JPH09223889A - 電磁波吸収体 - Google Patents
電磁波吸収体Info
- Publication number
- JPH09223889A JPH09223889A JP8026696A JP2669696A JPH09223889A JP H09223889 A JPH09223889 A JP H09223889A JP 8026696 A JP8026696 A JP 8026696A JP 2669696 A JP2669696 A JP 2669696A JP H09223889 A JPH09223889 A JP H09223889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electromagnetic wave
- wave absorber
- dielectric layer
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギガヘルツ帯の高周波に対するＥＭＣ・
ＥＭＩ対策として利用される電磁波吸収体に関するもの
であり、シアン化ビニリデン又はその共重合体からなる
薄型の電磁波吸収体を提供する。 【解決手段】 シアン化ビニリデン又はその共重合体を
誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵
抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混
合物をイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等により
作成した薄膜を用いてなることを特徴とする電磁波吸収
体を使用する。
ＥＭＩ対策として利用される電磁波吸収体に関するもの
であり、シアン化ビニリデン又はその共重合体からなる
薄型の電磁波吸収体を提供する。 【解決手段】 シアン化ビニリデン又はその共重合体を
誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵
抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混
合物をイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等により
作成した薄膜を用いてなることを特徴とする電磁波吸収
体を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はギガヘルツ帯の高周
波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電磁波
吸収体に関するものであり、シアン化ビニリデン又はそ
の共重合体からなる電磁波吸収体に関するものである。
波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電磁波
吸収体に関するものであり、シアン化ビニリデン又はそ
の共重合体からなる電磁波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電磁波利用が進むにつれ電磁波障
害、電子機器の誤動作等の問題が表面化してきている。
これらの問題解決のために、薄型の電磁波吸収体が利用
され、効果を挙げている。ここで利用される電磁波吸収
体として、例えば、フェライト、金属、カーボン等の
導電性フィラーを有機高分子材料の成型体に練り混み、
分散配合して構成された吸収体、導電性繊維を一定間
隔で格子状に配列して抵抗皮膜を構成した吸収体、ポ
リエチレン発泡体、塩化ビニール樹脂板、ポリメチルメ
タクリレート樹脂板、ポリカーボネート樹脂板等を誘電
体層とし、その表面に導電体層を有した吸収体等が提案
されている。
害、電子機器の誤動作等の問題が表面化してきている。
これらの問題解決のために、薄型の電磁波吸収体が利用
され、効果を挙げている。ここで利用される電磁波吸収
体として、例えば、フェライト、金属、カーボン等の
導電性フィラーを有機高分子材料の成型体に練り混み、
分散配合して構成された吸収体、導電性繊維を一定間
隔で格子状に配列して抵抗皮膜を構成した吸収体、ポ
リエチレン発泡体、塩化ビニール樹脂板、ポリメチルメ
タクリレート樹脂板、ポリカーボネート樹脂板等を誘電
体層とし、その表面に導電体層を有した吸収体等が提案
されている。
【０００３】しかしながら、前述した吸収体について
は、フィラーの分散状態、膜厚のバラツキにより短波長
領域では電磁波吸収性能が低下する問題を有している。
また吸収体については、短波長に対するためには格子
間隔を密にする必要があり、コストの上昇を招く欠点を
有している。吸収体については、誘電体の比誘電率が
小さいため、誘電体の膜厚を厚くする必要があり、薄型
の電磁波吸収体とすることは不可能である。
は、フィラーの分散状態、膜厚のバラツキにより短波長
領域では電磁波吸収性能が低下する問題を有している。
また吸収体については、短波長に対するためには格子
間隔を密にする必要があり、コストの上昇を招く欠点を
有している。吸収体については、誘電体の比誘電率が
小さいため、誘電体の膜厚を厚くする必要があり、薄型
の電磁波吸収体とすることは不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ような問題を解決し、短波長領域においても電磁波の吸
収特性が低下しない、従来より薄型の電磁波吸収体を提
供することにある。
ような問題を解決し、短波長領域においても電磁波の吸
収特性が低下しない、従来より薄型の電磁波吸収体を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な背景のもと鋭意検討を行った結果、シアン化ビニリデ
ン又はその共重合体を電磁波吸収体の誘電体層として用
いることを見出し、本発明を完成するに至った。
な背景のもと鋭意検討を行った結果、シアン化ビニリデ
ン又はその共重合体を電磁波吸収体の誘電体層として用
いることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００７】本発明は、シアン化ビニリデン又はその共
重合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表
面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物又はこ
れらの混合物をイオンプレーティング、蒸着、スパッタ
等により作成した薄膜を用いてなることを特徴とする電
磁波吸収体である。
重合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表
面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物又はこ
れらの混合物をイオンプレーティング、蒸着、スパッタ
等により作成した薄膜を用いてなることを特徴とする電
磁波吸収体である。
【０００８】本発明において誘電体層として用いられる
シアン化ビニリデン又はその共重合体は、通常の方法に
より得られるものであれば、特に限定するものではな
い。シアン化ビニリデン共重合体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等のオレフィン類、スチレン等の不
飽和結合を有する芳香族化合物、塩化ビニル、アクリロ
ニトリル、酢酸ビニル等のビニル化合物、アクリル酸メ
チル等のアクリル酸エステル化合物、メタクリル酸メチ
ル等のメタクリル酸エステル化合物、４−フッ化エチレ
ン、３−フッ化エチレン、フッ化ビニリデン等のフッ素
化オレフィン類等、シアン化ビニリデンと共重合可能な
化合物との重合体であれば特に限定されない。
シアン化ビニリデン又はその共重合体は、通常の方法に
より得られるものであれば、特に限定するものではな
い。シアン化ビニリデン共重合体としては、例えば、エ
チレン、プロピレン等のオレフィン類、スチレン等の不
飽和結合を有する芳香族化合物、塩化ビニル、アクリロ
ニトリル、酢酸ビニル等のビニル化合物、アクリル酸メ
チル等のアクリル酸エステル化合物、メタクリル酸メチ
ル等のメタクリル酸エステル化合物、４−フッ化エチレ
ン、３−フッ化エチレン、フッ化ビニリデン等のフッ素
化オレフィン類等、シアン化ビニリデンと共重合可能な
化合物との重合体であれば特に限定されない。
【０００９】本発明に用いるシアン化ビニリデン又はそ
の共重合体の加工方法は、通常の加工方法により得られ
るものであれば特に限定されるものではなく、例えば、
カレンダー成形、押出成形、キャスト成形等により、目
的とする成形物、例えば、シート、フィルム、板等に成
形すれば良い。従来より薄型の電磁波吸収体を得るため
には、例えば、シート、フィルム等を用いれば誘電体層
の厚さを薄くすることが可能になるので好ましい。電磁
波吸収性能と薄型であることを考慮すると、誘電体層の
比誘電率が１０〜１０００であることが好ましい。
の共重合体の加工方法は、通常の加工方法により得られ
るものであれば特に限定されるものではなく、例えば、
カレンダー成形、押出成形、キャスト成形等により、目
的とする成形物、例えば、シート、フィルム、板等に成
形すれば良い。従来より薄型の電磁波吸収体を得るため
には、例えば、シート、フィルム等を用いれば誘電体層
の厚さを薄くすることが可能になるので好ましい。電磁
波吸収性能と薄型であることを考慮すると、誘電体層の
比誘電率が１０〜１０００であることが好ましい。
【００１０】シアン化ビニリデン又はその共重合体は、
ポーリング処理により、さらにその比誘電率を向上でき
る。ポーリング処理とは、電圧を印加することにより、
ポリマーを構成している分子の双極子モーメントの配向
を制御する方法であり、本発明においては、ポーリング
処理を実施したポリマー成形品を使用してもなんら問題
はない。
ポーリング処理により、さらにその比誘電率を向上でき
る。ポーリング処理とは、電圧を印加することにより、
ポリマーを構成している分子の双極子モーメントの配向
を制御する方法であり、本発明においては、ポーリング
処理を実施したポリマー成形品を使用してもなんら問題
はない。
【００１１】本発明において、誘電体層の少なくとも片
表面上に形成する抵抗皮膜材料としては、金属酸化物、
金属窒化物については特に限定されないが、例えば、Ｉ
ＴＯ（酸化インジュウム／酸化スズ）、酸化インジュウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛、窒化チタンが好ましい。この
抵抗皮膜の形成方法は、通常の薄膜形成方法であればな
んら制限されることなく、例えば、イオンプレーティン
グ法、蒸着法、スパッタ法等使用可能である。この抵抗
皮膜の膜厚は、皮膜の抵抗、電磁波吸収体特性の維持等
から０．００１μｍ〜０．２μｍが好ましい。さらに好
ましくは、生産性、経済性等から０．００２μｍ〜０．
１μｍである。本発明では、この抵抗皮膜は誘電体層の
少なくとも片表面上に形成すれば良く、両面に形成して
も何等問題はない。抵抗皮膜を誘電体層の両面に形成し
た場合、透明な電磁波吸収体を得ることが可能である。
表面上に形成する抵抗皮膜材料としては、金属酸化物、
金属窒化物については特に限定されないが、例えば、Ｉ
ＴＯ（酸化インジュウム／酸化スズ）、酸化インジュウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛、窒化チタンが好ましい。この
抵抗皮膜の形成方法は、通常の薄膜形成方法であればな
んら制限されることなく、例えば、イオンプレーティン
グ法、蒸着法、スパッタ法等使用可能である。この抵抗
皮膜の膜厚は、皮膜の抵抗、電磁波吸収体特性の維持等
から０．００１μｍ〜０．２μｍが好ましい。さらに好
ましくは、生産性、経済性等から０．００２μｍ〜０．
１μｍである。本発明では、この抵抗皮膜は誘電体層の
少なくとも片表面上に形成すれば良く、両面に形成して
も何等問題はない。抵抗皮膜を誘電体層の両面に形成し
た場合、透明な電磁波吸収体を得ることが可能である。
【００１２】本発明において抵抗皮膜を形成していない
面に積層される金属としては、例えば、アルミニウム、
銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等、電磁波
を反射できる金属であれば特に限定するものではない。
この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方法であれば
なんら制限されることなく、例えば、イオンプレーティ
ング法、蒸着法、スパッタ法等使用可能であり、この金
属層の積層膜厚は、電磁波の反射能、生産性、経済性等
から０．０１μｍ〜２００μｍが好ましく、さらに好ま
しくは、０．０２μｍ〜１５０μｍである。
面に積層される金属としては、例えば、アルミニウム、
銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等、電磁波
を反射できる金属であれば特に限定するものではない。
この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方法であれば
なんら制限されることなく、例えば、イオンプレーティ
ング法、蒸着法、スパッタ法等使用可能であり、この金
属層の積層膜厚は、電磁波の反射能、生産性、経済性等
から０．０１μｍ〜２００μｍが好ましく、さらに好ま
しくは、０．０２μｍ〜１５０μｍである。
【００１３】本発明における誘電体層の抵抗皮膜及び裏
面の金属層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシー
トによりラミネート等するか又は有機塗料等によりコー
ティングする等の方法で保護膜を形成することが好まし
い。本保護膜がない場合、電磁波吸収体の取り扱い時に
擦れにより傷ついたりあるいは長期間放置することによ
り金属の腐食等が進行し、電磁波吸収体の特性劣化を招
く恐れがある。本発明における保護膜は、物理的擦傷や
腐食に対する保護能等から０．５μｍ〜５ｍｍの膜厚が
好ましく、さらに好ましくは１μｍ〜５ｍｍの膜厚がそ
の保護能を発揮するためには好ましい。保護膜として用
いる有機高分子としては、特に限定するものではなく、
例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、酢酸ビニ
ル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・スチレン共重合
体）等が挙げられ、特に限定するものではなく、例え
ば、カレンダー成形、押出成形、キャスト成形等により
フィルム又はシートにすればよい。また、有機塗料とし
ては、特に限定するものではなく、例えば、フェノール
樹脂塗料、塩化ビニル樹脂塗料、ブチラール樹脂塗料、
スチレンブタジエン樹脂塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗
料、エポキシ樹脂塗料、ポリウレタン樹脂塗料等が挙げ
られる。
面の金属層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシー
トによりラミネート等するか又は有機塗料等によりコー
ティングする等の方法で保護膜を形成することが好まし
い。本保護膜がない場合、電磁波吸収体の取り扱い時に
擦れにより傷ついたりあるいは長期間放置することによ
り金属の腐食等が進行し、電磁波吸収体の特性劣化を招
く恐れがある。本発明における保護膜は、物理的擦傷や
腐食に対する保護能等から０．５μｍ〜５ｍｍの膜厚が
好ましく、さらに好ましくは１μｍ〜５ｍｍの膜厚がそ
の保護能を発揮するためには好ましい。保護膜として用
いる有機高分子としては、特に限定するものではなく、
例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、酢酸ビニ
ル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・スチレン共重合
体）等が挙げられ、特に限定するものではなく、例え
ば、カレンダー成形、押出成形、キャスト成形等により
フィルム又はシートにすればよい。また、有機塗料とし
ては、特に限定するものではなく、例えば、フェノール
樹脂塗料、塩化ビニル樹脂塗料、ブチラール樹脂塗料、
スチレンブタジエン樹脂塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗
料、エポキシ樹脂塗料、ポリウレタン樹脂塗料等が挙げ
られる。
【００１４】本発明の電磁波吸収体は、以上のように、
シアン化ビニリデン又はその共重合体を誘電体層とし、
少なくとも片表面に抵抗皮膜を有し、さらにその両表面
を保護膜で保護する積層構造を有することにより、従来
より薄型の電磁波吸収体を提供することができる。
シアン化ビニリデン又はその共重合体を誘電体層とし、
少なくとも片表面に抵抗皮膜を有し、さらにその両表面
を保護膜で保護する積層構造を有することにより、従来
より薄型の電磁波吸収体を提供することができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもので
はない。
するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもので
はない。
【００１６】図１に本実施例の電磁波吸収体の断面の模
式図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵
抗皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
式図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵
抗皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
【００１７】実施例１ 膜厚１．５ｍｍのシアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートに蒸着法によりアルミニウム５０μ
ｍを積層し、反射層とし、反対面にスパッタリング法に
よりＩＴＯを２５０オングストローム積層した。次に、
抵抗皮膜及び金属層を保護する目的でサラン樹脂５０μ
ｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸収体を作
製した。
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートに蒸着法によりアルミニウム５０μ
ｍを積層し、反射層とし、反対面にスパッタリング法に
よりＩＴＯを２５０オングストローム積層した。次に、
抵抗皮膜及び金属層を保護する目的でサラン樹脂５０μ
ｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸収体を作
製した。
【００１８】このようにして形成した積層フィルムを密
閉箱の窓にセットし、周波数−吸収特性を測定した。こ
の測定は、図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７は増幅器、８は近磁界プロ
ーブ、９はトラッキング・ジェネレーター、１０は磁界
発生源アンテナ、１１は被測定電磁波吸収体、１２は被
試験密閉箱を夫々示す。図３に周波数（ＧＨｚ）と透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示した。被測定電磁波吸収
体の有無による近磁界プローブで検出される信号レベル
の差をとって、透過減衰量とした。この結果、良好な電
磁波吸収体が得られた。
閉箱の窓にセットし、周波数−吸収特性を測定した。こ
の測定は、図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７は増幅器、８は近磁界プロ
ーブ、９はトラッキング・ジェネレーター、１０は磁界
発生源アンテナ、１１は被測定電磁波吸収体、１２は被
試験密閉箱を夫々示す。図３に周波数（ＧＨｚ）と透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示した。被測定電磁波吸収
体の有無による近磁界プローブで検出される信号レベル
の差をとって、透過減衰量とした。この結果、良好な電
磁波吸収体が得られた。
【００１９】実施例２ 膜厚０．８ｍｍのシアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。実施例１と同じ抵抗皮膜及び金属層を積層し、
ついで抵抗皮膜及び金属層を保護する目的でサラン樹脂
５０μｍで上記積層シートをラミネートし、実施例１と
同様に電磁波吸収体を作製した。次に、実施例１と同様
に周波数−吸収特性を測定した。図４に周波数（ＧＨ
ｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の測定結果を示した。この結
果、良好な電磁波吸収体が得られた。
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。実施例１と同じ抵抗皮膜及び金属層を積層し、
ついで抵抗皮膜及び金属層を保護する目的でサラン樹脂
５０μｍで上記積層シートをラミネートし、実施例１と
同様に電磁波吸収体を作製した。次に、実施例１と同様
に周波数−吸収特性を測定した。図４に周波数（ＧＨ
ｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の測定結果を示した。この結
果、良好な電磁波吸収体が得られた。
【００２０】実施例３ 膜厚１．５ｍｍのシアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートの両面にスパッタリング法によりＩ
ＴＯを５００オングストローム積層した。
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートの両面にスパッタリング法によりＩ
ＴＯを５００オングストローム積層した。
【００２１】次に、抵抗皮膜を保護する目的でサラン樹
脂５０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸
収体を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収
特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の測定結果を示した。この結果、比較的透明で
良好な電磁波吸収体が得られた。
脂５０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸
収体を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収
特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の測定結果を示した。この結果、比較的透明で
良好な電磁波吸収体が得られた。
【００２２】実施例４ 膜厚０．８ｍｍのシアン化ビニリデン−酢酸ビニル共重
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートの両面にスパッタリング法によりＩ
ＴＯを５００オングストローム積層した。
合体（モル比１：１）シートを１７０℃、１ＭＶ／ｍの
条件でポーリングを実施した。この比誘電率は１１０で
あった。このシートの両面にスパッタリング法によりＩ
ＴＯを５００オングストローム積層した。
【００２３】次に、抵抗皮膜を保護する目的でサラン樹
脂５０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸
収体を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収
特性を測定した。図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の測定結果を示した。この結果、比較的透明で
良好な電磁波吸収体が得られた。
脂５０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸
収体を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収
特性を測定した。図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の測定結果を示した。この結果、比較的透明で
良好な電磁波吸収体が得られた。
【００２４】比較例１ 市販のポリメチルメタクリレートＰＭＭＡ板（厚さ：６
ｍｍ）を使用し、実施例１と同じ抵抗皮膜、金属層を積
層した。次に、抵抗皮膜を保護する目的でサラン樹脂５
０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸収体
を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収特性
を測定した。図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示した。この結果、満足する電磁波吸
収体が得られなかった。
ｍｍ）を使用し、実施例１と同じ抵抗皮膜、金属層を積
層した。次に、抵抗皮膜を保護する目的でサラン樹脂５
０μｍで上記積層シートをラミネートし、電磁波吸収体
を作製した。以下、実施例１と同様に周波数−吸収特性
を測定した。図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の測定結果を示した。この結果、満足する電磁波吸
収体が得られなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明に示すように、シアン化ビニリデ
ン又はその共重合体を誘電体層として使用することによ
り、従来の電磁波吸収体と比較して薄膜型の電磁波吸収
体を提供できる。
ン又はその共重合体を誘電体層として使用することによ
り、従来の電磁波吸収体と比較して薄膜型の電磁波吸収
体を提供できる。
【図１】電磁波吸収体の構造を示した模式図である。
【図２】電磁波測定機器を示した模式図である。
【図３】本発明の実施例１での周波数（ＧＨｚ）−透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例２での周波数（ＧＨｚ）−透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の実施例３での周波数（ＧＨｚ）−透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図６】本発明の実施例４での周波数（ＧＨｚ）−透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
【図７】本発明の比較例１での周波数（ＧＨｚ）−透過
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
減衰量（ｄＢ）の測定結果を示す図である。
１・・・シアン化ビニリデン又はその共重合体 ２・・・抵抗皮膜 ３・・・金属層又は抵抗皮膜 ４・・・保護膜 ５・・・保護膜 ６・・・スペクトラムアナライザー ７・・・増幅器 ８・・・近磁界プローブ ９・・・トラッキングジェネレーター １０・・・磁界発生源アンテナ １１・・・被測定電磁波吸収体 １２・・・被試験密閉箱
Claims (4)
- 【請求項１】シアン化ビニリデン又はその共重合体を誘
電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵抗
皮膜として、金属酸化物、金属窒化物又はこれらの混合
物をイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等により作
成した薄膜を用いてなることを特徴とする電磁波吸収
体。 - 【請求項２】抵抗皮膜がＩＴＯ（酸化インジュウム／酸
化スズ）、酸化インジュウム、酸化スズ、酸化亜鉛、窒
化チタンから選ばれたものであり、その膜厚が０．００
１μｍ〜０．２μｍであることを特徴とする請求項１記
載の電磁波吸収体。 - 【請求項３】抵抗皮膜を形成していない誘電体層の表面
に金属層を積層し、その膜厚が０．０１μｍ〜２００μ
ｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２いずれ
か記載の電磁波吸収体。 - 【請求項４】抵抗皮膜、金属層の表面の保護膜として、
有機高分子フィルム、有機高分子シート、有機塗膜から
選ばれたものであることを特徴とする請求項１〜請求項
３いずれか記載の電磁波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8026696A JPH09223889A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電磁波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8026696A JPH09223889A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電磁波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223889A true JPH09223889A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12200561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8026696A Pending JPH09223889A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電磁波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223889A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113161757A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-23 | 中国电子科技集团公司第三十三研究所 | 一种用于舰船观察窗的吸波屏蔽除雾石墨烯超材料 |
| CN113253368A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 西湖大学 | 一种宽波段薄膜高吸收体、制备方法及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244542A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-07 | Mitsubishi Oil Co Ltd | Electric wave absorber |
| JPH05114813A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JPH0784281A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sharp Corp | アクティブ素子 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP8026696A patent/JPH09223889A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244542A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-07 | Mitsubishi Oil Co Ltd | Electric wave absorber |
| JPH05114813A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JPH0784281A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sharp Corp | アクティブ素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113161757A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-23 | 中国电子科技集团公司第三十三研究所 | 一种用于舰船观察窗的吸波屏蔽除雾石墨烯超材料 |
| CN113253368A (zh) * | 2021-05-12 | 2021-08-13 | 西湖大学 | 一种宽波段薄膜高吸收体、制备方法及装置 |
| CN113253368B (zh) * | 2021-05-12 | 2023-06-02 | 西湖大学 | 一种宽波段薄膜高吸收体、制备方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080118762A1 (en) | Electromagnetic wave shielding film and protective plate for plasma display panel | |
| US4522890A (en) | Multilayer high attenuation shielding structure | |
| JPH1013083A (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JP3033369B2 (ja) | 電波吸収体 | |
| US20080302981A1 (en) | Light-transmitting electromagnetic wave-shielding material | |
| CN110771274B (zh) | 电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品 | |
| CN110741744B (zh) | 电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品 | |
| US7420500B2 (en) | Electromagnetic radiation absorber | |
| WO2018230094A1 (ja) | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 | |
| CN112688084A (zh) | 同时具有光学透明性和可调吸波频率的电磁吸收结构 | |
| JPH09223889A (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JPWO2020067145A1 (ja) | λ／４型電波吸収体 | |
| JPH05114813A (ja) | 電波吸収体 | |
| GB2062358A (en) | Radio frequency electromagnetic radiation shield | |
| JPH1013082A (ja) | 電磁波吸収体 | |
| JP2021103785A (ja) | 電波吸収体 | |
| JPH09232787A (ja) | 電波吸収体 | |
| CN115077302B (zh) | 一种基于超材料的雷达隐身套件 | |
| JPH1152875A (ja) | 前面板 | |
| JP6901630B2 (ja) | 電波吸収体 | |
| JPH09135096A (ja) | 透明電磁波シールド基板 | |
| JPH09223890A (ja) | 電波吸収体 | |
| JPH09232786A (ja) | 電波吸収体 | |
| JP2582859B2 (ja) | 静電気、電磁波シールド材 | |
| JPH06120690A (ja) | 電磁遮蔽体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060214 |