JPS617673A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS617673A JPS617673A JP59127957A JP12795784A JPS617673A JP S617673 A JPS617673 A JP S617673A JP 59127957 A JP59127957 A JP 59127957A JP 12795784 A JP12795784 A JP 12795784A JP S617673 A JPS617673 A JP S617673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leads
- lead frame
- semiconductor element
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置、特に複数の半導体素子が、樹脂
で一体的に封止されて成る半導体装置の組立てに用いら
れるリードフレームに関する。
で一体的に封止されて成る半導体装置の組立てに用いら
れるリードフレームに関する。
従来例の構成とその問題点
一般にプラスチックモールド型のセグメント式数字発光
ダイオード表示装置は、第１図ａに斜視構造で示したよ
うに、発光素子１を所定の形状に加工したリードフレー
ム２の各リード先端部に載置し、金属細線３で電極接続
し、外部リードの間隔に合わせて曲げ加工し、その後、
第１図すのように、樹脂ケース６とエポキシ樹脂７で一
体的に封止し、外部リードを連結しているフレーム２を
切断することで完成される。この場合のリードフレーム
は、第２図に示したように、コモン電極側となる主リー
ド２１に０．２〜０．３ＭＭと近接して、独立端子とな
る個々リード２２が複雑に配置されている。
ダイオード表示装置は、第１図ａに斜視構造で示したよ
うに、発光素子１を所定の形状に加工したリードフレー
ム２の各リード先端部に載置し、金属細線３で電極接続
し、外部リードの間隔に合わせて曲げ加工し、その後、
第１図すのように、樹脂ケース６とエポキシ樹脂７で一
体的に封止し、外部リードを連結しているフレーム２を
切断することで完成される。この場合のリードフレーム
は、第２図に示したように、コモン電極側となる主リー
ド２１に０．２〜０．３ＭＭと近接して、独立端子とな
る個々リード２２が複雑に配置されている。
しかしながら、従来の半導体装置におけるリードフレー
ムは、外部リードとなる部分だけをフレーム２３で連結
しているため、前記リードフレームの曲げ加工、マウン
ト工程、ワイヤボンディング工程などの組立工程でリー
ドが変形し、コモン電極側と独立端子側のリード間及び
、独立端子リード相互間の短絡や、ワイヤボンディング
工程での金属細線の断線がしはしば発生した。こうした
不良発生を防ぐため、各組立工程におけるリードフレー
ムの送り機構や取り扱いには注意を要し、量産性や歩留
りなどの製造面では、多くの問題があった。
ムは、外部リードとなる部分だけをフレーム２３で連結
しているため、前記リードフレームの曲げ加工、マウン
ト工程、ワイヤボンディング工程などの組立工程でリー
ドが変形し、コモン電極側と独立端子側のリード間及び
、独立端子リード相互間の短絡や、ワイヤボンディング
工程での金属細線の断線がしはしば発生した。こうした
不良発生を防ぐため、各組立工程におけるリードフレー
ムの送り機構や取り扱いには注意を要し、量産性や歩留
りなどの製造面では、多くの問題があった。
発明の目的
本発明は、上述の問題点を解消するリードフレームを提
供するものである。
供するものである。
発明の構成
本発明のリードフレームは、半導体素子を載置するため
の主リードと、半導体素子の電極から引き出した金属細
線を接続するための複数の個々リードとが最終的には樹
脂で埋め込まれる範囲内で部分的に接続され、前記主リ
ードの所定位置に半導体素子を載置し、かつ、前記側々
のリードに金属細線をワイヤボンディングで接続した後
、前記部分的接続部を切断可能となしたものであり、こ
れにより、成型ならびに樹脂で一体的に封止されて成る
半導体装置の製造性２品質の格段の向上が達成できる。
の主リードと、半導体素子の電極から引き出した金属細
線を接続するための複数の個々リードとが最終的には樹
脂で埋め込まれる範囲内で部分的に接続され、前記主リ
ードの所定位置に半導体素子を載置し、かつ、前記側々
のリードに金属細線をワイヤボンディングで接続した後
、前記部分的接続部を切断可能となしたものであり、こ
れにより、成型ならびに樹脂で一体的に封止されて成る
半導体装置の製造性２品質の格段の向上が達成できる。
実施例の説明
以下、本発明を実施例により図面を参照しながら説明す
る。第３図は、本発明によるリードフレームであり、半
導体素子載置部となる主リード２１と金属細線接続部と
なる個々リード２２とが接続部６１で部分的に接続され
ている。この接続部６１の大きさは、各組立工程でのリ
ードの変形に耐え得るだけの面積でよく、本発明による
実施例では、１−以下に設定し、とりわけ、この部分は
薄肉化して切断容易な構造にした。また、このリードフ
レームは、リン青銅や鉄ニッケルなどの銅系、鉄系の各
種合金を母材として、エツチング加工やプレス加工で容
易に得られる。
る。第３図は、本発明によるリードフレームであり、半
導体素子載置部となる主リード２１と金属細線接続部と
なる個々リード２２とが接続部６１で部分的に接続され
ている。この接続部６１の大きさは、各組立工程でのリ
ードの変形に耐え得るだけの面積でよく、本発明による
実施例では、１−以下に設定し、とりわけ、この部分は
薄肉化して切断容易な構造にした。また、このリードフ
レームは、リン青銅や鉄ニッケルなどの銅系、鉄系の各
種合金を母材として、エツチング加工やプレス加工で容
易に得られる。
第４図は、ワイヤボンディング完成後の部分的接続部打
ち抜き工程の要部断面図を示すもので、図中４１は半導
体発光素子、４２は導電性接着Ｒ４３は金線、４６はリ
ードフレームの主リード側である。打ち抜き型の下型４
６にリードフレーム４６を設置し、打ち抜き型の上型４
７が矢印４８の方向に下降してリードフレーム４５を固
定すムまた、上型４７には、半導体発光素子４１及び金
線４３を保護すべく空間４９と接続部打ち抜き用ビン５
０が配置されている。この打ち抜き用ビン６０の大きさ
は、０．６闘φ〜１．０１１１１１１φで、接続部５１
より大きく設定している。
ち抜き工程の要部断面図を示すもので、図中４１は半導
体発光素子、４２は導電性接着Ｒ４３は金線、４６はリ
ードフレームの主リード側である。打ち抜き型の下型４
６にリードフレーム４６を設置し、打ち抜き型の上型４
７が矢印４８の方向に下降してリードフレーム４５を固
定すムまた、上型４７には、半導体発光素子４１及び金
線４３を保護すべく空間４９と接続部打ち抜き用ビン５
０が配置されている。この打ち抜き用ビン６０の大きさ
は、０．６闘φ〜１．０１１１１１１φで、接続部５１
より大きく設定している。
部分的接続部を打ち抜いた後、樹脂で一体的に封止し、
各リードを連結していたフレームを切断して、発光ダイ
オード表示装置が完成する。
各リードを連結していたフレームを切断して、発光ダイ
オード表示装置が完成する。
発明の効果
以上の実施例によって詳しく述べたように、本発明のリ
ードフレームによれば、０２顛〜０．３ｆｌで近接する
リードが、ワイヤボンディングまでの組立工程によって
短絡することもなく、ワイヤボンディング工程時セの、
金属細線の断線が未然に防げる。本発明によって、組立
歩留は９６％になり、従来例による７５％から大幅に向
上した。
ードフレームによれば、０２顛〜０．３ｆｌで近接する
リードが、ワイヤボンディングまでの組立工程によって
短絡することもなく、ワイヤボンディング工程時セの、
金属細線の断線が未然に防げる。本発明によって、組立
歩留は９６％になり、従来例による７５％から大幅に向
上した。
また、半導体素子載置部と金属細線接続部のリード間隔
及びリードフレーム内の配置が、終始所定の寸法を保持
しているため、自動組立装置に適合し、組立工程の自動
化や合理化が容易となり、量産性が飛躍的に改善される
など、本発明による効果は太きい。
及びリードフレーム内の配置が、終始所定の寸法を保持
しているため、自動組立装置に適合し、組立工程の自動
化や合理化が容易となり、量産性が飛躍的に改善される
など、本発明による効果は太きい。
本発明におけるリードフレームでは、発光ダイオード表
示装置のコモン側と独立端子側の各リードを部分的に接
続した例を示したが、近接する独立端子側同士のリード
間や、二個以上の複数のリードを同じ部分で接続しても
よい。
示装置のコモン側と独立端子側の各リードを部分的に接
続した例を示したが、近接する独立端子側同士のリード
間や、二個以上の複数のリードを同じ部分で接続しても
よい。
第１図ａ、ｂおよび第２図は従来の発光ダイオード表示
素子とそのリードフレームとを概略的に示す斜視図およ
び平面図、第３図および第４図は本発明にかかるリード
フレームと、接続部打抜き工程を示す平面図および要部
断面図である。 ４１・・・・・・発光素子、２３・・・・・・フレーム
、４３・・・・・・金属細線、４５・・・・・・リード
フレーム、２１・・・・・・コモンリード、２２・・・
・・・独立端子側のリード、４２・・・・・・導電性接
着剤、４６・・・・・・打ち抜き型の下型、４７・・・
・・・打ち抜き型の上型、４９・・・・・・半導体素子
の保護用空間、５０・・・・・・打ち抜きビン、６１・
・・・・・リードの部分的接続部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
素子とそのリードフレームとを概略的に示す斜視図およ
び平面図、第３図および第４図は本発明にかかるリード
フレームと、接続部打抜き工程を示す平面図および要部
断面図である。 ４１・・・・・・発光素子、２３・・・・・・フレーム
、４３・・・・・・金属細線、４５・・・・・・リード
フレーム、２１・・・・・・コモンリード、２２・・・
・・・独立端子側のリード、４２・・・・・・導電性接
着剤、４６・・・・・・打ち抜き型の下型、４７・・・
・・・打ち抜き型の上型、４９・・・・・・半導体素子
の保護用空間、５０・・・・・・打ち抜きビン、６１・
・・・・・リードの部分的接続部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 半導体素子を載置するための主リードと前記半導体素子
の電極から引き出した金属細線を接続するための複数の
個々リードとを有し、前記主リードと個々リードとが、
最終的には樹脂で埋め込まれる範囲内で部分的に接続さ
れ、前記主リードの所定の位置に前記半導体素子を載置
し、金属細線で接続した後、前記２つのリードの部分的
接続部を分離可能となしたリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127957A JPS617673A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59127957A JPS617673A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617673A true JPS617673A (ja) | 1986-01-14 |
| JPH0558273B2 JPH0558273B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=14972836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59127957A Granted JPS617673A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617673A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4893169A (en) * | 1985-09-30 | 1990-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Lead frame and a process for the production of a lead with this lead frame |
| JPH056142A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Rohm Co Ltd | 数字表示器及びその製造方法 |
| US5218233A (en) * | 1990-07-24 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led lamp having particular lead arrangement |
| JP2009016794A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | キャップレスパッケージ及びその製造方法 |
| US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
| JP7704323B1 (ja) * | 2024-11-18 | 2025-07-08 | 三菱電機株式会社 | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP59127957A patent/JPS617673A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4893169A (en) * | 1985-09-30 | 1990-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Lead frame and a process for the production of a lead with this lead frame |
| US5218233A (en) * | 1990-07-24 | 1993-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led lamp having particular lead arrangement |
| JPH056142A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Rohm Co Ltd | 数字表示器及びその製造方法 |
| JP2009016794A (ja) * | 2007-06-05 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | キャップレスパッケージ及びその製造方法 |
| US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
| US9887335B2 (en) | 2013-03-05 | 2018-02-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including a resin package having a cavity |
| US10096758B2 (en) | 2013-03-05 | 2018-10-09 | Nichia Corporation | Lead frame including a plurality of units connected together and semiconductor device including the lead frame |
| JP7704323B1 (ja) * | 2024-11-18 | 2025-07-08 | 三菱電機株式会社 | リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558273B2 (ja) | 1993-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3413713A (en) | Plastic encapsulated transistor and method of making same | |
| EP0424530B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| US3444441A (en) | Semiconductor devices including lead and plastic housing structure suitable for automated process construction | |
| JPH02502323A (ja) | 集積回路用支持組立体 | |
| US4829362A (en) | Lead frame with die bond flag for ceramic packages | |
| US20030003627A1 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| US5309018A (en) | Lead frame having deformable supports | |
| JPH03177060A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| US4415917A (en) | Lead frame for integrated circuit devices | |
| JPS617673A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS63258050A (ja) | 半導体装置 | |
| US11037866B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH088385A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2629853B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2517465B2 (ja) | リ―ドフレ―ム | |
| EP0242962A1 (en) | Offset pad semiconductor lead frame | |
| JPS61135131A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2005135938A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60103653A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4018595B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置に用いるリードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2000277677A (ja) | リードフレーム、半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JPH0547985A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05218274A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62125654A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH029692A (ja) | Ｉｃカード用モジュールの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |