JPH09223890A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JPH09223890A JPH09223890A JP8026697A JP2669796A JPH09223890A JP H09223890 A JPH09223890 A JP H09223890A JP 8026697 A JP8026697 A JP 8026697A JP 2669796 A JP2669796 A JP 2669796A JP H09223890 A JPH09223890 A JP H09223890A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギガヘルツ帯の高周波に対するＥＭＣ・Ｅ
ＭＩ対策として利用される電波吸収体に関するものであ
り、ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はその共重合
体からなる薄型の電波吸収体を提供する。 【解決手段】ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はそ
の共重合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも
片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物あ
るいはこれらの混合体をイオンプレーティング、蒸着、
スパッタ等によって作成した薄膜を用いた電波吸収体を
使用する。
ＭＩ対策として利用される電波吸収体に関するものであ
り、ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はその共重合
体からなる薄型の電波吸収体を提供する。 【解決手段】ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はそ
の共重合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも
片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物あ
るいはこれらの混合体をイオンプレーティング、蒸着、
スパッタ等によって作成した薄膜を用いた電波吸収体を
使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ギガヘルツ帯の高
周波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電波
吸収体に関するものであり、ポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）又はその共重合体からなる電波吸収体に関する
ものである。
周波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電波
吸収体に関するものであり、ポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）又はその共重合体からなる電波吸収体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信技術の発達により電波の利用
が進み、これに伴い電波障害による誤作動等の問題が発
生している。これらの問題の対策として、様々な電波吸
収体が利用されている。電波吸収体は３０ＭＨｚ〜３０
ＧＨｚにおいて実用化されている。最近では、より短波
長領域の３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ（ＥＨＦ帯域）にお
いて使用可能な電波吸収体の必要性が高まってきてい
る。しかし、このようなＥＨＦ帯域における電波吸収体
は、例えば、カーボンや金属等の導電性フィラーを高
分子材料中に分散配合された皮膜を用いたもの、導電
性繊維を一定間隔で格子状に配置した抵抗皮膜を用いた
もの、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
等の樹脂板を誘電体層としたもの、が提案されている。
はフィラーの分散状態や膜厚分布のバラツキのため短
波長領域で電波吸収性能が劣化する問題がある。は導
電性繊維の格子間に隙間があるため短波長領域では格子
間隙間から電波が漏れ、動作しなくなるという問題があ
る。は使用した誘電体層の比誘電率が低いため、誘電
体膜厚が厚くなる問題がある。
が進み、これに伴い電波障害による誤作動等の問題が発
生している。これらの問題の対策として、様々な電波吸
収体が利用されている。電波吸収体は３０ＭＨｚ〜３０
ＧＨｚにおいて実用化されている。最近では、より短波
長領域の３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ（ＥＨＦ帯域）にお
いて使用可能な電波吸収体の必要性が高まってきてい
る。しかし、このようなＥＨＦ帯域における電波吸収体
は、例えば、カーボンや金属等の導電性フィラーを高
分子材料中に分散配合された皮膜を用いたもの、導電
性繊維を一定間隔で格子状に配置した抵抗皮膜を用いた
もの、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
等の樹脂板を誘電体層としたもの、が提案されている。
はフィラーの分散状態や膜厚分布のバラツキのため短
波長領域で電波吸収性能が劣化する問題がある。は導
電性繊維の格子間に隙間があるため短波長領域では格子
間隙間から電波が漏れ、動作しなくなるという問題があ
る。は使用した誘電体層の比誘電率が低いため、誘電
体膜厚が厚くなる問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、短波
長周波数域においても電波の吸収特性が低下しない、従
来より薄型の電波吸収体を提供することにある。
長周波数域においても電波の吸収特性が低下しない、従
来より薄型の電波吸収体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な背景のもと鋭意検討を重ねた結果、ポリ（β−ヒドロ
キシブチレート）又はその共重合体を電波吸収体の誘電
体層として用いることを見出し、本発明を完成するに至
った。
な背景のもと鋭意検討を重ねた結果、ポリ（β−ヒドロ
キシブチレート）又はその共重合体を電波吸収体の誘電
体層として用いることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【０００５】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００６】本発明は、ポリ（β−ヒドロキシブチレー
ト）又はその共重合体を誘電体層とし、この誘電体層の
少なくとも片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金
属窒化物あるいはこれらの混合体をイオンプレーティン
グ、蒸着、スパッタ等によって作成した薄膜を用いてな
ることを特徴とする電波吸収体である。
ト）又はその共重合体を誘電体層とし、この誘電体層の
少なくとも片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金
属窒化物あるいはこれらの混合体をイオンプレーティン
グ、蒸着、スパッタ等によって作成した薄膜を用いてな
ることを特徴とする電波吸収体である。
【０００７】本発明におけるポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）又はその共重合体は、通常の合成方法により得
られるものであればよく、例えば、有機合成、微生物合
成等を行えばよい。有機合成では、例えば、β−ブチロ
ラクトンを触媒として、例えばＺｎ系、Ａｌ系、Ｓｎ系
等を用いリビング重合すればよい。しかし、得られるポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は、Ｒ体とＬ体とが混
ざり合っているので、均一性という点から次にあげる微
生物合成で得られるものが好ましい。微生物合成では、
菌体として、例えば、Ａｌｃａｌｉｇｅｎｅｓ ｅｕｔ
ｒｏｐｈｕｓに炭素源としてグルコースを用いて、培地
中で発酵合成し、所定時間後に菌体を取り出し、例え
ば、クロロホルムで抽出することにより、目的とするポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は得られる。
レート）又はその共重合体は、通常の合成方法により得
られるものであればよく、例えば、有機合成、微生物合
成等を行えばよい。有機合成では、例えば、β−ブチロ
ラクトンを触媒として、例えばＺｎ系、Ａｌ系、Ｓｎ系
等を用いリビング重合すればよい。しかし、得られるポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は、Ｒ体とＬ体とが混
ざり合っているので、均一性という点から次にあげる微
生物合成で得られるものが好ましい。微生物合成では、
菌体として、例えば、Ａｌｃａｌｉｇｅｎｅｓ ｅｕｔ
ｒｏｐｈｕｓに炭素源としてグルコースを用いて、培地
中で発酵合成し、所定時間後に菌体を取り出し、例え
ば、クロロホルムで抽出することにより、目的とするポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は得られる。
【０００８】本発明においてポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）と共重合させるユニットとしては、例えば、β
−ヒドロキシバリレート、γ−ヒドロキシブチレート、
側鎖に−Ｆ、−ＣＮ、−Ｃｌ、ベンゼン環、不飽和結合
等を有するヒドロキシアルカン酸等が例示され、これら
を通常の方法により共重合させればよい。
レート）と共重合させるユニットとしては、例えば、β
−ヒドロキシバリレート、γ−ヒドロキシブチレート、
側鎖に−Ｆ、−ＣＮ、−Ｃｌ、ベンゼン環、不飽和結合
等を有するヒドロキシアルカン酸等が例示され、これら
を通常の方法により共重合させればよい。
【０００９】ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はそ
の共重合体は、延伸処理及び／又は電界によるポーリン
グ処理で配向を制御することで、この比誘電率を向上さ
せ、従来より薄型の電波吸収体を得ることが可能とな
る。ポーリング処理とは、電圧を印加することにより、
ポリマーを構成している分子の双極子モーメントの配向
を制御する方法である。本発明におけるポリ（β−ヒド
ロキシブチレート）又はその共重合体の加工方法は、特
に限定するものではなく、通常の方法により成形すれば
よく、例えば、カレンダー成形、押出成形、キャスト成
形等により、目的とする成形物、例えば、シート、フィ
ルム、板等に加工すればよい。従来より薄型の電波吸収
体を得るためには、例えば、シート、フィルム等を用い
ればよく、また、シート、フィルム等を延伸することに
より、さらに薄型の電波吸収体を得ることが可能とな
る。この延伸方法は、特に限定されるものではなく、通
常の方法により行えばよく、例えば、得られたフィルム
を単一方向へ所定の倍率までの延伸させればよい。
の共重合体は、延伸処理及び／又は電界によるポーリン
グ処理で配向を制御することで、この比誘電率を向上さ
せ、従来より薄型の電波吸収体を得ることが可能とな
る。ポーリング処理とは、電圧を印加することにより、
ポリマーを構成している分子の双極子モーメントの配向
を制御する方法である。本発明におけるポリ（β−ヒド
ロキシブチレート）又はその共重合体の加工方法は、特
に限定するものではなく、通常の方法により成形すれば
よく、例えば、カレンダー成形、押出成形、キャスト成
形等により、目的とする成形物、例えば、シート、フィ
ルム、板等に加工すればよい。従来より薄型の電波吸収
体を得るためには、例えば、シート、フィルム等を用い
ればよく、また、シート、フィルム等を延伸することに
より、さらに薄型の電波吸収体を得ることが可能とな
る。この延伸方法は、特に限定されるものではなく、通
常の方法により行えばよく、例えば、得られたフィルム
を単一方向へ所定の倍率までの延伸させればよい。
【００１０】本発明における抵抗皮膜として用いる金属
酸化物、金属窒化物としては、特に限定されないが、例
えば、ＩＴＯ（酸化インジウム／酸化錫）、酸化錫、酸
化亜鉛、酸化チタン等が例示できる。この抵抗皮膜の形
成方法は、通常の薄膜形成方法であればなんら制限され
ることなく、例えば、イオンプレーティング法、蒸着
法、スパッタ法等使用可能であり、この抵抗皮膜の厚さ
は、効果、生産性等の点から０．０１〜０．６ミクロン
が好ましい。本発明では、この抵抗皮膜は誘電体層の少
なくとも片表面上に形成すればよく、両面に形成しても
何等問題はない。抵抗皮膜を誘電体層の両面に形成した
場合、透明な電波吸収体を得ることが可能である。
酸化物、金属窒化物としては、特に限定されないが、例
えば、ＩＴＯ（酸化インジウム／酸化錫）、酸化錫、酸
化亜鉛、酸化チタン等が例示できる。この抵抗皮膜の形
成方法は、通常の薄膜形成方法であればなんら制限され
ることなく、例えば、イオンプレーティング法、蒸着
法、スパッタ法等使用可能であり、この抵抗皮膜の厚さ
は、効果、生産性等の点から０．０１〜０．６ミクロン
が好ましい。本発明では、この抵抗皮膜は誘電体層の少
なくとも片表面上に形成すればよく、両面に形成しても
何等問題はない。抵抗皮膜を誘電体層の両面に形成した
場合、透明な電波吸収体を得ることが可能である。
【００１１】本発明において抵抗皮膜を形成していない
面に積層される金属としては、電波を反射できる金属で
あれば特に限定するものではなく、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等が挙
げられる。この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方
法であればなんら制限されることなく、例えば、イオン
プレーティング法、蒸着法、スパッタ法等使用可能であ
り、この金属層の積層膜厚は、電波の反射能、生産性、
経済性等から０．０１ミクロン〜０．６ミクロンが好ま
しい。
面に積層される金属としては、電波を反射できる金属で
あれば特に限定するものではなく、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等が挙
げられる。この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方
法であればなんら制限されることなく、例えば、イオン
プレーティング法、蒸着法、スパッタ法等使用可能であ
り、この金属層の積層膜厚は、電波の反射能、生産性、
経済性等から０．０１ミクロン〜０．６ミクロンが好ま
しい。
【００１２】本発明における誘電体層の抵抗皮膜、金属
層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシートにより
ラミネート等するか又は有機塗料等によりコーティング
する等の方法で保護膜を形成することが好ましい。本保
護膜がない場合、電波吸収体の取り扱い時に擦れにより
傷ついたりあるいは長期間放置することにより金属の腐
食等が進行し、電波吸収体の特性劣化を招く恐れがあ
る。本発明における保護膜は、物理的擦傷や腐食に対す
る保護能等から１〜６０ミクロンの膜厚が好ましい。保
護膜として用いる有機高分子としては、特に限定するも
のではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、酢酸ビニル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・ス
チレン共重合体）等が挙げられ、それらの加工方法は特
に限定するものではなく、例えば、カレンダー成形、押
出成形、キャスト成形等によりフィルム又はシートにす
ればよい。また、有機塗料としては、特に限定するもの
ではなく、例えば、フェノール樹脂塗料、塩化ビニル樹
脂塗料、ブチラール樹脂塗料、スチレンブタジエン樹脂
塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗料、エポキシ樹脂塗料、
ポリウレタン樹脂塗料等が挙げられる。
層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシートにより
ラミネート等するか又は有機塗料等によりコーティング
する等の方法で保護膜を形成することが好ましい。本保
護膜がない場合、電波吸収体の取り扱い時に擦れにより
傷ついたりあるいは長期間放置することにより金属の腐
食等が進行し、電波吸収体の特性劣化を招く恐れがあ
る。本発明における保護膜は、物理的擦傷や腐食に対す
る保護能等から１〜６０ミクロンの膜厚が好ましい。保
護膜として用いる有機高分子としては、特に限定するも
のではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、酢酸ビニル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・ス
チレン共重合体）等が挙げられ、それらの加工方法は特
に限定するものではなく、例えば、カレンダー成形、押
出成形、キャスト成形等によりフィルム又はシートにす
ればよい。また、有機塗料としては、特に限定するもの
ではなく、例えば、フェノール樹脂塗料、塩化ビニル樹
脂塗料、ブチラール樹脂塗料、スチレンブタジエン樹脂
塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗料、エポキシ樹脂塗料、
ポリウレタン樹脂塗料等が挙げられる。
【００１３】本発明の電波吸収体は、ポリ（β−ヒドロ
キシブチレート）又はその共重合体を誘電体層とし、こ
の誘電体層少なくとも片表面上に抵抗皮膜を形成し、こ
の両面を保護層で保護する積層構造を有することによ
り、従来より薄型の電波吸収体を提供することができ
る。
キシブチレート）又はその共重合体を誘電体層とし、こ
の誘電体層少なくとも片表面上に抵抗皮膜を形成し、こ
の両面を保護層で保護する積層構造を有することによ
り、従来より薄型の電波吸収体を提供することができ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定され
るものではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定され
るものではない。
【００１５】図１に本実施例の電波吸収体の断面の模式
図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵抗
皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵抗
皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
【００１６】実施例１ ポリ（β−ヒドロキシブチレート）を以下、Ｐ（３Ｈ
Ｂ）と省略する。Ｐ（３ＨＢ）フィルムを単一方向に
４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来るよ
うに切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比
誘電率を測定し、得られた比誘電率は２０であった。目
的とする周波数において本発明のフィルムの厚さを従来
のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の１／２．５
にすることができた。
Ｂ）と省略する。Ｐ（３ＨＢ）フィルムを単一方向に
４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来るよ
うに切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比
誘電率を測定し、得られた比誘電率は２０であった。目
的とする周波数において本発明のフィルムの厚さを従来
のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の１／２．５
にすることができた。
【００１７】このフィルムからなる誘電体膜に、抵抗皮
膜としてスパッタリング法でＩＴＯを３００オングスト
ローム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層と
してアルミニウム５０ミクロンを積層した。次に、抵抗
皮膜と金属層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ
５０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収
体を作製した。
膜としてスパッタリング法でＩＴＯを３００オングスト
ローム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層と
してアルミニウム５０ミクロンを積層した。次に、抵抗
皮膜と金属層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ
５０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収
体を作製した。
【００１８】このようにして形成した積層フィルムを、
密閉箱の窓にセットして周波数−透過特性を測定した。
この測定は図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７はトラッキングジュネレー
ター、８は増幅器、９は近磁界プローブ、１０は磁界発
生源アンテナ、１１は被試験密閉箱、１２は被測定電波
吸収体をそれぞれ示す。
密閉箱の窓にセットして周波数−透過特性を測定した。
この測定は図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７はトラッキングジュネレー
ター、８は増幅器、９は近磁界プローブ、１０は磁界発
生源アンテナ、１１は被試験密閉箱、１２は被測定電波
吸収体をそれぞれ示す。
【００１９】図３に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。被測定電波吸収体の有無による、
近磁界プローブで検出される信号レベルの差をとって透
過減衰量とした。良好な電波吸収体が得られた。
Ｂ）の関係を示した。被測定電波吸収体の有無による、
近磁界プローブで検出される信号レベルの差をとって透
過減衰量とした。良好な電波吸収体が得られた。
【００２０】実施例２ Ｐ（３ＨＢ）のフィルムから２０×７×０．１ｍｍの試
験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極
を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直
流電界を印加し、１０分後に５０℃に冷却することでポ
ーリング処理を行った。この電極を利用して比誘電率を
測定し，得られた比誘電率は１８．０であった。その結
果、目的とする周波数において本発明のフィルムの厚さ
を従来のＰＭＭＡの１／２．４にすることができた。
験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極
を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直
流電界を印加し、１０分後に５０℃に冷却することでポ
ーリング処理を行った。この電極を利用して比誘電率を
測定し，得られた比誘電率は１８．０であった。その結
果、目的とする周波数において本発明のフィルムの厚さ
を従来のＰＭＭＡの１／２．４にすることができた。
【００２１】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図４に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図４に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
【００２２】実施例３ Ｐ（３ＨＢ）のフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
℃に冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４
０．０であった。その結果、目的とする周波数において
本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡの１／３．６
にすることができた。
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
℃に冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４
０．０であった。その結果、目的とする周波数において
本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡの１／３．６
にすることができた。
【００２３】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
【００２４】実施例４ ポリ（β−ヒドロキシブチレート／β−ヒドロキシバリ
レート）共重合体を以下、Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体と省略する。このＰ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体フィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延
伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０×７×
０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に５×５
ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５
００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却するこ
とでポーリング処理を行った。この電極を利用して比誘
電率を測定し、得られた比誘電率は５５．０であった。
その結果、目的とする周波数において本発明のフィルム
の厚さを従来のＰＭＭＡの１／４にすることができた。
レート）共重合体を以下、Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体と省略する。このＰ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体フィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延
伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０×７×
０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に５×５
ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５
００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却するこ
とでポーリング処理を行った。この電極を利用して比誘
電率を測定し、得られた比誘電率は５５．０であった。
その結果、目的とする周波数において本発明のフィルム
の厚さを従来のＰＭＭＡの１／４にすることができた。
【００２５】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。良好な電波吸収体が得られ
た。
【００２６】実施例５ Ｐ（３ＨＢ）のフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
℃に冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４
０．０であった。その結果、目的とする周波数において
本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡの１／３．６
にすることができた。
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
℃に冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４
０．０であった。その結果、目的とする周波数において
本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡの１／３．６
にすることができた。
【００２７】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にし抵抗皮膜として、スパッタリング法でフィ
ルムの両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂
でラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体
を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定し
た。図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関
係を示した。比較的透明で良好な電波吸収体が得られ
た。
１と同様にし抵抗皮膜として、スパッタリング法でフィ
ルムの両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂
でラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体
を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定し
た。図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関
係を示した。比較的透明で良好な電波吸収体が得られ
た。
【００２８】実施例６ Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）共重合体フィルムを単一方
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に冷却することでポーリング処理を行
った。この電極を利用して比誘電率を測定し、得られた
比誘電率は５５．０であった。その結果、目的とする周
波数において本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡ
の１／４にすることができた。
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に冷却することでポーリング処理を行
った。この電極を利用して比誘電率を測定し、得られた
比誘電率は５５．０であった。その結果、目的とする周
波数において本発明のフィルムの厚さを従来のＰＭＭＡ
の１／４にすることができた。
【００２９】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にし抵抗皮膜として、スパッタリング法でフィ
ルムの両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂
でラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体
を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定し
た。図８に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関
係を示した。比較的透明で良好な電波吸収体が得られ
た。
１と同様にし抵抗皮膜として、スパッタリング法でフィ
ルムの両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂
でラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体
を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定し
た。図８に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関
係を示した。比較的透明で良好な電波吸収体が得られ
た。
【００３０】比較例１ 市販のポリメチルメタクリレートＰＭＭＡのフィルムを
切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試
験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比誘電
率を測定した。得られた比誘電率は３．０であり、フィ
ルムの厚さは５．０ｍｍとなった。
切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試
験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比誘電
率を測定した。得られた比誘電率は３．０であり、フィ
ルムの厚さは５．０ｍｍとなった。
【００３１】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図９に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。満足する電波吸収体が得ら
れなかった。
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図９に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰
量（ｄＢ）の関係を示した。満足する電波吸収体が得ら
れなかった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の電波吸収体は、誘電率および誘
電損失がこれまでに電波吸収体材料として使用されてい
たものに比べ、大きな値を示す層を有することで、従来
より薄型化を達成できる。
電損失がこれまでに電波吸収体材料として使用されてい
たものに比べ、大きな値を示す層を有することで、従来
より薄型化を達成できる。
【図１】電波吸収体の構造を示す模式図である。
【図２】周波数−吸収特性測定系の概要を示す模式図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例１での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図４】本発明の実施例２での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図５】本発明の実施例３での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図６】本発明の実施例４での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図７】本発明の実施例５での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図８】本発明の実施例６での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図９】本発明の比較例１での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
１：誘電体層 ２：抵抗皮膜 ３：抵抗皮膜又は金属層 ４：保護膜 ５：保護膜 ６：スペクトラム・アナライザー ７：トラッキングジュネレーター ８：増幅器 ９：近磁界プローブ １０：磁界発生源アンテナ １１：被試験密閉箱 １２：被測定電波吸収体
Claims (5)
- 【請求項１】ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又はそ
の共重合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも
片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物あ
るいはこれらの混合体をイオンプレーティング、蒸着、
スパッタ等によって作成した薄膜を用いてなることを特
徴とする電波吸収体。 - 【請求項２】誘電体層を電界によりポーリング処理する
ことを特徴とする請求項１記載の電波吸収体。 - 【請求項３】抵抗皮膜が、ＩＴＯ（酸化インジュウム／
酸化スズ）、酸化インジュウム、酸化スズ、酸化亜鉛、
窒化チタンから選ばれたものであり、その膜厚が０．０
１〜０．６ミクロンであることを特徴とする請求項１又
は請求項２いずれか記載の電波吸収体。 - 【請求項４】抵抗皮膜を形成していない誘電体層の表面
に金属層を積層し、その厚さが０．０１〜０．６ミクロ
ンであることを特徴とする請求項１〜請求項３いずれか
記載の電波吸収体。 - 【請求項５】抵抗皮膜、金属層の表面に有機高分子フィ
ルム、有機高分子シート、有機塗料から選択した保護膜
を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれ
か記載の電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8026697A JPH09223890A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8026697A JPH09223890A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223890A true JPH09223890A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12200589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8026697A Pending JPH09223890A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216622A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Hitachi Metals Ltd | ガラスカ―テンウォ―ル用電波吸収壁 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244542A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-07 | Mitsubishi Oil Co Ltd | Electric wave absorber |
| JPH0372473A (ja) * | 1989-05-02 | 1991-03-27 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学活性体及び液晶組成物 |
| JPH05114813A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JPH0784281A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sharp Corp | アクティブ素子 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP8026697A patent/JPH09223890A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5244542A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-07 | Mitsubishi Oil Co Ltd | Electric wave absorber |
| JPH0372473A (ja) * | 1989-05-02 | 1991-03-27 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学活性体及び液晶組成物 |
| JPH05114813A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JPH0784281A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sharp Corp | アクティブ素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216622A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Hitachi Metals Ltd | ガラスカ―テンウォ―ル用電波吸収壁 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050926 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060214 |