SE530443C2 - Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpning - Google Patents
Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpningInfo
- Publication number
- SE530443C2 SE530443C2 SE0602197A SE0602197A SE530443C2 SE 530443 C2 SE530443 C2 SE 530443C2 SE 0602197 A SE0602197 A SE 0602197A SE 0602197 A SE0602197 A SE 0602197A SE 530443 C2 SE530443 C2 SE 530443C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- high temperature
- max phase
- resistive layer
- layer
- absorber according
- Prior art date
Links
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 title claims 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009817 Ti3SiC2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011226 reinforced ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Description
20 25 30 530 443 Föreliggande uppfinning ger en lösning på detta problem genom att uppfinningen får den utformning som framgår av det efterföljande självständiga patentkravet. Övriga patentkrav avser fördelaktiga utföringsformer av uppfinningen. Uppfinningen är naturligtvis även användbar i traditionella tillämpningar vid lägre temperatur. l det följande kommer uppfinningen att beskrivas närmare med hänvisning till bifogade ritningar, där fig. 1a visar ett exempel på uppbyggnaden av ett enfolieskikt, fig. 'lb visar ett diagram över den strålningsabsorberande förmågan för enfolieskiktet ifigur 1 a, fig. 2a visar ett första testutförande av uppfinningen, fig. 2b visar ett diagram över den strålningsabsorberande förmågan för utföringsformen av uppfinningen visad i figur 2a, fig. 3a visar ett andra testutförande av uppfinningen och fig. 3b visar ett diagram över den stràlningsabsorberande förmågan för utföringsformen av uppfinningen visad i figur Sa.
Vid uppfinningen utgår man, i beroende av tillämpningen, från en radarabsorbent av något känt slag, där man byter ut det gängse resistiva skitet resp. de gängse resistiva skikten mot skikt framställda av ett MAX-fasmaterial. Sådana material tål höga temperaturer, se vidare utläggning om dessa material nedan. Vidare framställs ingående dielektriska skikt av ett temperaturtåligt material med lämpliga elektriska egenskaper. Dessa material benämns här lâgpermittivitetskeramer (relativ dielektri- citetskonstant e, < 15), varvid här alla material som är oorganiska och inte är metaller benämns keramer.
Detta innebär att även olika typer av glas ingår bland keramerna. Bland glas finns det sådana som tål höga temperaturer. l tabell 1 nedan finns några exempel på låg- permittivitetskeramer tillsammans med deras dielektricitetskonstant. Även keram- kompositer (partikel-, whiskers- och fiberförstärkta keramkompositer) kan användas som dielektrisk skikt förutsatt att de har lämplig dielektricitetskonstant. 10 15 20 25 5313 443 3 .Têàall Material Dielektricitetskonstant, e, Steatit, Mg3Sí4O1o(OH)2 6.0-6.1 Kordierit, Mg2A14Si5O18 5.0-5.7 Forsterit, 2MgO o SiOz 6.4 Mullit, AleSizOn 6.7-7.5 Aluminiumoxid, Al2O3 9.5-9.7 Berylliumoxíd, BeO 6.5-6.8 Aluminiumnitrid, AIN 8.8-8.9 Kiselnitrid, Si3N4 8.1 Kvartsglas, SiOz-glas 3.8 Vid behov kan dielektricitetskonstanten hos keramer reduceras genom att porer införs i materialet. Dielektricítetskonstanten kan också reduceras genom framställ- ning av kompositer. För mullit kan man exempelvis tillverka kompositer av mullit och kvartsglas eller mullit och kordierit.
När det gäller det resistiva skíktet visas i det följande att ett MAX-fasmaterial när det gäller de elektromagnetiska egenskapema kan fungera på samma sätt som hittills använda resistiva skikt. Vid framställning av en radarabsorbent används därför ur strålningsabscrptionssynpunkt känd teknik och fackmannen beräknar på gängse sätt önskade elektromagnetiska egenskaper för ingående skikt utifrån ställda krav.
Det speciella med uppfinningen är insikten att MAX-fasmaterial kan användas för det resistiva skiktet. MAX-fasmaterial har många goda egenskaper i samman- hanget, bla. tål de hög temperatur.
MAX-fasmaterial är material som beskrivs av formeln MMAX". l formeln står M for en övergångsmetall inom gruppen skandium (Sc), titan (Ti), vanadin (V), krom (Cr), zirkonium (Zr), niob (Nb), molybden (Mo), hafnium (Ht) och tantal (Ta) eller en kombination av två eller flera övergångsmetaller från gruppen. A står för ämnen i gruppen aluminium (Al), kisel (Si), fosfor (P), svavel (S), gallium (Ga), germanium (Ge), arsenik (As), kadmium (Cd), indium (ln), tenn (Sn), tallium (Tl) och bly (Pb) eller en kombination av två eller flera ämnen i gruppen. X står för kol (C) och/eller kväve (N). 15 20 EBÜ 443 l formeln för MAX-fasmaterial. MlulAXn. kan n vara antingen 1, 2 eller 3, vilket leder till tre grupper av material. Den första gruppen med n=1 kallas 211-gruppen. Siff- rorna står för antal av atomer hos varje ingående kemiskt element M, A respektive X. l tabell 2 nedan finns alla idag kända material i 211-gruppen. Den andra gruppen har n=2 och kallas 312-gruppen. Tre material är kända i gruppen, TiaGeCz, TiaAlCz och TißSiCz. Den tredje gruppen har n=3 och kallas 413-gruppen. Här finns det bara ett känt material idag TitAlNa Iâbêilß.
MAX-fasmaterial, 211-gruppen TizAlC TizAlN HfzPbC rgGaC V2ASC izlflN NbzAlC Nb,Ti)2AlC TizAlNmCi/q NbzGaC NbzAsC ZrzlnN TizGeC CrzAlC ZrgSC MogGaC TizCdC HfzlnN ZrzSnC TazAlC TizSC TazGaC Sc2lnC HfzSnN Hfzsnc vzAic Nbzsc mean Tizinc i Tizrlc TizSnC VZPC HfzSC CrgGaN ZrzlnC ZrZTIC Nbzsnc Nbæc Tueac vßaN Nbzlnc Hfzrio ZrzPbC TizPbC V2GaC VzGeC HfzlnC ZrzTlN MAX-fasmaterial har en speciell kristallstruktur som kombinerar metallernas bästa egenskaper med keramernas fördelar. De har hög elektrisk och termisk lednings- förmåga, låg friktion, mycket hög nötningsbeständighet och tål temperaturchocker.
Materialen kan framställas genom sintring eller genom PVD, Physical Vapour Deposition.
Eftersom MAX-fasmaterial har hög ledningsförmåga och kan motstå väldigt höga temperaturer kan de användas som ett tunt resistivt skikt i en mikrovàgsabsorbent vid höga temperaturer, över 1000°C, men naturligtvis även vid rumstemperatur och temperaturer däremellan.
För att principiellt fastställa att MAX-fasmaterial kan fungera som ett tunt resistivt skikt i en radarabsorberande skiktstrukturtillverkades med hjälp av PVD några tunna beläggningar av titankiselkarbid TißSiCz pà ett glassubstrat. MAX-fasmaterial ur gruppen 312 är mycket lämpliga att använda vid föreliggande uppfinning. Figur 2a visar en Salisbury screen-liknande skiktstruktur med det resistiva skiktet framställt 10 15 20 25 530 443 5 av Ti3SiC2 och figur 3a visar ett enfolieskikt, likaledes med det resistiva skiktet framställt av TißSiCg. i figurerna 2b resp. 3b visas diagram över uppmätt reflektion från respektive radar- absorbent i fri rymd i frekvensområdet 2-20 GHz vid rumstemperatur och teoretiskt beräknad reflektion för samma strukturer. Diagrammen visar att den uppmätta reflektionen stämmer mycket väl överens med de teoretiskt beräknade värdena.
Detta innebär att ett resistivt skikt framställt av Ti3SiC2 utmärkt fyller sin funktion i respektive stràlningsabsorberande skiktstruktur.
Det är viktigt att påpeka att de skapade skiktstrukturerna användes endast för att verifiera att MAX-fasmaterial kan användas för det aktuella ändamålet. lngendera skiktstrukturen optimerades på något sätt, vilket märks i att reflektionsminima i figurerna 2b resp. 3b är smalbandiga och inte optimala. Om det resistiva skiktets ytresistans, den relativ dielektricitetskonstanten hos avståndsmaterialet samt tjock- leken pà olika skikt optimeras kan en mindre reflektion uppnås för ett bredare frekvensband. De gängse metoderna för optimering av stràlningsabsorberande skiktstrukturer kan användas i det aktuella fallet och är väl kända för fackmannen på området.
Ytresistansen hos den tillverkade testbeläggningen av TisSiCz låg på 338 Q/D som är nära vågimpedansen för vakuum (-.377Q) vilket är fördelaktig för en Salisbury screen. Skiktets ytresistans kan ändras genom val av lämpligt material, t.ex. ett annat MAX-fasmaterial med annan konduktivitet o och/eller val av skiktets tjocklek d, eftersom Ryfii/od.
Claims (5)
1. Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpningar, innefattande minst ett resistivt skikt och minst ett dielektriskt skikt, k ä n n e t e c k n a d a v att det resistiva skiktet är framställt av ett MAX-fasmaterial och det dielektriska skiktet är framställt av ett material som tål hög temperatur.
2. Mikrovàgsabsorbent enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a d a v att det resistiva skiktet är framställt av ett MAX-fasmaterial ur gruppen 312.
3. Mikrovågsabsorbent enligt patentkravet2, k ä n n e t e c k n a d a v att det resistiva skiktet är framställt av titankiselkarbid, TiaSiCz.
4. Mikrovågsabsorbent enligt nagot av patentkraven 1-3, k ä n n e t e c k - n a d a v att det dielektriska materialet är en lågpermittivitetskeram eller en keramkomposit.
5. Mikrovàgsabsorbent enligt patentkravet 4, k ä n n e t e c k n a d a v att porer är införda i kerammaterialet i avsikt att sänka dielektricitetskonstanten till önskad nivå.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0602197A SE530443C2 (sv) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpning |
| ES07835119T ES2366864T3 (es) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Absorbedor de microondas, especialmente para aplicaciones de alta temperatura. |
| AT07835119T ATE510324T1 (de) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Mikrowellenabsorber insbesondere für hochtemperaturanwendungen |
| BRPI0717533-7A BRPI0717533A2 (pt) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Absorvedor de micro-ondas |
| US12/311,937 US8031104B2 (en) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Microwave absorber, especially for high temperature applications |
| EP07835119A EP2092606B1 (en) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Microwave absorber, especially for high temperature applications |
| PCT/SE2007/000918 WO2008051140A1 (en) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Microwave absorber, especially for high temperature applications |
| PL07835119T PL2092606T3 (pl) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | Pochłaniacz mikrofal, zwłaszcza do zastosowań wysokotemperaturowych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0602197A SE530443C2 (sv) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpning |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE0602197L SE0602197L (sv) | 2008-04-20 |
| SE530443C2 true SE530443C2 (sv) | 2008-06-10 |
Family
ID=39324847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE0602197A SE530443C2 (sv) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpning |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8031104B2 (sv) |
| EP (1) | EP2092606B1 (sv) |
| AT (1) | ATE510324T1 (sv) |
| BR (1) | BRPI0717533A2 (sv) |
| ES (1) | ES2366864T3 (sv) |
| PL (1) | PL2092606T3 (sv) |
| SE (1) | SE530443C2 (sv) |
| WO (1) | WO2008051140A1 (sv) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8138959B2 (en) * | 2006-10-19 | 2012-03-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Radio wave absorption material and radio wave absorber |
| KR101042601B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2011-06-20 | 한국전자통신연구원 | 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체 |
| KR20100072383A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 한국전자통신연구원 | 전자파 흡수체를 구비한 운송수단 용 자동 요금 징수 시스템, 운송용 장치, 건물형 구조물, 전자기기, 전자파 무반사실 |
| WO2014149097A2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | United Technologies Corporation | Maxmet composites for turbine engine component tips |
| US9828658B2 (en) | 2013-08-13 | 2017-11-28 | Rolls-Royce Corporation | Composite niobium-bearing superalloys |
| US9938610B2 (en) | 2013-09-20 | 2018-04-10 | Rolls-Royce Corporation | High temperature niobium-bearing superalloys |
| EP4353701A3 (en) | 2013-11-26 | 2024-07-24 | RTX Corporation | Gas turbine engine component coating with self-healing barrier layer |
| EP2944624A1 (en) | 2014-05-14 | 2015-11-18 | Haldor Topsøe A/S | MAX phase materials free of the elements Al and Si |
| EP2945207A1 (en) | 2014-05-14 | 2015-11-18 | Haldor Topsøe A/S | MAX phase materials for use in solid oxide fuel cells and solid oxide electrolysis cells |
| US11362431B1 (en) * | 2015-06-16 | 2022-06-14 | Oceanit Laboratories, Inc. | Optically transparent radar absorbing material (RAM) |
| JP6184579B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2017-08-23 | 日東電工株式会社 | 電磁波吸収体およびそれを備えた電磁波吸収体付成形体 |
| JP6943704B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-10-06 | 積水化学工業株式会社 | λ／４型電波吸収体用抵抗皮膜及びλ／４型電波吸収体 |
| US11508674B2 (en) * | 2016-12-06 | 2022-11-22 | The Boeing Company | High power thermally conductive radio frequency absorbers |
| US11477925B2 (en) * | 2017-03-10 | 2022-10-18 | Maxell, Ltd. | Electromagnetic wave absorbing sheet |
| CN107069236A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-08-18 | 山东师范大学 | 一种对x波段雷达隐形的导弹隐形膜 |
| RU2664881C1 (ru) * | 2017-10-12 | 2018-08-23 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Конструкционный высокотемпературный материал для поглощения электромагнитного излучения в широком диапазоне длин волн |
| JP6690064B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2020-04-28 | 積水化学工業株式会社 | λ／４型電波吸収体 |
| CN113261158A (zh) * | 2018-12-25 | 2021-08-13 | 积水化学工业株式会社 | 电波吸收体 |
| CN109970447B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-08-13 | 昆明理工大学 | 一种弱吸波型max结合剂微波自蔓延烧结的点火方法 |
| CN110183230A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-08-30 | 宿迁南航新材料与装备制造研究院有限公司 | 一种多层结构的耐高温雷达吸波材料 |
| WO2020246608A1 (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | 日東電工株式会社 | 電波吸収部材、電波吸収構造、及び検査装置 |
| CN115872763B (zh) * | 2022-12-09 | 2023-11-10 | 西北工业大学 | 一种陶瓷电磁波吸收剂及制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4012738A (en) * | 1961-01-31 | 1977-03-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Combined layers in a microwave radiation absorber |
| US3938152A (en) * | 1963-06-03 | 1976-02-10 | Mcdonnell Douglas Corporation | Magnetic absorbers |
| US5627541A (en) * | 1968-07-08 | 1997-05-06 | Rockwell International Corporation | Interference type radiation attenuator |
| US4084161A (en) * | 1970-05-26 | 1978-04-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Heat resistant radar absorber |
| US4038660A (en) * | 1975-08-05 | 1977-07-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Microwave absorbers |
| US5223849A (en) * | 1986-11-25 | 1993-06-29 | Chomerics, Inc. | Broadband electromagnetic energy absorber |
| WO1994024724A1 (en) * | 1993-04-09 | 1994-10-27 | Chomerics, Inc. | Broadband electromagnetic energy absorber |
| JP3319147B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2002-08-26 | ティーディーケイ株式会社 | 電波吸収体 |
| ES2184225T3 (es) * | 1997-01-10 | 2003-04-01 | Univ Drexel | Tratamiento de superficie de materiales ceramicos ternarios 312 y productos del mismo. |
| WO1999005752A2 (en) * | 1997-07-23 | 1999-02-04 | Cuming Microwave Corporation | Radar absorber and method of manufacture |
| SE526336C2 (sv) * | 2002-07-01 | 2005-08-23 | Seco Tools Ab | Skär med slitstark refraktär beläggning av MAX-fas |
| JP3772187B2 (ja) * | 2002-07-18 | 2006-05-10 | 国立大学法人 北海道大学 | 電磁波吸収体 |
| KR100591909B1 (ko) | 2003-04-11 | 2006-06-22 | (주)창성 | 임피던스 저항막이 형성되어 전파흡수율이 향상된 전도성박막형 전파흡수체 |
| US6867725B2 (en) * | 2003-06-03 | 2005-03-15 | Northrop Grumman Corporation | Combination low observable and thermal barrier assembly |
| SE0402904L (sv) * | 2004-11-26 | 2006-05-27 | Sandvik Intellectual Property | Belagd produkt och produktionsmetod för denna |
-
2006
- 2006-10-19 SE SE0602197A patent/SE530443C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-10-18 US US12/311,937 patent/US8031104B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-18 ES ES07835119T patent/ES2366864T3/es active Active
- 2007-10-18 AT AT07835119T patent/ATE510324T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-10-18 BR BRPI0717533-7A patent/BRPI0717533A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-10-18 PL PL07835119T patent/PL2092606T3/pl unknown
- 2007-10-18 WO PCT/SE2007/000918 patent/WO2008051140A1/en active Application Filing
- 2007-10-18 EP EP07835119A patent/EP2092606B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008051140A1 (en) | 2008-05-02 |
| EP2092606B1 (en) | 2011-05-18 |
| US8031104B2 (en) | 2011-10-04 |
| ATE510324T1 (de) | 2011-06-15 |
| SE0602197L (sv) | 2008-04-20 |
| PL2092606T3 (pl) | 2011-11-30 |
| ES2366864T3 (es) | 2011-10-26 |
| EP2092606A1 (en) | 2009-08-26 |
| EP2092606A4 (en) | 2009-12-23 |
| BRPI0717533A2 (pt) | 2013-10-22 |
| US20100090879A1 (en) | 2010-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE530443C2 (sv) | Mikrovågsabsorbent, speciellt för högtemperaturtillämpning | |
| Dietrich et al. | Optimizing thermochromic VO2 by co-doping with W and Sr for smart window applications | |
| Uehara et al. | Giant increase in piezoelectric coefficient of AlN by Mg-Nb simultaneous addition and multiple chemical states of Nb | |
| Zhou et al. | Multiscale designed SiCf/Si3N4 composite for low and high frequency cooperative electromagnetic absorption | |
| Arshi et al. | Thickness effect on properties of titanium film deposited by dc magnetron sputtering and electron beam evaporation techniques | |
| CN105896257A (zh) | 一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器 | |
| CN103247839A (zh) | 一种开关可控的太赫兹波超材料完美吸收器及其控制方法 | |
| Ibrahim et al. | Solar selective performance of metal nitride/oxynitride based magnetron sputtered thin film coatings: a comprehensive review | |
| CN109720027A (zh) | 一种基于金属涂层的耐高温结构吸波材料及其制备方法 | |
| Sun et al. | Optical and electrical performance of thermochromic V2O3 thin film fabricated by magnetron sputtering | |
| Fan et al. | Progress in research and development on matrix modification of continuous fiber-reinforced silicon carbide matrix composites | |
| Šímová et al. | Magnetron sputtered Hf–B–Si–C–N films with controlled electrical conductivity and optical transparency, and with ultrahigh oxidation resistance | |
| Akshara et al. | Single composite target magnetron sputter deposition of crystalline and amorphous SiC thin films | |
| Balakrishnan et al. | Microstructural and optical properties of nanocrystalline undoped zirconia thin films prepared by pulsed laser deposition | |
| CN104046950A (zh) | 高透过减反射防刮伤超硬玻璃及其制备方法 | |
| WO2015199624A1 (en) | A graphene based emi shielding optical coating | |
| US10966287B2 (en) | High-temperature nanocomposite emitting film, method for fabricating the same and its application | |
| Imran et al. | Influence of metal electrodes on c‐axis orientation of AlN thin films deposited by DC magnetron sputtering | |
| Ajenifuja et al. | Rutherford backscattering spectroscopy and structural analysis of DC reactive magnetron sputtered titanium nitride thin films on glass substrates | |
| KR102101645B1 (ko) | 자동 온도 적응형 열감지 차단 코팅 박막 및 이의 제조 방법 | |
| Surjith et al. | Microwave dielectric properties of low temperature sinterable RE 2 Mo 4 O 15 (RE= Nd, Sm) ceramics for LTCC applications | |
| Shiraishi et al. | Characterization of (111)-oriented epitaxial (K0. 5Na0. 5) NbO3 thick films deposited by hydrothermal method | |
| Maurya et al. | Giant enhancement of plasmonic response and epsilon-near-zero signature in refractory transition metals (Ta, W, and Mo) deposited at high-temperature | |
| Babych et al. | Film coatings that are transparent in the visible spectral region with shielding properties in the microwave range | |
| CN105018882B (zh) | 一种铝掺氧化锌透明导电薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |