KR20210102292A - 전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체 - Google Patents

전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체 Download PDF

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히로노부 마치나가
모토키 하이시
요스케 나카니시
유우키 타케다
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

임피던스 정합막(10)은 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함한다. 임피던스 정합용 임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 갖는다. 임피던스 정합막(10)은 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는다.

Description

전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체
본 발명은 전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체에 관한 것이다.
종래, 산화 인듐 주석(ITO) 등의 산화 인듐 및 산화 주석을 포함하는 물질을 이용하여 임피던스 정합을 도모하는 기술이 알려져 있다.
예컨대, 특허문헌 1에 따르면, 종래의 λ/4형 전파 흡수체는 저항 피막인 ITO, 유전체 및 도전층을 적층시킨 구조라고 설명되어 있다. λ/4형 전파 흡수체에서, 저항 피막인 ITO에 의해 임피던스 정합이 도모된다. 한편, 특허문헌 1에 따르면, ITO의 아모르포스막은 대기 중에서의 내구성이 낮다고 지적되고 있다. 따라서, 특허문헌 1에서는 우수한 내구성을 발휘하는 λ/4형 전파 흡수체의 제조를 위하여, 몰리브덴을 5중량% 이상 함유하는 합금을 포함하는 λ/4형 전파 흡수체용 저항 피막이 제안되어 있다.
일본 공개특허공보 제2018-56562호
특허문헌 1에는 ITO의 아모르포스막을 저항 피막에 이용하여 λ/4형 전파 흡수체의 내구성을 높일 수 있는 것은 기재도 시사도 되어있지 않다. 또한, 특허문헌 1에서 고온 환경(예컨대, 125℃의 환경)에 장기간 노출되었을 때의 저항 피막의 내구성은 평가되어 있지 않다.
이와 같은 사정에 입각하여, 본 발명은 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고, 고온 분위기에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하는 데에 유리한 전파 흡수체용 임피던스 정합막을 제공한다. 또한, 본 발명은 이와 같은 임피던스 정합막을 구비한 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체를 제공한다.
본 발명은,
아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고,
5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도(Hall mobility)를 가지며,
16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는,
전파 흡수체용 임피던스 정합막을 제공한다.
또한, 본 발명은
기재와,
상기의 임피던스 정합막을 구비한
전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은
상기의 임피던스 정합막과,
전파를 반사하는 도전체와,
상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막과 상기 도전체와의 사이에 배치되어 있는 유전체층을 구비한
전파 흡수체를 제공한다.
또한, 본 발명은
상기의 임피던스 정합막과,
상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막에 접촉하여 배치되어 있는 유전체층을 구비한
전파 흡수체용 적층체를 제공한다.
상기의 전파 흡수체용 임피던스 정합막은, 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하는 데에 유리하다.
도 1은, 본 발명에 따른 전파 흡수체용 임피던스 정합막의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 나타내는 전파 흡수체의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 2c는 도 2a에 나타내는 전파 흡수체의 다른 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4b는 본 발명에 따른 전파 흡수체용 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5b는 본 발명에 따른 전파 흡수체용 적층체의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 실시형태에 관하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태로는 한정되지 않는다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은, 예컨대 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름(15)에 의해 제공된다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은 저항막이다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름(15)은, 기재(22)와 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)을 구비하고 있다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은 예컨대 기재(22)의 한쪽 주면 위에 성막되어 있다. 임피던스 정합막(10)은 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함한다. 이 혼합물은 아모르포스 구조를 갖는다. 임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 갖는다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 임피던스 정합막(10)의 홀 효과 측정에 의해 결정할 수 있다. 임피던스 정합막(10)의 홀 효과 측정은, 예컨대 반 데르 포(van der Pauw)법에 따라 이루어진다. 임피던스 정합막(10)은 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는다. 본 명세서에서 주성분이란, 질량 기준으로 가장 많이 포함되는 성분을 의미한다. 주성분은 예컨대 50질량%를 초과하는 성분일 수 있다. 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물은 예컨대 고용체로서 존재하고 있다.
임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가짐으로써, 고온 환경(예컨대, 125℃)에 장기간(예컨대, 1000시간) 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하기 쉽다. 본 발명자들은 다대한 시행 착오를 거듭한 결과, 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 임피던스 정합막에서, 홀 이동도를 상기의 범위로 조정함으로써 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있는 것을 새롭게 발견하였다.
임피던스 정합막(10)이 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)이 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있는 이유는 분명하지 않다. 본 발명자들은 그 이유에 대하여 이하와 같이 생각하고 있다. 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 막에서, 산소 공공(空孔)이 캐리어의 발생원이 된다고 생각된다. 이와 같은 막에서 산소 공공의 밀도가 높으면, 고온 환경에서 산화 반응이 생기기 쉽고, 막의 이동도가 상승하기 쉽다고 생각된다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도가 5㎠/(V·s) 이상의 범위이면, 임피던스 정합막(10)에서 산소 공공이 적당한 밀도로 존재하고, 고온 환경에서 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도 및 캐리어 밀도가 변동하기 어렵다고 생각된다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)은 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있다고 생각된다.
임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는, 상기의 범위인 한 특정한 값으로 한정되지 않는다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 6㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 7㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 8㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 9㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 10㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 15㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 20㎠/(V·s) 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는, 예컨대 65㎠/(V·s) 이하이고, 60㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 58㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 55㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 52㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 51㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 50㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 49㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 48㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 47㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 46㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 45㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 40㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 35㎠/(V·s) 이하이어도 된다.
임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 바람직하게는 50㎠/(V·s) 이하이다. 이 경우, 보다 확실하게 임피던스 정합막(10)에서 산소 공공이 적당한 밀도로 존재하고, 고온 환경에서 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도 및 캐리어 밀도가 변동하기 어렵다고 생각된다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)은 보다 확실하게, 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있다.
임피던스 정합막(10)이 100nm 미만의 두께를 가짐으로써 임피던스 정합막(10)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 임피던스 정합막(10)에서 크랙이 발생하기 어렵다. 또한, 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 임피던스 정합막(10)이 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)이 소망하는 시트 저항을 갖기 쉽다. 또한, 임피던스 정합막(10)이 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)은 생산성 및 제조 비용의 관점에서도 유리하다.
임피던스 정합막(10)의 두께는 18nm 이상이어도 되고, 20nm 이상이어도 되며, 25nm 이상이어도 되고, 30nm 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 두께는 90nm 이하이어도 되고, 80nm 이하이어도 되며, 70nm 이하이어도 되고, 60nm 이하이어도 된다.
임피던스 정합막(10)은 예컨대 0.5×10-3∼5.0×10-3Ω·cm의 비저항을 갖는다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)이 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 갖기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 주성분이 아모르포스 구조를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)의 비저항이 이와 같은 범위에 들어가기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 비저항은 0.7×10-3Ω·cm 이상이어도 되고, 0.8×10-3Ω·cm 이상이어도 되며, 1.0×10-3Ω·cm 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 비저항은 4.8×10-3Ω·cm 이하이어도 되고, 4.5-3Ω·cm 이하이어도 되며, 4.0×10-3Ω·cm 이하이어도 되고, 3.5×10-3Ω·cm 이하이어도 되며, 3.3×10-3Ω·cm 이하이어도 된다.
임피던스 정합막(10)은 예컨대 200∼800Ω/□의 시트 저항을 갖는다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)이 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 갖기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 220Ω/□ 이상이어도 되고, 250Ω/□ 이상이어도 되며, 275Ω/□ 이상이어도 되고, 300Ω/□ 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 800Ω/□ 이하이어도 되고, 700Ω/□ 이하이어도 되며, 600Ω/□ 이하이어도 되고, 500Ω/□ 이하이어도 되며, 450Ω/□ 이하이어도 된다.
임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은, 상기의 주성분이 아모르포스 구조를 갖는 한, 특정한 값으로 한정되지 않는다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 임피던스 정합막(10)이 아모르포스 상태를 유지하기 쉽도록 정해져 있는 것이 바람직하다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 예컨대 20질량% 이상이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 아모르포스 상태를 유지하기 쉽다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 25% 질량 이상이어도 된다.
임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 40질량%를 초과하고 있어도 된다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 양호한 내산성을 나타내기 쉽다.
임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은, 예컨대 90질량% 이하이고, 80질량% 이하이어도 되며, 70질량% 이하이어도 된다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 60질량% 이하이어도 된다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 바람직하게는 90질량% 미만이고, 보다 바람직하게는 80질량% 이하이다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)의 비저항이 소망하는 범위로 조정되기 쉽다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)을 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께로 형성하였을 때에, 임피던스 정합막(10)이 소망하는 시트 저항을 갖기 쉽다.
임피던스 정합막(10)은 예컨대 첨가물을 추가로 포함하고 있어도 된다. 첨가물은 예컨대, 인듐 원자, 주석 원자 및 산소 원자와는 상이한 원자를 적어도 갖는다. 임피던스 정합막(10)에 첨가물을 함유시킴으로써 비저항 등의 임피던스 정합막(10)의 특성을 조정하기 쉽다. 또한, 첨가물을 함유시킴으로써, 경우에 따라서는, 단독으로는 아모르포스의 상태로 하는 것이 어려운 조성을 갖는 주성분을 이용하여 아모르포스 물질을 얻을 수 있다.
첨가물은 예컨대, 규소 원자, 티타늄 원자, 마그네슘 원자, 질소 원자 및 수소 원자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 원자를 갖는다.
임피던스 정합막(10)을, 온도 125℃의 환경에 1000시간 노출시키는 신뢰성 시험을 행한다. 임피던스 정합막(10)의 신뢰성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 Shb[Ω/□]로 나타내고, 임피던스 정합막(10)의 신뢰성 시험을 행한 후의 시트 저항을 Sha[Ω/□]로 나타낸다. 임피던스 정합막(10)에서, 하기 식(1)에 의해 결정되는 시트 저항 변화율(ΔSh)은, 예컨대 25% 이하이고, 바람직하게는 20% 이하이며, 보다 바람직하게는 15% 이하이고, 더욱 바람직하게는 10% 이하이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 고온 환경에 장기간 노출되어도 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다. 이 점은 고온 환경에서 장기간 임피던스 정합을 도모하는 관점에서 유리하다.
ΔSh[%]= 100×|Sha-Shb|/Shb 식(1)
임피던스 정합막(10)은 내산성의 관점에서 양호한 특성을 갖고 있어도 된다. 예컨대, 임피던스 정합막(10)을 상온(20℃±15℃: 일본 공업 규격(JIS) Z 8703)에서 0.5몰/리터 또는 1.0몰/리터의 염산에 2분간 침지하여 내산성 시험을 행한다. 임피던스 정합막(10)의 내산성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 Scb[Ω/□]로 나타내고, 임피던스 정합막(10)의 내산성 시험을 행한 후의 시트 저항을 Sca[Ω/□]로 나타낸다. 임피던스 정합막(10)에서, 하기 식(2)에 의해 결정되는 시트 저항 변화율(ΔSc)은 예컨대 10% 이하이고, 바람직하게는 5% 이하이며, 보다 바람직하게는 3% 이하이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 산과 접촉하여도 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다. 이것은 산이 존재하는 환경에서 임피던스 정합을 도모하는 관점에서 유리하다. 또한, 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 특별히 설명하는 경우를 제외하고, 신뢰성 시험 및 내산성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 의미한다.
ΔSc[%]= 100×|Sca-Scb|/Scb 식(2)
기재(22)는 예컨대 임피던스 정합막(10)을 지지하는 지지체로서의 역할을 수행한다. 임피던스 정합막(10)은 예컨대 소정의 타겟재를 이용한 스퍼터링에 의해 기재(22)의 한쪽 주면 위에 성막된다. 이 경우, 예컨대 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 타겟재가 이용된다. 타겟재의 조성에 더하여, 스퍼터링에서 공급되는 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비 등의 소정의 조건을 조정함으로써, 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도를 상기의 범위로 조정할 수 있다. 전형적으로는, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비가 높을 수록 저항막의 홀 이동도가 높아지기 쉽다. 혼합 가스에는 예컨대 산소 가스 외에 아르곤 가스가 포함될 수 있다. 예컨대, 동일 조성의 타겟재를 이용하여 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비가 상이한 조건에서 스퍼터링을 행하여 복수의 저항막의 샘플을 제작하고, 그들 샘플의 홀 이동도를 측정한다. 이 측정 결과로부터 임피던스 정합막(10)을 형성하기 위한 스퍼터링의 조건을 결정할 수 있다. 임피던스 정합막(10)은 경우에 따라서는 이온 플레이팅 또는 코팅(예컨대, 바 코팅) 등의 방법을 이용하여 성막되어도 된다.
도 2a에 나타내는 바와 같이, 임피던스 정합막(10)을 이용하여 전파 흡수체(1a)를 제공할 수 있다. 전파 흡수체(1a)는 임피던스 정합막(10)과 도전체(30)와 유전체층(20)을 구비하고 있다. 도전체(30)는 전파를 반사한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)과 도전체(30)와의 사이에 배치되어 있다.
전파 흡수체(1a)는 λ/4형의 전파 흡수체이다. 전파 흡수체(1a)에 흡수 대상으로 하는 파장 λ0의 전파가 입사하면, 임피던스 정합막(10)의 표면에서의 반사(표면 반사)에 의한 전파와, 도전체(30)에서의 반사(이면 반사)에 의한 전파가 간섭하도록 전파 흡수체(1a)가 설계되어 있다. λ/4형의 전파 흡수체에서는 하기의 식(3)에 나타내는 바와 같이, 유전체층의 두께(t) 및 유전체층의 비유전율(εr)에 의해 흡수 대상인 전파의 파장(λ0)이 결정된다. 즉, 유전체층의 비유전율 및 두께를 적절히 조절함으로써 흡수 대상인 파장의 전파를 설정할 수 있다. 식(3)에서 sqrt(εr)는 비유전율(εr)의 평방근을 의미한다.
λO= 4t×sqrt(εr) 식(3)
전파 흡수체(1a)가 상기의 임피던스 정합막(10)을 구비하고 있음으로써, 전파 흡수체(1a)는 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 소망하는 전파 흡수 성능을 유지하기 쉽다. 전파 흡수체(1a)를 온도 125℃의 환경에 1000시간 노출시키는 신뢰성 시험을 행한다. 전파 흡수체(1a)는 예컨대 이 신뢰성 시험의 전후에 있어서, 수직으로 입사하는 흡수 대상인 파장의 전파에 대하여 10dB 이상의 반사 감쇠량을 발휘할 수 있다. 반사 감쇠량은 예컨대 JIS R 1679:2007에 준거하여 측정할 수 있다.
λ/4형의 전파 흡수체의 설계에서, 전송 이론을 이용하여 임피던스 정합막(10)의 전면으로부터 예상하였던 임피던스가 특성 임피던스와 동등하게 되도록 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 정해진다. λ/4형의 전파 흡수체에서, 임피던스 정합막(10)에 요구되는 시트 저항은 λ/4형의 전파 흡수체에 입사하는 전파의 예상되는 입사 각도에 의해 변동할 수 있다. 또한, 특별히 설명하는 경우를 제외하고, '임피던스 정합막(10)의 시트 저항'은 상기의 신뢰성 시험 전의 초기의 시트 저항의 값을 의미한다.
도전체(30)는 흡수 대상인 전파를 반사할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 소정의 도전성을 갖는다. 도 2a에 나타내는 바와 같이, 도전체(30)는 예컨대 층상으로 형성되어 있다. 이 경우, 도전체(30)는 임피던스 정합막(10)의 시트 저항보다도 낮은 시트 저항을 갖는다. 도전체(30)는 층상 이외의 형상을 갖고 있어도 된다.
도전체(30)는 예컨대 산화 인듐 주석을 포함하고 있다. 이 경우, 도전체(30)가 높은 투명성을 갖기 쉽다.
도전체(30)의 산화 인듐 주석에서의 산화 주석의 함유량은 예컨대 5∼15질량%이다. 이 경우, 어닐 처리에 의해 안정적인 다결정 상태의 산화 인듐 주석으로 도전체(30)를 형성할 수 있다. 그 결과, 전파 흡수체(1a)는 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 소망하는 전파 흡수 성능을 보다 확실하게 발휘하기 쉽다.
도전체(30)는 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금 및 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 도전체(30)의 두께를 저감하면서 소망하는 도전성을 실현하기 쉽다.
도전체(30)의 두께는 특정한 두께로 한정되지 않는다. 예컨대, 도전체(30)가 산화 인듐 주석인 경우, 도전체(30)는 예컨대 20∼200nm의 두께를 갖고, 바람직하게는 50∼150nm의 두께를 갖는다. 이에 따라, 전파 흡수체(1a)가 소망하는 전파 흡수 성능을 발휘할 수 있음과 함께, 도전체(30)에서 크랙이 발생하기 어렵다.
도전체(30)가 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금, 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개인 경우, 도전체(30)는 예컨대 30nm∼100㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 50nm∼50㎛의 두께를 갖는다.
유전체층(20)은 예컨대 2.0∼20.0의 비유전율을 갖는다. 이 경우, 유전체층(20)의 두께를 조정하기 쉽고, 전파 흡수체(1a)의 전파 흡수 성능의 조정이 용이하다. 유전체층(20)의 비유전율은 예컨대, 공동 공진법에 따라 측정되는 10GHz에서의 비유전율이다.
유전체층(20)은 예컨대 소정의 고분자에 의해 형성되어 있다. 유전체층(20)은 예컨대, 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함한다. 이 경우, 유전체층(20)의 두께를 조정하기 쉽고, 또한 전파 흡수체(1a)의 제조 비용을 낮게 유지할 수 있다. 유전체층(20)은 예컨대, 소정의 수지 조성물을 열 프레스함으로써 제작할 수 있다.
유전체층(20)은 단일의 층으로서 형성되어 있어도 되고, 동일 또는 상이한 재료로 이루어진 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 유전체층(20)이 n개의 층(n은 2 이상의 정수)을 갖는 경우, 유전체층(20)의 비유전율은, 예컨대 이하와 같이 하여 결정된다. 각 층의 비유전율(εi)을 측정한다(i는 1∼n의 정수). 다음으로, 측정된 각 층의 비유전율(εi)에 그 층의 두께(ti)의 유전체층(20)의 전체(T)에 대한 두께의 비율을 곱하여 εi×(ti/T)를 구한다. 모든 층에 대한 εi×(ti/T)를 가산함으로써, 유전체층(20)의 비유전율을 결정할 수 있다.
도 2a에 나타내는 바와 같이, 유전체층(20)은 예컨대, 제1층(21), 제2층(22) 및 제3층(23)을 구비하고 있다. 제1층(21)은 제2층(22)과 제3층(23)과의 사이에 배치되어 있다. 제1층(21)은 예컨대, 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함한다.
전파 흡수체(1a)에서 제2층(22)은 임피던스 정합막(10)에 있어서의 기재를 겸하고 있다. 제2층(22)은 예컨대, 임피던스 정합막(10)보다도 도전체(30)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 도 2b에 나타내는 바와 같이, 제2층(22)은 임피던스 정합막(10)보다도 도전체(30)로부터 먼 위치에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 제1층(21) 및 제3층(23)에 의해 유전체층(20)이 구성된다. 이 경우, 제2층(22)에 의해 임피던스 정합막(10) 및 유전체층(20)이 보호되고, 전파 흡수체(1a)가 높은 내구성을 갖는다. 이 경우, 예컨대 임피던스 정합막(10)이 제1층(21)에 접촉하고 있어도 된다. 제2층(22)은 예컨대 임피던스 정합막(10)의 두께를 고정밀도로 조절하기 위한 보조재로서의 역할도 수행한다. 제2층(22)의 재료는 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 아크릴 수지(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI) 또는 시클로올레핀 폴리머(COP)이다. 그 중에서도 양호한 내열성과 치수 안정성과 제조 비용과의 밸런스의 관점에서 제2층(22)의 재료는 바람직하게는 PET이다.
기재(22)는 예컨대 10∼150㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 15∼100㎛의 두께를 갖는다. 이에 따라, 기재(22)의 굽힘 강성이 낮고, 또한 임피던스 정합막(10)을 형성하는 경우에 기재(22)에서 주름의 발생 또는 변형을 억제할 수 있다.
전파 흡수체(1a)에서, 제3층(23)은 예컨대 층상의 도전체(30)를 지지하고 있다. 이 경우, 층상의 도전체(30)는 예컨대 금속박 또는 합금박이다. 층상의 도전체(30)는 예컨대 스퍼터링, 이온 플레이팅 또는 코팅(예컨대, 바 코팅) 등의 방법을 이용하여 제3층(23) 위에 성막함으로써 제작되어도 된다. 제3층(23)은 예컨대, 전파 흡수체(1a)에서 층상의 도전체(30)보다도 임피던스 정합막(10)에 가까운 위치에 배치되어 있고, 유전체층(20)의 일부를 구성하고 있다. 또한, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 제3층(23)은 층상의 도전체(30)보다도 임피던스 정합막(10)으로부터 먼 위치에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 예컨대 층상의 도전체(30)가 제1층(21)에 접촉하고 있다.
제3층(23)의 재료로서, 예컨대 제2층(22)의 재료로서 예시된 재료를 사용할 수 있다. 제3층(23)의 재료는 제2층(22)의 재료와 동일하여도 되고, 상이하여도 된다. 양호한 내열성과 치수 안정성과 제조 비용과의 밸런스의 관점에서 제3층(23)의 재료는 바람직하게는 PET이다.
제3층(23)은, 예컨대 10∼150㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 15∼100㎛의 두께를 갖는다. 이에 따라 제3층(23)의 굽힘 강성이 낮고, 또한 층상의 도전체(30)를 형성하는 경우에 제3층(23)에서 주름의 발생 또는 변형을 억제할 수 있다. 또한, 제3층(23)은 경우에 따라서는 생략 가능하다.
제1층(21)은 복수의 층에 의해 구성되어 있어도 된다. 특히, 도 2b 또는 도 2c에 나타내는 바와 같이, 임피던스 정합막(10) 및 층상의 도전체(30)의 적어도 1개에 제1층(21)이 접촉하고 있는 경우에 제1층(21)은 복수의 층에 의해 구성될 수 있다.
제1층(21)은 점착성을 갖고 있어도 되고, 점착성을 갖고 있지 않아도 된다. 제1층(21)이 점착성을 갖는 경우, 제1층(21)의 양 주면의 적어도 한쪽에 점착층이 접하여 배치되어도 되고, 그의 양 주면에 접하도록 점착층이 배치되어 있지 않아도 된다. 제1층(21)이 점착성을 가짐으로써, 제1층(21)과는 다른 점착층을 불필요로 할 수 있다. 따라서, 전파 흡수체(1a)에서 제1층(21)과는 다른 점착층의 두께의 편차가 발생하지 않고, 전파 흡수체(1a)의 전체 두께의 편차를 저감할 수 있다. 따라서, 전파 흡수체(1a)에서 안정된 전파 흡수 성능이 발휘되기 쉽다. 제1층(21)이 점착성을 갖지 않는 경우, 바람직하게는 제1층(21)의 양 주면에 접하여 점착층이 배치된다. 또한, 유전체층(20)이 제2층(22)을 포함하는 경우, 제2층(22)이 점착성을 갖지 않아도, 제2층(22)의 양 주면에 접하도록 점착층이 배치되지 않아도 된다. 이 경우, 제2층(22)의 한쪽 주면에 접하여 점착층이 배치될 수 있다. 유전체층(20)이 제3층(23)을 포함하는 경우, 제3층(23)이 점착성을 갖지 않아도, 제3층(23)의 양 주면에 접하여 점착층이 배치되지 않아도 된다. 제3층(23)의 적어도 한쪽의 주면에 접하여 점착층이 배치될 수 있다.
전파 흡수체(1a)에서 예컨대 임피던스 정합막(10)에 인접하는 층이 소정의 산 성분을 함유하는 경우가 있다. 임피던스 정합막(10)에 인접한 층은, 예컨대 그 층의 일부를 포함하는 시료에 대하여, JIS K0070-1992의 '3.1 중화 적정법'에 따라 결정되는 산가가 5 이상이 되도록 산 성분을 함유할 수 있다. 이 경우, 예컨대 임피던스 정합막(10)에서의 시트 저항 변화율(ΔSc)이 상기의 범위이면, 임피던스 정합막(10)에 인접한 층에 함유되는 산 성분에 의해 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다.
전파 흡수체(1a)는 소망하는 파장의 전파를 흡수하도록 설계되어 있다. 전파 흡수체(1a)가 흡수가능한 전파의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 전파 흡수체(1a)가 흡수가능한 전파는 예컨대, 특정한 주파수 대역의 밀리미터파 또는 서브 밀리미터파일 수 있다.
전파 흡수체(1a)는 다양한 관점에서 변경가능하다. 예컨대, 전파 흡수체(1a)는 도 3a에 나타내는 전파 흡수체(1b), 도 3b에 나타내는 전파 흡수체(1c), 도 4a에 나타내는 전파 흡수체(1d), 또는 도 5a에 나타내는 전파 흡수체(1e)와 같이 변경되어도 된다. 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)는 특별히 설명하는 부분을 제외하고 전파 흡수체(1a)와 마찬가지로 구성되어 있다. 전파 흡수체(1a)의 구성 요소와 동일 또는 대응하는 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)의 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 생략한다. 전파 흡수체(1a)에 관한 설명은 기술적으로 모순되지 않는 한 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)에도 해당된다.
도 3a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1b)는 점착층(40a)을 더 구비하고 있다. 전파 흡수체(1b)에서, 도전체(30)는 유전체층(20)과 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다. 한편, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1c)는 점착층(40a) 및 도전체 보호층(35)을 더 구비하고 있다. 도전체(30)는 유전체층(20)과 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다. 또한, 도전체 보호층(35)은 도전체(30)와 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다.
예컨대, 소정의 물품에 점착층(40a)을 접촉시켜 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 대고 누름으로써 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 물품에 첩부할 수 있다. 이에 따라, 전파 흡수체 부착 물품을 얻을 수 있다.
점착층(40a)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 전파 흡수체(1b)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 점착층(40a)을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 점착층(40a)을 덮고 있을 때에 점착층(40a)의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 점착층(40a)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제의 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 점착층(40a)이 노출되고, 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 물품에 첩부할 수 있다.
전파 흡수체(1c)에서 도전체 보호층(35)의 재료로서, 예컨대 제2층(22)의 재료로서 예시된 재료를 사용할 수 있다. 도전체 보호층(35)에 의해 점착층(40a)에 포함되는 성분이 도전체(30)와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 도전체(30)의 내구성을 높이기 쉽다.
전파 흡수체에서 유전체층(20)은 도전체(30)에 대하여 점착성을 갖고 있어도 된다. 예컨대, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1d)에서 유전체층(20)은 점착층(40b)을 포함하는 복수의 층을 갖는다. 점착층(40b)은 도전체(30)에 접촉하고 있다. 점착층(40b)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 점착층(40b)은 예컨대 제1층(21)과 도전체(30)와의 사이에 배치되어 있다.
도 4a에 나타내는 바와 같이, 유전체층(20)은 점착층(40c)을 더 구비하고 있다. 점착층(40c)은 예컨대 제2층(22)과 접촉하고 있다. 점착층(40c)이 임피던스 정합막(10)과 접촉하도록 전파 흡수체(1d)가 변경되어도 된다. 점착층(40c)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 점착층(40c)은 예컨대, 제1층(21)과 제2층(22)과의 사이에 배치되어 있다.
전파 흡수체(1e)는 예컨대, 도 4b에 나타내는 전파 흡수체용 적층체(50a)를 이용하여 제작될 수 있다. 전파 흡수체용 적층체(50a)는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있다.
전파 흡수체용 적층체(50a)에 의하면, 유전체층(20)은 예컨대 임피던스 정합막(10)으로부터 떨어진 주면에서 점착성을 갖는다. 이 경우, 예컨대 도전체(30)에 유전체층(20)을 접촉시켜, 전파 흡수체용 적층체(50a)를 도전체(30)에 대고 누름으로써 전파 흡수체용 적층체(50a)가 도전체(30)에 첩부되어 전파 흡수체(1e)를 제작할 수 있다.
도 4b에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체용 적층체(50a)에서 유전체층(20)은 예컨대 점착층(40b)을 포함하는 복수의 층을 갖는다. 점착층(40b)은 유전체층(20)을 이루는 복수의 층에서 임피던스 정합막(10)으로부터 가장 떨어져 배치되어 있다.
전파 흡수체용 적층체(50a)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 점착층(40b)을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 점착층(40b)을 덮고 있을 때에 점착층(40b)의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 점착층(40b)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 점착층(40b)이 노출되고, 전파 흡수체용 적층체(50a)를 도전체(30)에 첩부할 수 있다.
도 5a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1e)에서 제1층(21)은 도전체(30)에 접촉하고 있다. 제1층(21)은 예컨대 도전체(30)에 대하여 점착성을 갖는다. 제1층(21)은 예컨대, 제2층(22)에 접촉하고 있다. 제1층(21)은 예컨대, 제2층(22)에 대하여 점착성을 갖는다. 제1층(21)이 임피던스 정합막(10)과 접촉하도록 전파 흡수체(1e)가 변경되어도 된다. 이 경우. 제1층(21)은 예컨대 임피던스 정합막(10)에 대하여 점착성을 갖는다.
전파 흡수체(1e)는 예컨대, 도 5b에 나타내는 전파 흡수체용 적층체(50b)를 이용하여 제작될 수 있다. 전파 흡수체용 적층체(50b)는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있다.
전파 흡수체용 적층체(50b)에서, 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)으로부터 떨어진 주면에서 점착성을 갖는다. 예컨대, 제1층(21)이 점착성을 갖는다. 예컨대, 도전체(30)에 제1층(21)을 접촉시켜 전파 흡수체용 적층체(50b)를 도전체(30)에 대고 누름으로써, 전파 흡수체용 적층체(50b)가 도전체(30)에 첩부되어 전파 흡수체(1e)를 제작할 수 있다.
전파 흡수체용 적층체(50b)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면을 덮고 있을 때에 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 유전체층(20)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면이 노출되고, 전파 흡수체용 적층체(50b)를 도전체(30)에 첩부할 수 있다.
전파 흡수체용 적층체는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비하고, 또한 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 유전체층(20)이 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있는 한, 특정한 구성으로 한정되지 않는다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되지 않는다. 우선, 실시예 및 비교예에 관한 평가 방법에 관하여 설명한다.
[X선 회절]
X선 회절 장치(리가쿠사 제조, 제품명: RINT2200)를 이용하여 X선 반사율법에 의해 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막 부착 필름의 저항막의 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, X선 회절 장치를 이용하여 저항막에 대한 X선 회절 패턴을 얻었다. X선으로서는 Cu-Kα선을 이용하였다. 얻어진 X선 회절 패턴으로부터 각 실시예 및 비교예에서 저항막은 아모르포스 구조를 갖는 것이 확인되었다.
[홀 이동도]
홀 효과 측정 장치(나노메트릭스사 제조, 제품명: HL5500PC)를 이용하여 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막에 대하여, 반 데르 포법에 따라 홀 효과 측정을 행하였다. 홀 효과 측정의 결과로부터, 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 홀 이동도를 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 홀 효과 측정은 하기의 신뢰성 시험 및 내산성 시험을 미실시한 샘플에 대하여 행하였다.
[비저항]
비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 초기의 시트 저항을 측정하였다. 각 실시예 및 비교예에서, 상기와 같이 측정한 저항막의 두께와, 상기와 같이 측정한 저항막의 초기의 시트 저항으로부터 양자의 곱을 구함으로써 비저항을 결정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 초기의 시트 저항은, 후술하는 도전체 부착 필름을 겹치기 전의, 저항막 부착 필름과 아크릴 수지층과의 적층체를 이용하여 측정하였다.
[신뢰성 시험]
각 실시예에 따른 전파 흡수체를 125℃의 환경에 1000시간 노출하여 신뢰성 시험을 실시하였다. 각 실시예에 따른 전파 흡수체에 대하여, 신뢰성 시험의 전후에 있어서, JIS R 1679:2007에 준거하여 수직으로 입사하는 76GHz의 밀리미터파에 대한 전파 흡수체의 반사 감쇠량(입사파의 전력에 대한 반사파의 전력의 비를 dB 표기한 값의 절대값)을 측정하였다. 또한, 본 명세서에서의 '반사 감쇠량'은 JIS R 1679:2007에서의 '반사량'에 대응한다. 비교예에 따른 전파 흡수체에 대하여, 신뢰성 시험은 실시하지 않고, JIS R 1679:2007에 준거하여 수직으로 입사하는 76GHz의 밀리미터파에 대한 전파 흡수체의 반사 감쇠량을 측정하였다. 각 실시예 및 비교예에 대해서, 5개의 샘플에 대해 반사 감쇠량을 측정하여 구한 평균값으로부터 하기의 기준에 따라 각 실시예 및 비교예에 따른 전파 흡수체의 반사 감쇠량을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 전파 흡수체에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 신뢰성 시험 후의 반사 감쇠량의 평가의 란을 [-]로 표기하였다.
AA: 반사 감쇠량의 평균값이 20dB 이상이다.
A: 반사 감쇠량의 평균값이 10dB 이상 20dB 미만이다.
X: 반사 감쇠량의 평균값이 10dB 미만이다.
상기의 신뢰성 시험을 행한 후에 각 실시예에 따른 전파 흡수체의 샘플로부터 도전체 부착 필름을 박리하여 시료를 제작하였다. 그 후, 비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 이 시료의 저항막의 시트 저항을 측정하였다. 이 측정 결과와, 초기의 시트 저항의 측정 결과로부터 상기의 식(1)에 기초하여 각 실시예에 따른 저항막의 시트 저항 변화율(ΔSh)을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 전파 흡수체에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 시트 저항 변화율(ΔSh)의 란을 [-]로 표기하였다.
[내산성 시험]
각 실시예에 따른 저항막 부착 필름을 30mm 평방으로 절취한 절편을 슬라이드 유리에 점착 테이프로 첩부하고, 내산성 시험용의 샘플을 준비하였다. 각 실시예에 따른 샘플을 0.5몰/리터 또는 1.0몰/리터의 농도를 갖는 염산에 2분간 침지하였다. 각 실시예에 따른 샘플에 있어서, 침지 후의 절편을 슬라이드 유리로부터 박리하였다. 그 후, 비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 각 실시예에 따른 샘플의 저항막의 시트 저항을 측정하였다. 이 측정 결과와, 초기의 시트 저항의 측정 결과로부터 상기의 식(2)에 기초하여 각 실시예에 따른 저항막의 시트 저항 변화율(ΔSc)을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 저항막에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 시트 저항 변화율 ΔSc의 란을 [-]로 표기하였다.
<실시예 1>
PET 필름(미츠비시케미칼사 제조, 제품명: 다이아호일, 두께: 23㎛)의 위에, 30중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 타겟재로서 이용하고, 아르곤 가스 및 산소 가스를 포함하는 혼합 가스를 공급하면서 스퍼터링을 행하여 실시예 1에 따른 저항막을 형성하였다. 이와 같이 하여 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름을 얻었다. 스퍼터링에서 저항막의 두께가 44nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 386Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 15㎠/(V·s)인 바와 같이, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 0.7%이었다. 25㎛의 두께를 갖는 PET 필름과, 7㎛의 두께를 갖는 알루미늄박이 적층된 도전체 부착 필름을 준비하였다. 2.6의 비유전율을 갖는 아크릴 수지를 560㎛의 두께로 성형하여 아크릴 수지층을 얻었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름의 저항막이 아크릴 수지층에 접촉하도록 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름을 아크릴 수지층에 겹쳤다. 그 후, 도전체 부착 필름의 PET 필름이 아크릴 수지층에 접촉하도록 도전체 부착 필름을 아크릴 수지층에 추가로 겹쳤다. 이와 같이 하여 실시예 1에 따른 전파 흡수체를 얻었다. 실시예 1에 따른 전파 흡수체는 도 2b에 나타내는 전파 흡수체(1a)에 대응하는 구성을 갖고 있었다. 아크릴 수지층은 저항막 부착 필름의 저항막 및 도전체 부착 필름의 PET 필름에 대하여 점착성을 갖고 있고, 저항막 부착 필름 및 도전체 부착 필름은 점착제를 사용하지 않고 아크릴 수지층에 접착하였다.
<실시예 2>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 19nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 416Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 2에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 3>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 22nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 318Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 46㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 3에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 4>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 90nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 456Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 8㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 4에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 5>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 36nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 361Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 23㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 5에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 6>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 26nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 385Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 41㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 4.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 6에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 7>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 50nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 396Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 10㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 0.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 7에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 8>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 8에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 22nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 373Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 20㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 8에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 8에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 9>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 20nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 360Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 39㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 4.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 9에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 10>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 10에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 70중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 52nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 365Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 20㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 10에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 10에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 11>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 11에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 70중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 45nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 378Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 5.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 11에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 11에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 12>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 12에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 30중량%의 SnO2 및 2.5중량%의 SiO2를 함유하고 있는, SiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 42nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 381Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 21㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 12에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 12에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 13>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 13에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2 및 5중량%의 SiO2를 함유하고 있는, SiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 87nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 402Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 17㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 13에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 13에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<실시예 14>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 14에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2 및 5중량%의 TiO2를 함유하고 있는, TiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 98nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 449Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 15㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 14에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 14에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<비교예 1>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 100nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 990Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 4㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 1.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 1에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<비교예 2>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 10nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 400Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 2에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<비교예 3>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 210nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 381Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 4㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 1.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 3에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
<비교예 4>
하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 4에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 90중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 580nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 397Ω/□이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 4에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 4에 따른 전파 흡수체를 얻었다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼14에 따른 전파 흡수체는 신뢰성 시험의 전후에 있어서 양호한 전파 흡수 성능을 발휘할 수 있었다. 또한, 실시예 1∼6, 8, 10∼14에 따른 저항막 부착 필름에서, ΔSh는 20% 이하이었다. 한편, 비교예 1∼4에 따른 전파 흡수체는 양호한 전파 흡수 성능을 발휘할 수 없었다. 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 저항막이 5㎠/(V·s) 이상인 홀 이동도를 갖고, 또한 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 저항막이 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하기 쉬운 것이 시사되었다. 실시예 1∼6 및 실시예 10∼12에 따른 저항막 부착 필름에서, ΔSc는 10% 이하이고, 이들 실시예에 따른 저항막이 소망하는 내산성을 갖는 것이 시사되었다.
[표 1]
Figure pct00001

Claims (14)

  1. 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고,
    5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가지며,
    16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는,
    전파 흡수체용 임피던스 정합막.
  2. 제1항에 있어서,
    0.5×10-3∼5.0×10-3Ω·cm의 비저항을 갖는, 임피던스 정합막.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    200∼800Ω/□의 시트 저항을 갖는, 임피던스 정합막.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화 주석의 함유량은 20질량% 이상인, 임피던스 정합막.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 산화 주석의 함유량은 40질량%를 초과하는, 임피던스 정합막.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    인듐 원자, 주석 원자 및 산소 원자와는 상이한 원자를 적어도 갖는 첨가물을 더 포함하는, 임피던스 정합막.
  7. 기재와,
    제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막
    을 구비한, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막과,
    전파를 반사하는 도전체와,
    상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막과 상기 도전 체와의 사이에 배치되어 있는 유전체층
    을 구비한, 전파 흡수체.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도전체는 산화 인듐 주석을 포함하는, 전파 흡수체.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 도전체는 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금 및 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개를 포함하는, 전파 흡수체.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체층은 2.0∼20.0의 비유전율을 갖는, 전파 흡수체.
  12. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체층은 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함하는, 전파 흡수체.
  13. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    점착층을 더 구비하고,
    상기 도전체는 상기 유전체층과 상기 점착층과의 사이에 배치되어 있는, 전파 흡수체.
  14. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막과,
    상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막에 접촉하여 배치되어 있는, 유전체층
    을 구비한, 전파 흡수체용 적층체.
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