TWI772364B - 利用種子層的電路形成方法及用於選擇性蝕刻種子層的蝕刻液組合物 - Google Patents

利用種子層的電路形成方法及用於選擇性蝕刻種子層的蝕刻液組合物 Download PDF

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Abstract

本發明涉及一種利用種子層的電路形成方法，本發明的利用種子層的 電路形成方法的特徵在於，能夠實現微細間隔，且能增大電路的附著力，能夠防止遷移現象。

Description

利用種子層的電路形成方法及用於選擇性蝕刻種子層的 蝕刻液組合物
本發明涉及一種利用種子層的電路形成方法，更為詳細地涉及一種保證附著力的同時能夠實現微細線寬，且在製程中能夠將電路損傷最小化的利用種子層的電路形成方法。
一般來講，電路形成方法大多使用採用感光性薄膜進行曝光及蝕刻的光刻製程。光刻製程為如下的方法：即，首先在襯底上形成導電性物質的鍍覆層後，在鍍覆層上塗覆感光性物質並進行曝光及蝕刻，從而在襯底上形成導電性物質圖案。但在這種光刻製程的情況下，可實現的間隔為大約35μm，因此形成微細電路圖案有一定的局限性。
此外，為了實現更微細的間隔，開發有一種半加成工藝(SAP，Semi Additive Process)方式。該方法為在聚醯胺PI薄膜上形成銅材質種子層後，採用感光性薄膜形成圖案，並在所形成的圖案內鍍覆銅等導電性物質後，去除感光性薄膜，並且去除暴露在形成電路的導電性圖案以外區域中的種子層而形成電路圖案。
但是，在SAP方式的情況下，在薄膜和導電性圖案之間存在種子層，因此附著力差，並且當去除感光性薄膜後未能完全去除暴露的種子層時，佈線之間的遷移成為問題。
另外，一般來講，種子層和電路均由銅(Cu)來構成，當通過物理方式去除種子層時，會產生電路損傷而導致不良。此外，種子層和導電性圖案由相同的材質來構成，因此具有難以通過蝕刻等化學方法來去除的問題。
此外，為了應對印刷電路板的薄板化，通過去除有芯基板來減小整體厚度，且能縮短信號處理時間的無芯基板備受關注。
在無芯基板的情況下，由於不使用有芯基板，因此在製造工藝中需要一種能夠起到支撐體作用的載體部件。在載體部件的兩面上依照通常的電路板製備方法形成包括電路層及絕緣層的集結(build up)層後，去除載體部件即可分成上部電路板和下部電路板並完成無芯基板。
在無芯基板的製造工藝中採用SAP方式時，要求一種去除載體部件並分離集結層後去除種子層的製程，當通過物理方式去除種子層時，會產生電路損傷而導致不良。
此外，當通過如蝕刻的化學方法去除種子層時，因種子層和電路均由銅材質構成，因此在種子層的蝕刻過程中，會損傷電路的暴露表面。尤其，這種電路的表面損傷在電子部件封裝製程中會引發接觸不良，因此具有製造工藝收率較低的問題。
此外，作為蝕刻金屬佈線或薄膜的方法，至今最為普遍採用的方法分為等離子處理方法和利用蝕刻溶液的方法，在使用蝕刻溶液的情況下，蝕刻溶液一般由磷酸、硝酸、醋酸、鹽酸、硫酸、氨、磷酸鐵、硝酸鐵、硫酸鐵、 鹽酸鐵、氯酸鈉及水來構成，因此當使用蝕刻溶液時，不僅對銀進行蝕刻，還對其他金屬、金屬合金或金屬化合物同時進行蝕刻，因此會損傷金屬電路層。因此具有形成蝕刻因數(Etch factor)較低的不良圖案的缺點。
專利文獻1：KR10-2010-0043547A(2010年4月29日)
因此，本發明是為了解決如上所述之以往問題而提出的，其目的是提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法能夠實現微細電路間隔，且附著力較好，並且能夠將遷移發生最少化。
此外，本發明提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法採用只能溶解種子層的蝕刻液，選擇性地只溶解種子層，從而去除種子層。
因此，本發明提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法可通過簡單的方法只去除種子層，從而能夠防止導電性圖案的損傷，因此能夠減少製程中的不良。
此外，本發明的目的是提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法能夠將SAP方法應用在無芯基板製造工藝中，從而實現電路基板的高密度及薄板化的同時，在種子層的去除過程中能夠防止電路損傷。
此外，本發明的目的是提供一種蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物將金屬電路層的去除抑制到最小，只對銀、銀合金或銀化合物選擇性地進行蝕刻，從而不會損傷金屬電路層，且蝕刻因數(Etch factor)較高。
所述目的通過本發明的利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：種子層形成步驟，由第一導電性物質來構成；圖案層形成步驟，在所述種子層上形成設置有圖案槽的圖案層， 以使所述種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，通過鍍覆製程在所述圖案槽中填充第二導電性物質；樹脂層形成步驟，在所述圖案層上形成樹脂層；及種子層去除步驟，去除所述種子層，所述第一導電性物質和第二導電性物質由彼此不同的材質構成。
在此，在所述種子層去除步驟中，所述種子層通過能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液被去除。
此外，所述第一導電性物質可由銀(Ag)材質構成，所述第二導電性物質由銅(Cu)材質構成。
此外，所述種子層設置在離型膜上，在所述圖案層形成步驟中，所述圖案層由感光性薄膜來構成，且通過光刻製程形成圖案槽，在所述鍍覆步驟和所述樹脂層形成步驟之間進一步包括：圖案層去除步驟，去除所述圖案層，在所述種子層去除步驟中通過去除所述種子層來分離所述離型膜。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，所述種子層設置在離型膜上，在所述圖案層形成步驟中，所述圖案層由感光性薄膜來構成，並形成有圖案槽，在所述種子層去除步驟中通過去除所述種子層來分離所述離型膜。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：種子層形成步驟，在離型膜的一面上形成由銀(Ag)材質構成的種子層；保護層形成步驟，在所述種子層上形成種子保護層；圖案形成步驟，在所述離型膜的另一面上形成選擇性暴露種子層的圖案槽；鍍覆步驟，在所述圖案槽中填充銅材質導電性物質；絕緣層形成步驟，在填充有所述導電性物質的離型膜上形成絕緣層；及種子層去除步驟，採用能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液來去除所述種子層，從而分離所述保護層。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：樹脂層形成步驟，在銀(Ag)材質種子層上形成樹脂層；圖案形成步驟，在所述樹脂層上形成圖案槽，以使所述種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，在所述圖案槽中填充銅(Cu)材質導電性物質；絕緣層形成步驟，在所述樹脂層上形成絕緣層；及種子層去除步驟，採用能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液來去除所述種子層。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：第一樹脂層形成步驟，在由銀(Ag)材質構成的種子層上形成第一樹脂層；圖案形成步驟，在所述第一樹脂層上形成圖案槽，以使所述種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，在所述圖案槽中填充導電性物質；第一樹脂層去除步驟去除所述第一樹脂層；第二樹脂層形成步驟，在去除所述第一樹脂層後暴露所述導電性物質的種子層上形成第二樹脂層，以免暴露所述導電性物質；及種子層去除步驟，採用能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液來去除所述種子層。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：種子層形成步驟，在離型膜上形成銀(Ag)材質種子層；保護層形成步驟，在所述種子層上形成保護層；發泡片層形成步驟，在所述保護層上形成發泡片層；離型膜去除步驟，去除所述離型膜；圖案層形成步驟，在所述種子層上塗覆感光性物質；圖案槽形成步驟，在所述圖案層上形成圖案槽，以使所述種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，在所述圖案槽內填充銅(Cu)材質導電性物質；去除步驟，去除所述圖案層；樹脂層形成步驟，在去除所述圖案層的種子層上形成樹脂層；發泡邊層去除步驟，去除所述發泡片層；及種子層去除步驟，採用能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液來去除所述種子層，從而分離所述保護層。
在此，優選在所述圖案層形成步驟之前進一步包括：保護層形成步驟，在所述種子層上形成保護層。
此外，在所述種子層去除步驟之前優選進一步包括通孔形成步驟，所述通孔形成步驟在填充有所述導電性物質的區域以外的區域上形成用於貫穿所述種子層的通孔。此時，由於只能溶解種子層的蝕刻液能夠更加容易地與種子層接觸，因此去除種子層的速度加快，因此優選。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：第一種子層形成步驟，在載體部件的兩側面上由第一導電性物質形成第一種子層；第一電路圖案形成步驟，在所述第一種子層上形成設置有圖案槽的圖案層，以使所述第一種子層選擇性暴露，且在所述圖案槽中鍍覆第二導電性物質來形成第一電路圖案；樹脂層形成步驟，在所述第一電路圖案上形成樹脂層；及第一種子層去除步驟，通過蝕刻所述第一種子層來分離所述載體部件，所述第一導電性物質和所述第二導電性物質由彼此不同的材質構成。
在此，優選在所述第一種子層去除步驟中，採用只能溶解所述第一導電性物質的蝕刻液來溶解第一種子層並去除第一種子層。
此外，優選所述第一導電性物質由銀(Ag)材質構成，所述第二導電性物質由銅(Cu)材質構成。
此外，優選在所述第一電路圖案形成步驟中，所述圖案層由感光性薄膜構成，並且通過光刻製程形成圖案槽，在鍍覆第二導電性物質後去除圖案層。
此外，優選在所述樹脂層形成步驟和第一種子層去除步驟之間進一步包括：第二種子層形成步驟，在所述樹脂層上由第一導電性物質形成第二種子層；及第二電路圖案形成步驟，在所述第二種子層上形成設置有圖案槽的 圖案層，以使所述第一種子層選擇性暴露，且在所述圖案槽中鍍覆第二導電性物質來形成第二電路圖案。
此外，優選在所述第二電路圖案形成步驟中，所述圖案層包括包覆所述第二種子層上面邊框的邊框圖案。
此外，優選進一步包括：第二種子層構圖步驟，去除通過所述第二電路圖案暴露的第二種子層。
此外，優選在所述第二電路圖案形成步驟中，鍍覆所述第二導電性物質後去除圖案層。
此外，優選進一步包括：保護膜形成步驟，在所述第二電路圖案上形成保護膜，並包覆所述第二種子層的暴露表面。
此外，優選進一步包括：保護膜去除步驟，在所述第一種子層去除步驟後去除所述保護膜。
此外，優選在所述樹脂層形成步驟和第二種子層形成步驟之間，進一步包括：過孔形成步驟，形成用於貫穿所述第二種子層和樹脂層的過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露，所述第二種子層沿所述樹脂層的上面及過孔內壁面以膜的形式形成，並與第一電路圖案電連接。
此外，優選在所述第二種子層形成步驟和第二電路圖案形成步驟之間進一步包括：過孔形成步驟，形成用於貫穿所述第二種子層和樹脂層的過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露；及通電部形成步驟，在所述過孔中填充導電性物質來形成通電部，所述通電部用於使第一電路圖案和第二種子層電連接。
此外，優選在所述第二種子層形成步驟和過孔形成步驟之間進一步包括：保護層形成步驟，在所述第二種子層上形成保護層。
此外，優選在所述通電部形成步驟和第二電路圖案形成步驟之間進一步包括：保護層去除步驟，去除所述保護層。
所述目的通過利用種子層的電路形成方法來實現，所述利用種子層的電路形成方法的特徵在於，包括：第一種子層形成步驟，在載體部件的兩側面上由銀(Ag)材質第一導電性物質形成第一種子層；第一電路圖案形成步驟，在所述第一種子層上由銅(Cu)材質第二導電性物質形成第一電路圖案；第二種子層形成步驟，在額外設置的保護層的內側面上由銀(Ag)材質第一導電性物質形成第二種子層；樹脂層形成步驟，在所述第二種子層和第一電路圖案之間設置樹脂層；接合步驟，在第二種子層、樹脂層及第一電路圖案按順序配置的狀態下對其進行接合；過孔形成步驟，形成用於貫穿所述保護層、第二種子層及樹脂層的過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露；通電部形成步驟，在所述過孔中填充導電性物質來形成通電部，從而使第一電路圖案和第二種子層電連接；保護層去除步驟，去除所述保護層；第二電路圖案形成步驟，在所述第二種子層上由第二導電性物質形成第二電路圖案；及第一種子層去除步驟，採用只能溶解所述第一導電性物質的蝕刻液來去除第一種子層，從而分離所述載體部件，所述第一導電性物質和所述第二導電性物質由彼此不同的材質構成。
在此，優選在所述樹脂層形成步驟中，採用半固化狀態的熱固化樹脂來形成樹脂層，在所述接合步驟中，與提供壓力的同時提供熱量來對所述樹脂層進行固化。
此外，優選在所述樹脂層形成步驟中，通過在第二種子層的內側面上塗覆半固化狀態的熱固化樹脂，從而在第二種子層上接合設置所述樹脂層，在所述接合步驟中，與提供壓力的同時提供熱量來對所述樹脂層進行固化。
所述目的通過用於選擇性蝕刻種子層的蝕刻液組合物來實現，所述用於選擇性去除種子層的蝕刻液組合物在利用種子層的電路形成方法中使用， 氧化性氣體或過氧化物或過氧酸等的氧化劑1~30重量%；脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物1~15重量%；螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外用於提高蝕刻液的蝕刻性能而選擇的一種以上添加劑0.1~7重量%；及在共100重量%的蝕刻液組合物中以餘量包括的水。
在此，優選所述氧化劑包括：如空氣、氧氣及臭氧等的氧化性氣體；如過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物(Peroxides)；如甲酸(Formic acid)、過氧乙酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)；及過硫酸鉀(Potassium persulfate)中的至少一種。
此外，優選所述化合物包括乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-己醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1- 丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸銨(Ammonium carbonate)、磷酸銨(Ammonium phosphate)、硝酸銨(Ammonium nitrate)、氟化銨(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)中的至少一種。
根據本發明，提供一種能夠實現微細間隔的利用種子層的電路形成方法。
此外，提供一種附著力較好且能防止遷移現象的利用種子層的電路形成方法。
此外，提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法通過容易去除種子層，能夠防止導電性圖案的損傷，因此能夠減少製程中的不良。
此外，提供一種利用種子層的電路形成方法，該方法將SAP方法應用在無芯基板製造工藝中，因此能夠實現電路基板的高密度及薄板化的同時，在種子層的去除過程中防止電路損傷。
本發明的目的是提供一種蝕刻液組合物，該蝕刻液組合物將金屬電路層的去除抑制到最小，只對銀、銀合金或銀化合物選擇性地進行蝕刻，從而不會損傷金屬電路層，且蝕刻因數(Etch factor)較高。
1:離型膜
2:種子層
3:圖案層
4:圖案槽
5:電路圖案
6:樹脂層
7:保護層
8:絕緣層
11:第一樹脂層
12:第二樹脂層
13:發泡片層
20:通孔
31:載體部件
32:第一種子層
33:圖案層
34:第一電路圖案
35:樹脂層
36:第二種子層
37:保護層
38:過孔
39:通電部
40:圖案層
40a:邊框圖案
41:第二電路圖案
42:保護膜
圖1為表示根據本發明的一實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖2為本發明的圖1中每製程步驟的剖視圖，圖3為表示本發明的第一實施例的通孔形成步驟的簡略圖，圖4為表示根據本發明的第二實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖， 圖5為本發明的圖4中每製程步驟的剖視圖，圖6為表示根據本發明的第三實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖7為本發明的圖6中每製程步驟的剖視圖，圖8為表示根據本發明的第四實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖9為本發明的圖8中每製程步驟的剖視圖，圖10為表示根據本發明的第五實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖11為本發明的圖10中每製程步驟的剖視圖，圖12為表示根據本發明的第六實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖13為本發明的圖12中每製程步驟的剖視圖，圖14為表示根據本發明的第七實施例的利用種子層的電路形成方法的每製程步驟的剖視圖，圖15為表示根據本發明的第八實施例的利用種子層的電路形成方法的每製程步驟的剖視圖，圖16為表示根據本發明的第九實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖17為本發明的圖16中每製程步驟的剖視圖，圖18為表示根據本發明的第十實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖19為本發明的圖18中每製程步驟的剖視圖， 圖20為表示根據本發明的第十一實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖21為本發明的圖20中每製程步驟的剖視圖，圖22為表示根據本發明的第十二實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖23為本發明的圖22中每製程步驟的剖視圖。
下面，參照附圖，對本發明的一實施例的利用種子層的電路形成方法進行詳細說明。
圖1為表示根據本發明的一實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖2為本發明的圖1中每製程步驟的剖視圖，圖3為表示本發明的第一實施例的通孔形成步驟的簡略圖。
如圖1及圖2所示，本發明的一實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：種子層形成步驟S11，形成種子層2；圖案層形成步驟S12，在種子層2上形成圖案層3，圖案層3上形成有暴露種子層2的圖案槽4；鍍覆步驟S13，在圖案槽4內形成電路圖案5；圖案層去除步驟S14，去除圖案層3；樹脂層形成步驟S15，在去除圖案層3後的種子層2上形成樹脂層6；種子層去除步驟S16，去除種子層2。
在種子層形成步驟S11中，在離型膜1上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來準備種子層2。在圖案層形成步驟S12中，在準備好的種子層2上形成圖案層3。圖案層3由感光性物質來構成。在由感光性物質構成的圖案層3上將通 過光刻製程形成選擇性暴露導電層種子層2的圖案槽4。因此，根據待形成電路的圖案，種子層2通過圖案層3的圖案槽4選擇性暴露。
構成所述種子層2的第一導電性物質可由銀(Ag，silver)或銀合金(Silver alloy)或銀化合物(Silver compound)來構成。此外，在所述種子層形成步驟S11中，作為用於形成種子層2的方法可包括濺射、化學氣相沉積、無電解鍍、塗覆、浸漬製程及能夠形成金屬或金屬合金或金屬化合物的一般製程，並不特別限制種子層形成製程。
接下來，在鍍覆步驟S13中，在圖案槽4內部鍍覆第二導電性物質，以形成電路圖案5。此時，優選第二導電性物質為導電度很高的銅材質。在鍍覆步驟S13中，通過圖案槽4暴露的種子層2起到電極作用，因此能夠通過電解鍍製程在圖案槽4內部形成電路圖案5。
接下來，在圖案層去除步驟S14中，去除圖案層3。通過去除在圖案槽4中填充的電路圖案5以外的圖案層3，在種子層2上只留下電路圖案5。
接下來，在樹脂層形成步驟S15中，在種子層2上形成樹脂層6。可通過在塗覆樹脂後施加熱量或壓力，或同時施加熱量和壓力來在種子層2上形成樹脂層6。
在種子層去除步驟S16中去除種子層2，從而將在鍍覆步驟S13中形成的電路圖案5轉印到樹脂層6。即，形成在種子層2上的電路圖案5留在樹脂層6上，而種子層2被去除，因此在樹脂層6上形成所需的電路圖案5。在此，作為去除種子層2的方法使用化學方法，所述化學方法採用只能溶解銀(Ag)材質種子層2的蝕刻液。通過只溶解及去除種子層2來分離離型膜1，因此無需額外的離型膜1去除製程。此外，溶解種子層2的蝕刻液只能溶解銀(Ag)材質，因此不會損傷銅材質電路圖案5。
即在以往的情況下，種子層2和電路圖案5均由銅材質來構成，因此通過化學方法不能選擇性地只去除種子層2。但在本發明中，由銀(Ag)材質來構成種子層2，且採用只能溶解銀(Ag)材質的蝕刻液來選擇性地去除種子層2，因此能夠非常方便地進行種子層2的去除製程。此外，能夠防止當通過以往的物理方法去除種子層時可能會產生的電路圖案5的物理損傷。
另外，在去除種子層2之前，可進一步具有通孔形成步驟，在形成有電路圖案5的區域以外的區域，即在虛擬區域(Dummy area)A上形成貫穿種子層2的通孔20。圖3為表示形成有通孔狀態的簡略圖。如圖所示，在通孔形成步驟中，在不構成實際產品的虛擬區域(Dummy area)A上通過打孔等的方法形成貫穿種子層2的通孔20，以使只能溶解銀(Ag)材質的蝕刻溶液更為容易滲透種子層2。
因此，在種子層去除步驟S16中，採用將製程中產品放入蝕刻液來去除種子層2的浸漬方法。當沒有通孔時，只有暴露在製程中產品外面的種子層2與蝕刻液接觸，因此在去除種子層2需要較長時間。但是當形成有通孔20時，蝕刻液通過通孔20還與內部區域的種子層2接觸，因此能夠縮短去除種子層2所需的時間。
接下來，對本發明的第二實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖4為表示根據本發明的第二實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖5為本發明的圖4中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第二實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：種子層形成步驟S21，形成由第一導電性物來質構成的種子層2；圖案層形成步驟S22，在種子層2上形成圖案層3，圖案層3中形成有選擇性地暴露種子層2的圖案槽4；鍍覆步驟S23，在圖案槽4內填充由第二導電性物質構 成的電路圖案5；樹脂層形成步驟S24，在圖案層3上形成樹脂層6；及種子層去除步驟S25，去除種子層2。
在種子層形成步驟S21中，在離型膜1上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來準備種子層2。在圖案層形成步驟S22中，在準備好的種子層2上形成圖案層3。圖案層3由感光性物質來構成，通過光刻製程在感光性物質上形成選擇性暴露導電層種子層2的圖案槽4。因此，根據待形成電路的圖案，種子層2通過圖案層3的圖案槽4暴露。
接下來，在鍍覆步驟S23中，鍍覆第二導電性物質，從而在圖案槽4內形成電路圖案5。此時，與所述種子層2不同，第二導電性物質由銅來構成。在鍍覆步驟S23中，通過圖案槽4暴露的種子層2起到電極作用，因此能夠通過電鍍製程在圖案槽4的內部形成電路圖案5。
接下來，在樹脂層形成步驟S24中，在圖案層3上形成樹脂層6。即，通過對樹脂進行施加熱量或壓力，或同時施加熱量和樹脂來在圖案層3上塗覆樹脂層6。
在種子層去除步驟S25中，去除種子層2。通過去除種子層2，在鍍覆步驟S23中形成的電路圖案5轉印到樹脂層6。即，形成在種子層2上的電路圖案5留在樹脂層6上，而種子層2被去除，因此在樹脂層6上形成所需的電路圖案5。在此，去除種子層2的方法與第一實施例相同。此外，與第一實施例相同，第二實施例當然也可在種子層去除步驟S25之前具有通孔形成步驟。
接下來，對本發明的第三實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖6為表示根據本發明的第三實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖7為本發明的圖6中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第三實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：種子層形成步驟S31，在離型膜1的一面上形成由第一導電性物質來構成的種子層2；保護層形成步驟S32，在種子層2上塗覆保護層7；圖案形成步驟S33，在離型膜1的另一面上形成圖案槽4，從而選擇性暴露種子層2；鍍覆步驟S34，在圖案槽4內形成由第二導電性物質構成的電路圖案5；絕緣層形成步驟S35，在離型膜1的另一面上形成絕緣層8；及種子層去除步驟S36，去除種子層2。
在種子層形成步驟S31中，在離型膜1上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成種子層2。接下來，在保護層形成步驟S32中，形成用於保護種子層2的保護層7。因種子層2很薄，因此保護層7在後續製程中起到防止種子層2損傷的作用。保護層7可通過鍍銅製程在種子層2上形成。
接下來，在圖案形成步驟S33中，在離型膜1中形成有種子層2的表面的相反面上形成圖案槽4。即，通過鐳射加工等在離型膜1上形成圖案槽4，使種子層2選擇性地通過圖案槽4暴露。
接下來，在鍍覆步驟S34中，通過鍍覆製程在所述離型膜1的圖案槽4內填充銅材質第二導電性物質，從而形成電路圖案5。
在絕緣層形成步驟S35中，在形成有電路圖案5的離型膜1上形成絕緣層8。接下來，可經過去除種子層2的種子層去除步驟S36形成電路。在此，種子層去除步驟S36與第一實施例相同，通過溶解種子層2來去除種子層2，因此保護層7也一起被分離。
此外，與第一實施例相同，第三實施例在種子層去除步驟S36之前當然也可具有通孔形成步驟。
下面，對本發明的第四實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖8為表示根據本發明的第四實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖9為本發明的圖8中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第四實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：樹脂層形成步驟S41，在由第一導電性物質構成的種子層2上塗覆樹脂層6；圖案形成步驟S42，在樹脂層6上形成圖案槽4；鍍覆步驟S43，在圖案槽4內形成第二導電性物質電路圖案5；絕緣層形成步驟S44，在樹脂層6上形成絕緣層8；及種子層去除步驟S45，去除種子層2。
在樹脂層形成步驟S41中，在由具有規定厚度的銀(Ag)材質第一導電性物質來構成的種子層2上結合樹脂層6。樹脂層6使用PI(Poly Imide)樹脂。
在圖案形成步驟S42中，在樹脂層6上形成圖案槽4，以使種子層2選擇性暴露。圖案形成方法可通過鐳射加工來形成圖案槽4，當使用感光樹脂時，也可採用光刻方法等的其他方法。在鍍覆步驟S43中，在上述圖案槽4內鍍覆銅材質第二導電性物質來形成電路圖案5。
在絕緣層形成步驟S44中，在電路圖案5及樹脂層6上形成絕緣層8。接下來，經過去除種子層2的種子層去除步驟S45來形成電路。在此，種子層去除步驟S45通過與第一實施例的種子層去除步驟516相同的方法來進行。此外，與第一實施例相同，第四實施例當然也可在種子層去除步驟S45之前具有通孔形成步驟。
接下來，對本發明的第五實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖10為表示根據本發明的第五實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖11為本發明的圖10中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第五實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：第一樹脂層形成步驟S51，在由銀(Ag)材質第一導電性物質來構成的種子層2上塗覆第一樹脂層11；圖案形成步驟S52，在第一樹脂層11上形成圖案槽4；鍍覆步驟S53，在圖案槽4中填充銅(Cu)材質第二導電性物質來形成電路圖案5；第一樹脂層去除步驟S54，去除第一樹脂層11；第二樹脂層形成步驟S55，在種子層2上形成第二樹脂層12；及種子層去除步驟S56，去除種子層2。
在第一樹脂層形成步驟S51中，在具有規定厚度的銀(Ag)材質種子層2上結合第一樹脂層11。樹脂使用PI(Poly Imide)樹脂。
在圖案形成步驟S52中，在第一樹脂層11上形成圖案槽4，以使種子層2選擇性暴露。圖案形成方法可通過鐳射加工來形成圖案槽，當使用感光樹脂時，也可採用光刻方法等其他方法。在鍍覆步驟S53中，通過鍍覆製程在所述圖案槽4內填充銅材質第二導電性物質來形成電路圖案5。
在第一樹脂層去除步驟S54中，去除形成在種子層2上的第一樹脂層11。此時，填充在圖案槽4中的電路圖案5殘留在種子層2上，只有第一樹脂層11被去除。
在第二樹脂層形成步驟S55中，形成完全包覆電路圖案5的第二樹脂層12，以免在種子層2上形成的電路圖案5暴露。與第一樹脂層11相同，第二樹脂層12也可由PI樹脂來構成。
接下來，在種子層去除步驟S56中，去除銀(Ag)材質種子層2，從而在第二樹脂層12上轉印電路圖案5。在此，種子層去除步驟S56通過與第一實施例的種子層去除步驟S16相同的方法來去除。此外，與第一實施例相同，第五實施例當然也可在金屬層去除步驟S56之前具有通孔形成步驟。
下面，對本發明的第六實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖12為表示根據本發明的第六實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖13為本發明的圖12中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第六實施例的利用種子層的電路形成方法由以下步驟來構成：種子層形成步驟S61，在離型膜1上形成由銀(Ag)材質第一導電性物質來構成的種子層2；保護層形成步驟S62，在種子層2上形成保護層7；發泡片層形成步驟S63，在保護層7上形成發泡片層13；離型膜去除步驟S64，去除離型膜1；圖案層形成步驟S65，在種子層2上塗覆感光性物質來形成圖案層3；圖案形成步驟S66，在圖案層3上形成圖案槽4，以使種子層2選擇性暴露；鍍覆步驟S67，在圖案槽4上填充銅(Cu)材質導電性物質來形成電路圖案5；圖案層去除步驟S68，去除圖案層3；樹脂層形成步驟S69，在種子層2上形成樹脂層6；發泡片層去除步驟S70，去除發泡片層13；及種子層去除步驟S71，去除種子層2。
在種子層形成步驟S61中，在離型膜1上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成種子層2。接下來，在保護層形成步驟S62中，為了保護種子層2，通過鍍覆製程形成銅(Cu)材質保護層7。
接下來，通過發泡片層形成步驟S63在保護層7上形成發泡片層13。發泡片層13可使用鋁材質片材。通過該發泡邊層13，能夠更為堅固地保護種子層2，且能更加順利進行鍍覆。
接下來，在離型膜去除步驟S64中去除離型膜1，通過圖案層形成步驟S65在去除離型膜1後的種子層2上塗覆感光性物質來形成圖案層3。接下來，在圖案形成步驟S66中通過光刻製程在圖案層3上形成圖案槽4，以使種子層2選擇性暴露。
在鍍覆步驟S67中，通過鍍覆製程在所述圖案槽4內部填充銅(Cu)材質第二導電性物質來形成電路圖案5。接下來，在圖案層去除步驟S68中，去除圖案層3，從而在種子層2上只留下電路圖案5。
在樹脂層形成步驟S69中，形成樹脂層6，從而完全覆蓋在去除圖案層3的種子層2上殘留的電路圖案5。
接下來，通過發泡片層去除步驟S70及種子層去除步驟S71分別去除發泡片層13及種子層2，從而在樹脂層6上轉印電路圖案5。在此，在種子層去除步驟S71通過與第一實施例的種子層去除步驟S16相同的方法來去除種子層，隨著種子層2的溶解，保護層7也一起被分離。此外，與第一實施例相同，第六實施例當然也可在種子層去除步驟S71之前具有通孔形成步驟。
接下來，對本發明的第七實施例及第八實施例進行說明。
圖14為表示根據本發明的第七實施例的利用種子層的電路形成方法的每製程步驟的剖視圖，圖15為表示根據本發明的第八實施例的利用種子層的電路形成方法的每製程步驟的剖視圖。
本發明的第七實施例和第八實施例在第一實施例及第二實施例中的種子層形成步驟S11、S21和圖案層形成步驟S12、S22之間進一步包括：保護層形成步驟，在種子層2上形成保護層7。通過鍍覆來在種子層2上形成銅(Cu)材質保護層7，能夠保護種子層2且在後續鍍覆製程中更為順利實現鍍覆。
接下來，對本發明的第九實施例進行說明。
圖16為表示根據本發明的第九實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖17為圖16中每工藝製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第九實施例的利用種子層的電路形成方法包括：第一種子層形成步驟S111、第一電路圖案形成步驟S112、樹脂層形成步驟S113、第二種子層形成步驟S114、保護層形成步驟S115、過孔形成步驟S116、 通電部形成步驟S117、保護層去除步驟S118、第二電路圖案形成步驟S119、第二種子層構圖步驟S120、保護膜形成步驟S121、第一種子層去除步驟S122及保護膜去除步驟S123。
在所述第一種子層形成步驟S111中，在由絕緣材質來構成的載體部件31的兩側面上分別塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質，從而準備第一種子層32。
所述第一電路圖案形成步驟S112包括：用於通過SAP(半加成法，Semi Additive Process)方法形成電路圖案的圖案層形成步驟、鍍覆步驟及圖案層去除步驟。在所述圖案層形成步驟中，在準備好的導電性第一種子層32上採用感光性物質來形成圖案層33，在圖案層33上通過光刻製程形成圖案槽，以使第一種子層32選擇性暴露。因此，根據待形成電路的圖案，通過圖案層33的圖案槽選擇性暴露第一種子層32。在所述鍍覆步驟中，在圖案槽內部鍍覆第二導電性物質來形成第一電路圖案34。此時，優選第二導電性物質由導電度很高的銅來構成。在鍍覆過程中通過圖案槽暴露的第一種子層32起到電極作用，因此能夠在圖案槽中填充第二導電性物質。在所述圖案層去除步驟中，去除填充在圖案槽中的第二導電性物質以外的圖案層33。
在所述樹脂層形成步驟S113中，在第一種子層32上形成樹脂層35。可對形成在第一種子層上的樹脂層35施加熱量和壓力，以使所述樹脂層35在包覆形成在所述第一種子層32上的第一電路圖案34的狀態下固化。
在所述第二種子層形成步驟S114中，在由絕緣材質構成的樹脂層35上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第二種子層36。所述第二種子層36可通過凹印塗覆、絲網印刷、狹縫擠出塗布或旋塗等來形成。
在所述保護層形成步驟S115中，在所述第二種子層36上形成由PI、PET或尼龍等材質構成的保護層37。優選這種保護層37以在形成過孔38後能夠從第二種子層36容易分離的形式在第二種子層36上接合。
在所述過孔形成步驟S116中，形成貫通所述保護層37、第二種子層36及樹脂層35的過孔38，以暴露所述第一電路圖案34中的一部分。這種過孔38可通過鐳射打孔等來形成。此時，在所述第二種子層36的上面形成有保護層37，因此能夠防止第二種子層36的表面因在鐳射打孔過程中產生的碳化物受到污染。
在所述通電部形成步驟S117中，在所述過孔38中填充第一導電性物質來形成通電部39，從而使第一電路圖案34和第二種子層36電連接。另外，用於在過孔38中填充導電性物質的方法可採用銀印或無電解鍍技術。
在所述保護層去除步驟S118中，去除接合在所述第二種子層36上側的保護層37，從而使第二種子層36暴露，因此之後能夠在第二種子層36上形成第二電路圖案41。另外，所述保護層37和第二種子層36的結合力設定為比第二種子層36和樹脂層35的結合力相對較低。因此，在保護層去除步驟S118中，能夠將保護層37從第二種子層36容易分離的同時，能夠防止在去除保護層37的過程中第二種子層36從樹脂層35分離。
所述第二電路圖案形成步驟S119與第一電路圖案形成步驟S112相同，包括：用於通過SAP(Semi Additive Process)方法形成電路圖案的圖案層形成步驟、鍍覆步驟及圖案層去除步驟。在所述圖案層形成步驟中，在準備好的導電性第二種子層36上採用感光性物質來形成圖案層40，在圖案層40上通過光刻製程形成圖案槽，以使第二種子層36選擇性暴露。因此，根據待形成電路的圖案，第二種子層36通過圖案層4的圖案槽選擇性暴露。在此，用於形成所述圖案槽的光刻製程在銀(Ag)材質第二種子層36上實現，第二種子層36與通 過鍍覆形成的以往的銅(Cu)材質種子層相比能夠提供相對提高的表面粗度。即，在曝光製程中，在位於下部層的第二種子層36的表面上產生的漫反射比以往更被抑制，因此能夠形成相對精密的圖案槽，由此提供可形成微細電路的效果。
另外，在所述鍍覆步驟中，在圖案槽內部鍍覆第二導電性物質來形成第二電路圖案41。此時，優選第二導電性物質由導電度很高的銅來構成。在鍍覆過程中通過圖案槽暴露的第二種子層36起到電極作用，因此能夠在圖案槽中填充第二導電性物質。
此外，在所述圖案層去除步驟中，去除填充在圖案槽中的第二導電性物質以外的圖案層40。
尤其，在所述圖案層形成步驟中，形成用於包覆所述第二種子層36的上面邊框的邊框圖案40a。因此，在圖案層去除步驟後，能夠使第二種子層36沿第二電路圖案41的外側邊框暴露。
在所述第二種子層構圖步驟S120中，去除與所述第二電路圖案41不重疊且暴露於外部的第二種子層36。通過這種第二種子層36構圖步驟構圖好的第二種子層36與第二電路圖案41一起構成電路圖案，第二種子層36的構圖方法可採用閃蝕(Flash etching)技術。另外，所述第二種子層36的外側邊框也同樣以對應邊框圖案40a的形狀來去除。
如上所述，在第九實施例中，在載體部件31兩側上分別形成的集結層構成兩面電路板，因此可通過一個連續的處理製程來製備一對兩面電路基板。
在所述保護膜形成步驟S121中，在所述第二電路圖案41上塗覆感光性物質來形成保護膜42。此時，所述保護膜42包覆在第二種子層構圖步驟120 中通過第二種子層36的構圖來暴露的樹脂層35的上側，從而成為完全包覆所述第二種子層36的暴露表面的形狀。
在所述第一種子層去除步驟S122中去除第一種子層32，從而能夠將在載體部件31兩面上分別形成的兩面電路板從載體部件31中容易分離。在此，去除第一種子層32的方法使用化學方法，所述化學方法採用只能溶解由銀(Ag)材質第一導電性物質來構成的第一種子層32的蝕刻液。此時，與第一種子層32相同的銀(Ag)材質來構成的第二種子層36被保護膜42完全包覆而不會暴露於外部，因此能夠防止在蝕刻第一種子層32的過程中第二種子層36被蝕刻液溶解。
即，若對形成在載體部件31兩側面上的第一種子層32進行溶解，能夠將分別形成在載體部件31兩側面上的兩面電路板從載體部件31分離，因此不需要如以往那樣為了將兩面電路板從載體部件31分離，對兩面電路板側施加物理力。此外，在溶解第一種子層32的過程中，銅(Cu)材質不會溶解，因此能夠防止第一電路圖案34的損傷。
所述保護膜去除步驟S123在所述第一種子層去除步驟S122後去除形成在第二電路圖案41上面的保護膜42。當所述保護膜42由感光性物質來構成時，可通過與所述圖案層去除步驟相同的製程來去除保護膜42。
另外，在所述保護膜去除步驟S123後，可執行封裝製程，所述封裝製程在兩面電路板的第一電路圖案34和第二電路圖案41中的至少一個上安裝電子部件。此時，所述第一電路圖案34和第二電路圖案41沒有暴露在可溶解銅材質的蝕刻液中，因此能夠保持光滑的電路表面，由此能夠提高在包裝製程中的收率。
接下來，對本發明的第十實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖18為表示根據本發明的第十實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖19為圖18中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第十實施例的利用種子層的電路形成方法包括：第一種子層形成步驟S211、第一電路圖案形成步驟S212、樹脂層形成步驟S213、過孔形成步驟S214、第二種子層形成步驟S215、第二電路圖案形成步驟S216、第二種子層構圖步驟S217、保護膜形成步驟S218、第一種子層去除步驟S219及保護膜去除步驟S220。
在所述第一種子層形成步驟S211中，在由絕緣材質構成的載體部件31的兩側面上分別塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第一種子層32。
在所述第一電路圖案形成步驟S212中，在第一種子層32上形成圖案層33，且在圖案層33上形成圖案槽，並通過鍍覆製程在圖案槽內部填充銅材質第一導電性物質後去除圖案層33。這種第一電路圖案34形成步驟為用於在所述第一種子層32上形成銅材質第一電路圖案34的製程，與第九實施例的第一電路圖案形成步驟相同，因此省略其具體說明。
在所述樹脂層形成步驟S213中，形成用於完全包覆形成在所述第一種子層32上的第一電路圖案34的樹脂層35。
在所述過孔形成步驟S214中，形成過孔38，所述過孔38貫穿所述樹脂層35以使所述第一電路圖案34中的一部分暴露。
在所述第二種子層形成步驟S215中，在形成有過孔38的樹脂層35上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第二種子層36。此時，第二種子層36沿著樹脂層35的上面及過孔38的內壁面形成，因此所述第二種子層36通過過孔38與暴露的第一電路圖案34電連接。
另外，從所述第二種子層形成步驟S215後的第二電路圖案形成步驟S216到保護膜去除步驟S220的一系列製程與第九實施例相同，因此省略其具體說明。
接下來，對本發明的第十一實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖20為表示根據本發明的第十一實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖21為圖20中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第十一實施例的利用種子層的電路形成方法包括：第一種子層形成步驟S311、第一電路圖案形成步驟S312、第二種子層形成步驟S313、樹脂層形成步驟S314、接合步驟S315、過孔形成步驟S316、通電部形成步驟S317、保護層去除步驟S318、第二電路圖案形成步驟S319、第二種子層構圖步驟S320、保護膜形成步驟S321、第一種子層去除步驟S322及保護膜去除步驟S323。
在所述第一種子層形成步驟S311中，在由絕緣材質構成的載體部件31的兩側面上分別塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第一種子層32。
在所述第一電路圖案形成步驟S312中，在第一種子層32上形成圖案層33，且在圖案層33上形成圖案槽，並通過鍍覆製程在圖案槽內部填充銅材質第一導電性物質後去除圖案層33。這種第一電路圖案形成步驟312為用於在所述第一種子層32上形成銅材質第一電路圖案34的製程，該製程與第九實施例的第一電路圖案形成步驟相同，因此省略其具體說明。
在所述第二種子層形成步驟S313中，在額外設置的保護層37的內側面上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第二種子層36。
在所述樹脂層形成步驟S314中，可在所述第二種子層36的內側面上塗覆未固化狀態的熱固化預浸料(PREPREG；Preimpregnated Materials)樹脂，從而在保護層37的內側面上依次層壓第二種子層36和樹脂層35。
在所述接合步驟S315中，使所述保護層37分別位於所述載體部件31的兩側面上，且將所述第一電路圖案34和樹脂層35配置為彼此相對，之後在此狀態下，通過加壓來使樹脂層35和第一電路圖案34接合。在這種接合步驟S315中，可採用與提供壓力的同時提供熱量的熱壓製程，通過這種熱壓製程能夠在接合的同時使所述樹脂層35固化。
另外，從所述接合步驟S315後的過孔形成步驟S316到保護膜去除步驟S323的一系列製程與第九實施例相同，因此省略其具體說明。
接下來，對本發明的第十二實施例的利用種子層的電路形成方法進行說明。
圖22為表示根據本發明的第十二實施例的利用種子層的電路形成方法的流程圖，圖23為圖22中每製程步驟的剖視圖。
如圖所示，本發明的第十二實施例的利用種子層的電路形成方法包括：第一種子層形成步驟S411、第一電路圖案形成步驟S412、第二種子層形成步驟S413、樹脂層形成步驟S414、接合步驟S415、過孔形成步驟S416、通電部形成步驟S417、保護層去除步驟S418、第二電路圖案形成步驟S419、第二種子層構圖步驟S420、保護膜形成步驟S421、第一種子層去除步驟S422及保護膜去除步驟S423。
在所述第一種子層形成步驟S411中，在由絕緣材質構成的載體部件31的兩側面上分別塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第一種子層32。
在所述第一電路圖案形成步驟S312中，在第一種子層32上形成圖案層33，且在圖案層33上形成圖案槽，並通過鍍覆製程在圖案槽內部填充銅材 質第一導電性物質後去除圖案層33。這種第一電路圖案形成步驟412為用於在所述第一種子層32上形成銅材質第一電路圖案34的製程，與第九實施例的第一電路圖案形成步驟相同，因此省略其具體說明。
在所述第二種子層形成步驟S413中，在額外設置的保護層37的內側面上塗覆銀(Ag)材質第一導電性物質來形成第二種子層36。
在所述樹脂層形成步驟S414中，形成由半固化狀態的熱固化預浸料片構成的樹脂層35。
在所述接合步驟S415中，使所述樹脂層35和所述保護層37分別位於所述載體部件31的兩側面上，且在所述第一電路圖案34、樹脂層35及第二種子層36配置為彼此相對的狀態下進行加壓而接合。在這種接合步驟S315中，可採用與提供壓力的同時提供熱量的熱壓製程，通過這種熱壓製程能夠在接合的同時使所述樹脂層35固化。
另外，從所述接合步驟S415後的過孔形成步驟S416到保護膜去除步驟S423的一系列製程與第九實施例相同，因此省略其具體說明。
下面，對本發明的用於選擇性蝕刻種子層的蝕刻液組合物進行說明。
本發明的蝕刻液組合物可使用：在本申請人的韓國專利10-0712879中記載的包括銨化合物和氧化劑的蝕刻液組合物；也可使用包括氧化性氣體或過氧化物或過氧酸等的氧化劑；脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物；螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外用於提高蝕刻液的蝕刻性能而選擇的一種以上的添加劑；和水的選擇性蝕刻液組合物。下面，對選擇性蝕刻液的各組分進行具體說明。
在本發明的蝕刻液組合物中包含的氧化劑(Oxidizing agent)起到對種子層表面的銀材質進行氧化的作用。在以往的技術中公開有使用硝酸、鹽 酸、硫酸、磷酸、硝酸鐵、氯化鐵、硫酸鐵、磷酸鐵等的蝕刻液組合物等。但是，這種蝕刻液組合物為氧化及離解銅、鎳、鉻等金屬的物質，因此不適合用作只對銀選擇性蝕刻的電路蝕刻液。
所述氧化劑使用空氣、氧氣、臭氧等的氧化性氣體；過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)、過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物(Peroxides)；甲酸(Formic acid)、過氧乙酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)、三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)及過硫酸鉀(Potassium persulfate)，當使用這種氧化劑時，優選混合至少一種以上的氧化劑來使用。
相對於銀、銀合金或銀化合物的蝕刻液組合物的總重量，優選包含1~30重量%的所述氧化劑，更加優選包含5~18重量%的所述氧化劑。當所述氧化劑的含量低於1重量%時，蝕刻速度緩慢且不能實現完美的蝕刻，因此可能會產生大量的銀殘渣。當在電路和電路之間存在銀殘渣時，會產生短路而導致產品不良，且較慢的蝕刻速度會影響生產性。當超過30重量%時，雖然暴露的種子層的蝕刻速度較快，但會影響電路層底下存在的種子層，從而產生過大的底切現象。這種底切現象為影響電路層附著力的因素，因此優選抑制該底切現象的產生。
在本發明的蝕刻液組合物中包含的脂肪胺(Aliphatic amine)或芳香胺(Aromatic amine)或烷醇胺(Alkanol amine)或銨化合物起到對種子層中氧化的銀進行離解的作用。通過氧化劑的氧化反應和通過脂肪胺或芳香胺的離解反應，能夠只對銀、銀合金或銀化合物進行選擇性蝕刻。如上所述，在以往的蝕刻液組合物中包含的硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸鐵、鹽酸鐵、硫酸鐵 及磷酸鐵等，其中一種物質作為主蝕刻劑與銅反應，從而同時產生氧化及離解。然而，本發明的蝕刻液為各兩種物質負責氧化及離解，氧化後的銀與脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物的離解反應比銅離解反應進行得更激烈，從而只對由銀或銀合金或銀化合物來形成的種子層進行選擇性蝕刻。
所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物使用乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-己醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸銨(Ammonium carbonate)、磷酸銨(Ammonium phosphate)、硝酸銨(Ammonium nitrate)、氟化銨(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)等的胺類或銨化合物，當使用這種胺類或銨化合物時，優選混合至少一種以上的胺類或銨化合物來使用。
相對於銀材質種子層32蝕刻液組合物的總重量，優選包含1~15重量%的所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物，更加優選包含3~10重量%的所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物。當所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物的含量低於1重量%時，氧化後的銀的離解反應不佳，會導致銀種子層的蝕刻速度變慢。當所述脂肪胺或芳香胺或烷醇胺或銨化合物的含量為15%以上時，雖然對種子層的選擇性蝕刻不會產生問題，但是胺類或銨化合物的過量使 用將成為蝕刻液價格上升的主要原因。因此，優選使用能夠產生種子層表面氧化反應且通過對氧化的銀進行溶解來順利進行選擇性蝕刻程度的量。
在本發明的蝕刻液組合物中包含的螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此以外用於提高蝕刻液的蝕刻性能而選擇的一種以上的添加劑起到去除在氧化反應時產生的氣泡的作用，並且起到賦予能夠使蝕刻液很好地吸著在種子層表面上的濕潤性等的作用，除此之外也可以選擇使用能夠提高本發明效果的常用的添加劑。
根據添加劑的種類及作用，相對於銀材質種子層32蝕刻液組合物的總重量，分別包含0.1~7重量%的所述添加劑，更加優選包含0.3~4重量%的所述添加劑。所述添加劑的含量低於0.1時不能起到添加劑的作用。
本發明的蝕刻液組合物包括所述物質，在共100重量%中包括餘量的水。水優選使用去離子水。
本發明的權利範圍並不限於上述實施例，在所附的申請專利範圍內可由多種形式的實施例實現。在不脫離申請專利範圍所要求保護的本發明精神的範圍內，本發明所屬技術領域的技術人員均能變形的各種範圍也屬於本發明的申請專利範圍所記載的範圍內。
S11:種子層形成步驟
S12:圖案層形成步驟
S13:鍍覆步驟
S14:圖案層去除步驟
S15:樹脂層形成步驟
S16:種子層去除步驟

Claims (19)

  1. 一種利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，包括：種子層形成步驟，由一第一導電性物質來構成；圖案層形成步驟，在所述種子層上形成設置有一圖案槽的一圖案層，以使所述種子層選擇性暴露；鍍覆步驟，通過鍍覆製程在所述圖案槽中填充一第二導電性物質；樹脂層形成步驟，在所述圖案層上形成一樹脂層；及種子層去除步驟，去除所述種子層，所述第一導電性物質和第二導電性物質由彼此不同的材質構成；其中，在所述種子層去除步驟中，所述種子層通過能夠選擇性去除所述種子層的蝕刻液組合物被去除；其中所述第一導電性物質由銀(Ag)材質構成，所述第二導電性物質由銅(Cu)材質構成；其中所述蝕刻液組合物包括：氧化性氣體或過氧化物或過氧酸等的氧化劑1~30重量%；脂肪胺或芳香胺或烷醇胺化合物1~15重量%；螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外用於提高蝕刻液組合物的蝕刻性能而選擇的一種以上添加劑0.1~7重量%；及在共100重量%的蝕刻液組合物中以餘量包括的水；其中所述氧化劑包括：如空氣、氧及臭氧等的氧化性氣體；如過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物 (Peroxides)；如甲酸(Formic acid)、過氧乙酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)；及過硫酸鉀(Potassium persulfate)中的至少一種；其中所述化合物包括乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-己醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamiiie)、二甲基乙醇胺(Dimethylethaiiolamiiie)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，所述種子層設置在一離型膜上，在所述圖案層形成步驟中，所述圖案層由一感光性薄膜來構成，且通過光刻製程形成所述圖案槽，在所述鍍覆步驟和所述樹脂層形成步驟之間進一步包括：圖案層去除步驟，去除所述圖案層，在所述種子層去除步驟中通過去除所述種子層來分離所述離型膜。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，所述種子層設置在一離型膜上， 在所述圖案層形成步驟中，所述圖案層由一感光性薄膜來構成，並形成有所述圖案槽，在所述種子層去除步驟中通過去除所述種子層來分離所述離型膜。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述種子層去除步驟之前可進一步包括：通孔形成步驟，在填充有所述導電性物質的區域以外的區域上形成用於貫穿所述種子層的一通孔。
  5. 一種利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，包括：第一種子層形成步驟，在一載體部件的兩側面上由一第一導電性物質來形成一第一種子層；第一電路圖案形成步驟，在所述第一種子層上形成設置有一圖案槽的一圖案層，以使所述第一種子層選擇性暴露，且在所述圖案槽中鍍覆一第二導電性物質來形成一第一電路圖案；樹脂層形成步驟，在所述第一電路圖案上形成一樹脂層；及第一種子層去除步驟，通過蝕刻所述第一種子層來分離所述載體部件，所述第一導電性物質和所述第二導電性物質由彼此不同的材質構成；其中，在所述第一種子層去除步驟中，採用只能溶解所述第一導電性物質的蝕刻液組合物來溶解所述第一種子層並去除所述第一種子層；其中所述第一導電性物質由銀(Ag)材質構成，所述第二導電性物質由銅(Cu)材質構成；其中所述蝕刻液組合物包括：氧化性氣體或過氧化物或過氧酸等的氧化劑1~30重量%；脂肪胺或芳香胺或烷醇胺化合物1~15重量%； 螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外用於提高蝕刻液組合物的蝕刻性能而選擇的一種以上添加劑0.1~7重量%；及在共100重量%的蝕刻液組合物中以餘量包括的水；其中所述氧化劑包括：如空氣、氧及臭氧等的氧化性氣體；如過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物(Peroxides)；如甲酸(Formic acid)、過氧乙酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)；及過硫酸鉀(Potassium persulfate)中的至少一種；其中所述化合物包括乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-己醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述第一電路圖案形成步驟中，所述圖案層由一感光性薄膜構成，並且通過光刻製程形成一圖案槽，在鍍覆一第二導電性物質後去除所述圖案層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述樹脂層形成步驟和第一種子層去除步驟之間進一步包括：第二種子層形成步驟，在所述樹脂層上由所述第一導電性物質形成一第二種子層；及第二電路圖案形成步驟，在所述第二種子層上形成設置有一圖案槽的一圖案層，以使所述第一種子層選擇性暴露，且在所述圖案槽中鍍覆一第二導電性物質來形成一第二電路圖案。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述第二電路圖案形成步驟中，所述圖案層包括包覆所述第二種子層上面邊框的一邊框圖案。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，進一步包括：第二種子層構圖步驟，去除通過所述第二電路圖案暴露的第二種子層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述第二電路圖案形成步驟中，鍍覆所述第二導電性物質後去除所述圖案層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，進一步包括：保護膜形成步驟，在所述第二電路圖案上形成一保護膜，並包覆所述第二種子層的一暴露表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，進一步包括：保護膜去除步驟，在所述第一種子層去除步驟後去除所述保護膜。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述樹脂層形成步驟和第二種子層形成步驟之間，進一步包括：過孔形成步驟，形成用於貫穿所述第二種子層和所述樹脂層的一過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露，所述第二種子層沿所述樹脂層的上面及一過孔內壁面以膜的形式形成，並與所述第一電路圖案電連接。
  14. 如申請專利範圍第7項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述第二種子層形成步驟和第二電路圖案形成步驟之間進一步包括：過孔形成步驟，形成用於貫穿所述第二種子層和所述樹脂層的一過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露；及通電部形成步驟，在所述過孔中填充一導電性物質來形成一通電部，所述通電部用於使所述第一電路圖案和所述第二種子層電連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述第二種子層形成步驟和過孔形成步驟之間進一步包括：保護層形成步驟，在所述第二種子層上形成一保護層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於， 在所述通電部形成步驟和第二電路圖案形成步驟之間進一步包括：保護層去除步驟，去除所述保護層。
  17. 一種利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，包括：第一種子層形成步驟，在一載體部件的兩側面上由銀(Ag)材質之一第一導電性物質形成一第一種子層；第一電路圖案形成步驟，在所述第一種子層上由銅(Cu)材質之一第二導電性物質形成一第一電路圖案；第二種子層形成步驟，在額外設置的一保護層的內側面上由銀(Ag)材質之該第一導電性物質形成一第二種子層；樹脂層形成步驟，在所述第二種子層和第一電路圖案之間設置一樹脂層；接合步驟，在所述第二種子層、所述樹脂層及所述第一電路圖案按順序配置的狀態下對其進行接合；過孔形成步驟，形成用於貫穿所述保護層、所述第二種子層及所述樹脂層的一過孔，以使所述第一電路圖案中的一部分暴露；通電部形成步驟，在所述過孔中填充一導電性物質來形成一通電部，從而使所述第一電路圖案和所述第二種子層電連接；保護層去除步驟，去除所述保護層；第二電路圖案形成步驟，在所述第二種子層上由所述第二導電性物質形成一第二電路圖案；及第一種子層去除步驟，採用只能溶解所述第一導電性物質的蝕刻液組合物來去除所述第一種子層，從而分離所述載體部件，所述第一導電性物質和所述第二導電性物質由彼此不同的材質構成；其中所述蝕刻液組合物包括：氧化性氣體或過氧化物或過氧酸等的氧化劑1~30重量%； 脂肪胺或芳香胺或烷醇胺化合物1~15重量%；螯合劑、消泡劑、潤濕劑、pH調節劑及除此之外用於提高所述蝕刻液組合物的蝕刻性能而選擇的一種以上添加劑0.1~7重量%；及在共100重量%的蝕刻液組合物中以餘量包括的水；其中所述氧化劑包括：如空氣、氧及臭氧等的氧化性氣體；如過硼酸鈉(Sodium perborate)、過氧化氫(Hydrogen peroxide)、鉍酸鈉(Sodium bismuthate)、過碳酸鈉(Sodium percarbonate)、過氧化苯甲醯(Benzoyl peroxide)、過氧化鉀(Potassium peroxide)及過氧化鈉(Sodium peroxide)等的過氧化物(Peroxides)；如甲酸(Formic acid)、過氧乙酸(Peroxyacetic acid)、過苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯過苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的過氧酸(Peroxy acid)；及過硫酸鉀(Potassium persulfate)中的至少一種；其中所述化合物包括乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、異丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、異丁胺(Isobutylamine)、仲丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-己醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於， 在所述樹脂層形成步驟中，採用半固化狀態的一熱固化樹脂來形成所述樹脂層，在所述接合步驟中，與提供壓力的同時提供熱量來對所述樹脂層進行固化。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之利用種子層的電路形成方法，其特徵在於，在所述樹脂層形成步驟中，通過在所述第二種子層的內側面上塗覆半固化狀態的所述熱固化樹脂，從而在所述第二種子層上接合設置所述樹脂層，在所述接合步驟中，與提供壓力的同時提供熱量來對所述樹脂層進行固化。
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