフ
レーム材の表面側に設けられているため、これを芯材と
してリードフレーム材の内部に設けた第１発明に比較し
て曲げ剛性が高められ、リードフレームの強度が一層向
上する利点がある。なお、リードフレームをエッチング
で形成する場合、内部よりも表面側の方が腐食の進行が
速いため、一般に腐食端面は表裏の中間部分が鋭利に突
き出す形状となるが、芯材として銅または銅合金を用い
た場合には、Ｆｅ−Ｎｉ系合金よりも銅の方が腐食し易
いため、形成後の腐食端面の凹凸を小さくできる。ま
た、この第２発明においても、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の望ま
しい組成や高強度化技術は前記第１発明と同様であり、
導電率の高い芯材の材質や厚さ等は、第１発明における
被覆材の場合と同様にして定められる。
【００１０】
【課題を解決するための第３の手段】前記目的を達成す
るために、第３発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材の製造方法であって、
（ａ）熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯
材の両面に導電率の高い被覆材を圧延圧着してクラッド
材を製造する圧延圧着工程と、（ｂ）前記クラッド材を
冷間圧延し、所望する板厚にすると同時に前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金を加工硬化させて高強度とする冷間圧延工程と
を有することを特徴とする。
るために、第３発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材の製造方法であって、
（ａ）熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯
材の両面に導電率の高い被覆材を圧延圧着してクラッド
材を製造する圧延圧着工程と、（ｂ）前記クラッド材を
冷間圧延し、所望する板厚にすると同時に前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金を加工硬化させて高強度とする冷間圧延工程と
を有することを特徴とする。
【００１１】
【第３発明の作用および効果】すなわち、この第３発明
は、前記第１発明に係る高強度リードフレーム材を好適
に製造できる製造方法に関するもので、熱膨張係数が小
さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材の両面に導電率の高
い被覆材を圧延圧着してクラッド材を製造し、その後、
そのクラッド材を冷間圧延することにより、所望する板
厚にすると同時にＦｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高
強度化するのであり、このようにして製造された高強度
リードフレーム材は、前記第１発明と同様な作用効果が
得られる。また、本発明方法は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加
工硬化により高強度化する前に銅等の被覆材を圧延圧着
するようにしているため、高強度化したＦｅ−Ｎｉ系合
金の表面にメッキなどによって被覆材を設ける場合に比
較して、被覆材を簡単且つ確実に芯材に固着することが
可能であり、第１発明の高強度リードフレーム材を低コ
ストで多量生産できる利点がある。
は、前記第１発明に係る高強度リードフレーム材を好適
に製造できる製造方法に関するもので、熱膨張係数が小
さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材の両面に導電率の高
い被覆材を圧延圧着してクラッド材を製造し、その後、
そのクラッド材を冷間圧延することにより、所望する板
厚にすると同時にＦｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高
強度化するのであり、このようにして製造された高強度
リードフレーム材は、前記第１発明と同様な作用効果が
得られる。また、本発明方法は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加
工硬化により高強度化する前に銅等の被覆材を圧延圧着
するようにしているため、高強度化したＦｅ−Ｎｉ系合
金の表面にメッキなどによって被覆材を設ける場合に比
較して、被覆材を簡単且つ確実に芯材に固着することが
可能であり、第１発明の高強度リードフレーム材を低コ
ストで多量生産できる利点がある。
【００１２】なお、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の望ましい組成や
導電率の高い被覆材の材質，厚さ等は第１発明と同様で
あり、Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＴｉおよびＳｃのうち少なく
とも１種類を析出硬化元素として含んでいる場合には、
上記冷間圧延工程の後にそのＦｅ−Ｎｉ系合金を時効に
より析出硬化させる熱処理工程を設ければ良い。
導電率の高い被覆材の材質，厚さ等は第１発明と同様で
あり、Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＴｉおよびＳｃのうち少なく
とも１種類を析出硬化元素として含んでいる場合には、
上記冷間圧延工程の後にそのＦｅ−Ｎｉ系合金を時効に
より析出硬化させる熱処理工程を設ければ良い。
【００１３】
【課題を解決するための第４の手段】前記目的を達成す
るために、第４発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材の製造方法であって、
（ａ）導電率の高い芯材の両面に熱膨張係数が小さいＦ
ｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を圧延圧着してクラッド
材を製造する圧延圧着工程と、（ｂ）前記クラッド材を
冷間圧延し、所望する板厚にすると同時に前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金を加工硬化させて高強度とする冷間圧延工程と
を有することを特徴とする。
るために、第４発明は、ＩＣなどのリードフレームとし
て用いられるリードフレーム材の製造方法であって、
（ａ）導電率の高い芯材の両面に熱膨張係数が小さいＦ
ｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を圧延圧着してクラッド
材を製造する圧延圧着工程と、（ｂ）前記クラッド材を
冷間圧延し、所望する板厚にすると同時に前記Ｆｅ−Ｎ
ｉ系合金を加工硬化させて高強度とする冷間圧延工程と
を有することを特徴とする。
【００１４】
【第４発明の作用および効果】この第４発明は、前記第
２発明に係る高強度リードフレーム材を好適に製造でき
る製造方法に関するもので、導電率の高い芯材の両面に
熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を
圧延圧着してクラッド材を製造し、その後、そのクラッ
ド材を冷間圧延することにより、所望する板厚にすると
同時にＦｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高強度化する
のであり、このようにして製造された高強度リードフレ
ーム材は、前記第２発明と同様な作用効果が得られる。
また、本発明方法は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化によ
り高強度化する前に銅等の芯材に圧延圧着するようにし
ているため、それ等を簡単且つ確実に一体化することが
可能であり、第２発明の高強度リードフレーム材を低コ
ストで多量生産できる利点がある。
２発明に係る高強度リードフレーム材を好適に製造でき
る製造方法に関するもので、導電率の高い芯材の両面に
熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材を
圧延圧着してクラッド材を製造し、その後、そのクラッ
ド材を冷間圧延することにより、所望する板厚にすると
同時にＦｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高強度化する
のであり、このようにして製造された高強度リードフレ
ーム材は、前記第２発明と同様な作用効果が得られる。
また、本発明方法は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化によ
り高強度化する前に銅等の芯材に圧延圧着するようにし
ているため、それ等を簡単且つ確実に一体化することが
可能であり、第２発明の高強度リードフレーム材を低コ
ストで多量生産できる利点がある。
【００１５】なお、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の望ましい組成や
導電率の高い芯材の材質，厚さ等は第２発明と同様であ
り、Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＴｉおよびＳｃのうち少なくと
も１種類を析出硬化元素として含んでいる場合に、上記
冷間圧延工程の後にそのＦｅ−Ｎｉ系合金を時効により
析出硬化させる熱処理工程を設ければ良いことは第３発
明と同様である。
導電率の高い芯材の材質，厚さ等は第２発明と同様であ
り、Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＴｉおよびＳｃのうち少なくと
も１種類を析出硬化元素として含んでいる場合に、上記
冷間圧延工程の後にそのＦｅ−Ｎｉ系合金を時効により
析出硬化させる熱処理工程を設ければ良いことは第３発
明と同様である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】図２は、第１発明の一実施例である高強度
リードフレーム材１０の斜視図で、板状の芯材１２の両
面に被覆材として銅の薄膜１４を固着したものである。
芯材１２は熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金、この
実施例では３８．５Ｎｉ−５．０Ｃｏ−２．５Ｔｉ−残
Ｆｅ合金で、加工硬化および析出硬化によって高強度化
が図られ、硬度や引張強さが高められている。
リードフレーム材１０の斜視図で、板状の芯材１２の両
面に被覆材として銅の薄膜１４を固着したものである。
芯材１２は熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ系合金、この
実施例では３８．５Ｎｉ−５．０Ｃｏ−２．５Ｔｉ−残
Ｆｅ合金で、加工硬化および析出硬化によって高強度化
が図られ、硬度や引張強さが高められている。
【００１８】上記高強度リードフレーム材１０は、第３
発明に従う図１に示されている手順に従って製造され、
先ず、高強度化する前の板厚が例えば０．２５mm程度の
芯材１２の両面に銅の薄膜１４を圧延圧着する。これ
は、例えば図３に示されているように一対の圧延ロール
１６間で芯材１２および薄膜１４を冷間圧延することに
よって行われ、これにより芯材１２の両面に銅の薄膜１
４が固着されたクラッド材１８が得られる。この時の圧
下率、すなわち圧延前の板厚をＴ1 、圧延後の板厚をＴ
2 とした場合の板厚減少率｛（Ｔ1 −Ｔ2 ）／Ｔ1 ｝×
１００は、薄膜１４を芯材１２に確実に圧着する上で５
０％以上とすることが望ましい。芯材１２は高強度化す
る前の状態であるため、かかる冷間圧延により薄膜１４
は芯材１２に対して良好に圧延圧着される。
発明に従う図１に示されている手順に従って製造され、
先ず、高強度化する前の板厚が例えば０．２５mm程度の
芯材１２の両面に銅の薄膜１４を圧延圧着する。これ
は、例えば図３に示されているように一対の圧延ロール
１６間で芯材１２および薄膜１４を冷間圧延することに
よって行われ、これにより芯材１２の両面に銅の薄膜１
４が固着されたクラッド材１８が得られる。この時の圧
下率、すなわち圧延前の板厚をＴ1 、圧延後の板厚をＴ
2 とした場合の板厚減少率｛（Ｔ1 −Ｔ2 ）／Ｔ1 ｝×
１００は、薄膜１４を芯材１２に確実に圧着する上で５
０％以上とすることが望ましい。芯材１２は高強度化す
る前の状態であるため、かかる冷間圧延により薄膜１４
は芯材１２に対して良好に圧延圧着される。
【００１９】次に、上記クラッド材１８を１０００℃程
度まで加熱した後２分間程度保持して徐冷する焼鈍処理
を施すことにより、前記圧延圧着工程において芯材１２
の内部に生じた応力を取り除くとともに、芯材１２と薄
膜１４との界面部分で拡散を行わせてそれ等の接合強度
を高める。この焼鈍処理の加熱温度は、析出相を生じさ
せることのないように定められる。
度まで加熱した後２分間程度保持して徐冷する焼鈍処理
を施すことにより、前記圧延圧着工程において芯材１２
の内部に生じた応力を取り除くとともに、芯材１２と薄
膜１４との界面部分で拡散を行わせてそれ等の接合強度
を高める。この焼鈍処理の加熱温度は、析出相を生じさ
せることのないように定められる。
【００２０】その後、上記クラッド材１８を圧延ロール
によって冷間圧延することにより、芯材１２を加工硬化
させる。この時の圧下率は、高強度リードフレーム材１
０に要求される必要強度や所望する板厚に応じて例えば
１０％程度から９０％程度の間で任意に設定される。
によって冷間圧延することにより、芯材１２を加工硬化
させる。この時の圧下率は、高強度リードフレーム材１
０に要求される必要強度や所望する板厚に応じて例えば
１０％程度から９０％程度の間で任意に設定される。
【００２１】そして、最後に上記冷間圧延されたクラッ
ド材１８を４００〜８００℃程度まで加熱した後２〜６
０分間程度保持して徐冷する焼鈍処理を施すことによ
り、芯材１２にＴｉの析出相を時効により生じさせて析
出硬化させる。この時の加熱温度は、芯材１２に析出相
が生じるように前記冷間圧延前の焼鈍処理温度よりも低
い温度である。この焼鈍処理は芯材１２を時効により析
出硬化させる熱処理工程に相当する。
ド材１８を４００〜８００℃程度まで加熱した後２〜６
０分間程度保持して徐冷する焼鈍処理を施すことによ
り、芯材１２にＴｉの析出相を時効により生じさせて析
出硬化させる。この時の加熱温度は、芯材１２に析出相
が生じるように前記冷間圧延前の焼鈍処理温度よりも低
い温度である。この焼鈍処理は芯材１２を時効により析
出硬化させる熱処理工程に相当する。
【００２２】このようにして製造された高強度リードフ
レーム材１０は、加工硬化および析出硬化によって芯材
１２が高強度化されているため、打抜き加工等によって
得られるリードフレームのリードの幅を細くしても充分
な強度が得られ、リードの高密度化を図ることができる
ばかりでなく、その芯材１２の表面に設けられた銅の薄
膜１４の存在により高い導電性が得られるようになって
エネルギー損失や発熱が良好に低減され、且つメッキや
ハンダ付性も向上する。また、芯材１２の両面に銅の薄
膜１４が圧着されているため、芯材１２と薄膜１４との
熱膨張係数の相違に起因してリードフレームが変形する
恐れもない。
レーム材１０は、加工硬化および析出硬化によって芯材
１２が高強度化されているため、打抜き加工等によって
得られるリードフレームのリードの幅を細くしても充分
な強度が得られ、リードの高密度化を図ることができる
ばかりでなく、その芯材１２の表面に設けられた銅の薄
膜１４の存在により高い導電性が得られるようになって
エネルギー損失や発熱が良好に低減され、且つメッキや
ハンダ付性も向上する。また、芯材１２の両面に銅の薄
膜１４が圧着されているため、芯材１２と薄膜１４との
熱膨張係数の相違に起因してリードフレームが変形する
恐れもない。
【００２３】ここで、かかる高強度リードフレーム材１
０の引張強さや導電率は、図４および図５に示されてい
るように、高強度リードフレーム材１０全体の板厚ｔ1
に対する芯材１２の板厚ｔ2 の割合、すなわち板厚比Ｄ
（％）＝（ｔ2 ／ｔ1 ）×１００によって変化し、引張
強さは板厚比Ｄが高い程高くなる一方、導電率は板厚比
Ｄが低くなる程高くなる。このため、板厚比Ｄは両者を
勘案して例えば３０％程度から９５％程度の間、好まし
くは５０％以上８５％以下の間で設定される。そして、
例えば板厚比Ｄが８０％の場合には、引張強さは前記冷
間圧延工程の圧下率によっても異なるが７５〜１２５kg
f/mm2 程度で、導電率（軟銅を１とした場合の百分率）
は２３％程度となり、導電率が３％以下であった従来の
４２Ｎｉ−残Ｆｅ合金製のリードフレームに比較して１
０倍程度の導電性が得られる。なお、図４に示されてい
る複数のグラフは冷間圧延工程における圧下率の相違に
よるもので、各グラフの右端に示されている数値は、板
厚比Ｄが１００％すなわち芯材１２単独の引張強さであ
る。
０の引張強さや導電率は、図４および図５に示されてい
るように、高強度リードフレーム材１０全体の板厚ｔ1
に対する芯材１２の板厚ｔ2 の割合、すなわち板厚比Ｄ
（％）＝（ｔ2 ／ｔ1 ）×１００によって変化し、引張
強さは板厚比Ｄが高い程高くなる一方、導電率は板厚比
Ｄが低くなる程高くなる。このため、板厚比Ｄは両者を
勘案して例えば３０％程度から９５％程度の間、好まし
くは５０％以上８５％以下の間で設定される。そして、
例えば板厚比Ｄが８０％の場合には、引張強さは前記冷
間圧延工程の圧下率によっても異なるが７５〜１２５kg
f/mm2 程度で、導電率（軟銅を１とした場合の百分率）
は２３％程度となり、導電率が３％以下であった従来の
４２Ｎｉ−残Ｆｅ合金製のリードフレームに比較して１
０倍程度の導電性が得られる。なお、図４に示されてい
る複数のグラフは冷間圧延工程における圧下率の相違に
よるもので、各グラフの右端に示されている数値は、板
厚比Ｄが１００％すなわち芯材１２単独の引張強さであ
る。
【００２４】また、熱応力に影響するヤング率は、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金に比較して銅の方が小さいため、図６に示
されているように板厚比Ｄが小さい程小さくなり、板厚
比Ｄ＝８０％の高強度リードフレーム材１０のヤング率
は約１．４８×１０4 （kgf/mm2)となる。したがって、
ヤング率が約１．５７×１０4 （kgf/mm2)の芯材１２単
独の場合に比較して、ヤング率が低くなった分だけ高強
度リードフレーム材１０の熱応力は小さくなる。また、
熱膨張係数は、芯材１２の熱膨張係数をα1、薄膜１４
の熱膨張係数をα2 とすると、｛α1 Ｄ＋α2 （１００
−Ｄ）｝／１００となり、薄膜１４すなわち銅の熱膨張
係数が芯材１２よりも大きいことに対応して、高強度リ
ードフレーム材１０の熱膨張係数は芯材１２単独の場合
より大きくなるため、板厚比Ｄの設定に際してはこの熱
膨張係数についても考慮する必要がある。
−Ｎｉ系合金に比較して銅の方が小さいため、図６に示
されているように板厚比Ｄが小さい程小さくなり、板厚
比Ｄ＝８０％の高強度リードフレーム材１０のヤング率
は約１．４８×１０4 （kgf/mm2)となる。したがって、
ヤング率が約１．５７×１０4 （kgf/mm2)の芯材１２単
独の場合に比較して、ヤング率が低くなった分だけ高強
度リードフレーム材１０の熱応力は小さくなる。また、
熱膨張係数は、芯材１２の熱膨張係数をα1、薄膜１４
の熱膨張係数をα2 とすると、｛α1 Ｄ＋α2 （１００
−Ｄ）｝／１００となり、薄膜１４すなわち銅の熱膨張
係数が芯材１２よりも大きいことに対応して、高強度リ
ードフレーム材１０の熱膨張係数は芯材１２単独の場合
より大きくなるため、板厚比Ｄの設定に際してはこの熱
膨張係数についても考慮する必要がある。
【００２５】一方、上記高強度リードフレーム材１０の
製造に際しては、芯材１２を加工硬化や析出硬化によっ
て高強度化する前に銅の薄膜１４を圧延圧着するように
しているため、高強度化した芯材１２の表面にメッキな
どによって銅を設ける場合に比較して、薄膜１４を簡単
且つ確実に芯材１２に固着することができ、高強度リー
ドフレーム材１０を低コストで多量生産できる。
製造に際しては、芯材１２を加工硬化や析出硬化によっ
て高強度化する前に銅の薄膜１４を圧延圧着するように
しているため、高強度化した芯材１２の表面にメッキな
どによって銅を設ける場合に比較して、薄膜１４を簡単
且つ確実に芯材１２に固着することができ、高強度リー
ドフレーム材１０を低コストで多量生産できる。
【００２６】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
７に示す高強度リードフレーム材２０は第２発明の一実
施例を成すもので、導電率の高い銅から成る板状の芯材
２２の両面に、前記３８．５Ｎｉ−５．０Ｃｏ−２．５
Ｔｉ−残Ｆｅ合金等のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材
２４を固着したものである。かかる高強度リードフレー
ム材２０は、前記高強度リードフレーム材１０と同様
に、圧延圧着工程，焼鈍工程，冷間圧延工程，および析
出硬化のための焼鈍工程（熱処理工程）から成る製造工
程に従って製造され、被覆材２４は加工硬化および析出
硬化によって高強度化され、硬度や引張強さが高められ
ている。なお、被覆材２４の表面２６には、ハンダ付性
を良くするために必要に応じて銅，ニッケル，スズ等の
メッキなどが施される。
７に示す高強度リードフレーム材２０は第２発明の一実
施例を成すもので、導電率の高い銅から成る板状の芯材
２２の両面に、前記３８．５Ｎｉ−５．０Ｃｏ−２．５
Ｔｉ−残Ｆｅ合金等のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材
２４を固着したものである。かかる高強度リードフレー
ム材２０は、前記高強度リードフレーム材１０と同様
に、圧延圧着工程，焼鈍工程，冷間圧延工程，および析
出硬化のための焼鈍工程（熱処理工程）から成る製造工
程に従って製造され、被覆材２４は加工硬化および析出
硬化によって高強度化され、硬度や引張強さが高められ
ている。なお、被覆材２４の表面２６には、ハンダ付性
を良くするために必要に応じて銅，ニッケル，スズ等の
メッキなどが施される。
【００２７】かかる高強度リードフレーム材２０におい
ても、所望する強度を確保しつつ高い導電率を得ること
が可能で、リードの高密度化を図ることができるととも
にエネルギー損失や発熱を低減できるし、芯材２２と被
覆材２４との熱膨張係数の相違によってリードフレーム
が変形する恐れもないなど、前記実施例の高強度リード
フレーム材１０と同様の作用効果が得られる。また、被
覆材２４を加工硬化や析出硬化によって高強度化する前
に銅の芯材２２に圧延圧着するようにしているため、そ
れ等を簡単且つ確実に一体化することが可能であり、高
強度リードフレーム材２０を低コストで多量生産でき
る。
ても、所望する強度を確保しつつ高い導電率を得ること
が可能で、リードの高密度化を図ることができるととも
にエネルギー損失や発熱を低減できるし、芯材２２と被
覆材２４との熱膨張係数の相違によってリードフレーム
が変形する恐れもないなど、前記実施例の高強度リード
フレーム材１０と同様の作用効果が得られる。また、被
覆材２４を加工硬化や析出硬化によって高強度化する前
に銅の芯材２２に圧延圧着するようにしているため、そ
れ等を簡単且つ確実に一体化することが可能であり、高
強度リードフレーム材２０を低コストで多量生産でき
る。
【００２８】一方、この実施例の高強度リードフレーム
材２０は、高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金が被覆材２４とし
て表面側に設けられているため、Ｆｅ−Ｎｉ系合金が芯
材１２として内部に設けられていた前記高強度リードフ
レーム材１０に比較して曲げ剛性が高められ、リードフ
レームの強度が一層向上する利点がある。すなわち、芯
材１２，被覆材２４を構成するＦｅ−Ｎｉ系合金のヤン
グ率をＥIn、薄膜１４，芯材２２を構成する銅のヤング
率をＥCu、曲率半径をρとした場合、図８の（ａ）のよ
うに、長さ寸法がｂ、全体の板厚がｈ、銅の薄膜１４の
膜厚がｈ／１０の高強度リードフレーム材１０の曲げモ
ーメントＭ１は、材料力学の「はりの曲げ」に関する演
算式から次式（１）で表される一方、図８の（ｂ）のよ
うに、長さ寸法がｂ、全体の板厚がｈ、銅の芯材２２の
半分の厚さがｈ／１０の高強度リードフレーム材２０の
曲げモーメントＭ２は同様に次式（２）で表され、ＥIn
＞ＥCuであることから、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の板厚と銅の
板厚との割合が同じでも高強度リードフレーム材２０の
方が高い曲げ剛性を得られるのである。
材２０は、高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金が被覆材２４とし
て表面側に設けられているため、Ｆｅ−Ｎｉ系合金が芯
材１２として内部に設けられていた前記高強度リードフ
レーム材１０に比較して曲げ剛性が高められ、リードフ
レームの強度が一層向上する利点がある。すなわち、芯
材１２，被覆材２４を構成するＦｅ−Ｎｉ系合金のヤン
グ率をＥIn、薄膜１４，芯材２２を構成する銅のヤング
率をＥCu、曲率半径をρとした場合、図８の（ａ）のよ
うに、長さ寸法がｂ、全体の板厚がｈ、銅の薄膜１４の
膜厚がｈ／１０の高強度リードフレーム材１０の曲げモ
ーメントＭ１は、材料力学の「はりの曲げ」に関する演
算式から次式（１）で表される一方、図８の（ｂ）のよ
うに、長さ寸法がｂ、全体の板厚がｈ、銅の芯材２２の
半分の厚さがｈ／１０の高強度リードフレーム材２０の
曲げモーメントＭ２は同様に次式（２）で表され、ＥIn
＞ＥCuであることから、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の板厚と銅の
板厚との割合が同じでも高強度リードフレーム材２０の
方が高い曲げ剛性を得られるのである。
【００２９】
【数１】 Ｍ１＝（ｂｈ3 ／１２ρ）×( 0.512 ＥIn＋0.488 ＥCu）・・・（１） Ｍ２＝（ｂｈ3 ／１２ρ）×( 0.992 ＥIn＋0.008 ＥCu）・・・（２）
【００３０】また、このように銅製の芯材２２をＦｅ−
Ｎｉ系合金から成る被覆材２４で挟んだ高強度リードフ
レーム材２０によれば、エッチングによりリードフレー
ムを所定のパターンに形成した場合に、その形成後の腐
食端面が平坦になる利点がある。すなわち、リードフレ
ームをエッチングで形成する場合、内部よりも表面側の
方が腐食の進行が速いため、一般に腐食端面は表裏の中
間部分が鋭利に突き出す形状となるが、銅製の芯材２２
の両面にＦｅ−Ｎｉ系合金の被覆材２４を設けた場合、
Ｆｅ−Ｎｉ系合金よりも銅の方が腐食し易いため、エッ
チング時間を適当に定めることにより形成後の腐食端面
の凹凸を小さくできるのである。
Ｎｉ系合金から成る被覆材２４で挟んだ高強度リードフ
レーム材２０によれば、エッチングによりリードフレー
ムを所定のパターンに形成した場合に、その形成後の腐
食端面が平坦になる利点がある。すなわち、リードフレ
ームをエッチングで形成する場合、内部よりも表面側の
方が腐食の進行が速いため、一般に腐食端面は表裏の中
間部分が鋭利に突き出す形状となるが、銅製の芯材２２
の両面にＦｅ−Ｎｉ系合金の被覆材２４を設けた場合、
Ｆｅ−Ｎｉ系合金よりも銅の方が腐食し易いため、エッ
チング時間を適当に定めることにより形成後の腐食端面
の凹凸を小さくできるのである。
【００３１】以上、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明したが、これ等はあくまでも一具体例であり、
例えば析出硬化させるための焼鈍処理は必ずしも必要で
ないとともに、芯材１２や被覆材２４を構成するＦｅ−
Ｎｉ系合金の組成は種々変更できるなど、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実
施することができる。
細に説明したが、これ等はあくまでも一具体例であり、
例えば析出硬化させるための焼鈍処理は必ずしも必要で
ないとともに、芯材１２や被覆材２４を構成するＦｅ−
Ｎｉ系合金の組成は種々変更できるなど、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実
施することができる。
【図１】第１発明の一実施例である図２の高強度リード
フレーム材を第３発明の製造方法に従って製造する際の
手順を示す図である。
フレーム材を第３発明の製造方法に従って製造する際の
手順を示す図である。
【図２】第１発明の一実施例である高強度リードフレー
ム材の斜視図である。
ム材の斜視図である。
【図３】図１の圧延圧着工程を説明する図である。
【図４】図２の高強度リードフレーム材における板厚比
と引張強さとの関係を示す図である。
と引張強さとの関係を示す図である。
【図５】図２の高強度リードフレーム材における板厚比
と導電率との関係を示す図である。
と導電率との関係を示す図である。
【図６】図２の高強度リードフレーム材における板厚比
とヤング率との関係を示す図である。
とヤング率との関係を示す図である。
【図７】第２発明の一実施例である高強度リードフレー
ム材の構成を説明する図である。
ム材の構成を説明する図である。
【図８】図２および図７の高強度リードフレーム材の曲
げモーメントを解析する際の各部の寸法を説明する図で
ある。
げモーメントを解析する際の各部の寸法を説明する図で
ある。
１０，２０：高強度リードフレーム材 １２：芯材（Ｆｅ−Ｎｉ系合金） １４：銅の薄膜（被覆材） １８：クラッド材 ２２：芯材（銅） ２４：被覆材（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山迫 義和 愛知県東海市高横須賀栗ノ木33 (72)発明者 小出 茂 愛知県名古屋市南区松下町１−11−１ パ ークシテイ松下Ｂ501 (72)発明者 永井 俊光 愛知県刈谷市板倉町１−５−１
Claims (7)
- 【請求項１】ＩＣなどのリードフレームとして用いられ
るリードフレーム材であって、 熱膨張係数が小さく且つ高強度のＦｅ−Ｎｉ系合金から
成る芯材と、 該芯材の両面に設けられた導電率の高い被覆材とを有す
ることを特徴とする高強度リードフレーム材。 - 【請求項２】ＩＣなどのリードフレームとして用いられ
るリードフレーム材であって、 導電率の高い芯材と、 該芯材の両面に設けられた熱膨張係数が小さく且つ高強
度のＦｅ−Ｎｉ系合金から成る被覆材とを有することを
特徴とする高強度リードフレーム材。 - 【請求項３】前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は析出硬化および加
工硬化の少なくとも一方によって高強度化されたもので
ある請求項１または２に記載の高強度リードフレーム
材。 - 【請求項４】前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、Ｎｂ，Ｚｒ，
Ｗ，Ｍｏ，Ｔａのうち少なくとも１種類を固溶強化元素
として含んでいる請求項１〜３の何れかに記載の高強度
リードフレーム材。 - 【請求項５】ＩＣなどのリードフレームとして用いられ
るリードフレーム材の製造方法であって、 熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎｉ系合金から成る芯材の両
面に導電率の高い被覆材を圧延圧着してクラッド材を製
造する圧延圧着工程と、 前記クラッド材を冷間圧延し、所望する板厚にすると同
時に前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高強度とす
る冷間圧延工程とを有することを特徴とする高強度リー
ドフレーム材の製造方法。 - 【請求項６】ＩＣなどのリードフレームとして用いられ
るリードフレーム材の製造方法であって、 導電率の高い芯材の両面に熱膨張係数が小さいＦｅ−Ｎ
ｉ系合金から成る被覆材を圧延圧着してクラッド材を製
造する圧延圧着工程と、 前記クラッド材を冷間圧延し、所望する板厚にすると同
時に前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金を加工硬化させて高強度とす
る冷間圧延工程とを有することを特徴とする高強度リー
ドフレーム材の製造方法。 - 【請求項７】前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金はＴｉおよびＳｃの
うち少なくとも１種類を析出硬化元素として含んでお
り、前記冷間圧延工程の後に該Ｆｅ−Ｎｉ系合金を時効
により析出硬化させる熱処理工程を有する請求項５また
は６に記載のリードフレーム材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8264692A JPH05102386A (ja) | 1991-03-29 | 1992-03-04 | 高強度リードフレーム材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-93235 | 1991-03-29 | ||
| JP9323591 | 1991-03-29 | ||
| JP8264692A JPH05102386A (ja) | 1991-03-29 | 1992-03-04 | 高強度リードフレーム材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102386A true JPH05102386A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=26423667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8264692A Pending JPH05102386A (ja) | 1991-03-29 | 1992-03-04 | 高強度リードフレーム材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102386A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629436A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | リードフレーム用部材 |
| DE19507573A1 (de) * | 1994-03-30 | 1995-10-05 | Gold Star Electronics | Leiterstruktur und Halbleitergehäuse mit dieser Leiterstruktur |
| JPH088382A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2014197674A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-10-16 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
| US9368704B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-06-14 | Nichia Corporation | Lead frame and light emitting device |
| US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
| JP2019009349A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 日立金属株式会社 | 電気接続用部材、電気接続構造、および電気接続用部材の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP8264692A patent/JPH05102386A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629436A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-04 | Hitachi Metals Ltd | リードフレーム用部材 |
| DE19507573A1 (de) * | 1994-03-30 | 1995-10-05 | Gold Star Electronics | Leiterstruktur und Halbleitergehäuse mit dieser Leiterstruktur |
| DE19507573C2 (de) * | 1994-03-30 | 2002-11-21 | Gold Star Electronics | Leiterstruktur für ein Halbleitergehäuse und Halbleitergehäuse mit einer solchen Leiterstruktur |
| JPH088382A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2014197674A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-10-16 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
| US9368704B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-06-14 | Nichia Corporation | Lead frame and light emitting device |
| US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
| US9887335B2 (en) | 2013-03-05 | 2018-02-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including a resin package having a cavity |
| US10096758B2 (en) | 2013-03-05 | 2018-10-09 | Nichia Corporation | Lead frame including a plurality of units connected together and semiconductor device including the lead frame |
| JP2019009349A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 日立金属株式会社 | 電気接続用部材、電気接続構造、および電気接続用部材の製造方法 |
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