TWI636713B - 配線基板 - Google Patents

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TWI636713B
TWI636713B TW103111578A TW103111578A TWI636713B TW I636713 B TWI636713 B TW I636713B TW 103111578 A TW103111578 A TW 103111578A TW 103111578 A TW103111578 A TW 103111578A TW I636713 B TWI636713 B TW I636713B
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遠藤靖
多田信之
直井憲次
淺井智仁
池田秀夫
柴田路宏
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富士軟片股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種配線基板,其是包括配置於絕緣基板(32A)上的多條金屬配線、及與所述金屬配線直接接觸而配置於所述金屬配線上的透明黏著劑層(34A)的配線基板,且所述金屬配線包括被供給脈衝信號(P1)的第1金屬配線(50a)、及被施加固定電位的第2金屬配線(54a),所述脈衝信號(P1)具有排列有多列基準位準為與所述固定電位相同的位準且脈衝寬度(Tw)為3msec以下的脈衝的脈衝列(Pr),且於600秒期間所述脈衝的累計時間小於60秒。

Description

配線基板
本發明是有關於一種配線基板,特別是有關於一種考慮了配線間的離子遷移(ion migration)而完成的配線基板。
最近,已知有使光學上透明的感壓性接著劑組成物直接接觸於含有銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)的透明導電性配線而成的配線基板(參照日本專利特表2011-501767號公報)。特別是日本專利特表2011-501767號公報中記載有藉由選定透明黏著劑的構成材料而抑制於規定的環境(溫度60℃、相對濕度90%)下保存30天~40天時的透明導電性配線的表面電阻上升的實施例。
近年來,半導體積體電路或晶片(chip)零件等的小型化不斷進步。例如於觸控面板(touch panel)的周邊電路或配線部,儘可能小型化、端子配線等金屬取出配線的微細化亦不斷進步。因此,配線基板中的金屬取出配線的寬度及配線間的間隔進一步狹小化,而變得容易產生由離子遷移引起的電路的斷線或配線間的短路。特別是構成金屬取出配線的金屬常使用導電性高的銀或 銅,但該些金屬存在容易產生離子遷移的問題,尤其是銀顯著地顯現出該問題。
如上所述,日本專利特表2011-501767號公報記載有透明導電性配線與透明黏著劑的組合。但是,始終是以抑制於規定的環境下長時間保存時的透明導電性配線的電阻變化為目的。另外,在近年來隨著小型化等的金屬取出配線的微細化不斷進步的過程中,於抑制金屬配線間的由離子遷移引起的斷線、或配線間的短路方面並不充分。
即,現有技術中,對於離子遷移的抑制,並無法滿足所要求的水準(level),而必須進一步改良。
本發明是考慮此種課題而完成,其目的在於提供發揮以下效果的配線基板。
(a)可有效減小金屬取出配線間的電位差。
(b)可抑制包含銀或銅等的金屬取出配線間的離子遷移的產生。
(c)可進一步促進小型化以及配線的微細化、配線間的狹小化。
[1]本發明的配線基板是包括配置於絕緣基板上的多條金屬配線、及與金屬配線直接接觸而配置於金屬配線上的透明黏著劑層的配線基板,其特徵在於:金屬配線包括被供給脈衝信號的第1金屬配線、及被施加固定電位的第2金屬配線,脈衝信號具有排列有多列基準位準為與固定電位相同的位準且脈衝寬度為 3msec以下的脈衝的脈衝列,且於600秒期間脈衝的累計時間小於60秒。
藉此可減小第1金屬配線與第2金屬配線間的電位差。其結果,即便該些第1金屬配線及第2金屬配線分別包含銀或銅等,亦可抑制配線間的離子遷移的產生。
其連帶控制第1金屬配線的金屬離子的遷移率及遷移量。即,控制由脈衝的施加引起的金屬離子向接地電位方向的遷移量、及於基準位準期間的金屬離子向第1金屬配線的遷移。藉此推定,可控制金屬離子的氧化/還原,結果可抑制離子遷移的產生。
[2]於本發明中,金屬配線可含有銀及/或銅。
[3]於本發明中,脈衝信號呈於600秒期間重複固定的脈衝週期而輸出脈衝列的信號形態,工作比(duty ratio)(脈衝寬度/脈衝週期)可小於10%。藉此,可減小第1金屬配線與第2金屬配線間的電位差,於抑制配線間的遷移(migration)方面有利。
[4]於本發明中,脈衝信號包括於600秒期間輸出所述脈衝列的脈衝列輸出期間、及連續地輸出固定電位的休止期間,於將600秒設為脈衝週期、將構成脈衝列的多個脈衝的累計時間設為脈衝寬度時,工作比(脈衝寬度/脈衝週期)可小於10%。該情況下,藉此亦可減小第1金屬配線與第2金屬配線間的電位差,於抑制配線間的遷移方面有利。
[5]於本發明中,透明黏著劑層含有光學上透明的包含選自由下述構成成分A、構成成分B及構成成分C所組成的組群中的至 少一種的透明黏著劑,於將透明黏著劑設為100份時,構成成分A可含有45份~95份,構成成分B可含有20份~50份,構成成分C可含有1份~40份。
構成成分A:具有25℃以下的玻璃轉移溫度(glass transition temperature)Tg的(甲基)丙烯酸烷基酯單體(monomer)(此處,烷基具有4個~18個碳原子)。
構成成分B:具有25℃以上的玻璃轉移溫度Tg的(甲基)丙烯酸酯單體的酯。
構成成分C:選自由(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、未經取代的(甲基)丙烯醯胺、N-烷基取代(甲基)丙烯醯胺、N,N-二烷基取代(甲基)丙烯醯胺、具有脲官能基的單體、具有內醯胺官能基、三級胺、脂環式胺、芳香族胺、及該些的組合的單體所組成的組群中的單體。
[6]該情況下,構成成分A可為選自由丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-甲基己酯、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
[7]構成成分B可為選自由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
[8]構成成分C可為選自由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、N-辛基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、(甲基)丙烯酸N,N- 二烷基胺基烷基酯(此處,烷基具有1個~4個的碳原子)、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
[9]並且,較佳為構成成分A為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、構成成分B為(甲基)丙烯酸異冰片酯、構成成分C為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
[10]特別是透明黏著劑較佳為含有(甲基)丙烯酸2-乙基己酯50份~65份作為構成成分A,含有(甲基)丙烯酸異冰片酯15份~30份作為構成成分B,含有(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯20份~30份作為構成成分C。藉此,可提高透明黏著劑層的耐白化性能。
[11]或者,構成成分A可為丙烯酸正丁酯、構成成分C可為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。該情況下,亦可提高透明黏著劑層的耐白化性能。
如以上所說明般,藉由本發明的配線基板,發揮出以下效果。
(a)可有效減小配線間的電位差。
(b)可抑制包含銀或銅等的配線間的離子遷移的產生。
(c)可進一步促進小型化以及配線的微細化、配線間的狹小化。
所述的目的、特徵及優點根據參照隨附圖式進行說明的以下的實施方式的說明將被容易地理解。
10‧‧‧觸控面板
12‧‧‧感測器本體
14‧‧‧控制電路
16A‧‧‧第1導電性膜(配線基板)
16B‧‧‧第2導電性膜(配線基板)
18‧‧‧積層導電性膜
20‧‧‧保護層
22‧‧‧顯示裝置
24‧‧‧顯示面板
24a‧‧‧顯示畫面
26A‧‧‧第1感測器部
26B‧‧‧第2感測器部
28A‧‧‧第1端子配線部
28B‧‧‧第2端子配線部
30A‧‧‧第1導電部
30B‧‧‧第2導電部
32A‧‧‧第1透明基體(絕緣基板)
32B‧‧‧第2透明基體
34A‧‧‧第1透明黏著劑層(透明黏著劑層)
34B‧‧‧第2透明黏著劑層
36A‧‧‧第1導電圖案
36B‧‧‧第2導電圖案
37A‧‧‧第1輔助線
37B‧‧‧第2輔助線
38A‧‧‧第1補助圖案
38B‧‧‧第2補助圖案
40A‧‧‧第1大格子
40B‧‧‧第2大格子
42‧‧‧小格子
44A‧‧‧第1連接部
44B‧‧‧第2連接部
46‧‧‧中格子
48a‧‧‧第1接線部
48b‧‧‧第2接線部
50a‧‧‧第1端子配線圖案(第1金屬配線)
50b‧‧‧第2端子配線圖案
52a‧‧‧第1接地端子
52b‧‧‧第2接地端子
54a‧‧‧第1接地線(第2金屬配線)
54b‧‧‧第2接地線
56a‧‧‧第1連接端子
56b‧‧‧第2連接端子
58‧‧‧組合圖案
60A‧‧‧第1軸線
60B‧‧‧第2軸線
66a‧‧‧第1對準標記
66b‧‧‧第2對準標記
100a‧‧‧第1金屬配線
100b‧‧‧第2金屬配線
102a‧‧‧第1焊墊
102b‧‧‧第2焊墊
104a‧‧‧第1端子
104b‧‧‧第2端子
Aa‧‧‧振幅
La‧‧‧鄰接的第1金屬配線100a與第2金屬配線100b間的空間距離
m、n、x、y‧‧‧方向
P1‧‧‧第1脈衝信號
P2‧‧‧第2脈衝信號
Pa、Pb‧‧‧脈衝信號
Pr‧‧‧脈衝列
Tc、Ts、Tt‧‧‧脈衝週期
Tk‧‧‧休止期間
Tp‧‧‧脈衝列輸出期間
Tw‧‧‧脈衝寬度
Wa、Wb‧‧‧線寬
圖1是表示將本實施方式的配線基板應用於觸控面板的構成例的分解立體圖。
圖2是表示積層導電性膜(配線基板)的分解立體圖。
圖3是表示積層導電性膜的剖面構造的一例與控制系統(自電容方式)的一例的說明圖。
圖4是將組合第1導電性膜(配線基板)與第2導電性膜(配線基板)而製成積層導電性膜的例一部分省略而表示的平面圖。
圖5是表示藉由第1輔助線與第2輔助線而形成有一條線的狀態的說明圖。
圖6A是表示第1脈衝信號及第2脈衝信號的第1信號形態的波形圖,圖6B是表示第1脈衝信號及第2脈衝信號的第2信號形態的波形圖。
圖7是表示積層導電性膜的剖面構造的一例與控制系統(互電容方式)的一例的說明圖。
圖8是表示積層導電性膜的剖面構造的其他例的說明圖。
圖9是表示實施例中所使用的第1金屬配線及第2金屬配線的圖案例的說明圖。
圖10A是表示脈衝信號Pa的波形圖,圖10B是表示脈衝信號Pb的波形圖。
以下,一面參照圖1~圖10B一面說明將本發明的配線基板應用於例如觸控面板的實施方式例。此外,本說明書中,表 示數值範圍的「~」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義使用。
如圖1所示,應用本實施方式的配線基板的觸控面板10包括感測器(sensor)本體12及控制電路14(包含積體電路(integrated circuit,IC電路)等:參照圖3)。感測器本體12包括積層第1導電性膜16A(配線基板)與第2導電性膜16B(配線基板)而構成的積層導電性膜18、及積層於其上的保護層20。積層導電性膜18及保護層20是配置於例如液晶顯示器(liquid crystal display)等顯示裝置22中的顯示面板(display panel)24上。於自上表面觀察時,第1導電性膜16A及第2導電性膜16B包括配置於對應顯示面板24的顯示畫面24a的區域的第1感測器部26A及第2感測器部26B。另外,包括配置於對應於顯示面板24的外周部分的區域的第1端子配線部28A及第2端子配線部28B(所謂的邊緣)。由第1感測器部26A與第1端子配線部28A構成第1導電部30A,由第2感測器部26B與第2端子配線部28B構成第2導電部30B。
並且,如圖2及圖3所示,第1導電性膜16A包括第1透明基體32A(絕緣基板)、形成於該第1透明基體32A的表面上的所述第1導電部30A、及以被覆第1導電部30A的方式形成的第1透明黏著劑層34A(參照圖3)。
如圖2所示,第1感測器部26A包括基於包含金屬細線的透明導電層的多個第1導電圖案(conductive pattern)36A、及 排列於各第1導電圖案36A的周邊的包含多個第1輔助線37A的第1補助圖案38A。第1導電圖案36A沿第1方向(x方向)延伸,且沿與第1方向正交的第2方向(y方向)排列。
具體而言,第1導電圖案36A是兩個以上的第1大格子 40A在第1方向上串列連接而構成。各第1大格子40A分別是組合兩個以上的小格子42而構成。另外,在第1大格子40A的邊的周圍形成有與第1大格子40A不連接的所述第1補助圖案38A。
在鄰接的第1大格子40A間形成有將該些第1大格子 40A電性連接的第1連接部44A。將二等分第1方向與第2方向的方向設為第3方向(m方向),將與第3方向正交的方向設為第4方向(n方向)。此時,第1連接部44A是配置p個(p為大於1的實數)中格子46而構成,所述中格子46的大小為小格子42沿第4方向(n方向)排列而成的大小。
此外,小格子42於此處被設為最小的正方形狀。中格 子46具有例如3個份的小格子42沿一方向排列的大小。
以如上所述的方式構成的第1導電性膜16A如圖2所 示,各第1導電圖案36A的一端部側所存在的第1大格子40A的開放端成為不存在第1連接部44A的形狀。各第1導電圖案36A的另一端部側所存在的第1大格子40A的端部經由第1接線部48a而電性連接於由金屬配線形成的第1端子配線圖案50a。
即,如圖2所示,應用於觸控面板10的第1導電性膜 16A於對應於第1感測器部26A的部分排列有所述多個第1導電 圖案36A。於第1端子配線部28A排列有自各第1接線部48a導出的多個第1端子配線圖案50a(第1金屬配線)。另外,在第1端子配線圖案50a的外側,自一第1接地端子52a至另一第1接地端子52a,以包圍第1感測器部26A的方式,形成有以遮蔽(shield)效果為目的之第1接地線54a(第2金屬配線)。
於圖1的例中,關於第1導電性膜16A的外形,自上表 面觀察而具有長方形狀,第1感測器部26A的外形亦具有長方形狀。第1端子配線部28A中,於第1導電性膜16A的一長邊側的周緣部,在其長度方向中央部分,除所述一對第1接地端子52a以外,亦沿所述一長邊的長度方向排列形成有多個第1連接端子56a。另外,沿第1感測器部26A的一長邊(最接近第1導電性膜16A的一長邊的長邊:y方向)呈直線狀地排列有多個第1接線部48a。自各第1接線部48a導出的第1端子配線圖案50a朝向第1導電性膜16A的一長邊的大致中央部引伸,且電性連接於各自對應的第1連接端子56a。
因此,如圖3所示,以被覆第1導電部30A的方式形成 的第1透明黏著劑層34A與第1端子配線部28A的第1端子配線圖案50a(第1金屬配線)、第1接地線54a(第2金屬配線)及第1導電圖案36A(透明導電層)接觸而配置於該些第1金屬配線、第2金屬配線及透明導電層上。
另一方面,如圖2及圖3所示,第2導電性膜16B包括: 第2透明基體32B、形成於該第2透明基體32B的表面上的所述 第2導電部30B、及以被覆第2導電部30B的方式形成的第2透明黏著劑層34B(參照圖3)。
第2感測器部26B包括基於包含金屬細線的透明導電層 的多個第2導電圖案36B、及排列於各第2導電圖案36B的周邊的包含多個第2輔助線37B的第2補助圖案38B。第2導電圖案36B沿第2方向(y方向)延伸,且沿第1方向(x方向)排列。
具體而言,第2導電圖案36B是兩個以上的第2大格子 40B在第2方向上串列連接而構成。各第2大格子40B亦分別是組合兩個以上的小格子42而構成。另外,在第2大格子40B的邊的周圍形成有與第2大格子40B不連接的所述第2補助圖案38B。
在鄰接的第2大格子40B間形成有將該些第2大格子 40B電性連接的第2連接部44B。第2連接部44B是配置p個中格子46而構成,所述中格子46的大小為小格子42沿第3方向(m方向)排列而成的大小。
關於以如上所述的方式構成的第2導電性膜16B,各第 2導電圖案36B的一端部側所存在的第2大格子40B的開放端成為不存在第2連接部44B的形狀。另一方面,第奇數個各第2導電圖案36B的另一端部側所存在的第2大格子40B的端部、以及第偶數個各第2導電圖案36B的一端部側所存在的第2大格子40B的端部分別經由第2接線部48b電性連接於由金屬配線形成的第2端子配線圖案50b。
即,如圖1及如圖2所示,應用於觸控面板10的第2 導電性膜16B在對應於第2感測器部26B的部分排列有多個第2導電圖案36B。於第2端子配線部28B排列有自各第2接線部48b導出的多個第2端子配線圖案50b(第1金屬配線)。另外,在第2端子配線圖案50b的外側,自一第2接地端子52b至另一第2接地端子52b,以包圍第2感測器部26B的方式,形成有以遮蔽效果為目的之第2接地線54b(第2金屬配線)。
如圖1所示,第2端子配線部28B中,於第2導電性膜 16B的一長邊側的周緣部,在其長度方向中央部分,除所述一對第2接地端子52b以外,亦沿所述一長邊的長度方向排列形成有多個第2連接端子56b。另外,沿第2感測器部26B的一短邊(最接近第2導電性膜16B的一短邊的短邊:x方向)呈直線狀地排列有多個第2接線部48b(例如第奇數個第2接線部48b)。沿第2感測器部26B的另一短邊(最接近第2導電性膜16B的另一短邊的短邊:x方向)呈直線狀地排列有多個第2接線部48b(例如第偶數個第2接線部48b)。
多個第2導電圖案36B中,例如第奇數個第2導電圖案 36B連接於各自對應的第奇數個第2接線部48b,第偶數個第2導電圖案36B連接於各自對應的第偶數個第2接線部48b。自第奇數個第2接線部48b及第偶數個第2接線部48b導出的第2端子配線圖案50b朝向第2導電性膜16B的一長邊的大致中央部引伸,且電性連接於各自對應的第2連接端子56b。
此外,亦可將第1端子配線圖案50a的導出形態設為與 所述第2端子配線圖案50b相同,將第2端子配線圖案50b的導出形態設為與所述第1端子配線圖案50a相同。
因此,以被覆第2導電部30B的方式形成的第2透明黏著劑層34B亦與第2端子配線部28B的第2端子配線圖案50b(第1金屬配線)、第2接地線54b(第2金屬配線)及第2導電圖案36B(透明導電層)接觸。並且,配置於該些第1金屬配線、第2金屬配線及透明導電層上。
所述第1金屬配線、第2金屬配線及構成透明導電層的金屬細線分別含有銀及/或銅。
第1大格子40A及第2大格子40B的一邊的長度較佳為3mm~10mm,更佳為4mm~6mm。若一邊的長度小於所述下限值,則檢測時的第1大格子40A及第2大格子40B的靜電電容減少,導致檢測不良的可能性變高。另一方面,若超過所述上限值,則有位置檢測精度降低之虞。就同樣的觀點而言,構成第1大格子40A及第2大格子40B的小格子42的一邊的長度較佳為50μm~500μm,進而較佳為150μm~300μm。在小格子42為所述範圍的情況下,進而透明性亦可保持得良好,於安裝於顯示裝置22的顯示面板24上時,可無違和感地視認顯示。
另外,第1導電圖案36A(第1大格子40A、中格子46)的線寬、第2導電圖案36B(第2大格子40B、中格子46)的線寬、第1補助圖案38A(第1輔助線37A)及第2補助圖案38B(第2輔助線37B)的線寬分別為1μm~9μm。該情況下,與第 1導電圖案36A的線寬或第2導電圖案36B的線寬可相同亦可不同。但是,較佳為將第1導電圖案36A、第2導電圖案36B、第1補助圖案38A及第2補助圖案38B的各線寬設為相同。
即,關於構成透明導電層的金屬細線的線寬,下限較佳 為1μm以上、3μm以上、4μm以上、或5μm以上,上限較佳為9μm以下、8μm以下。在線寬小於所述下限值的情況下,導電性變得不充分,因此當用於觸控面板時,檢測感度變得不充分。另一方面,若超過所述上限值,則雲紋(moire)變得顯著,或當用於觸控面板時視認性變差。此外,藉由在所述範圍內,可改善第1感測器部26A及第2感測器部26B中的雲紋,而使視認性變得特佳。線間隔(鄰接的金屬細線的間隔)較佳為30μm以上且500μm以下,進而較佳為50μm以上且400μm以下,最佳為100μm以上且350μm以下。另外,以接地(earth connection)等為目的,金屬細線亦可具有線寬寬於200μm的部分。
就可見光透射率的方面而言,本實施方式中的第1導電 性膜16A及第2導電性膜16B的開口率較佳為85%以上,進而較佳為90%以上,最佳為95%以上。所謂開口率,是指除金屬細線以外的透光性部分於整體中所佔的比例,例如線寬6μm、細線間距(pitch)240μm的正方形的格子狀的開口率為95%。
並且,例如當於第2導電性膜16B上積層第1導電性膜 16A而製成積層導電性膜18時,如圖4所示,成為第1導電圖案36A與第2導電圖案36B交叉配置的形態。具體而言,成為使第1 導電圖案36A的第1連接部44A與第2導電圖案36B的第2連接部44B之間夾持第1透明基體32A(參照圖3)而對向的形態。
於自上表面觀察積層導電性膜18時,如圖4所示,成 為以填埋形成於第1導電性膜16A的第1大格子40A的間隙的方式排列有第2導電性膜16B的第2大格子40B的形態。此時,於第1大格子40A與第2大格子40B之間形成第1補助圖案38A與第2補助圖案38B對向所成的組合圖案58。組合圖案58如圖5所示,第1輔助線37A的第1軸線60A與第2輔助線37B的第2軸線60B一致,且第1輔助線37A與第2輔助線37B不重合。而且,第1輔助線37A的一端與第2輔助線37B的一端一致,藉此構成小格子42的一邊。即,組合圖案58成為組合兩個以上的小格子42而成的形態。其結果,於自上表面觀察積層導電性膜18時,如圖4所示,成為鋪滿了多個小格子42的形態。
並且,在將該積層導電性膜18用作觸控面板10的情況 下,於第1導電性膜16A上積層保護層20。將自第1導電性膜16A的多個第1導電圖案36A導出的第1端子配線圖案50a連接於例如控制掃描(scan)的控制電路14(參照圖3)。同樣地,將自第2導電性膜16B的多個第2導電圖案36B導出的第2端子配線圖案50b連接於控制電路14。
觸控(touch)位置的檢測方式可較佳地採用自電容(self-capacity)方式或互電容方式。即,若為自電容方式,則對第1導電圖案36A依序施加用於觸控位置檢測的電壓信號,對第 2導電圖案36B依序施加用於觸控位置檢測的電壓信號。藉由使指尖接觸或接近保護層20的上表面,而使與觸控位置對向的第1導電圖案36A及第2導電圖案36B與GND(地(ground))之間的電容增加。藉此,來自該第1導電圖案36A及第2導電圖案36B的傳遞信號的波形成為與來自其他導電圖案的傳遞信號的波形不同的波形。因此,在控制電路14中,基於自第1導電圖案36A及第2導電圖案36B供給的傳遞信號對觸控位置進行運算。
另一方面,在互電容方式的情況下,例如對第1導電圖 案36A依序施加用於觸控位置檢測的電壓信號,對第2導電圖案36B依序進行感測(sensing)(傳遞信號的檢測)。藉由使指尖接觸或接近保護層20的上表面,而使手指的浮動電容相對於與觸控位置對向的第1導電圖案36A與第2導電圖案36B之間的寄生電容並列地增加。藉此,來自該第2導電圖案36B的傳遞信號的波形成為與來自其他第2導電圖案36B的傳遞信號的波形不同的波形。因此,控制電路14是基於供給電壓信號的第1導電圖案36A的順序、與所供給的來自第2導電圖案36B的傳遞信號而對觸控位置進行運算。藉由採用此種自電容方式或互電容方式的觸控位置的檢測方法,即便同時使兩個指尖接觸或接近保護層20的上表面,亦可檢測各觸控位置。
此外,與投影型靜電電容方式的檢測電路相關的現有技 術文獻有美國專利第4,582,955號說明書、美國專利第4,686,332號說明書、美國專利第4,733,222號說明書、美國專利第5,374,787 號說明書、美國專利第5,543,588號說明書、美國專利第7,030,860號說明書、美國專利申請案公開第2004/0155871號說明書等。
此處,一面參照圖3、圖6A、圖6B、圖7一面對本實施方式的觸控面板10的兩個控制系統進行說明。
第1控制系統是對應自電容方式的控制系統,如圖3所示,自控制電路14對第1端子配線圖案50a(第1金屬配線)供給用以檢測觸控位置的第1脈衝信號P1。對第2端子配線圖案50b(第1金屬配線)供給用以檢測觸控位置的第2脈衝信號P2。另一方面,對第1接地線54a及第2接地線54b分別施加接地電位。
如圖6A及圖6B所示,第1脈衝信號P1及第2脈衝信號P2具有排列有多列基準位準為與固定電位相同的位準且脈衝寬度為3msec以下的脈衝的脈衝列Pr。於600秒期間脈衝的累計時間小於60秒。
藉此,可減小第1端子配線圖案50a與第1接地線54a之間的電位差、以及第2端子配線圖案50b與第2接地線54b之間的電位差,於抑制配線間的遷移方面有利。其連帶控制第1金屬配線(第1端子配線圖案50a及第2端子配線圖案50b)的金屬離子的遷移率及遷移量。即,控制由脈衝的施加引起的金屬離子向接地電位方向的遷移量、及於基準位準的期間的金屬離子向第1金屬配線的遷移。藉此推定,可控制金屬離子的氧化/還原,結果可抑制離子遷移的產生。此外,自第1端子配線圖案50a及第2端子配線圖案50b向控制電路14的傳遞信號的各振幅比第1脈衝 信號P1及第2脈衝信號P2的各振幅微小。因此,不會達到於配線間產生離子遷移的程度。
第1脈衝信號P1及第2脈衝信號P2的信號形態有兩種(第1信號形態及第2信號形態)。
如圖6A所示,第1信號形態為於600秒期間重複固定的脈衝週期Tc而輸出脈衝列Pr的信號形態。該情況下,較佳為工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)小於10%。
第2信號形態為具有於600秒期間輸出脈衝列Pr的脈衝列輸出期間Tp、及連續地輸出固定電位的休止期間Tk的信號形態。該情況下,較佳為於將600秒設為脈衝週期Tc、將脈衝列輸出期間Tp設為脈衝寬度Tw時,工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)小於10%。
如此,於本實施方式的觸控面板10中,可減小第1端子配線圖案50a與第1接地線54a間的電位差、以及第2端子配線圖案50b與第2接地線54b間的電位差。其結果,即便該些第1端子配線圖案50a、第1接地線54a、第2端子配線圖案50b、第2接地線54b分別包含銀或銅等,亦可抑制配線間的離子遷移的產生,從而可抑制檢測精度的劣化。
其次,第2控制系統是對應互電容方式的控制系統,如圖7所示,具有與第1控制系統大致相同的構成,但於僅對第1端子配線圖案50a施加脈衝信號(該情況下為第1脈衝信號P1)的方面不同。
該情況下,亦可減小第1端子配線圖案50a與第1接地 線54a間的電位差,可抑制配線間的離子遷移的產生,從而可抑制檢測精度的劣化。此外,來自第2端子配線圖案50b的傳遞信號的振幅比第1脈衝信號P1的振幅微小,因此不會達到於配線間產生離子遷移的程度。
關於所述積層導電性膜18,如圖3所示,於第1透明基 體32A的表面形成第1導電部30A,於第2透明基體32B的表面形成第2導電部30B。作為其他例,如圖8所示,亦可於第1透明基體32A的表面形成第1導電部30A,於第1透明基體32A的背面形成第2導電部30B。該情況下,成為不存在第2透明基體32B,且於第2導電部30B上積層有第1透明基體32A,於第1透明基體32A上積層有第1導電部30A的形態。該情況下,亦以被覆第1導電部30A的方式形成第1透明黏著劑層34A,以被覆第2導電部30B的方式形成第2透明黏著劑層34B。另外,亦可於第1導電性膜16A與第2導電性膜16B之間存在其他層,若第1導電圖案36A與第2導電圖案36B為絕緣狀態,則它們亦可對向而配置。
如圖1所示,較佳為在第1導電性膜16A與第2導電性 膜16B的例如各角隅(corner)部,形成第1導電性膜16A與第2導電性膜16B的貼合時所使用的位置對準用的第1對準標記(alignment mark)66a及第2對準標記66b。該第1對準標記66a及第2對準標記66b在將第1導電性膜16A與第2導電性膜16B 貼合而製成積層導電性膜18的情況下,成為新的複合對準標記。該複合對準標記亦發揮作為將該積層導電性膜18設置於顯示面板24時所使用的位置對準用的對準標記的功能。
於所述例中,表示將第1導電性膜16A及第2導電性膜16B應用於投影型靜電電容方式的觸控面板10的例,但此外亦可應用於表面型靜電電容方式的觸控面板、或電阻膜式的觸控面板。
作為形成於第1導電性膜16A或第2導電性膜16B的導電圖案,除所述以外,亦可使用以絕緣部將網格圖案(mesh pattern)劃分為帶狀,並將其平行地配置多條而成的導電圖案。
即,第1變形例的圖案亦可包括自各端子向第1方向(x方向)延伸,且沿與第1方向正交的第2方向(y方向)排列的兩個以上的帶狀的第1導電圖案。另外,第2變形例的圖案亦可包括與第1變形例相反地,自各端子向第2方向(y方向)延伸,且沿第1方向(x方向)排列的兩個以上的帶狀的第2導電圖案。各導電圖案可藉由以金屬細線將一個開口部包圍而製成封閉的多個網格形狀大量排列而成的圖案。網格形狀例如可列舉正方形狀、長方形狀、正六邊形狀等。
並且,使所述第1變形例的圖案與第2變形例的圖案之間夾持例如透明基體而重疊,藉此成為帶狀的第1導電圖案與帶狀的第2導電圖案交叉的形態。其適宜用於例如投影型靜電電容方式的觸控面板的導電圖案。
如上所述,本實施方式的第1導電性膜16A及第2導電 性膜16B可應用於顯示裝置22的觸控面板用的導電膜。此外,亦可用作顯示裝置22的電磁波遮蔽膜、或設置於顯示裝置22的顯示面板24的光學膜。顯示裝置22可列舉液晶顯示器、電漿顯示器(plasma display)、有機電致發光(organic electroluminescence,有機EL)、無機電致發光(inorganic electroluminescence,無機EL)等。
其次,代表性地對第1導電性膜16A的製造方法進行簡 單說明。製造第1導電性膜16A的第1方法例如於第1透明基體32A上對具有含有感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光而實施顯影處理。藉此,於曝光部及未曝光部分別形成金屬銀部及透光性部而形成第1導電部30A。此外,亦可進而對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而使導電性金屬擔載於金屬銀部。將使導電性金屬擔載於金屬銀部所得的層整體記為導電性金屬部。
第2方法是於第1透明基體32A上使用鍍敷預處理材形成感光性被鍍敷層,其後進行曝光、顯影處理後,實施鍍敷處理。藉此,於曝光部及未曝光部分別形成金屬部及透光性部而形成第1導電部30A。此外,亦可藉由進而對金屬部實施物理顯影及/或鍍敷處理而使導電性金屬擔載於金屬部。
使用鍍敷預處理材的方法(第2方法)的進而較佳的實施方式可列舉如下兩種實施方式。此外,下述的更具體的內容是揭示於日本專利特開2003-213437號公報、日本專利特開2006-64923號公報、日本專利特開2006-58797號公報、日本專利 特開2006-135271號公報等。
(a)於第1透明基體32A上塗佈含有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層,其後進行曝光.顯影後,進行鍍敷處理而使金屬部形成於被鍍敷材料上的實施方式。
(b)於第1透明基體32A上依序積層含有聚合物(polymer)及金屬氧化物的基底層、及含有與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層,其後進行曝光.顯影後,進行鍍敷處理而使金屬部形成於被鍍敷材料上的實施方式。
第3方法是對形成於第1透明基體32A上的銅箔上的光 阻膜(photoresist film)進行曝光、顯影處理而形成抗蝕劑圖案(resist pattern)。對自抗蝕劑圖案露出的銅箔進行蝕刻(etching),而形成第1導電部30A。
第4方法是於第1透明基體32A上印刷含有金屬微粒子 的糊劑(paste)。其後,對糊劑進行金屬鍍敷,藉此形成第1導電部30A。
第5方法是於第1透明基體32A上藉由網版印刷(screen printing)版或凹版印刷(gravure printing)版印刷形成第1導電部30A。
第6方法是於第1透明基體32A上藉由噴墨(ink jet) 形成第1導電部30A。
此處,以下對第1導電性膜16A及第2導電性膜16B 的各層的構成進行詳細說明。
[透明基體]
第1透明基體32A及第2透明基體32B可列舉塑膠膜(plastic film)、塑膠板(plastic board)、玻璃板(glass board)等。所述塑膠膜及塑膠板的原料例如可使用聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)等聚酯類;三乙醯纖維素(triacetyl cellulose,TAC)等。第1透明基體32A及第2透明基體32B較佳為熔點為約290℃以下的塑膠膜、或塑膠板。特別是就透光性或加工性等觀點而言,較佳為PET。
[銀鹽乳劑層]
成為構成透明導電層的金屬細線的銀鹽乳劑層除銀鹽與黏合劑(binder)以外,亦含有溶劑或染料等添加劑。
本實施方式中所使用的銀鹽可列舉鹵化銀等無機銀鹽及乙酸銀等有機銀鹽。本實施方式中,較佳為使用作為光感測器的特性優異的鹵化銀。
銀鹽乳劑層的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀而較佳為1g/m2~30g/m2,更佳為1g/m2~25g/m2,進而較佳為5g/m2~20g/m2。藉由將該塗佈銀量設為所述範圍,而在製成導電性膜的情況下可獲得所需的表面電阻。
本實施方式中所使用的黏合劑例如可列舉:明膠(gelatin)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍 生物、聚環氧乙烷、聚乙烯胺、幾丁聚糖(chitosan)、聚離胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸(polyhyaluronic acid)、羧基纖維素等。該些黏合劑藉由官能基的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。
本實施方式的銀鹽乳劑層中所含的黏合劑的含量並無特別限定,可於能夠發揮出分散性與密接性的範圍內適當決定。銀鹽乳劑層中的黏合劑的含量以銀/黏合劑體積比計較佳為1/4以上,更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下,更佳為50/1以下。另外,銀/黏合劑體積比進而較佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑體積比設為該範圍,而即便在調整塗佈銀量的情況下亦可抑制電阻值的不均。其結果,可獲得具有均勻的表面電阻的導電性膜。此外,銀/黏合劑體積比可藉由將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比),進而將銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)而求出。
<溶劑>
銀鹽乳劑層的形成中所使用的溶劑並無特別限定,例如可列舉:水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、及該些溶劑的混合溶劑。
<其他添加劑>
關於本實施方式中所使用的各種添加劑,並無特別限 制,可較佳地使用公知的各種添加劑。
[透明黏著劑層]
第1透明黏著劑層34A及第2透明黏著劑層34B含有光學上透明的包含選自由下述構成成分A、構成成分B及構成成分C所組成的組群中的至少一種的透明黏著劑。
於將透明黏著劑設為100份時,構成成分A含有45份~95份,構成成分B含有20份~50份,構成成分C含有1份~40份。
.構成成分A:具有25℃以下的玻璃轉移溫度Tg的(甲基)丙烯酸烷基酯單體(此處,烷基具有4個~18個碳原子)。
.構成成分B:具有25℃以上的玻璃轉移溫度Tg的(甲基)丙烯酸酯單體的酯。
.構成成分C:選自由(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、未經取代的(甲基)丙烯醯胺、N-烷基取代(甲基)丙烯醯胺、N,N-二烷基取代(甲基)丙烯醯胺、具有脲官能基的單體、具有內醯胺官能基、三級胺、脂環式胺、芳香族胺、及該些的組合的單體所組成的組群中的單體。
此處,構成成分A為選自由丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-甲基己酯、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
構成成分B為選自由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、及該些的組合所組成的組群中的至 少一種。
構成成分C為選自由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、N-辛基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、(甲基)丙烯酸N,N-二烷基胺基烷基酯(此處,烷基具有1個~4個碳原子)、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
並且,亦可秤量並混合所述構成成分A、構成成分B及構成成分C,而製備光學上透明的黏著劑。該些構成成分可單獨交聯,或者亦可利用共通的交聯劑進行交聯。此種交聯劑可列舉於製造溶劑塗佈接著劑的乾燥步驟中得以活化的熱交聯劑。此種熱交聯劑可列舉:多官能性異氰酸酯、氮丙啶、及環氧化合物。此外,亦可使用光反應起始劑,使透明黏著劑進行交聯。較佳的光反應起始劑可列舉二苯甲酮及4-丙烯醯氧基二苯甲酮。
所述透明黏著劑可使用溶劑系溶液聚合,或使用塊狀聚合(bulk polymerization)而製備。
於溶劑系溶液聚合中,溶劑系透明黏著劑、構成成分及添加劑可混合於有機溶劑內,形成溶液後進行塗佈,並且繼而進行乾燥。溶劑系透明黏著劑可於乾燥製程(process)中進行交聯,或者可視情況於乾燥步驟後進行交聯。
於塊狀聚合中,將含有構成成分A以及構成成分B及構成成分C中的至少一種的單體預混料(monomer premix)與反應起始劑(光反應起始劑或熱反應起始劑的任一種)一併混合。其 次,使用紫外線等放射線使其部分聚合,而形成可塗佈的糖漿劑(syrup)。視需要,於將糖漿劑塗佈於可撓性基材上之前,將交聯劑添加至糖漿劑中。
進而於另一方法中,將透明黏著劑的構成成分(構成成 分A、構成成分B、及構成成分C)與添加劑(例如反應起始劑(光反應起始劑或熱反應起始劑)及視需要的交聯劑)一併混合。單體或單體混合物可用於間隙填充(gap filling)用途,例如可用於填充兩片玻璃基材等兩片基材之間的空隙等。
並且,構成成分A、構成成分B及構成成分C的較佳例 如下所述。即,構成成分A為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、構成成分B為(甲基)丙烯酸異冰片酯、構成成分C為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。更具體而言,較佳的透明黏著劑含有(甲基)丙烯酸2-乙基己酯50份~65份作為構成成分A,含有(甲基)丙烯酸異冰片酯15份~30份作為構成成分B,含有(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯20份~30份作為構成成分C。
另外,透明黏著劑在含有構成成分A及構成成分C(不 含構成成分B)的情況下,較佳為構成成分A為丙烯酸正丁酯、構成成分C為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
[其他層構成]
亦可於銀鹽乳劑層上設置未圖示的保護層。另外,亦可於銀鹽乳劑層的下方設置例如底塗層。
[導電性膜]
第1導電性膜16A的第1透明基體32A及第2導電性 膜16B的第2透明基體32B的厚度較佳為5μm~350μm,進而較佳為30μm~150μm。若為5μm~350μm的範圍,則可獲得所需的可見光的透射率,且操作亦容易。
第1透明基體32A及第2透明基體32B上所設置的金屬 銀部的厚度可根據第1透明基體32A及第2透明基體32B上所塗佈的銀鹽乳劑層用塗料的塗佈厚度而適當決定。金屬銀部的厚度可自0.001mm~0.2mm中選擇。較佳為30μm以下,更佳為20μm以下。進而較佳為0.01μm~9μm,最佳為0.05μm~5μm。另外,金屬銀部較佳為圖案狀。金屬銀部可為一層,亦可為兩層以上的重層構成。在金屬銀部為圖案狀且為兩層以上的重層構成的情況下,可賦予不同的感色性以能夠感光不同的波長。藉此,若改變曝光波長進行曝光,則可於各層形成不同的圖案。
關於導電性金屬部的厚度,作為觸控面板10的用途, 越薄則顯示面板24的視角越廣,故而越好,就提高視認性的方面而言,亦要求薄膜化。就此種觀點而言,包含擔載於導電性金屬部的導電性金屬的層的厚度較佳為小於9μm,更佳為0.1μm以上且小於5μm,進而較佳為0.1μm以上且小於3μm。
於本實施方式中,藉由控制所述銀鹽乳劑層的塗佈厚 度,可形成所需的厚度的金屬銀部。進而,可藉由物理顯影及/或鍍敷處理而自由地控制包含導電性金屬粒子的層的厚度。因此,即便是具有小於5μm、較佳為小於3μm的厚度的導電膜,亦可 容易地形成。
此外,於第1導電性膜16A及第2導電性膜16B的製造方法中,未必需要進行鍍敷等步驟。其原因在於,可藉由調整銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比而獲得所需的表面電阻。此外,亦可視需要進行壓光(calender)處理等。
此外,本發明可與下述表1及表2中記載的公開公報及國際公開說明書(pamphlet)的技術適當組合而使用。「日本專利特開」、「號公報」、「號說明書」等表述省略。
[實施例]
以下,列舉本發明的實施例對本發明進行更具體的說明。此外,以下實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本發明的主旨則可進行適當變更。因此,本發明的範圍不應限定於以下所示的具體例而進行解釋。
[第1實施例]
於該第1實施例中,對所使用的透明黏著劑層的耐白化性能進行評價。
[透明雙面黏著片(adhesive sheet)]
(合成例1:透明雙面黏著片S-1的製作)
使用具備丙烯酸系共聚物的製備攪拌機、回流冷凍機、溫度計、滴液漏斗及氮氣導入口的反應容器。於該反應容器中,將丙烯酸2-乙基己酯50質量份、丙烯酸異冰片酯25質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯25質量份溶解於乙酸乙酯100重量份。於氮氣置換後加溫至內溫70℃。
一面向該反應液中緩慢地滴加將2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)0.1份與乙酸乙酯10份預先溶解而成的溶液,一面攪拌3小時而獲得重量平均分子量40萬的丙烯酸系共聚物(P-1)。
其次,添加所述丙烯酸系共聚物(P-1)與異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯(Nippon Polyurethane)公司製造的Coronate L-45,固體成分45%)0.7重量份,攪拌5分鐘。向其中添加將DL-α-生育醇溶解於乙酸乙酯/甲苯混合溶劑(乙酸乙酯/甲苯=1/1) 中而成的溶液。攪拌5分鐘,獲得相對於丙烯酸系共聚物固體成分100重量份而DL-α-生育醇為0.5重量份的黏著劑組成物。
將所述黏著劑組成物以乾燥後的厚度成為50μm的方式塗敷於利用矽酮化合物對單面進行了剝離處理的厚度50μm的PET膜上。其後,於75℃下乾燥5分鐘。將所獲得的黏著片與利用矽酮化合物對單面進行了剝離處理的厚度為38μm的PET膜貼合。其後,於23℃下熟化5天,而獲得厚度50μm的透明雙面黏著片(無基材的黏著片)S-1。
(合成例2:透明雙面黏著片S-2的製造)
代替丙烯酸2-乙基己酯50質量份、丙烯酸異冰片酯25質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯25質量份,而使用丙烯酸丁酯75質量份與丙烯酸2-羥基乙酯25質量份。使用該些材料進行丙烯酸系共聚物的聚合,且不使用DL-α-生育醇,除此以外,依據與合成例1相同的順序,製造透明雙面黏著片S-2。
(合成例3:透明雙面黏著片S-3的製造)
代替丙烯酸2-乙基己酯50質量份、丙烯酸異冰片酯25質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯25質量份,而使用丙烯酸丁酯60質量份與丙烯酸2-乙基己酯25質量份、甲基丙烯酸甲酯15質量份。使用該些材料進行丙烯酸系共聚物的聚合,且不使用DL-α-生育醇,除此以外,依據與合成例1相同的順序,製造透明雙面黏著片S-3。
(合成例4:透明雙面黏著片S-4的製造)
將丙烯酸2-羥基乙酯25質量份替換為20質量份,將丙烯酸異冰片酯25質量份替換為30質量份,除此以外,依據與合成例1相同的順序,製造透明雙面黏著片S-4。
(合成例5:透明雙面黏著片S-5的製造)
將丙烯酸2-羥基乙酯25質量份替換為30質量份,將丙烯酸異冰片酯25質量份替換為20質量份,除此以外,依據與合成例1相同的順序,製造透明雙面黏著片S-5。
(合成例6:透明雙面黏著片S-6的製造)
將丙烯酸2-乙基己酯50質量份替換為65質量份,將丙烯酸異冰片酯25質量份替換為15質量份,除此以外,依據與合成例1相同的順序,製造透明雙面黏著片S-6。
[環境試驗(耐白化性能的評價)]
將透明雙面黏著片S-1、透明雙面黏著片S-2、透明雙面黏著片S-3、透明雙面黏著片S-4、透明雙面黏著片S-5及透明雙面黏著片S-6切斷成規定的大小(長度5cm×寬度4cm)。將一單面上的剝離膜剝離,將顯示黏著性的一表面作為積層面而貼合於玻璃基板。進而將透明雙面黏著片的另一單面上的剝離膜剝離,貼附PET基板(厚度50μm),而製作評價用樣品(sample)。
將評價用樣品於85℃、85%RH的條件下放置120小時。其後,於將評價用樣品放置於23℃、50%RH時,測定直至評價用樣品(透明黏著劑層)達到霧度(haze)3%以下的時間。依據以下基準進行評價。實用上,若為A評價,則耐白化性能優異。
A:小於6小時
B:6小時以上且小於12小時
C:12小時以上
此外,霧度是使用村上色彩技術研究所製造的「HR-100型」而測定。
[評價結果]
將透明雙面黏著片S-1、透明雙面黏著片S-2、透明雙面黏著片S-3、透明雙面黏著片S-4、透明雙面黏著片S-5及透明雙面黏著片S-6的耐白化性能的評價結果示於表3。
根據表3可知,透明雙面黏著片S-3為「C」評價,但其以外的透明雙面黏著片S-1、透明雙面黏著片S-2、透明雙面黏著片S-4、透明雙面黏著片S-5及透明雙面黏著片S-6為「B」評價以上而良好。特別是透明雙面黏著片S-1及透明雙面黏著片S-2為「A」而最良好。
因此,較佳為使用(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙 烯酸異冰片酯及(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯作為透明黏著劑層的構成成分,進而較佳含有(甲基)丙烯酸2-乙基己酯50份~65份、(甲基)丙烯酸異冰片酯15份~30份、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯20份~30份。此外,較佳為使用丙烯酸正丁酯及(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯作為透明黏著劑層的構成成分。
[第2實施例]
於該第2實施例中,對實施例1~實施例8、比較例1 ~比較例10,評價改變脈衝信號的施加形態的情況的配線間的絕緣電阻的維持時間(絕緣電阻壽命)。於所述第1實施例中,透明黏著劑層是使用耐白化性能為評價「A」的透明雙面黏著片S-1。
<實施例1>
藉由網版印刷法使用銀糊(朝日(Asahi)化學研究所 製造的LS450-7HL)於PET基板上形成金屬配線。具體而言,如圖9所示,形成假定為第1端子配線圖案50a的梳齒狀的第1金屬配線100a、及同樣假定為第1接地線54a的梳齒狀的第2金屬配線100b。該情況下,作為將第1金屬配線100a與第2金屬配線100b以分別使梳齒狀的部分相互具有固定間隔的方式配線成嵌套狀的整體而形成條紋(stripe)狀的金屬配線。第1金屬配線100a具有第1焊墊(pad)102a,第2金屬配線100b具有第2焊墊102b。
於第1金屬配線100a及第2金屬配線100b中,將梳齒 部分的線寬Wa及線寬Wb同時設為40μm,將鄰接的第1金屬配 線100a與第2金屬配線100b間的空間距離La設為40μm。
其後,於130℃下進行30分鐘加熱處理,使銀配線硬化,藉此製作具備銀配線的附金屬配線的絕緣基板。
(配線基板的製造)
將透明雙面黏著片S-1的一單面的剝離膜剝離,將顯示黏著性的一表面作為積層面貼合於所獲得的附金屬配線的絕緣基板上。進而將透明雙面黏著片S-1的另一單面上的剝離膜剝離,將PET膜(膜厚:50μm)貼合於顯示黏著性的另一表面而獲得配線基板。其後,將所獲得的配線基板於45℃、0.5MPa的條件下進行20分鐘高壓釜(autoclave)處理。藉此獲得配線基板T-1。此外,透明雙面黏著片中,於對應第1焊墊102a及第2焊墊102b的部分分別設置窗。對各窗埋入不易腐蝕的金屬層(例如Au(金))而製成第1端子104a及第2端子104b。
[絕緣電阻壽命試驗(遷移評價)]
針對所獲得的配線基板T-1,進行以下的壽命試驗。即,將配線基板T-1設置於溫度85℃、相對濕度90%Rh環境內。利用任意波形產生裝置生成圖10A所示的脈衝信號Pa,自外部對第1端子104a施加脈衝信號Pa。脈衝信號Pa是基準位準為0V、振幅Aa為+10V、脈衝寬度Tw為1msec、脈衝週期Tc為33.33msec的脈衝波形。於實施例1中,成為將工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)為約3%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號Pa的施加形態中,每600秒的脈衝波形的累計施加時 間(以下簡記為「累計施加時間」)為18秒。直至累計施加時間成為50小時的整體的評價時間(以下簡記為「評價時間」)為1667小時。
並且,每24小時地停止脈衝信號Pa的施加,解除第1 端子104a-第2端子104b間的連接,測定兩端子間(第1端子104a-第2端子104b間)的絕緣電阻值。測定直至兩端子間的電阻值低於1×106Ω的時間,依據以下基準進行評價。由於為壽命試驗,故而特性以「A」、「B」、「C」、「D」的順序依次優異。
「A」:累計的電壓10V的施加時間為50小時以上
「B」:累計的電壓10V的施加時間為30小時以上且小於50小時
「C」:累計的電壓10V的施加時間為10小時以上且小於30小時
「D」:累計的電壓10V的施加時間小於10小時
<實施例2>
使用具有與所述的配線基板T-1相同的構成的配線基板。利用任意波形產生裝置生成圖10B所示的脈衝信號Pb,自外部對第1端子104a施加脈衝信號Pb,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
脈衝信號Pb為具有基準位準為0V且於600秒期間輸出脈衝列Pr的脈衝列輸出期間Tp、及連續地輸出固定電位的休止期間Tk的信號形態。特別是於該實施例2中,脈衝列輸出期間 Tp為18秒,休止期間Tk為582秒。構成脈衝列Pr的一個脈衝的振幅Aa為+10V、脈衝寬度Ts為1msec、脈衝週期Tt為2msec。另外,在就脈衝信號Pb整體而言的情況下,於將600秒設為脈衝週期Tc、將脈衝列輸出期間Tp設為脈衝寬度Tw時,工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)為3.0%。於該脈衝信號Pb的施加形態中,累計施加時間為18秒,評價時間為1667小時。
<實施例3>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例3中所使用的脈衝信號於為脈衝週期Tc為20.0msec的脈衝波形的方面與實施例1不同。即,於實施例3中,成為將工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)為5.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號的施加形態中,累計施加時間為30秒,評價時間為1000小時。
<實施例4>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pb(參照圖10B)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例4中所使用的脈衝信號於脈衝列輸出期間Tp為30秒、休止期間Tk為570秒的方面與實施例2不同。即,於實施例4中,成為將工作比(脈衝寬度Tw(=脈衝列輸出期間Tp) /脈衝週期Tc(=600秒))為5.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號的施加形態中,累計施加時間為30秒,評價時間為1000小時。
<實施例5>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例5中所使用的脈衝信號於為脈衝寬度Tw為3msec、脈衝週期Tc為100.0msec的脈衝波形的方面與實施例1不同。即,於實施例5中,成為將工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)為3.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號的施加形態中,累計施加時間為18秒,評價時間為1667小時。
<實施例6>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pb(參照圖10B)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例6中所使用的脈衝信號於構成脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為3msec、脈衝週期Tt為6msec的方面與實施例2不同。但是,於實施例6中,亦與實施例2同樣地,成為將工作比為3.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。累計施加時間及評價時間亦與實施例2相同。
<實施例7>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例7中所使用的脈衝信號於為脈衝寬度Tw為3msec、脈衝週期Tc為60msec的脈衝波形的方面與實施例1不同。即,於實施例7中,成為將工作比為5.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號的施加形態中,累計施加時間為30秒,評價時間為1000小時。
<實施例8>
使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pb(參照圖10B)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
該實施例8中所使用的脈衝信號於構成脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為3msec、脈衝週期Tt為6.0msec、脈衝列輸出期間Tp為30秒、休止期間Tk為570秒的方面與實施例2不同。即,於實施例8中,成為將工作比為5.0%的脈衝波形重複施加於第1端子104a的形態。於該脈衝信號的施加形態中,累計施加時間為30秒,評價時間為1000小時。
<實施例9>
使用於厚度50μm的PET基板上經由20μm的黏著材貼合有18μm的銅箔的銅箔基板。對該銅箔基板,利用光阻法形 成蝕刻遮罩(etching mask),利用蝕刻以與實施例1相同的方式形成第1金屬配線100a與第2金屬配線100b。光阻步驟是將富士膠片(Fujifilm)股份有限公司製造的負型光阻(negative photoresist)於銅箔基板上塗敷約10μm。通過配線圖案的負型遮罩(negative mask)以0.1J/cm2進行曝光,其後進行鹼性顯影、乾燥。繼而,利用氯化鐵(III)水溶液將銅箔蝕刻成圖案形狀。除此以外,以與實施例1相同的方式進行基板的製造,而獲得配線基板T-2。對所獲得的配線基板T-2的第1端子104a施加與實施例1中所使用的脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與實施例1相同的方式進行絕緣電阻壽命試驗(遷移評價)。
<實施例10>
使用具有與所述配線基板T-2相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與實施例5中所使用的脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述實施例5相同的方式進行評價。
<比較例1、比較例3、比較例5、比較例7、比較例9>
分別使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
比較例1、比較例3、比較例5、比較例7及比較例9中所使用的脈衝信號於以下方面與實施例1不同。即,於比較例1中,使用脈衝週期Tc為10msec的脈衝信號。於比較例3中,使 用脈衝寬度Tw為3msec、脈衝週期Tc為30.0msec的脈衝信號。於比較例5中,使用脈衝寬度Tw為5msec、脈衝週期Tc為166.67msec的脈衝信號。於比較例7中,使用脈衝寬度Tw為5msec、脈衝週期Tc為100.0msec的脈衝信號。於比較例9中,使用脈衝寬度Tw為5msec、脈衝週期Tc為50.0msec的脈衝信號。
<比較例2、比較例4、比較例6、比較例8、比較例10>
分別使用具有與所述配線基板T-1相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與脈衝信號Pb(參照圖10B)相同的脈衝信號,以與所述實施例1相同的方式進行評價。
比較例2、比較例4、比較例6、比較例8及比較例10中所使用的脈衝信號於以下方面與實施例2不同。即,於比較例2中,使用脈衝列輸出期間Tp為60秒、休止期間Tk為540秒的脈衝信號。於比較例4中,使用脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為3msec、脈衝週期Tt為6.0msec、脈衝列輸出期間Tp為60秒、休止期間Tk為540秒的脈衝信號。於比較例6中,使用脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為5msec、脈衝週期Tt為10.0msec的脈衝信號。於比較例8中,使用脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為5msec、脈衝週期Tt為10.0msec、脈衝列輸出期間Tp為30秒、休止期間Tk為570秒的脈衝信號。於比較例10中,使用脈衝列Pr的一個脈衝的脈衝寬度Ts為5msec、脈衝週期Tt為10.0msec、脈衝列輸出期間Tp為60秒、休止期間Tk為540秒的 脈衝信號。
<比較例11>
使用具有與所述配線基板T-2相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與比較例1中所使用的脈衝信號Pa(參照圖10A)相同的脈衝信號,以與所述比較例1相同的方式進行評價。
<比較例12>
使用具有與所述配線基板T-2相同的構成的配線基板。對第1端子104a施加與比較例2中所使用的脈衝信號Pb(參照圖10B)相同的脈衝信號,以與所述比較例2相同的方式進行評價。
[評價結果]
將實施例1~實施例10、比較例1~比較例12的遷移評價結果示於表4。
根據表4可知,實施例1~實施例10中,評價均為「A」而非常良好。
另一方面,比較例1~比較例12中,比較例1、比較例2及比較例11的一個脈衝的脈衝寬度為1msec,因此評價為「B」,但比較例3~比較例10均為「C」以下的評價。比較例12的一個 脈衝的脈衝寬度為1msec,但為「C」的評價。
根據上述情況可知,較佳為一個脈衝的脈衝寬度(圖10A的例中為脈衝寬度Tw、圖10B的例中為脈衝寬度Ts)為3msec以下,且於600秒期間脈衝的累計時間(累計施加時間)小於60秒。
特別是根據實施例1、實施例3、實施例5、實施例7及實施例9的結果可知,圖10A的脈衝信號Pa較佳為脈衝寬度Tw為3msec以下,且工作比(脈衝寬度Tw/脈衝週期Tc)小於10%。
另外,根據實施例2、實施例4、實施例6、實施例8及實施例10的結果可知,圖10B的脈衝信號Pb較佳為脈衝寬度Tw為3msec以下,且工作比(脈衝列輸出時間/600秒)小於10%。
此外,當然,本發明的配線基板並不限於所述實施方式,可在不脫離本發明的主旨的情況下,採用各種構成。

Claims (11)

  1. 一種配線基板,其是包括配置於絕緣基板(32A)上的多條金屬配線、及與所述金屬配線直接接觸而配置於所述金屬配線上的透明黏著劑層(34A)的配線基板,其特徵在於:所述金屬配線包括:第1金屬配線(50a),其被供給脈衝信號(P1);以及第2金屬配線(54a),其被施加固定電位,所述脈衝信號(P1)具有排列有多列基準位準為與所述固定電位相同的位準且脈衝寬度(TW)為3msec以下的脈衝的脈衝列(Pr),且於600秒期間所述脈衝的累計時間小於60秒。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的配線基板,其中所述金屬配線含有銀及/或銅。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的配線基板,其中所述脈衝信號(P1)呈於600秒期間重複固定的脈衝週期(Tc)而輸出所述脈衝列(Pr)的信號形態,工作比(脈衝寬度(Tw)/脈衝週期(Tc))小於10%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的配線基板,其中所述脈衝信號(P1)包括於600秒期間輸出所述脈衝列(Pr)的脈衝列輸出期間(Tp)、及連續地輸出所述固定電位的休止期間(Tk),於將600秒設為脈衝週期(Tc)、將構成所述脈衝列(Pr)的多個脈衝的累計時間設為脈衝寬度(Tw)時,工作比(脈衝寬度(Tw)/脈衝週期(Tc))小於10%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的配線基板,其中所述透明黏著劑層(34A)含有光學上透明的包含選自由下述構成成分A、構成成分B及構成成分C所組成的組群中的至少一種的透明黏著劑,於將所述透明黏著劑設為100份時,所述構成成分A含有45份~95份,所述構成成分B含有20份~50份,所述構成成分C含有1份~40份,所述構成成分A:具有25℃以下的玻璃轉移溫度Tg的(甲基)丙烯酸烷基酯單體(此處,烷基具有4個~18個的碳原子);所述構成成分B:具有25℃以上的玻璃轉移溫度Tg的(甲基)丙烯酸酯單體的酯;所述構成成分C:選自由(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、未經取代的(甲基)丙烯醯胺、N-烷基取代(甲基)丙烯醯胺、N,N-二烷基取代(甲基)丙烯醯胺、具有脲官能基的單體、具有內醯胺官能基、三級胺、脂環式胺、芳香族胺、及該些的組合的單體所組成的組群中的單體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述構成成分A為選自由丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-甲基己酯、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述構成成分B為選自由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述構成成分C為選自由(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、N-辛基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、乙烯基吡啶、乙烯基咪唑、(甲基)丙烯酸N,N-二烷基胺基烷基酯(此處,烷基具有1個~4個的碳原子)、及該些的組合所組成的組群中的至少一種。
  9. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述構成成分A為(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、所述構成成分B為(甲基)丙烯酸異冰片酯、所述構成成分C為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述透明黏著劑含有(甲基)丙烯酸2-乙基己酯50份~65份作為所述構成成分A,含有(甲基)丙烯酸異冰片酯15份~30份作為所述構成成分B,含有(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯20份~30份作為所述構成成分C。
  11. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中所述構成成分A為丙烯酸正丁酯、所述構成成分C為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
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