JP2003258411A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セミアディティブ法を生かしながら、ソフトエ
ッチングする時に下地層の不要な部分を除去すると同時
に配線パターンにダメージを最小限に止めるプリント配
線板の製造方法を提供する。 【解決手段】エッチングにより絶縁基板上に形成した第
１の金属箔を薄くし、電解めっき導通用の下地層を形成
する工程（ａ）と、下地層が形成された絶縁基板上に第
２の金属の配線パターンをめっきで形成するためのマス
クパターンを形成する工程（ｂ）と、めっき法でマスク
パターン以外の露出した部分に第２の金属めっき被膜を
形成する工程（ｃ）と、マスクパターンを剥離する工程
（ｄ）と、エッチングにより不要となった下地層を除去
し、所要の配線パターンを形成する工程（ｅ）によりプ
リント配線板を製造する。
ッチングする時に下地層の不要な部分を除去すると同時
に配線パターンにダメージを最小限に止めるプリント配
線板の製造方法を提供する。 【解決手段】エッチングにより絶縁基板上に形成した第
１の金属箔を薄くし、電解めっき導通用の下地層を形成
する工程（ａ）と、下地層が形成された絶縁基板上に第
２の金属の配線パターンをめっきで形成するためのマス
クパターンを形成する工程（ｂ）と、めっき法でマスク
パターン以外の露出した部分に第２の金属めっき被膜を
形成する工程（ｃ）と、マスクパターンを剥離する工程
（ｄ）と、エッチングにより不要となった下地層を除去
し、所要の配線パターンを形成する工程（ｅ）によりプ
リント配線板を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セミアディティブ
法によるプリント配線板の製造方法に関する。
法によるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板を形成するにはサブトラ
クティブ法が広く用いられている。しかし、近年、電子
機器の小型化、高密度実装化及び高性能化（高速化）に
伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細
化が求められているにつれて、サブトラクティブ法で対
応しきれなくなっているのが現状である。更なる微細な
パターンを形成する有効な手段としてセミアディティブ
法が用いられている。
クティブ法が広く用いられている。しかし、近年、電子
機器の小型化、高密度実装化及び高性能化（高速化）に
伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細
化が求められているにつれて、サブトラクティブ法で対
応しきれなくなっているのが現状である。更なる微細な
パターンを形成する有効な手段としてセミアディティブ
法が用いられている。
【０００３】これまで、セミアディティブ法でプリント
配線板を作製するには、先ず絶縁性基板上に薄い下地銅
層を形成し、次に前記下地銅層の表面にめっき用のフォ
トレジストのマスクパターンを形成する。次に電解めっ
き法で銅配線パターンを形成し、フォトレジストのマス
クパターンを剥離する。最後に、ソフトエッチングで下
地銅層の不要となった部分を除去することによって銅配
線パターンを形成することができる。
配線板を作製するには、先ず絶縁性基板上に薄い下地銅
層を形成し、次に前記下地銅層の表面にめっき用のフォ
トレジストのマスクパターンを形成する。次に電解めっ
き法で銅配線パターンを形成し、フォトレジストのマス
クパターンを剥離する。最後に、ソフトエッチングで下
地銅層の不要となった部分を除去することによって銅配
線パターンを形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】セミアディティブ法で
サブトラクティブ法より微細なパターンを形成すること
ができるが、問題もある。これはソフトエッチング工程
である。即ち下地銅層の不要となった部分を除去すると
同時に銅配線パターンにもダメージを与えてしまうこと
である。本発明では、セミアディティブ法を生かしなが
ら、ソフトエッチングする時に下地層の不要な部分を除
去すると同時に配線パターンにダメージを最小限に止め
るプリント配線板の製造方法を提供するものである。
サブトラクティブ法より微細なパターンを形成すること
ができるが、問題もある。これはソフトエッチング工程
である。即ち下地銅層の不要となった部分を除去すると
同時に銅配線パターンにもダメージを与えてしまうこと
である。本発明では、セミアディティブ法を生かしなが
ら、ソフトエッチングする時に下地層の不要な部分を除
去すると同時に配線パターンにダメージを最小限に止め
るプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１としては、第１
の金属箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により少
なくとも第１の金属からなる下地層と第１の金属と異な
る第２の金属からなる配線パターンを形成するプリント
配線板の製造方法であって、少なくともエッチングによ
り絶縁基板上に形成した第１の金属箔を薄くし、電解め
っき導通用の下地層を形成する工程と、下地層が形成さ
れた絶縁基板上に第２の金属の配線パターンをめっきで
形成するためのマスクパターンを形成する工程と、めっ
き法でマスクパターン以外の露出した部分に第２の金属
めっき被膜を形成する工程と、マスクパターンを剥離す
る工程と、エッチングにより不要となった下地層を除去
し、所要の配線パターンを形成する工程、を有すること
を特徴とするプリント配線板の製造方法である。請求項
２としては、前記絶縁基板がポリイミドまたは液晶ポリ
マであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配
線板の製造方法である。請求項３としては、前記第１と
第２の金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｚｎ、Ｐｂから選ばれた金属、または、Ｎｉ−Ｃ
ｕ、Ａｇ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｐ
ｂ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ
−Ｚｎから選ばれた合金であることを特徴とする請求項
１〜２の何れかに記載のプリント配線板の製造方法であ
る。請求項４としては、前記下地層の厚みは０．１〜３
μｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
載のプリント配線板の製造方法である。
の金属箔付き絶縁基板上にセミアディティブ法により少
なくとも第１の金属からなる下地層と第１の金属と異な
る第２の金属からなる配線パターンを形成するプリント
配線板の製造方法であって、少なくともエッチングによ
り絶縁基板上に形成した第１の金属箔を薄くし、電解め
っき導通用の下地層を形成する工程と、下地層が形成さ
れた絶縁基板上に第２の金属の配線パターンをめっきで
形成するためのマスクパターンを形成する工程と、めっ
き法でマスクパターン以外の露出した部分に第２の金属
めっき被膜を形成する工程と、マスクパターンを剥離す
る工程と、エッチングにより不要となった下地層を除去
し、所要の配線パターンを形成する工程、を有すること
を特徴とするプリント配線板の製造方法である。請求項
２としては、前記絶縁基板がポリイミドまたは液晶ポリ
マであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配
線板の製造方法である。請求項３としては、前記第１と
第２の金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｚｎ、Ｐｂから選ばれた金属、または、Ｎｉ−Ｃ
ｕ、Ａｇ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｐ
ｂ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ
−Ｚｎから選ばれた合金であることを特徴とする請求項
１〜２の何れかに記載のプリント配線板の製造方法であ
る。請求項４としては、前記下地層の厚みは０．１〜３
μｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記
載のプリント配線板の製造方法である。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１を使い製造工
程に従って詳細に説明する。
程に従って詳細に説明する。
【０００７】本発明における絶縁基板としては、ポリイ
ミド、液晶ポリマ等の絶縁性樹脂基板を使用することが
できる。
ミド、液晶ポリマ等の絶縁性樹脂基板を使用することが
できる。
【０００８】本発明は、まず絶縁基板上に張り付けた第
１の金属箔をエッチング（化学研磨）で薄くし、電気め
っき導通用の下地層を形成する（図１（ａ）参照）。下
地層の厚みは、エッチング（ソフトエッチング）を行な
い易くするために、０．１〜３μｍ、より好ましくは、
１μｍ以下が好ましい。
１の金属箔をエッチング（化学研磨）で薄くし、電気め
っき導通用の下地層を形成する（図１（ａ）参照）。下
地層の厚みは、エッチング（ソフトエッチング）を行な
い易くするために、０．１〜３μｍ、より好ましくは、
１μｍ以下が好ましい。
【０００９】第１の金属は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどの公知の導電性金属
から選ぶことができる。
Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどの公知の導電性金属
から選ぶことができる。
【００１０】また、絶縁基板上に形成した第１の金属箔
を薄くするためのエッチング（化学研磨）に用いられる
薬液については、前記第１の金属によって異なるが、例
えば、銅の場合は過酸化水素水＋硫酸又は化硫酸アンモ
ニウムを使用することができる。また、ニッケルであれ
ば、メック社製のメックリムーバＮＨ−１８６２を使用
することができる。
を薄くするためのエッチング（化学研磨）に用いられる
薬液については、前記第１の金属によって異なるが、例
えば、銅の場合は過酸化水素水＋硫酸又は化硫酸アンモ
ニウムを使用することができる。また、ニッケルであれ
ば、メック社製のメックリムーバＮＨ−１８６２を使用
することができる。
【００１１】次に、絶縁基板／下地層基板上にドライフ
ィルムレジストをラミネートし、公知の露光・現像など
の工程を経てから、配線パターンを形成するためのめっ
き用マスクパターンを形成する（図１（ｂ）参照）。ド
ライフィルムレジストの厚みはめっき厚みと剥離を容易
にするために、１０〜３０μｍ、より好ましいのは１５
μｍである。
ィルムレジストをラミネートし、公知の露光・現像など
の工程を経てから、配線パターンを形成するためのめっ
き用マスクパターンを形成する（図１（ｂ）参照）。ド
ライフィルムレジストの厚みはめっき厚みと剥離を容易
にするために、１０〜３０μｍ、より好ましいのは１５
μｍである。
【００１２】次に、電解めっき法で下地層の露出する部
分に第２の金属或いは合金めっき被膜を形成し（図１
（ｃ）参照）、剥離液等でドライフィルムレジストのマ
スクパターンを剥離してから（図１（ｄ）参照）、エッ
チング（ソフトエッチング）で不要となった下地層を除
去し、所要の配線パターンを形成する（図１（ｅ）参
照）。
分に第２の金属或いは合金めっき被膜を形成し（図１
（ｃ）参照）、剥離液等でドライフィルムレジストのマ
スクパターンを剥離してから（図１（ｄ）参照）、エッ
チング（ソフトエッチング）で不要となった下地層を除
去し、所要の配線パターンを形成する（図１（ｅ）参
照）。
【００１３】第２の金属は、第１の金属と異なる金属、
例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、
Ｚｎ、Ｐｂなどの金属材料、または、Ｎｉ−Ｃｕ、Ａｇ
−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｐｂ、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎなど
の合金から選ぶことができる。
例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、
Ｚｎ、Ｐｂなどの金属材料、または、Ｎｉ−Ｃｕ、Ａｇ
−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｐｂ、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎなど
の合金から選ぶことができる。
【００１４】従来のセミアディティブ法で配線パターン
を形成する時に下地層と配線パターンとは同じ金属材料
である銅を使用することが大きな特徴である。しかし、
ソフトエッチング時に銅配線パターンに与えるダメージ
が大きく、特に微細な銅配線パターンを形成する時に、
断線したり、剥がれたりすることが多発するため、対応
策を検討する必要がある。
を形成する時に下地層と配線パターンとは同じ金属材料
である銅を使用することが大きな特徴である。しかし、
ソフトエッチング時に銅配線パターンに与えるダメージ
が大きく、特に微細な銅配線パターンを形成する時に、
断線したり、剥がれたりすることが多発するため、対応
策を検討する必要がある。
【００１５】そこで、本発明ではこのダメージを軽減或
いは解消するため、下地層と異なる金属材料あるいは合
金で配線パターンを形成することを特徴とする。そし
て、下地層（第１の金属）のエッチング（ソフトエッチ
ング）時に、下地層をエッチング可能で、配線パターン
（第２の金属）を実質上、エッチングしない薬液を用い
れば、配線パターンにダメージを軽減したり、ダメージ
を与えなかったりすることができる。
いは解消するため、下地層と異なる金属材料あるいは合
金で配線パターンを形成することを特徴とする。そし
て、下地層（第１の金属）のエッチング（ソフトエッチ
ング）時に、下地層をエッチング可能で、配線パターン
（第２の金属）を実質上、エッチングしない薬液を用い
れば、配線パターンにダメージを軽減したり、ダメージ
を与えなかったりすることができる。
【００１６】例えば、ニッケルで下地層（第１の金属）
を、銅（第２の金属）で配線パターンを形成する場合に
はソフトエッチング液をメック社製のメックリムーバＮ
Ｈ−１８６２にすれば、ソフトエッチング時に銅配線パ
ターンが殆どダメージを受けない。また、銅で下地層
を、ニッケル−銅で配線パターンを形成する場合でもソ
フトエッチング時に配線パターンの受けるダメージが大
きく軽減される。
を、銅（第２の金属）で配線パターンを形成する場合に
はソフトエッチング液をメック社製のメックリムーバＮ
Ｈ−１８６２にすれば、ソフトエッチング時に銅配線パ
ターンが殆どダメージを受けない。また、銅で下地層
を、ニッケル−銅で配線パターンを形成する場合でもソ
フトエッチング時に配線パターンの受けるダメージが大
きく軽減される。
【００１７】
【実施例】（実施例１）まず、第１の金属箔付き絶縁基
板（ポリイミド樹脂）に、メック社製のメックリムーバ
ＮＨ−１８６２からなるソフトエッチング液でポリイミ
ド２の表面に張り付けたニッケル箔をエッチング（化学
研磨）することによって、１μｍまで薄くし、電気めっ
き導通用の下地ニッケル層１を形成した（図１（ａ）参
照）。
板（ポリイミド樹脂）に、メック社製のメックリムーバ
ＮＨ−１８６２からなるソフトエッチング液でポリイミ
ド２の表面に張り付けたニッケル箔をエッチング（化学
研磨）することによって、１μｍまで薄くし、電気めっ
き導通用の下地ニッケル層１を形成した（図１（ａ）参
照）。
【００１８】次に、ポリイミド／下地ニッケル層基板の
表面にニチゴーモートン社製のＮＩＴ（膜厚１５μｍ）
ドライフィルムを１００℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ2でラ
ミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で選択的に露
光し、３０℃１％の炭酸ナトリウム溶液で約１０秒間現
像を行うことにより銅配線パターンを形成するためのめ
っきマスクパターン３を形成した（図１（ｂ）参照）。
表面にニチゴーモートン社製のＮＩＴ（膜厚１５μｍ）
ドライフィルムを１００℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ2でラ
ミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で選択的に露
光し、３０℃１％の炭酸ナトリウム溶液で約１０秒間現
像を行うことにより銅配線パターンを形成するためのめ
っきマスクパターン３を形成した（図１（ｂ）参照）。
【００１９】次に、めっき用マスクパターンを形成した
ポリイミド／下地ニッケル層基板を用いて、電解めっき
法で、下地ニッケル層の露出する部分に高さ１０μｍの
銅めっき被膜４を形成してから（図１（ｃ）参照）、マ
スクパターン３を５０℃の３％炭酸ナトリウム溶液で剥
離した（図１（ｄ）参照）。
ポリイミド／下地ニッケル層基板を用いて、電解めっき
法で、下地ニッケル層の露出する部分に高さ１０μｍの
銅めっき被膜４を形成してから（図１（ｃ）参照）、マ
スクパターン３を５０℃の３％炭酸ナトリウム溶液で剥
離した（図１（ｄ）参照）。
【００２０】前記化学研磨時と同じ薬液でエッチング
（ソフトエッチング）を行い、不要となった下地ニッケ
ル層を除去し、所要のニッケル／銅配線パターン５を形
成した（図１（ｅ）参照）。
（ソフトエッチング）を行い、不要となった下地ニッケ
ル層を除去し、所要のニッケル／銅配線パターン５を形
成した（図１（ｅ）参照）。
【００２１】（実施例２）まず、過硫酸アンモニウムか
らなるソフトエッチング液でポリイミド２の表面に張り
付けた銅箔をエッチング（化学研磨）することによっ
て、１μｍまで薄くし、電気めっき導通用の下地銅層１
を形成した（図１（ａ）参照）。
らなるソフトエッチング液でポリイミド２の表面に張り
付けた銅箔をエッチング（化学研磨）することによっ
て、１μｍまで薄くし、電気めっき導通用の下地銅層１
を形成した（図１（ａ）参照）。
【００２２】次に、ポリイミド／下地銅層基板の表面に
ニチゴーモートン社製のＮＩＴ（膜厚１５μｍ）ドライ
フィルムレジストを１００℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ2で
ラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で選択的に
露光し、３０℃１％の炭酸ナトリウム溶液で約１０秒間
現像を行うことによりニッケル−銅（Ｎｉ−Ｃｕ）合金
配線パターンを形成するためのめっきマスクパターン３
を形成した（図１（ｂ）参照）。
ニチゴーモートン社製のＮＩＴ（膜厚１５μｍ）ドライ
フィルムレジストを１００℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ2で
ラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で選択的に
露光し、３０℃１％の炭酸ナトリウム溶液で約１０秒間
現像を行うことによりニッケル−銅（Ｎｉ−Ｃｕ）合金
配線パターンを形成するためのめっきマスクパターン３
を形成した（図１（ｂ）参照）。
【００２３】次に、めっき用マスクパターンを形成した
ポリイミド／下地銅層基板を用いて、電解めっき法で、
下地銅層の露出する部分に高さ１０μｍのニッケル−銅
合金めっき被膜４を形成してから（図１（ｃ）参照）、
マスクパターン３を５０℃の３％炭酸ナトリウム溶液で
剥離した（図１（ｄ）参照）。
ポリイミド／下地銅層基板を用いて、電解めっき法で、
下地銅層の露出する部分に高さ１０μｍのニッケル−銅
合金めっき被膜４を形成してから（図１（ｃ）参照）、
マスクパターン３を５０℃の３％炭酸ナトリウム溶液で
剥離した（図１（ｄ）参照）。
【００２４】前記化学研磨時と同じ薬液でエッチング
（ソフトエッチング）を行い、不要となった下地銅層を
除去し、所要のニッケル−銅合金配線パターン５を形成
した（図１（ｅ）参照）。
（ソフトエッチング）を行い、不要となった下地銅層を
除去し、所要のニッケル−銅合金配線パターン５を形成
した（図１（ｅ）参照）。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、セミアディティブ法に
よる配線パターンを形成する時に、下地層と異なる金属
材料あるいは合金で配線パターンを形成することによっ
て、エッチング時に使用する薬液を選べば、配線パター
ンにダメージを軽減したり、与えなかったりすることが
できる。
よる配線パターンを形成する時に、下地層と異なる金属
材料あるいは合金で配線パターンを形成することによっ
て、エッチング時に使用する薬液を選べば、配線パター
ンにダメージを軽減したり、与えなかったりすることが
できる。
【００２６】
【図１】本発明に係るプリント配線板の製造方法の説明
図である。
図である。
１ 下地層（下地ニッケル層、下地銅層）
２ 絶縁基板
３ 電解めっき用のドライフィルムのマスクパターン
４ 電解めっき被膜（銅めっき被膜、ニッケル−銅めっ
き被膜） ５ 配線パターン（ニッケル／銅配線パターン、銅／ニ
ッケル−銅合金配線パターン）
き被膜） ５ 配線パターン（ニッケル／銅配線パターン、銅／ニ
ッケル−銅合金配線パターン）
Claims (4)
- 【請求項１】第１の金属箔付き絶縁基板上にセミアディ
ティブ法により少なくとも第１の金属からなる下地層と
第１の金属と異なる第２の金属からなる配線パターンを
形成するプリント配線板の製造方法であって、少なくと
もエッチングにより絶縁基板上に形成した第１の金属箔
を薄くし、電解めっき導通用の下地層を形成する工程
と、下地層が形成された絶縁基板上に第２の金属の配線
パターンをめっきで形成するためのマスクパターンを形
成する工程と、めっき法でマスクパターン以外の露出し
た部分に第２の金属めっき被膜を形成する工程と、マス
クパターンを剥離する工程と、エッチングにより不要と
なった下地層を除去し、所要の配線パターンを形成する
工程、を有することを特徴とするプリント配線板の製造
方法。 - 【請求項２】前記絶縁基板がポリイミドまたは液晶ポリ
マであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配
線板の製造方法。 - 【請求項３】前記第１と第２の金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂから選ばれた
金属、または、Ｎｉ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｚｎ、
Ｓｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｐｂ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｎ
ｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎから選ばれた合金であるこ
とを特徴とする請求項１〜２の何れかに記載のプリント
配線板の製造方法。 - 【請求項４】前記下地層の厚みは０．１〜３μｍである
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプリン
ト配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055367A JP2003258411A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002055367A JP2003258411A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258411A true JP2003258411A (ja) | 2003-09-12 |
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ID=28666224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002055367A Pending JP2003258411A (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003258411A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288011A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Sharp Corp | ポリイミド配線板の製造方法 |
| CN107295754A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-10-24 | 昆山群安电子贸易有限公司 | 半加成法制作印制电路板的方法 |
| CN107295753A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-10-24 | 昆山群安电子贸易有限公司 | 采用半加成法制作电路板的方法 |
| CN108738241A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 电路板的制作方法及其制得的电路板 |
| CN109673111A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 | 电路板的制作方法 |
-
2002
- 2002-03-01 JP JP2002055367A patent/JP2003258411A/ja active Pending
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