TW201708967A - 立體成型構件的製造方法及立體成型構件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種立體成型構件的製造方法及立體成型構件，該製造方法係具有：立體成型物準備步驟，用以準備立體成型物，該立體成型物係在樹脂基材之表面形成有配線圖案；保護膜形成步驟，用以對前述立體成型物噴塗感光性材料，且至少在前述立體成型物的表面形成保護膜；曝光遮罩膜準備步驟，用以準備與前述立體成型物對應而立體成型的曝光遮罩膜；曝光遮罩膜配置步驟，以藉由前述曝光遮罩膜來被覆前述保護膜的方式配置；真空除氣步驟，將配置有前述曝光遮罩膜之狀態下的前述立體成型物內插於真空除氣用袋，且進行真空除氣以使前述曝光遮罩膜密接於前述保護膜；曝光步驟，在已將前述立體成型物內插於前述真空除氣用袋的狀態下照射光並進行曝光；以及開口形成步驟，將前述立體成型物從前述真空除氣用袋取出並施予顯影處理，且在前述保護膜形成所期望的開口。
Description
本發明係關於一種對表面形成有配線圖案(wiring pattern)的立體成型物，藉由保護膜(protective film)來被覆該配線圖案的形成面之至少一部分的立體成型構件的製造方法、及藉由該製造方法所製造的立體成型構件。
作為以往所周知的立體配線基板，係有MID(Molded Interconnect Device；模製互連裝置)基板，該MID基板是一種在具備三維結構的結構體之表面上直接且立體地形成有電子電路的構件。作為有關MID基板的技術，已知有雙射注(two-shot)法、MIPTEC(Microscopic Integrated Processing Technology；精細整合製造技術)、及LDS(Laser Direct Structuring；雷射直接成型)等的工法。無論是在哪一種工法中，都是在對模製樹脂(molded resin)形成三維結構之後，對其表面形成配線電路。例如，在專利文獻1中已有揭示一種有關MID基板及其製造的技術。
在雙射注法中，係對一次成型後的模製樹脂上之不進行配線形成的部分，進行新的樹脂之二次成型，且將該二
次成型的樹脂當作阻劑(resist)並進行催化劑塗布及鍍覆，藉此在模製樹脂上形成配線電路。然而，因是藉由二次成型後的樹脂來限制配線圖案形狀，故而從二次成型用的模具加工精度之極限來看，顯示導體寬度與導體間隙的L/S(line width and spacing：線寬/線距)之最小值會成為150/150μm左右，而難以形成更微細的配線圖案。
在MIPTEC中，係在所成型後的模製樹脂之表面整體施予金屬化(metallizing)，且藉由雷射光來去除配線電路之外緣部分的金屬(金屬化層)。之後，對成為配線電路的區域通電並進行電鍍，之後在成型體的全面施予沖洗蝕刻(flush etching)以去除配線電路以外的金屬，藉此在模製樹脂上形成配線電路。然而，在使用雷射光時，需要與所成型後的模製樹脂之三維形狀對應的特殊雷射照射裝置，且雷射加工的費事及設備投資所帶來的製造成本之增加將造成問題。又，為了藉由電鍍在配線電路沉積所需的金屬，有必要僅對成為配線電路的區域通電，所以有必要使成為該配線電路的區域與成型體的外周部電性連接、或透過供電線與外周部電性連接。亦即，會發生很難將成為該配線電路的區域從成型體的外周部電性分離(即形成獨立的配線圖案)的問題、或伴隨作為電路最終而言不需要的供電線之形成及去除而增加成本的問題。
在LDS中，係使用包括導電粒子的特殊樹脂材料進行
一次成型，且對成為配線電路的區域照射雷射光以使該導電粒子露出，進而對該導電粒子的露出部分進行鍍覆，藉此在模製樹脂上形成配線電路。然而，從使所成型後的模製樹脂內之導電粒子露出的精度的問題來看，很難使L/S的最小值成為100/150μm左右，且很難形成更微細的配線圖案。又，與MIPTEC同樣地需要特殊的雷射照射裝置，且雷射加工的費事及設備投資所帶來的製造成本之增加將造成問題。
然後，無論是在上述哪一個工法中，為了要在具備三維之形狀的模製樹脂上形成配線電路，最終所製造的MID基板都會成為單面基板。為此，與雙面基板相較之下，配線電路的自由度變小，且亦發生基板本身的小型化變得困難的問題。作為解決該問題及上述之問題的方法，有以下的方法：在聚醯亞胺(polyimide)等的熱塑性樹脂上形成配線電路之後，利用加熱及加壓來對樹脂施予折彎加工，藉此製造立體配線基板。例如，在專利文獻2中已有揭示在聚醯亞胺膜上藉由熱壓接貼附金屬箔之後使其立體成型的技術，而在專利文獻3中則有揭示在聚碸(polysulfone)樹脂上塗布導電性糊之後使其立體成型的技術。
在上述的立體配線基板中，因所形成的配線圖案係呈露出狀態，故而在對與構件封裝、其他構件、或其他基板的連接進行焊接時，容易發生焊接之焊盤(land)間的錫橋
(bridge)，或是容易發生藉由溫度或暴露於水分中而致使的配線圖案金屬材料之氧化等的劣化、混入異物所引起的短路的問題等。為此，除了構件封裝所需的焊盤部以外，一般進行的是藉由絕緣性樹脂來被覆。作為如此的被覆方法，例如是將墨(ink)狀的熱硬化樹脂或是紫外線硬化樹脂藉由網版印刷(screen printing)、噴塗(spray coating)、或噴墨(inkjet)印刷來塗布絕緣性樹脂。在此，作為使進行焊接的部分之配線圖案露出的方法，係有以從一開始就使進行焊接的部分露出的方式來塗布絕緣性樹脂的方法，或是在對被覆面整體塗布紫外線硬化型的樹脂之後，利用光微影(photolithography)技術在必要部分形成開口的方法等。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2012-94605號公報。
專利文獻2：日本特開平06-188537號公報。
專利文獻3：日本特開2000-174399號公報。
然而，在藉由網版印刷對立體成型後之對象物所進行的塗布中，因在立體成型物上存在有段差，故而很難沿著立體成型物的表面塗布絕緣性樹脂。又，在噴墨印刷的塗布中，會因以下的問題等而難以實施：由於立體成型物的
段差，為了防止沿著立體成型物之表面的絕緣性樹脂之塗布、以及所彈著的液滴之硬化前的潤濕擴展，使得採用近來常被使用的紫外線硬化樹脂之暫時硬化用的紫外線照射，必須因段差而採取較寬的噴墨頭(inkjet head)與基板之間隔，故有導致因紫外線在基板表面上之反射所帶來的噴墨頭噴嘴內之射出前的樹脂硬化的問題。
另一方面，雖然可考慮將一般在平面基板中所使用的膜狀之保護膜，替換成印刷用的絕緣性樹脂來使用，但是因立體成型物的面積之增加及其形狀的複雜化，很難將較薄的保護膜均一地加壓而遍及於立體成型物的表面整體，且有以下的問題：在立體成型物與保護膜之間會產生氣泡或間隙，或是對已形成於立體成型物上的配線圖案施加了會導致斷線的應力。又，在使該保護膜與立體成型物密接並加壓的情況下，係對立體成型物的各個分別需要成型用模具，由於依一個立體成型物而致使的成型用模具之佔有，就很難擴大生產規模及縮短產距時間(tact time)，且發生增加製造成本的問題。然後，因加壓時的保護膜之伸縮以及用以對保護膜形成開口的脫模使用之影響(在脫模中很難形成精細的開口部)，而難以對應露出的配線圖案之部分以精細的精度來形成更微細的開口。
本發明係有鑒於如此的課題而開發完成者，目的係在於提供一種立體成型構件的製造方法，可以不使用高價裝
置地對表面形成有配線圖案的立體成型物，一邊容易且高精度地形成具備所期望之微細的開口圖案的保護膜，一邊低成本地製造立體成型構件。又，提供一種低成本的立體成型構件，係具備高精度地形成有微細開口圖案的保護膜。
為了達成上述目的，本發明之立體成型構件的製造方法，係具有：立體成型物準備步驟，用以準備立體成型物，該立體成型物係在樹脂基材之表面形成有配線圖案；保護膜形成步驟，用以對前述立體成型物噴塗感光性材料，且至少在前述立體成型物的表面形成保護膜；曝光遮罩膜準備步驟，用以準備與前述立體成型物對應而立體成型的曝光遮罩膜；曝光遮罩膜配置步驟，以藉由前述曝光遮罩膜來被覆前述保護膜的方式配置；真空除氣步驟，將配置有前述曝光遮罩膜之狀態下的前述立體成型物內插於真空除氣用袋，且進行真空除氣以使前述曝光遮罩膜密接於前述保護膜；曝光步驟，在已將前述立體成型物內插於前述真空除氣用袋的狀態下照射光並進行曝光；以及開口形成步驟，將前述立體成型物從前述真空除氣用袋取出並施予顯影處理，且在前述保護膜形成所期望的開口。
又，為了達成上述目的，本發明的立體成型構件，係具有：立體成型物，在樹脂基材之表面形成有配線圖案；以及保護膜，由感光性樹脂墨料所構成，用以保護前述立
體成型物的表面；前述保護膜係具備與前述配線圖案的所應露出的區域對應的開口部，並且前述保護膜係沿著前述立體成型物的立體形狀來被覆前述立體成型物。
藉由本發明，可以不使用高價裝置地對表面形成有配線圖案的立體成型物，一邊容易且高精度地形成具備所期望之微細的開口圖案的保護膜，一邊低成本地製造立體成型構件。又，藉由本發明，可以提供一種低成本的立體成型構件，係具備高精度地形成有微細開口圖案的保護膜。
1‧‧‧熱塑性樹脂膜(樹脂基材)
1a‧‧‧第一面
1b‧‧‧第二面
1c‧‧‧側面
1d‧‧‧屈曲部
1e‧‧‧角部
2‧‧‧貫通孔
3‧‧‧第一金屬膜
3a‧‧‧粒子
4‧‧‧分子接合劑
11‧‧‧模具
12‧‧‧上部模具
13‧‧‧下部模具
14‧‧‧上部加熱裝置
15‧‧‧下部加熱裝置
16‧‧‧第一基材
17‧‧‧龜裂
21‧‧‧第二金屬膜
21a‧‧‧粒子
22‧‧‧配線圖案
30‧‧‧第二基材(立體成型物)
31‧‧‧保護膜
32、33‧‧‧樹脂膜
34‧‧‧遮光部
35、36‧‧‧曝光遮罩膜
37‧‧‧真空除氣用袋
37a‧‧‧真空除去用袋開口端
38‧‧‧密封部
39‧‧‧防焊墨料開口部(開口)
40‧‧‧立體配線基板(立體成型構件)
圖1係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖2係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖3係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。
圖4係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖5係圖4中的虛線區域V之放大概念圖。
圖6係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。
圖7係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜
形成的概略圖。
圖8係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。
圖9係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖10係圖9中的虛線區域X之放大概念圖。
圖11係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。
圖12係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖13係顯示本發明之實施例的立體成型之製造步驟的概略圖。
圖14係顯示本發明之實施例的立體成型之製造步驟的概略圖。
圖15係顯示本發明之實施例的立體成型之製造步驟的概略圖。
圖16係顯示本發明之實施例的立體成型之製造步驟的概略圖。
圖17係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖18係圖17中的虛線區域XVIII之放大概念圖。
圖19係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖20係圖19中的虛線區域XX之放大概念圖。
圖21係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。
圖22係構成本發明之實施例的立體配線基板之基材的立體圖。
圖23係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖24係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖25係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖26係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖27係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖28係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖29係本發明之實施例的立體配線基板之製造步驟的剖視圖。
圖30係本發明之實施例的立體配線基板的剖視圖。
以下，參照圖式，針對本發明的實施形態，基於實施例加以詳細說明。另外，本發明並非被限定於以下說明的內容，而是在不變更其要旨的範圍內能夠任意地變更實
施。又，實施例之說明中所用的圖式，無論是哪一個圖式都是示意性地顯示本發明的立體成型構件及其構成構件，並有為了深入理解而進行部分的強調、放大、縮小、或省略等而未正確地顯示立體成型構件及其構成構件之比例尺或形狀等的情況。再者，在實施例中所用的各種數值亦有僅為例示的情況，而能依需要做各種變更。
以下，一邊參照圖1至圖30，一邊針對本發明之實施例的立體配線基板的製造方法加以詳細說明。在此，圖1、圖2、圖4、圖9、圖12、圖17、圖19、圖23至圖29係立體配線基板的製造步驟之剖視圖。尤其是，圖24至圖26係對立體配線圖案之保護膜的開口形成中所使用的曝光遮罩膜或該曝光遮罩膜中所使用的膜之剖視圖。又，圖5係圖4中的虛線區域V之放大概念圖，圖10係圖9中的虛線區域X之放大概念圖，圖18係圖17中的虛線區域XVIII之放大概念圖，圖20係圖19中的虛線區域XX之放大概念圖。再者，圖13至圖16係顯示本發明之實施例的立體成型之製造步驟的概略圖。然後，圖3、圖6至圖8、圖11及圖21係有關本發明之實施例的立體配線基板之金屬膜形成的概略圖。圖22係構成本發明之實施例的立體配線基板的基材之立體圖，圖30係本發明之實施例的立體配線基板之剖視圖。
首先，如圖1所示，準備作為樹脂基材的熱塑性樹脂膜1(樹脂基材準備步驟)。作為熱塑性樹脂膜1，例如可以使用聚醯亞胺或聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate)等的公知樹脂膜。對於熱塑性樹脂膜1的厚度並沒有限定，可以按照與本發明之立體配線構件相符的本實施例之立體配線基板的用途及所要求的特性做適當變更。例如，在本實施例中，雖然是將熱塑性樹脂膜1的厚度調整在約125μm左右(75μm以上且150μm以下)，但是在將立體配線基板與其他的模製樹脂等之保持構件一起使用的情況下，亦可調整至50μm以下。
另外，準備的樹脂膜並不被限定於熱塑性型，只要是具備比較大之斷裂伸度的樹脂膜，則亦可為熱硬化性樹脂膜、或是具備將熱硬化性樹脂和熱塑性樹脂積層所得(亦即，使熱塑性樹脂和熱硬化性樹脂貼合在一起所得)之結構的複合樹脂膜。在此，所謂比較大之斷裂伸度，係指至少為50%以上的值，較佳為150%以上。有關斷裂伸度係依成型的立體形狀而被要求所需的特性，而在具有複雜且較大之段差形狀的情況下，則需要足以使立體成型之材料所耐受而具有更大之斷裂伸度的強度的樹脂膜材料。
接著，如圖2所示，為了確保熱塑性樹脂膜1之表面及背面(第一面1a、及第二面1b)中的導通，而使用NC(Numerical Control；數值控制)加工、雷射加工、或衝
孔(punching)加工等的開口技術來形成貫通孔2。在本實施例中，係將貫通孔2的開口徑設為約0.3mm。另外，在圖2中，雖然僅顯示一個貫通孔2，但是在實際的立體配線基板中係具有複數個貫通孔2。又，貫通孔2的數量，亦可以按照立體配線基板的電路構成做適當變更。再者，亦可將後述之使用作為立體成型時之定位用的定位孔(例如，開口徑為3mm)形成於熱塑性樹脂膜1的外緣部分(即最終不構成立體配線基板而被去除的部分)。
接著，以被覆藉由熱塑性樹脂膜1之第一面1a、第二面1b及貫通孔而露出的熱塑性樹脂膜1之側面1c的方式，在熱塑性樹脂膜1的表面上形成第一金屬膜3(第一金屬膜形成步驟)。在本實施例中，係在熱塑性樹脂膜1的表面上，藉由利用公知之分子接合技術的無電電鍍(electroless plating)來使金屬金屬化。
更具體而言，首先，作為前置處理而對熱塑性樹脂膜1施予Ar(氬)電漿處理，且去除熱塑性樹脂膜1之表面的脆弱層，藉此將與後述的分子接合劑相容性佳的官能基形成於熱塑性樹脂膜1的表面上。之後，將Ar電漿處理後的熱塑性樹脂膜1浸漬於分子接合劑4的溶液中(圖3)。在此，因分子接合劑4係具備與熱塑性樹脂膜1反應的官能基(第一官能基)，故而能使熱塑性樹脂膜1的官能基與分子接合劑4的官能基結合，且如圖4及圖5所示，能獲得
分子接合劑4已結合於熱塑性樹脂膜1之表面上的狀態。另外，雖然在圖4中係從易於明白地顯示分子接合劑4的觀點來看圖示成層狀，但是實際上是如圖5所示地以奈米級的狀態(分子接合劑4的厚度為數nm)存在，與其他的材料相較之下變得非常薄。因而，在圖9以後有時省略分子接合劑4。又，沿著圖5中的分子接合劑4之上下延伸的直線係顯示官能基，更具體而言，朝向熱塑性樹脂膜1而延伸的直線係顯示已與熱塑性樹脂膜1的官能基結合之狀態的分子接合劑4之官能基，且朝向熱塑性樹脂膜1之相反側而延伸的直線係顯示已與第一金屬膜3的金屬反應的分子接合劑4之官能基。
接著，將已完成分子接合處理的熱塑性樹脂膜1含浸於催化劑溶液(catalyst solution)(Sn(錫)-Pd(鈀)膠體(colloid)水溶液)中(圖6)。在此，Sn-Pd膠體係電性吸附於熱塑性樹脂膜1的表面。之後，當將Sn-Pd膠體受載於表面之狀態下的熱塑性樹脂膜1含浸於加速劑溶液(accelerator solution)中時，已覆蓋Pd之周圍的Sn就被去除，且使Pd離子變化成金屬Pd(圖7)。亦即，進行催化處理使催化劑(例如Pd)受載於熱塑性樹脂膜1。另外，作為加速劑溶液，係可以使用包括草酸(oxalic acid)(0.1%左右)的硫酸(濃度為10%)。之後，將受載有作為催化劑之Pd的熱塑性樹脂膜1浸漬於無電電鍍槽中例如5分鐘。藉由該浸漬，將Pd作為催化劑而析出例如銅，且將所析出的銅與分子接合劑4
結合(圖8)。在此，因分子接合劑4亦具備與第一金屬膜3之金屬反應的官能基(第二官能基)，故而在位於分子接合劑4之與熱塑性樹脂膜1結合的端部之相反側的端部(第二官能基)，係利用催化劑使金屬進行化學性結合。接著，對熱塑性樹脂膜1施予150℃、10分鐘的加熱處理，並使分子接合劑4與該金屬的化學性結合終結，且如圖9所示，以覆蓋熱塑性樹脂膜1之表面的方式，完成第一金屬膜3的形成(亦即，熱塑性樹脂膜1與第一金屬膜3的分子接合)。
在此，上述的分子接合劑4，係指用以使樹脂和金屬等進行化學性結合的化學物，且為與樹脂結合的官能基和與金屬結合的官能基存在於一個分子結構中者。又，所謂分子接合技術，係指使用具備如此結構的分子接合劑4，使樹脂和金屬等進行化學性結合的技術。然後，此等的分子接合劑、及分子接合技術係在日本特許第04936344號說明書、日本特許第05729852號說明書、及日本特許第05083926號說明書中有更詳細的說明。
在本實施例中，係使用銅作為第一金屬膜3的金屬，且如圖10所示，無電電鍍係能生成粒子狀，且藉由銅的粒子3a使第一金屬膜3形成為多孔狀。在此，所謂多孔狀，係指雖然第一金屬膜3沒有具備完整地形成膜狀的膜厚，但是會藉由粒子彼此雖非全部但至少有一部分接觸來使膜
整體導通的狀態(並非一定需要電性導通，而是即便因立體成型而使粒子間的距離分離，但只要仍能以後述的第二金屬膜來導通即可)。此等換言之，在本實施例中，係形成將銅粒子狀地沉積0.02μm以上且0.20μm以下，且具備可以使光穿透之膜厚的第一金屬膜3。如此調整第一金屬膜3之狀態(即膜厚)的理由，係因若將第一金屬膜3形成為使光無法穿透之完整的膜狀時，在進行後述的立體成型時即便在第一金屬膜3產生龜裂，仍很難藉由後述的第二金屬膜來修復該龜裂之故。更具體而言，當第一金屬膜3比0.02μm還薄時，樹脂與銅的接點就會減少且密接會降低，並且延伸後的粒子間距離過度分離而變得很難以後述的第二金屬膜來修復導通。又，在可使光穿透之狀態下延伸的情況下，由於粒子間的距離僅具有間距所以龜裂較小，但是當以光無法穿透之完整的膜狀來延伸時，就會在已超過極限的金屬膜(第一金屬膜3)產生龜裂且成為寬度較寬的裂痕(crack)。另外，在圖10中，雖然顯示在第一金屬膜3之膜厚方向僅存在一個粒子3a，但是只要第一金屬膜3為多孔狀，則複數個粒子3a亦可積層於膜厚方向。
以下，更詳細地說明使第一金屬膜3形成為多孔狀的步驟。當從圖8所示的銅已開始析出的狀態進而持續銅的析出時，新析出的銅就與分子接合劑4、或與已經析出並與分子接合劑4反應的銅進行金屬結合。此時，由於因銅的自催化作用(autocatalysis)而使作為催化劑的Pd之活性
度較高，故而銅的生成雖會於面方向(即朝向熱塑性樹脂膜1之表面擴展的方向)進行，但是亦會於厚度方向(即第一金屬膜3的膜厚方向)開始進行。然後，當開始銅的自催化作用時，銅就會依序析出並進行銅彼此的金屬結合，使銅的成長係於厚度方向更為進行，藉此增加膜厚。在此狀態下，如圖11所示，雖然存在有不存在銅的空隙部分，且有局部未獲得電性導通的部分，但是作為已被形成的金屬膜整體而言因存在有電性的連接路徑，故而能獲得電性導通。如如上所述，如此的狀態係意指本實施例中的多孔狀。然後，在如此的多孔狀之第一金屬膜3中，即便超過銅的斷裂引伸率仍不會產生較大的裂縫，而僅止於局部地使銅分子彼此的距離有若干擴展。
又，在本實施例中，因是透過分子接合劑4而使熱塑性樹脂膜1和第一金屬膜3進行化學性結合，故而可以一邊使熱塑性樹脂膜1和第一金屬膜3的界面平滑，一邊牢固地接合該二構件。藉此，沒有必要在熱塑性樹脂膜1的表面形成凹凸，就可以謀求製造步驟的容易化及製造成本的減低以及形成的配線電路之高精細化。另外，使用的分子接合劑並不被限定於一種類，例如，亦可為將分子接合劑4、和具備與該分子接合劑4及第一金屬膜3反應的官能基之其他的分子接合劑予以混合所形成的化合物，且可以按照熱塑性樹脂膜1及第一金屬膜3的材料，而包括其他的製程(process)條件在內皆可予以適當變更。
又，第一金屬膜3的材料，並未被限定於銅，例如，亦可使用銀、金、或鎳等的各種金屬、或是至少包括此等的金屬及銅之其中一個的合金或積層各金屬所得，但是較佳是使用比較柔軟且斷裂伸度的強度較高的金屬。在此，因用以實現可使光穿透且導通的狀態的膜厚係依使用的金屬而有所不同，故而在使用其他金屬的情況下，就要適當調整膜厚，以便可以實現將第一金屬膜3形成為多孔狀。
再者，有關第一金屬膜3的形成方法，並未被限定於使用上述的分子接合技術的方法，而是只要可以將第一金屬膜3形成為多孔狀即可，例如，亦可使用濺鍍(sputter)、蒸鍍、或使用分子接合的方法以外的濕式鍍覆等的成膜技術。然後，有關第一金屬膜3的形成，亦可按照所使用的金屬材料，來選擇最適合的成膜技術。
另外，在本實施例中，雖然是以被覆藉由熱塑性樹脂膜1之第一面1a、第二面1b及貫通孔所露出的熱塑性樹脂膜1之側面1c的方式，形成第一金屬膜3，但是亦可按照所要求的立體配線基板之結構及特性，僅在熱塑性樹脂膜1之第一面1a或第二面1b之其中任一面形成第一金屬膜3。亦即，在本發明的立體配線基板，不僅能在雙面形成有配線圖案，還涵蓋能僅在單面形成配線圖案的情形。
接著，如圖12所示，藉由光微影對第一金屬膜3施予圖案化處理，且形成所期望的配線圖案(圖案形成步驟)。具體而言，將阻劑膜(resist film)熱加壓於形成有第一金屬膜3的狀態且立體成型前的平坦之狀態下的熱塑性樹脂膜1之表面，且使用印刷有指定之圖案的遮罩膜(mask film)進行曝光及顯影。接著，將所顯影後的阻劑膜作為蝕刻遮罩(etching mask)並對第一金屬膜3施予蝕刻以形成所期望的配線圖案。之後，剝離去除該阻劑膜。在此，較佳是考慮藉由後述的立體成型而致使的第一金屬膜3之伸度及變形，事先地調整配線圖案之形狀(配線寬度、配線長度、配線間隔等)。
如此，因是藉由光微影對第一金屬膜3施予圖案化，故而可以實現比使用噴墨印刷技術或凹版膠印印刷(gravure offset printing)技術等的圖案化形成更高精細的圖案。亦即，第一金屬膜3的成像度係比使用噴墨印刷技術或凹版膠印印刷技術等所圖案化的配線圖案更高(亦即，能實現直線性優異且高精細的配線形成)。
接著，對形成有第一金屬膜3之狀態下的熱塑性樹脂膜1，施予加熱處理及加壓處理並進行立體成型(第一立體成型步驟)。作為具體的第一立體成型步驟，首先是使用上述的定位孔，並對成型用的模具11進行熱塑性樹脂膜1的定位。此乃為了使成型位置與配線圖案位置一致之故。
亦即，如圖13所示，在模具11的上部模具12與下部模具13之間配置熱塑性樹脂膜1。接著，如圖14所示，用上部加熱裝置14來加熱上部模具12，並藉由下部加熱裝置15來對下部模具13進行加熱。在此，在本實施例中，因是於熱塑性樹脂膜1使用聚醯亞胺膜，故而加熱溫度可以調整在比材料之玻璃轉移點溫度還高之270℃至350℃的範圍內(例如，300℃)，但是該加熱溫度能依熱塑性樹脂膜1的材料做適當調整。在此，加熱溫度，雖然需要在該玻璃轉移溫度以上，並在熱塑性樹脂膜1的耐熱溫度以下，但是較佳是在該範圍內設定於儘量低的溫度。此是為了減低形成於熱塑性樹脂膜1上的第一金屬膜3與熱塑性樹脂膜1因加熱而造成的密接降低所致。
一邊進行該加熱處理，一邊使上部模具12及下部模具13靠近，且對熱塑性樹脂膜1，從上下藉由所期望的壓力(例如，10MPa)進行壓製處理(圖15)。另外，所謂所期望的壓力，係考慮熱塑性樹脂膜1的材料及壓力過弱時就會使所期望的立體成型變得困難之點而做適當調整。然後，在完成壓製處理後，將熱塑性樹脂膜1從模具11取出(圖16)，且完成熱塑性樹脂膜1的立體成型。換言之，完成立體配線基板用的第一基材16之形成。另外，在圖13至圖16中，省略了第一金屬膜3的圖示。又，雖然亦取決於所要求的立體形狀，但是實際的立體配線基板之形狀係形成有複數個凹凸，故而模具11亦具有複數個凹凸，且亦可採
用如上部模具12與下部模具13之複數個凹凸相互地嵌合的結構。
如圖17所示，在已完成立體成型的熱塑性樹脂膜1(即立體配線基板用的第一基板16)上，容易因立體成型而在已屈曲的屈曲部1d產生龜裂17。在此，如圖18所示，所謂龜裂17，係指依構成第一金屬膜3的銅之粒子3a的粒子間距離之擴大而產生的間隙，且與在光不穿透之完整的金屬膜狀中藉由該金屬膜延伸所產生的龜裂相較之下，其結構不同。另外，亦有依第一金屬膜3之成膜狀態、以及取決於立體成型的三維形狀，而不發生龜裂的情況。又，如圖18所示，雖然龜裂17係熱塑性樹脂膜1被延伸所造成，相對於此，第一金屬膜3係隨之使粒子間距離擴展，但是因第一金屬膜3被形成為多孔狀，故而龜裂17本身的深度係與粒子3a的尺寸同等並變得非常小，再者，與第一金屬膜3由完整的膜狀所形成的情況相較之下，龜裂17的寬度亦會變小。亦即，本實施例的立體配線基板用之第一基材16，與第一金屬膜3由完整的膜狀所形成的情況相較之下，係成為能夠更容易進行龜裂17之修復的狀態。換言之，在可使光穿透之狀態下被延伸的情況下，由於粒子間的距離僅具有間距所以龜裂17(粒子間的間隙)較小，但是當以光不可穿透之完整的膜狀來延伸時，就會在已超過極限的金屬膜上產生龜裂且產生寬度較寬的裂痕。
又，作為使屈曲部1d中的龜裂17之發生減少的方法，亦可在藉由二片保護膜來包夾熱塑性樹脂膜1的狀態下，進行上述的立體成型。藉此，可以使屈曲部1d中的角部1e之形狀平滑若干，且可以抑制龜裂17的發生。在此，該保護膜，較佳是由與熱塑性樹脂膜1同一材料所形成。再者，作為使屈曲部1d中的龜裂17之發生減少的方法，亦可設置模具11，以使屈曲部1d中的角部1e之形狀彎曲、或是使其角度成為比90度更小(例如，75度至85度)。
另外，在本實施例中，雖然是使用上部模具12及下部模具13從上下對熱塑性樹脂膜1施予壓製處理，但是只要可以確保加熱壓製後的熱塑性樹脂膜1之厚度的均一性，亦可使用真空壓製、或壓氣壓製(compressed air press)等其他的壓製加工方法。
接著，以被覆立體配線基板用之第一基材16的第一金屬膜3之表面的方式，形成第二金屬膜21(第二金屬膜形成步驟：圖19)。在本實施形態中，係藉由一般的無電電鍍將金屬追加沉積於第一金屬膜3的表面上。
作為具體的第二金屬膜形成步驟，首先是為了藉由成型步驟的加熱來去除已形成於第一基材16之表面上的氧化層，而將第一基材16浸漬於所期望的洗淨液(例如，酸性脫脂液(acid degreasing liquid)、硫酸液)中。接著，進行
催化處理以使與第一金屬膜3置換的型式之催化劑(例如Pd催化劑)在第一基材16的第一金屬膜3中反應，之後將第一基材16浸漬於無電電鍍液中。然後，僅對表面存在催化劑的第一金屬膜3之周圍選擇性地沉積金屬，在不成為配線電路的區域(即熱塑性樹脂膜1的露出區域)則不沉積金屬，且不需要第二金屬膜21之追加的圖案化。
在本實施例中，係使用銅作為第二金屬膜21的金屬，且從圖20及圖21可知，複數個銅的粒子21a係沉積於第一金屬膜3的粒子3a上。在此，不用將第二金屬膜21形成為多孔狀，而是形成為完整的膜狀。尤其是，在本實施例中，可以藉由1小時的浸漬，來形成具備5μm以上之膜厚的第二金屬膜21。又，在本實施例中，構成第二金屬膜21的粒子21a，係成長於構成第一金屬膜3的粒子3a之周圍，且對第二金屬膜21的厚度方向及與該厚度方向正交的方向(第二金屬膜21的平面方向)同程度地成長。藉此，可以形成第二金屬膜21俾修復因立體成型而產生的第一金屬膜3之龜裂17。亦即，藉由第二金屬膜21的形成，可以使龜裂17所導致的導通不良恢復，且形成可以實現確實之導通的配線電路(由第一金屬膜3及第二金屬膜21所構成的導體層)。在此，藉由第二金屬膜21而行的龜裂17之修復，係可以修復比第二金屬膜21的膜厚還大二倍左右的龜裂17之寬度，故而亦可將第二金屬膜21的膜厚調整在所假定的龜裂17之最大寬度的1/2倍以上，更佳是亦可
調整在與龜裂17之寬度同程度的膜厚。又，該第二金屬膜21係與表層同樣地亦生成於貫通孔2的側面1c，即便是在若存有貫通孔2的表背之導通不良的情況下仍能夠修復導通。
再者，在本實施例中，作為配線電路(配線圖案)所需要的導體層之層厚(配線圖案厚度)，雖然在第一金屬膜3的膜厚中不足，但是可以藉由形成第二金屬膜21來確保該導體層所需要的層厚。
另外，在本實施例中，雖然是藉由無電電鍍來形成第二金屬膜21，但是只要可以最終僅在第一金屬膜3的表面上形成第二金屬膜21，亦可使用其他的成膜技術(例如，電鍍、導電性墨料的塗布等)。但是，在如本實施例般地藉由無電電鍍來形成第二金屬膜21的情況下，雖然獨立的配線(亦即該配線電路)即便是從成型體的外周部電性分離仍能夠形成，但是在藉由電鍍而形成第二金屬膜21的情況下，仍需要使全部的配線與成型體的外周部電性導通，故包含供電線之設置在內需在設計時將其納入考慮。又，在此情況下，在已發生立體成型所致使的非導通部分的情況時，因並未從非導通部分先流動電氣，故而無法形成第二金屬膜21。
另外，第二金屬膜21的材料並不被限定於銅，而是能
使用鎳或是鎳鉻、鎳銅、金、或銀等的其他金屬或包括此等的合金，且可以按照立體配線基板所要求的特性及可靠度來適當調整其材料。
在經過上述的製造步驟之後，對第二金屬膜21的表面施予防鏽劑處理，能形成具備第一金屬膜3及第二金屬膜21積層所成之積層結構的配線圖案22，並且完成由熱塑性樹脂膜1及配線圖案22所構成的立體配線用之第二基材30的製造。在此，第一基材16與第二基材30的差異僅在於有無第二金屬膜21，而第二基材30係與用以構成立體配線基板的立體成型物相符。亦即，藉由上述的步驟完成立體成型物準備步驟。
從圖19至圖21可知，在本實施例的第二基材30中，在熱塑性樹脂膜1之表面已形成為多孔狀的第一金屬膜3上所產生的龜裂，能藉由以比第一金屬膜3更厚之膜厚所形成的第二金屬膜21來確實地修復，且具備已防止配線圖案22之斷線之優異的可靠度。又，根據上述的製造方法，與MID基板相較之下，可以更容易地實現微細的配線圖案(例如，L/S=30/30μm)，且亦能實現小型化及低成本化。
然後，如圖22所示，最終所形成的第二基材30，係在X方向及Y方向之各自的位置，存在不同的Z方向之尺寸(即高度)，且在XY平面形成有凹凸。另外，圖22係用
以說明第二基材30之三維形狀的示意性的圖式，且省略了配線圖案22及貫通孔。
接著，如圖23所示，對第二基材30噴塗感光性材料，且在第二基材30的表面及背面(即熱塑性樹脂膜1的第一面1a側及第二面1b側)形成保護膜31(保護膜形成步驟)。具體而言，首先是將硬化劑及溶劑以指定的比率混合於作為主要材料的感光性樹脂墨料(負型的光阻(photoresist))中且實施30分鐘的攪拌。該混合及攪拌係在切斷了特定波長之光的黃光室(yellow room)內實施，藉此能防止感光性樹脂墨料進行硬化。接著，將經混合及攪拌後的感光性樹脂(即感光性材料)填充於噴筆(airbrush)。該噴筆既可為在量產等級中所使用之比較大型的塗布裝置，或亦可為在一般的模型製作用途中所使用之小型的塗布裝置。之後，一邊調整噴灑第二基材30的角度一邊旋轉360度，對第二基材30的表面及背面均一地噴塗感光性材料。作為如此地調整噴灑角度的理由，係因在來自垂直方向的噴灑中，可能導致無法塗布於段差部之接近垂直的面、或變薄之故。藉由如此的噴塗，即便是對第二基材30的凹凸部分及其附近仍可以確實地塗布感光性材料，且可以對立體成型後的第二基材30之全面均一地塗布感光性材料。
另外，有關上述的感光性材料之塗布，不需要一次就塗布所需厚度的感光性材料，較佳是將感光性材料的塗布
分成複數次而逐次少量薄薄地塗上，且在各塗布後使感光性材料乾燥。換言之，較佳是對第二基材30一邊改變角度或方向一邊重複複數次感光性材料之噴塗及乾燥，藉此形成具有所期望之膜厚的保護膜。此乃因若一次塗布大量的感光性材料，則容易在第二基材30的凹部及凸部發生塗布不均一，保護膜31的均一性會降低之故。
接著，對形成有保護膜31之狀態下的第二基材30施予指定的加熱處理，且進行塗布後的感光性材料之暫時硬化。該加熱處理的條件雖會依所使用的感光性材料而有所不同，但是能以使感光性材料之黏著性大致變無的條件(例如，80℃、30分鐘)來進行加熱處理。
接著，準備對應於第二基材30而立體成型後的曝光遮罩膜(曝光遮罩膜準備步驟)。具體而言，準備作為曝光遮罩膜之主要材料的聚對苯二甲酸二乙酯等的公知樹脂膜32、33(圖24)。作為在此所用的樹脂膜之條件，係需要：可使曝光用的紫外線波長穿透；以及具有可以與立體成型對應的斷裂伸度。又，在本實施例中，雖然是將作為曝光遮罩膜來使用的樹脂膜32、33之膜厚設為約50μm，但是亦可以在約25μm至100μm的範圍內做調整。作為調整成如此膜厚的理由，係因當膜厚過厚時，就會使樹脂膜32、33之立體成型變得困難，且有時亦會因其未沿著第二基材30之表層形狀而導致與第二基材30的密接性降低，
因此招致曝光的成像度降低之故。另外，曝光遮罩膜的材料亦可為具有所需之斷裂伸度(至少50%以上，較佳為100%以上)的熱塑性樹脂膜、熱硬化性樹脂膜、或是將熱硬化性樹脂和熱塑性樹脂積層所成的複合樹脂膜，且可依據立體成型之容易性及重複使用曝光遮罩膜的觀點而選擇適當材料。
接著，如圖25所示，在樹脂膜32、33之各自的表面上，藉由噴墨印刷、網版印刷、諸如此類的印刷方法來塗布黑色的墨料，藉此形成用以將在進行後述之曝光時所照射之光遮蔽的遮光部34。雖然亦可使用對一般的聚對苯二甲酸二乙酯薄片(sheet)上之銀鹽(silver salt)感光膜投光並予以曝光、顯影後的光罩膜(photomask film)，但是表面塗布市售之銀鹽感光膜後的光罩膜之厚度會厚到150μm至200μm左右，而將因後述的立體成型之形狀不易反映模具形狀且不易與第二基材30的表面形狀一致，而使得曝光時的密接不順利，故而難以使用。在本實施例中則能對應於保護膜31的開口形成位置而調整遮光部34的形狀位置。此時，亦形成有與在後述之立體成型時所使用的模具上所設置的定位銷對應的對準標記(alignment mark)。在此，作為遮光部34之材料的黑色墨料，較佳是比較柔軟且具有伸度的墨料。較佳是具備如此特性之墨料的理由，係為了防止在亦對遮光部34之形成區域進行後述之立體成型的情況下，因伴隨該立體成型而在遮光部34發生裂痕之故。然
後，雖然遮光部34的厚度係可以在能確實地遮蔽進行後述之曝光時所照射的光的範圍內進行調整，但是考慮伴隨立體成型所帶來的裂痕發生，較佳是儘量形成為薄。追根究底而言，立體配線基板的焊盤(land)或與該焊盤一致的阻劑開口部並未存有段差部，而是以該阻劑開口部被限定於形成在平坦部或接近平坦部的角度之斜面、曲面、及包括此等微小段差部的面為前提，且必需要進行如此的基板設計。藉此，因塗布於遮光部的黑色墨料基本上是被限定於與平坦部或接近平坦部的角度之斜面、曲面、及包括此等微小段差部的面相當的部分來進行塗布，故而基本上是不對容易因延伸而發生斷裂的相當於段差的部分進行塗布。另外，遮光部34的材料只要是可以確實地遮蔽進行後述之曝光時所照射的光即可，亦可使用其他顏色的墨料等。
在遮光部34形成後，對樹脂膜32、33，施予加熱處理及加壓處理並進行第二立體成型。例如，該第二立體成型係與對熱塑性樹脂膜1的第一立體成型步驟(圖13至圖16所示)同樣地進行，使用模具11並且藉由所期望的壓力(例如，10MPa)進行壓製處理。雖然亦可依需要而進行加熱，但是無論是哪一種都是設為樹脂膜32、33、遮光部34中所使用的樹脂墨料之玻璃轉移溫度以下的溫度。在膜厚度較薄的情況下是常溫，亦可為沒有加熱。在本實施例中，係準備具備與第二基材30大致同等厚度的離型膜，且一邊藉由樹脂膜32、33來夾持該離型膜，一邊施予上述加壓處
理。此時，在上述的對準標記形成有開口，已設置於模具11的定位銷能嵌插於該開口且完成正確的定位。經過如此的加壓處理，就能與熱塑性樹脂膜1之第一面1a側的形狀對應而進行樹脂膜33的立體成型並完成曝光遮罩膜35，且與熱塑性樹脂膜1之第二面1b側的形狀對應而進行樹脂膜32的立體成型並完成曝光遮罩膜36。
另外，有關樹脂膜32、33的立體成型，只要可將樹脂膜32、33立體成型成與第二基材30對應的形狀即可，亦可使用與在熱塑性樹脂膜1之立體成型中所用的模具11不同的模具。又，不用使樹脂膜32、33同時立體成型，亦可獨立地立體成型。
接著，如圖27所示，以被覆保護膜31的方式配置曝光遮罩膜35、36(曝光遮罩膜配置步驟)。更具體而言，將曝光遮罩膜35配置於熱塑性樹脂膜1(第二基材30)的第二面1b側，將曝光遮罩膜36配置於熱塑性樹脂膜1(第二基材30)的第一面1a側，且藉由二個曝光遮罩膜35、36來包夾第二基材30。另外，在該配置的時間點，曝光遮罩膜35、36亦可與第二基材30不完全密接。在該曝光遮罩膜配置步驟中，係以曝光遮罩膜35、36的遮光部34接觸保護膜31的方式配置。換言之，曝光遮罩膜35、36的表面且遮光部34的形成面側係以位於保護膜31側的方式配置。藉由如此的配置，遮光部34和保護膜31就會直接接
觸，能減低曝光用之光的繞進，且能夠進行更高精度的曝光。另外，若可以藉由將樹脂膜32、33形成為非常薄來減低曝光用之光的繞進至某程度，則遮光部34的形成面側亦可不位於保護膜31側。此時，雖然需要使第二基材30上之配線圖案的焊盤部開口位置、與曝光遮罩膜35、36之遮光部的位置一致，但是因雙方是立體形成，故而當重疊時就必然會進行位置對準。
接著，如圖28所示，將表面及背面配置有曝光遮罩膜35、36之狀態下的第二基材30內插於在真空除氣中所使用的真空除氣用袋(真空捆包用袋)37。該真空除氣用袋37係為了進行後述的曝光步驟，而有必要具有至少可使曝光用的光穿透的特性。在本實施例的真空除氣用袋37中，雖然是使用一般拋棄式的聚乙烯(polyethylene)袋，但是只要可以使曝光用的光穿透，且可以藉由真空除氣使曝光遮罩膜35、36確實地密接於第二基材30，則亦可使用其他材質的袋子。又，在本實施例中，雖然是將真空除氣用袋37的厚度設為50μm，但是例如亦可在25μm至100μm的範圍內做調整。尤其，藉由使用厚度較薄之真空除氣用袋37，就能夠在真空除氣時使真空除氣用袋37追隨第二基材30之微細的凹凸，使曝光遮罩膜35、36更確實且高精度地密接於第二基材30。
接著，如圖29所示，將真空除氣用袋37內的空氣進
行排氣並施予真空抽氣，進而對真空除氣用袋37的真空除氣用袋開口端37a施予加熱處理以形成密封部38。在進行如此的真空除氣及密封部形成時，係使用一般的真空除氣捆包裝置。作為該真空除氣捆包裝置的種類，雖然有將排氣用噴嘴插入真空除氣用袋37以進行除氣的比較廉價的裝置、和具備真空室的比較高價的裝置，但是當考慮第二基材30與曝光遮罩膜35、36的密接性時，較佳是使用後者的裝置。
藉由施予第二基材30對上述之真空除氣用袋37的內插、以及真空除氣用袋37的真空除氣來完成真空除氣步驟，在已使曝光遮罩膜35、36之焊盤部的墨料阻劑(ink resist)開口部和曝光遮罩膜35、36的遮光部34位置對準於第二基材30的狀態下確實地密接。
接著，將已內插於真空除氣用袋37之狀態下的第二基材30投入曝光裝置。之後，如圖29所示，透過真空除氣用袋37及曝光遮罩膜35、36，在表面及背面分別以指定波長的光朝向保護膜31照射並進行曝光(曝光步驟)。在本實施例中，係使用波長為365nm的紫外線作為曝光用的光，且以單側250mJ來進行照射。又，該曝光量，較佳是比依據保護膜31之材料所指定的曝光量更多若干。此是因會發生因真空除氣用袋37而致使的曝光量之減少所致，且要測量且調整曝光量。另外，曝光用的光之波長及曝光量
係可以依保護膜31的材料而做適當變更。曝光所用的光並非是使用散射光而是使用平行光，藉此能夠提高曝光的成像度。曝光可雙面同時，亦可針對每一單面進行。另外，在對段差部之接近垂直的部分曝光的情況下，雖然有曝光量不足的可能性，但是追根究底而言，立體配線基板的焊盤或與該焊盤一致的阻劑開口部並未存在於段差部，而是以該阻劑開口部被限定於形成在平坦部或接近平坦部的角度之斜面、曲面、包括此等微小段差部的面為前提，且必需要進行如此的基板設計。
接著，開放真空除氣用袋37的真空狀態，且將第二基材30從真空除氣用袋37取出，並且將曝光遮罩膜35、36從第二基材30卸下。此時，因曝光遮罩膜35、36並未使用接著構件等來貼附於第二基材30，故而可以輕易地從第二基材30卸下。而且，該曝光遮罩膜35、36係可以對其他的第二基材30重複使用。接著，對形成有保護膜31之狀態下的第二基材30施予顯影處理。在本實施例中，係將1%的碳酸鈉(sodium carbonate)溶液噴灑於保護膜31。如圖30所示，藉由如此的顯影處理，在以負型的光阻作為主要材料的保護膜31上係殘存有並未與遮光部34接觸的部分，且在與遮光部34有接觸的部分形成有防焊墨料(ink solder resist)開口部39(開口形成步驟)。亦即，防焊墨料開口部39係藉由光微影(曝光、顯影)所形成，且能以高精度定位於配線圖案22的應露出的區域。
藉由經過上述的各步驟，來完成如圖30所示之作為立體成型構件之一種的立體配線基板40。如圖30所示，在立體配線基板40中，配線圖案22的應露出的區域以外的部分係能確實地藉由保護膜31所被覆，並且構件封裝等之電性連接所使用的配線圖案22之一部分的區域(焊盤部等)能藉由防焊墨料開口部39而確實且精度佳地露出。作為使墨料阻劑開口的方法，雖然亦有照射YAG(yttrium aluminum garnet；釔鋁石榴石)雷射等來去除阻劑墨料且使其開口的方法，但是在此情況下，雷射光所照射的保護膜31之下方有必要是即便照射雷射仍沒有問題的銅圖案。為何如此，此是因當對沒有底層之銅圖案的墨料阻劑照射雷射時，其下方的基材樹脂亦會被雷射光去除而開出孔洞之故，因此在此方法的情況下，有必要是比焊盤之大小還小的內側部分之開口(即所謂的超出阻劑(over resist))。然而，若是本提案的方法，則能夠是比焊盤尺寸還大的開口、或是非為焊盤部之圖案部或沒有銅之部分的開口，能增加設計自由度。
如以上所述，因在本實施例中係可以藉由使用真空除氣用袋37的真空除氣來使曝光遮罩膜35、36確實地密接於第二基材30，故而能提高之後的曝光精度，且能夠對第二基材30輕易且高精度地形成具備所期望之開口圖案的保護膜31。尤其，在本實施例中，雖然是將第一金屬膜3
形成為多孔狀以防止第二金屬膜21的斷裂，但是藉由不使用模具而是利用使用真空除氣用袋37之真空除氣的曝光，就能使對第二金屬膜21施加無用之應力的情形消失，且能更進一步謀求第二基材30之凹凸部分中的第二金屬膜21之防止斷裂。又，因為了使曝光遮罩膜35、36密接於第二基材30而使用的是一般的真空除氣用袋37，且該密接方法亦為簡易的真空除氣，故而不需要能夠以三維來控制的高價曝光裝置以及供密接用的模具，而能夠低成本地製造立體配線基板40。
又，在本實施例中，因不使用樹脂膜而是塗布屬於感光性墨料阻劑的感光性材料，且使用光微影而在保護膜31形成防焊墨料開口部39，故而可以提高防焊墨料開口部39對立體配線基板40之焊盤的位置精度。換言之，在本實施例中，係可以藉由使用感光性材料來形成成像度優異的防焊墨料開口部39。
另外，在上述的實施例中，雖然是藉由保護膜31來被覆第二基材30的表面及背面，但是亦可按照第二基材30的狀態而僅對單面施予保護膜31的被覆。例如，在配線圖案3僅形成於單面的情況下，亦可僅被覆形成有該配線圖案22的形成面側。
又，在上述的實施例中，雖然是將保護膜31被覆於使
膜狀之樹脂進行立體成型所形成的第二基材30之表面，但是被保護膜31所被覆的立體成型物並未限定於如本實施例的第二基材30。例如，可以選擇各種的MID構件(MID基板)作為立體成型物，且能夠將本實施例的保護膜31被覆於該MID構件的電路形成面，且藉由優異的精度來形成所期望的開口。
再者，在上述的實施例中，雖然是於感光性樹脂墨料使用負型的光阻，但是亦可使用正型的光阻。在此情況下，曝光遮罩膜之遮光部的形成位置與非形成位置的關係與上述之實施例的情況相較之下成為相反。
本發明之第1實施態樣的立體成型構件的製造方法，係具有：立體成型物準備步驟，用以準備在樹脂基材之表面形成有配線圖案的立體成型物；保護膜形成步驟，用以對前述立體成型物噴塗感光性材料，且至少在前述立體成型物的表面形成保護膜；曝光遮罩膜準備步驟，用以準備與前述立體成型物對應而立體成型的曝光遮罩膜；曝光遮罩膜配置步驟，以藉由前述曝光遮罩膜來被覆前述保護膜的方式配置；真空除氣步驟，將配置有前述曝光遮罩膜之狀態下的前述立體成型物內插於真空除氣用袋，且進行真空除氣以使前述曝光遮罩膜密接於前述保護膜；曝光步驟，在已將前述立體成型物內插於前述真空除氣用袋的狀
態下照射光並進行曝光；以及開口形成步驟，將前述立體成型物從前述真空除氣用袋取出並施予顯影處理，且在前述保護膜形成所期望的開口。
在第1實施態樣中，因可以藉由使用真空除氣用袋的真空除氣來使曝光遮罩膜確實地密接於立體成型物，故而能提高之後的曝光精度，且能夠對立體成型物容易且高精度地形成具備所期望之開口圖案的保護膜。又，因為了使曝光遮罩膜密接於立體成型物而使用的是一般的真空除氣用袋且該密接方法亦為簡易的真空除氣，故而不需要能夠以三維來控制的高價曝光裝置以及供密接用的模具，而能夠低成本地製造立體配線構件。
本發明之第2實施態樣的立體配線構件的製造方法，係如上所述的第1實施態樣，其中前述感光性材料係包括負型的光阻；在前述曝光遮罩膜準備步驟中，係在前述曝光遮罩膜之表面上且與前述開口對應的位置形成遮光部。藉此，可以藉由容易入手的材料來準備簡易結構的曝光遮罩膜，且可以減低立體配線構件的製造成本。又，藉由形成如上的遮光部，就可以更高精度且容易地進行保護膜的開口形成。
本發明之第3實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第2實施態樣，其中在前述曝光遮罩膜準備
步驟中，係在前述曝光遮罩膜之立體成型前藉由噴墨印刷或網版印刷來形成前述遮光部。藉此，可以更容易準備曝光遮罩膜，且可以減低立體配線構件的製造成本。又，可以更高精度地進行遮光部的形成，且可以更高精度且容易地進行保護膜的開口形成。
本發明之第4實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第1至第3實施態樣中的任一實施態樣，其中在前述曝光遮罩膜配置步驟中，係將前述曝光遮罩膜的表面且前述遮光部的形成面側配置於前述保護膜側。藉此，可以減低曝光時的曝光用之光的繞進，且可以更高精度地進行保護膜的開口形成。
本發明之第5實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第1至第4實施態樣中的任一實施態樣，其中前述曝光遮罩膜中所使用的樹脂膜之厚度係大致為25μm至100μm。藉此，能夠提高立體成型物與曝光遮罩膜的密接性，並且能夠抑制曝光之成像度的降低。
本發明之第6實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第1至第5實施態樣中的任一實施態樣，其中前述真空除氣用袋的厚度係大致為25μm至100μm。藉此，能夠在真空除氣時使真空除氣用袋追隨立體成型物
之微細的凹凸，且可以使曝光遮罩膜更確實且高精度地密接於立體成型物。
本發明之第7實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第1至第6實施態樣中的任一實施態樣，其中在前述保護膜形成步驟中，係一邊改變角度或方向一邊重複複數次前述感光性材料之噴塗及乾燥。藉此，可以防止立體成型物之凹部及凸部中的感光性材料之塗布不均一，且能夠提高保護膜的均一性。
本發明之第8實施態樣的立體成型構件的製造方法，係如上所述的第1至第7實施態樣中的任一實施態樣，其中在前述保護膜形成步驟中，係在前述立體成型物的表面及背面形成前述保護膜。藉此，即便是對雙面具備配線圖案的立體成型物，仍能夠確實且高精細地進行配線圖案的保護。
本發明之第9實施態樣的立體成型構件，係具有：立體成型物，在樹脂基材之表面形成有配線圖案；以及保護膜，由感光性樹脂墨料所構成，用以保護前述立體成型物的表面；前述保護膜係具備與前述配線圖案所應露出的區域對應的開口，並且前述保護膜係沿著前述立體成型物的立體形狀來被覆前述立體成型物。
在第9實施態樣中，係將被覆立體成型物的保護構件作成為由感光性樹脂墨料所構成的保護膜，且在該保護膜形成與配線圖案所應露出的區域對應的開口。亦即，在第9實施態樣中，係可以藉由光微影來形成開口，且能夠形成更微細的開口圖案。換言之，可以實現一種低成本的立體成型構件，高精度地形成有具備微細之開口圖案的保護膜。又，藉由本發明，可以提供一種低成本的立體成型構件，高精度地形成有具備微細之開口圖案的保護膜。
本發明之第10實施態樣的立體成型構件，係如上所述的第9實施態樣，其中前述保護膜的前述開口係藉由光微影所形成，且前述開口對前述配線圖案所應露出的區域以高精度進行定位。藉此，能夠形成微細的開口圖案，且可以高精度地形成立體成型構件的保護膜，可以謀求低成本化。
本發明之第11實施態樣的立體成型構件，係如上所述的第9或第10實施態樣，其中前述樹脂基材係由具備50%以上之斷裂伸度的膜狀之樹脂所構成。藉此，即便是針對使樹脂膜立體成型後的構件，仍能夠僅使已形成於其表面之配線圖案的應露出的區域高精度且確實地露出。
本發明之第12實施態樣的立體成型構件，係如上所述的第9至第11實施態樣中的任一實施態樣，其中前述立
體成型物係具有藉由二片前述保護膜來被覆其雙面的積層結構。藉此，即便是對雙面具備配線圖案的立體成型物，仍能夠確實且高精細地進行配線圖案的保護。
本發明之第13實施態樣的立體成型構件，係如上所述的第9至第12實施態樣中的任一實施態樣，其中前述配線圖案係由第一金屬膜及第二金屬膜所構成，該第一金屬膜係具備將金屬粒子狀地沉積而成的多孔狀之結構，該第二金屬膜係積層於前述第一金屬膜上。藉此，即便是在第一金屬膜產生龜裂仍能以第二金屬膜來修復，且能實現一種沒有導通不良且具備優異之可靠度的配線電路。
3‧‧‧第一金屬膜
21‧‧‧第二金屬膜
31‧‧‧保護膜
32、33‧‧‧樹脂膜
34‧‧‧遮光部
37‧‧‧真空除氣用袋
37a‧‧‧真空除去用袋開口端
38‧‧‧密封部
Claims (13)
- 一種立體成型構件的製造方法，具有：立體成型物準備步驟，用以準備立體成型物，該立體成型物係在樹脂基材之表面形成有配線圖案；保護膜形成步驟，用以對前述立體成型物噴塗感光性材料，且至少在前述立體成型物的表面形成保護膜；曝光遮罩膜準備步驟，用以準備與前述立體成型物對應而立體成型的曝光遮罩膜；曝光遮罩膜配置步驟，以藉由前述曝光遮罩膜來被覆前述保護膜的方式配置；真空除氣步驟，將配置有前述曝光遮罩膜之狀態下的前述立體成型物內插於真空除氣用袋，且進行真空除氣以使前述曝光遮罩膜密接於前述保護膜；曝光步驟，在已將前述立體成型物內插於前述真空除氣用袋的狀態下照射光並進行曝光；以及開口形成步驟，將前述立體成型物從前述真空除氣用袋取出並施予顯影處理，且在前述保護膜形成所期望的開口。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中前述感光性材料係包括負型的光阻； 在前述曝光遮罩膜準備步驟中，係在前述曝光遮罩膜之表面上且與前述開口對應的位置形成遮光部。
- 如請求項2所記載之立體成型構件的製造方法，其中在前述曝光遮罩膜準備步驟中，係在前述曝光遮罩膜之立體成型前藉由噴墨印刷或網版印刷來形成前述遮光部。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中在前述曝光遮罩膜配置步驟中，係將前述曝光遮罩膜的表面且前述遮光部的形成面側配置於前述保護膜側。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中前述曝光遮罩膜中所使用的樹脂膜之厚度為25μm至100μm。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中前述真空除氣用袋的厚度為25μm至100μm。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中在前述保護膜形成步驟中，係一邊改變角度或方向一邊重複複數次前述感光性材料之噴塗及乾燥。
- 如請求項1所記載之立體成型構件的製造方法，其中在前述保護膜形成步驟中，係在前述立體成型物的表面及背面形成前述保護膜。
- 一種立體成型構件，具有：立體成型物，在樹脂基材之表面形成有配線圖案；以及保護膜，由感光性樹脂墨料所構成，用以保護前述立體成型物的表面； 前述保護膜係具備與前述配線圖案所應露出的區域對應的開口，並且前述保護膜係沿著前述立體成型物的立體形狀來被覆前述立體成型物。
- 如請求項9所記載之立體成型構件，其中前述保護膜的前述開口係藉由光微影所形成，且前述開口對前述配線圖案所應露出的區域以高精度進行定位。
- 如請求項9或10所記載之立體成型構件，其中前述樹脂基材係由具備50%以上之斷裂伸度的膜狀之樹脂所構成。
- 如請求項9所記載之立體成型構件，其中前述立體成型物係具有藉由二片前述保護膜來被覆其雙面的積層結構。
- 如請求項9所記載之立體成型構件，其中前述配線圖案係由第一金屬膜及第二金屬膜所構成，該第一金屬膜係具備將金屬粒子狀地沉積而成的多孔狀之結構，該第二金屬膜係積層於前述第一金屬膜上。
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