JP7117083B2 - 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 - Google Patents
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Description
誘電体層と、
前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、
前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、
前記抵抗層は、酸化スズ若しくは酸化チタンを主成分として含む層である、又は、酸化スズを40重量%以上含む酸化インジウムスズでできている層である、
電磁波吸収体を提供する。
成形品と、
前記成形品に取り付けられた上記の電磁波吸収体と、を備えた、
電磁波吸収体付成形品を提供する。
λO=4t×sqrt(εr) 式(1)
各実施例及び各比較例において、X線回折装置(リガク社製、製品名:RINT2200)を用いて、X線反射率法により抵抗層の厚みを測定した。また、X線回折装置を用いて、抵抗層に対するX線回折パターンを得た。X線としてはCuKα線を用いた。得られたX線回折パターンから抵抗層が多結晶構造であるか非晶質構造であるか確認した。結果を表1に示す。
非接触式抵抗測定装置(ナプソン社製、製品名:NC-80MAP)を用いて、日本工業規格(JIS)Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び各比較例の薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗を測定した。結果を表1に示す。また、薬品浸漬処理された抵抗層についても同様にシート抵抗を測定した。
各実施例及び各比較例において、上記のように測定した抵抗層の厚みと、上記のように測定した薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗から、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表1に示す。
ネットワークアナライザー(アジレント・テクノロジー社製、製品名:N5230C)及び空洞共振器(関東電子応用開発社製 空洞共振器CP531)を用いて、実施例及び比較例における誘電体層の10GHzにおける比誘電率を空洞共振器摂動法によって測定した。
JIS R 1679に準拠して、各実施例及び各比較例に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)の表面に対し、76GHzのミリ波を垂直に入射させた場合の反射減衰量を測定した。結果を表1に示す。また、下記の指標に従って、各実施例及び各比較例について総合評価を行った。結果を表1に示す。
a:サンプルA及びサンプルBの両方において反射減衰量が20dB以上である。
b:サンプルA及びサンプルBのいずれか又はサンプルA及びサンプルBの両方において反射減衰量が10dB以上20dB未満である。
x:サンプルA及びサンプルBのいずれか又はサンプルA及びサンプルBの両方において反射減衰量が10dB未満である。
50μmの厚みを有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス)の上に、SnO2をターゲット材として用いて、RFマグネトロンスパッタ法(基板温度:室温)により、SnO2からなる膜を形成した。この膜を300℃で1時間加熱処理(アニール処理)して結晶化させた。このようにして、SnO2からなる実施例1に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の厚み、シート抵抗、及び比抵抗を表1に示す。2.5の比誘電率を有するアクリル樹脂を560μmの厚みに押し出し成形して、実施例1に係る誘電体層を作製した。また、実施例1に係る導電層として0.002Ω/□のシート抵抗を有するアルミニウム箔を準備した。実施例1に係る誘電体層の一方の主面に薬品浸漬処理されていない実施例1に係る抵抗層が接触するように実施例1に係る抵抗層を貼り付けた。また、実施例1に係る誘電体層の他方の主面に実施例1に係る導電層を接触させて貼り付けた。このようにして、実施例1に係るサンプルAを作製した。
50μmの厚みを有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス)の上に、SnF2粉末とSnO2粉末との混合物をターゲット材として用いて、RFマグネトロンスパッタ法(基板温度:200℃)により、フッ素ドープ酸化スズ(フッ素含有量:5原子%)でできた実施例2に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに実施例2に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
50μmの厚みを有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス)の上に、Sn-Sb合金をターゲット材として用い、反応性ガスとして酸素ガスを用いて、反応性MF-ACマグネトロンスパッタ法(電源の周波数:200kHz、基板温度:200℃)により、アンチモンドープ酸化スズ(アンチモン含有量:4原子%)でできた実施例3に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに実施例3に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例3に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
50μmの厚みを有するポリイミドフィルム(宇部興産社製、ユーピレックス)の上に、Nb含有TiO2をターゲット材に用いて、RFマグネトロンスパッタ法(基板温度:室温)により、ニオブドープ酸化チタン(ニオブ含有量:8原子%)でできた膜を形成した。この膜を350℃で1時間加熱処理(アニール処理)して結晶化させた。このようにして、実施例4に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに実施例4に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例4に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、ITOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、50重量%のSnO2を含む非晶質構造のITOでできた実施例5に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに実施例5に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例5に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、ITOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、45重量%のSnO2を含む非晶質構造のITOでできた実施例6に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに実施例6に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例6に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、ITOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、10重量%のSnO2を含む非晶質のITOでできた膜を形成した。この膜を150℃で6時間加熱処理(アニール処理)して結晶化させた。このようにして、多結晶構造のITOでできた比較例1に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに比較例1に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例1に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、ITOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、10重量%のSnO2を含む非晶質構造のITOでできた比較例2に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに比較例2に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例2に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、ITOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、20重量%のSnO2を含む非晶質構造のITOでできた比較例3に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに比較例3に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例3に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、酸化インジウム亜鉛(IZO)をターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、10重量%のZnOを含む非晶質構造のIZOでできた比較例4に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに比較例4に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例4に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、微量のGa2O3を含有するZnOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、ZnOを主成分としつつ、3重量%のGa2O3を含む多結晶構造の材料(GZO)でできた比較例5に係る抵抗層を形成した。実施例1に係る抵抗層の代わりに比較例5に係る抵抗層を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例5に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
38μmの厚みを有するPETフィルム(三菱ケミカル社製、ダイアホイル)の上に、微量のAl2O3を含有するZnOをターゲット材として用い、DCマグネトロンスパッタリング法(基板温度:130℃)により、ZnOを主成分としつつ、3重量%のAl2O3を含む多結晶構造の材料(AZO)でできた比較例6に係る抵抗層を形成した。比較例5に係る抵抗層の代わりに比較例6に係る抵抗層を用いた以外は、比較例5と同様にして、比較例6に係るサンプルA(薬品浸漬処理なし)及びサンプルB(薬品浸漬処理あり)を作製した。
10 誘電体層
20 抵抗層
25 高分子フィルム
30 導電層
70 成形品
100 電磁波吸収体付成形品
Claims (11)
- 誘電体層と、
前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、
前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、
前記抵抗層は、酸化スズ若しくは酸化チタンを主成分として含み多結晶構造を有する層である、又は、酸化スズを40重量%以上含む酸化インジウムスズでできている層であり、
40℃に調節された5重量%のNaOH水溶液に前記抵抗層を5分間浸漬させる処理を行ったとき及び前記処理を行わなかったときに、垂直に入射する吸収対象の電波に対して20dB以上の反射減衰量を示す、
電磁波吸収体。 - 前記抵抗層は、5×10‐4Ω・cm以上の比抵抗を有する、請求項1に記載の電磁波吸収体。
- 前記抵抗層は、酸化スズ若しくは酸化チタンを主成分として含む多結晶構造を有し、かつ、アンチモンドープ酸化スズ、フッ素ドープ酸化スズ、又はニオブドープ酸化チタンでできている、請求項1又は2に記載の電磁波吸収体。
- 前記抵抗層は、200~600Ω/□のシート抵抗を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記抵抗層は、15~500nmの厚みを有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記抵抗層は、前記誘電体層に接している面と反対の面において高分子フィルムに積層されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記誘電体層は、1~10の比誘電率を有する、請求項1~6のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記誘電体層は、高分子材料でできている、請求項1~7のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記導電層は、0.001~30Ω/□のシート抵抗を有する、請求項1~8のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 前記導電層は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物、銅、銅合金、銅窒化物、及び酸化インジウムスズの少なくとも1つを含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の電磁波吸収体。
- 成形品と、
前記成形品に取り付けられた請求項1~10のいずれか1項に記載の電磁波吸収体と、
を備えた、
電磁波吸収体付成形品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116296A JP7117083B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 |
PCT/JP2018/012602 WO2018230092A1 (ja) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 |
US16/621,078 US11622482B2 (en) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | Electromagnetic wave absorber and electromagnetic wave absorber-attached molded article |
CN201880039478.1A CN110771274B (zh) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | 电磁波吸收体和带电磁波吸收体的成形品 |
EP18818526.8A EP3641519A4 (en) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | ABSORBER FOR ELECTROMAGNETIC WAVES AND SHAPED BODIES WITH AN ABSORBER FOR ELECTROMAGNETIC WAVES |
KR1020197037636A KR20200017419A (ko) | 2017-06-13 | 2018-03-27 | 전자파 흡수체 및 전자파 흡수체 부착 성형품 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116296A JP7117083B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019004004A JP2019004004A (ja) | 2019-01-10 |
JP7117083B2 true JP7117083B2 (ja) | 2022-08-12 |
Family
ID=64659031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017116296A Active JP7117083B2 (ja) | 2017-06-13 | 2017-06-13 | 電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11622482B2 (ja) |
EP (1) | EP3641519A4 (ja) |
JP (1) | JP7117083B2 (ja) |
KR (1) | KR20200017419A (ja) |
CN (1) | CN110771274B (ja) |
WO (1) | WO2018230092A1 (ja) |
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WO2020067145A1 (ja) | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 積水化学工業株式会社 | λ/4型電波吸収体 |
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2017
- 2017-06-13 JP JP2017116296A patent/JP7117083B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-27 CN CN201880039478.1A patent/CN110771274B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2018-03-27 EP EP18818526.8A patent/EP3641519A4/en not_active Withdrawn
- 2018-03-27 KR KR1020197037636A patent/KR20200017419A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-03-27 WO PCT/JP2018/012602 patent/WO2018230092A1/ja unknown
- 2018-03-27 US US16/621,078 patent/US11622482B2/en active Active
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CN110771274B (zh) | 2020-12-01 |
US20200214181A1 (en) | 2020-07-02 |
KR20200017419A (ko) | 2020-02-18 |
EP3641519A1 (en) | 2020-04-22 |
JP2019004004A (ja) | 2019-01-10 |
CN110771274A (zh) | 2020-02-07 |
US11622482B2 (en) | 2023-04-04 |
EP3641519A4 (en) | 2021-03-24 |
WO2018230092A1 (ja) | 2018-12-20 |
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