TW201729257A - 處理裝置 - Google Patents

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岡部庸之
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東京威力科創股份有限公司
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Abstract

一種處理裝置,係具有:處理容器;分歧管係具有:噴射器支撐部,係配置於該處理容器之下端部,沿著該處理容器內之壁面來加以延伸,並具有可插入且外嵌支撐管狀構件的插入孔;以及氣體導入部,係從該噴射器支撐部朝外側伸出,並於內部具有可連通該插入孔與該處理容器外部而流通氣體的氣體流道;噴射器,係被插入固定於該插入孔,而沿著該壁面使得整體延伸為直線狀,並在插入至該插入孔之處具有連通於該氣體流道的開口;以及氣體供給配管,係連通而連接於該氣體導入部之該氣體流道的外側端部。

Description

處理裝置
本發明係關於一種處理裝置。
自以往,便已知一種熱處理裝置,係為了將複數種類的氣體導入至處理容器內,將複數氣體配管連接至處理容器之既定氣體導入部而具有氣體配管連接構造。
例如,已知一種熱處理裝置,係於處理容器側壁形成有氣體導入路徑,氣體導入路徑之處理容器側係插入有具有L字形狀之石英噴射器的水平部分。又,在此熱處理裝置中,凸緣部之外周面與氣體配管之前端係設置有可藉由類似於螺栓、螺母的螺合構造來連接的連接構造,且氣體導入路徑外側係設置有O型環,而在氣體配管藉由上述螺合構造來連接於凸緣部時,便會成為可從氣體配管來將氣體氣密地導入至處理容器內之構造。
然而,由於在上述氣體配管連接構造中,需要設置O型環以及類似於螺栓、螺母的螺合構造,故在氣體配管之連接處便需要有某種程度之空間。進一步地,由於是將L字形之石英噴射器的水平部分插入至氣體導入路徑,故為了確保強度,便需要將水平部分形成為厚壁。如此般,在氣體配管連接構造中,從使用螺合構造之連接構造以及噴射器之強度確保的觀點看來,會難以縮小噴射器彼此之間距,而在噴射器之設置數量上會有所限制,例如9根左右便是極限。
另一方面,近年來使用縱型熱處理裝置之成膜程序中,係被要求有於縱向所積載的複數基板之上下方向中之基板間成膜處理的均勻化,且被要求有可依縱向區域來分別地供給氣體般之程序的裝置。如此般之程序中, 係需要依區塊來設置噴射器,且需要在一批次的程序中使用多數根之噴射器。
於是,本發明係提供一種為簡單的構造,並可縮小噴射器間的間距,而可以較以往近一倍的數量或以上來設置噴射器的處理裝置。
本發明一態樣相關之處理裝置,係具有:處理容器;分歧管係具有:噴射器支撐部,係配置於該處理容器之下端部,沿著該處理容器內之壁面來加以延伸,並具有可插入且外嵌支撐管狀構件的插入孔;以及氣體導入部,係從該噴射器支撐部朝外側伸出,並於內部具有可連通該插入孔與該處理容器外部而流通氣體的氣體流道;噴射器,係被插入固定於該插入孔,而沿著該壁面使得整體延伸為直線狀,並在插入至該插入孔之處具有連通於該氣體流道的開口;以及氣體供給配管,係連通而連接於該氣體導入部之該氣體流道的外側端部。
10‧‧‧處理容器
12‧‧‧底部凸緣部
13‧‧‧凸緣部
60‧‧‧蓋體
61‧‧‧密封構件
61a、61b‧‧‧O型環
90‧‧‧分歧管
91‧‧‧噴射器支撐部
92‧‧‧插入孔
95‧‧‧氣體導入部
96‧‧‧氣體導入路徑
103、104‧‧‧O型環
110‧‧‧噴射器
121‧‧‧氣體配管
131‧‧‧墊片
添附圖式係作為本說明書之一部分而被併入來表示本揭露之實施形態者,並與上述一般性說明及後述實施形態之細節來一同地說明本揭露之概念。
圖1係顯示本發明實施形態相關之處理裝置一範例的圖式。
圖2係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管之剖面構成一範例的圖式。
圖3係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管之剖面立體圖。
圖4係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管從處理容器之中心側來觀察的立體圖。
圖5係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管從底面側來觀察之立體圖。
圖6係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的噴射器支撐部的內部構造一範例之圖式。
圖7係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的與圖6之噴射器支撐部相異之內部構造一範例的圖式。
圖8係用以說明圖7相關之噴射器支撐部的設置方法一範例的圖式。圖8(a)係顯示噴射器插入工序一範例的圖式。圖8(b)係顯示噴射器固定工序一範例的圖式。圖8(c)係顯示噴射器設置結束狀態一範例的圖式。
圖9係顯示比較例相關之以往朝氣體導入部之噴射器設置方法的圖式。圖9(a)係顯示將噴射器設置於氣體導入路徑196之工序的圖式。圖9(b)係顯示氣體配管連接工序的圖式。圖9(c)係顯示比較例相關之以往的氣體導入構件的噴射器設置結束狀態一範例的圖式。
圖10係顯示防止噴射器旋轉之構造一範例的圖式。
圖11係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管之噴射器的設置例之圖式。
圖12係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管之密封構造一範例的圖式。
圖13係顯示朝氣體導入部之氣體配管的連接構成一範例之圖式。
圖14係顯示本發明實施形態相關之處理裝置設置有冷卻機構之態樣一範例的圖式。
圖15係顯示於本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管之氣體導入部設置加熱器之態樣一範例的圖式。圖15(a)係於氣體導入部設置加熱器之態樣一範例的整體立體圖。圖15(b)係於氣體導入部設置加熱器之態樣一範例的部分放大圖。
以下,便參照圖式來進行用以實施本發明之形態的說明。在下述詳細的說明中,係以可充分地理解本揭露的方式來給予較多具體的細節。然而,即便無此般詳細的說明,所屬技術領域中具有通常知識者仍可完成本揭露 係屬自明事項。在其他範例中,係為了避免難以了解各種實施形態,關於習知之方法、順序、系統或構成要素便不詳細地表示。
圖1係顯示本發明實施形態相關之處理裝置一範例的圖式。本發明實施形態相關之處理裝置並不特別限制處理對象以及處理內容,而可適用於將氣體供給至處理容器內以進行處理的各種處理裝置,本實施形態中,係舉對基板進行熱處理之熱處理裝置為範例來加以說明。因此,圖1係顯示縱型熱處理裝置之構成。
圖1中,熱處理裝置係具有收納半導體晶圓W之處理容器10。處理容器10會藉由高耐熱性之石英來成形為略圓筒體狀,並於頂部具有排氣口11。處理容器10會構成為延伸於垂直方向之縱型形狀。處理容器10之直徑在例如所處理之晶圓W的直徑為300mm的情況,會被設定為350~450mm左右之範圍。
處理容器10頂部之排氣口11係連接有氣體排氣埠20。氣體排氣埠20係例如由從排氣口11來延伸而朝橫向直角地彎曲為L字狀的石英管所構成。
氣體排氣埠20係連接有將處理容器10內之氛圍進行排氣之真空排氣系統30。具體而言,真空排氣系統30係具有連結於氣體排氣埠20而例如由不鏽鋼所構成之金屬製氣體排氣管31。然後,在此氣體排氣管31之途中依序介設有開閉閥32、蝶閥般之壓力調整閥33及真空泵34,而可將處理容器10內之氛圍進行壓力調整並抽真空。另外,氣體排氣埠20之內徑係設定為與氣體排氣管31之內徑相同。
處理容器10側部係以圍繞其的方式來設置有加熱機構40,而可加熱位於此內側之半導體晶圓W。又,此加熱機構40外周係設置有隔熱材50,以確保其熱穩定性。
石英製之處理容器10下端部會開口,而可搬入、搬出晶圓W。處理容器10下端部之開口會構成為藉由蓋體60來進行開閉。
在較蓋體60要靠上方會設置有晶舟80。晶舟80係用以保持晶圓W之晶圓保持構件,而會構成為可在讓複數片晶圓分離於垂直方向的狀態下來加以保持。晶舟80所保持之晶圓的片數並未特別訂定,例如為保持50~100片之晶圓W。
晶舟80會透過石英製之保溫筒75來被載置於台74上,台74會被貫穿開閉處理容器10之下端開口部的蓋體60之旋轉軸72上端部所支撐。然後,此旋轉軸72之貫穿部係介設有例如磁性流體密封體73,而可氣密地密封及旋轉地支撐此旋轉軸72。又,蓋體60之周邊部與處理容器10下端部係介設有例如由O型環等所構成之密封構件61,以保持處理容器10內之密封性。
旋轉軸72會被安裝在例如晶座升降梯等的升降機構70所支撐的臂71前端,而可整體性地升降晶舟80及蓋體60等。另外,亦可將台71固定設置於蓋體60側,而不讓晶舟80旋轉來進行晶圓W之處理。
處理容器10下端部係配置有具有沿著處理容器10內周壁來延伸的部分,以及具有朝半徑方向外側來延伸之凸緣狀部分之分歧管90。然後,便會透過分歧管90來從處理容器10下端部將必須之氣體導入至處理容器10內。雖分歧管90會以不同於處理容器10之其他構件來加以構成,但亦可以一體地設置於處理容器10側壁,而構成處理容器10側壁的一部分之方式來加以設置。另外,關於分歧管90的詳細構成會在之後詳述。
分歧管90會支撐噴射器110。噴射器110係用以將氣體供給至處理容器10內之氣體供給機構,一般而言會以石英來加以構成。噴射器110會設置為在處理容器10內部延伸於上下方向,且直接將氣體供給至晶圓W。
雖噴射器110一般而言會對應於氣體種類來複數設置,但由於近年來,亦有進一步地依晶舟80所積載的上下方向區域來設置個別的噴射器110的情況,故亦有需要設置10根以上的噴射器110之情況。本發明實施形態相關之處理裝置係具有可設置此般多根之噴射器的構成,關於此點之細節會在之後詳述。
氣體供給系統120係為了將氣體供給至噴射器110而加以設置。氣體供給系統120係具有連通於噴射器110之金屬,例如不鏽鋼製的氣體配管121,在氣體配管121之途中會依序介設有質流控制器般之流量控制器123及開閉閥122,而可將處理氣體進行流量控制並加以供給。基板處理所需要之其他必須氣體亦可藉由相同構成之氣體供給系統120及分歧管90來加以供給。
處理容器10下端部之分歧管90的周邊部會藉由例如不鏽鋼所形成之基底板130來被加以支撐,且藉由此基底板130來支撐處理容器10之載重。此 基底板130下方會成為具有未圖示之晶圓移載機構的晶圓移載室,且會成為略大氣壓之氮氣氛圍。又,基底板130上方會成為一般清潔室之清淨空氣氛圍。
接著,便就本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90之構成來詳細地加以說明。
圖2係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90的剖面構成一範例的圖式。分歧管90係具有噴射器支撐部91、氣體導入部95以及框狀部95a。噴射器支撐部91係沿著處理容器10內壁面來延伸於垂直方向的部分,以支撐噴射器110。噴射器支撐部91係具有噴射器110下端可插入,並可外嵌支撐噴射器110下端之插入孔92。氣體導入部95係從噴射器支撐部91來延伸於半徑方向外側,而露出於處理容器10外側的部分,並具有氣體導入路徑(氣體流道)96。
氣體導入路徑96之外側端部係連接有氣體配管121,且構成為可從外部供給氣體。氣體配管121係可透過墊片(gasket)131來連接於氣體導入路徑96,且可不使用螺栓、螺母的螺合構造來連接於氣體導入路徑96。另外,圖2中,係在氣體導入路徑96外側端部之周緣部以及氣體配管前端部形成有與氣體導入路徑96為同心圓狀之墊片保持溝,並構成為可在此保持溝之間擠壓墊片131來氣密地密封。
分歧管90係以被夾置於成為處理容器10下端部的凸緣部13與底部凸緣部12以及蓋體60之間的方式來加以設置。雖蓋體60在處理容器10開閉時會上下移動,但在關閉蓋體60的狀態下,如圖2所示,會成為分歧管90會以被夾置於成為處理容器10下端部的凸緣部13與底部凸緣部12下面以及蓋體60上面之間的方式來設置之狀態。
另外,如圖2所示,蓋體60上面與分歧管90下面的接觸面亦可依需要來配置有雙重密封構件(O型環)61a、61b。關於此點的細節會在之後詳述。
分歧管90一般而言係以金屬來加以構成。處理容器10及構成處理容器10之構件從防止金屬汙染之觀點看來,基本上較佳地係以石英來加以構成,但在有複雜之形狀或螺絲等的螺合連接處則不得不以金屬來加以構成。雖本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90亦以金屬來加以構成, 但卻不將噴射器110成為L字形狀,而為直線性的棒狀。然後,藉由形成水平地延伸在分歧管90之氣體導入部95內的氣體導入路徑96,且將連通於氣體導入路徑96之開口111形成於噴射器110,便可在噴射器110消除厚壁的水平部分。藉此,由於分歧管90之氣體導入部95便無需收納噴射器110之厚壁的水平部分,故可使得分歧管90之氣體導入部95的厚壁變薄,並使得高度降低而降低金屬汙染。
另外,構成分歧管90之金屬可為不鏽鋼、鋁、赫史特合金(Hastelloy)等的耐腐蝕性金屬材料。
圖3係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90的剖面立體圖。
如圖3所示,噴射器支撐部91會以沿著處理容器10之內周壁來延伸,並可支撐複數根噴射器110的方式來沿著周圍方向配置有複數插入孔92。各插入孔92係構成為在插入1根噴射器110下端部時,具有可在讓噴射器110垂直站立的狀態下來支撐之高度。噴射器110側面係形成有開口111,並構成為可連通於氣體導入部95之氣體導入路徑96。
另外,分歧管90內周面亦可為以石英覆蓋體來覆蓋,且從腐蝕氣體來加以保護之構成。
進一步地,亦可以石英來構成圖1、2所說明之蓋體60,並都以石英來構成處理容器10內部。
又,由於氣體導入部95係只要形成有氣體可流通之氣體導入路徑96的話便已足夠,而無須讓噴射器110通過,故可以最小限度的厚度來加以構成,且其高度會較噴射器支撐部91之高度要小。例如,氣體導入部95之高度可構成為20~30mm。
圖4係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90從處理容器10之中心側來觀察之立體圖。如圖4所示,噴射器110會複數根被噴射器支撐部91所支撐而加以配列。如圖4所示,會在需要設置噴射器110之處形成有噴射器支撐部91,而在不須設置噴射器110之處便不設置有噴射器支撐部91。在未設置有噴射器支撐部91之處係形成有具有與氣體導入部95相同外型,但未形成有氣體導入路徑96之框狀部95a。框狀部95a係可配合處理容器10側面或下端面來加以形成,例如在處理容器10為多角形之情況,框狀部95a及氣 體導入部95整體便可構成為配合處理容器10之多角形。由於本實施形態中,處理容器10為圓筒形,故氣體導入部95及框狀部95a整體會構成為圓環形狀。另外,圖4中,噴射器支撐部91內周面係具有較框狀部95a之內周面要朝內側突出之形狀,但並不限於此,亦可構成為噴射器支撐部91內周面與框狀部95a內周面為相同。在此情況,便只要在處理容器10側壁形成避免與噴射器110接觸之突出部,並對應於此突出部來設置噴射器110即可。
圖5係本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90從底面側來觀察之立體圖。如圖5所示,氣體導入部95及框狀部95a會整體性地連續並形成圓環形狀。
圖6係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的噴射器支撐體91之內部構造一範例的圖式。噴射器支撐部91會成為插入孔92具有底面92b,且於底面92b上載置有噴射器110下端部的構造。在此情況,噴射器110便會藉由從插入孔92上方來插入,來被載置於底面92b上。又,插入孔92上部係設置有彈簧100,而藉由從上方來按壓噴射器110之厚壁部112,且進一步地於彈簧100上方設置有固定構件101,便可藉由來自彈簧100上方之蓄勢彈力來固定噴射器110。又,在噴射器110被固定時,噴射器110之開口111與氣體導入部95之氣體導入路徑96便會連通。
噴射器110之設置順序係將噴射器110插入至分歧管90之噴射器支撐部91的插入孔92內,而彈簧100會以外嵌噴射器110的方式來配置於插入孔92上部,再讓具有開口之固定構件101會以外嵌噴射器110的方式來固定於彈簧100上。由於藉由以彈簧100來固定噴射器110,即便因熱膨脹差而在分歧管90與噴射器110產生伸縮,而在插入孔92與噴射器110之厚壁部112之間產生間隙,仍可藉由彈簧100之蓄勢彈力來將噴射器110按壓至底面92b上,故可有效果地抑制噴射器110之傾斜。
圖7係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的與圖6之噴射器支撐部91相異之內部構造一範例的圖式。圖7的態樣中,插入孔92會構成為貫穿孔92a,噴射器110則會構成為可從貫穿孔92a下方來插入。貫穿孔92a上端部係設置有可卡固噴射器110之厚壁部112的卡固部93。在此情況,彈簧100便會設置於噴射器110下方,而於其下設置有栓塞(圓板構件)102來作為固定構 件。如此般,便可構成為從下方來設置噴射器110。在此情況,便無須考量在圖6之情形從上方來插入噴射器110的情況所需要的上部空間,而可將處理容器10之高度構成為較低。另外,亦可使用O型環等的其他彈性構件來取代彈簧100。又,在固定噴射器110時,係在噴射器110之開口111與氣體導入部95之氣體導入路徑96會連通的點上與圖6相同。雖圖6及圖7中,係顯示在噴射器110之厚壁部112的上部或下部僅設置有1個彈簧100的範例,但亦可設置於上部及下部兩邊。
圖8係用以說明圖7相關之噴射器支撐部91之噴射器110的設置方法一範例之圖式。
圖8(a)係顯示噴射器插入工序一範例的圖式。噴射器插入工序中,係將噴射器110從下方來插入噴射器110至噴射器支撐部91之貫穿孔92a。
圖8(b)係顯示噴射器固定工序一範例的圖式。噴射器固定工序中,係從所插入之噴射器110下方依序插入彈簧100及栓塞102,而將彈簧100及栓塞102固定於貫穿孔92a底面。具體而言,係在貫穿孔92a上部存在有限制噴射器110之厚壁部112脫離至上方的卡固部93,而以從下方藉由彈簧100來按壓噴射器110之厚壁部112的方式來將噴射器110固定於卡固部93。栓塞102係具有藉由螺合構造等的固定構造,來固定彈簧100之固定構件的效果。另外,在固定噴射器110時,開口111便會連通於氣體導入部95之氣體導入路徑96。
圖8(c)係顯示噴射器設置結束狀態一範例的圖式。在結束噴射器110之設置時,噴射器110便會被固定,而配置為彈簧100及栓塞102會在插入孔92a下端,而栓塞102下面會與氣體導入部95下面一致。
圖9係顯示比較例相關之以往朝氣體導入部之噴射器設置方法的圖式。圖9(a)係顯示將噴射器210設置於氣體導入路徑196之工序的圖式。如圖9所示,噴射器210會構成為L字形狀,水平部分會形成為較垂直部分要為厚壁。然後,厚壁的水平部分會從處理容器內側來插入至氣體導入路徑196。
圖9(b)係顯示氣體配管連接工序的圖式。氣體配管連接工序中,係藉由氣體配管220前端以及氣體導入路徑196外側所設置之螺合構造,來將氣體配管220固定於氣體導入路徑196,而連接噴射器210與氣體配管220。
圖9(c)係顯示比較例相關之以往的氣體導入構件的噴射器設置結束狀 態一範例的圖式。得知噴射器210之水平部分厚壁之厚度,以及用以連接氣體導入路徑196與氣體配管220的螺合構造需要較大的空間,而使得氣體導入部195之厚度會變得非常厚。如此一來,便會有難以設置數量較多的噴射器210之情況。
又,將具有較長地朝上方延伸的部分之噴射器210的水平部分插入至水平的氣體導入路徑196會伴隨著相當困難的作業。
相較於此,本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90係可將氣體導入部95變得非常薄,並可使得鄰接之噴射器110的間距大幅地變窄,而可降低金屬汙染,並設置多數噴射器110。進一步地,由於不存在有水平部分,故亦可極輕易地進行的噴射器110之設置作業。
圖10係顯示防止噴射器110旋轉之構造一範例的圖式。如圖10所示,可設置有讓插入孔92、92a的內周面與噴射器110外周面會互相卡固以防止旋轉之卡固構造94。雖圖10中,係顯示插入孔92、92a之內周面及噴射器110外周面彼此會被D裁切(Dcut),而互相卡固來防止噴射器110旋轉的構造,但只要為可防止噴射器110旋轉的構造的話,便可採用各種卡固構造94。
圖11係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90之噴射器110設置例的圖式。圖11中,噴射器110會被支撐於沿著處理容器10內周壁而形成為圓弧狀的噴射器支撐部91。噴射器支撐部91起自處理容器10中心的開啟角度為較90度要小,而較45度要大的程度,並在此之間設置有15根的噴射器110。在此角度下,若為圖10所示之以往的構造的話,則設置有8根噴射器210便已經是極限。因此,得知根據本發明實施形態相關之處理裝置,便可在相同區域中設置有2倍以上的噴射器110。
圖12係顯示本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90的密封構造一範例的圖式。
圖12中係顯示與蓋體之接觸面的密封構造以及與處理容器10下端面之密封構造一範例。
如上述,雖蓋體60與分歧管90之接觸面係配置有同心圓狀之雙重O型環61a、61b,但亦可構成為依需要來在雙重O型環61a、61b彼此之間設置通氣路徑97,而可進行差異排氣。藉此,便可降低O型環61a、61b的氧穿透性、 溢漏性,來提升密封性。
另外,在雙重O型環61a、61b彼此之間係設置有切凹部62,並構成可易於進行真空排氣。雖圖12中,切凹部62係形成於蓋體60上面,但亦可形成於分歧管90下面。
同樣地,在處理容器10與分歧管90之間亦設置有雙重O型環103、104,而在O型環103、104間設置有通氣路徑97。又,圖12的範例中,由於在設置有O型環103與O型環104的位置中,處理容器10會互相以不同構件(處理容器10本體與底部凸緣部12)來加以構成,故會構成在構件彼此之間設置空間105,而易於進行在雙重O型環103、104之間的排氣。如此般,亦可在雙重O型環103、104彼此之間設置有適當的切凹般之空間105。另外,在無法於構件彼此之間設置空間105的情況,亦可於分歧管90上面形成空間105。
另外,雙重O型環61a、61b係在蓋體60上面設置凹陷來加以配置,雙重O型環103、104係在分歧管90上面設置凹陷來加以配置。
差異排氣係可藉由將真空泵等的真空排氣機構連接於通氣路徑97之外側端部而進行真空排氣來加以進行。此時,係可使用圖1所說明之真空排氣系統30,亦可設置其他真空排氣系統。
另外,較佳地,通氣路徑97係設置在不會干涉氣體導入路徑96之範圍,並構成為不會對噴射器110導入氣體造成影響。
又,通氣路徑97不僅作為排氣路徑,亦可作為供給沖淨氣體之沖淨氣體供給路徑來加以使用。在此情況,只要不將通氣路徑97連接於真空排氣機構,而連接於沖淨氣體供給源即可。藉此,便可沖淨雙重O型環61a、61b之間以及雙重O型環103、103之間的分歧管90與蓋體60的接觸面,以及分歧管90與處理容器10下端部的接觸面。另外,對於沖淨氣體可使用例如氮氣。
另外,雖圖12中係舉在蓋體60與分歧管90之接觸面設置雙重O型環61a、61b,在處理容器10與分歧管90之接觸面亦設置雙重O型環103、104的範例來加以說明,但在兩者之一者或是兩者都僅設置1個O型環便已足夠的情況,亦可為此般構成。在此情況,便可構成為留有雙重O型環61a、61b中之任一者,及/或雙重O型環103、104中之任一者,亦可配置於與圖12有所差異的其他位置。相關密封構件之配置構成係可對應於用途來構成為各 種態樣。
通氣路徑97只要構成為分歧設置於分歧管90內部,而在分歧管90外側的一點匯流的話,便可藉由連接1個真空機構或1個沖淨氣體供給機構,來進行分歧管90整體之差異排氣或供給沖淨氣體。
進一步地,亦可構成為擴大通氣路徑97之區域,而連同設置於熱電偶附近之O型環,來進行差異排氣。
另一方面,亦可藉由複數形成個別的通氣路徑97,來進行各通氣路徑97之單獨排氣。
另外,亦可設置排氣路徑用之通氣路徑97以及沖淨氣體供給用之通氣路徑97兩者,而適當地分開來使用兩者。進一步地,亦可對應於狀態來分開使用相同的通氣路徑97,例如在改善O型環61a、61b、103、104的穿透時,亦可將通氣路徑97作為氮氣供給路徑,而進行用以沖淨氧的沖淨。
圖13係顯示朝氣體導入部95之氣體配管121的連接構成一範例的圖式。氣體配管121前端部會藉由焊接等的固定方法來一體形成有長板狀之凸緣構件125。此凸緣構件125之長邊方向(圖13中從左上朝右下的方向)的兩端部係形成有螺孔,氣體配管121會藉由螺絲來被固定於分歧管90。雖凸緣構件125之寬度係具有較氣體配管121之直徑要大的尺寸,但由於只要可固定墊片131並確實地密封的話即可,故可為較氣體配管121之直徑要稍微大的尺寸。又,雖凸緣構件125之長邊方向的長度係具有遠大於寬度尺寸之尺寸,但只要螺絲頂部與氣體配管121之間設置有干涉防止用之淨空間距(clearance)即可,而可為加總螺絲頂部與淨空間距之尺寸。進一步地,凸緣構件125之兩端部係形成有倒角形狀之傾斜部,並構成為在將氣體配管121固定於分歧管90時,傾斜部之各面會平行於水平及垂直方向。藉由此般構造,便可在分歧管90外端面中將氣體配管121固定於最小所需之空間。另外,雖圖13中,係顯示將凸緣構件125斜向設置一範例,但在能充分確保分歧管90之高度的情況,亦可設置於縱向,而在分歧管90之高度較低時亦可設置為水平。可配合分歧管90之高度或氣體流道96之間距而採用各種形態。如至今所說明般,由於氣體配管121係可直接朝氣體導入部96之氣體導入路徑96的外側端部連接,故可透過金屬墊片或樹脂密封材來直接地將氣 體配管121連接於氣體導入路徑96。藉此,便可以金屬密封材或樹脂密封材來確保密封性,並以節省空間的方式來進行朝氣體導入路徑96之連接。
圖14係顯示本發明實施形態相關之處理裝置設置有冷卻機構的態樣一範例之圖式。圖14中,係在分歧管90內部之密封材61a、61b、103、104附近形成有水道98。藉由讓冷卻水等的冷媒流通於相關水道98,便可冷卻密封材61a、61b、103、104。
又,亦可讓熱媒流通於水道98,在僅於氣體導入部95附近形成水道98的情況,便可將氣體導入部95調整為任意溫度。
進一步地,亦可在水道98流有空氣、氮氣等以進行氣冷。
如此般,分歧管90只要能確保連通於噴射器支撐部91之插入孔92、92a的氣體導入路徑96,便可在其他區域形成各種通氣路徑97及水道98,而可對應於各種程序。
圖15係顯示在本發明實施形態相關之處理裝置的分歧管90之氣體導入部95設置加熱器之態樣一範例的圖式。圖15(a)係在氣體導入部95設置加熱器之態樣一範例的整體立體圖,圖15(b)係在氣體導入部95設置加熱器之態樣一範例的部分放大圖。
如圖15(a)、(b)所示,可在分歧管90之氣體導入部95不會干涉氣體導入路徑96的位置設置加熱器106。加熱器106係可設置於氣體導入部95之各區域,例如可設置於氣體導入路徑96附近的例如兩側。藉此便可加溫氣體導入路徑96,而可加溫所導入之氣體。
另外,加熱器106係可使用各種加熱機構,例如可使用筒形加熱器。
其他亦可不經由噴射器110,亦即,在未設置噴射器支撐部91之處,而從氣體導入路徑96來在處理容器10內側端形成開口,直接將氣體朝向處理容器10內部中心來加以供給。
如此般,根據本發明實施形態相關之處理裝置,便可將分歧管90之氣體導入部95構成為較薄,並可設置多數噴射器。又,可在分歧管90內設置各種流道,而可對應於用途來有彈性地進行處理。
根據本發明,便可縮小噴射器間的間距,而可在相同空間中增加噴射器之設置數量。
以上,雖已就本發明較佳的實施形態來詳細地說明,但本發明並不限於上述實施形態,而可不超脫本發明範圍來對上述實施形態添加各種變形及置換。
本揭露係基於2015年11月13日所提出之日本特許出願第2015-222739號的優先權之利益,而將該日本申請案之所有內容作為參照文獻而引用至此。
10‧‧‧處理容器
12‧‧‧底部凸緣部
13‧‧‧凸緣部
60‧‧‧蓋體
61‧‧‧密封構件
61a、61b‧‧‧O型環
90‧‧‧分歧管
91‧‧‧噴射器支撐部
92‧‧‧插入孔
95‧‧‧氣體導入部
96‧‧‧氣體導入路徑
103、104‧‧‧O型環
110‧‧‧噴射器
121‧‧‧氣體配管
131‧‧‧墊片

Claims (18)

  1. 一種處理裝置,係具有:處理容器;分歧管,係具有:噴射器支撐部,係配置於該處理容器之下端部,且具有沿著該處理容器內之壁面來加以延伸,並可插入及外嵌支撐管狀構件的插入孔;以及氣體導入部,係從該噴射器支撐部朝外側伸出,並於內部具有可連通該插入孔與該處理容器外部而流通氣體的氣體流道;噴射器,係被插入固定於該插入孔,而沿著該壁面使得整體延伸為直線狀,並在插入至該插入孔之處具有連通於該氣體流道的開口;以及氣體供給配管,係連通而連接於該氣體導入部之該氣體流道的外側端部。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該分歧管之該氣體導入部的厚度會較該噴射器支撐部的高度要小。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該處理容器及該噴射器係由石英所構成;該分歧管係由金屬所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該噴射器支撐部係具備有阻塞該插入孔之下端之底面部;該噴射器之下端部係設置有較該噴射器直徑要大之厚壁部;該噴射器之下端面會藉由該底面部來被加以支撐;該插入孔之上部係設置有固定該噴射器之厚壁部的固定構件。
  5. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該噴射器支撐部之該插入孔係貫穿孔;該噴射器之下端部係設置有較該噴射器的直徑要大之厚壁部;該貫穿孔之上部係設置有卡固該噴射器之厚壁部的卡固部;該貫穿孔之下部係設置有支撐固定該噴射器之厚壁部的圓板構件。
  6. 如申請專利範圍第4項之處理裝置,其中該厚壁部的上部及下部的至少任一者係設置有可彈性支撐該噴射器之彈性構件。
  7. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該噴射器及該噴射器支撐 部的該插入孔係具有會互相卡固以防止該噴射器旋轉之卡固構造。
  8. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該氣體供給配管會透過墊片(gasket)來連接於該分歧管之該氣體導入部。
  9. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該分歧管會以沿著該處理容器之該壁面而使得該噴射器支撐部及該氣體導入部延伸為既定長度的方式來加以設置;該插入孔及該氣體流道會在該既定長度內沿著該壁面來設置有複數個。
  10. 如申請專利範圍第9項之處理裝置,其中該分歧管會在該既定長度以外的區域中,不形成有該噴射器支撐部,而具有擁有與該氣體導入部相同之外型,但並未形成有該氣體流道之框狀部。
  11. 如申請專利範圍第10項之處理裝置,其中該處理容器係具有圓筒形狀;該氣體導入部及該框狀部整體係成為環狀形狀。
  12. 如申請專利範圍第11項之處理裝置,其中該分歧管之該氣體導入部及該框狀部會於上下方向被夾置於該處理容器下端部與在處理時成為該處理容器之底面的蓋體之間而加以配置;在該分歧管之上面與該處理容器之下端部之間,以及該分歧管之下面與該蓋體之間係設置有密封構件。
  13. 如申請專利範圍第12項之處理裝置,其中該密封構件係被雙重地設置為同心圓狀的O型環,在該被雙重地設置之O型環彼此之間,該處理容器之下端部與該分歧管的接觸面以及該蓋體與該分歧管之接觸面的至少任一者係設置有切凹部;該分歧管內部係設置有連通該切凹部與該分歧管之外部的通氣路徑。
  14. 如申請專利範圍第13項之處理裝置,其中該通氣路徑之外側端部的至少一部分會連接有排氣機構,該切凹部係構成為可差異排氣。
  15. 如申請專利範圍第13項之處理裝置,其中該通氣路徑之外側端部的至少一部分會連接有沖淨氣體供給機構,該切凹部係構成為可沖淨。
  16. 如申請專利範圍第10項之處理裝置,其中該分歧管之內部係設置有冷媒流道。
  17. 如申請專利範圍第10項之處理裝置,其中該分歧管係埋設有加熱器。
  18. 如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該處理容器之外部係設置有加熱機構;該處理容器內係可收納基板並進行熱處理。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI733342B (zh) * 2019-03-20 2021-07-11 日商國際電氣股份有限公司 氣體供給部,基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
TWI794946B (zh) * 2020-09-18 2023-03-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置,氣體供給裝備,噴嘴及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6706901B2 (ja) * 2015-11-13 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP6987017B2 (ja) * 2018-05-14 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 反応管ユニットの搬送方法
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP7209598B2 (ja) * 2019-07-26 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2021030336A1 (en) 2019-08-12 2021-02-18 Kurt J. Lesker Company Ultra high purity conditions for atomic scale processing

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5318633A (en) * 1991-03-07 1994-06-07 Tokyo Electron Sagami Limited Heat treating apparatus
JPH0729840A (ja) * 1993-07-09 1995-01-31 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US5441570A (en) * 1993-06-22 1995-08-15 Jein Technics Co., Ltd. Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP3267766B2 (ja) * 1993-08-30 2002-03-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその運転方法
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JP3436955B2 (ja) 1993-10-18 2003-08-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5777300A (en) * 1993-11-19 1998-07-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Processing furnace for oxidizing objects
ATE213530T1 (de) * 1994-09-15 2002-03-15 Environ Prod Inc Rohrkupplungsanordnung, system und verfahren
US5885358A (en) * 1996-07-09 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5846073A (en) * 1997-03-07 1998-12-08 Semitool, Inc. Semiconductor furnace processing vessel base
JP2001230212A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP3644880B2 (ja) 2000-06-20 2005-05-11 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4268069B2 (ja) * 2003-10-24 2009-05-27 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
KR100825356B1 (ko) * 2004-09-16 2008-04-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 열처리장치 및 기판의 제조방법
WO2006104072A1 (ja) * 2005-03-28 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置及び基板の製造方法
JP5017913B2 (ja) * 2005-08-17 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP4857849B2 (ja) * 2006-03-24 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2008018545A (ja) 2006-07-10 2008-01-31 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
JP5157100B2 (ja) * 2006-08-04 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US7795143B2 (en) * 2006-08-11 2010-09-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US8070880B2 (en) * 2007-10-22 2011-12-06 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus
JP4929199B2 (ja) 2008-02-01 2012-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5237133B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5176771B2 (ja) * 2008-08-14 2013-04-03 信越半導体株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
JP2010093131A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5088331B2 (ja) 2009-01-26 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
JP5247528B2 (ja) * 2009-02-23 2013-07-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びガス導入手段
JP5627703B2 (ja) * 2009-11-18 2014-11-19 アールイーシー シリコン インコーポレイテッド 流動床反応器
JP5243519B2 (ja) * 2010-12-22 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101867364B1 (ko) * 2012-01-03 2018-06-15 삼성전자주식회사 배치 타입 반도체 장치
JP5882167B2 (ja) * 2012-09-13 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6145279B2 (ja) * 2013-02-06 2017-06-07 東京エレクトロン株式会社 ガス導入配管接続構造及びこれを用いた熱処理装置
JP6208591B2 (ja) * 2014-02-13 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 インジェクタ保持構造及びこれを用いた基板処理装置
JP6307318B2 (ja) * 2014-03-24 2018-04-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6706901B2 (ja) * 2015-11-13 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP6710134B2 (ja) * 2016-09-27 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 ガス導入機構及び処理装置
JP6550029B2 (ja) * 2016-09-28 2019-07-24 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、ノズル基部および半導体装置の製造方法
JP6925214B2 (ja) * 2017-09-22 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI733342B (zh) * 2019-03-20 2021-07-11 日商國際電氣股份有限公司 氣體供給部,基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
TWI794946B (zh) * 2020-09-18 2023-03-01 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置,氣體供給裝備,噴嘴及半導體裝置的製造方法

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