KR20170046578A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 기밀한 처리 용기의 측벽부에 편측 고정으로 지지된 가스 노즐로부터 처리 가스를 기판에 공급함에 있어서, 가스 노즐의 자세를 장기에 걸쳐서 유지하는 것이다. 처리 용기의 측벽부의 내주면에 그 내단부가 개구되고, 외측을 향해서 수평하게 신장되는 제1 구멍부와, 상기 측벽부 내에서 제1 구멍부의 외단부에 처리 가스의 공급로로서 연속해서 형성되고, 당해 제1 구멍부와 동심이면서 또한 제1 구멍부보다도 구경이 작은 제2 구멍부와, 상기 제1 구멍부에 내단측으로부터 그 기단측이 끼워지는 가스 노즐과, 상기 가스 노즐의 길이 방향으로 서로 간격을 두고, 당해 가스 노즐의 외주면과 상기 제1 구멍부와의 사이에 개재하는 복수의 시일 부재와, 상기 제1 구멍부의 외단측에 끼워짐과 함께, 상기 가스 노즐의 기단측에 끼워 맞춰져서 가스 노즐에 의해 제2 구멍부의 개구 테두리부인 환 형상의 면에 가압되는 환 형상의 스페이서를 구비하도록 장치를 구성한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 처리 용기 내에 배치된 기판에 대하여 처리 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 등의 기판에 실리콘 산화막 등의 박막을 성막하는 방법으로서, 소위 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 행하는 성막 장치가 알려져 있다. 이 ALD법을 실시하는 장치로서, 진공 용기 내의 회전 테이블 상에 배치한 복수의 웨이퍼를 회전 테이블에 의해 공전시켜, 원료 가스가 공급되는 영역과, 원료 가스와 반응하는 반응 가스가 공급되는 영역을 차례로 통과시키는 구성이 알려져 있다. 이 장치에서는, 원료 가스는 회전 테이블의 직경 방향으로 신장됨과 함께 그 길이 방향을 따라서 가스 토출 구멍이 형성된 가스 노즐에 의해 공급된다. 원료 가스를 높은 면내 균일성을 갖고 웨이퍼에 흡착시켜, 성막 처리의 면내 균일성을 높이기 위해서, 가스 노즐을 예를 들어 웨이퍼와 평행하게 설치하는 것이 요구된다.
특허문헌 1에는, 가스 노즐의 설치 구조로서 다음의 기술이 기재되어 있다. 진공 용기인 처리 용기의 측벽부에 형성된 관통 구멍에 처리 용기의 외측으로부터 슬리브를 끼워넣음과 함께, 가스 노즐의 기단측을 처리 용기의 내측(처리 공간측)으로부터 관통 구멍 내에 삽입해서 슬리브의 내주면에 끼워 맞추고 있다. 그리고, 가스 노즐의 기단측의 외주면과, 슬리브의 내주면과의 사이에서 축방향으로 간격을 두고 시일 부재(소위 O링)를 개재시켜 기밀을 유지하도록 구성하고, 관통 구멍에 연통하는 가스 공급로로부터 가스 노즐에 처리 가스를 공급하도록 하고 있다.
그러나, 성막 장치의 운전 시간이 길어지면, 시일 부재가 연화되어, 가스 노즐의 선단이 초기의 높이 위치보다도 낮아져서, 미시적으로 보면 가스 노즐이 늘어질 우려가 있고, 이 때문에 메인터넌스 빈도를 낮게 억제하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
일본 특허 공개 제2015-1009호
본 발명은 기밀한 처리 용기의 측벽부에 편측 고정으로 지지된 가스 노즐로부터 처리 가스를 기판에 공급함에 있어서, 가스 노즐의 자세를 장기에 걸쳐서 유지할 수 있는 기술을 제공한다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기밀한 처리 용기 내에 배치된 기판에 대하여 처리 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치로서,
상기 처리 용기의 측벽부의 내주면에 그 내단부가 개구되고, 외측을 향해서 수평하게 신장되는, 단면이 원형인 제1 구멍부와,
상기 측벽부 내에서 상기 제1 구멍부의 외단부에 처리 가스의 공급로로서 연속해서 형성되고, 상기 제1 구멍부와 동심이면서 또한 제1 구멍부보다도 구경이 작은, 단면이 원형인 제2 구멍부와,
상기 제1 구멍부에 내단측으로부터 그 기단측이 끼워지고, 상기 제2 구멍부를 통해서 보내진 처리 가스를 기판에 공급하기 위한 가스 노즐과,
상기 가스 노즐의 길이 방향으로 서로 간격을 두고, 상기 가스 노즐의 외주면과 상기 제1 구멍부와의 사이에 개재하며, 상기 가스 노즐의 둘레 방향을 따라 환 형상으로 형성된 복수의 시일 부재와,
상기 제1 구멍부의 외단측에 끼워짐과 함께, 상기 가스 노즐의 기단측에 끼워 맞춰진 상태에서 상기 가스 노즐에 의해 제2 구멍부의 개구 테두리부인 환 형상의 면에 가압되는 환 형상의 스페이서를 포함한다.
또한, 「처리 용기의 측벽부」란, 처리 용기 본체의 벽 부분에 한하지 않고, 벽 부분의 외측에 일체적으로 결합하고 있는 슬리브 형성 부재 등도 포함한다.
본 발명에 따르면, 기밀한 처리 용기의 측벽부에 편측 고정으로 지지된 가스 노즐로부터 처리 가스를 기판에 공급함에 있어서, 처리 용기의 측벽부 내에서 가스 노즐의 기단부와 환 형상의 스페이서를 끼워 맞춘 상태에서, 가스 노즐을 스페이서를 개재해서 처리 용기의 측벽부 내에서의 구멍부의 단차면에 가압하고 있다. 따라서, 가스 노즐의 기단부가 환 형상의 스페이서에 의해 상측으로 들어 올려지기 어렵게 되어 있으므로, 즉 가스 노즐의 선단부가 내려가기 어렵게 되어 있으므로, 장기 사용에 의해 시일 부재가 연화되어도 가스 노즐의 자세가 무너지기 어렵다(가스 노즐이 늘어지기 어렵다).
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태인 성막 장치를 도시하는 종단면도이다.
도 2는 상기 성막 장치를 나타내는 횡단 평면도이다.
도 3은 상기 성막 장치를 구성하는 진공 용기의 내부를 도시하는 사시도이다.
도 4는 상기 진공 용기의 측벽인 가스 공급 포트의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 가스 공급 포트의 사시도이다.
도 6은 상기 가스 공급 포트의 분해 사시도이다.
도 7은 상기 가스 공급 포트의 종단 사시도이다.
도 8은 상기 가스 공급 포트를 구성하는 스페이서의 종단 측면도이다.
도 9는 가스 노즐을 상기 가스 공급 포트에 설치하는 모습을 나타내는 작용도이다.
도 10은 가스 노즐을 상기 가스 공급 포트에 설치하는 모습을 나타내는 작용도이다.
도 11은 가스 노즐을 상기 가스 공급 포트에 설치하는 모습을 나타내는 작용도이다.
도 12는 가스 노즐을 상기 가스 공급 포트에 설치하는 모습을 나타내는 작용도이다.
도 13은 다른 스페이서의 종단 측면도이다.
본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시 형태인 성막 장치(1)에 대해서, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 성막 장치(1)의 종단 측면도, 횡단 평면도이며, 도 3은 성막 장치(1)를 구성하는 진공 용기(처리 용기)(11)의 내부를 도시하는 사시도이다. 이 성막 장치(1)는, 기밀한 진공 용기(11) 내에서 연직축을 중심으로 회전 가능하게 구성된 회전 테이블(2)을 구비하고 있고, 가스 노즐에 의해, 당해 회전 테이블(2)에 적재된 웨이퍼(W)에 대하여 처리 가스를 공급하여, ALD에 의한 성막 처리를 행한다.
상기 진공 용기(11)는, 평면 형상이 대략 원형으로 구성되고, 천장판(12)과 용기 본체(13)를 구비하고 있다. 용기 본체(13)를 구성하는 측벽부, 저판을 각각 도면부호 13A, 13B로 한다. 도 1 중 도면부호 11A는, 천장판(12)과 측벽부(13A)와의 사이를 시일하는 시일 부재이다. 도 2, 도 3 중 도면부호 10은, 측벽부(13A)에 개구된 웨이퍼(W)의 반송구이며, G는 반송구(10)를 개폐하는 게이트 밸브이다. 도 2 중 도면부호 14는 반송 기구이며, 반송구(10)를 통해서 진공 용기(11)의 내부와 외부와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 진공 용기(11)의 저판(13B)에는, 진공 용기(11)의 둘레 방향을 따라 환 형상의 오목부(15)가 형성되고, 당해 오목부(15) 내에는 가열부인 히터 유닛(16)이 설치되어 있고, 성막 처리 중에 회전 테이블(2)을 통하여 웨이퍼(W)를 예를 들어 300℃ 내지 600℃로 가열하도록 구성되어 있다. 또한, 도 1 중 도면부호 17은, 오목부(15)를 막는 커버 부재이다.
도 1 중 도면부호 21은 회전 테이블(2)의 중심을 지지하는 축부이다. 도 1 중 도면부호 22는 회전 기구이며, 축부(21)를 통하여 회전 테이블(2)을 연직축을 중심으로, 예를 들어 시계 방향으로 회전시킨다. 도 1중 도면부호 23은, 축부(21) 및 회전 기구(22)를 수납하는 케이스체이며, 성막 처리 중에 있어서 당해 케이스체(23)의 내부에는, 도시하지 않은 가스 공급관에 의해 N2(질소) 가스가 퍼지 가스로서 공급된다.
도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 표면측(일면측)에는, 당해 회전 테이블(2)의 둘레 방향(회전 방향)을 따라 5개의 원형의 오목부(24)가, 서로 간격을 두고 형성되어 있고, 각 오목부(24)에 웨이퍼(W)가 수납된다. 진공 용기(11)의 저판(13)에는 반송구(10)에 면하는 위치의 오목부(24)와, 반송 기구(14)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 승강 핀이 설치되어 있고, 오목부(24)의 저부에는 이 승강 핀이 통과하는 관통 구멍이 형성되어 있는데, 당해 승강 핀 및 관통 구멍의 도시는 생략하고 있다.
회전 테이블(2)의 회전에 의해 상기 오목부(24)는 공전하고, 그와 같이 공전하는 오목부(24)의 통과 영역의 상방에는, 석영으로 이루어지는 4개의 가늘고 긴 가스 노즐(가스 인젝터)(31, 32, 33, 34)이, 진공 용기(11)의 둘레 방향으로 서로 간격을 둠과 함께, 진공 용기(11)의 외주벽으로부터 중심부를 향해 웨이퍼(W)에 대향해서 수평이면서 또한 직선적으로 신장되도록 설치되어 있다. 이들 가스 노즐(31 내지 34)에 대해서는, 웨이퍼(W)의 반송구(10)에서 볼 때, 시계 방향으로 가스 노즐(32, 33, 31, 34)이 순서대로 설치되어 있다. 가스 노즐(31 내지 34)은, 선단측(진공 용기(11)의 중심부측)이 막힌 원통 형상으로 형성되어 있고, 각 가스 노즐(31 내지 34)의 하면측에는, 가스 토출 구멍(35)이 당해 가스 노즐(31 내지 34)의 길이 방향을 따라서 다수 개구되어 있다. 가스 노즐(31)의 토출 구멍(35)만, 도 1에 도시하고 있다.
가스 노즐(31)은, Si(실리콘)를 포함하는 제1 처리 가스를 토출하고, 가스 노즐(32)은, 제2 처리 가스로서 O3 가스를 토출한다. 가스 노즐(31, 32)의 하방 영역은, 각각 제1 처리 가스를 웨이퍼(W)에 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1) 및 웨이퍼(W)에 흡착된 제1 처리 가스의 성분과 제2 처리 가스를 반응시키기 위한 제2 처리 영역(P2)을 형성한다. 가스 노즐(33, 34)은, 이들 처리 영역(P1, P2)을 분리하기 위한 후술하는 분리 영역(D)에, 분리 가스로서 N2 가스를 토출한다.
상기 가스 노즐(31 내지 34)에 각각 가스를 공급하기 위해서, 각 가스 노즐의 기단부를 둘러싸는 슬리브를 이루는 가스 공급 포트(4)가, 가스 노즐마다 설치되어 있고, 가스 노즐(31 내지 34)은, 각 가스 공급 포트(4)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있다. 이하, 대표적으로 가스 노즐(31)이 설치되는 가스 공급 포트(4)에 대해서, 도 4의 종단 측면도, 도 5의 사시도, 도 6의 분해 사시도, 도 7의 종단 사시도를 참조하면서 설명한다. 가스 공급 포트(4)는, 예를 들어 SUS(스테인리스강) 등의 금속에 의해 구성되어 있고, 진공 용기(11)의 측벽부(13A)를 관통하도록, 진공 용기(11)의 외측으로부터 기밀하게 설치되어 있다.
이 가스 공급 포트(4)는, 회전 테이블(2)의 반경 방향을 따라서 신장되는 대략 각통 형상으로 형성되어 있고, 진공 용기(11)의 측벽부(13A)의 일부를 구성하고 있다. 진공 용기(11)의 외측에서의 가스 공급 포트(4)의 단부는 플랜지부(41)를 형성하고, 볼트(41A)(도 5에만 표시)를 통하여 진공 용기(11)의 외벽면에 고정된다. 도면 중 도면부호 42는 O링이며, 플랜지부(41)와 진공 용기(11)의 외벽면과의 간극을 시일한다.
가스 공급 포트(4)에는, 진공 용기(11)의 내측(회전 테이블(2)측)으로부터 진공 용기(11)의 외측을 향해서, 수평 방향으로 신장되는 관통구(43)가 천공되어 있다. 이 관통구(43)는, 가스 노즐(31)의 기단측이 진공 용기(11)의 내측으로부터 끼워지는 감입구이다. 또한, 가스 공급 포트(4)에는, 진공 용기(11)의 외측으로부터 가스 공급관(44)의 하류단이, 이 관통구(43) 내에 가스를 공급할 수 있도록 접속되어 있다. 가스 공급관(44)의 상류단은, 도시하지 않은 제1 처리 가스의 공급원에 접속되어 있다.
이후, 관통구(43) 및 관통구(43) 내에 배치되는 각 부재에 대해서, 진공 용기(11)의 외방측의 단부를 외단부, 진공 용기(11)의 내방측의 단부를 내단부로서 설명하는 경우가 있다. 관통구(43)는, 서로 구경이 상이함과 함께 연속해서 형성된 구멍부(45, 46, 47)에 의해 구성되어 있고, 구멍부(45)가 관통구(43)의 내단부, 구멍부(47)가 관통구(43)의 외단부를 각각 형성하고, 구멍부(45, 47) 사이에 구멍부(46)가 형성되어 있다. 이들 각 구멍부(45 내지 47)에 대해서, 구멍의 형성 방향을 향하는 수직 단면은 각각 원형이며, 구멍부(45 내지 47)는 서로 동심으로 형성되어 있다.
개구 직경의 크기에 대해서는 구멍부(45)>구멍부(46)>구멍부(47)이며, 구멍부(45)와 구멍부(46)의 사이 및 구멍부(46)와 구멍부(47)의 사이에는, 단이 형성되어 있다. 구멍부(45)와 구멍부(46)의 사이의 단을 이룸과 함께, 구멍부(46)의 내단측의 개구 테두리부를 형성하고, 관통구(43)의 내단측을 향하는 원환 형상면을 도면부호 46A로 한다. 또한, 구멍부(46)와 구멍부(47)의 사이의 단을 이룸과 함께, 구멍부(47)의 내단측의 개구 테두리부를 형성하고, 관통구(43)의 내단측을 향하는 원환 형상면을 도면부호 47A로 한다. 또한, 구멍부(45, 46)는 제1 구멍부이며, 구멍부(47)는 제2 구멍부이다.
여기서, 가스 노즐(31)의 기단측의 구성에 대해서 설명해 두면, 당해 기단측의 외주면은 가스 노즐(31)의 축방향을 따라서 경사지는 경사면(31A)을 형성하고 있고, 당해 가스 노즐(31)의 기단을 향함에 따라서 가스 노즐(31)의 외경은 축소되어 있다. 가스 노즐(31)에 있어서 이 경사면(31A)이 형성된 부위보다도 선단측의 외주면과, 구멍부(45)의 내주면과의 사이에 개재하도록, 예를 들어 탄성체로 이루어지는 시일 부재(51A, 51B)가, 당해 가스 노즐(31)의 둘레를 따른 원환 형상으로 설치된다. 이들 시일 부재(51A, 51B)는 소위 O링이며, 가스 노즐(31)의 길이 방향으로 간격을 두고 설치되어 있다.
또한, 구멍부(45) 내에서, 시일 부재(51A, 51B) 사이에는 슬리브(52A)가, 시일 부재(51A, 51B)보다도 내단측에는 슬리브(52B)가 각각 배치되어 있다. 슬리브(52A, 52B)는 가스 노즐(31)을 둘러싸는 원통 형상으로 형성되고, 가스 노즐(31)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, 슬리브(52A, 52B) 및 시일 부재(51A, 51B)는, 관통구(43)의 개구 방향에서 볼 때, 상기 원환 형상면(46A)에 겹치도록 설치되어 있다.
후술하는 체결 부재(71)에 의해, 슬리브(52A, 52B)의 구멍부(45) 내에서의 위치는 규제되어 있고, 슬리브(52A, 52B)는, 시일 부재(51A, 51B)가 갖는 복원력에 저항하도록 당해 시일 부재(51A, 51B)를 원환 형상면(46A)을 향해서 짓누르고 있다. 짓눌려진 시일 부재(51A, 51B)는, 가스 노즐(31)의 외주면과 구멍부(45)의 내주면에 밀착됨과 함께, 가스 노즐(31)의 기단부를 체결하고 있다. 그에 의해, 가스 노즐(31)은, 가스 공급 포트(4)에 편측 고정으로 지지됨과 함께, 구멍부(45)가 구멍부(46)에 대하여 기밀하게 시일되고, 상기 가스 공급관(44)으로부터 공급된 제1 처리 가스를, 구멍부(47, 46)를 통해서 가스 노즐(31) 내에 도입할 수 있다.
상기 구멍부(46)에는, 예를 들어 SUS 등의 금속에 의해 구성된 원환 형상의 스페이서(6)가 끼워져 있고, 구멍부(46)와 동심으로 배치되어 있다. 이후, 스페이서(6)의 상세한 종단측면을 도시한 도 8도 참조하면서 설명한다. 스페이서(6)의 외단부는, 당해 스페이서(6)의 중심축측을 향해서 돌출된 돌출부(61)를 형성하고, 상기 원환 형상면(47A)에 접해서 설치되어 있다. 돌출부(61)보다도 내단측의 부위의 내주면은, 스페이서(6)의 축방향에 병행인 병행면(62)을 구성하고 있다. 그리고, 스페이서(6)의 내단부의 내주면은, 당해 스페이서(6)의 축방향을 따라서 경사지는 경사면(63)으로서 구성되어 있고, 이 내단부에 있어서 스페이서(6)의 개구부는, 당해 내단을 향함에 따라서 직경 확장되어 있다. 경사면(63)은, 병행면(62)에 연속해서 형성되어 있다.
이 경사면(63)과, 이미 설명한 가스 노즐(31)의 경사면(31A)에 있어서 당해 가스 노즐(31)의 기단보다도 가스 노즐(31)의 선단측으로 이격된 영역이, 서로 끼워 맞춰지고, 가스 노즐(31)의 기단은 돌출부(61)보다도 내단측에 위치한다. 그런데, 상기와 같이 슬리브(52A, 52B)에 의해 시일 부재(51A, 51B)는 원환 형상면(46A)을 향해서 가압되기 때문에, 시일 부재(51A, 51B)에 밀착되는 가스 노즐(31)은 구멍부(46) 내를 외단으로 향하는 힘을 받으므로, 당해 가스 노즐(31)의 기단부는, 끼워 맞춘 스페이서(6)를 통하여 원환 형상면(47A)에 가압된다. 즉, 스페이서(6)는, 가스 노즐(31)의 기단부에 의해, 원환 형상면(47A)에 가압되어 있다. 이 스페이서(6)는, 그와 같이 가스 노즐(31)에 끼워 맞춰진 상태에서 당해 가스 노즐(31)에 원환 형상면(47A)에 가압됨으로써, 구멍부(46) 내에서의 가스 노즐(31)의 기단부의 높이 위치의 변위를 억제하는, 즉, 중력에 의한 가스 노즐(31)의 선단부의 늘어짐을 억제하는 역할을 갖는다.
그런데, 이 스페이서(6)는, 상기와 같이 금속제이기 때문에 비교적 단단하다. 상기와 같이 가스 노즐(31)의 기단으로부터 이격된 위치와 끼워 맞춰지도록, 스페이서(6)가 형성되어 있는 것은, 가스 노즐(31)을 설치하기 위해 당해 가스 노즐(31)의 기단부를 진공 용기(11) 내로부터 관통구(43)에 삽입했을 때, 가스 노즐(31)의 기단의 코너부가, 그와 같이 비교적 단단한 스페이서(6)에 충돌해서 깨지는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.
그리고, 이 스페이서(6)에는, 내단으로부터 외단측을 향해서 축방향을 따라 신장되는 슬릿(64)이 2개 형성되어 있고, 각 슬릿(64)은 스페이서(6)의 둘레 방향으로 서로 이격되어 형성되어 있다(도 6 참조). 당해 슬릿(64)은, 예를 들어 장치의 메인터넌스를 행할 때, 가스 노즐(31)과 스페이서(6)와의 끼워맞춤을 용이하게 해제하여, 가스 노즐(31)을 당해 스페이서(6)로부터 파손되지 않고 제거하기 위해 설치되어 있다.
더욱 상세하게 설명하면, 가스 공급 포트(4)에의 가스 노즐(31)의 설치는, 예를 들어 상온 분위기에서 행하여지는데, 설치 후의 성막 처리 시에는 히터 유닛(16)에 의해 진공 용기(11) 내가 가열되어, 스페이서(6)의 온도가 가스 노즐(31)의 설치 시의 온도보다도 상승한다. 이 온도 상승에 의해, 스페이서(6)가 열팽창된다. 상기와 같이 가스 공급 포트(4)에 설치된 가스 노즐(31)의 기단부는 스페이서(6)와 끼워 맞춰진 상태에서 원환 형상면(47A)을 향해서 가압되어 있기 때문에, 가스 노즐(31)의 기단부가, 열팽창된 스페이서(6) 내를 깊숙하게 이동해버리는 경우가 있고, 그 경우, 성막 처리 종료 후에 예를 들어 상온 분위기 하에서 가스 노즐(31)을 제거할 때도, 가스 노즐(31)의 기단부가 스페이서(6) 내의 깊숙하게 위치한 상태가 된다. 그러한 상태이어도, 상기 슬릿(64)이 형성되어 있음으로써, 작업자가 가스 노즐(31)을 스페이서(6)로부터 뽑아내어 제거할 때는, 당해 스페이서(6)가 휠 수 있기 때문에, 가스 노즐(31)을 파손시키지 않고, 용이하게 제거를 행할 수 있다.
또한, 이 슬릿(64)은, 가스 노즐(31)을 가스 공급 포트(4)에 설치하기 위해서 스페이서(6)와 가스 노즐(31)을 끼워 맞출 때, 당해 스페이서(6)가 휘는 것을 가능하게 하는 역할도 갖는다. 스페이서(6)가 휨으로써, 가스 노즐(31)에 과잉의 힘이 가해져서, 파손되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상온 및 상압의 분위기에 있어서, 스페이서(6)는, 당해 스페이서(6)가 형성되는 구멍부(46)의 직경 방향으로 0.05mm 내지 0.20mm의 여유를 갖도록 형성되어 있다. 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이 구멍부(46)의 직경을 d1, 스페이서(6)의 외경을 d2로 하면, d1-d2=0.05mm 내지 0.20mm이다. 이와 같이 여유가 형성되어 있는 것은, 성막 처리 시에 스페이서(6)가 가열되어 열팽창했을 때, 가스 노즐(31)에 끼워 맞춰진 스페이서(6)의 내단부가 당해 스페이서(6)의 외주 방향으로 넓어지도록 휘는 것을 가능하게 함으로써 가스 노즐(31)에 가해지는 압력을 억제하여, 당해 가스 노즐(31)의 파손을 방지하기 위해서이다.
도 4 내지 도 7로 돌아가서 설명을 계속한다. 가스 공급 포트(4)에 있어서의 진공 용기(11)의 내측(회전 테이블(2)측)을 향하는 단면에는, 상기 관통구(43)의 개구단을 좌우에서 끼워넣도록, 당해 진공 용기(11)의 내측으로 돌출된 2개의 돌출부(48)가 형성되어 있다. 각 돌출부(48)로부터는, 가스 공급 포트(4)의 좌우의 중심을 향하도록 핀(49)이 돌출되어 있다. 그리고, 2개의 돌출부(48)에 끼워지는 영역에는, 표면이 진공 용기(11)의 내측을 향하는 수직인 대략 판상의 체결 부재(71)가 설치되어 있고, 핀(49)에 대하여 후방측(진공 용기(11)의 외방측)의 영역을 상하로 슬라이드 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
도 6 중 도면부호 72는, 가스 노즐(31)을 수용하기 위해서 체결 부재(71)의 좌우의 중앙부에, 하단으로부터 상방을 향해서 형성된 절결이며, 체결 부재(71)의 이면의 당해 절결(72)의 주연부가, 상기 슬리브(52A, 52B)를 원환 형상면(46A)에 가압한다. 도면 중 도면부호 73은, 체결 부재(71)를 가스 공급 포트(4)에 설치함과 함께, 당해 가스 공급 포트(4)에 대한 상하 방향의 위치 결정을 하기 위한 나사 부재이며, 나사 부재(73)에 의해 설치된 체결 부재(71)는, 전후 방향(진공 용기(11)의 내외 방향)으로 약간 이동 가능하다.
체결 부재(71)의 이면(후방면)은, 수직인 평탄면으로서 구성되어 있다. 체결 부재(71)의 표면측(전방면측)에 있어서, 절결(72)이 형성된 영역의 좌우에는 각각 수직면(74A)이 형성되어 있다. 이 수직면(74A)의 하방측에는, 당해 하방을 향함에 따라서 후방측을 향하는 경사면(74B)이, 수직면(74A)에 연속하도록 형성되어 있고, 경사면(74B)의 하방에는 수직면(74C)이 경사면(74B)에 연속하도록 형성되어 있다. 따라서, 수직면(74A)이 형성된 부위는, 수직면(74C)이 형성된 부위에 비해 두껍게 되어 있다. 체결 부재(71)의 상하 이동에 의해, 상기 가스 공급 포트(4)의 핀(49)은, 각 면(74A 내지 74C) 상을 이동하고, 핀(49)과 각 면(74A 내지 74C)에 의해, 체결 부재(71)의 전후의 위치가 규제된다.
또한, 수직면(74C)을 형성하는 부위로부터 하방측으로 신장되도록 공기부(75)가 설치되고, 당해 공기부(75)의 표면에는 오목부(75A)가 형성되어 있다. 이 오목부(75A)는, 가스 노즐(31)의 가스 공급 포트(4)에의 착탈을 행할 때, 핀(49)과 걸림 결합시켜 둠으로써 체결 부재(71)의 위치를 고정하여, 작업을 방해하지 않도록 하기 위한 것이다.
상기와 같이 시일 부재(51A, 51B)를 짓눌러 가스 노즐(31)을 가스 공급 포트(4)에 지지할 때는, 핀(49)의 높이에 수직면(74A)이 위치한다. 짓눌려진 시일 부재(51A, 51B)의 복원력에 의해, 슬리브(52A, 52B) 및 체결 부재(71)는 전방측(진공 용기(11)의 내방측)으로 가압되는데, 핀(49)이 수직면(74A)에 맞닿음으로써, 이들 슬리브(52A, 52B) 및 체결 부재(71)의 전방측으로의 이동이 저지되어, 시일 부재(51A, 51B)를 짓누른 상태가 유지된다.
이상, 대표적으로 가스 노즐(31)이 설치되는 가스 공급 포트(4)를 설명했지만, 다른 가스 노즐(32 내지 34)이 설치되는 가스 공급 포트(4)도, 접속되는 가스 공급원이, 각 가스 노즐(32 내지 34)로부터 토출되는 가스를 공급하는 공급원인 것을 제외하고, 가스 노즐(31)이 설치되는 가스 공급 포트(4)와 마찬가지로 구성되어 있다.
성막 장치(1)의 다른 구성의 설명으로 돌아가면, 이미 설명한 각 가스 공급 포트(4)의 전방측에는, 회전 테이블(2)에 대한 가스 노즐(31 내지 34)의 경사 각도를 조정하기 위한 경사 각도 조정 부재(76)가 배치되어 있다. 대표적으로, 가스 노즐(31)에 대응해서 설치된 경사 각도 조정 부재(76)에 대해 도 5, 도 6을 사용해서 설명하면, 당해 경사 각도 조정 부재(76)는, 가스 노즐(31)을 둘러싸는 본체 부분(77)과, 당해 본체 부분(77)의 외측에 설치되는 프레임 부재(78)에 의해 구성되어 있다. 도면 중 도면부호 77A는 본체 부분(77)을 가스 공급 포트(4)에 고정하는 나사 부재이다. 프레임 부재(78)는, 가스 노즐(31)의 하면을 지지하는 받침대(79)를 구비하고, 나사 부재(78A)에 의해 본체 부분(77)에 대한 높이 위치의 조정이 가능하게 구성되어 있다. 이 경사 각도 조정 부재(76)에 대해서는, 도 5 및 도 6 이외에는 도시를 생략하고 있다.
계속해서, 도 1 내지 도 3으로 돌아가서 설명을 계속한다. 진공 용기(11)의 천장판(12)의 하면측에는, 평면에서 볼 때 부채 형상으로 하방으로 돌출된 돌출형상부(25, 26)가 형성되어 있고, 상기 가스 노즐(33, 34)은, 돌출형상부(25, 26)의 하면에 각각 박혀, 부채 형상 부분을 둘레 방향으로 2분할하도록 설치되어 있다. 돌출형상부(25, 26)의 하방측은, 처리 영역(P1)의 분위기와 처리 영역(P2)의 분위기를, 가스 노즐(33, 34)로부터의 분리 가스인 N2 가스에 의해 회전 테이블(2)의 회전 방향으로 분리하는 분리 영역(D)으로서 구성되어 있다. 또한, 진공 용기의 천장판(12)의 중앙부는 평면에서 볼 때 원형의 하방으로 돌출되는 돌출부(27)를 구성하고, 돌출부(27)의 하면은 돌출형상부(25, 26)의 하면과 연속되어 있다. 따라서, 돌출부(27) 및 돌출형상부(25, 26)의 하면은 다른 영역의 천장면보다도 낮은 천장면을 형성하고 있다. 도 1 중 도면부호 28은 돌출부(27)의 하방의 중심부 영역(C)에 퍼지 가스로서 N2 가스를 공급하는 가스 공급관이며, 회전 테이블(2)의 중심부 상에서 제1 처리 가스와 제2 처리 가스가 혼합되는 것을 방지하기 위해 설치되어 있다.
도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(2)의 외주측에 있어서의 진공 용기(11)의 저판(13B)에는, 제1 처리 영역(P1) 및 제 2의 처리 영역(P2)에 각각 대응하는 배기구(36, 37)가 형성되어 있다. 배기구(36)는, 제1 처리 영역(P1)과, 이 제1 처리 영역(P1)의 회전 테이블(2)의 회전 방향 하류측에 위치하는 분리 영역(D)과의 사이에 설치되어 있다. 배기구(37)는, 제2 처리 영역(P2)과, 이 제2 처리 영역(P2)의 회전 테이블(2)의 회전 방향 하류측에 위치하는 분리 영역(D)과의 사이에 설치되어 있다. 이들 배기구(36, 37)는, 배기량을 조정하기 위한 압력 조정부(38)를 통하여, 배기 기구인 진공 펌프(39)에 접속되어 있다(도 1 참조).
또한, 이 성막 장치에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있고, 이 제어부(100)에는 후술하는 성막 처리를 행하기 위한 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은, 장치의 동작을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있고, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체로부터 제어부(100) 내에 인스톨된다.
계속해서, 가스 노즐(31)의 가스 공급 포트(4)에의 설치 작업의 수순에 대해서, 도 9 내지 도 12를 참조하면서 순서대로 설명한다. 작업자는 가스 공급 포트(4)의 핀(49)을, 체결 부재(71)의 공기부(75)의 오목부(75A)에 걸림 결합시켜서 체결 부재(71)의 위치를 고정해 두고, 가스 노즐(31)의 기단부를 진공 용기(11)의 내측으로부터 관통구(43)에 삽입한다. 그리고, 당해 가스 노즐(31)의 기단부가, 관통구(43)를 구성하는 구멍부(45)에 배치된 시일 부재(51A, 51B) 및 슬리브(52A, 52B) 내를 통과하여(도 9), 당해 기단부의 경사면(31A)이 관통구(43)를 구성하는 구멍부(46)에 배치된 스페이서(6)의 경사면(63)에 맞닿아, 경사면(31A)과 경사면(63)이 끼워 맞춰질 때까지, 가스 노즐(31)을 관통구(43)의 외단측을 향해서 압입한다(도 10).
그 후, 작업자는 상기 체결 부재(71)의 오목부(75A)와 가스 공급 포트(4)의 핀(49)과의 걸림 결합을 해제하고, 핀(49)이 체결 부재(71)의 수직면(74C)의 정면에 위치한 상태로 한다. 이 상태에서는 시일 부재(51A, 51B)의 짓눌림은 행하여지지 않고, 슬리브(52B)의 내단부가 관통구(43)보다도 전방측으로 돌출된 상태로 되어 있다. 그 후, 작업자는 체결 부재(71)를 하강시킨다. 그에 의해, 핀(49)에 체결 부재(71)의 경사면(74B)이 올라탐과 함께, 당해 핀(49)에 의해 위치가 규제됨으로써 체결 부재(71)는 후방으로 이동하고, 슬리브(52A, 52B)가 관통구(43) 내의 원환 형상면(46A)을 향해서 눌림과 함께, 당해 슬리브(52A, 52B)에 의해 시일 부재(51A, 51B)가 원환 형상면(46A)을 향해서 가압된다(도 11).
그와 같이 가압됨으로써 시일 부재(51A, 51B)가 짓눌리어, 가스 노즐(31)의 길이 방향과 직교하는 방향으로 팽창하여, 구멍부(45)의 내주면과 가스 노즐(31)의 외주면에 밀착되어, 가스 노즐(31)이 가스 공급 포트(4)에 지지된다. 또한 체결 부재(71)가 하강해서 후방으로 이동하고, 슬리브(52A, 52B)에 의해 시일 부재(51A, 51B)가 원환 형상면(46A)을 향해서 눌리고, 당해 시일 부재(51A, 51B)에 밀착된 가스 노즐(31)은 관통구(43)의 후단측을 향해서 눌린다. 그에 의해, 가스 노즐(31)의 기단부는 끼워 맞춰진 스페이서(6)를 통하여 관통구(43) 내의 원환 형상면(47A)을 향해 가압되어, 당해 기단부의 이동이 억제된 상태가 된다. 핀(49)이 수직면(74A)에 올라타면 체결 부재(71)의 하강을 정지하고, 가스 노즐(31)의 가스 공급 포트(4)에의 설치 작업이 종료된다(도 12).
다른 가스 노즐(32 내지 34)도 가스 노즐(31)과 마찬가지로 가스 공급 포트(4)에 설치된다. 또한, 가스 노즐(31)을 가스 공급 포트(4)로부터 제거할 때는, 이 설치 작업과 반대의 수순의 작업을 행한다.
이어서, 성막 장치(1)에 의한 성막 처리에 대해서 설명한다. 우선, 히터 유닛(16)에 의해 회전 테이블(2)을 가열해 두고, 게이트 밸브(G)를 개방하여, 회전 테이블(2)을 간헐적인 회전과, 당해 회전의 정지 시의 승강 핀의 승강 동작에 의해, 반송 기구(14)에 의해 진공 용기(11) 내에 반송된 웨이퍼(W)가, 순차적으로 오목부(24) 내에 적재되어, 소정의 성막 온도로 가열된다. 모든 오목부(24) 내에 웨이퍼(W)가 적재되면, 게이트 밸브(G)가 폐쇄되고, 진공 펌프(39)에 의해 진공 용기(11) 내가 진공 상태로 된다. 계속해서, 가스 노즐(31, 32)로부터의 처리 영역(P1, P2)으로 처리 가스의 토출과, 가스 노즐(33, 34)로부터의 분리 영역(D)으로의 분리 가스의 토출과, 가스 공급관(28)으로부터 중심부 영역(C)으로의 퍼지 가스의 토출이 행하여져, 진공 용기(11) 내가 소정의 압력으로 조정된다.
제1 처리 영역(P1)에서는, 웨이퍼(W)의 표면에 제1 처리 가스의 성분이 흡착되어 흡착층이 생성된다. 한편, 제2 처리 영역(P2)에서는, 이 흡착층과 제2 처리 가스와의 반응이 일어나, 반응 생성물(실리콘 산화물)이 형성된다. 이와 같이 해서 회전 테이블(2)의 회전을 계속함으로써, 흡착층의 흡착 및 당해 흡착층의 반응이 이 순서로 다수회 반복해서 행하여져, 반응 생성물이 적층되어서 실리콘 산화막이 형성된다.
이 성막 처리 중, 가스 노즐(33, 34)로부터의 분리 가스 및 가스 공급관(28)으로부터의 퍼지 가스에 의해, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스가 서로 혼합되지 않도록 각 가스가 배기된다. 또한, 도시하지 않은 가스 공급관에 의해 회전 테이블(2)의 하방측에 퍼지 가스를 공급하고 있기 때문에, 회전 테이블(2)의 하방측으로 확산하려고 하는 가스는, 당해 퍼지 가스에 의해 배기구(36, 37)측으로 되돌려진다.
상기 성막 장치(1)에 의하면, 기밀한 진공 용기(11)의 측벽부(13A)를 구성하는 가스 공급 포트(4)에 편측 고정으로 지지된 가스 노즐(31, 32)로부터 처리 가스를 회전 테이블(2)에 적재된 웨이퍼(W)에 공급함에 있어서, 가스 공급 포트(4) 내에서 가스 노즐(31, 32)의 기단부와 환 형상의 스페이서(6)를 끼워 맞춘 상태에서, 가스 노즐(31, 32)의 기단부를, 스페이서(6)를 통하여 가스 공급 포트(4) 내에서의 관통구(43) 내의 단차면을 이루는 원환 형상면(47A)에 가압하고 있다. 따라서, 가스 노즐(31, 32)의 기단부는, 스페이서(6)에 의해 상측으로 들어 올려지기 어렵게 되어 있다. 즉, 회전 테이블(2) 상에 위치하는 가스 노즐(31, 32)의 선단부가 내려가기 어렵다. 따라서, 가스 노즐(31, 32)과 가스 공급 포트(4)에 밀착되어, 가스 노즐(31)을 지지하고 있는 시일 부재(51A, 51B)가 장기 사용됨으로써 연화되어도, 가스 노즐(31, 32)의 선단부가 늘어지기 어렵다. 그 결과로서, 웨이퍼(W)의 면내 각 부와 가스 노즐(31, 32)과의 사이의 높이가 설계값에서 벗어남으로써 웨이퍼(W)의 면내 각 부에서 막 두께가 설계값에서 어긋나버리는 것을 방지할 수 있다. 또한, 복수의 성막 장치(1)를 사용해서 웨이퍼(W)에 성막 처리를 행하는 경우, 서로 다른 성막 장치(1)에서 처리된 웨이퍼(W)간에서의 막 두께의 변동을 억제할 수 있다.
계속해서, 다른 스페이서의 구성예에 대해서, 스페이서(6)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 13에는 다른 스페이서로서, 스페이서(60)의 종단측면을 나타내고 있다. 이 스페이서(60)는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 수지에 의해 구성되어 있다. 또한, 스페이서(60)는, 내주면의 형상에 대해서, 스페이서(6)와 상이하다. 스페이서(60)의 외단부의 내주면은, 스페이서(60)의 축방향에 병행인 병행면(65)으로서 구성되어 있다. 그리고, 이 병행면(65)의 내단측으로부터 스페이서(60)의 내단에 걸쳐서, 축방향을 따라 경사진 경사면(66)이 형성되어 있고, 이 경사면(66)에 의해, 스페이서(60)의 내단을 향함에 따라서 당해 스페이서(60)의 개구부가 직경 확장되어 있다.
가스 노즐(31)의 경사면(31A)에 있어서, 가스 노즐(31)의 기단으로부터 당해 기단에 대하여 가스 노즐의 선단측으로 이격된 위치에 걸친 영역과, 상기 스페이서(60)의 경사면(66)이 끼워 맞춰진다. 상기와 같이 스페이서(60)는 수지제이며, 비교적 부드럽기 때문에, 가스 노즐(31)을 가스 공급 포트(4)에 설치할 때 가스 노즐(31)의 기단이 스페이서(60)에 맞닿아도 당해 가스 노즐(31)이 파손되기 어려우므로, 그와 같이 스페이서(60)는 가스 노즐(31)의 기단과도 끼워 맞춰지도록 구성되어 있다. 또한, 스페이서(60)에는 슬릿(64)이 형성되어 있지 않다. 이것은, 수지가 금속에 비해 가요성이 높기 때문에, 가스 노즐(31)을 스페이서(60)로부터 제거할 때 용이하게 제거를 행할 수 있기 때문이다.
이와 같이 수지제의 스페이서(60)는, 금속제의 스페이서(6)보다도 형상의 자유도가 높다는 이점이 있다. 단, 진공 용기(11) 내에 스페이서(60)를 구성하는, 예를 들어 불소 등이 비산되어 웨이퍼(W)의 막에 혼입되는 것을 확실하게 방지한다는 관점에서는, 상기 금속제의 스페이서(6)를 사용하는 것이 바람직하다.
그런데 상기 장치(1)는, 가스 노즐(31)로부터 처리 가스로서 플라즈마 형성용의 가스가 토출되고, 진공 용기(11)의 천장판(12)에 설치된 고주파 전력이 공급되는 안테나로부터 방사되는 자계에 의해 플라즈마 형성용의 가스가 플라즈마화되어, 당해 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 막이 개질되는 개질 장치로서 구성되어도 된다. 즉, 본 발명은 성막 장치에 적용되는 것에 한정되지 않는다. 또한, 상기 분리 영역(D)을 두지 않고, CVD(Chemical Vapor Deposition)에 의해 성막을 행하는 장치로서 구성해도 된다. 또한, 가스 노즐의 재질로서는 석영에 한정되지 않고, 다른 세라믹스이어도 되고, 예를 들어 알루미늄이나 SiC(탄화규소) 등이어도 된다.
(평가 시험)
이하, 본 발명에 관련해서 행하여진 평가 시험에 대해서 설명한다. 상기 성막 장치(1)의 가스 공급 포트(4)에 스페이서(6)를 사용해서 가스 노즐(31 내지 34)을 설치하였다. 이미 설명한 구성예와의 차이점으로서, 가스 노즐(32)은 3개 준비하여, 각각 서로 다른 가스 공급 포트(4)에 설치하였다. 즉, 이 평가 시험에서는 총 7개의 가스 노즐을 가스 공급 포트(4)에 설치하였다. 그리고, 각 가스 노즐의 선단의 회전 테이블(2)로부터의 높이(H1로 함)를 측정하였다.
각 가스 노즐(31 내지 34)의 설치 후에는, 55일간 그와 같이 설치한 상태 그대로 두고, 이 55일 동안에 진공 용기(11) 내의 온도를 276℃에서 288℃로 상승시키고, 그 후 288℃에서 276℃로 저하시키는 처리를 20회 행하였다. 또한, 이 55일 동안에 한번, 진공 용기(11) 내의 온도는 실온으로 되돌려졌다. 설치로부터 55일 경과 후, 각 가스 노즐의 선단의 회전 테이블(2)로부터의 높이(H2로 함)를 측정하고, 각 가스 노즐에 대해서 높이(H1)와 높이(H2)를 비교하였다. 비교한 결과, 각 가스 노즐에 있어서의 높이(H1)와 높이(H2)의 차는 0.2mm 이내이며, 실용상 문제가 없는 변화량이었다. 따라서, 본 발명의 효과가 확인되었다. 또한, 높이(H2)의 측정 후에 각 가스 노즐을 스페이서(6)로부터 탈착할 때는, 이 탈착을 용이하게 행할 수 있었다. 이것은 상기 슬릿(64)의 효과라고 생각된다.
W : 웨이퍼 1 : 성막 장치
13A : 측벽부 2 : 회전 테이블
31 : 가스 노즐 31A : 경사면
4 : 가스 공급 포트 43 : 관통구
45, 46, 47 : 구멍부 46A, 47A : 원환 형상면
51A, 51B : 시일 부재 52A, 52B : 슬리브
6, 60 : 스페이서 63 : 경사면
64 : 슬릿

Claims (7)

  1. 기밀한 처리 용기 내에 배치된 기판에 대하여 처리 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 용기의 측벽부의 내주면에 그 내단부가 개구되고, 외측을 향해서 수평하게 신장되는, 단면이 원형인 제1 구멍부와,
    상기 측벽부 내에서 상기 제1 구멍부의 외단부에 처리 가스의 공급로로서 연속해서 형성되고, 상기 제1 구멍부와 동심이면서 또한 제1 구멍부보다도 구경이 작은, 단면이 원형인 제2 구멍부와,
    상기 제1 구멍부에 내단측으로부터 그 기단측이 끼워지고, 상기 제2 구멍부를 통해서 보내진 처리 가스를 기판에 공급하기 위한 가스 노즐과,
    상기 가스 노즐의 길이 방향으로 서로 간격을 두고, 상기 가스 노즐의 외주면과 상기 제1 구멍부와의 사이에 개재하며, 상기 가스 노즐의 둘레 방향을 따라 환 형상으로 형성된 복수의 시일 부재와,
    상기 제1 구멍부의 외단측에 끼워짐과 함께, 상기 가스 노즐의 기단측에 끼워 맞춰진 상태에서 상기 가스 노즐에 의해 제2 구멍부의 개구 테두리부인 환 형상의 면에 가압되는 환 형상의 스페이서를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 노즐의 기단측과 상기 스페이서가 서로 끼워 맞춰지는 가스 노즐 및 스페이서의 각 둘레면은, 축방향을 따라서 경사져 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가스 노즐의 기단측의 외주면은, 처리 용기의 외측을 향함에 따라서 직경 축소되도록 형성되고,
    상기 스페이서에 있어서의 내단측의 내주면은, 처리 용기의 내측을 향함에 따라서 직경 확장되어 상기 가스 노즐의 기단측의 외주면이 끼워 맞춰지도록 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 석영제이며,
    상기 스페이서는 금속제이며,
    상기 가스 노즐의 외주면은, 상기 가스 노즐의 기단보다도 처리 용기의 내측으로 이격된 위치에서 상기 스페이서에 끼워 맞춰지고, 상기 가스 노즐의 기단에 있어서의 외주의 테두리는, 상기 스페이서의 내주면으로부터 이격되어 있는, 기판 처리 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 석영제이며,
    상기 스페이서는 금속제이며,
    상기 스페이서에는, 처리 용기의 내측의 단부로부터 처리 용기의 외측을 향해서 슬릿이 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 석영제이며,
    상기 스페이서는 금속제이며,
    상기 스페이서는 상기 제1 구멍부 내에서 직경 방향으로 0.05mm 내지 0.20mm의 여유가 형성되어 있는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내에는, 기판을 적재해서 공전시키기 위한 회전 테이블이 설치되고,
    상기 가스 노즐은, 상기 회전 테이블의 회전에 의해 기판이 통과하는 통과 영역의 상방에 배치됨과 함께, 길이 방향을 따라서 처리 가스를 토출하기 위한 토출 구멍이 형성되고,
    기판에 대하여 행하여지는 처리는, 진공 분위기 내에서 행하여지는 성막 처리인, 기판 처리 장치.
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