JPWO2020067145A1

JPWO2020067145A1 - λ／４型電波吸収体

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Publication number: JPWO2020067145A1
Application number: JP2020504418A
Authority: JP
Inventors: 勝紀武藤; 幸子中尾
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2018-09-25
Filing date: 2019-09-25
Publication date: 2021-01-07
Anticipated expiration: 2039-09-25
Also published as: WO2020067145A1; JP6789437B2; EP3860326A4; EP3860326A1; CN112753290A; KR20210063326A; US20210265738A1; US11978959B2; JP2021015988A

Abstract

支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つより高い電波吸収性能を備えるλ／４型電波吸収体を提供することを課題とする。該課題を、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）を満たす、λ／４型電波吸収体、により解決する。

Description

本発明は、λ／４型電波吸収体等に関する。

近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになり、これらから発生する電波・ノイズを原因とする電波障害、他の電子機器の誤動作等の問題が多発している。このような電波障害、誤動作等を防止する方策として、各種の電波吸収体が検討されている。例えば、特許文献１には、６０〜９０ＧＨｚの周波数帯域において、電磁波吸収量が２０ｄＢ以上である周波数帯域の帯域幅が２ＧＨｚ以上である電磁波吸収体が開示されている。

特開第２０１８−０９８３６７号公報

従来λ／４型電波吸収体においては、抵抗被膜の抵抗値を３７７Ωに近づけ、誘電体層の厚みを特定の値にすることが、吸収性能を高める上で重要とされてきた。しかし、本発明者は、研究を進める中で、支持体を有する構成においては、吸収体を組み上げた際に吸収性能が損なわれることがあること、つまり、誘電体層の厚み及び抵抗被膜の抵抗値を検討するだけでは十分な吸収性能が得られないことを見出した。

そこで、本発明は、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つより高い電波吸収性能を備えるλ／４型電波吸収体を提供することを課題とする。

本発明者は、研究を進める中で、支持体の厚みと比誘電率も吸収特性に影響することを見出した。この知見に基づいて、さらに研究を進め、支持体の比誘電率及び厚みと、抵抗被膜と反射層間の比誘電率及び距離によって、好適な抵抗被膜の抵抗値範囲が異なることを見出した。

これらの知見に基づいて鋭意研究を進めた結果、本発明者は、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）を満たす、λ／４型電波吸収体であれば、上記課題を解決できることを見出した。本発明者はこの知見に基づいてさらに研究を進めた結果、本発明を完成させた。

即ち、本発明は、下記の態様を包含する。

項１．支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体。
式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０
（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）

項２．前記抵抗被膜の抵抗値が２００Ω／□以上５００Ω／□以下である、項１記載のλ／４型電波吸収体。

項３．前記誘電体層の比誘電率が１以上１０以下である、項１又は２に記載のλ／４型電波吸収体。

項４．前記支持体の厚みが１５μｍ以上２００μｍ以下である、項１〜３いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。

項５．前記支持体の比誘電率が１以上１０以下である、項１〜４いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。

項６．前記抵抗被膜が、モリブデンを含有する、項１〜５いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。

項７．前記抵抗被膜が、さらにニッケル及びクロムを含有する、項６に記載のλ／４型電波吸収体。

項８．前記誘電体層が、粘着剤層を含む、項１〜７いずれかに記載のλ／４型電波吸
収体。

項９．前記抵抗被膜の少なくとも一方の表面上に、さらにバリア層を有する、項１〜８いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。

項１０．前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、項１〜９いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。

項１１．支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）］

本発明によれば、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つより高い電波吸収性能を備えるλ／４型電波吸収体を提供することができる。

電波吸収性の評価結果を示す。縦軸は式（１）のｙの値を示し、横軸は式（１）のｘの値を示す。本発明の電波吸収体の一例を示す概略断面図である。上方の図は、本発明の電波吸収体用部材の一例を示す概略断面図である。下方は、該部材が接するように配置される、反射層として機能し得る被着体の一例を示す概略断面図である。本発明の電波吸収体の用途の一例（粘着剤を介して筐体上に配置されてなる形態の一例）を示す概略断面図である。

本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。

本発明は、その一態様において、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）を満たす、λ／４型電波吸収体（本明細書において、「本発明の電波吸収体」と示すこともある。）、に関する。以下に、これについて説明する。

＜１．支持体＞
支持体は、シート状のものである限り、特に制限されない。支持体としては、特に制限されないが、例えば樹脂基材が挙げられる。支持体により、抵抗皮膜を保護することができ、電波吸収体としての耐久性を高めることが可能である。

樹脂基材は、樹脂を素材として含む基材であって、シート状のものである限り、特に制限されない。樹脂基材は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。例えば、比誘電率を調整する観点から酸化チタン等が含まれていてもよい。
その場合、樹脂基材中の樹脂の合計量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

樹脂としては、特に制限されず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のポリビニルアセタール樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

これらの中でも、生産性や強度の観点から、好ましくはポリエステル系樹脂、より好ましくはポリエチレンテレフタレートが挙げられる。

支持体の比誘電率は、後述の式（１）を満たし得るものである限り特に制限されない。支持体の比誘電率は、例えば１以上２０以下、好ましくは１以上１５以下、より好ましくは１以上１０以下である。

支持体の比誘電率を調整し、後述の式（１）を満たすように調整する目的で、酸化チタン、シリカ、チタン酸バリウム、アルミン、酸化ジルコニウム等の添加剤を含有することが好ましい。耐候性の観点から、酸化チタンであることが好ましい。

上記添加剤の支持体における含有量は、特に制限されないが８重量％以上２０重量％以下であることが好ましく、９重量％以上１５重量％以下であることがより好ましい。強度の観点で２０％以下であることが好ましく、対候性の観点で、８％以上であることが好ましい。

支持体の厚みは、後述の式（１）を満たし得るものである限り特に制限されない。支持体の厚みは、例えば５μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下である。

支持体の層構成は特に制限されない。支持体は、１種単独の支持体から構成されるものであってもよいし、２種以上の支持体が複数組み合わされたものであってもよい。

＜２．抵抗皮膜＞
抵抗皮膜は、電波吸収体において抵抗層として機能し得るものである限り特に制限されない。

＜２−１．ＩＴＯ含有抵抗皮膜＞
抵抗皮膜としては、例えば酸化インジウムスズ（以下「ＩＴＯ」とする）が用いられる。なかでも、非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境下においても抵抗皮膜のシート抵抗の変動を抑えることができる点から、２０〜４０重量％のＳｎＯ_２、より好ましくは２５〜３５重量％のＳｎＯ_２を含有するＩＴＯを含有する（抵抗皮膜中、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。）ものが好ましく用いられる。

＜２−２．モリブデン含有抵抗皮膜＞
抵抗皮膜としては、耐久性、抵抗率の調整が容易である観点から、モリブデンを含有する抵抗皮膜が好ましく用いられる。モリブデンの含有量の下限は特に限定されないが、より耐久性を高める観点から、５重量％が好ましく、７重量％がより好ましく、９重量％が更に好ましく、１１重量％がより更に好ましく、１３重量％が特に好ましく、１５重量％が非常に好ましく、１６重量％が最も好ましい。また、上記モリブデンの含有量の上限は、表面抵抗値の調整の容易化の観点から、３０重量％が好ましく、２５重量％がより好ましく、２０重量％が更に好ましい。

上記抵抗皮膜は、モリブデンを含有している場合、さらにニッケル及びクロムを含有することがより好ましい。抵抗皮膜にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ−２、Ｂ−３、Ｃ−４、Ｃ−２０００、Ｃ−２２、Ｃ−２７６、Ｇ−３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。

上記抵抗皮膜がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、モリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。

上記抵抗皮膜は、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属を含有してもよい。そのような金属としては、例えば、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、チタン等が挙げられる。上記抵抗皮膜がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の上限は、抵抗皮膜の耐久性の観点から、好ましくは４５重量％、より好ましくは４０重量％、更に好ましくは３５重量％、より更に好ましくは３０重量％、特に好ましくは２５重量％、非常に好ましくは２３重量％である。上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の下限は、例えば１重量％以上である。

上記抵抗皮膜が鉄を含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は２５重量％、より好ましい上限は２０重量％、更に好ましい上限は１５重量％であり、好ましい下限は１重量％である。上記抵抗皮膜がコバルト及び／又はマンガンを含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、それぞれ独立して、含有量の好ましい上限は５重量％、より好ましい上限は４重量％、更に好ましい上限は３重量％であり、好ましい下限は０．１重量％である。上記抵抗皮膜がタングステンを含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は８重量％、より好ましい上限は６重量％、更に好ましい上限は４重量％であり、好ましい下限は１重量％である。

上記抵抗皮膜は、ケイ素及び／又は炭素を含有してもよい。抵抗皮膜がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、それぞれ独立して、１重量％以下であることが好ましく０．５重量％以下であることがより好ましい。また、抵抗皮膜がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、０．０１重量％以上であることが好ましい。

抵抗皮膜の抵抗値は、後述の式（１）を満たし得るものである限り特に制限されない。抵抗皮膜の抵抗値は、例えば１００Ω／□以上Ω／□以下、好ましくは１５０Ω／□以上１０００Ω／□以下、より好ましくは２００Ω／□以上６００Ω／□以下、さらに好ましくは２５０Ω／□以上４５０Ω／□以下である。

抵抗皮膜の厚みは、後述の式（１）を満たし得る抵抗値となるものである限り特に制限されない。抵抗皮膜の厚みは、例えば1ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

抵抗皮膜の層構成は特に制限されない。抵抗皮膜は、１種単独の抵抗皮膜から構成されるものであってもよいし、２種以上の抵抗皮膜が複数組み合わされたものであってもよい。

＜３．誘電体層＞
誘電体層は、電波吸収体において目的の波長に対して誘電体として機能し得るものである限り、特に制限されない。誘電体層としては、特に制限されないが、例えば樹脂シート、粘着剤等が挙げられる。

樹脂シートは、樹脂を素材として含むシート状のものである限り、特に制限されない。樹脂シートは、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。その場合、樹脂シート中の樹脂の合計量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

樹脂としては、特に制限されず、例えばエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル、ウレタン、アクリル、アクリルウレタン、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴムおよびシリコーンゴム等の合成ゴム材料を樹脂成分として用いることが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。

誘電体層は、樹脂シート、発砲体や粘着剤であってもよい。誘電体層の厚み精度の観点から、樹脂シート、粘着剤であることが好ましい。

誘電体層は、粘着性を備えるものであってもよい。このため、粘着性を有しない誘電体を粘着剤層により他の層に積層させる場合、該誘電体と粘着剤層とを合わせたものが「誘電体層」となる。隣接する層と積層し易いという観点から、誘電体層は、好ましくは粘着剤層を含む。

誘電体層の比誘電率は、後述の式（１）を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の比誘電率は、例えば１以上２０以下、好ましくは１以１５以下、より好ましくは１以上１０以下である。

誘電体層の厚みは、後述の式（１）を満たし得るものである限り特に制限されない。誘電体層の厚みは、例えば１０μｍ以上２０００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以上１５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以上８００μｍ以下である。

誘電体層の層構成は特に制限されない。誘電体層は、１種単独の誘電体層から構成されるものであってもよいし、２種以上の誘電体層が複数組み合わされたものであってもよい。例えば、粘着性を有しない誘電体とその両面に配置された粘着剤層とからなる３層構造の誘電体層、粘着性を有する誘電体からなる１層構造の誘電体層等が挙げられる。

＜４．反射層＞
反射層は、電波吸収体において電波の反射層として機能し得るものである限り、特に制限されない。反射層としては、特に制限されないが、例えば金属膜が挙げられる。

金属膜は、金属を素材として含む層である限り、特に制限されない。金属膜は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、金属以外の成分が含まれていてもよい。その場合、金属膜中の金属の合計量は、例えば３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは９５質量％以上、非常に好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

金属としては、特に制限されず、例えばアルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウム等が挙げられる。また、金属化合物、例えばＩＴＯ等も、金属膜の素材として使用することができる。これらは１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

反射層の厚みは、特に制限されない。反射層の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは２μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下である。

本発明の好ましい一態様においては反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。この範囲であることにより、誘電体層と反射層との良好な密着性を発揮し、かつ、より良好な電波吸収性を発揮することができる。該表面粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。

本発明の好ましい一態様においては、反射層の誘電体層側とは反対側の表面の表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上である。これにより、反射層の誘電体層側とは反対側に積層される層（例えば、粘着剤層）との良好な密着性を発揮することができ、本発明のλ／４型電波吸収体を、他の部材（例えば、自動車内のデバイス等）により容易に取り付けることが可能になる。該表面粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは２μｍ以上１５μｍ以下である。

反射層の表面粗さ（Ｒｚ）は次のようにして測定することができる。カラー３Ｄレーザー顕微鏡（ＶＫ８７１０（キーエンス社製）又はその同等品）により反射層表面の凹凸の測定を行い表面粗さ（Ｒｚ）を見積もることができる。具体的には、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準じて、対物レンズ５０倍を用いて、１０μｍ×１０μｍ範囲でのＲｚを反射層表面の任意の５か所で測定し、その平均値より求めることができる。

反射層の表面粗さ（Ｒｚ）は、表面粗さを調整する公知の調整方法に従って又は準じて調節することが可能である。例えば、金属めっき技術による微細な金属粒子の付与や物理的・化学的手法により表面を削る方法等により調整することができる。

反射層の層構成は特に制限されない。反射層は、１種単独の反射層から構成されるものであってもよいし、２種以上の反射層が複数組み合わされたものであってもよい。

＜５．層構成、他の層＞
本発明の電波吸収体においては、各層は、電波吸収性能を発揮することができる順に配置される。一例として、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。

本発明の電波吸収体においては、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層以外に、他の層を含むものであってもよい。他の層は、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層それぞれの層の、どちらか一方の表面上に配置され得る。

耐久性の観点から、本発明の電波吸収体は、抵抗被膜の少なくとも一方の表面上に、さらにバリア層を有することが好ましい。バリア層について以下に詳述する。

＜５−１．バリア層＞
バリア層は、抵抗皮膜を保護し、その劣化を抑えることができる層である限り、特に制限されない。バリア層の素材としては、例えば金属化合物、半金属化合物、好ましくは金属又は半金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物等が挙げられる。バリア層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、上記素材以外の成分が含まれていてもよい。その場合、バリア層中の上記素材量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。

金属としては、例えばチタン、アルミニウム、ニオブ、コバルト、ニッケル等が挙げられる。半金属としては、例えばケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。

上記酸化物としては、例えばＭＯ_Ｘ［式中、Ｘは式：ｎ／１００≦Ｘ≦ｎ／２（ｎは金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

上記窒化物としては、例えばＭＮ_ｙ［式中、Ｙは式：ｎ／１００≦Ｙ≦ｎ／３（ｎは金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

上記窒化酸化物としては、例えばＭＯ_ＸＮ_ｙ［式中、ＸとＹは、ｎ／１００≦Ｘ、ｎ／１００≦Ｙ、かつ、Ｘ＋Ｙ＜ｎ／２（ｎは金属の価数である）であり、Ｍは金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。

上記酸化物又は窒化酸化物の酸化数Ｘに関しては、例えばＭＯ_ｘ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面を、ＦＥ−ＴＥＭ−ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＯ_ｘ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＯとの元素比率からＸを算出することにより、酸素原子の価数を算出することができる。

上記窒化物又は窒化酸化物の窒素化数Ｙに関しては、例えばＭＮ_ｙ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面を、ＦＥ−ＴＥＭ−ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＮ_ｙ又はＭＯ_ｘＮ_ｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＮとの元素比率からＹを算出することにより、窒素原子の価数を算出することができる。

バリア層の素材の具体例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。

バリア層の厚みは、特に制限されない。バリア層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

バリア層の層構成は特に制限されない。バリア層は、１種単独のバリア層から構成されるものであってもよいし、２種以上のバリア層が複数組み合わされたものであってもよい。

＜６．式（１）＞
本発明の電波吸収体は、式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）を満たす。これにより、支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つより高い電波吸収性を発揮することができる。

本発明の電波吸収体は好ましい一態様において、式（１’）：−０．３７５ｘ＋１１０５＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１２５（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）を満たす。これにより、さらに高い電波吸収性を発揮することができる。

抵抗皮膜の抵抗値は、表面抵抗計（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩＣＨＥＭＩＣＡＬＡＮＡＬＹＴＥＣＨ社製、商品名「Ｌｏｒｅｓｔａ−ＥＰ」）を用いて、４端子法により測定することができる。

支持体の厚み及び誘電体層の厚みは、ＮｉｋｏｎＤＩＧＩＭＩＣＲＯＳＴＡＮＤＭＳ−１１Ｃ＋ＮｉｋｏｎＤＩＧＩＭＩＣＲＯＭＦＣ−１０１によって測定することができる。

支持体の比誘電率、誘電体層の比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができるによって測定することができる。

「支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５」及び「誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５」は、支持体、誘電体層が複数の層からなる場合は、それぞれの層についての値を出して合算して算出する。例えば、誘電体層が、誘電体層１及び誘電体層２からなる場合は、「誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５」は、「誘電体層１の厚み×（誘電体層１の比誘電率）^０．５」と「誘電体層２の厚み×（誘電体層２の比誘電率）^０．５」とを合算して算出する。

式（１）中におけるｙの範囲は、特に制限されないが、好ましくは８００以上１２００以下、より好ましくは９００以上１１００以下、さらに好ましくは９６４以上１０１０以下である。

＜７．製造方法＞
本発明の電波吸収体は、例えば支持体上に抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を順に積層させる工程を含む方法により、得ることができる。別の方法としては、誘電体層の一方の面に抵抗皮膜を積層・形成する工程、抵抗皮膜の誘電体層と接する面とは他方の面に支持体を積層させる工程、誘電体層の抵抗皮膜と接する面とは他方の面に反射層を積層させる工程を含む方法により、得ることができる。

積層方法は特に制限されない。

抵抗皮膜やバリア層は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、パルスレーザーデポジション法等により行うことができる。これらの中でも、膜厚制御性の観点から、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、特に限定されないが、例えば、直流マグネトロンスパッタ、高周波マグネトロンスパッタ及びイオンビームスパッタ等が挙げられる。また、スパッタ装置は、バッチ方式であってもロール・ツー・ロール方式であってもよい。

誘電体層や反射層は、例えば誘電体層が有する粘着性を利用して、積層することができる。

＜８．λ／４型電波吸収体用部材＞
本発明は、その一態様において、支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材［式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）］に関する。
λ／４型電波吸収体用部材は、誘電体層を金属等の反射層として機能しうる被着体に接するように配置することによりλ／４型電波吸収体を形成するための部材である。支持体、抵抗被膜、誘電体層、本発明の特性、その他の構成については、本発明のλ／４型電波吸収体に関する説明と同様である。

＜９．用途＞
本発明の電波吸収体は、不要な電磁波を吸収する性能を有するため、例えば自動車衝突防止システムに用いるミリ波レーダの電磁波吸収体に好適に利用できる。また、その他の用途として自動車、道路、人の相互間で情報通信を行う高度道路交通システム（ＩＴＳ）やミリ波を用いた次世代移動通信システム（５Ｇ）においても、電波干渉抑制やノイズ低減の目的で用いることができる。

本発明の電波吸収体が対象とする電波の周波数は、例えば２０ＧＨｚ以上１００ＧＨｚ以下、好ましくは５０ＧＨｚ以上９０ＧＨｚ以下である。

以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。

（１）λ／４型電波吸収体の製造
（実施例１）
支持体として、厚み２５μｍの酸化チタンを練りこんだポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴｉＯ_２１０％含有、比誘電率３．２）を用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚み１０ｎｍ且つ抵抗値３８０Ω／□の抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは合金（組成：モリブデン１６.４重量％、ニッケル＿５５.２重量％、クロム１８．９重量％、鉄５．５重量%、タングステン３．５重量％、シリカ０．５重量％、）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗皮膜上に粘着テープ（アクリル両面粘着テープ、厚み３０μｍ、比誘電率２．６）を介して厚み５００μｍ且つ比誘電率２．７のポリカーボネートからなる誘電体を積層し、更に誘電体上に粘着テープを介して厚さ１０μｍのアルミニウムからなる反射層（誘電体層側の表面粗さＲｚ＝３．２）を積層してλ／４型電波吸収体を得た。

なお、抵抗皮膜の厚さは、蛍光Ｘ線分析装置により金属薄膜表面にＸ線を照射したときに発生する特性Ｘ線の強度から単位面積当たりのＣｒ含有量を測定し、ターゲットの組成比から算出して求めた。

（実施例２〜９、比較例１〜８）
支持体比誘電率、支持体厚み、抵抗皮膜の抵抗値、誘電体の比誘電率、誘電体の厚み等を表１及び表２のとおりに変更する以外は、実施例１と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。

（実施例１０）
誘電体層を基材レスのアクリル両面粘着テープ（厚み５００μｍ、比誘電率２．４）とし、支持体比誘電率、支持体厚み、抵抗被膜の抵抗値等を表１の通りに変更する以外は実施例１と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。すなわち、実施例１０においては「支持体／抵抗被膜／誘電体層（アクリル粘着テープ）／反射層」の構成を有する。

（実施例１１〜１５）
支持体比誘電率、支持体厚み、抵抗皮膜の抵抗値、誘電体の比誘電率、誘電体の厚み等を表３のとおりに変更する以外は、実施例１０と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。

（実施例１６〜２０）
反射層のそれぞれの表面における表面粗さを表４の通りに変更する以外は実施例２と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。

（実施例２１）
支持体として、厚み２５μｍの酸化チタンを練りこんだポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ＴｉＯ_２２０％含有、比誘電率３．４）を用いて、反射層のそれぞれの表面における表面粗さを表４の通りに変更する以外は実施例２と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。

なお反射層のそれぞれの表面における表面粗さＲｚは、カラー３Ｄレーザー顕微鏡（ＶＫ８７１０（キーエンス社製）により反射層表面の凹凸の測定を行い、算出した。ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準じて、反射層表面の任意の５か所を対物レンズ５０倍で測定し、１０μｍ×１０μｍ範囲でのＲｚを測定し、その平均値とした。

（２）電波吸収性の評価
ＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザＮ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ−Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラＮ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナＦＳＳ−０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成した。この電波吸収測定装置を用いて、得られたλ／４型電波電磁波吸収体のＷバンド（７５〜１１０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳＲ１６７９に基づいて測定した。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直かつ、支持体側からの入射となるようにセットした。得られた吸収量について、以下の評価基準にて電磁波吸収性能を評価した。
◎：吸収量が３０ｄＢ以上
○：吸収量が３０ｄＢ未満、２０ｄＢｄｂ以上
×：吸収量が２０ｄＢ未満、１５以上
××：吸収量が１５ｄＢ未満。

（３）密着性の評価
（３−１）粘着力（誘電体層／反射層）の評価
得られた電波吸収体を１０ｍｍ幅の短冊状に裁断して試験片を作製し、誘電体層の反射層に面する側とは反対側を露出させた。露出した面を、両面粘着テープ（９７０８、３Ｍ社製）により、測定装置の台座に固定した。この試験サンプルの反射層をＪＩＳＺ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／１０ｍｍ）を測定した。誘電体層／反射層間の粘着力が５Ｎ／１０ｍｍ以上を〇、５Ｎ／１０ｍｍ未満を×とする。

（３−２）粘着力（反射層／粘着層）の評価
得られた電波吸収体を１０ｍｍ幅の短冊状に裁断して試験片を作製し、反射層の誘電体に面する側を露出させた。次に反射層の誘電体に面していた側とは反対の面に、１０ｍｍ幅の短冊状の両面粘着テープ（９７０８、３Ｍ社製）を貼付した。両面粘着テープの他方の面を介して、測定装置の台座に固定した。この反射層をＪＩＳＺ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で１８０°方向の引張試験を行い、１８０°粘着力（Ｎ／１０ｍｍ）を測定した。粘着力が５Ｎ／１０ｍｍ以上を〇、５Ｎ／１０ｍｍ未満を×とする。

実施例１〜１０の結果を表１に示し、比較例の結果を表２に示し、実施例１１〜１５の結果を表３に示し、実施例１６〜２１の結果を実施例２の結果と共に表４に示す。また、表１〜表３の結果をグラフで表したものを図１に示す。表１〜４中、「式１を満たすか否か」は、式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１３７．５（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）０．５を表す。）を満たす場合を○で示し、満たさない場合を×で示す。なお、式（１）への当てはめに際しては、粘着テープも誘電体層を構成する層として判定した。また、表１〜４中、厚みの単位はμｍである。

１支持体
２抵抗皮膜
３誘電体層
４反射層
５粘着剤層
６筐体

Claims

支持体、抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型
電波吸収体。
式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０
（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）
前記抵抗被膜の抵抗値が２００Ω／□以上５００Ω／□以下である、請求項１記載のλ／４型電波吸収体。
前記誘電体層の比誘電率が１以上１０以下である、請求項１又は２に記載のλ／４型電波吸収体。
前記支持体の厚みが１５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１〜３いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
前記支持体の比誘電率が１以上１０以下である、請求項１〜４いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
前記抵抗被膜が、モリブデンを含有する、請求項１〜５いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
前記抵抗被膜が、さらにニッケル及びクロムを含有する、請求項６に記載のλ／４型電波吸収体。
前記誘電体層が、粘着剤層を含む、請求項１〜７いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
前記抵抗被膜の少なくとも一方の表面上に、さらにバリア層を有する、請求項１〜８いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
前記反射層の誘電体層側の表面における表面粗さ（Ｒｚ）が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜９いずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
支持体、抵抗皮膜及び誘電体層を有し、且つ下記式（１）を満たす、λ／４型電波吸収体用部材。［式（１）：−０．３７５ｘ＋１０８６．９＜ｙ＜−０．３７５ｘ＋１１４０（式中、ｘは抵抗被膜の抵抗値、ｙは、ｙ＝支持体の厚み×（支持体比誘電率）^０．５＋誘電体層の厚み×（誘電体層の比誘電率）^０．５を表す。）］