TW201808510A - 雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法 - Google Patents

雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法 Download PDF

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中田雄一
藤貴洋
小田智也
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日本製鋼所股份有限公司
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Abstract

實施形態之一為一種雷射剝離裝置(1)，係用以對至少具備有基板(11)以及形成於該基板(11)上的剝離層(12)之工件(10)從基板(11)側對基板(11)與剝離層(12)之間的界面照射雷射光(16)，並將剝離層(12)從基板(11)剝離；該雷射剝離裝置(1)係具備有：噴射單元(22)，係將氣體(35)噴吹至工件(10)上，並將存在於工件(10)的表面的粉塵吹離；以及集塵單元(23)，係於與雷射光(16)的照射位置對應之位置具有開口部(52)，並從開口部(52)吸引並集塵被吹離的粉塵。

Description

雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法
本發明係有關於一種雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示器的製造方法，例如為有關於一種使用雷射光將剝離層從基板分離之雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機EL顯示器的製造方法。
已知有一種雷射剝離裝置，係從基板側對形成於基板上的剝離層照射雷射光，並將剝離層從基板剝離。於專利文獻1揭示有一種雷射加工裝置，係使用於用以將薄膜從基板分離之雷射剝離步驟。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許第5220133號公報。
如先前技術所說明般，雷射剝離裝置係從基板側對形 成於基板上的剝離層照射雷射光，並將剝離層從基板剝離。此時，在基板上附著有粉塵(微粒(particle))之情形中，由於在附著有粉塵的部分中雷射光不會到達剝離層，因此在此部分中基板與剝離層不會分離。因此，存在無法將基板與剝離層均勻地分離之問題。
實施形態之一的雷射剝離裝置係具備有：噴射單元，係將氣體噴吹至工件(work)上；以及集塵單元，係從開口部吸引並集塵粉塵。
實施形態之一的雷射剝離裝置係具備有集塵單元，該集塵單元係具有：光路空間，係用以使雷射光通過；以及排氣空間，係配置於光路空間的外側。光路空間係具有配置於開口部的周圍之側壁，並於側壁形成有用以將氣體供給至光路空間之供氣孔。構成為從供氣孔供給至光路空間的氣體係沿著側壁朝工件側流動後，通過側壁的下端與工件之間並朝排氣空間流動。
實施形態之一的雷射剝離方法係在一邊照射雷射光一邊搬運工件時，將氣體噴吹至工件上，並吸引被噴吹的氣體而將粉塵予以集塵。
實施形態之一的有機EL顯示器的製造方法係包含有 用以將基板與剝離層予以分離之步驟；在前述分離步驟中，一邊照射雷射光一邊搬運工件時，將氣體噴吹至工件上，並吸引被噴吹的氣體而將粉塵予以集塵。
依據前述實施形態，能提供一種能將剝離層從基板均勻地分離之雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法。
1、2、3、4、5、201、500、600‧‧‧雷射剝離裝置
10、210‧‧‧工件
11、211、218‧‧‧基板
12、212‧‧‧剝離層
16、216‧‧‧雷射光
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧台
22‧‧‧噴射單元
23‧‧‧集塵單元
31‧‧‧本體部
32‧‧‧噴嘴
33‧‧‧供氣用配管
35‧‧‧氣體
41、61、62、81、82‧‧‧側壁
42、65‧‧‧頂板
44、45、63、64、83、84、111、112‧‧‧板狀構件
46、46a、46b‧‧‧排氣用配管
48、68‧‧‧蓋體
51‧‧‧上部開口部
52、78、545‧‧‧開口部
55、56、97、98、103、104‧‧‧傾斜面
60、90、100、110‧‧‧集塵單元
66、67‧‧‧間隔板
70‧‧‧光路空間
71、72‧‧‧供氣空間
73、74‧‧‧排氣空間
75、76‧‧‧供氣孔
77、77a、77b‧‧‧排氣埠
85‧‧‧供氣埠
91、92、93、94、101、102‧‧‧底板構件
95、96‧‧‧吸氣口
113、114‧‧‧配管
213‧‧‧電路元件
214‧‧‧保護層
217‧‧‧端面
218‧‧‧膜
219‧‧‧煙
220‧‧‧光學系統
221‧‧‧台
231‧‧‧粉塵
232‧‧‧暗點
300‧‧‧有機EL顯示器
311‧‧‧TFT層
311a‧‧‧TFT
312a‧‧‧有機EL發光元件
312‧‧‧有機層
312b‧‧‧隔壁
313‧‧‧彩色濾光器層
313a‧‧‧彩色濾光器
510、610‧‧‧腔室
511、611‧‧‧底面壁
512、612‧‧‧頂面壁
513、613‧‧‧前面壁
514、614‧‧‧後面壁
515、516、615、616‧‧‧側面壁
515a、515b‧‧‧工件出入口
517‧‧‧空氣
520‧‧‧集塵單元用供氣排 氣風扇
521‧‧‧供氣配管
522、522a、522b、722a、722b‧‧‧排氣配管
530‧‧‧支撐台
531‧‧‧底座
532、632‧‧‧支柱
541、641‧‧‧供氣風扇
542‧‧‧過濾器
543‧‧‧排氣導管用排氣口
544‧‧‧排氣導管
546‧‧‧端部
547‧‧‧散焦
548、648‧‧‧排氣風扇
551‧‧‧掃描裝置
552‧‧‧控制器
611c、611d、612a、 612b‧‧‧邊緣部
649‧‧‧可動區域
d1、d2‧‧‧間隙
L1、L2‧‧‧長度
PX‧‧‧像素
圖1A係用以顯示有機EL顯示器的一例之剖視圖。
圖1B係用以說明有機EL顯示器的製造步驟的概要之圖。
圖2係用以說明雷射剝離裝置之剖視圖。
圖3係用以說明雷射剝離步驟之俯視圖及側視圖。
圖4係用以說明雷射剝離步驟之俯視圖及側視圖。
圖5係用以說明雷射剝離步驟之俯視圖及側視圖。
圖6係用以說明雷射剝離步驟之剖視圖。
圖7係用以說明實施形態1的雷射剝離裝置之剖視圖。
圖8係用以說明實施形態1的雷射剝離裝置之俯視圖。
圖9係用以說明實施形態1的雷射剝離裝置之仰視圖。
圖10係集塵單元的工件附近的放大剖視圖。
圖11係用以實施形態2的雷射剝離裝置之剖視圖。
圖12係用以說明實施形態2的雷射剝離裝置所具備的集塵單元的詳細構成之立體圖。
圖13係用以說明實施形態2的雷射剝離裝置所具備的集塵單元的詳細構成之立體圖。
圖14係用以說明實施形態3的雷射剝離裝置之剖視圖。
圖15係用以說明實施形態3的雷射剝離裝置之立體圖。
圖16係用以說明實施形態3的雷射剝離裝置的其他構成例之剖視圖。
圖17係用以說明實施形態4的雷射剝離裝置之剖視圖。
圖18係用以說明實施形態4的雷射剝離裝置之立體圖。
圖19係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置之立體圖。
圖20係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置之立體圖。
圖21係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置之立體圖。
圖22係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置之側視圖。
圖23係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中工件在腔室(chamber)的內部中移動之圖。
圖24A係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇並於後面壁設置有排氣導管用排氣口之情形的腔室的內部的空氣的流動之立體圖。
圖24B係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇並於後面壁設置有排氣導管用排氣口之情形的腔室的內部的空氣的流動之俯視圖。
圖25A係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇並於後面壁設置有排氣導管用排氣口以及過濾器之情形的腔室的內部的空氣的流動之立體圖。
圖25B係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇並於後面壁設置有排氣導管用排氣口以及過濾器之情形的腔室的內部的空氣的流動之俯視圖。
圖26A係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇以及過濾器並於後面壁設置有排氣導管用排氣口以及過濾器之情形的腔室的內部的空氣的流動之立體圖。
圖26B係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中於腔室的前面壁設置有供氣風扇以及過濾器並於後面壁設置有排氣導管用排氣口以及過濾器之情形的腔室的內部的空氣的流動之俯視圖。
圖27係用以例示腔室的內部的壓力變得比外部的壓力還大時的腔室之剖視圖。
圖28係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置中的集塵單元中之排氣量相對於供氣量之比以及微粒濃度之圖表。
圖29係用以例示實施形態5的FFU(Fan Filter Unit；風扇過濾器單元)的動作及集塵單元中的排氣量/供氣量之比以及微粒濃度的關係之圖表。
圖30係用以例示實施形態5的FFU的動作以及集塵單元的供氣及排氣的控制方法之方塊圖。
圖31係用以說明實施形態6的雷射剝離裝置之立體圖。
圖32A係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置中工件在腔室的內部中移動之圖，且為投影至頂面壁之圖。
圖32B係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置中工件在腔室的內部中移動之圖，且為投影至底面壁之圖。
圖33係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置中的腔室的內部的空氣的流動之圖。
圖34A係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置中的腔室的空氣的流動之圖，且顯示將供氣量設定成比排氣量還大之情形。
圖34B係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置中的腔室的空氣的流動之圖，且顯示將供氣量設定成比排氣量還小之情形。
<有機EL顯示器>
首先，使用圖1A說明有機EL顯示器的構造。圖1A係用以顯示有機EL顯示器的一例之剖視圖。圖1A所示的有機EL顯示器300係於各個像素PX配置有TFT(Thin Film Transistor；薄膜電晶體)之主動矩陣(active matrix)型的顯示裝置。
有機EL顯示器300係具備有基板218、剝離層212、TFT層311、有機層312、彩色濾光器(color filter)層313以及保護層214。在圖1A中，顯示保護層214成為辨識側之頂部發光(top emission)方式的有機EL顯示器。此外，以下的說明係用以顯示有機EL顯示器的一構成例，本實施形態並未限定於以下所說明的構成。例如，在本實施形態中，亦可使用於底部發光(bottom emission)方式的有機EL顯示器。
基板218為塑膠膜，且為能藉由施加應力而彎曲之膜。於基板218上設置有剝離層212以及TFT層311。TFT層311係具有配置於各個像素PX之TFT311a。再者，TFT層311係具有連接至TFT311a之配線(未圖示)等。TFT311a以及配線等係構成像素電路。
於TFT層311上設置有有機層312。有機層312係具有 配置於每個像素PX之有機EL發光元件312a。有機EL發光元件312a係具有例如積層有陽極、電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子植入層以及陰極之積層構造。在頂部發光方式的情形中，陽極為金屬電極，陰極為ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)等透明導電膜。再者，於有機層312設置有隔壁312b，該隔壁312b係用以在像素PX間分離有機EL發光元件312a。
於有機層312上設置有彩色濾光器層313。彩色濾光器層313係設置有用以進行彩色顯示之彩色濾光器313a。亦即，於各個像素PX設置有已著色成R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)之樹脂層作為彩色濾光器313a。當從有機層312發出的白色光通過彩色濾光器313a時，被轉換成RGB顏色的光線。此外，於有機層312設置有用以發光出RGB各顏色的有機EL發光元件之三顏色方式的情形中，亦可省略彩色濾光器層313。
於彩色濾光器層313上設置有保護層214。保護層214係由樹脂材料所構成，且設置成用以防止有機層312的有機EL發光元件的劣化。
流通於有機層312的有機EL發光元件312a之電流係藉由供給至像素電路的顯示訊號而變化。因此，能藉由將因應顯示影像的顯示訊號供給至各個像素PX來控制各個像素PX 的發光量。藉此，能顯示期望的影像。
<有機EL顯示器的製造步驟>
接著，使用圖1B說明上述說明的有機EL顯示器的製造步驟。在製造有機EL顯示器時，首先準備基板211(步驟A)。例如，基板211係使用使雷射光穿透之玻璃基板。接著，於基板211上形成剝離層212(步驟B)。剝離層212能使用例如聚醯亞胺(polyimide)。之後，於剝離層212上形成電路元件213(步驟C)。在此，電路元件213係包含有圖1A所示的TFT層311、有機層312以及彩色濾光器層313。電路元件213係能使用光微影技術或成膜技術所形成。之後，於電路元件213上形成用以保護電路元件213之保護層214(步驟D)。
接著，以基板211成為上面之方式使基板211反轉(步驟E)，並從基板211側對剝離層212照射雷射光216(步驟F)。雷射光216能使用線光束(line beam)。在圖1B所示的情形中，由於將基板211搬運至x方向，因此從基板211的右側朝左側照射雷射光216。之後，分離基板211與剝離層212(步驟G)。最後，將膜218積層至剝離層212。例如，膜218為塑膠膜，且為能藉由施加應力而彎曲之膜。藉由使用此種製造步驟，能製作可彎曲的有機EL顯示器300。
<雷射剝離裝置(比較例)>
接著，具體地說明在步驟F中所使用的雷射剝離裝置(比 較例)。圖2係用以說明雷射剝離裝置(雷射剝除(laser lift off)裝置)之剖視圖。如圖2所示，雷射剝離裝置201係具備有光學系統220以及台(stage)221。從雷射光源(未圖示)對光學系統220供給雷射光。雷射光源例如能使用用以產生準分子雷射(excimer laser)或紫外線(UV；Ultra Violet)雷射之雷射產生裝置。光學系統220係使用複數個透鏡所構成。光學系統220係將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成線狀，具體而言將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成焦點於y軸方向延伸之雷射光216。
台221係構成為可將配置於台211上的工件210於搬運方向(x軸方向)搬運。在此，工件210係至少具備有基板211以及剝離層212。此外，形成於剝離層212上的電路元件等係省略圖示。工件210係以雷射光216從基板211側照射至基板211與剝離層212之間的界面之方式且以基板211成為上側之方式配置於台221上。此外，台221係構成為以雷射光216的焦點對合至基板211與剝離層212之間的界面之方式可於上下方向(沿著z軸之方向)移動。
如圖2所示，一邊照射雷射光216一邊使台221於搬運方向(x軸方向)移動並將工件210於搬運方向搬運，藉此能在工件210上掃描雷射光216。此時，由於藉由照射雷射光216而在基板211與剝離層212之間的界面附近將使原子、分子的結合分解，因此如圖3所示，從基板211與剝離層212之 間的界面產生煤狀的煙219。該煤狀的煙219係從工件210的端面217放出至大氣中。該煤狀的煙219為剝離層212的分解生成物。如圖4所示，該煤狀的煙219係堆積至基板211的表面成為粉塵(微粒)231。
接著，如圖5所示，當在粉塵231堆積至基板211的表面的狀態下掃描雷射光216時，雷射光216被粉塵231遮住而產生暗點(dark point)(暗斑)232，該暗點232係雷射光216未到達至剝離層212之部分。在該雷射光216未到達之暗點232中，變成附著有基板211與剝離層212之狀態。因此，如圖6所示，剝離基板211與剝離層212時，在與暗點232對應之部分中產生基板211與剝離層212未被分離之部分。當在該狀態下強行地將基板211與剝離層212分離時，剝離層212的表面成為凹凸狀而對剝離層212的表面的平滑性產生不均。換言之，於剝離層212的厚度產生不均。因此，會有無法均勻地分離基板211與剝離層212之問題。尤其是在有機EL顯示器的製造步驟中使用雷射剝離裝置之情形中，若基板211與剝離層212未被均勻地分離時，會於有機EL顯示器的顯示畫面產生產生不均。
為了解決此種問題，以下所說明的實施形態1至實施形態4的雷射剝離裝置係具備有用以去除基板上的粉塵之機構。以下具體地說明。
<實施形態1>
以下參照圖式說明實施形態1。圖7至圖9係分別用以說明實施形態1的雷射剝離裝置之剖視圖、俯視圖以及仰視圖。如圖7所示，雷射剝離裝置1係具備有光學系統20、台21、噴射單元22以及集塵單元23。本實施形態的雷射剝離裝置1係如下之裝置：針對至少具備有基板11以及形成於該基板11上的剝離層12之工件10，一邊搬運工件10一邊從基板11側對基板11與剝離層12之間的界面照射雷射光16，將剝離層12從基板11剝離。雷射剝離裝置1係在一邊照射雷射光一邊搬運工件10時，將氣體噴吹至工件10上，並吸引被噴吹的氣體而將粉塵予以集塵。
從雷射光源(未圖示)對光學系統20供給雷射光。雷射光源例如能使用用以產生準分子雷射或紫外線雷射之雷射產生裝置。光學系統20係使用複數個透鏡所構成。光學系統20係將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成線狀，具體而言將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成焦點於y軸方向延伸之雷射光16(參照圖8)。
台21係構成為可將配置於台21上的工件10於搬運方向(x軸方向)搬運。在此，工件10係至少具備有基板11以及剝離層12。此外，形成於剝離層12上的電路元件等係省略圖示(以下皆同樣)。工件10係以雷射光16從基板11側照射至基板11與剝離層12之間的界面之方式且以基板11成為上側 之方式配置於台21上。此外，台21係構成為以雷射光16的焦點對合至基板11與剝離層12之間的界面之方式可於上下方向(沿著z軸之方向)移動。
噴射單元22係將氣體噴吹至工件10上，並將存在於工件10的表面之粉塵(微粒)吹離。如圖7所示，噴射單元22係相對於集塵單元23配置於工件10的搬運方向下游側(x軸正側)。噴射單元22係具備有本體部31、噴嘴32以及供氣用配管33。如圖8及圖9所示，本體部31及噴嘴32係以於y軸方向(換言之，與工件10的表面平行且與工件10的搬運方向垂直之方向)延伸之方式配置。
從供氣用配管33對噴射單元22的本體部31供給有氣體(壓縮氣體)。接著，供給至本體部31的氣體35係從噴嘴32的前端朝工件10的表面噴射(如箭頭所示的氣體35)。如圖7所示，由於噴嘴32的流路係變窄，因此噴嘴32係達成作為節流器的功能。因此，本體部31的內部的壓力變高，氣體從噴嘴32的前端強力地吹出。此時，噴射單元22係將氣體噴吹至與工件10的搬運方向的相反方向(x軸負側)，於工件10的表面形成與工件10的搬運方向相反方向之層流。噴射單元22係能使用例如不鏽鋼等金屬材料或樹脂材料所形成。此外，從供氣用配管33所供給的氣體係能使用經過壓縮的惰性氣體(氮等)或壓縮空氣等。
如圖7所示，集塵單元23係相對於噴射單元22配置於工件10的搬運方向上游側(x軸負側)，並從開口部52吸引並集塵被從噴射單元22噴吹的氣體35吹離的粉塵。集塵單元23係使用側壁41、設置於側壁41的上部之頂板42(參照圖8)以及設置於側壁41的下部之板狀構件44、45(參照圖9)所構成。如圖8所示，於頂板42形成有於y軸方向延伸之上部開口部51，該上部開口部51係被蓋體48蓋住。
如圖7所示，於板狀構件44與板狀構件45之間形成有開口部52。具體而言，如圖9所示，開口部52係使用板狀構件44與板狀構件45所形成，該板狀構件44係相對於開口部52設置在搬運方向上游側且於y軸方向延伸，該板狀構件45係相對於開口部52設置於搬運方向下游側且於y軸方向延伸。
如圖7所示，於側壁41安裝有排氣用配管46(46a、46b)，使用排氣用配管46(46a、46b)排氣，藉此被側壁41、頂板42、板狀構件44、45以及蓋體48圍繞的空間係被減壓。藉此，能從開口部52吸引粉塵。
此時，如圖9所示，開口部52的y軸方向中的長度L1亦可作成比噴射單元22的噴嘴32的y軸方向中的長度L2還長。藉由作成此種構成，能從開口部52確實地吸引被從噴嘴32噴吹的氣體35吹離的粉塵。
開口部52係配置於與雷射光16的照射位置對應之位置(參照圖7及圖9)。此外，上部開口部51係設置於與雷射光通過的光路對應之位置。此外，上部開口部51係使用蓋體48作為蓋子，該蓋體48係由用以使雷射光穿透之材料所形成。例如，蓋體48係能使用玻璃或藍寶石(sapphire)所形成。如圖8及圖9所示，上部開口部51及開口部52係以於y軸方向延伸之方式所形成。因此，如圖7所示，線狀的雷射光16係在通過集塵單元23的上部開口部51後，通過開口部52到達至基板11與剝離層12之間的界面。集塵單元23的側壁41、頂板42、板狀構件44、45係能使用例如不鏽鋼等金屬材料或樹脂材料所形成。
圖10係集塵單元23的工件10附近的放大剖視圖。如圖10所示，板狀構件44、45係以板狀構件45與工件10之間的間隙d2變得比板狀構件44與工件10之間的間隙d1還寬之方式配置。藉由將板狀構件44、45作成此種配置，能使板狀構件45與工件10之間的間隙d2中的空氣阻抗降低。藉此，在板狀構件45與工件10之間的間隙d2中氣體35變得容易流動，氣體35變得容易於集塵單元23的開口部52流動。
此外，如圖10所示，亦可將板狀構件44的開口部52中的剖面形狀作成包含有與板狀構件44的下表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面55之形狀。此外，亦可將板狀構件 45的開口部52中的剖面形狀作成包含有與板狀構件45的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面56之形狀。藉由將板狀構件44、45作成此種形狀，能使集塵單元23的開口部52中的空氣阻抗降低，氣體35變得容易於開口部52流動。
如上述說明般，本實施形態的雷射剝離裝置1係具備有：噴射單元22，係將氣體35噴吹至工件10上，並將存在於工件10的表面的粉塵吹離；以及集塵單元23，係於與雷射光16的照射位置對應之位置具有開口部52，並從開口部52吸引並集塵被吹離的粉塵。因此，能在一邊使用雷射剝離裝置1搬運工件10一邊對工件10照射雷射光16時，將存在於工件10的表面的粉塵吹離並去除。
藉此，能抑制雷射光16被粉塵遮住而產生暗點，該暗點係雷射光16未到達至剝離層12之部分。因此，由於能抑制產生基板11與剝離層12未被分離之部分，因此能均勻地分離基板11與剝離層12。亦即，能抑制基板11與剝離層12分離時剝離層12的表面變成凹凸狀，而能將剝離層12的表面作成平滑的狀態。換言之，能抑制剝離層12的厚度產生不均。
此外，藉由在有機EL顯示器的製造步驟中使用本實施形態的雷射剝離裝置1，能均勻地分離基板11與剝離層12，而能抑制在有機EL顯示器的顯示畫面產生不均。
此外，在本實施形態的雷射剝離裝置1中，由於在與雷射光16的照射位置對應之位置設置開口部52並從該開口部52吸引粉塵，因此能去除雷射光16的照射位置附近的粉塵。尤其是，由於能藉由此種構成使氣體流動於雷射光16的光軸上，因此能從開口部52吸引並去除對剝離層12照射雷射光16所產生的煤狀的煙(參照圖3)。因此，能抑制粉塵附著於工件10上。
再者，在本實施形態的雷射剝離裝置1中，相對於集塵單元23(開口部52)將噴射單元22配置於工件10的搬運方向下游側，從噴射單元22將氣體35噴吹至與工件10的搬運方向的相反方向，於工件10的表面形成與工件10的搬運方向相反方向的層流。因此，在雷射光16照射至工件10之前能去除存在於工件10的表面的粉塵。
藉由以上所說明的本實施形態，能提供一種能將剝離層均勻地從基板分離之雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法。
<實施形態2>
接著，說明實施形態2。圖11係用以說明實施形態2的雷射剝離裝置之剖視圖。如圖11所示，雷射剝離裝置2係具備有光學系統20、台21以及集塵單元60。本實施形態的雷 射剝離裝置2係如下之裝置：針對至少具備有基板11以及形成於該基板11上的剝離層12之工件10，一邊搬運工件10一邊從基板11側對基板11與剝離層12之間的界面照射雷射光16，將剝離層12從基板11剝離。
從雷射光源(未圖示)對光學系統20供給雷射光。雷射光源例如能使用用以產生準分子雷射或紫外線(UV)雷射之雷射產生裝置。光學系統20係使用複數個透鏡所構成。光學系統20係將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成線狀，具體而言將從雷射光源所供給的雷射光的形狀作成焦點於y軸方向延伸之雷射光16。
台21係構成為可將配置於台21上的工件10於搬運方向(x軸方向)搬運。在此，工件10係至少具備有基板11以及剝離層12。此外，形成於剝離層12上的電路元件等係省略圖示。工件10係以雷射光16從基板11側照射至基板11與剝離層12之間的界面之方式且以基板11成為上側之方式配置於台21上。此外，台21係構成為以雷射光16的焦點對合至基板11與剝離層12之間的界面之方式可於上下方向(沿著z軸之方向)移動。
接著，詳細地說明集塵單元60的構成。圖12及圖13係用以說明本實施形態的雷射剝離裝置2所具備的集塵單元60的詳細構成之立體圖。此外，在圖13中，亦顯示以xz平 面切斷集塵單元60的一部分之剖面形狀。
如圖11至圖13所示，集塵單元60係具備有光路空間70、供氣空間71、72以及排氣空間73、74。
光路空間70係用以使雷射光16通過之空間，並於與雷射光16的照射位置對應之位置具有開口部78。光路空間70係使用配置於光路空間70的周圍之側壁61、62、81、82(參照圖12)以及以覆蓋側壁61、62的上部之方式配置的蓋體68(參照圖11)所構成。在此，側壁61係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向上游側(x軸負側)之板狀構件。側壁62係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向下游側(x軸正側)之板狀構件。
圖12所示，側壁61及側壁62係以於y軸方向延伸之方式配置。此外，於側壁61及側壁62的y軸方向的兩端分別配置有側壁81、82。如圖13所示，開口部78係以於y軸方向延伸之方式配置。側壁61及側壁62係以彼此相對向之方式配置，且側壁81及側壁82係以彼此相對向之方式配置。光路空間70為被側壁61、62、81、82圍繞的空間。
此外，如圖11所示，在本實施形態中，雖然以側壁61、62不會妨礙光路之方式配置成側壁61、62相對於鉛直方向(z軸方向)呈傾斜，但是只要側壁61、62不會妨礙光路，亦可 將側壁61、62配置成與鉛直方向平行。
如圖11所示，蓋體68係配置於頂板65上。亦即，使用蓋體68蓋住光路空間70。蓋體68係由使雷射光穿透之材料所形成，例如能使用玻璃或藍寶石形成。此外，在圖12中，省略了頂板65及蓋體68的圖示。此外，在圖13中，省略蓋體68的圖示。如圖12所示，由於光路空間70係以於y軸方向延伸之方式所形成，因此能使於Y軸方向延伸之線狀的雷射光16通過。因此，如圖11所示，線狀的雷射光16係在通過集塵單元23的光路空間70後，通過開口部78到達至基板11與剝離層12之間的界面。
如圖11所示，於側壁61、62分別形成有用以將氣體供給至光路空間70之供氣孔75、76。亦即，光路空間70與供氣空間71係經由供氣孔75連繫，並從供氣空間71經由供氣孔75對光路空間70供給氣體。此外，光路空間70與供氣空間72係經由供氣孔76連繫，並從供氣空間72經由供氣孔76對光路空間70供給氣體。如圖12及圖13所示，例如供氣孔75、76係以沿著y軸方向排列之方式形成。
供氣空間71、72係配置於光路空間70的外側。具體而言，供氣空間71係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向上游側(x軸負側)且配置於排氣空間73的上部。此外，供氣空間72係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向 下游側(x軸正側)且配置於排氣空間74的上部。如圖12所示，供氣空間71、72係在集塵單元60的y軸方向的兩端側中空間性地連繫。亦即，供氣空間71、72係以圍繞光路空間70的外側之方式配置。
如圖12所示，供氣空間71、72為被板狀構件63、64、板狀構件83、84、側壁61、62、側壁81、82、間隔板66、67以及頂板65(參照圖13)圍繞的空間。如圖12所示，於集塵單元60的y軸方向的負側的端部亦即板狀構件84形成有用以將氣體供給至供氣空間71、72之供氣埠85。對供氣埠85供給有經過壓縮的惰性氣體(氮等)或壓縮空氣等的正壓的氣體。
如圖11以及圖13所示，排氣空間73、74係配置於光路空間70的外側。具體而言，排氣空間73係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向上游側(x軸負側)且配置於供氣空間71的下部。此外，排氣空間74係相對於光路空間70配置於工件10的搬運方向下游側(x軸正側)且配置於供氣空間72的下部。與供氣空間71、72的情形同樣地，排氣空間73、74係在集塵單元60的y軸方向的兩端側中空間性地連繫。
如圖11至圖13所示，排氣空間73、74為被板狀構件63、64、板狀構件83、84、側壁61、62、側壁81、82以及 間隔板66、67圍繞的空間。排氣空間73、74中的工件10側係呈開口。於集塵單元60的板狀構件64安裝有排氣埠77(77a、77b)，使用安裝於排氣埠77(77a、77b)的前端之風扇或泵等予以排氣，藉此排氣空間73、74的壓力變成負壓。
集塵單元60所具備的側壁61、62、81、82、板狀構件63、64、83、84、頂板65、間隔板66、67以及排氣埠77a、77b係能使用例如不鏽鋼等金屬材料所形成。
接著，說明集塵單元60的動作。使集塵單元60動作時，從圖12所示的供氣埠85對供氣空間71、72供給正壓的氣體。此外，經由圖13所示的排氣埠77a、77b將排氣空間73、74予以排氣，將排氣空間73、74的壓力設為負壓。
如圖11所示，當供氣空間71、72變成正壓時，氣體係從供氣空間71、72通過供氣孔75、76流動至光路空間70。此時，由於供氣孔75、76的直徑非常地小，因此供氣空間71、72內的壓力係在供氣空間71、72的全域變成均勻的壓力。因此，從各個供氣孔75、76流出的氣體的流量變成大致相同。此外，氣體的流動係在圖11中以虛線的箭頭所示。圖14、圖16以及圖17亦同樣。
從供氣孔75、76供給至光路空間70的氣體係沿著側壁61、62流動至工件10側之後，通過側壁61、62的下端與工 件10之間流動至排氣空間73、74。亦即，從供氣孔75、76供給的氣體係形成降流(down flow)並碰撞至工件10後，分歧至工件10的搬運方向上游側與下游側。分歧至工件10的搬運方向上游側的氣體係流動至排氣空間73。此外，分歧至工件10的搬運方向下游側的氣體係流動至排氣空間74。接著，流動至排氣空間73、74的氣體係在之後從排氣埠77(77a、77b)被排氣。
如此，在本實施形態的雷射剝離裝置2中，在集塵單元60的內部中製造上述說明的氣體的流動，藉此能將藉由照射雷射光所產生的粉塵(參照圖3及圖4)沿著氣體的流動從排氣埠77(77a、77b)予以排氣。此時，由於從供氣孔75、76所供給的氣體係成為降流並碰撞至工件10，因此能吹離存在於工件10的表面的粉塵。接著，將被吹離的粉塵沿著氣體的流動從排氣埠77(77a、77b)予以排氣。
此時，將從排氣埠77(77a、77b)排氣的氣體的量設定成比從供氣埠85供給至供氣空間71、72的氣體的量還多，藉此能將排氣空間73、74中的壓力設定成更低。如此，藉由將排氣空間73、74中的壓力設定成更低，因此氣體能從集塵單元60的外側通過板狀構件63、64、83、84(參照圖12)的下端與工件10之間流入。因此，即使粉塵在集塵單元60的內部浮游，亦能抑制粉塵跑出集塵單元60的外部。
如上述說明般，本實施形態的雷射剝離裝置2係具有集塵單元60，該集塵單元60係具備有：光路空間70，係於與雷射光16的照射位置對應之位置具有開口部78，用以使雷射光16通過；以及排氣空間73、74，係配置於光路空間70的外側。於光路空間70的側壁61、62形成有用以將氣體供給至光路空間70之供氣孔75、76。接著，從供氣孔75、76供給至光路空間70的氣體係沿著側壁61、62流動至工件10側之後，通過側壁61、62的下端與工件10之間流動至排氣空間73、74。如此，在本實施形態的雷射剝離裝置2中，使用集塵單元60製造上述說明的氣體的流動，藉此能將照射雷射光16所產生的粉塵(參照圖3及圖4)沿著氣體的流動予以排氣。
藉此，能抑制雷射光16被粉塵遮住而產生暗點，該暗點係雷射光16未到達至剝離層12之部分。因此，由於能抑制產生基板11與剝離層12未被分離之部分，因此能均勻地分離基板11與剝離層12。亦即，能抑制基板11與剝離層12分離時剝離層12的表面變成凹凸狀，而能將剝離層12的表面作成平滑的狀態。換言之，能抑制剝離層12的厚度產生不均。
此外，由於從供氣孔75、76所供給的氣體係在雷射光16的光軸上成為降流並沿著側壁61、62流動，因此能抑制照射雷射光所產生的媒狀的煙與粉塵(參照圖3及圖4)附著 至側壁61、62與蓋體的下表面。
此外，藉由在有機EL顯示器的製造步驟中使用本實施形態的雷射剝離裝置2，能均勻地分離基板11與剝離層12，藉此能抑制有機EL顯示器的表面畫面產生不均。
藉由上述說明的本實施形態，能提供一種能將剝離層從基板均勻地分離之雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法。
<實施形態3>
接著，說明實施形態3。圖14係用以說明實施形態3的雷射剝離裝置之剖視圖。與實施形態2所說明的雷射剝離裝置2相比，不同點在於本實施形態的雷射剝離裝置3係於集塵單元90的底部具備有底板構件91至底板構件94。由於除此之外係與實施形態2所說明的雷射剝離裝置2同樣，因此於相同的構成要素附上相同的符號，並省略重複的說明。
如圖14及圖15所示，於集塵單元90所具備的排氣空間73的下部形成有吸氣口95。吸氣口95係能藉由使於y軸方向延伸的底板構件91及底板構件92相對向地配置而形成。底板構件91係安裝至側壁61的下部，底板構件92係安裝至板狀構件63的下部。吸氣口95係以工件10的表面與排氣空間73之間的流路變窄之方式所形成。
同樣地，於集塵單元90所具備的排氣空間74的下部形成有吸氣口96。吸氣口96係能藉由使於y軸方向延伸的底板構件93及底板構件94相對向地配置而形成。底板構件93係安裝至側壁62的下部，底板構件94係安裝至板狀構件64的下部。吸氣口96係以工件10的表面與排氣空間74之間的流路變窄之方式所形成。
如此，藉由設置吸氣口95、96，能縮窄工件10的表面與排氣空間73、74之間的流路。藉此，於排氣空間73、74產生壓力損失。能在排氣空間整體將排氣空間的內部的壓力設定成均勻。因此，能效率佳地將氣體從工件10的表面回收至排氣空間73、74的內部。換言之，由於能增加吸氣口95、96中的吸引力，因此能加速工件10的表面中的氣體的流速。因此，能確實地吸引粉塵。
此時，亦可將底板構件91的吸氣口95中的剖面形狀作成包含有與底板構件91的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面97之形狀。此外，亦可將底板構件93的吸氣口96中的剖面形狀作成包含有與底板構件93的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面98之形狀。藉由設置傾斜面97、98，氣體變得容易從開口部78側朝吸氣口95、96流動。
圖16係用以顯示本實施形態的雷射剝離裝置的其他構成例之剖視圖。在本實施形態中，如圖16所示的雷射剝離裝 置4般，亦可於設置有集塵單元100的底部之底板構件101、102分別形成傾斜面103、104。亦即，亦可將底板構件101的吸氣口95中的剖視形狀作成包含有與底板構件101的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面103之形狀。此外，亦可將底板構件102的吸氣口96中的剖面形狀作成包含有與底板構件102的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面104之形狀。藉由設置傾斜面103、104，氣體變得容易從集塵單元100的外側朝吸氣口95、96流動。
即使在以上說明的本實施形態中，亦能提供一種能將剝離層均勻地從基板分離之雷射剝離裝置、雷射剝離方法以及有機電致發光顯示器的製造方法。
<實施形態4>
接著，說明實施形態4。圖17係用以說明實施形態4的雷射剝離裝置5之剖視圖。與實施形態3所說明的雷射剝離裝置3(參照圖14)相比，不同點在於本實施形態的雷射剝離裝置5中集塵單元110未具備有供氣空間71、72。由於除此之外係與實施形態3所說明的雷射剝離裝置3同樣，因此對相同的構成要素附上相同的符號，並省略重複的說明。
如圖17及圖18所示，本實施形態的雷射剝離裝置5所具備的集塵單元110係具備有光路空間70以及排氣空間73、74。由於光路空間70以及排氣空間73、74係與實施形態2 及實施形態3所說明的情形相同，因此省略說明。
在本實施形態中，於集塵單元110的側壁61、62分別所具備的供氣孔75、76連接有配管113、114，並從該配管113、114經由供氣孔75、76對光路空間70供給正壓的氣體。亦即，與實施形態3所說明的雷射剝離裝置4相比，在本實施形態中，縮短板狀構件111、112的z軸方向中的長度，且作成未設置頂板65(參照圖14)之構成，並省略供氣空間71、72。此外，在本實施形態中，由於未設置頂板65，因此將蓋體68設置於側壁61、62的上部。
如此，在本實施形態的雷射剝離裝置5中，將配管113、114連接至供氣孔75、76，並從該配管113、114將正壓的氣體供給至光路空間70。如此，由於能省略供氣空間71、72(參照圖14)，因此能簡化裝置構成。
此外，本實施形態的雷射剝離裝置5的構成亦即省略供氣空間71、72之構成亦能應用於實施形態2所說明的雷射剝離裝置2。換言之，在圖17所示的本實施形態的雷射剝離裝置5中，亦可省略底板構件91至底板構件94。此外，本實施形態的雷射剝離裝置5的構成亦可應用於圖16所示的實施形態3的其他構成例的雷射剝離裝置4。
<實施形態5>
(側浮體(side float)的腔室裝備)
接著，說明實施形態5。首先，說明實施形態5的雷射剝離裝置的構成。圖19至圖21係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置。圖22係用以說明實施形態5的雷射剝離裝置之側視圖。在圖19至圖22中，為了說明內部的構造，適當地省略構成的構件。
如圖19至圖22所示，與實施形態1至實施形態4所說明的雷射剝離裝置相比，差異點在於本實施形態的雷射剝離裝置500係具備有腔室510。於腔室510的內部配置有實施形態1至實施形態4所說明的集塵單元23、60、90、100、110中的任一者。此外，配置於台21上的工件10亦配置於腔室510的內部。
在本實施形態中，說明將實施形態1至實施形態4的集塵單元中之集塵單元60配置於腔室510的內部。此外，亦可使用其他的集塵單元取代集塵單元60。為了說明雷射剝離裝置500，導入應用於集塵單元60的XYZ正交座標系統。因此，工件10的搬運方向係成為X軸方向。
<腔室的構成>
腔室510係例如外形為長方體狀，且於被腔室壁圍繞的內部具有空間。腔室510係從下方被支撐台530支撐。支撐台530係具有底座531以及複數個支柱532。底座531係平坦 地設置於地面上之平板狀的構件，用以支承腔室510的重量。腔室510係被以從底座531朝上方延伸之方式設置的複數個支柱532支撐。
腔室510係藉由底面壁511、頂面壁512、前面壁513、後面壁514、側面壁515以及側面壁516構成為例如長方體狀。底面壁511及頂面壁512係在Z軸方向亦即上下方向相對向。前面壁513及後面壁514係於X軸方向亦即工件10的搬運方向相對向。側面壁515及側面壁516係於Y軸方向相對向。此外，腔室510的形狀並未限定於長方體狀。
從上方觀看，底面壁511係成為例如長邊沿著X軸方向且短邊沿著Y軸方向之長方形的平板狀。底面壁511係配置於頂面壁512的-Z軸方向側。底面壁511係將板面作成水平，並被複數個支柱532支撐。
從X軸方向觀看，前面壁513係成為例如長邊沿著Y軸方向且短邊沿著Z軸方向之長方形的平板狀。前面壁513係配置於後面壁514的-X軸方向側，並與後面壁514相對向。因此，當將前面壁513作為一方的壁時，後面壁514係成為與一方的壁相對向之另一方的壁。此外，前面壁513係與搬運方向正交。於前面壁513設置有供氣風扇541以及過濾器542。因此，前面壁513係構成組入有供氣風扇541以及過濾器542之FFU。
供氣風扇541係例如配置於前面壁513的Y軸方向中的中央部。供氣風扇541係從腔室510的外部將氣體供氣至腔室510的內部。氣體係例如為空氣。此外，從腔室510的外部供氣至內部的氣體(亦稱為供氣氣體)並未限定於空氣，亦可為氮等惰性氣體等。在以下的說明中，將取入至腔室510的內部之氣體設為空氣進行說明。供氣風扇541係將取入至腔室510的內部之空氣送風至+X軸方向。例如，每一個供氣風扇541係供氣500L/min至1500L/min的流量的空氣。
過濾器542係例如於前面壁513設置有一個或複數個。例如，過濾器542係在前面壁513中的Y軸方向中於供氣風扇541的兩側各設置一個，亦即以夾著供氣風扇541之方式設置合計共兩個。因此，於Y軸方向分離配置的過濾器542之間配置有供氣風扇541。
從X軸方向觀看，後面壁514係成為例如長邊沿著Y軸方向且短邊沿著Z軸方向之長方形的平板狀。於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543以及過濾器542。
排氣導管用排氣口543係例如配置於後面壁514的Y軸方向中的中央部。排氣導管用排氣口543係將空氣從腔室510的內部排氣至腔室510的外部。排氣導管544係從腔室510的外部連接至排氣導管用排氣口543。藉由供氣風扇541取 入至腔室510的內部之空氣係通過排氣導管用排氣口543朝排氣導管544排氣。因此，排氣導管用排氣口543係與供氣風扇541一起配置，藉此於腔室510的內部形成沿著+X軸方向的空氣的流動。亦可於排氣導管用排氣口543設置有排氣風扇548。
過濾器542係例如於前面壁514設置有一個或複數個。例如，過濾器542係在前面壁514中的Y軸方向中於排氣導管用排氣口543的兩側各設置一個，亦即以夾著排氣導管用排氣口543之方式設置合計共兩個。因此，於Y軸方向分離配置的過濾器542之間配置有排氣導管用排氣口543。此外，過濾器542的配置個數以及配置場所亦可適當地變更，例如亦可藉由後面壁514的形狀等變更設置於後面壁514之過濾器542的數量。
從Y軸方向觀看，後面壁515及後面壁516係成為例如長邊沿著X軸方向且短邊沿著Z軸方向之長方形的平板狀。後面壁515係配置於側面壁516的-Y軸方向側。於側面壁515形成有能使工件10進出之工件出入口515a。工件出入口515a係在雷射照射時被密閉。
從上方觀看，頂面壁512係成為例如長邊沿著X軸方向且短邊沿著Y軸方向之長方形的平板狀。於頂面壁512設置有開口部545。開口部545係連繫至集塵單元60的光路空間 70。將光學系統20配置於頂面壁512上時，從開口部545對集塵單元60的內部射入雷射光16(參照圖11)。藉此，雷射光16係通過光路空間70照射工件10。
<腔室的內部的構件>
於腔室510的內部配置有台21以及集塵單元60。台21係配置於已配置在底面壁511上的掃描裝置551上。將工件10配置於台21上。已配置於台21之工件10係配置於掃描裝置551上，藉此可於X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向移動。
圖23係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中工件10在腔室510的內部中移動之圖。如圖23所示，已配置於台21上之工件10係例如從工件出入口515a的附近沿著成為搬運方向之X軸移動。此時，工件10被雷射照射。亦將一邊使工件10於搬運方向移動一邊進行雷射照射之情形稱為掃描。工件10在經過一次掃描後，亦可挪移至+Y軸方向並返回至掃描開始位置並再次進行掃描。
如圖20至圖22所示，集塵單元60係例如配置於頂面壁512的下方。以集塵單元60的光路空間70配置於頂面壁512的開口部545的正下方之方式配置集塵單元60。於集塵單元60設置有供氣埠85。例如，供氣埠85係設置於集塵單元60的-Y軸方向側。於供氣埠85連接有供氣配管521。供氣配 管521從供氣埠85朝-Y軸方向延伸並彎曲，並朝+X軸方向延伸。供氣配管521係於+X軸方向延伸達至後面壁514的正前方，並於下方彎曲達至後面壁514的正前方。並且，供氣配管521係在後面壁514的下部朝腔室510的外部穿出。供氣配管521係在腔室510的外部連接至已配置於腔室510的下方之集塵單元用供氣排氣風扇520。
於集塵單元60設置有排氣埠77a及排氣埠77b。例如，排氣埠77a及排氣埠77b係於集塵單元60的+X軸方向側設置兩個。於排氣埠77a及排氣埠77b連接有排氣配管522a以及排氣配管522b。排氣配管522a及排氣配管522b係分別從排氣埠77a及排氣埠77b朝+X軸方向延伸，並在後面壁514的正前方合體，並從後面壁514朝腔室510的外部穿出。排氣配管77係在腔室510的外部連接至集塵單元用供氣排氣風扇520。
集塵單元用供氣排氣風扇520係配置於腔室510的下方。於集塵單元用供氣排氣風扇520連接有供氣配管521。集塵單元用供氣排氣風扇520係經由供氣配管521將氣體從集塵單元60的供氣空間71及供氣空間72供氣至光路空間70。此外，於集塵單元用供氣排氣風扇520連接有排氣配管522。集塵單元用供氣排氣風扇520係經由排氣配管522將集塵單元60的排氣空間73及排氣空間74予以排氣。藉此，將集塵單元60所吸引的氣體朝腔室510的外部排氣。例如，集塵單 元用供氣排氣風扇520係供氣及排氣500L/min至1500L/min的流量的空氣。
<腔室的內部的空氣的流動>
接著，說明腔室510的內部的空氣的流動。
表1係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中有無前面壁513與後面壁中的過濾器542以及空氣到達至腔室510的內部的前面壁513側與台21上之間的關係之表。
圖24A及圖24B係例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中於腔室510的前面壁513設置有供氣風扇541且於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543之情形的腔室510的內部的空氣的流動之圖，圖24A係顯示立體圖，圖24B係顯示俯視圖。
表1中的A欄係顯示圖24A及圖24B所示的腔室510的情形。如表1、圖24A及圖24B所示，於腔室510的前面壁 513設置供氣風扇541且於後面壁514設置排氣導管用排氣口543之情形中，從供氣風扇541取入至腔室510的內部之空氣係朝+X軸方向流動，且在接近至後面壁514時朝Y軸方向及Z軸方向擴展。
另一方面，於腔室510的內部中的前面壁513側存在有空氣未到達的部分。例如，空氣未到達至前面壁513側的+Y軸方向側及-Y軸方向側的端部546。尤其是取入至腔室510的內部後的時間點新鮮(fresh)的空氣不會到達。如此，當於腔室510的內部存在空氣未到達的部分時，微粒等堆積並吹捲積留，無法將腔室510的內部保持潔淨。新鮮的空氣到達至台21的到達時間為10秒。
圖25A及圖25B係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中於腔室510的前面壁513設置有供氣風扇541並於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543以及過濾器542之情形的腔室510的內部的空氣的流動之圖，圖25A係顯示立體圖，圖25B係顯示俯視圖。
表1中的B欄係顯示圖24A及圖24B所示的腔室510的情形。如表1、圖25A及圖25B所示，於腔室510的前面壁513設置有供氣風扇541且於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543及過濾器542之情形中，從供氣風扇541取入至腔室510的內部之空氣係朝+X軸方向流動，且在接近至後 面壁514時朝Y軸方向及Z軸方向擴展。
此外，空氣亦到達至腔室510的內部中的前面壁513側。例如，空氣雖未達至後面壁514的程度但到達至前面壁513側的+Y軸方向側及-Y軸方向側的端部546。因此，能將腔室510的內部保持潔淨。新鮮的空氣到達至台21的到達時間為50秒。
圖26A及圖26B係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中於腔室510的前面壁513設置有供氣風扇541及過濾器542且於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543以及過濾器542之情形的腔室510的內部的空氣的流動之圖，圖26A係顯示立體圖，圖26B係顯示俯視圖。
表1中的C欄係顯示圖26A及圖26B所示的腔室510的情形。如表1、圖26A及圖26B所示，於腔室510的前面壁513設置有供氣風扇541及過濾器542且於後面壁514設置有排氣導管用排氣口543及過濾器542之情形中，從供氣風扇541取入至腔室510的內部之空氣係朝+X軸方向流動，且在接近至後面壁514時朝Y軸方向及Z軸方向擴展。
此外，空氣亦到達至腔室510的內部中的前面壁513側。例如，比圖25A及圖25B的情形時還多的空氣到達至前面壁513側的+Y軸方向側及-Y軸方向側的端部546。因此，能 將腔室510的內部保持的非常潔淨。新鮮的空氣到達至台21的到達時間為36秒。因此，新鮮的空氣係比圖25A及圖25B的情形還快到達至台21。
如此，在本實施形態中，於腔室510的內部的空間形成層流，藉此能抑制從腔室510的內部產生的粉塵到達至雷射光16的照射區域。此外，於後面壁514設置過濾器542，藉此能作成不會於腔室510的內部的前面壁513側形成吹捲積留。再者，亦於前面壁513設置過濾器542，藉此能作成不會於腔室510的內部的前面壁513側形成吹捲積留，並能縮短新鮮的空氣朝向台21的到達時間。因此，能吹離存在於工件10的表面的粉塵，並能從基板均勻地分離剝離層。
過濾器542係使空氣通過。過濾器542係可使空氣從腔室510的外部朝內部通過，亦可使空氣從腔室510的內部朝外部通過。例如，當腔室510的內部中的過濾器542的附近減壓時，過濾器542係使空氣從腔室510的外部朝內部通過。相反的，當腔室510的內部中的過濾器542附近的空氣的壓力增加時，過濾器542係使空氣從腔室510的內部朝外部通過。如此，過濾器542係取得腔室510的內部的壓力與腔室510的外部的壓力之間的平衡。在腔室510的外部為大氣壓的情形中，過濾器542係取得腔室510的內部的壓力與腔室510的外部的大氣壓之間的平衡。
圖27係用以例示腔室510的內部的壓力變得比外部的壓力還大時之腔室510的剖視圖。如圖27所示，當腔室510的內部的壓力變得比腔室510的外部的壓力還大時，腔室510的腔室壁係朝外側膨脹。如此，例如配置有掃描裝置551的底面之底面壁511的中央部係朝下方凹陷。藉此，經由集塵單元60對工件10照射雷射光16時，雷射光16的焦點不會進行散焦(defocusing)547。因此，雷射光16變得無法在工件10上對準焦點。反之，在腔室510的內部經過減壓時，雷射光16的焦點亦藉由腔室壁的變形而進行散焦547。
相對於此，在本實施形態中，於腔室510設置有過濾器542。當腔室510的內部的壓力變高時，過濾器542係使腔室510的內部的空氣通過至外部。當腔室510的內部的壓力變低時，使腔室510的外部的空氣通過內部。如此，過濾器542係能取得與腔室510的外部的壓力之間的平衡。
在如本實施形態般的雷射剝離裝置500中，對腔室510供氣的供氣量係變成500L/min至1500L/min。相較於能作為類似的裝置而例舉的準分子雷射退火裝置(ELA；Excimer Laser Annealing)中的流量為50cc/min至5L/min之情形，成為大的流量。在本實施形態中，由於設置過濾器542，因此即使供氣大的流量的空氣亦能防止內部的壓力變高，而能維持雷射剝離裝置500的性能。
<集塵單元的供氣排氣量>
接著，說明朝向集塵單元60的供氣量以及來自集塵單元60的排氣量。圖28係用以例示在實施形態5的雷射剝離裝置500中之排氣量相對於供氣量之比以及排氣配管522內的微粒濃度之圖表。微粒濃度係用以顯示粒徑為0.3μm至1.0μm(於圖表中以圓形標示顯示)的微粒(以下稱為小微粒)濃度、粒徑為1.0μm至10μm(圖表中以方形標示顯示)的微粒(以下稱為中微粒)濃度以及粒徑為10μm以上(圖表中以三角形標示顯示)的微粒(以下稱為大微粒)濃度。
微粒濃度係在雷射照射時以微粒計數器於一定間隔測量排氣配管522a及排氣配管522b內的各個微粒之濃度。微粒濃度愈大表示取入至排氣配管522a及排氣配管522b內之微粒愈多，因此表示殘存於工件10上之微粒濃度小。
如圖28所示，在集塵單元60中之排氣量相對於供氣量之比例之排氣量/供氣量之比為1.4之情形中，排氣配管722a及排氣配管772b內的小微粒的濃度係顯示100000個/ft3左右，中微粒的濃度係顯示7000個/ft3左右，大微粒的濃度係顯示30個/ft3至100個/ft3左右。在排氣量/供氣量之比為1.8之情形，排氣配管722a及排氣配管722b內的小微粒的濃度係顯示100000個/ft3左右，中微粒的濃度係顯示7000個/ft3左右，大微粒的濃度係顯示100個/ft3左右。如此，在排氣量/供氣量之比為1.4至1.8中，排氣配管722a及排氣 配管722b內的微粒濃度幾乎不會變化。
另一方面，在集塵單元60的排氣量/供氣量之比為3.0之情形中，排氣配管722a及排氣配管722b內的小微粒的濃度係顯示300000個/ft3左右，中微粒的濃度係顯示20000個/ft3左右，大微粒的濃度係顯示100個/ft3左右。如此，在排氣量/供氣量之比為3.0之情形中，排氣配管722a及排氣配管722b內的微粒濃度係增加。此表示能藉由將排氣量/供氣量之比設定成三倍以上而將排氣空間73、74中的壓力設定的更低，且流入的粉塵的量會與氣體一起變大。
如此，藉由將從排出空間所排出的氣體的排出量相對於供給至光路空間的氣體的供氣量之比例設定成3以上，能抑制粉塵跑出集塵單元60的外部，而能將剝離層從基板均勻地分離。此外，雖然未圖示，在排氣量/供氣量之比大於3之情形中，微粒數量係變成與3相同程度或者大於3。
<集塵單元的供氣排氣量及腔室的空氣的流動與微粒之間的關係>
在本實施形態中，腔室510的內部的空氣的流動與集塵單元60中的供氣及排氣的路徑係不同的路徑。在本實施形態中，以供氣風扇541及過濾器542(FFU)控制腔室510的內部的空氣的流動，並以集塵單元用供氣排氣風扇520控制集塵單元60中的供氣量及排氣量。
圖29係例示實施形態5的FFU的動作及集塵單元60中的排氣量/供氣量之比與微粒濃度的關係之圖表。微粒濃度係以微粒計數器測量導管收集器(duct collector)附近的微粒濃度之值。
如圖29所示，在使腔室510中的FFU動作並將集塵單元60中的排氣量/供氣量之比設定成3：1之情形中(以下稱為ON(開啟)/ON狀態)，大微粒的濃度係測量界限以下，中微粒的濃度係顯示40個/ft3左右，小微粒的濃度係顯示100個/ft3左右。在使腔室510中的FFU動作且不對集塵單元60供氣亦不使集塵單元60排氣之情形中(以下稱為ON/OFF(關閉)狀態)，大微粒的濃度係測量界限以下，中微粒的濃度係顯示70個/ft3左右，小微粒的濃度係顯示300個/ft3左右。在使腔室510中的FFU停止且將集塵單元60中的排氣量/供氣量之比設定成3：1之情形中(以下稱為OFF/ON狀態)，大微粒的濃度係測量界限以下，中微粒的濃度係顯示400個/ft3左右，小微粒的濃度係顯示2000個/ft3左右。
如此，藉由設定成ON/ON狀態，能抑制微粒。相對於此，當設定成OFF/ON狀態時，微粒濃度係變得相當得大。此外，雖然即使在ON/OFF狀態亦能比OFF/ON狀態還抑制微粒濃度，然而與ON/ON狀態相比微粒濃度係變大。
<腔室及集塵單元的控制>
接著，說明腔室510的FFU的動作以及集塵單元60的供氣及排氣的控制。圖30係例示實施形態5的FFU的動作以及集塵單元60的供氣及排氣的控制方法之方塊圖。
如圖30所示，本實施形態的雷射剝離裝置500係具備有控制器552，該控制器552係用以控制FFU的動作以及集塵單元60的供氣及排氣。控制器552係藉由訊號線或者無線等資訊傳達手段而與供氣風扇541、排氣風扇548、工件出入口515b、光學系統20以及集塵單元用供氣排氣風扇520連接。此外，作成將排氣風扇548設置於排氣導管用排氣口543。
控制器552係用以控制供氣風扇541的動作與停止以及空氣517的供氣量。控制器552係用以控制排氣風扇548的動作與停止以及空氣517的排氣量。控制器552係用以控制集塵單元用供氣排氣風扇520的動作與停止以及空氣517的供氣排氣量。
此外，控制器552係從工件出入口515b取得關於工件10的進出之資訊。控制器552係從光學系統20取得雷射照射的資訊。
表2係例示實施形態5的雷射剝離裝置500的控制器552的控制之圖。如圖30及表2所示，控制器552係在從工件出 入口515b取得關於工件10的進出的資訊之情形中，使集塵單元用供氣排氣風扇520停止，並使腔室510的供氣風扇541停止。此外，控制器552係使腔室510的排氣風扇548的旋轉數降低，並使排氣風扇548的排氣量降低。
此外，控制器552係在從光學系統20取得雷射光16的照射的資訊之情形中，使集塵單元用供氣排氣風扇520動作，並使腔室510的供氣風扇541及排氣風扇548動作。
再者，控制器552係在使工件進出及雷射光16的照射之外之例如空轉(idling)時等使集塵單元用供氣排氣風扇520的旋轉數降低，使腔室510的供氣風扇541及排氣風扇548的旋轉數降低，並使空氣517的供氣量及排氣量降低。
如此，控制器552係依據工件10對於腔室510的進出及雷射光16的照射來控制供氣風扇541所為之供氣氣體的供給 量以及集塵單元用供氣排氣風扇520的供氣量及排出量。
接著，說明本實施形態5的雷射剝離裝置500的動作。
如圖22所示，將工件10配置於已配置在腔室510的內部之台21上。例如，將工件10插入至比設置於側面壁515之工件出入口515a還靠近腔室510的內部，並配置於台21上。
接著，使設置於腔室510的前面壁513之供氣風扇541動作。藉此，於腔室510內形成有朝向+X軸方向之空氣的流動。此外，使集塵單元用排氣風扇520動作。藉由控制器552控制供氣風扇541及集塵單元用供氣排氣風扇520。
接著，掃描台21上的工件10，對工件10照射雷射光。如此，藉由雷射剝離裝置500將剝離層從工件10的基板剝離。
接著，說明本實施形態的功效。
依據本實施形態，藉由於腔室510的內部的空間形成層流，能抑制從腔室510的內部所產生的粉塵到達雷射光16的照射區域。尤其是，能從工件10附近去除配置於腔室510的內部之台21的行駛軌道、已組入至軌道之軸承(bearing)、線纜(cable)、用以支撐線纜之線纜托鍊(cable bear)(註冊商標)、配線配管等所產生的粉塵。
此外，於腔室510設置過濾器542，藉此能作成不會於腔室510的內部的前面壁513側形成吹捲積留。此外，能縮短新鮮的空氣朝向台21的到達時間。因此，能吹離存在於工件10的表面的粉塵，並能將剝離層從基板均勻地分離。再者，藉由設置過濾器542，能取得與腔室510的外部的壓力之間的平衡，並能抑制腔室510的變形導致雷射光16的散焦。
將朝向集塵單元60的排氣量設定成比供氣量還大，並將排氣空間73、74設定成負壓，藉此即使粉塵於集塵單元60的內部浮游，亦能抑制粉塵跑出集塵單元60的外部。再者，將排氣量相對於供氣量的比例設定成3以上，能顯著地展現該功效。
將工件10配置於腔室510的內部，藉此不會將工件10暴露於外氣，因此能將工件10的表面保持潔淨。由於其他功效與實施形態1至實施形態4同樣，因此省略說明。
<實施形態6>
(降流的腔室裝備)
接著，說明實施形態6。首先，說明實施形態6的雷射剝離裝置。圖31係用以說明實施形態6的雷射剝離裝置之立體圖。
如圖31所示，與實施形態5所說明的雷射剝離裝置500的腔室510相比，差異點在於本實施形態6的雷射剝離裝置600的腔室610中的供氣風扇641、排氣風扇648以及過濾器642的設置位置不同。在本實施形態中，亦作成於腔室610的內部設置有集塵單元60，並導入適用於集塵單元60的XYZ正交座標系統。因此，工件10的搬運方向係成為X軸方向。
<腔室的構成>
腔室610係例如外形為長方體狀，並於被腔室壁圍繞的內部具有空間。腔室610係例如X軸方向、Y軸方向以及Z軸方向的長度變成5.5m左右、4.5m左右以及2m左右。此外，實施形態5的腔室510係變成例如比腔室610還小。腔室610係從下方被複數個支柱632支撐。
腔室610係藉由底面壁611、頂面壁612、前面壁613、後面壁614、側面壁615以及側面壁616(前面壁613、後面壁614、側面壁615以及側面壁616係參照圖33)構成為例如長方體狀。圖中，省略前面壁613、後面壁614、側面壁615以及側面壁616。底面壁611以及上面壁612係於Z軸方向亦即上下方向相對向。前面壁613以及後面壁614係於X軸方向亦即工件10的搬運方向相對向，側面壁615以及側面壁616係於Y軸方向相對向。此外，腔室610的形狀並未限定於長方體狀。
從上方觀看，頂面壁612係例如長邊沿著X軸方向且短邊沿著Y軸方向之長方形的平板狀。頂面壁612係配置於底面壁611的+Z軸方向側，並與底面壁611相對向。因此，當將頂面壁612作為一方的壁，底面壁611係成為與一方的壁相對向之另一方的壁。頂面壁612及底面壁611係於X軸方向及Y軸方向成為平行。
於頂面壁612設置有複數個供氣風扇641及複數個過濾器642。因此，頂面壁612係構成組入有供氣風扇641及過濾器642之FFU。
在此，說明頂面壁612中的複數個供氣風扇641及複數個過濾器642的配置之位置。圖32A及圖32B係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置600中工件10在腔室610的內部移動之圖，圖32A係投影至頂面壁612之圖，圖32B係投影至底面壁611之圖。
如圖32A所示，在從上方透視之方式觀看頂面壁612時，藉由工件10的搬運，工件10可動之可動區域649係與頂面壁612的中央部重疊。然而，頂面壁612的邊緣部並未與可動區域649重疊。例如，頂面壁612中的X軸方向的兩端部的邊緣部612a與邊緣部612b以及Y軸方向的兩端部的邊緣部612c與邊緣部612d並未與可動區域649重疊。因此，使供氣風扇641配置於頂面壁612中的Y軸方向的兩端側的邊 緣部612c及邊緣部612d。例如，以沿著X軸方向排列於邊緣部612c之方式配置兩個供氣風扇641，並以沿著X軸方向排列於邊緣部612d之方式配置兩個供氣風扇641。
供氣風扇641係從腔室610的外部將氣體供氣至腔室610的內部。與實施形態5同樣地，在以下的說明中，將取入至腔室610的內部的氣體設定成空氣來說明。供氣風扇641係將已取入至腔室610的內部的氣體朝-Z軸方向送風。
過濾器642係例如於頂面壁612設置複數個。例如，過濾器642係以在邊緣部612c中夾著複數個供氣風扇641之方式設置於頂面壁612的角部。此外，過濾器642係以在邊緣部612d中夾著複數個供氣風扇641之方式設置於頂面壁612的角部。因此，在邊緣部612c及邊緣部612d中之於X軸方向分離配置的過濾器642之間配置有供氣風扇641。
如圖31所示，於頂面壁612設置有開口部645。開口部645係連繫至集塵單元60的光路空間70。開口部645係朝Y軸方向延伸。在已將光學系統20配置於頂面壁612上時，將雷射光16從開口部645射入至集塵單元60的內部(參照圖11)。藉此，雷射光16係通過光路空間70照射工件10。
如圖31所示，從上方觀看，底面壁611係例如成為長邊沿著X軸方向且短邊沿著Y軸方向之長方形的平板狀。底面 壁611係配置於頂面壁612的-Z軸方向側，且與頂面壁612相對向。於底面壁611設置有複數個排氣風扇648。
如圖31及圖32B所示，在從上方透視之方式觀看底面壁611時，可動區域649係與底面壁611的中央部重疊。然而，底面壁611的邊緣部並未與可動區域649重疊。例如，底面壁611中的X軸方向的兩端部的邊緣部611a及邊緣部611b以及Y軸方向的兩端部的邊緣部611c及邊緣部611d係未與可動區域649重疊。因此，使複數個排氣風扇648配置於底面壁611中的X軸方向的兩端側的邊緣部611a及邊緣部611b。例如，以沿著Y軸方向排列於邊緣部611a之方式配置四個排氣風扇648，並以沿著Y軸方向排列於邊緣部611b之方式配置四個排氣風扇648。排氣風扇648係從腔室610的內部將空氣朝-Z軸方向排氣至腔室610的外部。
<腔室的內部的空氣的流動>
接著，說明腔室610的內部的空氣的流動。
圖33係用以例示在實施形態6的雷射剝離裝置600中的腔室610的內部的空氣的流動之圖。如圖33所示，在腔室610的內部中形成有從頂面壁612朝向底面壁611之降流。尤其是，於腔室610的內部中的Y軸方向的兩端部形成有降流。粉塵等微粒基本上係堆積於底面壁611上。因此，藉由形成降流，能抑制堆積於底面壁611上的微粒上捲至台21上。
藉由於腔室610的頂面壁612的全面設置供氣風扇641且於底面壁611的全面設置排氣風扇648，或許能將腔室610的內部作成完全的降流。然而，由於在腔室610的內部配置有台21及掃瞄裝置等構件，因此無法將腔室610內作成完全的降流。因此，在本實施形態中，即使於腔室610的內部配置有阻礙降流的構件，亦能於抑制粉塵的影響之位置配置供氣風扇641、過濾器642以及排氣風扇648。藉由作成如圖33所示的配置，能於腔室610的內部形成降流，且能抑制粉塵到達雷射光16的照射區域。
圖34A及圖34B係用以顯示在實施形態6的雷射剝離裝置600中的腔室610的空氣的流動之圖，圖34A係用以顯示將供氣量設定成比排氣量還大之情形，圖34B係用以顯示將供氣量設定成比排氣量還小之情形。
如圖34A及圖34B所示，藉由將腔室610的內部設定成降流，能使空氣到達腔室610的內部的全域。尤其是，如圖34A所示，與將供氣量設定成比排氣量還小且將腔室610的內部設定成負壓之情形相比，藉由將供氣量設定成比排氣量還大且將腔室610的內部設定成正壓，能使空氣遍及腔室610的內部。
依據本實施形態，藉由於腔室610的內部的空間形成降 流，能抑制從腔室610的內部產生的粉塵到達雷射光16的照射區域。
此外，藉由降流，空氣到達腔室610的內部的各個部位。因此，能抑制於腔室610的內部產生吹捲積留。由於其他的動作及功效與實施形態1至實施形態5同樣，因此省略說明。
以上雖然已依據實施形態具體地說明本發明人們所完成的發明，但本發明並未限定於前述實施形態，只要在未逸離本發明的精神範圍內自然可進行各種變化。
本申請案係主張以2016年8月4日所申請之日本出願特願2016-153341號以及2016年12月20日所申請之日本出願特願2016-246571號作為基礎之優先權，並將所有的揭示內容援用於此。
1‧‧‧雷射剝離裝置
10‧‧‧工件
11‧‧‧基板
12‧‧‧剝離層
16‧‧‧雷射光
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧台
22‧‧‧噴射單元
23‧‧‧集塵單元
31‧‧‧本體部
32‧‧‧噴嘴
33‧‧‧供氣用配管
35‧‧‧氣體
41‧‧‧側壁
42‧‧‧頂板
44、45‧‧‧板狀構件
46‧‧‧排氣用配管
48‧‧‧蓋體
51‧‧‧上部開口部
52‧‧‧開口部

Claims (38)

  1. 一種雷射剝離裝置，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離裝置係具備有：噴射單元，係將氣體噴吹至前述工件上；以及集塵單元，係於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，並從前述開口部吸引並集塵粉塵。
  2. 如請求項1所記載之雷射剝離裝置，其中前述噴射單元係將氣體噴吹至前述工件上並將存在於前述工件的表面的粉塵吹離；前述集塵單元係從前述開口部吸引並集塵被吹離的前述粉塵。
  3. 如請求項1所記載之雷射剝離裝置，其中前述噴射單元係相對於前述集塵單元配置於前述工件的搬運方向下游側，並將前述氣體噴吹至與前述工件的搬運方向的相反方向，於前述工件的表面形成與前述工件的搬運方向相反方向的層流。
  4. 如請求項3所記載之雷射剝離裝置，其中前述噴射單元的噴嘴係以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置；前述集塵單元的前述開口部係以於前述第一方向延伸之方式配置。
  5. 如請求項4所記載之雷射剝離裝置，其中前述開口部係使用第一板狀構件與第二板狀構件所形成，前述第一板狀構件係於設置於前述開口部的前述搬運方向上游側之前述第一方向延伸，前述第二板狀構件係於設置於前述開口部的前述搬運方向下游側之前述第一方向延伸；前述第一板狀構件及前述第二板狀構件係以前述第二板狀構件與前述工件之間的間隙變得比前述第一板狀構件與前述工件之間的間隙還寬之方式配置。
  6. 如請求項5所記載之雷射剝離裝置，其中前述第一板狀構件的前述開口部中的剖面形狀係包含有與前述第一板狀構件的下表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀；前述第二板狀構件的前述開口部中的剖面形狀係包含有與前述第二板狀構件的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀。
  7. 如請求項4所記載之雷射剝離裝置，其中前述開口部的前述第一方向中的長度係比前述噴嘴的前述第一方向中的長度還長。
  8. 一種雷射剝離裝置，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離裝置係具備有： 光路空間，係於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，用以使前述雷射光通過；以及集塵單元，係具備有配置於前述光路空間的外側之排氣空間；前述光路空間係使用側壁以及蓋體所構成，前述側壁係配置於前述開口部的周圍，前述蓋體係以覆蓋前述側壁的上部之方式配置且用以使前述雷射光穿透；於前述側壁形成有用以將氣體供給至前述光路空間之供氣孔；從前述供氣孔供給至前述光路空間之氣體係沿著前述側壁流動至前述工件側後，通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間。
  9. 如請求項8所記載之雷射剝離裝置，其中前述開口部係以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置；前述側壁係具備有：第一板狀構件，係配置於前述工件的搬運方向上游側；以及第二板狀構件，係配置於前述工件的搬運方向下游側。
  10. 如請求項9所記載之雷射剝離裝置，其中前述排氣空間係具備有： 第一排氣空間，係相對於前述光路空間配置於前述搬運方向上游側；以及第二排氣空間，係相對於前述光路空間配置於前述搬運方向下游側；從形成於前述第一板狀構件的供氣孔供給至前述光路空間之氣體係沿著前述第一板狀構件的表面流動至前述工件側後，通過前述第一板狀構件的下端與前述第一工件之間流動至前述第一排氣空間；從形成於前述第二板狀構件的供氣孔供給至前述光路空間之氣體係沿著前述第二板狀構件的表面流動至前述工件側後，通過前述第二板狀構件的下端與前述工件之間流動至前述第二排氣空間。
  11. 如請求項10所記載之雷射剝離裝置，其中前述第一排氣空間係被前述第一板狀構件以及相對於前述第一板狀構件配置於前述搬運方向上游側之第三板狀構件夾持的空間；氣體係從前述集塵單元的外側通過前述第三板狀構件的下端與前述工件之間進一步流入至前述第一排氣空間；前述第二排氣空間係被前述第二板狀構件以及相對於前述第二板狀構件配置於前述搬運方向下游側之第四板狀構件夾持的空間； 氣體係從前述集塵單元的外側通過前述第四板狀構件的下端與前述工件之間進一步流入至前述第二排氣空間。
  12. 如請求項10或11所記載之雷射剝離裝置，其中於前述第一排氣空間的下部形成有第一吸氣口，前述第一吸氣口係以前述工件的表面與前述第一排氣空間之間的流路變窄之方式配置；於前述第二排氣空間的下部形成有第二吸氣口，前述第二吸氣口係以前述工件的表面與前述第二排氣空間之間的流路變窄之方式配置。
  13. 如請求項12所記載之雷射剝離裝置，其中於前述第一吸氣口的前述搬運方向下游側配置有於前述第一方向延伸之第一底板構件，於前述第一吸氣口的前述搬運方向上游側配置有於前述第一方向延伸之第二底板構件；前述第一底板構件的前述第一吸氣口中的剖面形狀係包含有與前述第一底板構件的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀；於前述第二吸氣口的前述搬運方向上游側配置有於前述第一方向延伸之第三底板構件，於前述第二吸氣口的前述搬運方向下游側配置有於前述第一方向延伸之第四底板構件； 前述第三底板構件的前述第二吸氣口中的剖面形狀係包含有與前述第三底板構件的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀。
  14. 如請求項13所記載之雷射剝離裝置，其中前述第二底板構件的前述第一吸氣口中的剖面形狀係包含有與前述第二底板構件的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀；前述第四底板構件的前述第二吸氣口中的剖面形狀係包含有與前述第四底板構件的上表面所呈之角度成為銳角般的傾斜面之形狀。
  15. 如請求項10或11所記載之雷射剝離裝置，其中前述集塵單元係進一步具有：供氣空間，係配置於前述光路空間的外側，並經由前述供氣孔將氣體供給至前述光路空間。
  16. 如請求項15所記載之雷射剝離裝置，其中前述供氣空間係具備有：第一供氣空間，係相對於前述光路空間配置於前述搬運方向上游側且配置於前述第一排氣空間的上部；以及第二供氣空間，係相對於前述光路空間配置於前述搬運方向下游側，且配置於前述第二排氣空間的上部。
  17. 如請求項10或11所記載之雷射剝離裝置，其中於前述供氣孔連接有配管，並經由前述配管及前述供氣孔將氣體供給至前述光路空間。
  18. 一種雷射剝離裝置，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離裝置係具備有：集塵單元，係具備有：光路空間，係於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，用以使前述雷射光通過；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部；前述光路空間係使用側壁以及蓋體所構成，前述側壁係配置於前述開口部的周圍，前述蓋體係以覆蓋前述側壁的上部之方式配置且用以使前述雷射光穿透；於前述側壁形成有用以將氣體供給至前述光路空間之供氣孔；從前述供氣孔供給至前述光路空間之氣體係沿著前述側壁流動至前述工件側後，通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間；前述開口部係以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置； 前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述搬運方向正交；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向正交；前述腔室係具備有：供氣風扇，係設置於前述一方的壁，用以將從前述腔室的外部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部；複數個過濾器，係設置於前述一方的壁，並在前述第一方向中以夾著前述供氣風扇之方式設置；以及排氣口，係設置於前述另一方的壁，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部。
  19. 一種雷射剝離裝置，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離裝置係具備有：集塵單元，係具備有：光路空間，係於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，用以使前述雷射光通過；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部； 前述光路空間係使用側壁以及蓋體所構成，前述側壁係配置於前述開口部的周圍，前述蓋體係以覆蓋前述側壁的上部之方式配置且用以使前述雷射光穿透；於前述側壁形成有用以將氣體供給至前述光路空間之供氣孔；從前述供氣孔供給至前述光路空間之氣體係沿著前述側壁流動至前述工件側後，通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間；前述開口部係以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置；前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述搬運方向及前述第一方向平行；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向及前述第一方向平行；前述腔室係具備有：複數個供氣風扇，係以沿著前述搬運方向排列於第一方向邊緣部之方式設置，用以將從前述腔室的外部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部，前述第一方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述一方的壁時不會與可動區域重疊之前述一方的壁中的前述第一方向的兩端側的邊緣部，前述可動區域係前述工件藉由前述工件的搬運而可動之區域； 複數個過濾器，係在前述第一方向邊緣部中以夾著前述複數個供氣風扇之方式設置於前述一方的壁的角部；以及複數個排氣口，係以沿著前述第一方向排列於搬運方向邊緣部之方式設置，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部，前述搬運方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述另一方的壁時不會與前述可動區域重疊之前述另一方的壁中的前述搬運方向的兩端側的邊緣部。
  20. 如請求項18或19所記載之雷射剝離裝置，其中進一步具備有：集塵單元用供氣排氣風扇，係將前述氣體供氣至前述集塵單元，並將前述集塵單元所吸引的前述氣體從前述集塵單元予以排氣；前述集塵單元用供氣排氣風扇係配置於前述腔室的下方。
  21. 如請求項20所記載之雷射剝離裝置，其中進一步具備有：控制器，係依據前述工件相對於前述腔室之出入以及前述雷射光的照射來控制前述供氣風扇所為之前述供氣氣體的供氣量以及前述集塵單元用供氣排氣風扇的供氣量與排氣量。
  22. 如請求項18或19所記載之雷射剝離裝置，其中從前述排氣空間排氣之前述氣體的排氣量相對於供給至前述光路空間之前述氣體的供氣量之比例為3以上。
  23. 一種雷射剝離方法，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，將氣體噴吹至前述工件上，吸引被噴吹的前述氣體並集塵粉塵。
  24. 如請求項23所記載之雷射剝離方法，其中在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從配置於前述工件的搬運方向下游側之噴射單元將氣體噴吹至前述工件上並將存在於前述工件的表面之粉塵吹離；使用配置於前述工件的搬運方向上游側之集塵單元吸引並集塵從配置於與前述雷射光的照射位置對應的位置之開口部吹離的前述粉塵。
  25. 如請求項23所記載之雷射剝離方法，其中在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，使用具備有光路空間及排氣空間之集塵單元集塵從形成於側壁之供氣孔將氣體供給至前述光路空間且使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側並通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵；前述光路空間係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有前述側壁； 前述排氣空間係配置於前述光路空間的外側。
  26. 一種雷射剝離方法，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離方法係使用：集塵單元，係具備有：光路空間，係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有側壁；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部；將前述開口部以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置；前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述工件的搬運方向正交；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向正交；前述腔室係具備有：供氣風扇，係設置於前述一方的壁，用以將從前述腔室的外部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部； 複數個過濾器，係設置於前述一方的壁，並在前述第一方向中以夾著前述供氣風扇之方式設置；以及排氣口，係設置於前述另一方的壁，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從形成於前述側壁的供氣孔將氣體供給至前述光路空間，使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側，將氣體噴吹至前述工件上，並吸引被噴吹的前述氣體，將通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵予以集塵。
  27. 一種雷射剝離方法，係用以對具備有基板以及形成於前述基板上的剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離；前述雷射剝離方法係使用：集塵單元，係具備有：光路空間，係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有側壁；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部；將前述開口部以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置； 前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述搬運方向及前述第一方向平行；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向及前述第一方向平行；前述腔室係具備有：複數個供氣風扇，係以沿著前述搬運方向排列於第一方向邊緣部之方式設置，用以將從前述腔室的外部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部，前述第一方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述一方的壁時不會與可動區域重疊之前述一方的壁中的前述第一方向的兩端側的邊緣部，前述可動區域係前述工件藉由前述工件的搬運而可動之區域；複數個過濾器，係在前述第一方向邊緣部中以夾著前述複數個供氣風扇之方式設置於前述一方的壁的角部；以及複數個排氣風扇，係以沿著前述第一方向排列於搬運方向邊緣部之方式設置，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部，前述搬運方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述另一方的壁時不會與前述可動區域重疊之前述另一方的壁中的前述搬運方向的兩端側的邊緣部；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從形成於前述側壁的供氣孔將氣體供給 至前述光路空間，使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側，將氣體噴吹至前述工件上，並吸引被噴吹的前述氣體，將通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵予以集塵。
  28. 如請求項26或27所記載之雷射剝離方法，其中進一步包含有：集塵單元用供氣排氣風扇，係將前述氣體供氣至前述集塵單元，並將前述集塵單元所吸引的前述氣體從前述集塵單元予以排氣；前述集塵單元用供氣排氣風扇係配置於前述腔室的下方。
  29. 如請求項28所記載之雷射剝離方法，其中依據前述工件相對於前述腔室之出入以及前述雷射光的照射來控制前述供氣風扇所為之前述供氣氣體的供氣量以及前述集塵單元用供氣排氣風扇的供氣量與排氣量。
  30. 如請求項26或27所記載之雷射剝離方法，其中從前述排氣空間排氣之前述氣體的排氣量相對於供給至前述光路空間之前述氣體的供氣量之比例為3以上。
  31. 一種有機電致發光顯示器的製造方法，係包含有：(A)於基板上形成剝離層之步驟；(B)於前述剝離層上形成驅動元件及有機電致發光元件之步驟；(C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟；以及 (D)於前述剝離層形成膜之步驟；(C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟係對包含有前述基板與前述剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離之步驟；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，將氣體噴吹至前述工件上，吸引被噴吹的前述氣體並集塵粉塵。
  32. 如請求項31所記載之有機電致發光顯示器的製造方法，其中在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從配置於前述工件的搬運方向下游側之噴射單元將氣體噴吹至前述工件上並吹離存在於前述工件的表面之粉塵，並使用配置於前述工件的搬運方向上游側之集塵單元吸引並集塵從配置於與前述雷射光的照射位置對應的位置之開口部吹離的前述粉塵。
  33. 如請求項31所記載之有機電致發光顯示器的製造方法，其中在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，使用具備有光路空間及排氣空間之集塵單元集塵從形成於側壁之供氣孔將氣體供給至前述光路空間且使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側並通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵； 前述光路空間係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有前述側壁；前述排氣空間係配置於前述光路空間的外側。
  34. 一種有機電致發光顯示器的製造方法，係包含有：(A)於基板上形成剝離層之步驟；(B)於前述剝離層上形成驅動元件及有機電致發光元件之步驟；(C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟；以及(D)於前述剝離層形成膜之步驟；(C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟係對包含有前述基板與前述剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離之步驟；前述有機電致發光顯示器的製造方法係使用：集塵單元，係具備有：光路空間，係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有側壁；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部；將前述開口部以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置； 前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述工件的搬運方向正交；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向正交；前述腔室係具備有：供氣風扇，係設置於前述一方的壁，用以將從前述腔室的外部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部；複數個過濾器，係設置於前述一方的壁，並在前述第一方向中以夾著前述供氣風扇之方式設置；以及排氣口，係設置於前述另一方的壁，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從形成於前述側壁的供氣孔將氣體供給至前述光路空間，使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側，將氣體噴吹至前述工件上，並吸引被噴吹的前述氣體，將通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵予以集塵。
  35. 一種有機電致發光顯示器的製造方法，係包含有：(A)於基板上形成剝離層之步驟；(B)於前述剝離層上形成驅動元件及有機電致發光元件之步驟； (C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟；以及(D)於前述剝離層形成膜之步驟；(C)將前述基板與前述剝離層予以分離之步驟係對包含有前述基板與前述剝離層之工件照射雷射光並將前述剝離層從前述基板剝離之步驟；前述有機電致發光顯示器的製造方法係使用：集塵單元，係具備有：光路空間，係用以使前述雷射光通過，於與前述雷射光的照射位置對應之位置具有開口部，且於前述開口部的周圍配置有側壁；以及排氣空間，係配置於前述光路空間的外側；以及腔室，係於被腔室壁圍繞的內部具有空間，且前述工件及前述集塵單元配置於前述內部；將前述開口部以與前述工件的表面平行且於與前述工件的搬運方向垂直的第一方向延伸之方式配置；前述腔室壁係包含有：平板狀的一方的壁，係與前述搬運方向及前述第一方向平行；以及平板狀的另一方的壁，係與前述一方的壁相對向，並與前述搬運方向及前述第一方向平行；前述腔室係具備有：複數個供氣風扇，係以沿著前述搬運方向排列於第一方向邊緣部之方式設置，用以將從前述腔室的外 部供氣至前述內部之供氣氣體供氣至前述內部，前述第一方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述一方的壁時不會與可動區域重疊之前述一方的壁中的前述第一方向的兩端側的邊緣部，前述可動區域係前述工件藉由前述工件的搬運而可動之區域；複數個過濾器，係在前述第一方向邊緣部中以夾著前述複數個供氣風扇之方式設置於前述一方的壁的角部；以及複數個排氣風扇，係以沿著前述第一方向排列於搬運方向邊緣部之方式設置，用以將前述供氣氣體從前述內部排氣至前述外部，前述搬運方向邊緣部係從上方透視之方式觀看前述另一方的壁時不會與前述可動區域重疊之前述另一方的壁中的前述搬運方向的兩端側的邊緣部；在一邊對前述剝離層照射前述雷射光一邊搬運前述工件時，從形成於前述側壁的供氣孔將氣體供給至前述光路空間，使前述氣體沿著前述側壁流動至前述工件側，將氣體噴吹至前述工件上，並吸引被噴吹的前述氣體，將通過前述側壁的下端與前述工件之間流動至前述排氣空間而存在於前述工件的表面之粉塵予以集塵。
  36. 如請求項34或35所記載之有機電致發光顯示器的製造方法，其中進一步具備有：集塵單元用供氣排氣風 扇，係將前述氣體供氣至前述集塵單元，並將前述集塵單元所吸引的前述氣體從前述集塵單元予以排氣；前述集塵單元用供氣排氣風扇係配置於前述腔室的下方。
  37. 如請求項36所記載之有機電致發光顯示器的製造方法，其中依據前述工件相對於前述腔室之出入以及前述雷射光的照射來控制前述供氣風扇所為之前述供氣氣體的供氣量以及前述集塵單元用供氣排氣風扇的供氣量與排氣量。
  38. 如請求項34或35所記載之有機電致發光顯示器的製造方法，其中從前述排氣空間排氣之前述氣體的排氣量相對於供給至前述光路空間之前述氣體的供氣量之比例為3以上。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019195805A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Systems for laser assisted metallization of substrates
JP7224992B2 (ja) * 2019-03-27 2023-02-20 株式会社オーク製作所 集塵装置及びレーザ加工装置
CN111958102B (zh) * 2020-07-06 2022-10-28 北京华卓精科科技股份有限公司 一种运动式的激光加工环境控制腔室系统
US20220055148A1 (en) * 2020-08-19 2022-02-24 Transportation Ip Holdings, Llc Welding window device
CN114434026A (zh) * 2021-12-28 2022-05-06 青岛歌尔微电子研究院有限公司 激光切割集尘装置及方法
CN114406481B (zh) * 2022-01-24 2023-11-17 京东方科技集团股份有限公司 光线刻蚀装置和显示基板制备设备
WO2023243868A1 (ko) * 2022-06-14 2023-12-21 주식회사 엘지에너지솔루션 레이저 식각장치, 레이저 식각시스템, 레이저를 이용하여 식각된 전극 및 그 전극 제조방법
JP2024060867A (ja) * 2022-10-20 2024-05-07 Ｊｓｗアクティナシステム株式会社 レーザ照射システム、レーザ照射方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5220133A (en) 1975-08-01 1977-02-15 Sadao Sugimoto Under writing paper for parallel perspectives
DE2943107C2 (de) * 1979-10-25 1984-07-26 Robert 6600 Saarbrücken Langen Verfahren zum Entrosten
US5643472A (en) * 1988-07-08 1997-07-01 Cauldron Limited Partnership Selective removal of material by irradiation
US5981901A (en) * 1991-11-29 1999-11-09 La Rocca; Aldo Vittorio Method and device for gas shielding laser processed work pieces
US5359176A (en) * 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
US5662762A (en) * 1995-07-07 1997-09-02 Clover Industries, Inc. Laser-based system and method for stripping coatings from substrates
JP3044188B2 (ja) * 1996-02-15 2000-05-22 核燃料サイクル開発機構 レーザー除染法
JPH1128900A (ja) * 1997-05-12 1999-02-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ光を用いた塗装除去方法及びレーザ処理装置
JPH116086A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Japan Steel Works Ltd:The レーザ光を用いた表面不要物除去装置
CN2317560Y (zh) * 1997-09-30 1999-05-05 中国科学院安徽光学精密机械研究所 激光剥离微细漆包线绝缘层机
AT408632B (de) * 1998-01-29 2002-01-25 Trodat Gmbh Bearbeitungskopf für eine lasergravier- bzw. -schneidvorrichtung
JP2001353589A (ja) 2000-06-09 2001-12-25 Aomori Prefecture レーザ溶接方法および装置
DE10129650A1 (de) * 2001-06-15 2003-01-02 Asclepion Meditec Ag Verfahren und Anordnung zum Materialabtrag
JP2003077658A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ素子製造用ドナーフィルムおよび有機ｅｌ素子用基板
KR100985744B1 (ko) * 2002-03-14 2010-10-06 히다치 조센 가부시키가이샤 레이저 가공기에 있어서의 광학부품으로의 부착오염방지방법 및 장치
GB2390319B (en) * 2002-07-03 2005-07-27 Rolls Royce Plc Method and apparatus for laser welding
JP4205486B2 (ja) * 2003-05-16 2009-01-07 株式会社ディスコ レーザ加工装置
GB2414954B (en) * 2004-06-11 2008-02-06 Exitech Ltd Process and apparatus for ablation
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP4404085B2 (ja) * 2006-11-02 2010-01-27 ソニー株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工ヘッド及びレーザ加工方法
JP2009006350A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Sony Corp レーザ加工装置とその加工方法、デブリ回収機構とその回収方法、並びに表示パネルの製造方法
KR100953686B1 (ko) 2008-02-18 2010-04-19 에이피시스템 주식회사 레이저 가공장치
JP5540476B2 (ja) * 2008-06-30 2014-07-02 株式会社Ｉｈｉ レーザアニール装置
JP2010184245A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Toyokoh Co Ltd 塗膜剥離装置
JP5478145B2 (ja) * 2009-08-18 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 ポリマー除去装置およびポリマー除去方法
JP5500914B2 (ja) 2009-08-27 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
JP5712700B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-07 ウシオ電機株式会社 レーザリフトオフ装置
US9403238B2 (en) * 2011-09-21 2016-08-02 Align Technology, Inc. Laser cutting
FR2981287B1 (fr) * 2011-10-13 2013-12-27 Commissariat Energie Atomique Appareil et procede de decoupe au laser a impulsions de gaz asservies en frequence ou en pression
JP5685567B2 (ja) 2012-09-28 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置の製造方法
US10265772B2 (en) * 2013-03-13 2019-04-23 United Technologies Corporation Uninteruppted filtering system for selective laser melting powder bed additive manufacturing process
TW201539624A (zh) 2014-04-08 2015-10-16 Ushio Electric Inc 雷射剝離裝置
JP3204585U (ja) 2016-03-25 2016-06-02 株式会社日誠ｃｆｃ 被覆材剥離システム
CN107584209A (zh) * 2016-07-08 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 激光切割装置
JP6450783B2 (ja) * 2017-01-19 2019-01-09 ファナック株式会社 レーザ加工ヘッド用ノズル
JP6450784B2 (ja) * 2017-01-19 2019-01-09 ファナック株式会社 レーザ加工機

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