KR20210102292A - Impedance matching film for radio wave absorber, film with impedance matching film for radio wave absorber, radio wave absorber and laminate for radio wave absorber - Google Patents

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KR20210102292A
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히로노부 마치나가
모토키 하이시
요스케 나카니시
유우키 타케다
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

임피던스 정합막(10)은 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함한다. 임피던스 정합용 임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 갖는다. 임피던스 정합막(10)은 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는다.The impedance matching film 10 contains a mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component. The impedance matching film 10 for impedance matching has a hole mobility of 5 cm 2 /(V·s) or more. The impedance matching film 10 has a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm.

Description

전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체Impedance matching film for radio wave absorber, film with impedance matching film for radio wave absorber, radio wave absorber and laminate for radio wave absorber

본 발명은 전파 흡수체용 임피던스 정합막, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름, 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to an impedance matching film for radio wave absorbers, a film with an impedance matching film for radio wave absorbers, a radio wave absorber, and a laminate for radio wave absorbers.

종래, 산화 인듐 주석(ITO) 등의 산화 인듐 및 산화 주석을 포함하는 물질을 이용하여 임피던스 정합을 도모하는 기술이 알려져 있다.Conventionally, a technique for achieving impedance matching using a material containing indium oxide and tin oxide such as indium tin oxide (ITO) is known.

예컨대, 특허문헌 1에 따르면, 종래의 λ/4형 전파 흡수체는 저항 피막인 ITO, 유전체 및 도전층을 적층시킨 구조라고 설명되어 있다. λ/4형 전파 흡수체에서, 저항 피막인 ITO에 의해 임피던스 정합이 도모된다. 한편, 특허문헌 1에 따르면, ITO의 아모르포스막은 대기 중에서의 내구성이 낮다고 지적되고 있다. 따라서, 특허문헌 1에서는 우수한 내구성을 발휘하는 λ/4형 전파 흡수체의 제조를 위하여, 몰리브덴을 5중량% 이상 함유하는 합금을 포함하는 λ/4형 전파 흡수체용 저항 피막이 제안되어 있다.For example, according to Patent Document 1, it is explained that a conventional λ/4 type radio wave absorber has a structure in which ITO as a resistive film, a dielectric, and a conductive layer are laminated. In the λ/4 type radio wave absorber, impedance matching is achieved by the resistance film ITO. On the other hand, according to patent document 1, it is pointed out that the durability of the amorphous film of ITO in air|atmosphere is low. Accordingly, Patent Document 1 proposes a resistance film for a λ/4 type radio wave absorber containing an alloy containing 5 wt% or more of molybdenum in order to manufacture a λ/4 type radio wave absorber exhibiting excellent durability.

일본 공개특허공보 제2018-56562호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2018-56562

특허문헌 1에는 ITO의 아모르포스막을 저항 피막에 이용하여 λ/4형 전파 흡수체의 내구성을 높일 수 있는 것은 기재도 시사도 되어있지 않다. 또한, 특허문헌 1에서 고온 환경(예컨대, 125℃의 환경)에 장기간 노출되었을 때의 저항 피막의 내구성은 평가되어 있지 않다.In Patent Document 1, neither description nor suggestion is made that the durability of the λ/4 type radio wave absorber can be improved by using the amorphous film of ITO for the resistance film. In addition, in patent document 1, the durability of the resistance film when exposed to a high temperature environment (for example, 125 degreeC environment) for a long period of time is not evaluated.

이와 같은 사정에 입각하여, 본 발명은 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고, 고온 분위기에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하는 데에 유리한 전파 흡수체용 임피던스 정합막을 제공한다. 또한, 본 발명은 이와 같은 임피던스 정합막을 구비한 전파 흡수체 및 전파 흡수체용 적층체를 제공한다.Based on such circumstances, the present invention contains a mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component, and when exposed to a high-temperature atmosphere for a long period of time, it is advantageous for maintaining desired characteristics from the viewpoint of impedance matching. An impedance matching film for an absorber is provided. The present invention also provides a radio wave absorber and a laminate for radio wave absorbers provided with such an impedance matching film.

본 발명은,The present invention is

아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고,A mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component,

5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도(Hall mobility)를 가지며,It has a Hall mobility of 5 cm 2 / (V s) or more,

16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는,having a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm,

전파 흡수체용 임피던스 정합막을 제공한다.An impedance matching film for a radio wave absorber is provided.

또한, 본 발명은Also, the present invention

기재와,description and,

상기의 임피던스 정합막을 구비한provided with the impedance matching film

전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름을 제공한다.A film with an impedance matching film for a radio wave absorber is provided.

또한, 본 발명은Also, the present invention

상기의 임피던스 정합막과,the impedance matching film;

전파를 반사하는 도전체와,a conductor that reflects radio waves;

상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막과 상기 도전체와의 사이에 배치되어 있는 유전체층을 구비한a dielectric layer disposed between the impedance matching film and the conductor in the thickness direction of the impedance matching film;

전파 흡수체를 제공한다.A radio wave absorber is provided.

또한, 본 발명은Also, the present invention

상기의 임피던스 정합막과,the impedance matching film;

상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막에 접촉하여 배치되어 있는 유전체층을 구비한a dielectric layer disposed in contact with the impedance matching film in a thickness direction of the impedance matching film;

전파 흡수체용 적층체를 제공한다.A laminate for a radio wave absorber is provided.

상기의 전파 흡수체용 임피던스 정합막은, 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하는 데에 유리하다.The above impedance matching film for a radio wave absorber is advantageous in maintaining desired characteristics from the viewpoint of impedance matching when exposed to a high temperature environment for a long period of time.

도 1은, 본 발명에 따른 전파 흡수체용 임피던스 정합막의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 도 2a에 나타내는 전파 흡수체의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 2c는 도 2a에 나타내는 전파 흡수체의 다른 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4b는 본 발명에 따른 전파 흡수체용 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명에 따른 전파 흡수체의 또 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5b는 본 발명에 따른 전파 흡수체용 적층체의 다른 예를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of an impedance matching film for a radio wave absorber according to the present invention.
2A is a cross-sectional view showing an example of a radio wave absorber according to the present invention.
Fig. 2B is a cross-sectional view showing a modified example of the radio wave absorber shown in Fig. 2A.
Fig. 2C is a cross-sectional view showing another modified example of the radio wave absorber shown in Fig. 2A.
3A is a cross-sectional view showing another example of a radio wave absorber according to the present invention.
3B is a cross-sectional view showing another example of the radio wave absorber according to the present invention.
4A is a cross-sectional view showing another example of the radio wave absorber according to the present invention.
4B is a cross-sectional view showing an example of a laminate for a radio wave absorber according to the present invention.
5A is a cross-sectional view showing another example of a radio wave absorber according to the present invention.
5B is a cross-sectional view showing another example of the laminate for a radio wave absorber according to the present invention.

본 발명의 실시형태에 관하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태로는 한정되지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of this invention is described, referring drawings. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

도 1에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은, 예컨대 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름(15)에 의해 제공된다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은 저항막이다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름(15)은, 기재(22)와 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)을 구비하고 있다. 전파 흡수체용 임피던스 정합막(10)은 예컨대 기재(22)의 한쪽 주면 위에 성막되어 있다. 임피던스 정합막(10)은 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함한다. 이 혼합물은 아모르포스 구조를 갖는다. 임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 갖는다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 임피던스 정합막(10)의 홀 효과 측정에 의해 결정할 수 있다. 임피던스 정합막(10)의 홀 효과 측정은, 예컨대 반 데르 포(van der Pauw)법에 따라 이루어진다. 임피던스 정합막(10)은 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는다. 본 명세서에서 주성분이란, 질량 기준으로 가장 많이 포함되는 성분을 의미한다. 주성분은 예컨대 50질량%를 초과하는 성분일 수 있다. 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물은 예컨대 고용체로서 존재하고 있다.As shown in Fig. 1, the impedance matching film 10 for a radio wave absorber is provided by, for example, a film 15 with an impedance matching film for radio wave absorbers. The impedance matching film 10 for a radio wave absorber is a resistive film. The film 15 with an impedance matching film for radio wave absorbers includes a substrate 22 and an impedance matching film 10 for radio wave absorbers. The impedance matching film 10 for a radio wave absorber is formed, for example, on one main surface of the substrate 22 . The impedance matching film 10 contains a mixture of indium oxide and tin oxide as a main component. This mixture has an amorphous structure. The impedance matching film 10 has a hole mobility of 5 cm 2 /(V·s) or more. The Hall mobility of the impedance matching layer 10 may be determined by measuring the Hall effect of the impedance matching layer 10 . The Hall effect measurement of the impedance matching film 10 is performed according to, for example, a van der Pauw method. The impedance matching film 10 has a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm. In the present specification, the main component refers to a component that is included the most on a mass basis. The main component may be, for example, more than 50% by mass. A mixture of indium oxide and tin oxide exists, for example, as a solid solution.

임피던스 정합막(10)은 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가짐으로써, 고온 환경(예컨대, 125℃)에 장기간(예컨대, 1000시간) 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하기 쉽다. 본 발명자들은 다대한 시행 착오를 거듭한 결과, 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 임피던스 정합막에서, 홀 이동도를 상기의 범위로 조정함으로써 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있는 것을 새롭게 발견하였다.The impedance matching film 10 has a hole mobility of 5 cm 2 /(V·s) or more, so that when exposed to a high temperature environment (eg, 125° C.) for a long period (eg, 1000 hours), desired characteristics from the viewpoint of impedance matching easy to maintain As a result of numerous trials and errors, the present inventors have been exposed to a high-temperature environment for a long time by adjusting the hole mobility within the above range in an impedance matching film containing as a main component a mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure. It has been newly discovered that desired characteristics can be maintained in terms of impedance matching.

임피던스 정합막(10)이 5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)이 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있는 이유는 분명하지 않다. 본 발명자들은 그 이유에 대하여 이하와 같이 생각하고 있다. 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 막에서, 산소 공공(空孔)이 캐리어의 발생원이 된다고 생각된다. 이와 같은 막에서 산소 공공의 밀도가 높으면, 고온 환경에서 산화 반응이 생기기 쉽고, 막의 이동도가 상승하기 쉽다고 생각된다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도가 5㎠/(V·s) 이상의 범위이면, 임피던스 정합막(10)에서 산소 공공이 적당한 밀도로 존재하고, 고온 환경에서 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도 및 캐리어 밀도가 변동하기 어렵다고 생각된다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)은 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있다고 생각된다.The reason why the impedance matching film 10 has a hole mobility of 5 cm 2 /(V·s) or more, so that when the impedance matching film 10 is exposed to a high temperature environment for a long period of time, desired characteristics can be maintained in terms of impedance matching is not clear The present inventors consider the reason as follows. In a film containing a mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component, oxygen vacancies are considered to be a source of carriers. It is thought that when the density of oxygen vacancies in such a film is high, an oxidation reaction tends to occur in a high-temperature environment, and the mobility of the film tends to increase. When the hole mobility of the impedance matching film 10 is in the range of 5 cm 2 /(V·s) or more, oxygen vacancies in the impedance matching film 10 are present at an appropriate density, and the holes of the impedance matching film 10 are present in a high temperature environment. It is considered that mobility and carrier density are difficult to fluctuate. As a result, it is considered that the impedance matching film 10 can maintain desired characteristics in terms of impedance matching when exposed to a high temperature environment for a long period of time.

임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는, 상기의 범위인 한 특정한 값으로 한정되지 않는다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 6㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 7㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 8㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 9㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 10㎠/(V·s) 이상이어도 되고, 15㎠/(V·s) 이상이어도 되며, 20㎠/(V·s) 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는, 예컨대 65㎠/(V·s) 이하이고, 60㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 58㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 55㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 52㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 51㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 50㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 49㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 48㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 47㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 46㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 45㎠/(V·s) 이하이어도 되며, 40㎠/(V·s) 이하이어도 되고, 35㎠/(V·s) 이하이어도 된다.The hole mobility of the impedance matching film 10 is not limited to a specific value as long as it is within the above range. The hole mobility of the impedance matching film 10 may be 6 cm 2 /(V s) or more, 7 cm 2 /(V s) or more, 8 cm 2 /(V s) or more, or 9 cm 2 / (V·s) or more, 10 cm2/(V·s) or more, 15 cm2/(V·s) or more, or 20 cm2/(V·s) or more. The hole mobility of the impedance matching film 10 may be, for example, 65 cm 2 /(V s) or less, 60 cm 2 /(V s) or less, 58 cm 2 /(V s) or less, and 55 cm 2 It may be /(V·s) or less, 52 cm2/(V·s) or less, 51 cm2/(V·s) or less, 50 cm2/(V·s) or less, 49 cm2/( V·s) or less, 48 cm2/(V·s) or less, 47 cm2/(V·s) or less, 46 cm2/(V·s) or less, 45 cm2/(V·s) or less s) or less, may be 40 cm2/(V·s) or less, or may be 35 cm2/(V·s) or less.

임피던스 정합막(10)의 홀 이동도는 바람직하게는 50㎠/(V·s) 이하이다. 이 경우, 보다 확실하게 임피던스 정합막(10)에서 산소 공공이 적당한 밀도로 존재하고, 고온 환경에서 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도 및 캐리어 밀도가 변동하기 어렵다고 생각된다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)은 보다 확실하게, 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지할 수 있다.The hole mobility of the impedance matching film 10 is preferably 50 cm 2 /(V·s) or less. In this case, it is considered that oxygen vacancies exist at an appropriate density in the impedance matching film 10 more reliably, and the hole mobility and carrier density of the impedance matching film 10 are unlikely to vary in a high-temperature environment. As a result, the impedance matching film 10 can more reliably maintain desired characteristics in terms of impedance matching when exposed to a high temperature environment for a long period of time.

임피던스 정합막(10)이 100nm 미만의 두께를 가짐으로써 임피던스 정합막(10)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 임피던스 정합막(10)에서 크랙이 발생하기 어렵다. 또한, 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 임피던스 정합막(10)이 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)이 소망하는 시트 저항을 갖기 쉽다. 또한, 임피던스 정합막(10)이 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)은 생산성 및 제조 비용의 관점에서도 유리하다.When the impedance matching film 10 has a thickness of less than 100 nm, warpage of the impedance matching film 10 can be suppressed. In addition, cracks are less likely to occur in the impedance matching film 10 . Further, since the impedance matching film 10 containing a mixture of indium oxide and tin oxide as main components has a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm, the impedance matching film 10 tends to have a desired sheet resistance. In addition, since the impedance matching film 10 has a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm, the impedance matching film 10 is advantageous in terms of productivity and manufacturing cost.

임피던스 정합막(10)의 두께는 18nm 이상이어도 되고, 20nm 이상이어도 되며, 25nm 이상이어도 되고, 30nm 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 두께는 90nm 이하이어도 되고, 80nm 이하이어도 되며, 70nm 이하이어도 되고, 60nm 이하이어도 된다.The thickness of the impedance matching film 10 may be 18 nm or more, 20 nm or more, 25 nm or more, or 30 nm or more. The thickness of the impedance matching film 10 may be 90 nm or less, 80 nm or less, 70 nm or less, or 60 nm or less.

임피던스 정합막(10)은 예컨대 0.5×10-3∼5.0×10-3Ω·cm의 비저항을 갖는다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)이 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 갖기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 주성분이 아모르포스 구조를 가짐으로써, 임피던스 정합막(10)의 비저항이 이와 같은 범위에 들어가기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 비저항은 0.7×10-3Ω·cm 이상이어도 되고, 0.8×10-3Ω·cm 이상이어도 되며, 1.0×10-3Ω·cm 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 비저항은 4.8×10-3Ω·cm 이하이어도 되고, 4.5-3Ω·cm 이하이어도 되며, 4.0×10-3Ω·cm 이하이어도 되고, 3.5×10-3Ω·cm 이하이어도 되며, 3.3×10-3Ω·cm 이하이어도 된다.The impedance matching film 10 has a specific resistance of, for example, 0.5×10 −3 to 5.0×10 −3 Ω·cm. Accordingly, the impedance matching film 10 tends to have desired characteristics in terms of impedance matching. Since the main component of the impedance matching film 10 has an amorphous structure, the resistivity of the impedance matching film 10 easily falls within such a range. The specific resistance of the impedance matching film 10 may be 0.7×10 −3 Ω·cm or more, 0.8×10 −3 Ω·cm or more, or 1.0×10 −3 Ω·cm or more. The resistivity of the impedance matching film 10 may be 4.8×10 -3 Ω·cm or less, 4.5 -3 Ω·cm or less, 4.0×10 -3 Ω·cm or less, and 3.5×10 -3 Ω·cm or less. cm or less may be sufficient, and 3.3×10 -3 Ω·cm or less may be sufficient.

임피던스 정합막(10)은 예컨대 200∼800Ω/□의 시트 저항을 갖는다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)이 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 갖기 쉽다. 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 220Ω/□ 이상이어도 되고, 250Ω/□ 이상이어도 되며, 275Ω/□ 이상이어도 되고, 300Ω/□ 이상이어도 된다. 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 800Ω/□ 이하이어도 되고, 700Ω/□ 이하이어도 되며, 600Ω/□ 이하이어도 되고, 500Ω/□ 이하이어도 되며, 450Ω/□ 이하이어도 된다.The impedance matching film 10 has, for example, a sheet resistance of 200 to 800 ohms/square. Accordingly, the impedance matching film 10 tends to have desired characteristics in terms of impedance matching. The sheet resistance of the impedance matching film 10 may be 220 Ω/□ or more, 250 Ω/□ or more, 275 Ω/□ or more, or 300 Ω/□ or more. The sheet resistance of the impedance matching film 10 may be 800Ω/□ or less, 700Ω/□ or less, 600Ω/□ or less, 500Ω/□ or less, or 450Ω/□ or less.

임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은, 상기의 주성분이 아모르포스 구조를 갖는 한, 특정한 값으로 한정되지 않는다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 임피던스 정합막(10)이 아모르포스 상태를 유지하기 쉽도록 정해져 있는 것이 바람직하다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 예컨대 20질량% 이상이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 아모르포스 상태를 유지하기 쉽다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 25% 질량 이상이어도 된다.The content of tin oxide in the impedance matching film 10 is not limited to a specific value as long as the main component has an amorphous structure. The content of tin oxide in the impedance matching film 10 is preferably determined so that the impedance matching film 10 easily maintains the amorphous state. The content of tin oxide in the impedance matching film 10 is, for example, 20 mass% or more. In this case, the impedance matching film 10 tends to maintain the amorphous state. The content of tin oxide in the impedance matching film 10 may be 25% by mass or more.

임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 40질량%를 초과하고 있어도 된다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 양호한 내산성을 나타내기 쉽다.The content of tin oxide in the impedance matching film 10 may exceed 40 mass%. In this case, the impedance matching film 10 tends to exhibit good acid resistance.

임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은, 예컨대 90질량% 이하이고, 80질량% 이하이어도 되며, 70질량% 이하이어도 된다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 60질량% 이하이어도 된다. 임피던스 정합막(10)에서의 산화 주석의 함유량은 바람직하게는 90질량% 미만이고, 보다 바람직하게는 80질량% 이하이다. 이에 따라, 임피던스 정합막(10)의 비저항이 소망하는 범위로 조정되기 쉽다. 그 결과, 임피던스 정합막(10)을 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께로 형성하였을 때에, 임피던스 정합막(10)이 소망하는 시트 저항을 갖기 쉽다.The content of tin oxide in the impedance matching film 10 may be, for example, 90 mass% or less, 80 mass% or less, or 70 mass% or less. The content of tin oxide in the impedance matching film 10 may be 60 mass% or less. The content of tin oxide in the impedance matching film 10 is preferably less than 90% by mass, and more preferably 80% by mass or less. Accordingly, the specific resistance of the impedance matching film 10 can be easily adjusted to a desired range. As a result, when the impedance matching film 10 is formed to a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm, the impedance matching film 10 tends to have a desired sheet resistance.

임피던스 정합막(10)은 예컨대 첨가물을 추가로 포함하고 있어도 된다. 첨가물은 예컨대, 인듐 원자, 주석 원자 및 산소 원자와는 상이한 원자를 적어도 갖는다. 임피던스 정합막(10)에 첨가물을 함유시킴으로써 비저항 등의 임피던스 정합막(10)의 특성을 조정하기 쉽다. 또한, 첨가물을 함유시킴으로써, 경우에 따라서는, 단독으로는 아모르포스의 상태로 하는 것이 어려운 조성을 갖는 주성분을 이용하여 아모르포스 물질을 얻을 수 있다.The impedance matching film 10 may further contain, for example, an additive. The additive has at least an atom different from, for example, an indium atom, a tin atom and an oxygen atom. By incorporating an additive into the impedance matching film 10, it is easy to adjust the characteristics of the impedance matching film 10 such as resistivity. In addition, by containing an additive, an amorphous substance can be obtained using the main component which has a composition which is difficult to make into an amorphous state alone in some cases.

첨가물은 예컨대, 규소 원자, 티타늄 원자, 마그네슘 원자, 질소 원자 및 수소 원자로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 원자를 갖는다.The additive has, for example, at least one atom selected from the group consisting of a silicon atom, a titanium atom, a magnesium atom, a nitrogen atom and a hydrogen atom.

임피던스 정합막(10)을, 온도 125℃의 환경에 1000시간 노출시키는 신뢰성 시험을 행한다. 임피던스 정합막(10)의 신뢰성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 Shb[Ω/□]로 나타내고, 임피던스 정합막(10)의 신뢰성 시험을 행한 후의 시트 저항을 Sha[Ω/□]로 나타낸다. 임피던스 정합막(10)에서, 하기 식(1)에 의해 결정되는 시트 저항 변화율(ΔSh)은, 예컨대 25% 이하이고, 바람직하게는 20% 이하이며, 보다 바람직하게는 15% 이하이고, 더욱 바람직하게는 10% 이하이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 고온 환경에 장기간 노출되어도 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다. 이 점은 고온 환경에서 장기간 임피던스 정합을 도모하는 관점에서 유리하다.A reliability test is performed in which the impedance matching film 10 is exposed to an environment at a temperature of 125°C for 1000 hours. The initial sheet resistance before the reliability test of the impedance matching film 10 is represented by Shb [Ω/□], and the sheet resistance after the reliability test of the impedance matching film 10 is represented by Sha [Ω/□]. . In the impedance matching film 10, the sheet resistance change rate ΔSh determined by the following formula (1) is, for example, 25% or less, preferably 20% or less, more preferably 15% or less, still more preferably usually less than 10%. In this case, even when the impedance matching film 10 is exposed to a high temperature environment for a long period of time, the sheet resistance of the impedance matching film 10 is unlikely to change. This is advantageous from the viewpoint of achieving long-term impedance matching in a high-temperature environment.

ΔSh[%]= 100×|Sha-Shb|/Shb 식(1)ΔSh[%]= 100×|Sha-Shb|/Shb Equation (1)

임피던스 정합막(10)은 내산성의 관점에서 양호한 특성을 갖고 있어도 된다. 예컨대, 임피던스 정합막(10)을 상온(20℃±15℃: 일본 공업 규격(JIS) Z 8703)에서 0.5몰/리터 또는 1.0몰/리터의 염산에 2분간 침지하여 내산성 시험을 행한다. 임피던스 정합막(10)의 내산성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 Scb[Ω/□]로 나타내고, 임피던스 정합막(10)의 내산성 시험을 행한 후의 시트 저항을 Sca[Ω/□]로 나타낸다. 임피던스 정합막(10)에서, 하기 식(2)에 의해 결정되는 시트 저항 변화율(ΔSc)은 예컨대 10% 이하이고, 바람직하게는 5% 이하이며, 보다 바람직하게는 3% 이하이다. 이 경우, 임피던스 정합막(10)이 산과 접촉하여도 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다. 이것은 산이 존재하는 환경에서 임피던스 정합을 도모하는 관점에서 유리하다. 또한, 임피던스 정합막(10)의 시트 저항은 특별히 설명하는 경우를 제외하고, 신뢰성 시험 및 내산성 시험을 행하기 전의 초기의 시트 저항을 의미한다.The impedance matching film 10 may have favorable characteristics in terms of acid resistance. For example, the impedance matching film 10 is immersed in 0.5 mol/liter or 1.0 mol/liter hydrochloric acid at room temperature (20° C.±15° C.: Japanese Industrial Standard (JIS) Z 8703) for 2 minutes to conduct an acid resistance test. The initial sheet resistance before the acid resistance test of the impedance matching film 10 is represented by Scb [Ω/□], and the sheet resistance after the acid resistance test of the impedance matching film 10 is represented by Sca [Ω/□]. . In the impedance matching film 10, the sheet resistance change rate ?Sc determined by the following formula (2) is, for example, 10% or less, preferably 5% or less, and more preferably 3% or less. In this case, even when the impedance matching film 10 comes into contact with an acid, the sheet resistance of the impedance matching film 10 is hardly changed. This is advantageous from the viewpoint of achieving impedance matching in an environment in which acid is present. In addition, the sheet resistance of the impedance matching film 10 means the initial sheet resistance before performing a reliability test and an acid resistance test, except for the case where it demonstrates in particular.

ΔSc[%]= 100×|Sca-Scb|/Scb 식(2)ΔSc[%]= 100×|Sca-Scb|/Scb Equation (2)

기재(22)는 예컨대 임피던스 정합막(10)을 지지하는 지지체로서의 역할을 수행한다. 임피던스 정합막(10)은 예컨대 소정의 타겟재를 이용한 스퍼터링에 의해 기재(22)의 한쪽 주면 위에 성막된다. 이 경우, 예컨대 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 타겟재가 이용된다. 타겟재의 조성에 더하여, 스퍼터링에서 공급되는 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비 등의 소정의 조건을 조정함으로써, 임피던스 정합막(10)의 홀 이동도를 상기의 범위로 조정할 수 있다. 전형적으로는, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비가 높을 수록 저항막의 홀 이동도가 높아지기 쉽다. 혼합 가스에는 예컨대 산소 가스 외에 아르곤 가스가 포함될 수 있다. 예컨대, 동일 조성의 타겟재를 이용하여 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비가 상이한 조건에서 스퍼터링을 행하여 복수의 저항막의 샘플을 제작하고, 그들 샘플의 홀 이동도를 측정한다. 이 측정 결과로부터 임피던스 정합막(10)을 형성하기 위한 스퍼터링의 조건을 결정할 수 있다. 임피던스 정합막(10)은 경우에 따라서는 이온 플레이팅 또는 코팅(예컨대, 바 코팅) 등의 방법을 이용하여 성막되어도 된다.The substrate 22 serves, for example, as a support for supporting the impedance matching film 10 . The impedance matching film 10 is formed on one main surface of the substrate 22 by, for example, sputtering using a predetermined target material. In this case, for example, a target material containing a mixture of indium oxide and tin oxide as main components is used. In addition to the composition of the target material, by adjusting predetermined conditions such as the ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of the mixed gas supplied by sputtering, the hole mobility of the impedance matching film 10 can be adjusted within the above range. have. Typically, the higher the ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of the mixed gas is, the higher the hole mobility of the resistance film tends to be. The mixed gas may include, for example, argon gas in addition to oxygen gas. For example, using a target material of the same composition, sputtering is performed under conditions in which the ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of the mixed gas is different to produce samples of a plurality of resistance films, and the hole mobility of the samples is measured. From this measurement result, it is possible to determine the conditions of sputtering for forming the impedance matching film 10 . In some cases, the impedance matching film 10 may be formed using a method such as ion plating or coating (eg, bar coating).

도 2a에 나타내는 바와 같이, 임피던스 정합막(10)을 이용하여 전파 흡수체(1a)를 제공할 수 있다. 전파 흡수체(1a)는 임피던스 정합막(10)과 도전체(30)와 유전체층(20)을 구비하고 있다. 도전체(30)는 전파를 반사한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)과 도전체(30)와의 사이에 배치되어 있다.As shown in FIG. 2A , the radio wave absorber 1a can be provided by using the impedance matching film 10 . The radio wave absorber 1a includes an impedance matching film 10 , a conductor 30 , and a dielectric layer 20 . The conductor 30 reflects the radio wave. The dielectric layer 20 is disposed between the impedance matching film 10 and the conductor 30 in the thickness direction of the impedance matching film 10 .

전파 흡수체(1a)는 λ/4형의 전파 흡수체이다. 전파 흡수체(1a)에 흡수 대상으로 하는 파장 λ0의 전파가 입사하면, 임피던스 정합막(10)의 표면에서의 반사(표면 반사)에 의한 전파와, 도전체(30)에서의 반사(이면 반사)에 의한 전파가 간섭하도록 전파 흡수체(1a)가 설계되어 있다. λ/4형의 전파 흡수체에서는 하기의 식(3)에 나타내는 바와 같이, 유전체층의 두께(t) 및 유전체층의 비유전율(εr)에 의해 흡수 대상인 전파의 파장(λ0)이 결정된다. 즉, 유전체층의 비유전율 및 두께를 적절히 조절함으로써 흡수 대상인 파장의 전파를 설정할 수 있다. 식(3)에서 sqrt(εr)는 비유전율(εr)의 평방근을 의미한다.The radio wave absorber 1a is a λ/4 type radio wave absorber. When a radio wave having a wavelength λ 0 to be absorbed is incident on the radio wave absorber 1a, a radio wave by reflection (surface reflection) from the surface of the impedance matching film 10 and reflection from the conductor 30 (rear reflection) The radio wave absorber 1a is designed so that radio waves by ) interfere. In the λ/4 type radio wave absorber, as shown in the following equation (3), the wavelength (λ 0 ) of the radio wave to be absorbed is determined by the thickness t of the dielectric layer and the relative permittivity (ε r ) of the dielectric layer. That is, the propagation of the wavelength to be absorbed can be set by appropriately adjusting the dielectric constant and the thickness of the dielectric layer. In Equation (3), sqrt(ε r ) means the square root of the relative dielectric constant (ε r ).

λO= 4t×sqrt(εr) 식(3)λ O = 4t×sqrt(ε r ) Equation (3)

전파 흡수체(1a)가 상기의 임피던스 정합막(10)을 구비하고 있음으로써, 전파 흡수체(1a)는 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 소망하는 전파 흡수 성능을 유지하기 쉽다. 전파 흡수체(1a)를 온도 125℃의 환경에 1000시간 노출시키는 신뢰성 시험을 행한다. 전파 흡수체(1a)는 예컨대 이 신뢰성 시험의 전후에 있어서, 수직으로 입사하는 흡수 대상인 파장의 전파에 대하여 10dB 이상의 반사 감쇠량을 발휘할 수 있다. 반사 감쇠량은 예컨대 JIS R 1679:2007에 준거하여 측정할 수 있다.Since the radio wave absorber 1a includes the impedance matching film 10 described above, the radio wave absorber 1a easily maintains a desired radio wave absorption performance when exposed to a high temperature environment for a long period of time. A reliability test is performed in which the radio wave absorber 1a is exposed to an environment at a temperature of 125°C for 1000 hours. The radio wave absorber 1a can exhibit, for example, a reflection attenuation of 10 dB or more with respect to a radio wave of a wavelength that is an absorption target that is vertically incident before and after this reliability test. The amount of reflection attenuation can be measured, for example, based on JIS R 1679:2007.

λ/4형의 전파 흡수체의 설계에서, 전송 이론을 이용하여 임피던스 정합막(10)의 전면으로부터 예상하였던 임피던스가 특성 임피던스와 동등하게 되도록 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 정해진다. λ/4형의 전파 흡수체에서, 임피던스 정합막(10)에 요구되는 시트 저항은 λ/4형의 전파 흡수체에 입사하는 전파의 예상되는 입사 각도에 의해 변동할 수 있다. 또한, 특별히 설명하는 경우를 제외하고, '임피던스 정합막(10)의 시트 저항'은 상기의 신뢰성 시험 전의 초기의 시트 저항의 값을 의미한다.In the design of the λ/4 type radio wave absorber, the sheet resistance of the impedance matching film 10 is determined so that the impedance expected from the front surface of the impedance matching film 10 becomes equal to the characteristic impedance using the transmission theory. In the ?/4 type radio wave absorber, the sheet resistance required for the impedance matching film 10 may fluctuate depending on the expected angle of incidence of radio waves incident on the ?/4 type radio wave absorber. In addition, 'sheet resistance of the impedance matching film 10' means the value of the initial sheet resistance before the reliability test, except for cases specifically described.

도전체(30)는 흡수 대상인 전파를 반사할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 소정의 도전성을 갖는다. 도 2a에 나타내는 바와 같이, 도전체(30)는 예컨대 층상으로 형성되어 있다. 이 경우, 도전체(30)는 임피던스 정합막(10)의 시트 저항보다도 낮은 시트 저항을 갖는다. 도전체(30)는 층상 이외의 형상을 갖고 있어도 된다.The conductor 30 is not particularly limited as long as it can reflect the radio wave as an absorption target, but has a predetermined conductivity. As shown in FIG. 2A , the conductor 30 is formed, for example, in a layered manner. In this case, the conductor 30 has a sheet resistance lower than the sheet resistance of the impedance matching film 10 . The conductor 30 may have a shape other than a layered shape.

도전체(30)는 예컨대 산화 인듐 주석을 포함하고 있다. 이 경우, 도전체(30)가 높은 투명성을 갖기 쉽다.The conductor 30 contains, for example, indium tin oxide. In this case, the conductor 30 tends to have high transparency.

도전체(30)의 산화 인듐 주석에서의 산화 주석의 함유량은 예컨대 5∼15질량%이다. 이 경우, 어닐 처리에 의해 안정적인 다결정 상태의 산화 인듐 주석으로 도전체(30)를 형성할 수 있다. 그 결과, 전파 흡수체(1a)는 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 소망하는 전파 흡수 성능을 보다 확실하게 발휘하기 쉽다.The content of tin oxide in the indium tin oxide of the conductor 30 is, for example, 5 to 15 mass%. In this case, the conductor 30 may be formed of indium tin oxide in a stable polycrystalline state by annealing. As a result, when the radio wave absorber 1a is exposed to a high-temperature environment for a long period of time, it is easy to more reliably exhibit the desired radio wave absorption performance.

도전체(30)는 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금 및 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개를 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 도전체(30)의 두께를 저감하면서 소망하는 도전성을 실현하기 쉽다.The conductor 30 may contain at least 1 selected from the group which consists of aluminum, copper, iron, an aluminum alloy, a copper alloy, and an iron alloy. In this case, it is easy to realize desired conductivity while reducing the thickness of the conductor 30 .

도전체(30)의 두께는 특정한 두께로 한정되지 않는다. 예컨대, 도전체(30)가 산화 인듐 주석인 경우, 도전체(30)는 예컨대 20∼200nm의 두께를 갖고, 바람직하게는 50∼150nm의 두께를 갖는다. 이에 따라, 전파 흡수체(1a)가 소망하는 전파 흡수 성능을 발휘할 수 있음과 함께, 도전체(30)에서 크랙이 발생하기 어렵다.The thickness of the conductor 30 is not limited to a specific thickness. For example, when the conductor 30 is indium tin oxide, the conductor 30 has a thickness of, for example, 20 to 200 nm, preferably 50 to 150 nm. Thereby, while the radio wave absorber 1a can exhibit desired radio wave absorption performance, it is hard to generate|occur|produce a crack in the conductor 30. FIG.

도전체(30)가 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금, 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개인 경우, 도전체(30)는 예컨대 30nm∼100㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 50nm∼50㎛의 두께를 갖는다.When the conductor 30 is at least one selected from the group consisting of aluminum, copper, iron, aluminum alloy, copper alloy, and iron alloy, the conductor 30 has, for example, a thickness of 30 nm to 100 μm, preferably It has a thickness of 50 nm to 50 μm.

유전체층(20)은 예컨대 2.0∼20.0의 비유전율을 갖는다. 이 경우, 유전체층(20)의 두께를 조정하기 쉽고, 전파 흡수체(1a)의 전파 흡수 성능의 조정이 용이하다. 유전체층(20)의 비유전율은 예컨대, 공동 공진법에 따라 측정되는 10GHz에서의 비유전율이다.The dielectric layer 20 has, for example, a relative permittivity of 2.0 to 20.0. In this case, it is easy to adjust the thickness of the dielectric layer 20, and it is easy to adjust the radio wave absorption performance of the radio wave absorber 1a. The dielectric constant of the dielectric layer 20 is, for example, the relative dielectric constant at 10 GHz measured according to the cavity resonance method.

유전체층(20)은 예컨대 소정의 고분자에 의해 형성되어 있다. 유전체층(20)은 예컨대, 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함한다. 이 경우, 유전체층(20)의 두께를 조정하기 쉽고, 또한 전파 흡수체(1a)의 제조 비용을 낮게 유지할 수 있다. 유전체층(20)은 예컨대, 소정의 수지 조성물을 열 프레스함으로써 제작할 수 있다.The dielectric layer 20 is formed of, for example, a predetermined polymer. The dielectric layer 20 is, for example, ethylene vinyl acetate copolymer, vinyl chloride resin, urethane resin, acrylic resin, acrylic urethane resin, polyethylene, polypropylene, silicone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide and cycloolefin. and at least one polymer selected from the group consisting of polymers. In this case, it is easy to adjust the thickness of the dielectric layer 20, and the manufacturing cost of the radio wave absorber 1a can be kept low. The dielectric layer 20 can be produced by, for example, hot pressing a predetermined resin composition.

유전체층(20)은 단일의 층으로서 형성되어 있어도 되고, 동일 또는 상이한 재료로 이루어진 복수의 층에 의해 형성되어 있어도 된다. 유전체층(20)이 n개의 층(n은 2 이상의 정수)을 갖는 경우, 유전체층(20)의 비유전율은, 예컨대 이하와 같이 하여 결정된다. 각 층의 비유전율(εi)을 측정한다(i는 1∼n의 정수). 다음으로, 측정된 각 층의 비유전율(εi)에 그 층의 두께(ti)의 유전체층(20)의 전체(T)에 대한 두께의 비율을 곱하여 εi×(ti/T)를 구한다. 모든 층에 대한 εi×(ti/T)를 가산함으로써, 유전체층(20)의 비유전율을 결정할 수 있다.The dielectric layer 20 may be formed as a single layer, or may be formed by the several layer which consists of the same or different material. When the dielectric layer 20 has n layers (n is an integer of 2 or more), the dielectric constant of the dielectric layer 20 is determined, for example, as follows. The dielectric constant (ε i ) of each layer is measured (i is an integer from 1 to n). Next, ε i ×(t i /T) is obtained by multiplying the measured relative permittivity (ε i ) of each layer by the ratio of the thickness (t i ) of the layer to the total thickness (T) of the dielectric layer 20 save By adding ε i ×(t i /T) for all the layers, the relative permittivity of the dielectric layer 20 can be determined.

도 2a에 나타내는 바와 같이, 유전체층(20)은 예컨대, 제1층(21), 제2층(22) 및 제3층(23)을 구비하고 있다. 제1층(21)은 제2층(22)과 제3층(23)과의 사이에 배치되어 있다. 제1층(21)은 예컨대, 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함한다.As shown in FIG. 2A , the dielectric layer 20 includes, for example, a first layer 21 , a second layer 22 , and a third layer 23 . The first layer 21 is disposed between the second layer 22 and the third layer 23 . The first layer 21 is, for example, ethylene vinyl acetate copolymer, vinyl chloride resin, urethane resin, acrylic resin, acrylic urethane resin, polyethylene, polypropylene, silicone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide and and at least one polymer selected from the group consisting of cycloolefin polymers.

전파 흡수체(1a)에서 제2층(22)은 임피던스 정합막(10)에 있어서의 기재를 겸하고 있다. 제2층(22)은 예컨대, 임피던스 정합막(10)보다도 도전체(30)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 도 2b에 나타내는 바와 같이, 제2층(22)은 임피던스 정합막(10)보다도 도전체(30)로부터 먼 위치에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 제1층(21) 및 제3층(23)에 의해 유전체층(20)이 구성된다. 이 경우, 제2층(22)에 의해 임피던스 정합막(10) 및 유전체층(20)이 보호되고, 전파 흡수체(1a)가 높은 내구성을 갖는다. 이 경우, 예컨대 임피던스 정합막(10)이 제1층(21)에 접촉하고 있어도 된다. 제2층(22)은 예컨대 임피던스 정합막(10)의 두께를 고정밀도로 조절하기 위한 보조재로서의 역할도 수행한다. 제2층(22)의 재료는 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 아크릴 수지(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI) 또는 시클로올레핀 폴리머(COP)이다. 그 중에서도 양호한 내열성과 치수 안정성과 제조 비용과의 밸런스의 관점에서 제2층(22)의 재료는 바람직하게는 PET이다.In the radio wave absorber 1a, the second layer 22 also serves as a base material for the impedance matching film 10 . The second layer 22 is disposed, for example, closer to the conductor 30 than the impedance matching film 10 . As shown in FIG. 2B , the second layer 22 may be disposed at a position farther from the conductor 30 than the impedance matching film 10 . In this case, the dielectric layer 20 is constituted by the first layer 21 and the third layer 23 . In this case, the impedance matching film 10 and the dielectric layer 20 are protected by the second layer 22, and the radio wave absorber 1a has high durability. In this case, for example, the impedance matching film 10 may be in contact with the first layer 21 . The second layer 22 also serves, for example, as an auxiliary material for controlling the thickness of the impedance matching film 10 with high precision. The material of the second layer 22 is, for example, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), acrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), polyimide (PI) or cycloolefin polymer (COP). . Among them, the material of the second layer 22 is preferably PET from the viewpoint of a balance between good heat resistance, dimensional stability and manufacturing cost.

기재(22)는 예컨대 10∼150㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 15∼100㎛의 두께를 갖는다. 이에 따라, 기재(22)의 굽힘 강성이 낮고, 또한 임피던스 정합막(10)을 형성하는 경우에 기재(22)에서 주름의 발생 또는 변형을 억제할 수 있다.The base material 22 has a thickness of, for example, 10 to 150 µm, preferably 15 to 100 µm. Accordingly, the bending rigidity of the substrate 22 is low, and generation or deformation of wrinkles in the substrate 22 can be suppressed when the impedance matching film 10 is formed.

전파 흡수체(1a)에서, 제3층(23)은 예컨대 층상의 도전체(30)를 지지하고 있다. 이 경우, 층상의 도전체(30)는 예컨대 금속박 또는 합금박이다. 층상의 도전체(30)는 예컨대 스퍼터링, 이온 플레이팅 또는 코팅(예컨대, 바 코팅) 등의 방법을 이용하여 제3층(23) 위에 성막함으로써 제작되어도 된다. 제3층(23)은 예컨대, 전파 흡수체(1a)에서 층상의 도전체(30)보다도 임피던스 정합막(10)에 가까운 위치에 배치되어 있고, 유전체층(20)의 일부를 구성하고 있다. 또한, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 제3층(23)은 층상의 도전체(30)보다도 임피던스 정합막(10)으로부터 먼 위치에 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 예컨대 층상의 도전체(30)가 제1층(21)에 접촉하고 있다.In the radio wave absorber 1a, the third layer 23 supports the layered conductor 30, for example. In this case, the layered conductor 30 is, for example, a metal foil or an alloy foil. The layered conductor 30 may be produced by, for example, forming a film on the third layer 23 using a method such as sputtering, ion plating, or coating (eg, bar coating). The third layer 23 is disposed, for example, in a position closer to the impedance matching film 10 than the layered conductor 30 in the radio wave absorber 1a, and constitutes a part of the dielectric layer 20 . Further, as shown in FIG. 2C , the third layer 23 may be disposed at a position farther from the impedance matching film 10 than the layered conductor 30 . In this case, for example, the layered conductor 30 is in contact with the first layer 21 .

제3층(23)의 재료로서, 예컨대 제2층(22)의 재료로서 예시된 재료를 사용할 수 있다. 제3층(23)의 재료는 제2층(22)의 재료와 동일하여도 되고, 상이하여도 된다. 양호한 내열성과 치수 안정성과 제조 비용과의 밸런스의 관점에서 제3층(23)의 재료는 바람직하게는 PET이다.As the material of the third layer 23, for example, the material exemplified as the material of the second layer 22 can be used. The material of the third layer 23 may be the same as or different from the material of the second layer 22 . The material of the third layer 23 is preferably PET from the viewpoint of a balance between good heat resistance and dimensional stability and manufacturing cost.

제3층(23)은, 예컨대 10∼150㎛의 두께를 갖고, 바람직하게는 15∼100㎛의 두께를 갖는다. 이에 따라 제3층(23)의 굽힘 강성이 낮고, 또한 층상의 도전체(30)를 형성하는 경우에 제3층(23)에서 주름의 발생 또는 변형을 억제할 수 있다. 또한, 제3층(23)은 경우에 따라서는 생략 가능하다.The third layer 23 has a thickness of, for example, 10 to 150 µm, preferably 15 to 100 µm. Accordingly, the bending rigidity of the third layer 23 is low, and generation or deformation of wrinkles in the third layer 23 can be suppressed when the layered conductor 30 is formed. In addition, the third layer 23 may be omitted in some cases.

제1층(21)은 복수의 층에 의해 구성되어 있어도 된다. 특히, 도 2b 또는 도 2c에 나타내는 바와 같이, 임피던스 정합막(10) 및 층상의 도전체(30)의 적어도 1개에 제1층(21)이 접촉하고 있는 경우에 제1층(21)은 복수의 층에 의해 구성될 수 있다.The first layer 21 may be constituted by a plurality of layers. In particular, as shown in FIG. 2B or FIG. 2C , when the first layer 21 is in contact with at least one of the impedance matching film 10 and the layered conductor 30 , the first layer 21 is It may be constituted by a plurality of layers.

제1층(21)은 점착성을 갖고 있어도 되고, 점착성을 갖고 있지 않아도 된다. 제1층(21)이 점착성을 갖는 경우, 제1층(21)의 양 주면의 적어도 한쪽에 점착층이 접하여 배치되어도 되고, 그의 양 주면에 접하도록 점착층이 배치되어 있지 않아도 된다. 제1층(21)이 점착성을 가짐으로써, 제1층(21)과는 다른 점착층을 불필요로 할 수 있다. 따라서, 전파 흡수체(1a)에서 제1층(21)과는 다른 점착층의 두께의 편차가 발생하지 않고, 전파 흡수체(1a)의 전체 두께의 편차를 저감할 수 있다. 따라서, 전파 흡수체(1a)에서 안정된 전파 흡수 성능이 발휘되기 쉽다. 제1층(21)이 점착성을 갖지 않는 경우, 바람직하게는 제1층(21)의 양 주면에 접하여 점착층이 배치된다. 또한, 유전체층(20)이 제2층(22)을 포함하는 경우, 제2층(22)이 점착성을 갖지 않아도, 제2층(22)의 양 주면에 접하도록 점착층이 배치되지 않아도 된다. 이 경우, 제2층(22)의 한쪽 주면에 접하여 점착층이 배치될 수 있다. 유전체층(20)이 제3층(23)을 포함하는 경우, 제3층(23)이 점착성을 갖지 않아도, 제3층(23)의 양 주면에 접하여 점착층이 배치되지 않아도 된다. 제3층(23)의 적어도 한쪽의 주면에 접하여 점착층이 배치될 수 있다.The first layer 21 may or may not have adhesiveness. When the first layer 21 has adhesiveness, the adhesive layer may be disposed in contact with at least one of both main surfaces of the first layer 21 , or the adhesive layer may not be disposed so as to be in contact with both major surfaces of the first layer 21 . When the first layer 21 has adhesiveness, an adhesive layer different from that of the first layer 21 can be made unnecessary. Accordingly, variation in the thickness of the adhesive layer different from that of the first layer 21 in the radio wave absorber 1a does not occur, and variation in the overall thickness of the radio wave absorber 1a can be reduced. Therefore, stable radio wave absorption performance is easily exhibited by the radio wave absorber 1a. When the first layer 21 has no adhesiveness, the adhesive layer is preferably disposed in contact with both main surfaces of the first layer 21 . In addition, when the dielectric layer 20 includes the second layer 22 , even if the second layer 22 does not have adhesiveness, the adhesive layer may not be disposed so as to be in contact with both main surfaces of the second layer 22 . In this case, the adhesive layer may be disposed in contact with one main surface of the second layer 22 . When the dielectric layer 20 includes the third layer 23 , even if the third layer 23 does not have adhesiveness, the adhesive layer may not be disposed in contact with both main surfaces of the third layer 23 . An adhesive layer may be disposed in contact with at least one main surface of the third layer 23 .

전파 흡수체(1a)에서 예컨대 임피던스 정합막(10)에 인접하는 층이 소정의 산 성분을 함유하는 경우가 있다. 임피던스 정합막(10)에 인접한 층은, 예컨대 그 층의 일부를 포함하는 시료에 대하여, JIS K0070-1992의 '3.1 중화 적정법'에 따라 결정되는 산가가 5 이상이 되도록 산 성분을 함유할 수 있다. 이 경우, 예컨대 임피던스 정합막(10)에서의 시트 저항 변화율(ΔSc)이 상기의 범위이면, 임피던스 정합막(10)에 인접한 층에 함유되는 산 성분에 의해 임피던스 정합막(10)의 시트 저항이 변동하기 어렵다.In the radio wave absorber 1a, for example, a layer adjacent to the impedance matching film 10 may contain a predetermined acid component. The layer adjacent to the impedance matching film 10 may contain an acid component such that, for example, an acid value determined according to '3.1 neutralization titration method' of JIS K0070-1992 for a sample including a part of the layer is 5 or more. . In this case, for example, if the sheet resistance change rate ΔSc in the impedance matching film 10 is within the above range, the sheet resistance of the impedance matching film 10 is increased by the acid component contained in the layer adjacent to the impedance matching film 10 . hard to change

전파 흡수체(1a)는 소망하는 파장의 전파를 흡수하도록 설계되어 있다. 전파 흡수체(1a)가 흡수가능한 전파의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 전파 흡수체(1a)가 흡수가능한 전파는 예컨대, 특정한 주파수 대역의 밀리미터파 또는 서브 밀리미터파일 수 있다.The radio wave absorber 1a is designed to absorb radio waves of a desired wavelength. The kind of radio waves that the radio wave absorber 1a can absorb is not particularly limited. The radio wave that the radio wave absorber 1a can absorb may be, for example, a millimeter wave or a sub millimeter wave of a specific frequency band.

전파 흡수체(1a)는 다양한 관점에서 변경가능하다. 예컨대, 전파 흡수체(1a)는 도 3a에 나타내는 전파 흡수체(1b), 도 3b에 나타내는 전파 흡수체(1c), 도 4a에 나타내는 전파 흡수체(1d), 또는 도 5a에 나타내는 전파 흡수체(1e)와 같이 변경되어도 된다. 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)는 특별히 설명하는 부분을 제외하고 전파 흡수체(1a)와 마찬가지로 구성되어 있다. 전파 흡수체(1a)의 구성 요소와 동일 또는 대응하는 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)의 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명을 생략한다. 전파 흡수체(1a)에 관한 설명은 기술적으로 모순되지 않는 한 전파 흡수체(1b, 1c, 1d 및 1e)에도 해당된다.The radio wave absorber 1a can be changed from various viewpoints. For example, the radio wave absorber 1a is the same as the radio wave absorber 1b shown in Fig. 3A, the radio wave absorber 1c shown in Fig. 3B, the radio wave absorber 1d shown in Fig. 4A, or the radio wave absorber 1e shown in Fig. 5A. may be changed. The radio wave absorbers 1b, 1c, 1d, and 1e have the same configuration as the radio wave absorber 1a, except for parts specifically described. Elements of the radio wave absorbers 1b, 1c, 1d, and 1e that are the same as or corresponding to the constituent elements of the radio wave absorber 1a are given the same reference numerals, and detailed description is omitted. The description regarding the radio wave absorber 1a also applies to the radio wave absorbers 1b, 1c, 1d and 1e unless technically contradictory.

도 3a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1b)는 점착층(40a)을 더 구비하고 있다. 전파 흡수체(1b)에서, 도전체(30)는 유전체층(20)과 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다. 한편, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1c)는 점착층(40a) 및 도전체 보호층(35)을 더 구비하고 있다. 도전체(30)는 유전체층(20)과 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다. 또한, 도전체 보호층(35)은 도전체(30)와 점착층(40a)과의 사이에 배치되어 있다.As shown in Fig. 3A, the radio wave absorber 1b further includes an adhesive layer 40a. In the radio wave absorber 1b, the conductor 30 is disposed between the dielectric layer 20 and the adhesive layer 40a. On the other hand, as shown in FIG. 3B , the radio wave absorber 1c further includes an adhesive layer 40a and a conductor protective layer 35 . The conductor 30 is disposed between the dielectric layer 20 and the adhesive layer 40a. Further, the conductor protective layer 35 is disposed between the conductor 30 and the adhesive layer 40a.

예컨대, 소정의 물품에 점착층(40a)을 접촉시켜 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 대고 누름으로써 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 물품에 첩부할 수 있다. 이에 따라, 전파 흡수체 부착 물품을 얻을 수 있다.For example, the radio wave absorber 1b or 1c can be affixed to the article by bringing the pressure-sensitive adhesive layer 40a into contact with a predetermined article and pressing the radio wave absorber 1b or 1c. Thereby, an article with a radio wave absorber can be obtained.

점착층(40a)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 전파 흡수체(1b)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 점착층(40a)을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 점착층(40a)을 덮고 있을 때에 점착층(40a)의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 점착층(40a)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제의 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 점착층(40a)이 노출되고, 전파 흡수체(1b 또는 1c)를 물품에 첩부할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 40a includes, for example, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or a urethane-based pressure-sensitive adhesive. The radio wave absorber 1b may further include a separator (not shown). In this case, the separator covers the adhesive layer 40a. A separator is typically a film which can maintain the adhesive force of the adhesive layer 40a when it covers the adhesive layer 40a, and can peel easily from the adhesive layer 40a. The separator is, for example, a film made of a polyester resin such as PET. By peeling the separator, the adhesive layer 40a is exposed, and the radio wave absorber 1b or 1c can be attached to the article.

전파 흡수체(1c)에서 도전체 보호층(35)의 재료로서, 예컨대 제2층(22)의 재료로서 예시된 재료를 사용할 수 있다. 도전체 보호층(35)에 의해 점착층(40a)에 포함되는 성분이 도전체(30)와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 도전체(30)의 내구성을 높이기 쉽다.As the material of the conductor protective layer 35 in the radio wave absorber 1c, for example, the material exemplified as the material of the second layer 22 can be used. A component included in the adhesive layer 40a may be prevented from contacting the conductor 30 by the conductive protective layer 35 . As a result, it is easy to increase the durability of the conductor 30 .

전파 흡수체에서 유전체층(20)은 도전체(30)에 대하여 점착성을 갖고 있어도 된다. 예컨대, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1d)에서 유전체층(20)은 점착층(40b)을 포함하는 복수의 층을 갖는다. 점착층(40b)은 도전체(30)에 접촉하고 있다. 점착층(40b)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 점착층(40b)은 예컨대 제1층(21)과 도전체(30)와의 사이에 배치되어 있다.In the radio wave absorber, the dielectric layer 20 may have adhesion to the conductor 30 . For example, as shown in Fig. 4A, in the radio wave absorber 1d, the dielectric layer 20 has a plurality of layers including the adhesive layer 40b. The adhesive layer 40b is in contact with the conductor 30 . The pressure-sensitive adhesive layer 40b includes, for example, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or a urethane-based pressure-sensitive adhesive. The adhesive layer 40b is disposed between, for example, the first layer 21 and the conductor 30 .

도 4a에 나타내는 바와 같이, 유전체층(20)은 점착층(40c)을 더 구비하고 있다. 점착층(40c)은 예컨대 제2층(22)과 접촉하고 있다. 점착층(40c)이 임피던스 정합막(10)과 접촉하도록 전파 흡수체(1d)가 변경되어도 된다. 점착층(40c)은 예컨대, 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 또는 우레탄계 점착제를 포함하고 있다. 점착층(40c)은 예컨대, 제1층(21)과 제2층(22)과의 사이에 배치되어 있다.As shown in Fig. 4A, the dielectric layer 20 further includes an adhesive layer 40c. The adhesive layer 40c is in contact with the second layer 22 , for example. The radio wave absorber 1d may be changed so that the adhesive layer 40c is in contact with the impedance matching film 10 . The pressure-sensitive adhesive layer 40c includes, for example, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, an acrylic-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, or a urethane-based pressure-sensitive adhesive. The adhesive layer 40c is disposed between the first layer 21 and the second layer 22 , for example.

전파 흡수체(1e)는 예컨대, 도 4b에 나타내는 전파 흡수체용 적층체(50a)를 이용하여 제작될 수 있다. 전파 흡수체용 적층체(50a)는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있다.The radio wave absorber 1e can be manufactured using, for example, the radio wave absorber laminate 50a shown in Fig. 4B. The radio wave absorber laminate 50a includes an impedance matching film 10 and a dielectric layer 20 . The dielectric layer 20 is disposed in contact with the impedance matching film 10 in the thickness direction of the impedance matching film 10 .

전파 흡수체용 적층체(50a)에 의하면, 유전체층(20)은 예컨대 임피던스 정합막(10)으로부터 떨어진 주면에서 점착성을 갖는다. 이 경우, 예컨대 도전체(30)에 유전체층(20)을 접촉시켜, 전파 흡수체용 적층체(50a)를 도전체(30)에 대고 누름으로써 전파 흡수체용 적층체(50a)가 도전체(30)에 첩부되어 전파 흡수체(1e)를 제작할 수 있다.According to the radio wave absorber laminate 50a, the dielectric layer 20 has, for example, adhesiveness on the main surface away from the impedance matching film 10 . In this case, for example, by bringing the dielectric layer 20 into contact with the conductor 30 and pressing the radio wave absorber laminate 50a against the conductor 30 , the radio wave absorber laminate 50a becomes the conductor 30 . The radio wave absorber 1e can be produced.

도 4b에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체용 적층체(50a)에서 유전체층(20)은 예컨대 점착층(40b)을 포함하는 복수의 층을 갖는다. 점착층(40b)은 유전체층(20)을 이루는 복수의 층에서 임피던스 정합막(10)으로부터 가장 떨어져 배치되어 있다.As shown in Fig. 4B, in the laminate 50a for the radio wave absorber, the dielectric layer 20 has a plurality of layers including, for example, an adhesive layer 40b. The adhesive layer 40b is disposed furthest from the impedance matching layer 10 in the plurality of layers constituting the dielectric layer 20 .

전파 흡수체용 적층체(50a)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 점착층(40b)을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 점착층(40b)을 덮고 있을 때에 점착층(40b)의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 점착층(40b)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 점착층(40b)이 노출되고, 전파 흡수체용 적층체(50a)를 도전체(30)에 첩부할 수 있다.The laminated body 50a for radio wave absorbers may further include a separator (not shown). In this case, the separator covers the adhesive layer 40b. A separator is typically a film which can maintain the adhesive force of the adhesive layer 40b, when it covers the adhesive layer 40b, and can peel easily from the adhesive layer 40b. The separator is, for example, a film made of a polyester resin such as PET. By peeling the separator, the adhesive layer 40b is exposed, and the laminated body 50a for radio wave absorbers can be stuck to the conductor 30 .

도 5a에 나타내는 바와 같이, 전파 흡수체(1e)에서 제1층(21)은 도전체(30)에 접촉하고 있다. 제1층(21)은 예컨대 도전체(30)에 대하여 점착성을 갖는다. 제1층(21)은 예컨대, 제2층(22)에 접촉하고 있다. 제1층(21)은 예컨대, 제2층(22)에 대하여 점착성을 갖는다. 제1층(21)이 임피던스 정합막(10)과 접촉하도록 전파 흡수체(1e)가 변경되어도 된다. 이 경우. 제1층(21)은 예컨대 임피던스 정합막(10)에 대하여 점착성을 갖는다.As shown in FIG. 5A , in the radio wave absorber 1e, the first layer 21 is in contact with the conductor 30 . The first layer 21 has, for example, adhesion to the conductor 30 . The first layer 21 is in contact with the second layer 22 , for example. The first layer 21 has, for example, adhesiveness to the second layer 22 . The radio wave absorber 1e may be changed so that the first layer 21 is in contact with the impedance matching film 10 . in this case. The first layer 21 has, for example, adhesion to the impedance matching film 10 .

전파 흡수체(1e)는 예컨대, 도 5b에 나타내는 전파 흡수체용 적층체(50b)를 이용하여 제작될 수 있다. 전파 흡수체용 적층체(50b)는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비한다. 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있다.The radio wave absorber 1e can be manufactured using, for example, the radio wave absorber laminate 50b shown in Fig. 5B. The radio wave absorber laminate 50b includes an impedance matching film 10 and a dielectric layer 20 . The dielectric layer 20 is disposed in contact with the impedance matching film 10 in the thickness direction of the impedance matching film 10 .

전파 흡수체용 적층체(50b)에서, 유전체층(20)은 임피던스 정합막(10)으로부터 떨어진 주면에서 점착성을 갖는다. 예컨대, 제1층(21)이 점착성을 갖는다. 예컨대, 도전체(30)에 제1층(21)을 접촉시켜 전파 흡수체용 적층체(50b)를 도전체(30)에 대고 누름으로써, 전파 흡수체용 적층체(50b)가 도전체(30)에 첩부되어 전파 흡수체(1e)를 제작할 수 있다.In the laminated body 50b for the radio wave absorber, the dielectric layer 20 has adhesiveness on the main surface away from the impedance matching film 10 . For example, the first layer 21 has adhesiveness. For example, by bringing the first layer 21 into contact with the conductor 30 and pressing the radio wave absorber laminate 50b against the conductor 30 , the radio wave absorber laminate 50b becomes the conductor 30 . The radio wave absorber 1e can be produced.

전파 흡수체용 적층체(50b)는 세퍼레이터(도시 생략)를 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세퍼레이터는 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면을 덮고 있다. 세퍼레이터는 전형적으로는 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면을 덮고 있을 때에 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면의 점착력을 유지할 수 있고, 또한 유전체층(20)으로부터 용이하게 박리할 수 있는 필름이다. 세퍼레이터는 예컨대, PET 등의 폴리에스테르 수지제 필름이다. 세퍼레이터를 박리함으로써 유전체층(20)의 도전체(30)에 접촉해야 하는 면이 노출되고, 전파 흡수체용 적층체(50b)를 도전체(30)에 첩부할 수 있다.The laminated body 50b for radio wave absorbers may further include a separator (not shown). In this case, the separator covers the surface of the dielectric layer 20 which should be in contact with the conductor 30 . The separator is typically capable of maintaining the adhesive force of the side that should contact the conductor 30 of the dielectric layer 20 when covering the side that should contact the conductor 30 of the dielectric layer 20, and also ), which can be easily peeled from the film. The separator is, for example, a film made of a polyester resin such as PET. By peeling the separator, the surface of the dielectric layer 20 that should be in contact with the conductor 30 is exposed, and the radio wave absorber laminate 50b can be attached to the conductor 30 .

전파 흡수체용 적층체는 임피던스 정합막(10)과 유전체층(20)을 구비하고, 또한 임피던스 정합막(10)의 두께 방향에서 유전체층(20)이 임피던스 정합막(10)에 접촉하여 배치되어 있는 한, 특정한 구성으로 한정되지 않는다.The radio wave absorber laminate includes an impedance matching film 10 and a dielectric layer 20, and as long as the dielectric layer 20 is disposed in contact with the impedance matching film 10 in the thickness direction of the impedance matching film 10 , is not limited to a specific configuration.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되지 않는다. 우선, 실시예 및 비교예에 관한 평가 방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples. However, this invention is not limited to the following embodiment. First, the evaluation method concerning an Example and a comparative example is demonstrated.

[X선 회절][X-ray diffraction]

X선 회절 장치(리가쿠사 제조, 제품명: RINT2200)를 이용하여 X선 반사율법에 의해 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막 부착 필름의 저항막의 두께를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, X선 회절 장치를 이용하여 저항막에 대한 X선 회절 패턴을 얻었다. X선으로서는 Cu-Kα선을 이용하였다. 얻어진 X선 회절 패턴으로부터 각 실시예 및 비교예에서 저항막은 아모르포스 구조를 갖는 것이 확인되었다.The thickness of the resistance film of the film with a resistance film according to each Example and Comparative Example was measured by the X-ray reflectance method using an X-ray diffraction apparatus (manufactured by Rigaku, product name: RINT2200). A result is shown in Table 1. Further, an X-ray diffraction pattern for the resistive film was obtained using an X-ray diffraction apparatus. As X-rays, Cu-Kα rays were used. From the obtained X-ray diffraction pattern, it was confirmed that the resistance film in each Example and Comparative Example had an amorphous structure.

[홀 이동도][Hall Mobility]

홀 효과 측정 장치(나노메트릭스사 제조, 제품명: HL5500PC)를 이용하여 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막에 대하여, 반 데르 포법에 따라 홀 효과 측정을 행하였다. 홀 효과 측정의 결과로부터, 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 홀 이동도를 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 홀 효과 측정은 하기의 신뢰성 시험 및 내산성 시험을 미실시한 샘플에 대하여 행하였다.Using a Hall effect measuring device (manufactured by Nanometrics, product name: HL5500PC), the resistance films according to Examples and Comparative Examples were subjected to Hall effect measurement according to the van der Pos method. From the results of the Hall effect measurement, the hole mobility of the resistive films according to Examples and Comparative Examples was obtained. A result is shown in Table 1. In addition, Hall effect measurement was performed with respect to the sample which did not implement the following reliability test and acid resistance test.

[비저항][resistivity]

비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 초기의 시트 저항을 측정하였다. 각 실시예 및 비교예에서, 상기와 같이 측정한 저항막의 두께와, 상기와 같이 측정한 저항막의 초기의 시트 저항으로부터 양자의 곱을 구함으로써 비저항을 결정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 각 실시예 및 비교예에 따른 저항막의 초기의 시트 저항은, 후술하는 도전체 부착 필름을 겹치기 전의, 저항막 부착 필름과 아크릴 수지층과의 적층체를 이용하여 측정하였다.The initial sheet resistance of the resistive films according to Examples and Comparative Examples was measured by an eddy current measurement method in accordance with JIS Z 2316 using a non-contact resistance measuring device (manufactured by Nafson Corporation, product name: NC-80MAP). In each Example and Comparative Example, the specific resistance was determined by obtaining the product of the thickness of the resistive film measured as described above and the initial sheet resistance of the resistive film measured as described above. A result is shown in Table 1. In addition, the sheet resistance of the initial stage of the resistance film which concerns on each Example and a comparative example was measured using the laminated body of the film with a resistance film and the acrylic resin layer before overlapping the film with a conductor mentioned later.

[신뢰성 시험][Reliability Test]

각 실시예에 따른 전파 흡수체를 125℃의 환경에 1000시간 노출하여 신뢰성 시험을 실시하였다. 각 실시예에 따른 전파 흡수체에 대하여, 신뢰성 시험의 전후에 있어서, JIS R 1679:2007에 준거하여 수직으로 입사하는 76GHz의 밀리미터파에 대한 전파 흡수체의 반사 감쇠량(입사파의 전력에 대한 반사파의 전력의 비를 dB 표기한 값의 절대값)을 측정하였다. 또한, 본 명세서에서의 '반사 감쇠량'은 JIS R 1679:2007에서의 '반사량'에 대응한다. 비교예에 따른 전파 흡수체에 대하여, 신뢰성 시험은 실시하지 않고, JIS R 1679:2007에 준거하여 수직으로 입사하는 76GHz의 밀리미터파에 대한 전파 흡수체의 반사 감쇠량을 측정하였다. 각 실시예 및 비교예에 대해서, 5개의 샘플에 대해 반사 감쇠량을 측정하여 구한 평균값으로부터 하기의 기준에 따라 각 실시예 및 비교예에 따른 전파 흡수체의 반사 감쇠량을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 전파 흡수체에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 신뢰성 시험 후의 반사 감쇠량의 평가의 란을 [-]로 표기하였다.A reliability test was performed by exposing the radio wave absorber according to each example to an environment of 125° C. for 1000 hours. For the radio wave absorber according to each Example, before and after the reliability test, the amount of reflection attenuation of the radio wave absorber with respect to a millimeter wave of 76 GHz that is vertically incident in accordance with JIS R 1679:2007 (power of reflected wave to power of incident wave) The absolute value of the value expressed in dB) was measured. In addition, 'reflection attenuation' in this specification corresponds to 'reflection amount' in JIS R 1679:2007. The radio wave absorber according to the comparative example was not subjected to a reliability test, but the amount of reflection attenuation of the radio wave absorber with respect to a millimeter wave of 76 GHz perpendicularly incident was measured in accordance with JIS R 1679:2007. For each Example and Comparative Example, the reflection attenuation amount of the radio wave absorber according to each Example and Comparative Example was evaluated from the average value obtained by measuring the reflection attenuation amount for five samples according to the following criteria. A result is shown in Table 1. In addition, since the reliability test was not performed on the radio wave absorber according to the comparative example, the evaluation of the reflection attenuation amount after the reliability test was marked with [-].

AA: 반사 감쇠량의 평균값이 20dB 이상이다.AA: The average value of the reflection attenuation is 20 dB or more.

A: 반사 감쇠량의 평균값이 10dB 이상 20dB 미만이다.A: The average value of the reflection attenuation is 10 dB or more and less than 20 dB.

X: 반사 감쇠량의 평균값이 10dB 미만이다.X: The average value of the amount of reflection attenuation is less than 10 dB.

상기의 신뢰성 시험을 행한 후에 각 실시예에 따른 전파 흡수체의 샘플로부터 도전체 부착 필름을 박리하여 시료를 제작하였다. 그 후, 비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 이 시료의 저항막의 시트 저항을 측정하였다. 이 측정 결과와, 초기의 시트 저항의 측정 결과로부터 상기의 식(1)에 기초하여 각 실시예에 따른 저항막의 시트 저항 변화율(ΔSh)을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 전파 흡수체에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 시트 저항 변화율(ΔSh)의 란을 [-]로 표기하였다.After performing the above reliability test, the film with a conductor was peeled off from the sample of the radio wave absorber according to each Example, and the sample was produced. Thereafter, the sheet resistance of the resistance film of this sample was measured by an eddy current measurement method in accordance with JIS Z 2316 using a non-contact resistance measuring apparatus (manufactured by Nafson Corporation, product name: NC-80MAP). From this measurement result and the measurement result of the initial sheet resistance, the sheet resistance change rate (?Sh) of the resistive film according to each Example was calculated|required based on said Formula (1). A result is shown in Table 1. In addition, since the reliability test was not performed for the radio wave absorber according to the comparative example, the column of sheet resistance change rate (ΔSh) was marked with [-].

[내산성 시험][Acid resistance test]

각 실시예에 따른 저항막 부착 필름을 30mm 평방으로 절취한 절편을 슬라이드 유리에 점착 테이프로 첩부하고, 내산성 시험용의 샘플을 준비하였다. 각 실시예에 따른 샘플을 0.5몰/리터 또는 1.0몰/리터의 농도를 갖는 염산에 2분간 침지하였다. 각 실시예에 따른 샘플에 있어서, 침지 후의 절편을 슬라이드 유리로부터 박리하였다. 그 후, 비접촉식 저항 측정 장치(나프손사 제조, 제품명: NC-80MAP)를 이용하여, JIS Z 2316에 준거하여 와전류 측정법에 의해 각 실시예에 따른 샘플의 저항막의 시트 저항을 측정하였다. 이 측정 결과와, 초기의 시트 저항의 측정 결과로부터 상기의 식(2)에 기초하여 각 실시예에 따른 저항막의 시트 저항 변화율(ΔSc)을 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 비교예에 따른 저항막에 대해서는 신뢰성 시험을 실시하지 않았으므로, 시트 저항 변화율 ΔSc의 란을 [-]로 표기하였다.A section of the film with a resistance film according to each Example cut into a square of 30 mm was affixed to a slide glass with an adhesive tape, and a sample for an acid resistance test was prepared. The sample according to each example was immersed in hydrochloric acid having a concentration of 0.5 mol/liter or 1.0 mol/liter for 2 minutes. In the sample according to each Example, the slice after immersion was peeled off from the slide glass. Thereafter, the sheet resistance of the resistive film of the sample according to each Example was measured by an eddy current measurement method in accordance with JIS Z 2316 using a non-contact resistance measuring apparatus (manufactured by Nafson Corporation, product name: NC-80MAP). From this measurement result and the measurement result of the initial sheet resistance, the rate of change in sheet resistance (ΔSc) of the resistive film according to each Example was obtained based on the above formula (2). A result is shown in Table 1. In addition, since a reliability test was not performed with respect to the resistance film according to the comparative example, the column of sheet resistance change rate ΔSc was marked with [-].

<실시예 1><Example 1>

PET 필름(미츠비시케미칼사 제조, 제품명: 다이아호일, 두께: 23㎛)의 위에, 30중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 타겟재로서 이용하고, 아르곤 가스 및 산소 가스를 포함하는 혼합 가스를 공급하면서 스퍼터링을 행하여 실시예 1에 따른 저항막을 형성하였다. 이와 같이 하여 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름을 얻었다. 스퍼터링에서 저항막의 두께가 44nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 386Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 15㎠/(V·s)인 바와 같이, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 0.7%이었다. 25㎛의 두께를 갖는 PET 필름과, 7㎛의 두께를 갖는 알루미늄박이 적층된 도전체 부착 필름을 준비하였다. 2.6의 비유전율을 갖는 아크릴 수지를 560㎛의 두께로 성형하여 아크릴 수지층을 얻었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름의 저항막이 아크릴 수지층에 접촉하도록 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름을 아크릴 수지층에 겹쳤다. 그 후, 도전체 부착 필름의 PET 필름이 아크릴 수지층에 접촉하도록 도전체 부착 필름을 아크릴 수지층에 추가로 겹쳤다. 이와 같이 하여 실시예 1에 따른 전파 흡수체를 얻었다. 실시예 1에 따른 전파 흡수체는 도 2b에 나타내는 전파 흡수체(1a)에 대응하는 구성을 갖고 있었다. 아크릴 수지층은 저항막 부착 필름의 저항막 및 도전체 부착 필름의 PET 필름에 대하여 점착성을 갖고 있고, 저항막 부착 필름 및 도전체 부착 필름은 점착제를 사용하지 않고 아크릴 수지층에 접착하였다.On a PET film (manufactured by Mitsubishi Chemical, product name: diafoil, thickness: 23 µm), ITO containing 30 wt% SnO 2 is used as a target material, and a mixed gas containing argon gas and oxygen gas is supplied. While performing sputtering, a resistive film according to Example 1 was formed. In this way, a film with a resistance film according to Example 1 was obtained. In sputtering, as the thickness of the resistance film is 44 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 386 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 15 cm 2 /(V s), the volume of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas The ratio of the flow rate was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 0.7%. A film with a conductor in which a PET film having a thickness of 25 µm and an aluminum foil having a thickness of 7 µm were laminated was prepared. An acrylic resin layer was obtained by molding an acrylic resin having a dielectric constant of 2.6 to a thickness of 560 µm. The film with a resistance film according to Example 1 was overlaid on the acrylic resin layer so that the resistance film of the film with a resistance film according to Example 1 was in contact with the acrylic resin layer. Then, the film with a conductor was further superposed on the acrylic resin layer so that the PET film of the film with a conductor might contact the acrylic resin layer. In this way, a radio wave absorber according to Example 1 was obtained. The radio wave absorber according to Example 1 had a configuration corresponding to the radio wave absorber 1a shown in Fig. 2B. The acrylic resin layer had adhesion to the resistance film of the film with a resistance film and the PET film of the film with a conductor, and the film with a resistance film and the film with a conductor were adhered to the acrylic resin layer without using an adhesive.

<실시예 2><Example 2>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 19nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 416Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 2에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. In sputtering, the volume flow rate of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas so that the thickness of the resistance film is 19 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 416 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 31 cm 2 /(V s) was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.0%. A radio wave absorber according to Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 2 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 3><Example 3>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 22nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 318Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 46㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 3에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. In sputtering, the volume flow rate of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas so that the thickness of the resistance film is 22 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 318 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 46 cm 2 /(V s) was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 3.3%. A radio wave absorber according to Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 3 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 4><Example 4>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 90nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 456Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 8㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 4에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistive film according to Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 50% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 90 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 456 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 8 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.0%. A radio wave absorber according to Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 4 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 5><Example 5>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 36nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 361Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 23㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 5에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 5에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 50% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 36 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 361 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 23 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 3.3%. A radio wave absorber according to Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 5 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 6><Example 6>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 26nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 385Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 41㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 4.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 6에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 6에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistive film according to Example 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 50% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 26 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 385 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 41 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 4.7%. A radio wave absorber according to Example 6 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 6 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 7><Example 7>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 50nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 396Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 10㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 0.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 7에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 7에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 20% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 50 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 396 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 10 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 0.7%. A radio wave absorber according to Example 7 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 7 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 8><Example 8>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 8에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 22nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 373Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 20㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 8에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 8에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 8 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 20% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 22 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 373 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 20 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.0%. A radio wave absorber according to Example 8 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 8 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 9><Example 9>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 20중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 20nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 360Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 39㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 4.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 9에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 9에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 9 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 20% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistive film is 20 nm, the initial sheet resistance of the resistive film is 360 Ω/□, and the hole mobility of the resistive film is 39 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 4.7%. A radio wave absorber according to Example 9 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 9 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 10><Example 10>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 10에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 70중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 52nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 365Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 20㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 10에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 10에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 10 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 70% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistive film is 52 nm, the initial sheet resistance of the resistive film is 365 Ω/□, and the hole mobility of the resistive film is 20 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 3.3%. A radio wave absorber according to Example 10 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 10 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 11><Example 11>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 11에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 70중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 45nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 378Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 5.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 11에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 11에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 11 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 70% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistive film is 45 nm, the initial sheet resistance of the resistive film is 378 Ω/□, and the hole mobility of the resistive film is 31 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 5.3%. A radio wave absorber according to Example 11 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 11 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 12><Example 12>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 12에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 30중량%의 SnO2 및 2.5중량%의 SiO2를 함유하고 있는, SiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 42nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 381Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 21㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 12에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 12에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 12 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, SiO 2 containing ITO containing 30 wt% of SnO 2 and 2.5 wt% of SiO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistive film is 42 nm, the initial sheet resistance of the resistive film is 381 Ω/□, and the hole mobility of the resistive film is 21 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.7%. A radio wave absorber according to Example 12 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 12 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 13><Example 13>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 13에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2 및 5중량%의 SiO2를 함유하고 있는, SiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 87nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 402Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 17㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.7%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 13에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 13에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistive film according to Example 13 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, SiO 2 containing ITO containing 15 wt% of SnO 2 and 5 wt% of SiO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 87 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 402 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 17 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.7%. A radio wave absorber according to Example 13 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 13 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<실시예 14><Example 14>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 14에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2 및 5중량%의 TiO2를 함유하고 있는, TiO2가 첨가된 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 98nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 449Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 15㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 실시예 14에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 14에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Example 14 was produced in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO to which TiO 2 was added, containing 15 wt% of SnO 2 and 5 wt% of TiO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistive film is 98 nm, the initial sheet resistance of the resistive film is 449 Ω/□, and the hole mobility of the resistive film is 15 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.0%. A radio wave absorber according to Example 14 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Example 14 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<비교예 1><Comparative Example 1>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 100nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 990Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 4㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 1.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 1에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Comparative Example 1 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 50% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 100 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 990 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 4 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 1.3%. A radio wave absorber according to Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Comparative Example 1 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<비교예 2><Comparative Example 2>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 15중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 10nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 400Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 31㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 2.0%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 2에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Comparative Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 15% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 10 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 400 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 31 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 2.0%. A radio wave absorber according to Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Comparative Example 2 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<비교예 3><Comparative Example 3>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 50중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 210nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 381Ω/□이며, 저항막의 홀 이동도가 4㎠/(V·s)이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 1.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 3에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Comparative Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 50% by weight of SnO 2 was used. Further, in sputtering, the thickness of the resistance film is 210 nm, the initial sheet resistance of the resistance film is 381 Ω/□, and the hole mobility of the resistance film is 4 cm 2 /(V s) of oxygen gas with respect to the volume flow rate of the mixed gas. The ratio of volumetric flow rates was adjusted. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 1.3%. A radio wave absorber according to Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Comparative Example 3 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

<비교예 4><Comparative Example 4>

하기의 점 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 4에 따른 저항막 부착 필름을 제작하였다. 스퍼터링의 타겟재로서, 90중량%의 SnO2를 함유하고 있는 ITO를 이용하였다. 또한, 스퍼터링에서, 저항막의 두께가 580nm이고, 저항막의 초기의 시트 저항이 397Ω/□이도록, 혼합 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비를 조정하였다. 아르곤 가스의 체적 유량에 대한 산소 가스의 체적 유량의 비는 3.3%이었다. 실시예 1에 따른 저항막 부착 필름 대신에, 비교예 4에 따른 저항막 부착 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 4에 따른 전파 흡수체를 얻었다.A film with a resistance film according to Comparative Example 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except for the following points. As a target material for sputtering, ITO containing 90% by weight of SnO 2 was used. In sputtering, the ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of the mixed gas was adjusted so that the thickness of the resistance film was 580 nm and the initial sheet resistance of the resistance film was 397 Ω/□. The ratio of the volume flow rate of oxygen gas to the volume flow rate of argon gas was 3.3%. A radio wave absorber according to Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film with a resistance film according to Comparative Example 4 was used instead of the film with a resistance film according to Example 1.

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼14에 따른 전파 흡수체는 신뢰성 시험의 전후에 있어서 양호한 전파 흡수 성능을 발휘할 수 있었다. 또한, 실시예 1∼6, 8, 10∼14에 따른 저항막 부착 필름에서, ΔSh는 20% 이하이었다. 한편, 비교예 1∼4에 따른 전파 흡수체는 양호한 전파 흡수 성능을 발휘할 수 없었다. 아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하는 저항막이 5㎠/(V·s) 이상인 홀 이동도를 갖고, 또한 16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 가짐으로써, 저항막이 고온 환경에 장기간 노출되었을 때에 임피던스 정합의 관점에서 소망하는 특성을 유지하기 쉬운 것이 시사되었다. 실시예 1∼6 및 실시예 10∼12에 따른 저항막 부착 필름에서, ΔSc는 10% 이하이고, 이들 실시예에 따른 저항막이 소망하는 내산성을 갖는 것이 시사되었다.As shown in Table 1, the radio wave absorbers according to Examples 1 to 14 were able to exhibit good radio wave absorption performance before and after the reliability test. Further, in the films with a resistance film according to Examples 1 to 6, 8, and 10 to 14, ΔSh was 20% or less. On the other hand, the radio wave absorbers according to Comparative Examples 1 to 4 could not exhibit good radio wave absorption performance. The resistance film containing a mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component has a hole mobility of 5 cm 2 /(V·s) or more, and has a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm, so that the resistance film is in a high-temperature environment It was suggested that it is easy to maintain the desired characteristics from the viewpoint of impedance matching when exposed for a long period of time. In the films with a resistance film according to Examples 1 to 6 and Examples 10 to 12, ΔSc was 10% or less, suggesting that the resistance film according to these Examples had desired acid resistance.

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

Claims (14)

아모르포스 구조를 갖는 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물을 주성분으로서 포함하고,
5㎠/(V·s) 이상의 홀 이동도를 가지며,
16nm 이상 또한 100nm 미만의 두께를 갖는,
전파 흡수체용 임피던스 정합막.A mixture of indium oxide and tin oxide having an amorphous structure as a main component,
It has a hole mobility of 5cm2/(V·s) or more,
having a thickness of 16 nm or more and less than 100 nm,
Impedance matching film for radio wave absorbers. 제1항에 있어서,
0.5×10-3∼5.0×10-3Ω·cm의 비저항을 갖는, 임피던스 정합막.According to claim 1,
An impedance matching film having a specific resistance of 0.5×10 -3 to 5.0×10 -3 Ω·cm. 제1항 또는 제2항에 있어서,
200∼800Ω/□의 시트 저항을 갖는, 임피던스 정합막.3. The method of claim 1 or 2,
An impedance matching film having a sheet resistance of 200 to 800 Ω/□. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화 주석의 함유량은 20질량% 이상인, 임피던스 정합막.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The impedance matching film, wherein the content of the tin oxide is 20% by mass or more. 제4항에 있어서,
상기 산화 주석의 함유량은 40질량%를 초과하는, 임피던스 정합막.5. The method of claim 4,
The impedance matching film, wherein the content of the tin oxide exceeds 40% by mass. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
인듐 원자, 주석 원자 및 산소 원자와는 상이한 원자를 적어도 갖는 첨가물을 더 포함하는, 임피던스 정합막.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The impedance matching film further comprising an additive having at least an atom different from an indium atom, a tin atom, and an oxygen atom. 기재와,
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막
을 구비한, 전파 흡수체용 임피던스 정합막 부착 필름.description and,
The impedance matching film according to any one of claims 1 to 6
A film with an impedance matching film for radio wave absorbers. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막과,
전파를 반사하는 도전체와,
상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막과 상기 도전 체와의 사이에 배치되어 있는 유전체층
을 구비한, 전파 흡수체.The impedance matching film according to any one of claims 1 to 6;
a conductor that reflects radio waves;
a dielectric layer disposed between the impedance matching film and the conductor in the thickness direction of the impedance matching film
Equipped with a radio wave absorber. 제8항에 있어서,
상기 도전체는 산화 인듐 주석을 포함하는, 전파 흡수체.9. The method of claim 8,
and the conductor includes indium tin oxide. 제8항에 있어서,
상기 도전체는 알루미늄, 구리, 철, 알루미늄 합금, 구리 합금 및 철 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개를 포함하는, 전파 흡수체.9. The method of claim 8,
The conductor includes at least one selected from the group consisting of aluminum, copper, iron, an aluminum alloy, a copper alloy, and an iron alloy. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체층은 2.0∼20.0의 비유전율을 갖는, 전파 흡수체.11. The method according to any one of claims 8 to 10,
and the dielectric layer has a relative permittivity of 2.0 to 20.0. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유전체층은 에틸렌초산비닐 공중합체, 염화비닐 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 아크릴우레탄 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드 및 시클로올레핀 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1개의 고분자를 포함하는, 전파 흡수체.12. The method according to any one of claims 8 to 11,
The dielectric layer is ethylene vinyl acetate copolymer, vinyl chloride resin, urethane resin, acrylic resin, acrylic urethane resin, polyethylene, polypropylene, silicone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, and a group consisting of cycloolefin polymers A radio wave absorber comprising at least one polymer selected from 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
점착층을 더 구비하고,
상기 도전체는 상기 유전체층과 상기 점착층과의 사이에 배치되어 있는, 전파 흡수체.13. The method according to any one of claims 8 to 12,
Further comprising an adhesive layer,
and the conductor is disposed between the dielectric layer and the adhesive layer. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 임피던스 정합막과,
상기 임피던스 정합막의 두께 방향에서 상기 임피던스 정합막에 접촉하여 배치되어 있는, 유전체층
을 구비한, 전파 흡수체용 적층체.The impedance matching film according to any one of claims 1 to 6;
a dielectric layer disposed in contact with the impedance matching film in a thickness direction of the impedance matching film
A laminate for a radio wave absorber comprising:
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