CN108495544A - 一种电磁屏蔽膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层(1)、绝缘层(2)、导电胶层(3)、导电聚合物层(4)以及离型层(5)。所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,同时可以适应在强磁场环境下的使用,使用寿命长。
Description
技术领域
本发明属于膜技术领域,涉及一种电磁屏蔽膜。
背景技术
近年来,随着无线电技术的普遍使用,电磁污染越来越普遍,同时电路本身低电压低功耗的使用,使得电路本身的抗电磁干扰(EMI)的能力显著下降。在产品外壳镀覆抗EMI薄膜,既可以保护本产品不受外界EMI影响,又可以降低自身对外界的干扰,欧盟89/336/EEC(EMC)标准已经明确指出电子产品必须在产品外壳内壁镀覆抗EMI薄膜。目前使用的屏蔽材料主要有导电型、填充型、本征型以及吸波型,制备方法主要是贴金属箔、溅射镀、电镀或化学镀和涂敷导电涂料等方法。
随着柔性线路板布线线路的越来越密集,对电磁屏蔽膜的要求越来越高,屏蔽效能大于60db的电磁屏蔽膜越来越受到市场的青睐。屏蔽效能与导通有着直接的关系,导通数值越小,屏蔽效能越高。
CN 106531311 A公开了一种用于线缆的电磁屏蔽膜、电磁屏蔽膜的制造方法及线材的制造方法,涉及线材制造领域,用于现有技术在线材的屏蔽处理时,生产效率低、生产成本高等问题。本发明用于线缆的电磁屏蔽膜包括第一金属层、导电层以及第二保护膜;第一金属层覆盖在线缆的导体的外被上,用于屏蔽电磁干扰并作为介质;导电层设置于第一金属层上,用于屏蔽电磁干扰;第二保护膜设置于导电层上,用于对电磁屏蔽膜提供保护。所述电磁屏蔽膜以金属为主体,不能适应在高磁场强度下的使用,同时膜寿命较短。
CN 107333462 A公开了一种导电层、电磁屏蔽膜及电磁屏蔽膜的加工方法,涉及电磁屏蔽技术领域。电磁屏蔽膜的导电层包括第一导电层以及涂布于第一导电层的一侧的第二导电层;第一导电层的导电粉包括枝状导电粉,枝状导电粉的导电粒子的粒径为5~20μm;第二导电层的导电粉包括片状导电粉或球状导电粉,片状导电粉或球状导电粉的导电粒子的粒径与第二导电层的厚度相同,解决了现有技术中存在的为改善电磁屏蔽膜的导电层外观粗糙、不平整的现象,容易引起成本的增加或是导电性能及屏蔽效能的降低的技术问题,通过设置第二导电层弥补了第一导电层的外观粗糙、不平整,同时使整个电磁屏蔽膜的导电层的屏蔽效果更加优异。所述电磁屏蔽膜同样以金属为主体,没有克服现有电磁屏蔽膜的缺陷。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题,本发明提供一种电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,同时可以适应在强磁场环境下的使用,使用寿命长。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供一种电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层、绝缘层、导电胶层、导电聚合物层以及离型层。
本发明中,基层为PET薄膜、PEN薄膜或PBT薄膜中任意一种或至少两种的组合。
本发明中,基材层的厚度为50~80μm。
本发明中,所述绝缘层为油墨绝缘层。
本发明中,所述绝缘层的厚度为5~10μm。
本发明中,导电胶层的基材为环氧树脂、聚氨酯或酚醛树脂中的任意一种或至少两种的组合。
本发明中,导电胶层的导电填料为导电聚合物颗粒。
本发明中,所述导电聚合物为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。
本发明使用的导电胶使用导电聚合物颗粒取代金属颗粒作为导电填料,避免了在强磁场下,金属颗粒会随磁场变化发生迁移,进而使得导电胶的导电性能分布不均,会导致电磁屏蔽膜性能下降的问题。同时,由于金属颗粒比重较大,随着使用时间的增长,金属颗粒会在导电胶中发生沉积和聚集,影响电磁屏蔽膜的使用寿命,而本发明导电胶中的导电填料为导电聚合物,导电聚合物的比重要远小于金属颗粒,因此可以提高电磁屏蔽膜的使用寿命。
本发明中,所述导电胶层的厚度为10~15μm。
本发明中,所述导电聚合物层为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。
本发明使用到点聚合物作为导电层,导电聚合物中存在着π-π共轭体系,电子可以在π-π共轭体系中自由移动,即使在强磁场作用下,电子随磁场发生聚集,但是由于π-π共轭体系可以是电子能量平均化,也不会造成导电层屏蔽性能的下降。而金属在强磁场下,电子随磁场迁移和聚集,会造成金属的部分区域导电性能急剧下降,从而使得屏蔽膜的屏蔽性能下降。
本发明中,所述导电聚合物层的厚度为15~20μm。
本发明中,所述导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为(10~30):1。
本发明控制导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比,使得导电聚合物层的电流密度大于导电胶层,从形成由电磁屏蔽膜内部向外部的电势差,可以提高电磁屏蔽膜的屏蔽能力。如果其比例小于10:1,会减弱电势差,造成屏蔽性能下降,如果其比例大于30:1,会导致电磁屏蔽膜内部电势差过大,使得导电胶层的导电线能逐渐下降,影响电磁屏蔽膜的使用寿命。
本发明中,所述离型层包括PE离型膜、PET离型膜、PC离型膜、PS隔离膜、PMMA离型膜、PVC剥离膜或PTFE离型膜中的任意一种或至少两种的组合。
本发明中,所述离型层的厚度为50~100μm。
与现有技术方案相比,本发明至少具有以下有益效果:
本发明提供一种电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,屏蔽效能可达125DB,同时可以适应在强磁场环境下的使用,相较于常规环境,在强磁场(10万高斯)下,屏蔽效能仅下降10%左右,且使用寿命长。
附图说明
图1是本发明提供的电磁屏蔽膜的结构示意图。
图中:1-基层,2-绝缘层,3-导电胶层,4-导电聚合物层,5-离型层。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子,并不代表或限制本发明的权利保护范围,本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
为更好地说明本发明,便于理解本发明的技术方案,本发明的典型但非限制性的实施例如下:
实施例1
一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。
其中,所述载体膜层1为PET膜,厚度为50μm;所述绝缘层2为油墨绝缘层,厚度为5μm;所述导电胶层3的基材为环氧树脂,导电填料为掺杂聚乙炔,厚度为10μm;所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚乙炔,厚度为15μm;所述离型层5为PET离型膜,厚度为50μm。其中,导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为10:1。
实施例2
一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。
其中,所述载体膜层1为PBT膜,厚度为80μm;所述绝缘层2为油墨绝缘层,厚度为10μm;所述导电胶层3的基材为聚氨酯,导电填料为掺杂聚吡咯,厚度为15μm;所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚吡咯,厚度为20μm;所述离型层5为PC离型膜,厚度为100μm。其中,导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为30:1。
实施例3
一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。
其中,所述载体膜层1为PEN膜,厚度为60μm;所述绝缘层2为油墨绝缘层,厚度为8μm;所述导电胶层3的基材为酚醛树脂,导电填料为掺杂聚噻吩,厚度为12μm;所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚噻吩,厚度为18μm;所述离型层5为PVC剥离膜,厚度为60μm。其中,导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为20:1。
实施例4
一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。
其中,所述载体膜层1为PET薄膜,厚度为70μm;所述绝缘层2为油墨绝缘层,厚度为7μm;所述导电胶层3的基材为环氧树脂,导电填料为掺杂聚噻吩,厚度为14μm;所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚噻吩,厚度为18μm;所述离型层5为PET离型膜,厚度为80μm。其中,导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为25:1。
实施例5
一种结构如图1所示的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层1、绝缘层2、导电胶层3、导电聚合物层4和离型层5。
其中,所述载体膜层1为PET薄膜,厚度为65μm;所述绝缘层2为油墨绝缘层,厚度为9μm;所述导电胶层3的基材为环氧树脂,导电填料为掺杂聚噻吩,厚度为13μm;所述导电聚合物层4的材料为掺杂聚噻吩,厚度为16μm;所述离型层5为PET离型膜,厚度为50μm。其中,导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为20:1。
对比例1
本对比例中,除了使用传统镍填料导电胶作为导电胶层2外,其他条件均与实施例5相同。
对比例2
本对比例中,除了将16μm厚导电聚合物层4替换为6μm厚铜金属层外,其他条件均与实施例5相同。
对比例3
本对比例中,除了使用传统镍填料导电胶作为导电胶层2,以及将16μm厚导电聚合物层4替换为6μm厚铜金属层外,其他条件均与实施例5相同。
对比例4
本对比例中,除了导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为5:1外,其他条件均与实施例5相同。
对比例5
本对比例中,除了导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为50:1外,其他条件均与实施例5相同。
对实施例1-5以及对比例1-5的在常规环境下以及强磁场(10万高斯)下的电磁屏蔽性能进行测试,结果如表1所示。
表1
从表1可以看出,实施例1-5制备得到的电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,屏蔽效能可达125DB,在高磁场下屏蔽也可达117DB。对比例1使用传统镍填料导电胶作为导电胶层,对比例2采用铜金属层替换导电聚合物层,对比例3同时进行了对比例1以及对比例2的改动,对比例1-3的电磁屏蔽膜的屏蔽性能相比于实施例5均较差,分别仅为107DB、98DB以及95DB。对比例4导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为5:1,对比例5导电聚合物层与导电胶层中的导电聚合物的质量比为50:1,均超出了(10~30):1的范围,对比例4和5的电磁屏蔽膜的屏蔽性能同样差于实施例5,分别仅为92和80DB。而在高磁场下,对比例1-5的电磁屏蔽膜的屏蔽性能都较弱。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征,但本发明并不局限于上述详细结构特征,即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁屏蔽膜包括依次连接的基层(1)、绝缘层(2)、导电胶层(3)、导电聚合物层(4)以及离型层(5)。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述基层(1)的厚度为50~80μm。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述绝缘层(2)的厚度为5~10μm。
4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电胶层(3)的导电填料为导电聚合物颗粒。
5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电聚合物为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电胶层(3)的厚度为10~15μm。
7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电聚合物层(4)为掺杂聚乙炔、掺杂聚噻吩以及掺杂聚吡咯中的任意一种或至少两种的组合。
8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电聚合物层(4)的厚度为15~20μm。
9.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述导电聚合物层(4)与导电胶层(3)中的导电聚合物的质量比为(10~30):1。
10.根据权利要求1-8任一项所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述离型层(5)的厚度为50~100μm。
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