JP5583718B2 - 電波吸収体 - Google Patents
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Description
ユビキタス時代の到来に伴い、マイクロ波・ミリ波を利用した電子機器や通信機器が増加し、低周波帯域から高周波帯域への移行が進んでいる。このような高周波帯域の機器としては、例えば、第4世代携帯電話(5〜6GHz)、超高速無線LAN(60GHz)、車載用ミリ波レーダー(77GHz)等が挙げられる。また、航空宇宙事業のマイクロ波エネルギー送電試験や軍事関連で使用される大電力照射用レーダー等、マイクロ波・ミリ波の電波はさらに幅広い分野で使われ始めている。
従来、電磁波妨害に関する規格において、設定周波数は、1GHz以下が主流であったが、電子機器や通信機器の高周波化に伴い、近年は18GHz程度まで延びている。今後、本格的なユビキタス社会を迎える前には、さらに高い周波数帯域での測定が義務づけられることが予想される。
また、近年、電波暗室の安全性の観点から、電波吸収体にも不燃性が求められるようになっている。特に、上述のマイクロ波エネルギー送電試験や大電力照射用レーダー用等、大電力を照射する試験が行われる電波暗室では、電波吸収体が電波により発熱して、損傷を受け、電波吸収性能が低下する可能性が考えられる。さらに、電波吸収体が発火したり、被験体が発熱、発火して電波吸収体に飛び火する等の危険性も指摘されている。
例えば、特許文献1には、マトリックス中に強磁性体材料で被覆されていないカーボンナノチューブが一定方向に配列されて複合された状態で成形されたカーボンナノチューブ複合成形体が記載されている。このような材料では、一定方向にカーボンナノチューブが配列されていない場合と比較してカーボンナノチューブの添加量はより少なくて高い電気伝導性を発現することができ、電波吸収特性においても異方性を発現し、電波吸収体用として用いることができることが示されている。しかしながら、特許文献1に記載された構成では、マイクロ波・ミリ波の広い周波数帯域で優れた電波吸収特性を得ることは困難である。また、特許文献1では、マトリックス材料として、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、ゴム及び熱可塑性エラストマー等の有機材料を主眼とした検討がされており、このような材料では、大電力照射試験に耐え得る電波吸収体は得られない。
また、特許文献2には、所定の平均厚み及び面内最短部サイズを有する扁平状酸化鉄粉を水和固化無機材料と混合し、成形することにより得られるセメント型電波吸収体が開示されている。このような電波吸収体では、GHz以上の高周波数帯で安定した吸収特性を示し、高い誘電率と誘電損失を有する薄型軽量の電波吸収体とすることができ、さらに、不燃性で紫外線劣化がなく長期屋外使用にも耐えられることが記載されている。
無機材料を主体とする特許文献2の構成は、不燃性で耐電力性能に優れるため、大電力照射試験用としては好ましい。しかしながら、磁性材料を主成分とするため、電波吸収体として対応できる周波数帯域は、数10GHzが限界であり、1〜110GHzの広いマイクロ波・ミリ波帯域にわたり優れた電波吸収特性を得ることはできない。
このように、これまでは、マイクロ波・ミリ波の広い周波数帯域において優れた電波吸収特性を有し、且つ不燃性で耐電力性能の高い電波吸収体は得られていない。
本発明の電波吸収体は、カーボンナノチューブ及びセメントを主成分とする材料から構成される。
通常、セメントは水との水和反応により凝結して硬化体となる。硬化体の空隙中には、Na+、K+、Ca2+、OH−等のイオンを含む空隙水が存在し、これらのイオンにより導電性が発現する。また、カーボンナノチューブは、嵩密度が高い繊維状の導電性材料であるため、電波吸収体中においてカーボンナノチューブ同士の導電パスが形成されやすい。上記理由により、本発明の電波吸収体では、カーボンナノチューブの添加量を低減しても優れた導電特性が得られる。
カーボンナノチューブの添加量を低減できるため、本発明の電波吸収体では、セメント基材により電気的に絶縁される複数のカーボンナノチューブの導電パス(繋がり)が形成される。この構成は、抵抗体(レジスタ)及び電気を蓄えるキャパシタ(コンデンサ)の混合体となり、抵抗損失及び誘電損失が発現することにより、優れた誘電特性が得られる。カーボンナノチューブ自体のアスペクト比は高く、導電パスが形成されるカーボンナノチューブの繋がりは、さらにアスペクト比が高くなり、各コンデンサに蓄えられる電気エネルギーが大きくなるため、優れた誘電特性が発現する。
電波吸収体の電波吸収特性は、数GHz〜数十GHzの周波数帯域では誘電特性が支配的となり、一方、数十GHz〜数百GHzの周波数帯域では、導電特性が支配的となる。本発明では、セメントとカーボンナノチューブを含有する電波吸収体において、1GHz〜110GHzの周波数帯域における複素比誘電率の絶対値の大きさ[(ε’2+ε”2)0.5]を2.0〜10.0の範囲に制御し、且つ前記周波数帯域における誘電正接(tanδ)の最小値を0.35以上とすることを特徴とする。前記構成では、数GHz〜数十GHzの周波数帯域においては、セメント基材とカーボンナノチューブから構成される電波吸収体の抵抗損失及び誘電損失により生じる誘電特性により、優れた電波吸収特性を発揮する。一方、数十GHz〜数百GHzの周波数帯域では、カーボンナノチューブの導電パスの形成及びセメント基材中の空隙水中に存在するイオンのイオン伝導により発現する導電特性により、優れた電波吸収特性が得られる。そのため、本発明の電波吸収体では、1GHz〜110GHzの広い周波数帯域において優れた電波吸収特性が実現できる。
複素比誘電率の絶対値が2.0未満であると、電磁波が電波吸収体を透過して吸収されにくく、所望の周波数帯域で十分な電波吸収特性を得ることができない。また、10.0を超えると、電波吸収体表面での反射が強くなってしまい、所望の周波数帯域で十分な電波吸収特性を得ることができない。さらに、複素比誘電率の絶対値の大きさが2.0〜10.0の範囲であったとしても、誘電正接の最小値が0.35未満では、電磁波を吸収して熱変換する機能が十分得られない。
カーボンナノチューブの含有率が1質量%未満では、カーボンナノチューブ同士の導電パスが形成されにくく、十分な導電特性が得られず、導電特性が支配的な数十GHz〜数百GHzの周波数帯域で良好な電波吸収特性を得られない可能性がある。また、セメント基材中に分散するカーボンナノチューブの繋がりが小さいため、十分な誘電特性を得られず、誘電特性が支配的な数GHz〜数十GHzの周波数帯域でも良好な電波吸収特性を得られない可能性がある。一方、カーボンナノチューブの含有率が10質量%を超えると、電波吸収体全体のほぼ全体にわたって、導電パスが形成されることにより、電波吸収体中にレジスタ及びコンデンサが形成されず、誘電特性が支配的な数GHz〜数十GHzの周波数帯域で良好な電波吸収特性を得られない可能性がある。また、電波吸収体表面のカーボン濃度が高くなることにより、電波吸収体表面で電磁波が反射しやすくなり、電波吸収体内部を通過しにくくなることから、電波吸収特性が低下する可能性がある。さらに、カーボンナノチューブを多量に添加するのはコスト面からも好ましくない。
カーボンナノチューブとしては、中実繊維及び中空繊維のいずれを用いることもできる。中空繊維としては、単層カーボンナノチューブ(SWNTs)、多層カーボンナノチューブ(MWNTs)が用いられる。カーボンナノチューブの市販品としては、VGCF、VGCF−H(昭和電工株式会社製)やFlo Tube 9000(CNano社製)等が挙げられる。
本発明の電波吸収体の基材として用いるセメントは特に限定されず、水硬性及び気硬性のいずれのセメントを用いることもできる。具体的な水硬性セメントとしては、各種ポルトランドセメント(普通、早強、低熱等)、混合セメント(高炉、フラッシュアイ等)、アルミナセメント等が挙げられる。一方、気硬性セメントとしては、石膏マグネシアセメント、石灰、苦土質石灰等が挙げられる。いずれのセメントも、水との水和反応によって硬化し、硬化体の空隙にはNa+、K+、Ca2+、OH−等のイオンを含む空隙水が残存する。そして、このイオンが電流の担い手となるため、セメント硬化体自体に導電性が発現する。そのため、本発明では、カーボンナノチューブの添加量を低減することができるため、セメント比率を高くして、電波吸収体の強度を向上させることができる。本発明では、水硬性セメント及び気硬性セメントのいずれも用いることができるが、屋外での使用を考慮すると、湿気に強い水硬性セメントの方が好ましい。また、基材の強度向上のため、セメントに砂利やガラス繊維等を添加してもよい。
本発明の電波吸収体の形状は特に限定されないが、電磁波到来側の端部から他方の端部に向かって単位体積に占める電波吸収体の体積の割合が大きくなる形状であることが好ましい。例えば、楔(ウエッジ)形状や、多角錐形状(円錐形状も含む)が挙げられるが、ウエッジ形状や図1に示すピラミッド形状(四角錐)が好ましく用いられる。図1に示すように、板状成形体1上に、ピラミッド形状の成形体2を縦横複数個(図では2個ずつ)配置した電波吸収体構成では、等方性に優れ、広い周波数帯域において、良好な電波吸収特性を示す。この電波吸収体構成では、通常、一定の間隔3をあけてピラミッド形状の成形体2を配置し、中心に留め具の施工箇所となる平面部4を設けることができる。また、本発明の電波吸収体は、図2に示すように、底面が長方形の長方錘(ウエッジ形状)の成形体5の長辺と短辺を交互に隣接させて配置した構成としてもよい。このような構成を採用することにより、長方錘の成形体の底面同士を隙間なく配置して、中心に留め具の設置箇所となる正方形の平面部4を設けることができる。本構成では、隣接する多角錘形状成形体間の平坦部での電磁波の反射が抑えられるため、より小型でより広い周波数帯域の電磁波を効果的に吸収することができる。さらに、図2の構成では、長方錘の成形体の側面の傾斜角度が部分的に異なることから、優れた斜入射特性も発揮する。
(実施例1)
表1に示すように、ポルトランドセメント100重量部に対し、水を30重量部、繊維長が5μmのカーボンナノチューブを2.0重量部(電波吸収体全体の質量に対して、2質量%)添加し、分散剤と共に混練して、スラリーを調整した。得られたスラリーを成形型に流し込み、室温で硬化させた。これにより、図1に示すような平板(底面:100mm×100mm、厚さ15mm)上に、ピラミッド(底面:50mm×50mm、高さ:180mm)が縦横2個ずつ(合計4個)配列した形状の成形体が得られた。この電波吸収体を36個用意して、600mm×600mmとなるように配置して、後述する方法で電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は3.0〜4.0で、誘電正接(tanδ)の最小値は0.5であった(表2)。なお、複素比誘電率の絶対値及び誘電正接(tanδ)の測定には、同軸導波管(1GHz〜18GHz)、矩形導波管(18GHz〜40GHz)、及び自由空間法(40GHz〜110GHz)によるSパラメーター法を用いた。
表1に示すように、カーボンナノチューブの含有率を電波吸収体全体の質量に対して、2質量%から10質量%に変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は7.0〜10.0で、誘電正接の最小値は0.75であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの繊維長さを5μmから1μmに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は2.0〜3.5で、誘電正接の最小値は0.4であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの繊維長さを5μmから20μmに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は2.0〜3.5で、誘電正接の最小値は0.45であった(表2)。
表1に示すように、電波吸収体の基材をポルトランドセメントからアルミナセメントに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は3.0〜4.0で、誘電正接の最小値は0.5であった(表2)。
表1に示すように、電波吸収体の基材をポルトランドセメントから石膏マグネシアセメントに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は3.0〜4.0で、誘電正接の最小値は0.5であった(表2)。
表1に示すように、吸収材料をカーボンナノチューブからグラファイトに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は2.0〜3.0で、誘電正接の最小値は0.1であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの含有率を電波吸収体全体の質量に対して、2質量%から0.5質量%に変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は1.0〜3.0で、誘電正接の最小値は0.2であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの含有率を電波吸収体全体の質量に対して、2質量%から20質量%に変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は3.0〜18.0で、誘電正接の最小値は0.45であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの繊維長さを5μmから0.5μmに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は2.0〜4.0で、誘電正接の最小値は0.15であった(表2)。
表1に示すように、カーボンナノチューブの繊維長さを5μmから25μmに変更した以外は実施例1と同様に電波吸収体を作製して、同様に電波吸収性能を評価した。得られた試料の1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値は2.0〜4.0で、誘電正接の最小値は0.2であった(表2)。
実施例1〜6及び比較例1〜5で作製した電波吸収体の電波吸収特性評価は、ホーンアンテナから放射された電磁波を誘電体レンズを用いて真っ直ぐな平面波に変換し、電磁波が電波吸収体に対して垂直に照射される形で実施した。結果を表2に示す。なお、測定周波数は1GHz〜110GHzとした。
これに対して、吸収材料としてカーボンナノチューブを添加した実施例1では、1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値が3.0〜4.0で、誘電正接(tanδ)の最小値が0.5に増加するとともに、1GHz〜110GHzの全ての周波数帯域において、25dB以上の優れた電波吸収性能を有することがわかった。実施例1よりカーボンナノチューブの含有率を増加した実施例2では、1GHz〜110GHzにおける複素比誘電率の絶対値(7.0〜10.0)及び誘電正接の最小値(0.75)ともさらに増加して、1GHz〜110GHzの全ての周波数帯域において、実施例1よりさらに優れた電波吸収性能を有することがわかった。これに対して、カーボンナノチューブの含有率を実施例1より減らした比較例2では、複素比誘電率の絶対値は1.0〜3.0で、誘電正接の最小値は0.2に低下し、1GHz〜110GHzの全ての周波数帯域において、実施例1より電波吸収性能が低下し、特に、5GHz以下では20dBに満たないことがわかった。これは、カーボンナノチューブの含有率が少ないため、導電パスの形成及びコンデンサ機能が不十分であったことが原因として考えられる。
カーボンナノチューブの含有率を実施例2よりさらに増加させた比較例3では、誘電正接の最小値は0.45であったが、複素比誘電率の絶対値が3〜18となり、本発明の規定範囲を超えた。比較例3の電波吸収体では、5GHz以上の高周波数帯域では、優れた電波吸収特性が得られたが、1GHz〜3GHzでは、十分な電波吸収性能が得られなかった。これは、カーボンナノチューブの含有率が多くなったため、電波吸収体全体のほぼ全体にわたって、導電パスが形成されたことにより、導電特性が支配的な高周波数帯域では、優れた電波吸収特性が得られたが、電波吸収体中に抵抗体及びコンデンサが形成されなかったため、誘電特性が支配的な低周波数帯域での電波吸収特性が得られなかったためと考えられる。
カーボンナノチューブの繊維長さを実施例1より短くした実施例3及び長くした実施例4ともに1GHz〜110GHzの全ての周波数帯域において、優れた電波吸収性能を有することがわかった。ここで、実施例3及び4ともに、1GHz〜110GHzの周波数帯域における複素比誘電率の絶対値の大きさ[(ε’2+ε”2)0.5]が2.0〜10.0の範囲であり、且つ前記周波数帯域における誘電正接(tanδ)の最小値が0.35以上であった。これに対して、カーボンナノチューブの繊維長さをさらに短くした比較例4、及びさらに長くした比較例5では、1GHz〜110GHzの周波数帯域における誘電正接の最小値が0.35未満で、本発明の規定の範囲外となり、3GHz以下では、十分な電波吸収特性を得られないことがわかった。
また、基材をポルトランドセメントからアルミナセメント及び石膏マグネシアセメントに変更した実施例5及び6でも1GHz〜110GHzの周波数帯域における複素比誘電率の絶対値の大きさ及び誘電正接(tanδ)の最小値とも本発明の規定の範囲となり、実施例1と同等の優れた電波吸収性能が得られることがわかった。
以上の結果より、電波吸収体をセメントとカーボンナノチューブで構成し、1GHz〜110GHzの周波数帯域における複素比誘電率の絶対値の大きさ[(ε’2+ε”2)0.5]を2.0〜10.0の範囲とし、且つ前記周波数帯域における誘電正接(tanδ)の最小値を0.35以上とすることにより、1〜110GHzの広い周波数帯域において優れた電波吸収特性が得られることが確認された。
2 ピラミッド形状成形体
4 平面部
5 長方錘(ウエッジ形状)成形体
Claims (3)
- セメントとカーボンナノチューブを含有する電波吸収体であって、1GHz〜110GHzの周波数帯域における複素比誘電率の絶対値の大きさ[(ε’2+ε”2)0.5]が2.0〜10.0の範囲であり、且つ前記周波数帯域における誘電正接(tanδ)が0.4以上であるとともに、前記カーボンナノチューブの含有率が、電波吸収体全体の質量に対して、2〜10質量%であることを特徴とする電波吸収体。
- 前記カーボンナノチューブの繊維長さが、1〜20μmであることを特徴とする請求項1に記載の電波吸収体。
- 底面が長方形である長方錘の成形体の複数個を、該成形体の長辺と短辺とを交互に隣接させて配置した構成であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電波吸収体。
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