CN113165336B - 电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体 - Google Patents

电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体 Download PDF

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Abstract

阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构。阻抗匹配用阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。

Description

电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的 膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体
技术领域
本发明涉及电波吸收体用阻抗匹配膜、带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜、电波吸收体以及电波吸收体用层叠体。
背景技术
以往，已知使用氧化铟锡(ITO)等包含氧化铟和氧化锡的物质来实现阻抗匹配的技术。
例如，根据专利文献1，说明了以往的λ/4型电波吸收体是将作为电阻覆膜的ITO、电介质和导电层层叠而得到的结构。在λ/4型电波吸收体中，通过作为电阻覆膜的ITO实现了阻抗匹配。另一方面，根据专利文献1，指出ITO的非晶膜的在大气中的耐久性低。因此，在专利文献1中，为了制造发挥优异的耐久性的λ/4型电波吸收体，提出了包含含有5重量％以上的钼的合金的λ/4型电波吸收体用电阻覆膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-56562号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1中既没有记载也没有启示将ITO的非晶膜用于电阻覆膜而能够提高λ/4型电波吸收体的耐久性。而且，在专利文献1中，未评价长期暴露在高温环境(例如，125℃的环境)中时的电阻覆膜的耐久性。
基于这样的情况，本发明提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，并且在长期暴露在高温气氛中时，从阻抗匹配的观点考虑，有利于保持所期望的特性。而且，本发明提供具有这样的阻抗匹配膜的电波吸收体和电波吸收体用层叠体。
用于解决问题的手段
本发明提供一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，
所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率，并且
所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。
另外，本发明提供一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：
基材、和
上述阻抗匹配膜。
另外，本发明提供一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：
上述阻抗匹配膜、
反射电波的导电体、和
在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述导电体之间的电介质层。
另外，本发明提供一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：
上述阻抗匹配膜、和
配置成在所述阻抗匹配膜的厚度方向上与所述阻抗匹配膜接触的电介质层。
发明效果
在长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，上述电波吸收体用阻抗匹配膜有利于保持所期望的特性。
附图说明
图1为表示本发明的电波吸收体用阻抗匹配膜的一例的剖视图。
图2A为表示本发明的电波吸收体的一例的剖视图。
图2B为表示图2A所示的电波吸收体的变形例的剖视图。
图2C为表示图2A所示的电波吸收体的另一变形例的剖视图。
图3A为表示本发明的电波吸收体的另一例的剖视图。
图3B为表示本发明的电波吸收体的又一例的剖视图。
图4A为表示本发明的电波吸收体的又一例的剖视图。
图4B为表示本发明的电波吸收体用层叠体的一例的剖视图。
图5A为表示本发明的电波吸收体的又一例的剖视图。
图5B为表示本发明的电波吸收体用层叠体的另一例的剖视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下的实施方式。
如图1所示，电波吸收体用阻抗匹配膜10例如通过带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15来提供。电波吸收体用阻抗匹配膜10为电阻膜。带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜15具有基材22和电波吸收体用阻抗匹配膜10。电波吸收体用阻抗匹配膜10例如在基材22的一个主面上成膜。阻抗匹配膜10包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分。该混合物具有非晶态结构。阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率。阻抗匹配膜10的霍尔迁移率通过阻抗匹配膜10的霍尔效应测定来确定。阻抗匹配膜10的霍尔效应测定例如按照范德堡法进行。阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度。在本说明书中，主要成分是指，以质量基准计含有最多的成分。主要成分例如可以是大于50质量％的成分。氧化铟与氧化锡的混合物例如以固溶体的形式存在。
阻抗匹配膜10通过具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率，在长期暴露在高温环境(例如，125℃)中(例如，1000小时)时，从阻抗匹配的观点考虑，容易保持所期望的特性。本发明人等反复进行了大量试错，结果新发现了，通过在包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构的阻抗匹配膜中，将霍尔迁移率调节至上述范围内，在长期暴露在高温气氛中时，从阻抗匹配的观点考虑，能够保持所期望的特性。
通过阻抗匹配膜10具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率，阻抗匹配膜10在长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，能够保持所期望的特性的理由尚不确定。本发明人等认为其理由如下。认为：在包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构的膜中，氧空位成为载流子的产生源。认为：当在这样的膜中氧空位的密度高时，在高温环境中容易发生氧化反应，膜的迁移率容易升高。认为：如果阻抗匹配膜10的霍尔迁移率在5cm2/(V·s)以上的范围内，则在阻抗匹配膜10中氧空位以适当的密度存在，在高温环境中，阻抗匹配膜10的霍尔迁移率和载流子密度不易改变。认为：其结果，阻抗匹配膜10在长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，能够保持所期望的特性。
阻抗匹配膜10的霍尔迁移率只要在上述范围内，则不限于特定的值。阻抗匹配膜10的霍尔迁移率可以为6cm2/(V·s)以上，可以为7cm2/(V·s)以上，可以为8cm2/(V·s)以上，可以为9cm2/(V·s)以上，可以为10cm2/(V·s)以上，可以为15cm2/(V·s)以上，也可以为20cm2/(V·s)以上。阻抗匹配膜10的霍尔迁移率例如为65cm2/(V·s)以下，可以为60cm2/(V·s)以下，可以为58cm2/(V·s)以下，可以为55cm2/(V·s)以下，可以为52cm2/(V·s)以下，可以为51cm2/(V·s)以下，可以为50cm2/(V·s)以下，可以为49cm2/(V·s)以下，可以为48cm2/(V·s)以下，可以为47cm2/(V·s)以下，可以为46cm2/(V·s)以下，可以为45cm2/(V·s)以下，可以为40cm2/(V·s)以下，也可以为35cm2/(V·s)以下。
阻抗匹配膜10的霍尔迁移率优选为50cm2/(V·s)以下。认为在此情况下，在阻抗匹配膜10中氧空位更可靠地以适当的密度存在，在高温环境中阻抗匹配膜10的霍尔迁移率和载流子密度不易改变。其结果，阻抗匹配膜10在长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑，能够更可靠地保持所期望的特性。
通过阻抗匹配膜10具有小于100nm的厚度，能够抑制阻抗匹配膜10的翘曲。另外，在阻抗匹配膜10中不易产生裂纹。而且，通过包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分的阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度，阻抗匹配膜10容易具有所期望的薄层电阻。此外，通过阻抗匹配膜10具有大于等于16nm且小于100nm的厚度，从生产率和制造成本的观点考虑，阻抗匹配膜10也是有利的。
阻抗匹配膜10的厚度可以为18nm以上，可以为20nm以上，可以为25nm以上，也可以为30nm以上。阻抗匹配膜10的厚度可以为90nm以下，可以为80nm以下，可以为70nm以下，也可以为60nm以下。
阻抗匹配膜10例如具有0.5×10-3Ω·cm～5.0×10-3Ω·cm的电阻率。由此，从阻抗匹配的观点考虑，阻抗匹配膜10容易具有所期望的特性。通过阻抗匹配膜10的主要成分具有非晶态结构，阻抗匹配膜10的电阻率容易收敛在这样的范围内。阻抗匹配膜10的电阻率可以为0.7×10-3Ω·cm以上，可以为0.8×10-3Ω·cm以上，也可以为1.0×10-3Ω·cm以上。阻抗匹配膜10的电阻率可以为4.8×10-3Ω·cm以下，可以为4.5×10-3Ω·cm以下，可以为4.0×10-3Ω·cm以下，可以为3.5×10-3Ω·cm以下，也可以为3.3×10-3Ω·cm以下。
阻抗匹配膜10例如具有200Ω/□～800Ω/□的薄层电阻。由此，从阻抗匹配的观点考虑，阻抗匹配膜10容易具有所期望的特性。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为220Ω/□以上，可以为250Ω/□以上，可以为275Ω/□以上，也可以为300Ω/□以上。阻抗匹配膜10的薄层电阻可以为800Ω/□以下，可以为700Ω/□以下，可以为600Ω/□以下，可以为500Ω/□以下，也可以为450Ω/□以下。
只要上述主要成分具有非晶态结构，则阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量不限于特定的值。优选以使得阻抗匹配膜10容易保持非晶状态的方式规定阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量。阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量例如为20质量％以上。在此情况下，阻抗匹配膜10容易保持非晶状态。阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量可以为25质量％以上。
阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量可以大于40质量％。在此情况下，阻抗匹配膜10容易显示出良好的耐酸性。
阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量例如为90质量％以下，可以为80质量％以下，也可以为70质量％以下。阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量可以为60质量％以下。阻抗匹配膜10中的氧化锡的含量优选小于90质量％，更优选为80质量％以下。由此，容易将阻抗匹配膜10的电阻率调节至所期望的范围内。其结果，在以大于等于16nm且小于100nm的厚度形成阻抗匹配膜10时，阻抗匹配膜10容易具有所期望的薄层电阻。
阻抗匹配膜10例如还可以含有添加物。添加物例如至少具有与铟原子、锡原子和氧原子不同的原子。通过使阻抗匹配膜10中含有添加物，容易调节电阻率等阻抗匹配膜10的特性。另外，通过含有添加物，根据情况，可以使用具有难以单独形成非晶状态的组成的主要成分得到非晶态物质。
添加物例如具有选自由硅原子、钛原子、镁原子、氮原子和氢原子构成的组中的至少一种原子。
进行将阻抗匹配膜10暴露在温度125℃的环境中1000小时的可靠性试验。将进行阻抗匹配膜10的可靠性试验之前的初始的薄层电阻表示为Shb[Ω/□]，将进行阻抗匹配膜10的可靠性试验之后的薄层电阻表示为Sha[Ω/□]。在阻抗匹配膜10中，根据下式(1)确定的薄层电阻变化率ΔSh例如为25％以下，优选为20％以下，更优选为15％以下，进一步优选为10％以下。在此情况下，即使将阻抗匹配膜10长期暴露在高温环境中，阻抗匹配膜10的薄层电阻也不易改变。从在高温环境中长期实现阻抗匹配的观点考虑，这是有利的。
ΔSh[％]＝100×|Sha-Shb|/Shb 式(1)
从耐酸性的观点考虑，阻抗匹配膜10可以具有良好的特性。例如，将阻抗匹配膜10在常温(20℃±15℃：日本工业标准(JIS)Z 8703)下，在0.5摩尔/升或1.0摩尔/升的盐酸中浸渍2分钟而进行耐酸性试验。将进行阻抗匹配膜10的耐酸性试验之前的初始的薄层电阻表示为Scb[Ω/□]，将进行阻抗匹配膜10的耐酸性试验之后的薄层电阻表示为Sca[Ω/□]。在阻抗匹配膜10中，根据下述(2)确定的薄层电阻变化率ΔSc例如为10％以下，优选为5％以下，更优选为3％以下。在此情况下，即使阻抗匹配膜10与酸接触，阻抗匹配膜10的薄层电阻也不易改变。从在存在酸的环境中实现阻抗匹配的观点考虑，这是有利的。需要说明的是，除了特别说明的情况以外，阻抗匹配膜10的薄层电阻是指，进行可靠性试验和耐酸性试验之前的初始的薄层电阻。
ΔSc[％]＝100×|Sca-Scb|/Scb 式(2)
基材22例如发挥作为支撑阻抗匹配膜10的支撑体的作用。阻抗匹配膜10例如通过使用规定的靶材的溅射而在基材22的一个主面上成膜。在此情况下，例如使用包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分的靶材。除了靶材的组成以外，还可以通过调节在溅射中供给的氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比等规定的条件，将阻抗匹配膜10的霍尔迁移率调节至上述范围内。典型地，氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比越高，则电阻膜的霍尔迁移率越容易变高。在混合气体中例如除了氧气以外还可以含有氩气。例如，使用同一组成的靶材，在氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比不同的条件下进行溅射而制作多个电阻膜的样品，测定这些样品的霍尔迁移率。由该测定结果能够确定用于形成阻抗匹配膜10的溅射的条件。阻抗匹配膜10根据情况可以使用离子镀或涂布(例如，棒涂)等方法进行成膜。
如图2A所示，使用阻抗匹配膜10能够提供电波吸收体1a。电波吸收体1a具有阻抗匹配膜10、导电体30和电介质层20。导电体30反射电波。电介质层20在阻抗匹配膜10的厚度方向上配置在阻抗匹配膜10与导电体30之间。
电波吸收体1a为λ/4型电波吸收体。将电波吸收体1a设计为：当作为吸收对象的波长λO的电波入射到电波吸收体1a时，由阻抗匹配膜10的表面上的反射(表面反射)产生的电波与由导电体30上的反射(背面反射)产生的电波发生干涉。在λ/4型电波吸收体中，如下式(3)所示，利用电介质层的厚度t和电介质层的相对介电常数εr确定吸收对象的电波的波长λO。即，通过适当调节电介质层的相对介电常数和厚度，能够设定吸收对象的波长的电波。在式(3)中，sqrt(εr)表示相对介电常数εr的平方根。
λO＝4t×sqrt(εr) 式(3)
通过电波吸收体1a具有上述阻抗匹配膜10，在将电波吸收体1a长期暴露在高温环境中时，容易保持所期望的电波吸收性能。进行将电波吸收体1a在温度125℃的环境中暴露1000小时的可靠性试验。电波吸收体1a例如在该可靠性试验前后，能够对垂直入射的吸收对象的波长的电波发挥10dB以上的反射衰减量。反射衰减量例如可以根据JIS R 1679：2007进行测定。
在λ/4型电波吸收体的设计中确定阻抗匹配膜10的薄层电阻，以使得使用传输理论从阻抗匹配膜10的前表面预期的阻抗与特性阻抗相等。在λ/4型电波吸收体中，阻抗匹配膜10所要求的薄层电阻可以根据入射到λ/4型电波吸收体的电波的假定的入射角度而改变。需要说明的是，除了特别说明的情况以外，“阻抗匹配膜10的薄层电阻”表示上述可靠性试验之前的初始的薄层电阻的值。
导电体30只要能够反射吸收对象的电波，则没有特别限制，具有规定的导电性。如图2A所示，导电体30例如形成为层状。在此情况下，导电体30具有比阻抗匹配膜10的薄层电阻低的薄层电阻。导电体30可以具有除层状以外的形状。
导电体30例如包含氧化铟锡。在此情况下，导电体30容易具有高透明性。
导电体30的氧化铟锡中的氧化锡的含量例如为5质量％～15质量％。在此情况下，可以通过退火处理利用稳定的多晶态的氧化铟锡形成导电体30。其结果，在将电波吸收体1a长期暴露在高温环境中时，容易更可靠地发挥所期望的电波吸收性能。
导电体30可以含有选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金和铁合金构成的组中的至少一种。在此情况下，容易在降低导电体30的厚度的同时实现所期望的导电性。
导电体30的厚度不限于特定的厚度。例如，在导电体30为氧化铟锡的情况下，导电体30例如具有20nm～200nm的厚度，优选具有50nm～150nm的厚度。由此，电波吸收体1a能够发挥所期望的电波吸收性能，并且在导电体30中不易产生裂纹。
在导电体30为选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金、铁合金构成的组中的至少一种的情况下，导电体30例如具有30nm～100μm的厚度，优选具有50nm～50μm的厚度。
电介质层20例如具有2.0～20.0的相对介电常数。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，容易调节电波吸收体1a的电波吸收性能。电介质层20的相对介电常数例如是根据空腔谐振法测定的10GHz下的相对介电常数。
电介质层20例如由规定的高分子形成。电介质层20例如包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂(アクリル樹脂)、丙烯酸类聚氨酯树脂(アクリルウレタン樹脂)、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种高分子。在此情况下，容易调节电介质层20的厚度，并且能够保持低电波吸收体1a的制造成本。电介质层20例如可以通过对规定的树脂组合物进行热压来制作。
电介质层20可以形成为单一的层，也可以通过由相同或不同的材料形成的多个层形成。在电介质层20具有n个层(n为2以上的整数)的情况下，电介质层20的相对介电常数例如以以下的方式确定。测定各层的相对介电常数εi(i为1～n的整数)。接着，将测定的各层的相对介电常数εi乘以该层的厚度ti相对于电介质层20的整体T的厚度的比例，从而求出εi×(ti/T)。通过将所有层的εi×(ti/T)相加，能够确定电介质层20的相对介电常数。
如图2A所示，电介质层20例如具有第一层21、第二层22和第三层23。第一层21配置在第二层22与第三层23之间。第一层21例如包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种高分子。
在电波吸收体1a中，第二层22兼用作阻抗匹配膜10的基材。第二层22例如配置在比阻抗匹配膜10更靠近导电体30的位置。如图2B所示，第二层22可以配置在比阻抗匹配膜10更远离导电体30的位置。在此情况下，通过第一层21和第三层23构成电介质层20。在此情况下，通过第二层22保护阻抗匹配膜10和电介质层20，电波吸收体1a具有高耐久性。在此情况下，例如，阻抗匹配膜10可以与第一层21接触。第二层22例如还起到作为用于高精度地调节阻抗匹配膜10的厚度的辅助材料的作用。第二层22的材料例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、丙烯酸类树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)或环烯烃聚合物(COP)。其中，从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第二层22的材料优选为PET。
基材22例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，基材22的弯曲刚性低，并且在形成阻抗匹配膜10的情况下，能够抑制基材22中的褶皱的产生或变形。
在电波吸收体1a中，第三层23例如支撑层状的导电体30。在此情况下，层状的导电体30例如为金属箔或合金箔。层状的导电体30例如可以通过使用溅射、离子镀或涂布(例如，棒涂)等方法在第三层23上进行成膜来制作。第三层23例如配置在电波吸收体1a中的比层状的导电体30更靠近阻抗匹配膜10的位置，构成电介质层20的一部分。需要说明的是，如图2C所示，第三层23可以配置在比层状的导电体30更远离阻抗匹配膜10的位置。在此情况下，例如层状的导电体30与第一层21接触。
作为第三层23的材料，例如可以使用作为第二层22的材料而例示的材料。第三层23的材料可以与第二层22的材料相同，也可以不同。从良好的耐热性、尺寸稳定性与制造成本的平衡的观点考虑，第三层23的材料优选为PET。
第三层23例如具有10μm～150μm的厚度，优选具有15μm～100μm的厚度。由此，在第三层23的弯曲刚性低，并且在形成层状的导电体30的情况下，能够抑制第三层23中的褶皱的产生或变形。需要说明的是，第三层23可以根据情况省略。
第一层21可以由多个层构成。特别是，如图2B或图2C所示，在第一层21与阻抗匹配膜10和层状的导电体30中的至少一者接触的情况下，第一层21可以由多个层构成。
第一层21可以具有粘合性，也可以不具有粘合性。在第一层21具有粘合性的情况下，可以将粘合层配置成与第一层21的两主面中的至少一者接触，也可以不将粘合层配置成与该两主面接触。通过第一层21具有粘合性，可以消除对与第一层21不同的粘合层的需要。因此，在电波吸收体1a中，不产生与第一层21不同的粘合层的厚度的不均，能够降低电波吸收体1a整体的厚度的不均。因此，在电波吸收体1a中，容易发挥稳定的电波吸收性能。在第一层21不具有粘合性的情况下，优选将粘合层配置成与第一层21的两主面接触。需要说明的是，在电介质层20包含第二层22的情况下，即使第二层22不具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第二层22的两主面接触。在此情况下，可以将粘合层配置成与第二层22的一个主面接触。在电介质层20包含第三层23的情况下，即使第三层23不具有粘合性，也可以不将粘合层配置成与第三层23的两主面接触。可以将粘合层配置成与第三层23的至少一个主面接触。
在电波吸收体1a中，例如，有时与阻抗匹配膜10邻接的层含有规定的酸成分。与阻抗匹配膜10邻接的层例如可以含有酸成分，以使得根据JIS K 0070-1992的“3.1中和滴定法”对包含该层的一部分的试样确定的酸值为5以上。在此情况下，例如，如果在阻抗匹配膜10中的薄层电阻变化率ΔSc在上述范围内，则阻抗匹配膜10的薄层电阻不易因与阻抗匹配膜10邻接的层中含有的酸成分而改变。
将电波吸收体1a设计成吸收所期望的波长的电波。对电波吸收体1a能够吸收的电波的种类没有特别限制。电波吸收体1a能够吸收的电波例如可以是特定频带的毫米波或亚毫米波。
电波吸收体1a可以根据各种观点而改变。例如，电波吸收体1a可以如图3A所示的电波吸收体1b、图3B所示的电波吸收体1c、图4A所示的电波吸收体1d或图5A所示的电波吸收体1e那样改变。除了特别说明的部分以外，电波吸收体1b、1c、1d和1e与电波吸收体1a同样地构成。对与电波吸收体1a的构成要素相同或对应的电波吸收体1b、1c、1d和1e的构成要素标注相同的符号，并省略详细的说明。关于电波吸收体1a的说明，只要在技术上不矛盾，也适用于电波吸收体1b、1c、1d和1e。
如图3A所示，电波吸收体1b还具有粘合层40a。在电波吸收体1b中，导电体30配置在电介质层20与粘合层40a之间。另一方面，如图3B所示，电波吸收体1c还具有粘合层40a和导电体保护层35。导电体30配置在电介质层20与粘合层40a之间。而且，导电体保护层35配置在导电体30与粘合层40a之间。
例如，通过使粘合层40a与规定的物品接触并将电波吸收体1b或1c按压在物品上，能够将电波吸收体1b或1c粘贴在物品上。由此，能够得到带有电波吸收体的物品。
粘合层40a例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。电波吸收体1b还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖粘合层40a。隔膜典型地是在覆盖粘合层40a时能够保持粘合层40a的粘合力并且能够容易地从粘合层40a上剥离的膜。隔膜例如为PET等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜，露出粘合层40a，能够将电波吸收体1b或1c粘贴在物品上。
在电波吸收体1c中，作为导电体保护层35的材料，例如可以使用作为第二层22的材料而例示的材料。通过导电体保护层35，能够防止粘合层40a中所含的成分与导电体30接触。其结果，容易提高导电体30的耐久性。
在电波吸收体中，电介质层20可以对导电体30具有粘合性。例如，如图4A所示，在电波吸收体1d中，电介质层20具有包含粘合层40b的多个层。粘合层40b与导电体30接触。粘合层40b例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。粘合层40b例如配置在第一层21与导电体30之间。
如图4A所示，电介质层20还具有粘合层40c。粘合层40c例如与第二层22接触。可以改变电波吸收体1d，以使得粘合层40c与阻抗匹配膜10接触。粘合层40c例如含有橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、聚硅氧烷类粘合剂或氨基甲酸酯类粘合剂。粘合层40c例如配置在第一层21与第二层22之间。
电波吸收体1e例如可以使用如图4B所示的电波吸收体用层叠体50a来制作。电波吸收体用层叠体50a具有阻抗匹配膜10和电介质层20。电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触。
根据电波吸收体用层叠体50a，电介质层20例如在远离阻抗匹配膜10的主面上具有粘合性。在此情况下，例如通过使电介质层20与导电体30接触，并将电波吸收体用层叠体50a按压在导电体30上，能够将电波吸收体用层叠体50a粘贴在导电体30上，从而制作电波吸收体1e。
如图4B所示，在电波吸收体用层叠体50a中，电介质层20例如具有包含粘合层40b的多个层。将粘合层40b配置成在构成电介质层20的多个层中最远离阻抗匹配膜10。
电波吸收体用层叠体50a还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖粘合层40b。隔膜典型地为如下的膜：在覆盖粘合层40b时能够保持粘合层40b的粘合力并且能够容易地从粘合层40b上剥离。隔膜例如为PET等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜，露出粘合层40b，能够将电波吸收体用层叠体50a粘贴在导电体30上。
如图5A所示，在电波吸收体1e中，第一层21与导电体30接触。第一层21例如对导电体30具有粘合性。第一层21例如与第二层22接触。第一层21例如对第二层22具有粘合性。可以改变电波吸收体1e，以使得第一层21与阻抗匹配膜10接触。在此情况下，第一层21例如对阻抗匹配膜10具有粘合性。
电波吸收体1e例如可以使用如图5B所示的电波吸收体用层叠体50b来制作。电波吸收体用层叠体50b具有阻抗匹配膜10和电介质层20。电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触。
在电波吸收体用层叠体50b中，电介质层20在远离阻抗匹配膜10的主面中具有粘合性。例如，第一层21具有粘合性。例如，通过使第一层21与导电体30接触，并将电波吸收体用层叠体50b按压在导电体30上，能够将电波吸收体用层叠体50b粘贴在导电体30上来制作电波吸收体1e。
电波吸收体用层叠体50b还可以具有隔膜(省略图示)。在此情况下，隔膜覆盖电介质层20的应该与导电体30接触的面。隔膜典型地为如下的膜：当覆盖电介质层20的应该与导电体30接触的面时，能够保持电介质层20的应该与导电体30接触的面的粘合力、并且能够容易地从电介质层20上剥离。隔膜例如为PET等聚酯树脂制的膜。通过剥离隔膜而露出电介质层20的应该与导电体30接触的面，能够将电波吸收体用层叠体50b粘贴在导电体30上。
只要电波吸收体用层叠体具有阻抗匹配膜10和电介质层20并且电介质层20配置成在阻抗匹配膜10的厚度方向上与阻抗匹配膜10接触，则不限于特定的构成。
[实施例]
以下，通过实施例对本发明更详细地进行说明。但是，本发明不限于以下的实施例。首先，对关于实施例和比较例的评价方法进行说明。
[X射线衍射]
使用X射线衍射装置(日本理学公司制造，产品名：RINT2200)，通过X射线反射率法测定各实施例和比较例的带有电阻膜的膜的电阻膜的厚度。将结果示于表1中。另外，使用X射线衍射装置得到了对电阻膜的X射线衍射图。作为X射线，使用Cu-Kα射线。从所得到的X射线衍射图确认到：在各实施例和比较例中，电阻膜具有非晶态结构。
[霍尔迁移率]
使用霍尔效应测定装置(Nanometrics公司制造，产品名：HL5500PC)，按照范德堡法对各实施例和比较例的电阻膜进行霍尔效应测定。由霍尔效应测定的结果求出各实施例和比较例的电阻膜的霍尔迁移率。将结果示于表1中。需要说明的是，霍尔效应测定对未实施下述可靠性试验和耐酸性试验的样品进行。
[电阻率]
使用非接触式电阻测定装置(Napson公司制造，产品名：NC-80MAP)，根据JIS Z2316，通过涡电流测定法测定各实施例和比较例的电阻膜的初始的薄层电阻。在各实施例和比较例中，由如上所述测定的电阻膜的厚度和如上所述测定的电阻膜的初始的薄层电阻求出两者的积来确定电阻率。将结果示于表1中。需要说明的是，各实施例和比较例的电阻膜的初始的薄层电阻使用如下层叠体进行测定：在层叠后述的带有导电体的膜之前的、带有电阻膜的膜与丙烯酸类树脂层的层叠体。
[可靠性试验]
将各实施例的电波吸收体暴露在125℃的环境中1000小时而实施可靠性试验。根据JIS R 1679：2007，对各实施例的电波吸收体测定在可靠性试验的前后，电波吸收体对垂直入射的76GHz的毫米波的反射衰减量(将反射波的电功率相对于入射波的电功率之比记载为dB的值的绝对值)。需要说明的是，本说明书中的“反射衰减量”对应于JIS R 1679：2007中的“反射量”。对比较例的电波吸收体不实施可靠性试验，根据JIS R 1679：2007测定电波吸收体对垂直入射的76GHz的毫米波的反射衰减量。关于各实施例和比较例，根据下述基准，由对5个样品测定反射衰减量而求出的平均值评价各实施例和比较例的电波吸收体的反射衰减量。将结果示于表1中。需要说明的是，由于未对比较例的电波吸收体实施可靠性试验，因此将可靠性试验之后的反射衰减量的评价一栏记载为[-]。
AA：反射衰减量的平均值为20dB以上。
A：反射衰减量的平均值大于等于10dB且小于20dB。
X：反射衰减量的平均值小于10dB。
进行上述可靠性试验，然后从各实施例的电波吸收体的样品剥离带有导电体的膜，从而制作了试样。然后，使用非接触式电阻测定装置(Napson公司制造，产品名：NC-80MAP)，根据JIS Z 2316，通过涡电流测定法测定该试样的电阻膜的薄层电阻。根据上述式(1)，由该测定结果和初始的薄层电阻的测定结果求出各实施例的电阻膜的薄层电阻变化率ΔSh。将结果示于表1中。需要说明的是，由于未对比较例的电波吸收体实施可靠性试验，因此将薄层电阻变化率ΔSh一栏记载为[-]。
[耐酸性试验]
将各实施例的带有电阻膜的膜切成30mm见方而得到切片，利用粘合带将该切片粘贴在载玻片上，准备耐酸性试验用样品。将各实施例的样品在具有0.5摩尔/升或1.0摩尔/升的浓度的盐酸中浸渍2分钟。在各实施例的样品中，从载玻片剥离浸渍之后的切片。然后，使用非接触式电阻测定装置(Napson公司制造，产品名：NC-80MAP)，根据JIS Z 2316，通过涡电流测定法测定各实施例的样品的电阻膜的薄层电阻。根据上述式(2)，由该测定结果和初始的薄层电阻的测定结果求出各实施例的电阻膜的薄层电阻变化率ΔSc。将结果示于表1中。需要说明的是，由于未对比较例的电阻膜实施耐酸性试验，因此将薄层电阻变化率ΔSc一栏记载为[-]。
＜实施例1＞
使用含有30重量％的SnO2的ITO作为靶材，在向PET膜(三菱化学株式会社制造，产品名：Diafoil，厚度：23μm)上供给包含氩气和氧气的混合气体的同时进行溅射，从而形成了实施例1的电阻膜。以这样的方式，得到了实施例1的带有电阻膜的膜。在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为44nm、电阻膜的初始的薄层电阻为386Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为15cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为0.7％。准备将具有25μm的厚度的PET膜和具有7μm的厚度的铝箔层叠而得到的带有导电体的膜。将具有2.6的相对介电常数的丙烯酸类树脂成型为560μm的厚度，从而得到了丙烯酸类树脂层。将实施例1的带有电阻膜的膜层叠在丙烯酸类树脂层上，以使得实施例1的带有电阻膜的膜的电阻膜与丙烯酸类树脂层接触。然后，将带有导电体的膜进一步层叠在丙烯酸类树脂层上，以使得带有导电体的膜的PET膜与丙烯酸类树脂层接触。以这样的方式，得到了实施例1的电波吸收体。实施例1的电波吸收体具有与图2B所示的电波吸收体1a对应的构成。丙烯酸类树脂层对带有电阻膜的膜的电阻膜和带有导电体的膜的PET膜具有粘合性，带有电阻膜的膜和带有导电体的膜在不使用粘合剂的情况下胶粘在丙烯酸类树脂层上。
＜实施例2＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例2的带有电阻膜的膜。在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为19nm、电阻膜的初始的薄层电阻为416Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为31cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.0％。除了使用实施例2的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例2的电波吸收体。
＜实施例3＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例3的带有电阻膜的膜。在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为22nm、电阻膜的初始的薄层电阻为318Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为46cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为3.3％。除了使用实施例3的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例3的电波吸收体。
＜实施例4＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例4的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有50重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为90nm、电阻膜的初始的薄层电阻为456Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为8cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.0％。除了使用实施例4的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例4的电波吸收体。
＜实施例5＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例5的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有50重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为36nm、电阻膜的初始的薄层电阻为361Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为23cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为3.3％。除了使用实施例5的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例5的电波吸收体。
＜实施例6＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例6的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有50重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为26nm、电阻膜的初始的薄层电阻为385Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为41cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为4.7％。除了使用实施例6的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例6的电波吸收体。
＜实施例7＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例7的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有20重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为50nm、电阻膜的初始的薄层电阻为396Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为10cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为0.7％。除了使用实施例7的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例7的电波吸收体。
＜实施例8＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例8的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有20重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为22nm、电阻膜的初始的薄层电阻为373Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为20cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.0％。除了使用实施例8的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例8的电波吸收体。
＜实施例9＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例9的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有20重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为20nm、电阻膜的初始的薄层电阻为360Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为39cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为4.7％。除了使用实施例9的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例9的电波吸收体。
＜实施例10＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例10的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有70重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为52nm、电阻膜的初始的薄层电阻为365Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为20cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为3.3％。除了使用实施例10的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例10的电波吸收体。
＜实施例11＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例11的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有70重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为45nm、电阻膜的初始的薄层电阻为378Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为31cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为5.3％。除了使用实施例11的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例11的电波吸收体。
＜实施例12＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例12的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有30重量％的SnO2和2.5重量％的SiO2的添加了SiO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为42nm、电阻膜的初始的薄层电阻为381Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为21cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.7％。除了使用实施例12的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例12的电波吸收体。
＜实施例13＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例13的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有15重量％的SnO2和5重量％的SiO2的添加了SiO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为87nm、电阻膜的初始的薄层电阻为402Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为17cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.7％。除了使用实施例13的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例13的电波吸收体。
＜实施例14＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了实施例14的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有15重量％的SnO2和5重量％的TiO2的添加了TiO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为98nm、电阻膜的初始的薄层电阻为449Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为15cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.0％。除了使用实施例14的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了实施例14的电波吸收体。
＜比较例1＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了比较例1的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有50重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为100nm、电阻膜的初始的薄层电阻为990Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为4cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为1.3％。除了使用比较例1的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了比较例1的电波吸收体。
＜比较例2＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了比较例2的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有15重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为10nm、电阻膜的初始的薄层电阻为400Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为31cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为2.0％。除了使用比较例2的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了比较例2的电波吸收体。
＜比较例3＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了比较例3的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有50重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为210nm、电阻膜的初始的薄层电阻为381Ω/□、电阻膜的霍尔迁移率为4cm2/(V·s)。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为1.3％。除了使用比较例3的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了比较例3的电波吸收体。
＜比较例4＞
除了下述方面以外，与实施例1同样地操作，从而制作了比较例4的带有电阻膜的膜。作为溅射的靶材，使用含有90重量％的SnO2的ITO。而且，在溅射中，调节氧气的体积流量相对于混合气体的体积流量之比，以使得电阻膜的厚度为580nm、电阻膜的初始的薄层电阻为397Ω/□。氧气的体积流量相对于氩气的体积流量之比为3.3％。除了使用比较例4的带有电阻膜的膜代替实施例1的带有电阻膜的膜以外，与实施例1同样地操作，从而得到了比较例4的电波吸收体。
如表1所示，实施例1～14的电波吸收体能够在可靠性试验前后发挥良好的电波吸收性能。而且，在实施例1～6、8、10～14的带有电阻膜的膜中，ΔSh为20％以下。另一方面，比较例1～4的电波吸收体未能够发挥良好的电波吸收性能。这暗示了：通过包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构的电阻膜具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率并且具有大于等于16nm且小于100nm的厚度，在将电阻膜长期暴露在高温环境中时，从阻抗匹配的观点考虑容易保持所期望的特性。在实施例1～6和实施例10～12的带有电阻膜的膜中，ΔSc为10％以下，这暗示了这些实施例的电阻膜具有所期望的耐酸性。
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Claims (13)

1.一种电波吸收体用阻抗匹配膜，其中，所述电波吸收体用阻抗匹配膜包含氧化铟与氧化锡的混合物作为主要成分且所述混合物具有非晶态结构，
所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有大于等于16nm且小于100nm的厚度，
所述电波吸收体用阻抗匹配膜满足下述(i)或(ii)的条件：
(i)所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有8cm2/(V·s)～17cm2/(V·s)的霍尔迁移率，并且具有3.5×10-3Ω·cm～4.4×10-3Ω·cm的电阻率；
(ii)所述电波吸收体用阻抗匹配膜具有5cm2/(V·s)以上的霍尔迁移率，并且具有0.7×10-3Ω·cm～2.0×10-3Ω·cm的电阻率。
2.如权利要求1所述的阻抗匹配膜，其中，
所述阻抗匹配膜具有200Ω/□～800Ω/□的薄层电阻。
3.如权利要求1或2所述的阻抗匹配膜，其中，
所述氧化锡的含量为20质量％以上。
4.如权利要求3所述的阻抗匹配膜，其中，
所述氧化锡的含量大于40质量％。
5.如权利要求1或2所述的阻抗匹配膜，其中，
所述阻抗匹配膜还包含至少具有与铟原子、锡原子和氧原子不同的原子的添加物。
6.一种带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜，其中，所述带有电波吸收体用阻抗匹配膜的膜具有：
基材、和
权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜。
7.一种电波吸收体，其中，所述电波吸收体具有：
权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜、
反射电波的导电体、和
在所述阻抗匹配膜的厚度方向上配置在所述阻抗匹配膜与所述导电体之间的电介质层。
8.如权利要求7所述的电波吸收体，其中，
所述导电体包含氧化铟锡。
9.如权利要求7所述的电波吸收体，其中，
所述导电体包含选自由铝、铜、铁、铝合金、铜合金和铁合金构成的组中的至少一种。
10.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，
所述电介质层具有2.0～20.0的相对介电常数。
11.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，
所述电介质层包含选自由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸类树脂、丙烯酸类聚氨酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺和环烯烃聚合物构成的组中的至少一种高分子。
12.如权利要求7或8所述的电波吸收体，其中，
所述电波吸收体还具有粘合层，并且
所述导电体配置在所述电介质层与所述粘合层之间。
13.一种电波吸收体用层叠体，其中，所述电波吸收体用层叠体具有：
权利要求1～5中任一项所述的阻抗匹配膜、和
配置成在所述阻抗匹配膜的厚度方向上与所述阻抗匹配膜接触的电介质层。
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