TW201711546A - 配線電路基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之配線電路基板之製造方法具備：步驟(1)，其於剝離層之厚度方向一面形成籽晶層；步驟(2)，其於籽晶層之厚度方向一面形成導體圖案；步驟(3)，其藉由絕緣層被覆籽晶層及導體圖案；步驟(4)，其將剝離層自籽晶層剝離；及步驟(5)，其將籽晶層去除。絕緣層之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為10次以上。

Description

配線電路基板之製造方法
本發明係關於一種配線電路基板之製造方法。
印刷配線板等配線電路基板係藉由各種製造方法而製造。
例如，提出有如下印刷配線板之製造方法：於金屬材之表面設置金屬皮膜，並且於該金屬皮膜之表面設置轉印用電路，藉此製作轉印用基材，將該轉印用基材貼合於樹脂層而將轉印用電路嵌埋入樹脂層後將金屬材剝離，並且藉由蝕刻將金屬皮膜去除(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1所記載之印刷配線板之製造方法中，作為樹脂層，使用使環氧樹脂等熱硬化性樹脂含浸於玻璃布等基材並進行加熱乾燥直至成為B階段狀態而形成之預浸體、或將環氧樹脂等熱硬化性樹脂成形為膜狀並進行加熱乾燥直至成為B階段狀態而形成之接著膜等接著片。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-80568號公報
近年來，配線電路基板於配置於配戴式器件之情形時被要求優異之伸縮性。然而，利用專利文獻1所記載之製造方法而獲得之印刷 配線板存在無法滿足上述要求之不良情況。
本發明之目的在於提供一種伸縮性優異之配線電路基板之製造方法。
[1]本發明係一種配線電路基板之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其於剝離層之厚度方向一面形成籽晶層；步驟(2)，其於上述籽晶層之厚度方向一面形成導體圖案；步驟(3)，其藉由絕緣層被覆上述籽晶層及上述導體圖案；步驟(4)，其將上述剝離層自上述籽晶層剝離；及步驟(5)，其將上述籽晶層去除；上述絕緣層之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為10次以上。
根據該構成，絕緣層之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為上述下限以上，因此配線電路基板之伸縮性優異。
[2]本發明係如上述[1]之配線電路基板之製造方法，其特徵在於：上述絕緣層係由選自由聚胺基甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氟系樹脂、苯乙烯系樹脂、丁二烯系樹脂、及異丁烯系樹脂所組成之群中之至少1種絕緣材料形成。
根據該構成，絕緣層可兼具柔軟性與韌性。因此，配線電路基板之伸縮性及可靠性優異。
本發明之配線電路基板之伸縮性優異。
1‧‧‧配線電路基板
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧導體圖案
4‧‧‧槽部
5‧‧‧配線
6‧‧‧端子
7‧‧‧上表面
8‧‧‧下表面
9‧‧‧側面
10‧‧‧下表面
11‧‧‧上表面
15‧‧‧籽晶層
16‧‧‧剝離層
17‧‧‧抗鍍敷層
18‧‧‧感測器
19‧‧‧被覆層
20‧‧‧配戴式器件
21‧‧‧階差部
23‧‧‧感壓接著層
24‧‧‧手腕
25‧‧‧記憶體
T0‧‧‧絕緣層之厚度
T1‧‧‧導體圖案之厚度
T2‧‧‧位於導體圖案之下方之絕緣層之厚度(與導體圖案對向之絕緣層之厚度)
T4‧‧‧導體圖案之嵌埋入深度
T5‧‧‧導體圖案之突起長度
T6‧‧‧階差部之深度
圖1表示藉由本發明之配線電路基板之製造方法之一實施形態所獲得之配線電路基板之俯視圖。
圖2表示圖1所示之配線電路基板之剖視圖，且係沿著A-A線之左 右方向剖視圖。
圖3A~圖3F係圖2所示之配線電路基板之製造方法之步驟圖，圖3A表示於剝離層之上表面形成籽晶層之步驟(1)，圖3B表示於籽晶層之上表面形成抗鍍敷層之步驟，圖3C表示於籽晶層之上表面形成導體圖案之步驟(2)，圖3D表示藉由絕緣層被覆籽晶層及導體圖案之步驟(3)，圖3E表示將剝離層自籽晶層剝離之步驟(4)，圖3F表示將籽晶層去除之步驟(5)。
圖4A~圖4C表示將具備圖1所示之配線電路基板之配戴式器件貼附於手腕之內側部分之皮膚之態樣，圖4A表示手腕未伸展及彎曲之狀態，圖4B表示手腕伸展之狀態，圖4C表示手腕彎曲之狀態。
圖5表示一實施形態之變化例之配線電路基板(導體圖案之上表面與絕緣層之上表面成為同一平面之態樣)之放大剖視圖。
圖6表示一實施形態之變化例之配線電路基板(導體圖案之上表面相對於絕緣層之上表面位於上側之態樣)之放大剖視圖。
圖7表示一實施形態之變化例之配線電路基板(導體圖案具有剖面大致錐形狀之態樣)之放大剖視圖。
於圖2中，紙面左右方向為左右方向(第1方向)，紙面左側為左側(第1方向一側)，紙面右側為右側(第1方向另一側)。於圖2中，紙面上下方向為上下方向(與第1方向正交之第2方向、厚度方向)，紙面上側為上側(第2方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第2方向另一側、厚度方向另一側)。於圖2中，紙面進深方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向、長邊方向(參照圖1))，紙面近前側為前側(第3方向一側、長邊方向一側)，紙面裏側為後側(第3方向另一側、長邊方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
再者，於圖4A~圖4C中，為了明確示出配線電路基板1(下述)之 形狀，省略感測器18及記憶體25(下述)。
1.配線電路基板
如圖1及圖2所示，本發明之一實施形態之配線電路基板1具備絕緣層2、及嵌埋入至絕緣層2之導體圖案3。
1-1.絕緣層
如圖1所示，絕緣層2具有與配線電路基板1之外形形狀相同之外形形狀。具體而言，絕緣層2具有沿前後方向延伸之俯視大致矩形之膜(片)形狀。如圖2所示，絕緣層2具備平坦之下表面10、及於下表面10之上側隔開間隔而與之對向之上表面11。又，絕緣層2具備與導體圖案3對應之複數個槽部4。複數個槽部4之各者朝向上方開放。
絕緣層2例如係由下述滿足耐折次數之絕緣材料形成。作為絕緣材料，例如可列舉聚胺基甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂(意指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂，以下同義)、胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚烯烴系樹脂(具體而言，聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂等)、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氟系樹脂、苯乙烯系樹脂、丁二烯系樹脂、異丁烯系樹脂等。絕緣材料可單獨使用或亦可組合2種以上。
作為絕緣材料，為了獲得兼具柔軟性與韌性之特性，較佳為列舉聚胺基甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂，就獲得優異之耐折性之觀點而言，更佳為列舉胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂。
胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂係紫外線硬化性樹脂，例如藉由調配包含多元醇、聚異氰酸酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯之原料，於存在光聚合起始劑之情形下使其等反應而獲得。具體而言，調配上述原料及光聚合起始劑而製備混合物，並對混合物照射紫外線而使之硬化。
聚矽氧系樹脂係熱硬化性樹脂，例如可列舉聚二甲基矽氧烷、聚甲基苯基矽氧烷、聚二苯基矽氧烷等，較佳為列舉聚二甲基矽氧烷。
絕緣層2之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為10次以上，較佳為100次以上，更佳為1,000次以上，進而較佳為10,000次以上，又，例如為100,000次以下。於絕緣層2之耐折次數未達上述下限之情形時，於使配線電路基板1反覆伸縮時，無法抑制導體圖案3自絕緣層2剝離。
於以下實施例中對絕緣層2之耐折次數之測定方法之詳細內容進行詳細敍述。
絕緣層2之20℃下之拉伸儲存彈性模數E'例如為2,000MPa以下，較佳為1,000MPa以下，更佳為100MPa以下，進而較佳為50MPa以下，尤佳為20MPa以下，又，例如為0.1MPa以上，較佳為0.5MPa以上。
若絕緣層2之拉伸儲存彈性模數E'為上述上限以下，則可確保絕緣層2之優異之伸縮性。另一方面，若絕緣層2之拉伸儲存彈性模數E'為上述下限以上，則可確保優異之韌性及優異之操作性。
絕緣層2之20℃下之拉伸儲存彈性模數E'係藉由於頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下對絕緣層2進行動態黏彈性測定而求出。
絕緣層2之厚度T0例如為5μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為1,000μm以下，較佳為300μm以下。
如圖2所示，絕緣層2之厚度T0係於在厚度方向上投影時未與導體圖案3重合之區域中之絕緣層2之下表面10與上表面11之厚度方向上之距離T0。
絕緣層2之厚度T0與配線電路基板1之厚度相同。
1-2.導體圖案
如圖1及圖2所示，導體圖案3係以於在厚度方向上投影時包含於絕緣層2之投影面之方式配置。導體圖案3一體地具備沿前後方向延伸之配線5、及連接於配線5之前後兩端部之各者之端子6。
配線5於左右方向上隔開間隔設置有複數條。複數條配線5之各者具有大致波形(或正弦波形)形狀。
端子6於配線電路基板1之前端部及後端部之各者設置有複數個。又，複數個端子6之各者係以連接於配線5之前後兩端部之方式設置。複數個端子6之各者為具有俯視大致矩形狀之焊墊。
如圖2所示，導體圖案3(具體而言，配線5)具有剖面大致矩形狀，具體而言，一體地具有作為露出面之一例之上表面7、作為相對於上表面7於下側(厚度方向另一側之一例)隔開間隔而對向配置之對向面之一例之下表面8、及作為將上表面7之周端部及下表面8之周端部連結之連結面之一例之側面9。導體圖案3係以自絕緣層2之上表面11露出之方式嵌埋入槽部4。
導體圖案3之上表面7相對於絕緣層2之上表面11位於下側(厚度方向另一側之一例)。由導體圖案3之上表面7與較上表面7更靠上側之槽部4之內側面形成相對於絕緣層2之上表面11之階差部21。又，導體圖案3之上表面7係相對於絕緣層2之上表面11平行之面，並且係沿前後方向延伸之平坦面。進而，導體圖案3之上表面7係自絕緣層2之上表面11露出之露出面。
導體圖案3之下表面8係與導體圖案3之上表面7平行之平坦面。導體圖案3之下表面8由絕緣層2之槽部4之內側面被覆。具體而言，導體圖案3之下表面8與絕緣層2之槽部4直接接觸。
導體圖案3之側面9係沿著厚度方向(上下方向)之面，並且由絕緣層2之槽部4之內側面被覆。導體圖案3之側面9與絕緣層2之槽部4直接接觸。
導體圖案3例如係由銅、鎳、金、及其等之合金等導體材料等形成。作為導體材料，較佳為列舉銅。
導體圖案3之尺寸係根據用途及目的而適當設定，並無特別限定。複數條配線5之各者之左右方向長度(寬度)例如為12μm以上，較佳為15μm以上，又，例如為1,000μm以下，較佳為750μm以下，相鄰之配線5間之間隔例如為12μm以上，較佳為15μm以上，又，例如為10,000μm以下，較佳為7,500μm以下，又，前後方向長度(長度)例如為10mm以上，較佳為20mm以上，又，例如為250mm以下，較佳為100mm以下。複數個端子6之左右方向長度及前後方向長度例如為100μm以上，較佳為200μm以上，又，例如為10,000μm以下，較佳為5,000μm以下，相鄰之端子6間之間隔例如為50μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為10,000μm以下，較佳為5,000μm以下。
又，導體圖案3之平面面積S1(於在厚度方向上投影時之投影面積)相對於絕緣層2之平面面積S0之比(S1/S0)、即於在厚度方向上投影時之導體圖案3占絕緣層2之比率例如為70%以下，較佳為60%以下，例如為1%以上，較佳為3%以上。若S1/S0為上述上限以下，則配線電路基板1之伸縮性優異。
導體圖案3之厚度T1(上表面7與下表面8之厚度方向上之距離T1)、即配線5及端子6之各者之厚度T1例如為0.3μm以上，較佳為0.8μm以上，更佳為1.0μm以上，又，例如為112μm以下，較佳為75μm以下，更佳為40μm以下。若導體圖案3之厚度T1為上述下限以上，則可提高導體圖案3對絕緣層2之密接力，從而可抑制導體圖案3自絕緣層2剝離。
導體圖案3之厚度T1相對於絕緣層2之厚度T0之比(T1/T0)例如未達1，較佳為0.9以下，更佳為0.8以下，又，例如為0.05以上，較佳為0.1以上，更佳為0.2以上。若T1/T0為上述下限以上，則可實現配線電 路基板1之薄型化。
再者，位於導體圖案3之下方之絕緣層2之厚度T2、即於厚度方向上與導體圖案3對向之絕緣層2之厚度T2例如為200μm以下，較佳為150μm以下，更佳為10μm以下，又，例如為5μm以上。
位於導體圖案3之下方之絕緣層2之厚度T2相對於絕緣層2之厚度T0之比(T2/T0)例如為0.95以下，較佳為0.85以下，更佳為0.75以下，又，例如為0.1以上。若T2/T0為上述上限以下，則可確保導體圖案3對絕緣層2之密接力，並實現配線電路基板1之薄型化。
又，導體圖案3之厚度T1相對於位於導體圖案3之下方之絕緣層2之厚度T2之比(T1/T2)例如為0.05以上，較佳為0.1以上，又，例如為0.9以下，較佳為0.8以下。若T1/T2為上述下限以上，則可實現配線電路基板1之薄型化。
又，導體圖案3之上表面7與絕緣層2之上表面11於厚度方向上之距離T6、即上述階差部21之深度T6例如為0.5μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為10μm以下，較佳為5μm以下。
階差部21之深度T6相對於絕緣層2之厚度T0之比(T6/T0)例如為0.01以上，較佳為0.03以上，又，例如為0.5以下，較佳為0.3以下。若T6/T0為上述下限以上，則可充分地確保下述步驟(5)中之將籽晶層15去除之時間，因此可抑制相鄰之導體圖案3彼此經由籽晶層15之短路。
又，導體圖案3之厚度T1與階差部21之深度T6之和(T1+T6)為槽部4之深度，例如為1μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為300μm以下，較佳為100μm以下。
又，槽部4之深度(T1+T6)相對於絕緣層2之厚度T0之比((T1+T6)/T0)例如為0.1以上，較佳為0.2以上，又，例如為0.9以下，較佳為0.8以下。若上述比為上述下限以上，則可確保導體圖案3對絕緣層2 之密接力，並實現配線電路基板1之薄型化。
2.配線電路基板之製造方法
繼而，參照圖3A~圖3F對配線電路基板1之製造方法進行說明。
該製造方法具備於剝離層16之上表面(厚度方向一面之一例)形成籽晶層15之步驟(1)(參照圖3A)、於籽晶層15之上表面(厚度方向一面之一例)形成導體圖案3之步驟(2)(參照圖3B及圖3C)、藉由絕緣層2被覆籽晶層15及導體圖案3之步驟(3)(參照圖3D)、將剝離層16自籽晶層15剝離之步驟(4)(參照圖3E)、及將籽晶層15去除之步驟(5)(參照圖3F)。
又，利用該製造方法並以例如輥對輥法或者單片(分批)方式製造配線電路基板1。
以下，對各步驟進行說明。
2-1.步驟(1)
於步驟(1)中，如圖3A所示，於剝離層16之上表面(厚度方向一面之一例)形成籽晶層15。
籽晶層15例如係由鉻、金、銀、鉑、鎳、鈦、矽、錳、鋯、及其等之合金或其等之氧化物等金屬材料形成。作為金屬材料，較佳為列舉銅。
剝離層16只要為相對於籽晶層15可剝離地予以支持之支持層，則並無特別限定，例如可列舉樹脂層、金屬層等，較佳為列舉金屬層。金屬層例如係由不鏽鋼、鋁、42合金等金屬材料以片形狀而形成。作為金屬材料，較佳為列舉不鏽鋼。剝離層16之厚度例如為18μm以上，較佳為30μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。
於在剝離層16之上表面形成籽晶層15時，使用例如鍍敷等濕式製程、例如蒸鍍、濺鍍等乾式製程等。藉由較佳為鍍敷、更佳為電解 鍍敷於剝離層16之上表面形成籽晶層15。
籽晶層15形成於剝離層16之整個上表面。
籽晶層15之厚度例如為0.03μm以上，較佳為0.3μm以上，又，例如為5μm以下，較佳為3μm以下。
2-2.步驟(2)
步驟(2)於步驟(1)之後實施。於步驟(2)中，如圖3C所示，於籽晶層15之上表面形成導體圖案3。
如圖3B及圖3C所示，較佳為藉由加成法於籽晶層15之上表面形成導體圖案3。
具體而言，首先，如圖3B所示，利用乾膜抗蝕劑以導體圖案3之相反圖案於籽晶層15之上表面形成抗鍍敷層17。繼而，如圖3C所示，藉由自籽晶層15供電之電解鍍敷而將導體圖案3積層於自抗鍍敷層17露出之籽晶層15之上表面。其後，例如使用剝離液將圖3C之假想線所示之抗鍍敷層17去除。
導體圖案3具有與籽晶層15之上表面相連之形狀。
2-3.步驟(3)
步驟(3)於步驟(2)之後實施。於步驟(3)中，如圖3D所示，藉由絕緣層2將籽晶層15及導體圖案3被覆。
例如，準備包含預先形成為片形狀之半固體形狀或固體形狀(更具體而言，B階段)之絕緣材料之絕緣層2，繼而，將其壓接或轉印至籽晶層15及導體圖案3。或者，將液體狀(更具體而言，A階段)之絕緣材料(清漆等)塗佈於籽晶層15及導體圖案3。
其後，若半固體形狀或固體形狀之絕緣材料、或者液體狀之絕緣材料為未硬化狀態(A階段狀態或B階段狀態)，則藉由紫外線照射或加熱使絕緣材料硬化(C階段化)。
藉此，於籽晶層15之上表面，填充至導體圖案3間、及導體圖案 3之外側之絕緣層2以被覆導體圖案3及籽晶層15之方式形成。具體而言，絕緣層2被覆籽晶層15之上表面、導體圖案3之對向面8(於圖3D中相當於上表面8，另一方面，於圖2中相當於下表面8)及側面9。再者，於絕緣層2中，被覆導體圖案3之對向面8及側面9之部分為槽部4。
2-4.步驟(4)
步驟(4)於步驟(3)之後實施。於步驟(4)中，如圖3E所示，將剝離層16自籽晶層15剝離。
具體而言，如圖3D之假想線所示，一面使剝離層16向下方撓曲，一面將其自籽晶層15剝離。例如固持剝離層16之右端部，將其向下方下拉，使剝離層16以向下方彎曲之方式撓曲，藉此將剝離層16之右端部、左右方向中央部及左端部分別自籽晶層15之下表面之右端部、左右方向中央部及左端部依序剝離。
2-5.步驟(5)
步驟(5)於步驟(4)之後實施。於步驟(5)中，如圖3F所示，將籽晶層15去除。
例如，藉由濕式蝕刻等蝕刻將籽晶層15去除。
伴隨著籽晶層15之去除，填充至槽部4之導體圖案3之下端部被去除。藉此，形成階差部21。所要去除之導體圖案3之下端部之厚度T6與上述階差部21之深度T6相同。
藉由上述步驟(1)~步驟(5)獲得圖1及圖2所示之配線電路基板1。
3.配戴式器件
繼而，對具備上述配線電路基板1之配戴式器件20進行說明。
如圖1所示，配戴式器件20具備配線電路基板1、感測器18(假想線)、及記憶體25(假想線)。
再者，如圖2之假想線所示，視需要於配線電路基板1設置有被 覆層19及感壓接著層23。被覆層19係以被覆配線5之方式形成於絕緣層2之上表面11，且係由絕緣層2中所例示之絕緣材料等形成。感壓接著層23設置於絕緣層2之下表面。
感測器18例如係可測定使用者之脈搏、體溫等資料之測定機構。感測器18與配線電路基板1中之前端部之端子6電性連接。
記憶體25係可記憶感測器18所測得之資料之記憶機構。記憶體25與配線電路基板1中之後端部之端子6電性連接。
該配戴式器件20例如係如圖4A所示般藉由感壓接著層23貼附(安裝)於使用者之手腕24之內側部分之皮膚。
該配戴式器件20柔軟地追隨於圖4B所示般之手腕24之伸展(向手背側之移動)、及圖4C所示般之手腕24之彎曲(向手掌之移動)。
具體而言，如圖4B所示，藉由手腕24之伸展而手腕24之內側部分之皮膚伸長，從而配戴式器件20之配線電路基板1以追隨於皮膚伸長之方式伸長。
另一方面，如圖4C所示，藉由手腕24之彎曲而手腕24之內側部分之皮膚彎曲，從而配戴式器件20之配線電路基板1以追隨於皮膚彎曲之方式彎曲。
4.作用效果
於該配線電路基板1中，絕緣層2之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為上述下限以上，因此配線電路基板1之伸縮性優異。
又，於該配線電路基板1中，若絕緣層2係由選自由聚胺基甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氟系樹脂、苯乙烯系樹脂、丁二烯系樹脂、及異丁烯系樹脂所組成之群中之至少1種絕緣材料形成，則絕緣層2可兼具柔軟性與韌性。因此，配線電路基板1之伸縮性及可靠性優 異。
5.變化例
於變化例中，對與一實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於一實施形態中，配戴式器件20具備配線電路基板1，但配線電路基板1之用途並無特別限定，較佳為用於要求伸縮性之用途。
於一實施形態中，如圖2所示，導體圖案3之上表面7相對於絕緣層2之上表面11位於下側，例如，如圖5所示，亦可與絕緣層2之上表面11位於同一平面。
即，如圖5所示，導體圖案3之上表面7與絕緣層2之上表面11於在面方向(前後方向及左右方向)上投影時位於相同位置。藉此，導體圖案3之上表面7與絕緣層2之上表面11形成單一之平坦面。即，未於配線電路基板1之上表面形成一實施形態中之階差部21(參照圖2)。
為了獲得圖5所示之配線電路基板1，於步驟(5)(參照圖3F)中，以僅去除籽晶層15而不去除填充至槽部4之導體圖案3之下端部之方式對蝕刻時間進行調整。
藉由圖5所示之配線電路基板1，亦可發揮與一實施形態之配線電路基板1相同之作用效果。
另一方面，一實施形態之配線電路基板1相對於圖5所示之配線電路基板1，就抑制與輥之黏連之觀點而言較佳。
即，若為圖2所示般之一實施形態之配線電路基板1，則於利用輥對輥法製造並使配線電路基板1之上表面與輥(未圖示)對向之情形時，與圖5所示之配線電路基板1不同而可於導體圖案3之上表面7與輥之表面之間設置空隙(間隙)。並且，可減小配線電路基板1之上表面之與輥之接觸面積。因此，圖2所示般之一實施形態之配線電路基板1與圖5所示之配線電路基板1相比，可抑制與輥之黏連。
另一方面，如圖6所示，導體圖案3之上表面7亦可相對於絕緣層2之上表面11位於上側。
於圖6所示之配線電路基板1中，導體圖案3之上端部相對於絕緣層2之上表面11朝向上側突起，另一方面，下端部及中央部嵌埋入至絕緣層2。
導體圖案3之嵌埋入深度T4(即，導體圖案3之下表面8與絕緣層2之上表面11於厚度方向上之距離T4)、導體圖案3之突起長度T5(即，導體圖案3之上表面7與絕緣層2之上表面11於厚度方向上之距離T5)、及導體圖案3之嵌埋入深度T4相對於突起長度T5之比(T4/T5)係根據用途及目的而適當設定。
為了獲得圖6所示之配線電路基板1，於步驟(5)(參照圖3E及圖3F)中，首先，將乾膜抗蝕劑(未圖示)積層於籽晶層15之下表面，繼而，藉由曝光及顯影自乾膜抗蝕劑形成與導體圖案3相同圖案之蝕刻阻劑(未圖示)，其後，僅將自蝕刻阻劑露出之籽晶層15去除。其後，將蝕刻阻劑去除。
圖6所示之配線電路基板1亦可發揮與一實施形態中之圖2所示之配線電路基板1相同之作用效果。
另一方面，就抑制導體圖案3間之短路之觀點而言，圖2及圖5所示之配線電路基板1與圖6所示之配線電路基板1相比較佳。
圖2及圖5所示之配線電路基板1與圖6所示之配線電路基板1不同，導體圖案3之上表面7相對於絕緣層2之上表面11位於下側或者相同位置，因此可抑制導體圖案3間之短路。
於一實施形態中，如圖2所示，導體圖案3具有剖面大致矩形狀，但例如亦可如圖7所示具有剖面大致錐形狀。
於圖7中，導體圖案3具有左右方向長度(寬度)朝向上側逐漸變短(變窄)之剖面大致錐形狀。
即，於左右方向上相互對向之側面9以隨著向上側前進而靠近之方式傾斜。
配線5之下表面8之左右方向長度(寬度)相對於配線5之上表面7之左右方向長度(寬度)例如為101%以上，較佳為105%以上，又，例如為145%以下。
並且，根據圖7所示之配線電路基板1，藉由導體圖案3對絕緣層2之投錨效應，可進一步提高導體圖案3對絕緣層2之密接力。
又，於一實施形態中，如圖2之假想線所示，於配線電路基板1設置感壓接著層23，經由感壓接著層23將絕緣層2貼附於使用者之手腕24之內側部分之皮膚，但例如亦可不設置感壓接著層23而直接將配線電路基板1之絕緣層2貼附(貼合)於使用者之手腕24之內側部分之皮膚。
實施例
以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可代替上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等對應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1
準備包含不鏽鋼且厚度50μm之剝離層16，繼而，藉由電解鍍銅於剝離層16之上表面形成包含銅且厚度1.0μm之籽晶層15(步驟(1)、參照圖3A)。
繼而，將乾膜抗蝕劑積層於籽晶層15之整個上表面，繼而，對乾膜抗蝕劑進行曝光及顯影，藉此於籽晶層15之上表面以導體圖案3之相反圖案形成抗鍍敷層17(參照圖3B)。繼而，藉由自籽晶層15供電之電解鍍銅將包含銅且厚度3μm之導體圖案3積層於籽晶層15之上表面。其後，如圖3C所示，使用剝離液將抗鍍敷層17去除(參照圖3C之 假想線、步驟(2))。
複數條配線5之各者之左右方向長度為50μm，前後方向長度為60mm，相鄰之配線5間之間隔為4,050μm，複數個端子6之左右方向長度及前後方向長度為4,000μm，相鄰之端子6間之間隔為100μm。導體圖案3之平面面積S1為70mm2。
另外，將根據表1所記載之「絕緣材料」之「詳細內容」欄所記載之配方而製備之混合物(胺基甲酸酯-丙烯酸系樹脂)之清漆塗佈於籽晶層15及導體圖案3。其後，使用高壓水銀燈對A階段狀態及B階段狀態之清漆照射紫外線(照度340mW/cm2、光量4,000mJ/cm2)，使清漆硬化(C階段化)而形成絕緣層2(步驟(3)、參照圖3D)。
絕緣層2之厚度T0為10μm。又，與導體圖案3對向之絕緣層2之厚度T2為7μm。槽部4之深度為3μm。槽部4之深度(相當於下述T1+T6)相當於絕緣層2之厚度T0之比((T1+T6)/T0)為0.3。絕緣層2之平面面積S0為1,600mm2，S1/S0為4.375%。
繼而，將剝離層16自籽晶層15剝離(步驟(4)、參照圖3E)。
其後，藉由濕式蝕刻將籽晶層15去除(步驟(5)、參照圖3F)。進而，伴隨著籽晶層15之去除，填充至槽部4之導體圖案3之下端部被去除。
被去除之導體圖案3之下端部之厚度T6為2μm。導體圖案3之厚度T1為1μm。T1/T2為0.143，T6/T0為0.2，T1/T0為0.1，T2/T0為0.7。
藉此，獲得具備絕緣層2及導體圖案3之配線電路基板1(參照圖1及圖2)。
實施例2~7及比較例1、2
根據表1之記載變更導體圖案3之尺寸及配置、絕緣材料之種類、詳細內容及硬化條件等，除此以外，以與實施例1相同之方式進 行處理而獲得配線電路基板1(參照圖2及圖6)。
再者，於實施例7中，以與導體圖案3相同之圖案形成蝕刻阻劑，其後，僅將自蝕刻阻劑露出之籽晶層15去除，其後，將蝕刻阻劑去除。藉此，於實施例6中，導體圖案3之上表面7相對於絕緣層2之上表面11位於上側。
[評價]
對下述項目進行評價。將其等之結果示於表1。
(1)絕緣層
(1-1)拉伸儲存彈性模數E'
僅針對各實施例及各比較例之絕緣層2，藉由動態黏彈性測定(DMA法)於溫度範圍-10~260℃、頻率1Hz及升溫速度10℃/min之條件下測定20℃下之拉伸儲存彈性模數E'。
(1-2)MIT試驗(耐折性)
僅針對各實施例及各比較例之絕緣層2，於依據JIS P8115(2001年)之下述條件下實施MIT試驗(耐折性試驗)，數出耐折次數。並且，依據下述基準對耐折性進行評價。
(條件)
試驗片尺寸：寬度15mm、長度110mm
試驗速度：175cpm
彎曲角度：135°
負載：1.0kgf
彎曲夾具之R：0.38mm
彎曲夾具之開度：0.25mm
(基準)
○：耐折次數為10次以上
×：耐折次數未達10次
(2)配線電路基板
(2-1)密接性
將黏著帶(No.360UL、日東電工公司製造)貼合於各實施例及各比較例之配線電路基板1之上表面，其後，將黏著帶自配線電路基板1剝離。繼而，重複進行上述貼合及剝離之動作。並且，求出導體圖案3自絕緣層2剝離所需之次數，並依據下述基準對密接性進行評價。
◎：次數為3以上
○：次數為1或2
△：次數為0
(2-2)短路
將探針抵接於電性獨立且互為相鄰之2條配線，並使用數位萬用表(ADVANTEST R6552 DIGITAL MULTIMETER)之2端子電阻模式，基於數位萬用表之電阻值確認有無導通。
若有導通，則表示配線間存在短路(short)，若無導通，則表示配線間不存在短路。
．於有導通之情形時，數位萬用表之液晶顯示部顯示某些數值(數字)。
．於無導通之情形時，數位萬用表之液晶顯示部顯示「.OL」(意指OverLoad(過載))。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其不過為例示，不應限定性地解釋。該技術領域之業者所明瞭之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。
[產業上之可利用性]
藉由配線電路基板之製造方法而獲得之配線電路基板例如用於配戴式器件。
2‧‧‧絕緣層
3‧‧‧導體圖案
4‧‧‧槽部
5‧‧‧配線
7‧‧‧上表面
8‧‧‧下表面
9‧‧‧側面
10‧‧‧下表面
11‧‧‧上表面
15‧‧‧籽晶層
16‧‧‧剝離層
17‧‧‧抗鍍敷層
21‧‧‧階差部
T0‧‧‧絕緣層之厚度
T1‧‧‧導體圖案之厚度
T2‧‧‧位於導體圖案之下方之絕緣層之厚度(與導體圖案對向之絕緣層之厚度)
T6‧‧‧階差部之深度

Claims (2)

  1. 一種配線電路基板之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其於剝離層之厚度方向一面形成籽晶層；步驟(2)，其於上述籽晶層之厚度方向一面形成導體圖案；步驟(3)，其藉由絕緣層被覆上述籽晶層及上述導體圖案；步驟(4)，其將上述剝離層自上述籽晶層剝離；及步驟(5)，其將上述籽晶層去除；上述絕緣層之依據JIS P8115(2001年)所測得之耐折次數為10次以上。
  2. 如請求項1之配線電路基板之製造方法，其中上述絕緣層係由選自由聚胺基甲酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯-(甲基)丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、氟系樹脂、苯乙烯系樹脂、丁二烯系樹脂、及異丁烯系樹脂所組成之群中之至少1種絕緣材料形成。
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