TW201740792A - 電磁波吸收體 - Google Patents

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Hironobu MATINAGA
Yuya Kitagawa
Kazuaki Sasa
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明之目的為提供一種可用於具有高解析能力之雷達且即使使用頻率不同之複數個雷達時亦可充分對應的電磁波吸收體，因此，該電磁波吸收體係作成於60~90GHz之頻帶中，電磁波吸收體之電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬為2GHz以上。

Description

電磁波吸收體
本發明關於用以防止電磁波干擾之電磁波吸收體。
背景技術 　　近年來，電磁波被利用作為資訊通訊媒體。作為此種電磁波之應用，例如於汽車之技術領域中存在有防撞系統，該防撞系統用以藉由雷達檢知障礙物而自動煞車、或測定周邊車輛的速度或車間距離，以控制自車的速度或車間距離。要使防撞系統等正常地動作，重點是盡可能地不接收不必要的電磁波(雜訊)，以防止誤判。因此，於此等系統中，有使用吸收雜訊之電磁波吸收體(例如，參照專利文獻1、2)。
然後，於上述防撞系統等中，為實現更高的檢知性能，使雷達本身性能提高，且由於利用較先前頻率(24GHz)更高的頻率(76.5GHz、79GHz)的雷達，而追求於高頻帶中高吸收雜訊之電磁波吸收體。又，為了使雷達之解析能力提高，使用頻率亦朝寬頻帶化(76GHz時為1GHz、79GHz時為4GHz)進展，於電磁波吸收體中亦追求寬頻帶寬度之吸收性能。然而，如專利文獻1、2所示，先前之電磁波吸收體僅可在成為對象之頻率附近之極有限的範圍內發揮吸收能力，有無法涵蓋高頻帶之問題。又，若因使用中之環境變化或隨著時間，構成電磁波吸收體之材料之特性改變，則有可能隨之可吸收之頻率(吸收峰)亦變動，無法於設定之頻率發揮充分的吸收能力之虞。又，若雷達之頻率稍微變動，亦有無法發揮吸收能力之問題。
進而，為實現更進一步的高精度，於上述防撞系統等中考慮併用頻率不同之複數個雷達。然而，如上所述，通常電磁波吸收體之吸收能力僅可在成為對象之頻率附近之極有限的範圍內發揮，故對頻率不同之各雷達有必要準備不同的電磁波吸收體，產生電磁波吸收體之成本變高，且藉由使用複數個電磁波吸收體而總重量變重的問題。
先行技術文獻 　　專利文獻 　　專利文獻1：日本特開平6-120689號公報 　　專利文獻2：日本特開平10-13082號公報
發明概要 　　發明欲解決之課題 　　本發明是鑑於上述情事而完成者，其目的是提供一種可用於具有高解析能力之雷達且於寬頻帶寬度具有優異吸收能力的電磁波吸收體。
用以解決課題之手段 　　為達成上述目的，本發明之第1要旨提供一種電磁波吸收體，其於60~90GHz之頻帶中，電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬為2GHz以上。
其中，以上述第1要旨之電磁波吸收體為基礎，該電磁波吸收體具有介電體層、設置於上述介電體層之一面之電阻層及設置於上述介電體層另一面之導電層，該導電層具有比上述電阻層低之片電阻，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍，此為第2要旨；以上述第1要旨之電磁波吸收體為基礎，該電磁波吸收體具有介電體層及設置於上述介電體層之一面之導電層，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍，此為第3要旨。
又，以上述第2或3要旨之電磁波吸收體為基礎，該電磁波吸收體使用高分子薄膜作為上述介電體層，此為第4要旨；以上述第2至4要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述介電體層為發泡體，此為第5要旨；以上述第2至5要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述介電體層含有磁性體及介電體中之至少一者，此為第6要旨。再者，以上述第2、4至6要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述電阻層含有氧化銦錫，此為第7要旨；以上述第2、4至7要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述電阻層之片電阻設定於320~500Ω/□之範圍，此為第8要旨。
進而，以上述第2至8要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述導電層含有氧化銦錫，此為第9要旨；以上述第2至8要旨之電磁波吸收體為基礎，其中上述導電層含有鋁及其合金中之至少一者，此為第10要旨；以上述第1至10要旨之電磁波吸收體為基礎，該電磁波吸收體進而具備黏著層，且上述黏著層設置於上述導電層之外側，此為第11要旨。
本發明人等著眼於已提高解析能力之雷達的頻率與其波動之振幅之關係，為獲得具有可對應此等雷達之優異吸收能力的電磁波吸收體而專心致力於研究。其結果發現：藉由將電磁波吸收體作成於60~90GHz之頻帶中電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬為2GHz以上，即可解決上述問題，終完成本發明。
發明效果 　　本發明之電磁波吸收體於60~90GHz之頻帶中，電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬為2GHz以上，可於寬頻帶排除雜訊。
其中，當電磁波吸收體具有介電體層、設置於上述介電體層之一面之電阻層及設置於上述介電體層另一面之導電層，該導電層具有比上述電阻層低之片電阻，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍的情形下，不僅可擴大吸收帶寬，且可將介電體層設定為容易控制之厚度，故可作成更均勻地具有電磁波吸收效果之電磁波吸收體。
又，當電磁波吸收體具有介電體層及設置於上述介電體層之一面之導電層，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍的情形下，不僅可擴大吸收帶寬，且容易進行設定及製造，故可實現低成本之電磁波吸收體。
用以實施發明之形態 　　以下就本發明之實施形態進行詳細說明。但本發明並不限定於此實施形態。
本發明之電磁波吸收體，其於60~90GHz之頻帶中，具有2GHz以上的電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬，較佳為具有5GHz以上、更佳為具有10GHz以上，其上限通常為30GHz。又，更佳為於70~85GHz之頻帶中，具有2GHz以上、較佳為具有5GHz以上、更佳為具有10GHz以上，其上限通常為30GHz。
上述電磁波吸收量及電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬，例如可藉由反射功率法、波導管法而測定。於本發明中，使用KEYCOM公司製 電波吸收體(電波吸收材料)及反射衰減量 測定裝置LAF-26.5B，依據JIS R 1679(電波吸收量之毫米波帶中之電波吸收特定測定方法)，對樣品以15°斜向入射照射電磁波，測定反射吸收量，作為電磁波吸收量。又，由於相同測定中所獲得之反射吸收曲線，特定出反射吸收量為20dB以上之頻帶，作為電磁波吸收量為20dB以上之頻帶的帶寬。
根據此構成，由於可確實地排除高頻之電波、例如位於76~81GHz之頻帶內之特定波長之電磁波，故即使採用76~81GHz附近之頻率的具有更高解析能力之雷達時，亦可確實地排除產生之雜訊。又，即使因環境變化或隨時間變化，構成電磁波吸收體之材料特性產生改變，從而可吸收之頻率(吸收峰)變動時，亦可於設定為排除對象之雷達頻率發揮充分的吸收能力。又，即使雷達之頻率變動時亦可發揮充分的吸收能力。進而，即使於上述頻率附近使用頻率不同之複數個雷達，亦可確實地排除來自複數個雷達之雜訊。因此，無需如先前般於頻率不同之各雷達使用不同性能之電磁波吸收體，可實現低成本。
本發明之電磁波吸收體亦可為利用磁損耗之磁性電磁波吸收體、利用介電損耗之介電性電磁波吸收體、利用電阻損耗之導電性電磁波吸收體及λ/4型電磁波吸收體中之任一種方式之電磁波吸收體，尤其從耐久性、輕量性、容易薄膜化之方面來看，以λ/4型電磁波吸收體為佳，從加工性優異之方面來看，以磁性電磁波吸收體、介電性電磁波吸收體為佳。
作為上述λ/4型電磁波吸收體之本發明之電磁波吸收體，例如可列舉：如圖1所示，依序具有電阻層A、介電體層B、導電層C，且於上述電阻層A之外側及導電層C之外側分別設置有樹脂層D1 、D2 的電磁波吸收體。再者，於圖1中各部分為模式地顯示，與實際厚度、大小等不同(於以下圖中亦相同)。又，由於可以電阻層A、介電體層B、導電層C之構造充分地發揮效果，故樹脂層D1 、D2 為可任意設置之構造。
上述電阻層A由於要求使電磁波朝電磁波吸收體內部穿透，故宜具有接近空氣之相對介電常數，通常使用氧化銦錫 (以下稱為「ITO」)。其中，由非晶質構造極為穩定，即使於高溫多溼之環境下亦可抑制電阻層A之片電阻之變動之方面來看，較佳為使用含有20~40重量%之SnO2、更佳為含有25~35重量%之SnO2之ITO作為主成分之電阻層A。再者，於本發明中所謂「作為主成分」指對其材料特性造成影響之成分，該成分之含量通常為整體材料之50質量%以上，當然亦包含僅由該成分構成者。
又，電阻層A之片電阻較佳為設定於320~500Ω/□之範圍、更佳為360~450Ω/□之範圍。其原因為，若電阻層A之片電阻為上述範圍內，可容易選擇性地吸收作為毫米波雷達或準毫米波雷達所泛用之波長(頻率)之電磁波。
然後，電阻層A之厚度宜於15~100nm之範圍，且於25~50nm之範圍更佳。其原因為，不管厚度過厚或反之過薄，在給予隨時間或環境的變化時都有片電阻值之可靠性降低之傾向。
上述介電體層B是藉由將配合作為吸收對象之電磁波之波長、具有特定之相對介電常數之樹脂組成物以於硬化後成為特定之厚度之方式形成、並使之硬化而獲得者。作為上述樹脂組成物，較佳為：乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯、胺基甲酸酯、丙烯酸、丙烯酸胺基甲酸酯、聚烯烴、聚乙烯、聚丙烯、聚矽氧、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、環氧等合成樹脂、或使用聚異戊二烯橡膠、聚苯乙烯-丁二烯橡膠、聚丁二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、丁基橡膠、丙烯酸系橡膠、乙烯-丙烯橡膠及聚矽氧橡膠等合成橡膠材料作為樹脂成分。尤其是由成型性與相對介電常數之方面來看，較佳為使用EVA或丙烯酸樹脂。再者，其等可單獨或併用二種以上，介電體層B亦可設為單層或複數層。
又，由於介電體層B之相對介電常數越小，越容易寬頻帶化，故亦可使用將上述材料發泡化後之發泡體。又，作為此種發泡體宜使用柔軟性較高之發泡體。
介電體層B之相對介電常數宜於1~10之範圍，且於1~5之範圍較佳，於1~3之範圍更佳。若相對介電常數為上述範圍內，可將介電體層設定為容易控制之厚度，且可將電磁波吸收量為20dB以上之頻帶之帶寬設定為更寬的帶寬，可獲得更均勻地具有吸收能力之電磁波吸收體。
再者，上述介電體層B之相對介電常數可使用Agilent Technologies公司製 網路分析儀N5230C、關東電子應用開發公司製 空腔共振器CP531等，藉由空腔共振器擾動法測定10GHz之相對介電常數。
介電體層B之厚度較佳為50~2000μm、更佳為100~1500μm、最佳為100~1000μm。若過薄則難以確保厚度尺寸精度、有吸收性能精度降低之虞，若過厚則有重量亦增加從而變得難以處理、或材料成本變高之傾向。
上述導電層C為用以在電磁波吸收體之背面附近反射作為對象之電磁波而配置者，其片電阻設定為較電阻層A之片電阻低很多。由此等原因，作為導電層C之材料，例如可列舉：ITO、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、及此等金屬之合金。其中，藉由於導電層C使用ITO，可提供透明之電磁波吸收體，不僅可適用需要透明性之部位，且可圖謀改善施工性，故較佳為使用尤其含有5~15重量%之SnO2 之ITO。又，於導電層C使用ITO時之厚度，宜為20~200nm、較佳為50~150nm。其原因為，若厚度過厚有容易因應力對導電層C造成裂紋之傾向，若過薄則有難以獲得所期望之低電阻值之傾向。另一方面，從可更容易地降低片電阻值、可更減低雜訊之觀點來看，較佳為使用Al或其合金。使用Al或其金屬合金時之導電層C之厚度，宜為20nm~100μm、較佳為50nm~50μm。其原因為，若厚度過厚有電磁波吸收體變硬、變得難以處理之傾向，若過薄則有難以獲得所期望之低電阻值之傾向。又，導電層C之片電阻宜為1.0×10-7 Ω~100Ω、較佳為1.0×10-7 Ω~20Ω。
上述樹脂層D1 、D2 成為藉由濺鍍等形成電阻層A或導電層C時之基板，形成為電磁波吸收體後具有保護電阻層A及導電層C等之作用，避免來自外部之衝擊等。作為此種樹脂層D1 、D2 之材料，宜為能耐受形成電阻層A或導電層C所使用之蒸鍍或濺鍍等高溫的材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、丙烯酸酯樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)等。其中，由耐熱性優異、尺寸穩定性與成本之平衡較佳之觀點來看，較佳為使用PET。再者，樹脂層D1 、D2 可由相同材料構成，亦可分別由不同材料構成。又，不限於單層，亦可為複數層，不設置樹脂層D1 、D2 亦可。
樹脂層D1 、D2 之厚度分別較佳為10~125μm、更佳為20~50μm。其原因為，若過薄有在形成電阻層A時容易產生皺折或變形之傾向，若過厚則有作為電磁波吸收體之彎曲性降低之傾向。又，樹脂層D1 、D2 可相互為相同厚度、亦可為分別不同厚度。
再者，於上述實施形態中雖然電磁波吸收體由電阻層A、介電體層B、導電層C、樹脂層D1 、D2 之積層體構成，但於電磁波吸收體亦可設置除此等層以外之層。即，亦可於樹脂層D1 之外側、電阻層A與介電體層B之間、介電體層B與導電層C之間、樹脂層D2 之外側等設置其他層。例如，若於電阻層A與介電體層B之間設置塗覆層(未圖示)，可防止介電體層B中之成分擴散至電阻層A，可圖謀保護電阻層A。同樣地，若於導電層C與介電體層B之間設置塗覆層(未圖示)，可防止介電體層B中之成分擴散至導電層C，可圖謀保護導電層C。又，如圖2所示，若於樹脂層D2 之外側設置黏著層G，則容易朝其他構件(被安裝構件)安裝。
作為上述塗覆層之材料，例如可使用二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)、氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)、氧化鈮(Nb2 O5 )、錫矽氧化物(STO)、含鋁氧化鋅(AZO)、氮化矽(SiN)等。
作為上述黏著層G之材料，例如可使用橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑等黏著劑。又，亦可使用乳膠系接著劑、橡膠系接著劑、環氧系接著劑、氰基丙烯酸系接著劑、乙烯基系接著劑、聚矽氧系接著劑等接著劑，可根據被安裝構件之材質及形狀而適當選擇。其中，從發揮長期間之黏著力、安裝之可靠性較高之方面來看，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
如此之電磁波吸收體(參照圖1)，例如可按照如下方法進行製造。
首先，如圖3(a)所示，於經成形為膜片狀之樹脂層D1 上(圖中為下)形成電阻層A。又，於經成形為膜片狀之樹脂層D2 上形成導電層C。上述電阻層A及導電層C可藉由濺鍍、蒸鍍等形成。其中，由可嚴密地控制電阻值及厚度之方面來看，無論電阻層A或導電層C皆宜使用濺鍍。
接著，如圖3(b)所示，將形成介電體層B之樹脂組成物加壓成型為片狀。然後，於上述介電體層B之一面重疊形成於樹脂層D1 上之電阻層A，於另一面重疊形成於樹脂層D2 上之導電層C。藉此，可獲得如圖1所示之依序積層有樹脂層D1 、電阻層A、介電體層B、導電層C、樹脂層D2 之電磁波吸收體。
藉此，由於容易控制介電體層B之厚度，故可成為有效地吸收作為對象之波長(頻率)之電磁波的電磁波吸收體。又，由於可分別形成電阻層A及導電層C，故可縮短製造電磁波吸收體所花費之時間，可以低成本製造。再者，於未設置樹脂層D1 、D2 時，例如可藉由於介電體層B直接濺鍍、蒸鍍電阻層A及導電層C之材料等而製造電磁波吸收體。
接著，作為前述磁性電磁波吸收體或介電性電磁波吸收體之本發明之電磁波吸收體，例如如圖4所示，可例舉具有介電體層E與導電層F的電磁波吸收體。磁性電磁波吸收體是藉由利用所添加之磁性體之磁矩之追隨滯後的磁損耗而吸收自介電體層E之外側照射來之電磁波的電磁波吸收體。另一方面，介電性電磁波吸收體是藉由利用所添加之介電體之極化之追隨滯後的熱損耗而吸收的電磁波吸收體。再者，亦可為將磁性體與介電體組合添加後而成之電磁波吸收體。
磁性電磁波吸收體之情形，上述介電體層E可藉由使由與前述介電體層B相同之材料構成之樹脂組成物含有磁性體者，以於硬化後成為特定厚度之方式形成，並使之硬化而獲得。作為上述磁性體可列舉藉由施加之電場而吸收電磁波者，例如可使用科琴黑、乙炔黑、爐黑、石墨、膨脹石墨等導電性碳、鐵、鎳、鐵氧體等磁性粉等。其中，由朝樹脂組成物之分散性優異之方面來看，宜使用錯合物狀之羰金屬、尤佳為使用羰鐵粉。
介電性電磁波吸收體之情形，上述介電體層E可藉由使由與前述介電體層B相同之材料構成之樹脂組成物含有介電體者，以於硬化後成為特定厚度之方式形成，並使之硬化而獲得。作為上述介電體可列舉藉由施加之磁場而吸收電磁波者，例如可使用科琴黑、乙炔黑、爐黑、石墨、膨脹石墨等碳、鈦酸鋇或鈦酸鋯酸鉛等強介電體。其中，由材料成本優異之方面來看，宜使用碳粉末。
然後，介電體層E之厚度較佳為50~2000μm、更佳為100~1500μm。其原因為，若過薄則有難以確保厚度尺寸精度之傾向，若過厚則有不僅材料成本變高、且重量亦過度增加之傾向。
又，介電體層E之相對介電常數宜於1~10之範圍，且於1~5之範圍較佳。若相對介電常數為上述範圍內，可將介電體層設定為容易控制之厚度，且可將電磁波吸收量20dB以上之頻帶之帶寬設定為更寬的帶寬，又可獲得更均勻地具有吸收能力之電磁波吸收體。
上述導電層F由於為用以在電磁波吸收體之背面附近反射作為對象之波長(頻率)之電磁波而配置者，故作為導電層F之材料，例如可列舉：ITO、鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、及此等金屬之合金。
又，導電層F之厚度宜為20nm~100μm、較佳為50nm~50μm。其原因為，若厚度過厚有導電層F容易產生應力或裂紋之傾向，若過薄則有難以獲得所期望之低電阻值之傾向。然後，導電層F之片電阻宜為1.0×10-7 Ω~100Ω、較佳為1.0×10-7 Ω~20Ω。
如此之電磁波吸收體(參照圖4)，例如可藉由在利用加壓成形等而形成為片狀之介電體層E濺鍍、蒸鍍導電層F之材料等而製造。
再者，於上述實施形態中雖然電磁波吸收體由介電體層E與導電層F之積層體構成，但於電磁波吸收體亦可設置此等以外之層。即，亦可於介電體層E之外側、介電體層E與導電層F之間、導電層F之外側等設置其他層。例如，若於介電體層E與導電層F之間設置塗覆層(未圖示)，可防止介電體層E中之成分擴散至導電層F，可圖謀保護導電層F。又，如圖5所示，若於樹脂層F之外側設置黏著層G，則容易朝其他構件(被安裝構件)安裝。作為上述塗覆層及黏著層G之材料，可使用與圖1所示之實施形態相同的材料。
實施例 　　以下，列舉實施例及比較例進一步具體地說明本發明，但本發明在不超過其要旨之範圍內並不限定於以下實施例。
如下所述，製作實施例1~10及比較例1、2之電磁波吸收體，使用KEYCOM公司製 電波吸收體(電波吸收材料)及反射衰減量 測定裝置LAF-26.5B，依據JIS R 1679(電波吸收量之毫米波帶中之電波吸收特定測定方法)，對該等電磁波吸收體以15°斜向入射照射電磁波，分別測定反射吸收量。將結果顯示於後述之表1及圖6、表7。
＜實施例1＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，將三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250、相對介電常數2.45)於120℃加壓成形，成形為560μm厚片，製作介電體層B。於該介電體層B之一面，將以表面電阻成為20Ω/□之方式濺鍍形成有ITO作為導電層C之38μm厚之PET薄膜(樹脂層D1 )，以導電層C與介電體層B相對之方式貼合。然後，於上述介電體層B之另一面，將以表面電阻成為380Ω/□之方式濺鍍形成有ITO作為電阻層A之38μm厚之PET薄膜(樹脂層D2 )，以電阻層A與介電體層B相對之方式貼合，獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例2＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，將介電體層B如下所述變更以外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。 　　(介電體層B) 　　於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加50重量份之堺化學工業公司製鈦酸鋇(BT-01)，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為458μm厚片，製作介電體層B。該介電體層B之相對介電常數為3.90。
＜實施例3＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，將介電體層B如下所述變更以外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。 　　(介電體層B) 　　於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加100重量份之堺化學工業公司製鈦酸鋇(BT-01)，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為397μm厚片，製作介電體層B。該介電體層B之相對介電常數為5.19。
＜實施例4＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，將介電體層B如下所述變更以外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。 　　(介電體層B) 　　於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加200重量份之堺化學工業公司製鈦酸鋇(BT-01)，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為336μm厚片，製作介電體層B。該介電體層B之相對介電常數為7.25。
＜實施例5＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，除了將介電體層B變更為將日東電工公司製之烯烴系發泡體SCF100(相對介電常數1.07)切片成形為厚度822μm者，且經由丙烯酸系黏著劑將分別形成為厚度30μm之電阻層A及導電層C貼合於介電體層B外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例6＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，除了將介電體層B變更為將聚酯系發泡體SCF T100(相對介電常數1.09)切片成形為厚度793μm者，且經由丙烯酸系黏著劑將分別形成為厚度30μm之電阻層A及導電層C貼合於介電體層B外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例7＞ 　　依據獲得圖4所示之電磁波吸收體之方法，於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加300重量份之New Metals and Chemicals公司製 羰鐵粉YW1，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為1200μm厚片，製作介電體層E。該介電體層E之相對介電常數為6.60。於上述介電體層E之一面貼合有ITO薄膜(表面電阻20Ω/□)以作為導電層F，而獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例8＞ 　　依據獲得圖4所示之電磁波吸收體之方法，除了將作為導電層F之鋁箔/PET複合薄膜(UACJ公司製 鋁箔7μm/PET9μm)，以鋁箔面與介電體層E相對之方式貼合外，以與實施例7相同方法獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例9＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，除了將介電體層B變更為將KURARAY公司製 熱塑性丙烯酸系彈性體(kurarity2330、相對介電常數2.55)於150℃加壓成形、並成形為厚度561μm之片材外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。
＜實施例10＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，除了將介電體層B變更為將KURARAY公司製 熱塑性丙烯酸系彈性體(kurarity2330、相對介電常數2.55)於150℃加壓成形、並成形為厚度538μm之片材，進而將作為電阻層A之鋁箔/PET複合薄膜(UACJ公司製 鋁箔7μm/PET9μm)以鋁箔面與介電體層B相對之方式貼合外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。
＜比較例1＞ 　　依據獲得圖1所示之電磁波吸收體之方法，將介電體層B如下所述變更以外，以與實施例1相同方法獲得目標之電磁波吸收體。 　　(介電體層B) 　　於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加300重量份之堺化學工業公司製鈦酸鋇(BT-01)，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為242μm厚片，製作介電體層B。該介電體層B之相對介電常數為14.0。
＜比較例2＞ 　　依據獲得圖4所示之電磁波吸收體之方法，將介電體層E如下所述變更以外，以與實施例7相同方法獲得目標之電磁波吸收體。 　　(介電體層E) 　　於100重量份之三井杜邦公司製EVA樹脂(Evaflex EV250)添加400重量份之New Metals and Chemicals公司製 羰鐵粉YW1，以混煉機進行混煉後，於120℃加壓成形，成形為1200μm厚片，製作介電體層E。該介電體層E之相對介電常數為10.3。
[表1]
由上述表1及圖6、圖7之結果可知，實施例1~10於60~90GHz之頻帶中，反射吸收量20dB以上之頻帶之帶寬有2GHz以上，尤其實施例1~3、5、6、9、10具有20dB帶寬為10.0GHz以上之寬頻帶。且相對介電常數越小，有20dB帶寬變寬之傾向。相對於此，比較例1、2雖然於60~90GHz之頻帶中發揮若干的吸收能力，但無論在哪個範圍皆無法實現反射吸收量為20dB以上之吸收能力。
於上述實施例中顯示本發明之具體形態，但上述實施例僅為例示，並非進行限定解釋。該技術領域者所顯而易知之各種變化包含於本發明之範圍內。
產業上之可利用性 　　本發明可在寬廣之頻帶中發揮長期吸收不必要電磁波之性能，故可適用於汽車防撞系統所使用之毫米波雷達之電磁波吸收體。又，在其他用途上，亦可使用於汽車、道路、人與人間相互進行資訊通訊之智慧型運輸系統(ITS)或使用毫米波之次世代行動通訊系統(5G)中，以抑制電波干擾或減低雜訊。
A‧‧‧電阻層
B‧‧‧介電體層
C‧‧‧導電層
D1 ‧‧‧樹脂層
D2 ‧‧‧樹脂層
E‧‧‧介電體層
F‧‧‧導電層
G‧‧‧黏著層
圖1是本發明一實施形態之電磁波吸收體之剖面圖。 　　圖2是說明於圖1所示電磁波吸收體設有黏著層之情形之圖。 　　圖3(a)、(b)皆是說明圖1所示電磁波吸收體之製法之圖。 　　圖4是本發明另一實施形態之電磁波吸收體之剖面圖。 　　圖5是說明於圖4所示電磁波吸收體設有黏著層之情形之圖。 　　圖6(a)~(f)之曲線圖是顯示分別測定實施例1~6之反射吸收量後頻率(GHz)與反射吸收量(dB)之關係。 　　圖7(a)~(f)之曲線圖是顯示分別測定實施例7~10及比較例1、2之反射吸收量後頻率(GHz)與反射吸收量(dB)之關係。

Claims (11)

  1. 一種電磁波吸收體，特徵在於：其於60~90GHz之頻帶中，電磁波吸收量20dB以上之頻帶的帶寬為2GHz以上。
  2. 如請求項1之電磁波吸收體，其具有介電體層、設置於上述介電體層之一面之電阻層及設置於上述介電體層另一面之導電層，該導電層具有比上述電阻層低之片電阻，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍。
  3. 如請求項1之電磁波吸收體，其具有介電體層及設置於上述介電體層之一面之導電層，且上述介電體層之相對介電常數在1~10之範圍。
  4. 如請求項2或3之電磁波吸收體，其係使用高分子薄膜作為上述介電體層。
  5. 如請求項2或3之電磁波吸收體，其中上述介電體層為發泡體。
  6. 如請求項2或3之電磁波吸收體，其中上述介電體層含有磁性體及介電體中之至少一者。
  7. 如請求項2之電磁波吸收體，其中上述電阻層含有氧化銦錫。
  8. 如請求項2之電磁波吸收體，其中上述電阻層之片電阻設定於320~500Ω/□之範圍。
  9. 如請求項2或3之電磁波吸收體，其中上述導電層含有氧化銦錫。
  10. 如請求項2或3之電磁波吸收體，其中上述導電層含有鋁及其合金中之至少一者。
  11. 如請求項1至3中任一項之電磁波吸收體，其進而具備黏著層，且上述黏著層設置於上述導電層之外側。
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