JPH1013082A - 電磁波吸収体 - Google Patents
電磁波吸収体Info
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- JPH1013082A JPH1013082A JP8167698A JP16769896A JPH1013082A JP H1013082 A JPH1013082 A JP H1013082A JP 8167698 A JP8167698 A JP 8167698A JP 16769896 A JP16769896 A JP 16769896A JP H1013082 A JPH1013082 A JP H1013082A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギガヘルツ帯の高周波に対するＥＭＣ・
ＥＭＩ対策として利用可能な、薄型の電磁波吸収体を提
供する。 【解決手段】 有機高分子からなる誘電体層の一方の表
面上に抵抗皮膜として金属酸化物、金属窒化物又はこれ
らの混合物のいずれかからなる薄膜を形成、その反対側
の表面に反射層として金属層を形成した電磁波吸収体。
ＥＭＩ対策として利用可能な、薄型の電磁波吸収体を提
供する。 【解決手段】 有機高分子からなる誘電体層の一方の表
面上に抵抗皮膜として金属酸化物、金属窒化物又はこれ
らの混合物のいずれかからなる薄膜を形成、その反対側
の表面に反射層として金属層を形成した電磁波吸収体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はギガヘルツ帯の高周
波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電磁波
吸収体に関する。
波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電磁波
吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電波利用が進むにつれ電波障害、
電子機器の誤動作などの問題が表面化してきている。こ
れらの問題解決のために、薄型の電磁波吸収体が利用さ
れ、効果を挙げている。ここで利用される電磁波吸収体
として、たとえば、フェライト、金属、カーボンなど
の導電性フィラーを有機高分子材料の成型体に練り混
み、分散配合して構成された吸収体、導電性繊維を一
定間隔で格子状に配列して抵抗皮膜を構成した吸収体、
ポリエチレン発泡体、塩化ビニール樹脂板、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂板、ポリカーボネート樹脂板など
を誘電体層とし、その表面に導電体層を有した吸収体な
どが提案されている。
電子機器の誤動作などの問題が表面化してきている。こ
れらの問題解決のために、薄型の電磁波吸収体が利用さ
れ、効果を挙げている。ここで利用される電磁波吸収体
として、たとえば、フェライト、金属、カーボンなど
の導電性フィラーを有機高分子材料の成型体に練り混
み、分散配合して構成された吸収体、導電性繊維を一
定間隔で格子状に配列して抵抗皮膜を構成した吸収体、
ポリエチレン発泡体、塩化ビニール樹脂板、ポリメチ
ルメタクリレート樹脂板、ポリカーボネート樹脂板など
を誘電体層とし、その表面に導電体層を有した吸収体な
どが提案されている。
【０００３】しかしながら、前述した吸収体について
は、フィラーの分散状態、膜厚のバラツキにより短波長
領域では電波吸収性能が低下する問題を有している。
は、フィラーの分散状態、膜厚のバラツキにより短波長
領域では電波吸収性能が低下する問題を有している。
【０００４】また吸収体については、短波長に対する
ためには格子間隔を密にする必要があり、コストの上昇
を招く欠点を有している。
ためには格子間隔を密にする必要があり、コストの上昇
を招く欠点を有している。
【０００５】吸収体については、誘電体の比誘電率が
小さいため、誘電体の膜厚を厚くする必要があり、薄型
の電磁波吸収体とすることは不可能である。
小さいため、誘電体の膜厚を厚くする必要があり、薄型
の電磁波吸収体とすることは不可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、この
ような問題を解決し、短波長領域においても電波の吸収
特性が低下しない、薄型の電磁波吸収体を提供すること
にある。
ような問題を解決し、短波長領域においても電波の吸収
特性が低下しない、薄型の電磁波吸収体を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明者は鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。
め、本発明者は鋭意検討を行った結果、本発明を完成す
るに至った。
【０００８】本発明の電磁波吸収体は、金属アクリレー
ト及び金属メタクリレートの少なくとも一方を含む共重
合樹脂組成物、又は、電界によりポーリング処理を施し
たアクリロニトリル若しくはメタクリロニトリルポリマ
ーおよびその共重合体からなる誘電体層の一方の表面上
に抵抗皮膜として金属酸化物、金属窒化物又はこれらの
混合物のいずれかからなる薄膜を形成し、その反対側の
表面上に反射層として金属層を形成したものである。
ト及び金属メタクリレートの少なくとも一方を含む共重
合樹脂組成物、又は、電界によりポーリング処理を施し
たアクリロニトリル若しくはメタクリロニトリルポリマ
ーおよびその共重合体からなる誘電体層の一方の表面上
に抵抗皮膜として金属酸化物、金属窒化物又はこれらの
混合物のいずれかからなる薄膜を形成し、その反対側の
表面上に反射層として金属層を形成したものである。
【０００９】本発明において有機高分子材料として共重
合に使用される金属アクリレートまたは金属メタクリレ
ートとしては、亜鉛、銅、銀、鉄、ニッケル、コバル
ト、マンガン、マグネシウム、鉛、アルミニウム、カル
シウム、ストロンチウム、バリウム、ガリウム、イトッ
リウム、インジウム、ランタン、ネオジム、ユウロピウ
ム、ホルミウム、ガドリニウム、イッテルビウム、タリ
ウム、ルテニウム、バナジウム、ニオブ、ルテチウム、
プラセオジム、エルビウム等のアクリル酸塩又はメタク
リル酸塩を例示できる。
合に使用される金属アクリレートまたは金属メタクリレ
ートとしては、亜鉛、銅、銀、鉄、ニッケル、コバル
ト、マンガン、マグネシウム、鉛、アルミニウム、カル
シウム、ストロンチウム、バリウム、ガリウム、イトッ
リウム、インジウム、ランタン、ネオジム、ユウロピウ
ム、ホルミウム、ガドリニウム、イッテルビウム、タリ
ウム、ルテニウム、バナジウム、ニオブ、ルテチウム、
プラセオジム、エルビウム等のアクリル酸塩又はメタク
リル酸塩を例示できる。
【００１０】さらに上記金属アクリレート又は金属メタ
クリレートと共重合可能な化合物として、アクリル酸メ
チルなどのアクリル酸エステル化合物、メタクリル酸メ
チルなどのメタクリル酸エステル化合物、エチレン、プ
ロピレン、などのオレフィン類、スチレンなどの不飽和
結合を有する芳香族化合物、塩化ビニル、アクリロニト
リル、酢酸ビニルなどのビニル化合物を例示することが
できる。
クリレートと共重合可能な化合物として、アクリル酸メ
チルなどのアクリル酸エステル化合物、メタクリル酸メ
チルなどのメタクリル酸エステル化合物、エチレン、プ
ロピレン、などのオレフィン類、スチレンなどの不飽和
結合を有する芳香族化合物、塩化ビニル、アクリロニト
リル、酢酸ビニルなどのビニル化合物を例示することが
できる。
【００１１】金属アクリレート化合物あるいは金属メタ
クリレート化合物を共重合することにより、有機高分子
フィルムの比誘電率を大きくすることができ、その結
果、誘電体層の膜厚を薄くすることが可能である。
クリレート化合物を共重合することにより、有機高分子
フィルムの比誘電率を大きくすることができ、その結
果、誘電体層の膜厚を薄くすることが可能である。
【００１２】上記共重合樹脂組成物において金属アクリ
レートあるいは金属メタクリレートの共重合組成比は特
に限定されないが、共重合樹脂組成物の比誘電率の向上
効果を十分に得ることができ、かつ、共重合樹脂組成物
の機械的強度及び化学的安定性を維持するために、５重
量％以上５０重量％以下が好ましい。
レートあるいは金属メタクリレートの共重合組成比は特
に限定されないが、共重合樹脂組成物の比誘電率の向上
効果を十分に得ることができ、かつ、共重合樹脂組成物
の機械的強度及び化学的安定性を維持するために、５重
量％以上５０重量％以下が好ましい。
【００１３】また、本発明において誘電体層として使用
されるアクリロニトリルあるいはメタクリロニトリルと
共重合可能な化合物として、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチルなどのアクリル酸エステル化合物、メタクリ
ル酸メチル、メタクリル酸エチルなどのメタクリル酸エ
ステル化合物、エチレン、プロピレン、ブタジエンなど
のオレフィン類、スチレンなどの不飽和結合を有する芳
香族化合物、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルエーテル
などのビニル化合物を例示することができる。
されるアクリロニトリルあるいはメタクリロニトリルと
共重合可能な化合物として、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチルなどのアクリル酸エステル化合物、メタクリ
ル酸メチル、メタクリル酸エチルなどのメタクリル酸エ
ステル化合物、エチレン、プロピレン、ブタジエンなど
のオレフィン類、スチレンなどの不飽和結合を有する芳
香族化合物、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルエーテル
などのビニル化合物を例示することができる。
【００１４】上記のアクリロニトリルポリマー、メタク
リロニトリルポリマー、アクリロニトリル及びメタクリ
ロニトリルの少なくとも一方を含む共重合体又はそれら
を少なくとも２種以上含む混合体は、電界により分子の
配向を制御し、一方向にそろえるポーリング処理を施す
ことにより、その比誘電率を増大することが可能であ
り、その結果、上記高分子材料を誘電体層とする電磁波
吸収体の膜厚を薄くすることが可能である。
リロニトリルポリマー、アクリロニトリル及びメタクリ
ロニトリルの少なくとも一方を含む共重合体又はそれら
を少なくとも２種以上含む混合体は、電界により分子の
配向を制御し、一方向にそろえるポーリング処理を施す
ことにより、その比誘電率を増大することが可能であ
り、その結果、上記高分子材料を誘電体層とする電磁波
吸収体の膜厚を薄くすることが可能である。
【００１５】誘電体層の一方の表面上に形成する抵抗皮
膜は、金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混合物のい
ずれかからなる薄膜であれば良いが、ＩＴＯ（酸化イン
ジウム／酸化スズ）、酸化インジウム、酸化スズ、酸化
亜鉛又は窒化チタンのいずれかからなる薄膜であること
が好ましい。この抵抗皮膜の膜厚は、皮膜の抵抗値が高
くなりすぎず、かつ、良好な生産性を維持するために、
０．００１μｍ以上０．２μｍ以下であることが好まし
く、０．００２μｍ以上０．１μｍ以下であることがさ
らに好ましい。この抵抗皮膜の形成には、通常の薄膜形
成方法が使用可能であるが、イオンプレーティング法、
蒸着法又はスパッタリング法のいずれかの方法により形
成することが好ましい。
膜は、金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混合物のい
ずれかからなる薄膜であれば良いが、ＩＴＯ（酸化イン
ジウム／酸化スズ）、酸化インジウム、酸化スズ、酸化
亜鉛又は窒化チタンのいずれかからなる薄膜であること
が好ましい。この抵抗皮膜の膜厚は、皮膜の抵抗値が高
くなりすぎず、かつ、良好な生産性を維持するために、
０．００１μｍ以上０．２μｍ以下であることが好まし
く、０．００２μｍ以上０．１μｍ以下であることがさ
らに好ましい。この抵抗皮膜の形成には、通常の薄膜形
成方法が使用可能であるが、イオンプレーティング法、
蒸着法又はスパッタリング法のいずれかの方法により形
成することが好ましい。
【００１６】誘電体層の抵抗皮膜を形成していない面に
積層される金属としては、アルミニウム、銅、鉄、金、
銀、ニッケルなどの金属及び合金など、電磁波を反射で
きる金属であれば任意に使用できる。この金属層の形成
方法は、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタリ
ング法など、通常の薄膜形成方法であればなんら制限さ
れることなく使用可能である。この金属層の膜厚は、電
磁波の反射能が十分であり、かつ、良好な生産性を維持
するために、０．０１μｍ以上２００μｍ以下であるこ
とが好ましく、０．０２μｍ以上１５０μｍ以下である
ことがさらに好ましい。
積層される金属としては、アルミニウム、銅、鉄、金、
銀、ニッケルなどの金属及び合金など、電磁波を反射で
きる金属であれば任意に使用できる。この金属層の形成
方法は、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタリ
ング法など、通常の薄膜形成方法であればなんら制限さ
れることなく使用可能である。この金属層の膜厚は、電
磁波の反射能が十分であり、かつ、良好な生産性を維持
するために、０．０１μｍ以上２００μｍ以下であるこ
とが好ましく、０．０２μｍ以上１５０μｍ以下である
ことがさらに好ましい。
【００１７】誘電体層の表面上に形成された抵抗皮膜及
び金属層の表面には、電磁波吸収体の取り扱い時に擦れ
により傷ついたりあるいは長時間放置することにより金
属の腐食等が進行し、電磁波吸収体の特性劣化を招くこ
とのないように、有機高分子フィルム若しくはシートに
よりラミネートするか又は有機塗料によりコーティング
するなどの方法で有機保護膜を形成することが好まし
い。本発明における保護膜の厚さは、十分な保護能を得
るために０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ
以上であることがさらに好ましい。
び金属層の表面には、電磁波吸収体の取り扱い時に擦れ
により傷ついたりあるいは長時間放置することにより金
属の腐食等が進行し、電磁波吸収体の特性劣化を招くこ
とのないように、有機高分子フィルム若しくはシートに
よりラミネートするか又は有機塗料によりコーティング
するなどの方法で有機保護膜を形成することが好まし
い。本発明における保護膜の厚さは、十分な保護能を得
るために０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ
以上であることがさらに好ましい。
【００１８】以上のように、金属アクリレート及び金属
メタクリレートの少なくとも一方を含む共重合樹脂組成
物、又は、電界によりポーリング処理を施した、アクリ
ロニトリルポリマー、メタクリロニトリルポリマー、ア
クリロニトリル及びメタクリロニトリルの少なくとも一
方を含む共重合体若しくはそれらを少なくとも２種以上
含む混合体を誘電体層とし、その一方の表面に抵抗皮膜
を有し、その反対側の面に金属層からなる反射層を有
し、さらにその抵抗皮膜及び金属層の表面を有機保護膜
で保護する積層構造とすることにより、薄型の電磁波吸
収体を提供することができる。
メタクリレートの少なくとも一方を含む共重合樹脂組成
物、又は、電界によりポーリング処理を施した、アクリ
ロニトリルポリマー、メタクリロニトリルポリマー、ア
クリロニトリル及びメタクリロニトリルの少なくとも一
方を含む共重合体若しくはそれらを少なくとも２種以上
含む混合体を誘電体層とし、その一方の表面に抵抗皮膜
を有し、その反対側の面に金属層からなる反射層を有
し、さらにその抵抗皮膜及び金属層の表面を有機保護膜
で保護する積層構造とすることにより、薄型の電磁波吸
収体を提供することができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもので
はない。
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもので
はない。
【００２０】（実施例１）鉛ジメタクリレート１０重量
％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、厚
さ２．８ｍｍのシートを作製した。
％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、厚
さ２．８ｍｍのシートを作製した。
【００２１】この共重合樹脂シートの一方の表面に反射
層としてアルミニウムを６０μｍ積層し、その反対側の
表面にスパッタリング法によりＩＴＯを２８０オングス
トローム積層した。
層としてアルミニウムを６０μｍ積層し、その反対側の
表面にスパッタリング法によりＩＴＯを２８０オングス
トローム積層した。
【００２２】ついで、抵抗皮膜及び金属層を保護する目
的でサラン樹脂８０μｍで上記積層シートをラミネート
し、電磁波吸収体を作製した。
的でサラン樹脂８０μｍで上記積層シートをラミネート
し、電磁波吸収体を作製した。
【００２３】図１に本実施例１の電磁波吸収体の断面構
造を示す模式図を示す。
造を示す模式図を示す。
【００２４】このようにして形成した積層シートを図２
に示す測定系の密閉箱の窓にセットし、周波数−吸収特
性を測定した。
に示す測定系の密閉箱の窓にセットし、周波数−吸収特
性を測定した。
【００２５】図３に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。なお、被測定電磁波吸収体の有
無による近磁界プローブで検出される信号レベルの差を
とって、透過減衰量としている。
Ｂ）の測定結果を示す。なお、被測定電磁波吸収体の有
無による近磁界プローブで検出される信号レベルの差を
とって、透過減衰量としている。
【００２６】（実施例２）鉛ジメタクリレート２５重量
％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、厚
さ１．５ｍｍのシートを作製した。
％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、厚
さ１．５ｍｍのシートを作製した。
【００２７】この共重合樹脂シートに実施例１と同様に
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
【００２８】このようにして形成した積層シートを使用
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
【００２９】図４に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。
Ｂ）の測定結果を示す。
【００３０】（実施例３）亜鉛ジメタクリレート２５重
量％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、
厚さ１．５ｍｍのシートを作製した。
量％を含有するメチルメタクリレート共重合体を用い、
厚さ１．５ｍｍのシートを作製した。
【００３１】この共重合樹脂シートに実施例１と同様に
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
【００３２】このようにして形成した積層シートを使用
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
【００３３】図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。
Ｂ）の測定結果を示す。
【００３４】（実施例４）共重合体組成比４０／６０の
アクリロニトリル−スチレン共重合体を厚さ２．８ｍｍ
のシート状に成型し、この成型体を電極板で挟み込み、
１２０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を印加しながら
徐々に冷却することによりポーリング処理を行った。
アクリロニトリル−スチレン共重合体を厚さ２．８ｍｍ
のシート状に成型し、この成型体を電極板で挟み込み、
１２０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を印加しながら
徐々に冷却することによりポーリング処理を行った。
【００３５】この共重合樹脂シートに実施例１と同様に
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
【００３６】このようにして形成した積層シートを使用
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
【００３７】図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。
Ｂ）の測定結果を示す。
【００３８】（実施例５）アクリロニトリル重合体を厚
さ１．５ｍｍのシート状に成型し、この成型体を電極板
で挟み込み、１１０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を
印加しながら徐々に冷却することによりポーリング処理
を行った。
さ１．５ｍｍのシート状に成型し、この成型体を電極板
で挟み込み、１１０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を
印加しながら徐々に冷却することによりポーリング処理
を行った。
【００３９】この共重合樹脂シートに実施例１と同様に
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
【００４０】このようにして形成した積層シートを使用
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
【００４１】図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。
Ｂ）の測定結果を示す。
【００４２】（実施例６）共重合体組成比６５／３５の
メタクリロニトリル−スチレン共重合体を厚さ３．０ｍ
ｍのシート状に成型し、この成型体を電極板で挟み込
み、１３０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を印加しな
がら徐々に冷却することによりポーリング処理を行っ
た。
メタクリロニトリル−スチレン共重合体を厚さ３．０ｍ
ｍのシート状に成型し、この成型体を電極板で挟み込
み、１３０℃に加熱しながら３００Ｖの電界を印加しな
がら徐々に冷却することによりポーリング処理を行っ
た。
【００４３】この共重合樹脂シートに実施例１と同様に
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
アルミニウム及びＩＴＯを積層し、ついで、抵抗皮膜及
び金属層を保護するサラン樹脂をラミネートし、電磁波
吸収体を作製した。
【００４４】このようにして形成した積層シートを使用
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
し実施例１と同様に、周波数−吸収特性を測定した。
【００４５】図８に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示す。
Ｂ）の測定結果を示す。
【００４６】
【発明の効果】本発明に示すように、金属アクリレート
及び金属メタクリレートの少なくとも一方を含有した比
誘電率の高い有機高分子、又は、電界によりポーリング
処理を施した、アクリロニトリル若しくはメタクリロニ
トリルポリマー及び／又はそれらの少なくとも一方を含
む共重合体を誘電体層に使用し、その一方の表面に抵抗
皮膜を積層し、その反対側の表面に反射層として金属層
を積層することにより、従来の電磁波吸収体と比較して
薄型の電磁波吸収体を提供できる。
及び金属メタクリレートの少なくとも一方を含有した比
誘電率の高い有機高分子、又は、電界によりポーリング
処理を施した、アクリロニトリル若しくはメタクリロニ
トリルポリマー及び／又はそれらの少なくとも一方を含
む共重合体を誘電体層に使用し、その一方の表面に抵抗
皮膜を積層し、その反対側の表面に反射層として金属層
を積層することにより、従来の電磁波吸収体と比較して
薄型の電磁波吸収体を提供できる。
【図１】本発明の電磁波吸収体の断面構造を示す模式図
である。
である。
【図２】実施例で使用した電磁波吸収特性の測定系を示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】本発明の実施例１の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例２の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の実施例３の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図６】本発明の実施例４の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図７】本発明の実施例５の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図８】本発明の実施例６の周波数（ＧＨｚ）−透過減
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
１ ・・・誘電体層 ２ ・・・抵抗皮膜 ３ ・・・反射層 ４、５・・・有機保護膜 ６ ・・・スペクトラムアナライザー ７ ・・・増幅器 ８ ・・・近磁界プローブ ９ ・・・トラッキングジェネレーター １０ ・・・磁界発生源アンテナ １１ ・・・被測定電磁波吸収体 １２ ・・・被試験密閉箱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ３２Ｂ 27/30 Ｂ３２Ｂ 27/30 Ａ Ｈ０１Ｑ 17/00 Ｈ０１Ｑ 17/00
Claims (6)
- 【請求項１】 金属アクリレート及び／又は金属メタク
リレートを含む共重合樹脂組成物からなる誘電体層の一
方の表面上に抵抗皮膜として金属酸化物、金属窒化物又
はこれらの混合物のいずれかからなる薄膜を形成し、そ
の反対側の表面上に反射層として金属層を形成したこと
を特徴とする電磁波吸収体。 - 【請求項２】 電界によりポーリング処理を施したアク
リロニトリルあるいはメタクリロニトリルポリマーおよ
びその共重合体からなる誘電体層の一方の表面上に抵抗
皮膜として金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混合物
のいずれかからなる薄膜を形成し、その反対側の表面上
に反射層として金属層を形成したことを特徴とする電磁
波吸収体。 - 【請求項３】 抵抗皮膜がＩＴＯ（酸化インジウム／酸
化スズ）、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛又は窒
化チタンのいずれかからなり、その膜厚が０．００１μ
ｍ以上０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１
又は請求項２記載の電磁波吸収体。 - 【請求項４】 抵抗皮膜をイオンプレーティング法、蒸
着法又はスパッタリング法のいずれかの方法により形成
したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の電磁波吸収体。 - 【請求項５】 誘電体層の抵抗皮膜を形成していない側
の面の表面に形成した金属層の膜厚が０．０１μｍ以上
２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項に記載の電磁波吸収体。 - 【請求項６】 抵抗皮膜の表面に有機高分子フィルム、
有機高分子シート又は有機塗膜のいずれかからなる保護
膜を装着したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項に記載の電磁波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167698A JPH1013082A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 電磁波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167698A JPH1013082A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 電磁波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1013082A true JPH1013082A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15854571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167698A Pending JPH1013082A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 電磁波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1013082A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3267775A4 (en) * | 2015-12-14 | 2018-01-24 | Nitto Denko Corporation | Electromagnetic wave absorber and molded article provided with said electromagnetic wave absorber |
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-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167698A patent/JPH1013082A/ja active Pending
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| US11806980B2 (en) | 2017-06-13 | 2023-11-07 | Nitto Denko Corporation | Electromagnetic wave absorber and electromagnetic wave absorber-attached molded article |
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| A02 | Decision of refusal |
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