TWI436708B - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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TWI436708B TW100125255A TW100125255A TWI436708B TW I436708 B TWI436708 B TW I436708B TW 100125255 A TW100125255 A TW 100125255A TW 100125255 A TW100125255 A TW 100125255A TW I436708 B TWI436708 B TW I436708B
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Description

配線板的製造方法
本發明係有關於配線板的製造方法。
關於承認藉文獻之參照之編入的指定國，藉由參照在2010年7月16日向日本所申請的特願2010-161743號、及在2010年7月16日向日本所申請的特願2010-161776號所記載的內容，編入本專利說明書，作為本專利說明書之記載的一部分。
為了實現電子機器之小型化及高功能化所伴隨的高密度配線，已知一種刻印(imprint)法，該方法係使用模具，將凹形狀轉印於絕緣片，再將導電材料填充於該凹形狀，而形成微細的圖案(配線圖案、孔道圖案)。
在該刻印法，在使模具從絕緣片離模後，在利用該模具所形成並成為孔道圖案之連接部的開口部有樹脂殘留時，發生孔道圖案的導電不良等，已知利用電漿蝕刻或雷射切削研磨除去該開口部之樹脂殘渣的手法(專利文獻1)。
專利文獻
專利文獻1：美國專利第7351660號公報
可是，為了除去樹脂殘渣，若將電漿或雷射光照射於已形成配線圖案的基板，則具有配線圖案受損或配線圖案被局部切削的問題。
本發明所欲解決之課題係提供一種配線板的製造方法，該方法係在刻印法，在使模具從絕緣片離模時，樹脂不會殘留於在絕緣片所形成之開口部的底。
[1]本發明之第1發明係利用一種配線板的製造方法，解決該課題，而該方法係具有如下之製程：基板準備製程，係準備第1基板，而該第1基板係具備第1絕緣片與形成於該第1絕緣片之一方主面側的第1配線；模具準備製程，係準備具有包含凸部與突起之版面的模具，而該凸部係因應於構成在該第1基板所疊層之第2基板的圖案之至少一部分的配線圖案所形成，該突起係因應於構成該圖案之至少一部分的孔道圖案所形成；壓住製程，係將該模具的版面配置成使其與第2絕緣片的一方主面側相對向，將該第2絕緣片加熱至第1設定溫度，並以該版面之突起的至少前端部在該第2絕緣片之另一方主面側露出的方式將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面；疊層製程，係至少將該第2絕緣片加熱至第2設定溫度，並以從該第2絕緣片之另一方主面所露出之該突起的前端部與該第1絕緣片之該第1配線接觸的方式將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片；離模製程，係至少將該第2絕緣片冷卻，再使該模具從該第2絕緣片離模；及填充製程，係將導電材料填充於利用形成於該第2絕緣片之該模具的凸部所形成之槽部及利用該模具之突起所形成的孔。
[2]在該第1發明，在將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h1設定成該第2絕緣片的厚度h2以上；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，可使因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h1與該第2絕緣片的厚度h2大致相等。
[3]在該第1發明，在將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將緩衝片配置於該第2絕緣片的另一方主面側；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，可除去該緩衝片。
[4]本發明之第2發明係利用一種配線板的製造方法，解決該課題，而該方法係具有如下之製程：基板準備製程，係準備第1基板，而該第1基板係具備第1絕緣片與形成於該第1絕緣片之一方主面側的第1配線；配線部形成製程，係在平板狀之支撐構件的一方主面，形成包含凸部與突起的配線部，而該凸部係作用為構成在該第1基板所疊層之第2基板的圖案之至少一部分的配線圖案，該突起係作用為構成該圖案之至少一部分的孔道圖案；壓住製程，係將形成於該支撐構件的配線部配置成使其與第2絕緣片的一方主面側相對向，將該第2絕緣片加熱至第1設定溫度，並以該配線部之突起的至少前端部在該第2絕緣片之另一方主面側露出的方式將該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面；疊層製程，係將該第2絕緣片加熱至第2設定溫度，並以從該第2絕緣片之另一方主面所露出之該突起的前端部與該第1絕緣片之該第1配線接觸的方式將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片；及除去製程，係從該第2絕緣片除去該支撐構件。
[5]在該第2發明，在將形成於該支撐構件的該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h3設定成該第2絕緣片的厚度h4以上；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，可使因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h3與該第2絕緣片的厚度h4大致相等。
[6]在該第2發明，在將形成於該支撐構件的該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將緩衝片配置於該第2絕緣片的另一方主面側；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，除去該緩衝片。
若依據本發明，可提供一種配線板的製造方法，該方法係在使用刻印法形成孔道圖案時，在形成孔道圖案的絕緣片之開口部的底不會產生樹脂殘渣。因此，不必進行用以除去樹脂殘渣之電漿照射、雷射照射及化學蝕刻。結果，防止因電漿照射、雷射照射及化學蝕刻等而配線圖案受損或被切削的損害，而可提供可靠性高的配線板。
 <第1發明之第1實施形態>
以下，說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法。第1發明的目的在於提供一種配線板的製造方法，該方法係在使刻印用模具從絕緣片離模時，在與孔道圖案對應於之絕緣片的孔不會產生樹脂殘渣。即，其目的在於提供一種配線板的製造方法，該方法係不必為了除去殘留於絕緣片之孔的樹脂殘渣，而進行電漿照射、雷射照射及化學蝕刻等的處理。
首先，根據第1圖說明根據本發明之第1實施形態的製造方法所得之配線板100的構造，然後，根據第2圖~第7圖說明根據本發明之第1實施形態的製造方法。
(配線板的構造)
第1發明之第1實施形態的配線板100如第1圖所示，係具有第1基板1與第2基板2的多層基板，而該第2基板2係疊層於第1基板1之一方主面側(第1圖中上側)。雖然在本實施形態說明以兩層的基板所構成之配線板100的例子，但是本發明亦可應用於以三層的基板所構成之配線板100。此外，在本實施形態的說明中，第1圖中所示之xy面是沿著配線板100(基板1、2、絕緣片10、20)的面，而z軸方向是疊層方向，沿著z軸之第1圖中上側是一方主面側。
配置於第1圖中下側的第1基板1係具備：第1絕緣片10；第1上部配線11~17，係形成於第1絕緣片10的一方主面(第1圖中上側：以下在本專利說明書中相同)；第1下部配線21、22，係形成於第1絕緣片10的另一方主面(第1圖中下側：以下在本專利說明書中相同)；及第1孔道18、19，係連接第1上部配線12、16與第1下部配線21、22。
第2基板2係具備：第2絕緣片20，係疊層於第1絕緣片10的一方主面(第1圖中上側)；第2上部配線31~37，係形成於第2絕緣片20的一方主面(第1圖中上側的主面)；及第2孔道38、39，係連接其中的第2上部配線32、36與第1上部配線12、16。
第2上部配線31~37、第2孔道38、39係從第2絕緣片20之一方主面(上側主面)往第2絕緣片20的內部凸狀地形成。即，形成第2上部配線31~37、第2孔道38、39的連接部之第2絕緣片20的一方主面係平坦，係可將未圖示之其他的基板平坦地，即無間隙地疊層，或可組裝未圖示之其他的電子元件。
作為第1絕緣片10及第2絕緣片20的材料，例如可使用環氧樹脂等之熱硬化性樹脂或熱可塑性聚醯亞胺與液晶聚合物等的熱可塑性樹脂。作為第1上部配線11~17、第1下部配線21、22、第1孔道18、19、第2上部配線31~37及第2孔道38、39的材料，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)等具備導電性的材料。
無特別限定，在構成第1基板1之配線圖案之一部分的第1上部配線11~17、第1下部配線21、22及構成第2基板2之配線圖案之一部分的第2上部配線31~37，線與空間部分的配線寬度係可設定成約5μm~15μm，配線間隔係可設定成約5μm~15μm。又，第1孔道18、19及第2孔道38、39的直徑(粗細)係2μm以上，且35μm以下，係2μm以上，且15μm以下較佳，係2μm以上，且未滿10μm更佳。本實施形態之第1孔道18、19與第2孔道38、39的長度係1μm以上，且50μm以下，係10μm以上，且40μm以下較佳。寬高比係0.5~25，係1~25較佳，在本例可設定成約1~4。
(配線板的製造方法)
接著，使用第2圖~第7圖說明第1發明之第1實施形態之配線板100的製造方法的一例。
首先，準備第2圖所示的第1基板1。作為第1基板1，雖然可使用至少形成第1絕緣片10及位於第1絕緣片10之一方主面(第2基板2所疊層的面)的第1上部配線11~17，但是在本例使用以在第1絕緣片10的一方主面埋入第1上部配線11~17之狀態所形成，並在該另一方主面形成第1下部配線21、22之雙面基板的第1基板1。
第2圖所示之第1基板1的製作手法無特別限定，例如，使用具備包含因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19所形成之凸部與突起之版面的模具將圖案轉印於第1絕緣片10的一方主面(第2圖中上面)，並形成因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19的槽部(凹部)與孔，再利用電鍍處理等對該凹部與孔填充導電材料，藉此，可製作將第1上部配線11~17及第1孔道18、19形成於第1絕緣片10之一方主面側之單面基板的第1基板1。進而，對第1絕緣片10的另一方主面(第2圖中下面)塗布光阻劑，再使用光微影技術因應於第1下部配線21、22對光阻劑產生圖案，然後，進行電鍍處理，藉此，可製作將第1下部配線21、22形成於第1絕緣片10之另一方主面側之雙面基板的第1基板1。當然，亦可在將既定圖案的光阻劑形成於雙面後，同時進行雙面的電鍍處理。
或者，在從第1絕緣片10的一方主面(第2圖中上面)側照射雷射光等而形成因應於第1孔道18、19的孔後，使用光微影技術，因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19的圖案對光阻劑產生圖案，再對因應於第1上部配線11~17的凹部及因應於第1孔道18、19的孔進行無電解電鍍、電解電鍍，藉此，可製作將第1上部配線11~17及第1孔道18、19形成於第1絕緣片10之一方主面側之單面基板的第1基板1。此外，亦可替代電鍍，藉使用導電膏的網印，將導電材料填充於因應於第1上部配線11~17的凹部及因應於第1孔道18、19的孔。進而，藉由使用因應於第1下部配線21、22之圖案的刷版從第1絕緣片10的另一方主面(第2圖中下面)側印刷導電膏，而可製作形成第1下部配線21、22的第1基板。第1基板的製作手法可適當地利用在申請專利時已知之雙面基板的製作手法。在第1基板1之另一方主面不需要配線圖案的情況，可適當地利用在申請專利時已知之單面基板的製作手法。
與第1基板1之準備同時或接著準備第3圖所示的模具4。如第3圖所示，本實施形態的模具4具有包含凸部41~47與突起48、49的版面4a，而該凸部係因應於構成在第1基板1所疊層之第2基板2之圖案之一部分的第2上部配線31~37所形成，該突起係因應於構成圖案之其他的一部分的第2孔道38、39所形成。
版面4a作用為用以將構成所要之圖案的凹凸形狀(包含突起48、49及凸部41~47)轉印於第2絕緣片20的加工用版(原版)。第3圖中的符號4a係指示形成包含用以構成所要之圖案的凸部41~47、突起48、49之凹凸形狀之模具4之另一方主面側(第3圖中下側)之被壓在第2絕緣片之面的整體。
模具4的製作手法無特別限定，例如，準備在模具製作用之支撐板體的主面所黏貼的樹脂板體，因應於孔道圖案對樹脂板體的主面照射雷射或電子線而形成孔，將光阻劑層疊層於樹脂板體，在對與配線圖案對應之光阻劑層的既定區域曝光或加熱後利用蝕刻液選擇性除去既定區域，而形成因應於配線圖案的槽部，再一面將模具材料填充於在樹脂板體所形成的孔與槽部一面覆蓋樹脂板體的主面，藉此，可得到具備版面4a的模具4。
又，模具材料的填充手法無特別限定，在填充模具材料的區域，例如樹脂板體之孔的內部及槽部等，在後面所進行的電鍍處理等，利用濺鍍等的手法形成成為種子層的導電層，然後，使用銅(Cu)或鎳(Ni)等的模具材料進行電鍍，藉此，可將模具材料填充於孔及槽部。當然，亦可印刷包含有銅(Cu)或銀(Ag)的導電奈米膏，再以模具材料填充孔及槽部。無特別限定，作為模具材料，除了銅(Cu)或銀(Ag)等金屬等的導電材料以外，可使用玻璃等的絕緣材料(非導電材料)。作為支撐版體，可使用可利用蝕刻除去的銅箔等。作用為該支撐板體之銅箔的厚度可設定成約80~120μm。又，作為樹脂板體，可使用可溶於鹼或酸的材料，例如光硬化式或熱硬化式的光阻劑薄膜。樹脂板體的厚度可設定成約15~40μm。
接著，利用氯化亞鐵等的蝕刻液除去支撐板體，而使樹脂板體的表面露出。最後，利用氫氧化鈉水溶液等使樹脂板體膨潤剝離。因此，可得到後述之第3圖所示之具備凸部41~47與突起48、49的版面4a。從處理性的觀點，將所製作之版面4a黏貼於板狀之支撐構件40的主面，而得到本實施形態的模具4。
此外，模具4的製法無特別限定，可將使用光微影的處理、電鍍處理、研磨處理、雷射照射處理等在申請專利時已知的處理組合，而製作具備已形成凸部41~47及突起48、49之版面4a的模具4。
接著，如第3圖所示，以版面4a與被載置刻印裝置之被轉印物的工作台6相對向的方式配置模具4。如第3圖所示，將第2絕緣片20固定於工作台6的載置面時，模具4的版面4a與第2絕緣片20的一方主面側(圖面上側)相對向。無特別限定，作為第2絕緣片20，例如可使用環氧樹脂等之未硬化(半硬化)熱硬化性樹脂或液晶聚合物或熱可塑性聚醯亞胺等的熱可塑性樹脂。
如第3圖所示，在鎖模前(轉印處理)之常溫(T0)的狀態，可使版面4a的深度，即在版面4a所形成之突起48、49的長度h1(T0)成為第2絕緣片20的厚度h2(T0)以上。第2絕緣片20因後面的加熱處理而膨脹，因為其厚度h2有增加的傾向，所以宜預先在常溫時使第2絕緣片20的厚度h2(T0)與突起48、49的長度h1(T0)相等或更薄。
接著，將第2絕緣片20加熱至成為第1設定溫度T1。第1設定溫度T1係因應於第2絕緣片20的熱變形溫度或玻璃轉移溫度(Tg)所定義之適合版面4a之轉印的溫度。版面4a之圖案形狀之在轉印時的第1設定溫度T1係可因應於第2絕緣片20的特性、厚度而任意地決定。例如，可將第1設定溫度T1設定成約260℃~300℃。此外，第2絕緣片20的加熱係亦可將第2絕緣片20直接加熱，亦可藉由將模具4加熱而將與模具4接觸的第2絕緣片間接加熱。
在將第2絕緣片20加熱至第1設定溫度T1後(或在轉印時將模具4加熱至可將第2絕緣片20加熱至第1設定溫度T1的溫度後)，如第4圖所示，將模具4的版面4a壓住第2絕緣片20。
將版面4a的突起48、49及凸部41~47壓入被加熱至第1設定溫度T1而軟化的第2絕緣片20。在本實施形態，如第4圖所示，能以版面4a之突起48、49的至少前端部48a、49a在第2絕緣片20之另一方主面側(第4圖中下側)露出的方式將模具4壓住第2絕緣片20的一方主面(第4圖中上側)。雖然本實施形態之突起48、49的前端部48a、49a係至少包含突起48、49的前端面(最先與第2絕緣片20接觸的面)，但是未限定如此，可使其包含從該前端面往支撐構件40側之既定距離的範圍。
如第4圖所示，在被壓入版面4a的第2絕緣片20，形成因應於凸部41~47之形狀的槽部51~57、及因應於突起48、49之形狀的孔(通孔)58、59。
在將模具4壓住第2絕緣片20的製程(以下亦稱為轉印製程)，如第4圖所示，能以因應於孔道圖案所形成之突起48、49的長度h1(T1)成為在第1設定溫度T1(例如260℃~300℃)之第2絕緣片20之厚度h2(T1)以上(h1(T1)≧h2(T1))的方式設定突起48、49的長度及第2絕緣片20的材質及厚度。
在該轉印製程，因為第2絕緣片20被加熱至第1設定溫度T1，所以比常溫(T0)更膨脹，雖然厚度h2變厚，但是因為預先以在第1設定溫度T1突起48、49的長度h1(T1)成為第2絕緣片20之厚度h2(T1)以上(h1(T1)≧h2(T1))的方式設定突起48、49的長度及第2絕緣片20的材質及厚度，所以可使突起48、49的前端部48a、49a確實地從第2絕緣片20的另一方主面側露出。
接著，如第5圖所示，在模具4的突起48、49及凸部41~47仍然插入第2絕緣片20之狀態，使第2絕緣片20的另一方主面(第5圖中下面)與第1基板1的一方主面(第5圖中上面)相對向。然後，利用影像識別或接腳對準等以從第2絕緣片20之另一方主面(第5圖中下面)所露出之突起48、49的前端部48a、49a分別與第1絕緣片10之第1上部配線12、16接觸的方式對準位置，如第6圖所示，將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10。
在該疊層製程，預先將第2絕緣片20加熱至第2設定溫度T2，再沿著疊層方向(z軸方向)將在第1絕緣片10之一方主面側(第6圖中上側)所疊層的第2絕緣片20加熱加壓。
對疊層製程的第2設定溫度T2無特別限定，可設定成第1絕緣片10及第2絕緣片20軟化而顯示黏接性的溫度。在第2設定溫度T2，第1絕緣片10與第2絕緣片20彼此熔接或黏接。第2設定溫度T2可設定成未滿第1設定溫度T1，例如可設定成220℃~260℃。
因為使比第2絕緣片20的厚度更長之突起48、49的前端部48a、49a在第2絕緣片20的另一方主面側(第6圖中下面側)露出後將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片，所以如第6圖所示，在突起48、49的前端與第1上部配線12、16之間的接觸部無樹脂介入，而可使突起48、49的前端與第1上部配線12、16確實地接觸。
又，在該疊層製程，可使因應於第2孔道38、39所形成之突起48、49的長度h1與第2絕緣片20的厚度h2大致相等。即，突起48、49的長度h1與第2絕緣片20之厚度h2的差可設定成未滿突起48、49之長度的10%，係未滿5%較佳，係未滿3%更佳，係未滿1%最佳。
依此方式，在疊層製程，藉由使突起48、49的長度 h1與第2絕緣片20的厚度h2大致相等，即使因疊層時的加熱而第2絕緣片20的一部分流動化，樹脂亦不會流入突起48、49的前端與第1上部配線12、16之間的接觸部。結果，可作成在突起48、49的前端與第1上部配線12、16之間不會產生樹脂殘渣。即，可將突起48、49的形狀原封地動地轉印於第2絕緣片20，而可形成形狀與突起48、49相同的第2孔道38、39。又，在疊層製程，藉由使突起48、49的長度h1與第2絕緣片20的厚度h2大致相等，即使在疊層時將第2絕緣片20壓住第1絕緣片10，亦可防止突起48、49的前端推壓第1上部配線12、16而破壞之。
順便地，在本實施形態，第4圖所示之在第1設定溫度T1下所進行的轉印製程，將版面4a之突起48、49的長度h1(T1)設定成第2絕緣片20的厚度h2(T1)以上，而在第6圖所示之在比第1設定溫度T1更低的第2設定溫度T2下所進行的疊層製程，使版面4a之突起48、49的長度h1(T2)與第2絕緣片20的厚度h2(T2)大致相等。在此，在溫度比較高的第1設定溫度T1，第2絕緣片20之厚度比突起48、49的長度h1更薄，而在溫度比較低的第2設定溫度T2，第2絕緣片20之厚度與突起48、49的長度h1大致相等時，似乎違反溫度愈高愈膨脹，而第2絕緣片20愈厚的技術常識。可是，如第4圖所示，在轉印製程，即使承受比較大之鎖模時的推壓力，亦可使軟化的第2絕緣片20向外緣部(第4圖中第2絕緣片20的左右端部)溢出。如第4圖所示，第2絕緣片20的端部具圓角，而吸收第2絕緣片的膨脹量。因此，在本實施形態，如上述所示，在T1>T2，可使突起48、49的長度h1(T1)≧第2絕緣片20的厚度h2(T1)，且突起48、49的長度h1(T2)與第2絕緣片20的厚度h2(T2)大致相等的條件成立。
疊層後，在第2絕緣片20是熱硬化性樹脂的情況，利用烤爐等例如使其在180℃加熱約1小時而完全硬化。在第2絕緣片20是熱可塑性樹脂的情況，利用冷卻使其硬化。
接著，如第7圖所示，使模具4從第2絕緣片20離模。該離模處理可在使第2絕緣片20冷卻至未滿玻璃轉移溫度Tg、未滿熱變形溫度、或常溫後進行。因為隨著溫度的降低而第2絕緣片20朝向離開版面4a的方向收縮，所以藉由冷卻器第2絕緣片20，而使版面4a朝向遠離第2絕緣片20之方向移動的離模變得容易。
在第8圖表示第7圖之以虛線所包圍之A區域的放大圖。如第8圖所示，在利用突起49所形成之孔59的底樹脂未殘留，第1上部配線16未被樹脂覆蓋而露出。若在該狀態將導電材料填充於孔59，則可在樹脂完全未介入之狀態形成與第1上部配線16進行層間連接的第2孔道39。即，可形成形狀與模具4之突起49相同的第2孔道39。結果，可形成連接可靠性高的配線板100。又，不必如以往般，為了除去在用以形成孔道圖案之孔所殘留的樹脂，而進行電漿照射、雷射照射及化學蝕刻等的樹脂殘渣除去處理。
順便地，在利用包含電漿照射、雷射照射的製造方法所得之配線板的圖案或絕緣片存在缺損部或受損的痕跡，而在利用包含化學蝕刻處理的製造方法所得之配線板的圖案或絕緣片存在化學性侵蝕的痕跡。相對地，若依據本實施形態的製造方法，可提供一種配線板100的製造方法，該方法無樹脂殘渣除去處理所伴隨發生的缺損部或受損、或化學性侵蝕的產生。
為了確認本實施形態之製造方法的效果，而實施在將模具4壓住第2絕緣片20之一方主面的製程，僅在使突起48、49的長度h1未滿第2絕緣片20的厚度h2上與本實施形態相異之第1比較例的製造方法，並觀察使模具4離模時之孔159之底的狀態。在第9圖以模式表示本比較例之對應於區域A之部分的狀態。如第9圖所示，在離模後，樹脂S殘留於孔159的底。在此狀態將導電材料填充於孔159而形成第2孔道39時，因為樹脂S殘留於第2孔道39與第1上部配線16之間，所以接觸面積變小，而連接可靠性降低。
一樣地，實施在將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10的製程，僅在使突起48、49的長度h1未滿第2絕緣片20的厚度h2上與本實施形態相異之第2比較例的製造方法，並觀察使模具4離模時之孔159之底的狀態。與上述之第1比較例一樣，在離模後，樹脂S殘留於孔159的底。在此狀態，係在與上述之第7圖的區域A對應之第9圖以模式所示的狀態相同。在此狀態，將導電材料填充於孔159而形成第2孔道時，因為樹脂S殘留於第2孔道39與第1上部配線16之間，所以接觸面積變窄，而連接可靠性降低。
最後，對與形成於第2絕緣片20之模具4的凸部41~47對應的槽部51~57及與模具4之突起48、49對應的孔58、59填充銅(Cu)或銀(Ag)等的導電材料，而可得到第1圖所示的配線板100。填充導電材料的手法無特別限定，可利用電鍍處理或網印將導電材料填充於對槽部51~57及孔58、59。在利用電鍍處理的情況，無特別限定，可將光阻劑塗布於第2絕緣片20的一方主面，使用光微影技術產生圖案，並利用電鍍處理將金屬填充於槽部51~57及孔58、59。對在第2絕緣片20之一方主面所形成的凹部及孔之導電材料的填充手法可適當地使用在申請專利時已知的技術。然後，可利用研磨或蝕刻等除去導電材料的剩餘部分。
依此方式，若依據本發明之實施形態之配線板100的製造方法，因為在將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10時，突起48、49的前端部48a、49a從第2絕緣片20的下面側露出，所以可使第2孔道38、39與第1上部配線12、16確實地接觸，而可製造連接可靠性高的配線板100。
<第1發明之第2實施形態>
以下，根據第10圖~第12圖說明第1發明之第2實施形態。本實施形態的特徵為：在第1發明之第1實施形態的轉印製程，將緩衝片(緩衝構件)60配置於第2絕緣片20的另一方主面側。為了避免重複的記載，以下主要說明與第1實施形態相異的事項，關於共同的說明，沿用第1發明之第1實施形態的說明。
第10圖係表示轉印製程前之設定狀態的製程剖面圖，對應於第1實施形態的第3圖。如第10圖所示，在本實施形態，將具有彈性的緩衝構件60配置於第2絕緣片20的另一方主面側(第10圖中下面側)。作為緩衝構件60，可使用熱可塑性樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚四氟乙烯(PTFE)或氟樹脂等的薄膜或多孔質構件。
在與第1實施形態一樣的條件，即第1設定溫度T1下，將模具4的版面4a壓住第2絕緣片20。在該轉印製程，將突起48、49的長度h1(T1)設定成比第2絕緣片20的厚度h2(T1)更大。
如第11圖所示，在轉印製程，突起48、49的前端部48a、49a在第2絕緣片20之另一方主面側(第11圖中下面側)露出，該突出的前端部48a、49a推壓緩衝構件60。緩衝構件60因被前端部48a、49a推壓而被壓縮，並沿著前端部48a、49a的形狀變形。在第12圖表示在該狀態之第11圖之B區域的放大圖。如第12圖所示，前端部49a從第2絕緣片20的另一方主面露出，進而埋沒於緩衝構件60。
依此方式，藉由將具有彈性的緩衝構件60配置於第2絕緣片20之另一方主面側(第12圖中下面側)，而利用前端部48a、49a以小力可貫穿第2絕緣片20。
尤其，在本實施形態的轉印製程，在第1設定溫度T1下，將突起48、49的長度h1(T1)設定成第2絕緣片20的厚度h2(T1)以上，而在疊層製程，在第2設定溫度T2下，使突起48、49的長度h1(T2)與第2絕緣片20的厚度h2(T2)大致相等的情況，對第2絕緣片20之材料、厚度、溫度及突起48、49之長度的控制要求高精度。在這種情況，即使是在突起48、49的長度h1與第2絕緣片20之厚度h2的關係發生一些變動的情況，亦若配置緩衝構件60，藉由在轉印製程調整壓住第2絕緣片20的力，而可使突起48、49的前端部48a、49a從第2絕緣片20之另一方主面側露出。
如以上所示，若依據第1發明之第2實施形態之配線板100的製造方法，具有與第1實施形態之製造方法一樣的作用效果，而且因為在轉印製程將緩衝構件60配置於第2絕緣片20的另一方主面側，所以能以比較小的力使突起48、49向第2絕緣片20的另一方主面側露出，又，即使是在突起48、49的長度h1與第2絕緣片20之厚度h2的關係發生變動的情況，亦吸收變動，而可使突起48、49向第2絕緣片20之另一方主面側確實地露出。
<第2發明之第1實施形態>
以下，說明第2發明之第1實施形態之配線板100的製造方法。
第2發明的目的在於提供一種配線板100的製造方法，該方法係在孔道圖案的接觸部分不會產生樹脂殘渣。進而，第2發明的目的在於提供一種配線板100的製造方法，該方法係可省略在刻印法所需之導電材料的填充處理。
為了實現電子機器之小型化及高功能化所伴隨的高密度配線，已知一種刻印法，該方法係使用模具，將凹形狀轉印於絕緣基材，再將導電材料填充於該凹形狀，而形成微細的圖案(配線圖案、孔道圖案)。
在該刻印法，在使模具從絕緣片離模後，在利用該模具所形成並成為孔道圖案之連接部的開口部有樹脂殘留時，發生孔道圖案的導電不良等，已知利用電漿蝕刻或雷射切削研磨除去該開口部之樹脂殘渣的手法(專利文獻1：美國專利第7351660號公報)。
可是，為了除去樹脂殘渣，若將電漿或雷射光照射於已形成配線圖案的基板，則具有配線圖案受損或配線圖案被局部切削的問題。
本發明所欲解決之課題係作成在形成孔道圖案時，樹脂不會殘留於孔道圖案與和孔道圖案接觸的配線圖案之間。
首先，根據第13圖說明根據本發明之第1實施形態的製造方法所得之配線板100的構造，然後，根據第14圖~第19圖說明根據本發明之第1實施形態的製造方法。
(配線板的構造)
第2發明之第1實施形態的配線板100如第13圖所示，係具有第1基板1與第2基板2的多層基板，而該第2基板2係疊層於第1基板1之一方主面側(第13圖中上側)。雖然在本實施形態說明以兩層的基板所構成之配線板100的例子，但是本發明亦可應用於以三層的基板所構成之配線板100。此外，在本實施形態的說明中，第13圖中所示之xy面是沿著配線板100(基板1、2、絕緣片10、20)的面，而z軸方向是疊層方向，沿著z軸之第13圖中上側是一方主面側。
配置於第13圖中下側的第1基板1係具備：第1絕緣片10；第1上部配線11~17，係形成於第1絕緣片10的一方主面(第13圖中上側：以下在本專利說明書中相同)；第1下部配線21、22，係形成於第1絕緣片10的另一方主面(第13圖中下側：以下在本專利說明書中相同)；及第1孔道18、19，係連接第1上部配線12、16與第1下部配線21、22。
第2基板2係具備：第2絕緣片20，係疊層於第1絕緣片10的一方主面(第13圖中上側)；第2上部配線71P~77P，係形成於第2絕緣片20的一方主面(第13圖中上側的主面)；及第2孔道78P、79P，係連接其中的第2上部配線72P、76P與第1上部配線12、16。
第2上部配線71P~77P、第2孔道78P、79P係從第2絕緣片20之一方主面(上側主面)往第2絕緣片20的內部凸狀地形成。即，形成第2上部配線71P~77P、第2孔道78P、79P的連接部之第2絕緣片20的一方主面係平坦，係可將未圖示之其他的基板平坦地，即無間隙地疊層，或可組裝未圖示之其他的電子元件。
作為第1絕緣片10及第2絕緣片20的材料，例如可使用環氧樹脂等之熱硬化性樹脂或熱可塑性聚醯亞胺與液 晶聚合物等的熱可塑性樹脂。作為第1上部配線11~17、第1下部配線21、22、第1孔道18、19、第2上部配線71P~77P及第2孔道78P、79P的材料，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)等具備導電性的材料。
無特別限定，在構成第1基板1之配線圖案之一部分的第1上部配線11~17、第1下部配線21、22及構成第2基板2之配線圖案之一部分的第2上部配線71P~77P，線與空間部分的配線寬度係可設定成約5μm~15μm，配線間隔係可設定成約5μm~15μm。又，第1孔道18、19及第2孔道78P、79P的直徑(粗細)係2μm以上，且35μm以下，係2μm以上，且15μm以下較佳，係2μm以上，且未滿10μm更佳。本實施形態之第1孔道18、19與第2孔道78P、79P的長度係1μm以上，且50μm以下，係10μm以上，且40μm以下較佳。寬高比係0.5~25，係1~25較佳，在本例可設定成約1~4。
(配線板的製造方法)
接著，使用第14圖~第19圖說明第2發明之第1實施形態之配線板100的製造方法的一例。
首先，準備第14圖所示的第1基板1。作為第1基板1，雖然可使用至少形成第1絕緣片10及位於第1絕緣片10之一方主面(第2基板2所疊層的面)的第1上部配線11~17，但是在本例使用以在第1絕緣片10的一方主面埋入第1上部配線11~17之狀態所形成，並在該另一方主面形成第1下部配線21、22之雙面基板的第1基板1。
第14圖所示之第1基板1的製作手法無特別限定，例如，使用具備包含因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19所形成之凸部與突起之版面的模具將圖案轉印於第1絕緣片10的一方主面(第14圖中上面)，並形成因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19的凹部與孔，再利用電鍍處理等對該凹部與孔填充導電材料，藉此，可製作將第1上部配線11~17及第1孔道18、19形成於第1絕緣片10之一方主面側之單面基板的第1基板1。進而，對第1絕緣片10的另一方主面(第14圖中下面)塗布光阻劑，再使用光微影技術因應於第1下部配線21、22對光阻劑產生圖案，然後，進行電鍍處理，藉此，可製作將第1下部配線21、22形成於第1絕緣片10之另一方主面側之雙面基板的第1基板1。當然，亦可在將既定圖案的光阻劑形成於雙面後，同時進行雙面的電鍍處理。
或者，在從第1絕緣片10的一方主面(第14圖中上面)側照射雷射光等而形成因應於第1孔道18、19的孔後，使用光微影技術，因應於第1上部配線11~17及第1孔道18、19的圖案對光阻劑產生圖案，再對因應於第1上部配線11~17的凹部及因應於第1孔道18、19的孔進行無電解電鍍、電解電鍍，藉此，可製作將第1上部配線11~17及第1孔道18、19形成於第1絕緣片10之一方主面側之單面基板的第1基板1。此外，亦可替代電鍍，藉使用導電膏的網印，將導電材料填充於因應於第1上部配線11~17的凹部及因應於第1孔道18、19的孔。進而，藉由使用因應於第1下部配線21、22之圖案的刷版從第1絕緣片10的另一方主面(第14圖中下面)側印刷導電膏，而可製作形成第1下部配線21、22的第1基板。第1基板的製作手法可適當地利用在申請專利時已知之雙面基板的製作手法。在第1基板1之另一方主面不需要配線圖案的情況，可適當地利用在申請專利時已知之單面基板的製作手法。
與第1基板1之準備同時或接著準備第15圖所示的配線體7。如第15圖所示，本實施形態的配線體7係在是製品的配線板100具有配線面7a，該配線面7a係包含：凸部71~77，係作用為成為在第1基板1所疊層之第2基板2的圖案之一部分的第2上部配線71P~77P；及突起78、79，係作用為是圖案之其他的一部分的第2孔道78P、79P。
配線面7a的凸部71~77及突起78、79係構成在作為製品之配線板100的第2上部配線71P~77P及第2孔道78P、79P本身，而且亦作用為用以將應該第2孔道78P、79P及第2上部配線71P~77P之形狀的凹凸形狀(突起78、79及凸部71~77)形成於第2絕緣片20的加工用版(原版)。第15圖中的符號7a係指示形成包含用以構成所要之圖案的凸部71~77、突起78、79之凹凸形狀之配線體7之另一方主面側(第15圖中下側)之被壓在第2絕緣片之面的整體。
配線體7的製作手法無特別限定，例如，準備設置與包含凸部71~77、突起78、79之配線部對應之凹凸的模具，並利用電鍍或印刷將銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)或鎳(Ni)等的導電材料填充於該凹凸及凹凸之間的區域，然後，使其硬化，再將其黏貼於支撐構件70，而可得到配線體7。
此外，無特別限定，利用以下的手法可得到用以製作配線部之凸部71~79的模具。例如，準備在模具製作用之支撐板體的主面所黏貼的樹脂板體，因應於第2孔道78P、79P對樹脂板體的主面照射雷射或電子線，或利用蝕刻處理形成孔，將光阻劑層疊層於樹脂板體，在對與配線圖案對應之光阻劑層的既定區域曝光或加熱後利用蝕刻液選擇性除去既定區域，而形成因應於配線圖案的槽部，藉此，可得到具備因應於凸部71~77之凹部與因應於突起78、79之孔的模具。
配線體7的製作手法未限定為上述者，可使用在申請專利時已知之配線圖案的形成方法，將凸部71~77及突起78、79形成於支撐構件70的主面。例如，在支撐構件70之另一方主面(第15圖中下面)，亦可使用包含導電材料的墨水，利用網印形成凸部71~77及突起78、79，亦可對使用光微影法除去了既定區域之遮罩的凹部進行電鍍處理，而形成凸部71~77及突起78、79。
如第15圖所示，以配線面7a與載置被轉印物的工作台6相對向的方式配置配線體7。如第15圖所示，將第2絕緣片20設定於工作台6的載置面時，配線體7的配線面7a與第2絕緣片20的一方主面側(圖面上側)相對向。無特別限定，作為第2絕緣片20，例如可使用環氧樹脂等之未硬化(半硬化)熱硬化性樹脂或液晶聚合物或熱可塑性聚醯亞胺等的熱可塑性樹脂。
如第15圖所示，在鎖模前之常溫(T0)的狀態，可使配線面7a的深度，具體而言，在配線面7a因應於第2孔道78P、79P所形成之突起78、79的長度h3(T0)成為第2絕緣片20的厚度h4(T0)以上。第2絕緣片20因後面的加熱處理而膨脹，因為其厚度h4有增加的傾向，所以宜在常溫時使第2絕緣片20的厚度h4(T0)與配線面7a的深度相等或更薄。
使用上述之第15圖所示的配線體7，得到第2基板2。首先，具體而言，將第2絕緣片20加熱至成為第1設定溫度T1。第1設定溫度T1係因應於第2絕緣片20的熱變形溫度或玻璃轉移溫度(Tg)所定義之適合配線面7a之轉印的溫度。配線面7a之圖案形狀之在轉印時的第1設定溫度T1係可因應於第2絕緣片20的特性、厚度而任意地決定。例如，可將第1設定溫度T1設定成約260℃~300℃。此外，第2絕緣片20的加熱係亦可將第2絕緣片20直接加熱，亦可藉由將配線體7加熱而將與配線體7接觸的第2絕緣片間接加熱。
如第16圖所示，在將第2絕緣片20加熱至第1設定溫度T1後(或在轉印時將配線體7加熱至可將第2絕緣片20加熱至第1設定溫度T1的溫度後)，將配線體7的配線面7a壓住第2絕緣片20。
將配線面7a的突起78、79及凸部71~77壓入被加熱而軟化的第2絕緣片20。在本實施形態，能以配線面7a之突起78、79的至少前端部78a、79a在第2絕緣片20之另一方主面側(第16圖中下側)露出的方式將配線體7壓住第2絕緣片20的一方主面(第16圖中上側)。雖然本實施形態之突起78、79的前端部78a、79a係至少包含突起78、79的前端面(最先與第2絕緣片20接觸的面)，但是未限定如此，可使其包含從該前端面往支撐構件70側之既定距離的範圍。
如第16圖所示，在第2絕緣片20的一方主面，以被埋入之狀態形成因應於第2上部配線71P~77P的凸部71~77、及因應於第2孔道78P、79P的突起78、79。
在將配線體7壓住第2絕緣片20的製程(以下亦稱為埋入製程)，如第16圖所示，能以因應於第2孔道78P、79P所形成之突起78、79的長度h3(T1)成為在第1設定溫度T1(例如260℃~300℃)之第2絕緣片20之厚度h4(T1)以上(h3(T1)≧h4(T1))的方式設定突起78、79的長度及第2絕緣片20的材質及厚度。
在該埋入製程，因為第2絕緣片20被加熱至第1設定溫度T1，所以比常溫(T0)更膨脹，雖然厚度h4變厚，但是因為預先以在第1設定溫度T1突起78、79的長度h3(T1)成為第2絕緣片20之厚度h4(T1)以上(h3(T1)≧h4(T1))的方式設定突起78、79的長度及第2絕緣片20的材質及厚度，所以可使突起78、79的前端部78a、79a確實地從第2絕緣片20的另一方主面側露出。
接著，如第17圖所示，在配線體7的突起78、79及凸部71~77仍然插入第2絕緣片20之狀態，使第2絕緣片20的另一方主面(第17圖中下面)與第1基板1的一方主面(第17圖中上面)相對向。然後，利用影像識別或接腳對準等以從第2絕緣片20之另一方主面(第17圖中下面)所露出之突起78、79的前端部78a、79a分別與第1絕緣片10之第1上部配線12、16接觸的方式對準位置，如第18圖所示，將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10。
在該疊層製程，預先將第2絕緣片20加熱至第2設定溫度T2，再沿著疊層方向(z軸方向)將在第1絕緣片10之一方主面側(第18圖中上側)所疊層的第2絕緣片20加熱加壓。
對疊層製程的第2設定溫度T2無特別限定，可設定成第1絕緣片10及第2絕緣片20軟化而顯示黏接性的溫度。在第2設定溫度T2，第1絕緣片10與第2絕緣片20彼此熔接或黏接。第2設定溫度T2可設定成未滿第1設定溫度T1，例如可設定成220℃~260℃。
因為使比第2絕緣片20的厚度更長之突起78、79的前端部78a、79a在第2絕緣片20的另一方主面側(第18圖中下面側)露出後將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片，所以如第18圖所示，在突起78、79的前端與第1上部配線12、16之間的接觸部無樹脂介入，而可使突起78、79的前端與第1上部配線12、16確實地接觸。
又，在該疊層製程，可使突起78、79的長度h3與第2絕緣片20的厚度h4大致相等。即，突起78、79的長度h3與第2絕緣片20之厚度h4的差可設定成未滿突起78、79之長度的10%，係未滿5%較佳，係未滿3%更佳，係未滿1%最佳。
依此方式，在疊層製程，藉由使突起78、79的長度h3與第2絕緣片20的厚度h4大致相等，即使因疊層時的加熱而第2絕緣片20的一部分流動化，樹脂亦不會流入突起78、79的前端與第1上部配線12、16之間的接觸部。結果，可作成在突起78、79的前端與第1上部配線12、16之間不會產生樹脂殘渣。又，在疊層製程，藉由使突起78、79的長度h3與第2絕緣片20的厚度h4大致相等，即使在疊層時將第2絕緣片20壓住第1絕緣片10，亦可防止突起78、79的前端推壓第1上部配線12、16而破壞之。
順便地，在本實施形態，第16圖所示之在第1設定溫度T1下所進行的埋入製程，將配線面7a之突起78、79的長度h3(T1)設定成第2絕緣片20的厚度h4(T1)以上，而在第18圖所示之在比第1設定溫度T1更低的第2設定溫度T2下所進行的疊層製程，使配線面7a之突起78、79的長度h3(T2)與第2絕緣片20的厚度h4(T2)大致相等。在此，在溫度比較高的第1設定溫度T1，第2絕緣片20之厚度比突起78、79的長度h3更薄，而在溫度比較低的第2設定溫度T2，第2絕緣片20之厚度與突起78、79的長度h3大致相等時，似乎違反溫度愈高愈膨脹，而第2絕緣片20愈厚的技術常識。可是，如第16圖所示，在埋入製 程，即使承受比較大之鎖模時的推壓力，亦可使軟化的第2絕緣片20向外緣部(第16圖中第2絕緣片20的左右端部)溢出。如第16圖所示，第2絕緣片20的端部具圓角，而吸收第2絕緣片的膨脹量。因此，在本實施形態，如上述所示，在T1>T2，可使突起78、79的長度h3(T1)≧第2絕緣片20的厚度h4(T1)，且突起78、79的長度h3(T2)與第2絕緣片20的厚度h4(T2)大致相等的條件成立。
疊層後，在第2絕緣片20是熱硬化性樹脂的情況，利用烤爐等例如使其在180℃加熱約1小時而完全硬化。在第2絕緣片20是熱可塑性樹脂的情況，利用冷卻使其硬化。然後，從第2絕緣片20除去配線體7的支撐構件70。
在第19圖表示第18圖之以虛線所包圍之C區域的放大圖。如第19圖所示，可作成在疊層後樹脂不會殘留於突起79與第1上部配線16的連接部。依此方式，因為在無樹脂介入之狀態可形成可進行層間連接的第2孔道79P，所以可提高連接可靠性。又，不必如以往般，為了除去在用以形成孔道圖案之孔所殘留的樹脂，而進行電漿照射、雷射照射及化學蝕刻等的樹脂殘渣除去處理。
順便地，在利用包含電漿照射、雷射照射的製造方法所得之配線板的圖案或絕緣片存在缺損部或受損的痕跡，而在利用包含化學蝕刻處理的製造方法所得之配線板的圖案或絕緣片存在化學性侵蝕的痕跡。相對地，若依據本實施形態的製造方法，可提供一種配線板100的製造方法，該方法無樹脂殘渣除去處理所伴隨發生的缺損部或受損、 或化學性侵蝕的產生。
為了確認本實施形態之製造方法的效果，而實施在將配線體7壓住第2絕緣片20之一方主面的製程，僅在使突起78、79的長度h3未滿第2絕緣片20的厚度h4上與本實施形態相異之第3比較例的製造方法，並觀察使配線體7之突起79與第1上部配線16之連接部的狀態。在第20圖以模式表示與第18圖之區域C對應之本比較例的狀態。如第20圖所示，樹脂S殘留於突起79與第1上部配線16之連接部。因為因該樹脂S而突起79與第1上部配線16之連接部的接觸面積變窄，而連接可靠性降低。
一樣地，實施在將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10的製程，僅在使突起78、79的長度h3未滿第2絕緣片20的厚度h4上與本實施形態相異之第4比較例的製造方法，並觀察疊層後之突起79與第1上部配線16之連接部的狀態。與上述之第3比較例一樣，樹脂S殘留於突起79與第1上部配線16之連接部。該狀態係在與在與上述之第18圖的區域C對應之第20圖以模式所表示之狀態相同。因為因該樹脂S而突起79與第1上部配線16之連接部的接觸面積變窄，而連接可靠性降低。
依此方式，若依據本發明之實施形態之配線板100的製造方法，因為在將第2絕緣片20疊層於第1絕緣片10時，突起78、79的前端部78a、79a從第2絕緣片20的下面側露出，所以可使第2孔道78P、79P與第1上部配線12、16確實地接觸，而可製造連接可靠性高的配線板100。
又，因為不需要如以往的刻印法般將導電材料填充於因應於圖案所形成之槽或孔的製程，所以可降低製造費用。
<第2發明之第2實施形態>
以下，根據第21圖~第23圖說明第2發明之第2實施形態。本實施形態的特徵為：在第2發明之第1實施形態的埋入製程，將緩衝片60配置於第2絕緣片20的另一方主面側。為了避免重複的記載，以下主要說明與第1實施形態相異的事項，關於共同的說明，沿用第2發明之第1實施形態的說明。
第21圖表示埋入製程前的設定狀態之對應於第1實施形態的第15圖。如第21圖所示，在本實施形態，將具有彈性的緩衝構件60配置於第2絕緣片20的另一方主面側(第21圖中下面側)。作為緩衝構件60，可使用熱可塑性樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚四氟乙烯(PTFE)或氟樹脂等的薄膜或多孔質構件。
在與第1實施形態一樣的條件，即第1設定溫度T1下，將配線體7的配線面7a壓住第2絕緣片20。在該埋入製程，將突起78、79的長度h3(T1)設定成比第2絕緣片20的厚度h4(T1)更大。
如第22圖所示，在埋入製程，突起78、79的前端部78a、79a在第2絕緣片20之另一方主面側(第22圖中下面側)露出，該突出的前端部78a、79a推壓緩衝構件60。緩衝構件60因被前端部78a、79a推壓而被壓縮，並沿著前端部78a、79a的形狀變形。在第23圖表示在該狀態之第22圖之D區域的放大圖。如第23圖所示，前端部79a從第2絕緣片20的另一方主面露出，進而埋沒於緩衝構件60。
依此方式，藉由將具有彈性的緩衝構件60配置於第2絕緣片20之另一方主面側(第23圖中下面側)，而以小力可使前端部78a、79a貫穿第2絕緣片20。
尤其，在本實施形態的埋入製程，在第1設定溫度T1下，將突起78、79的長度h3(T1)設定成第2絕緣片20的厚度h4(T1)以上，而在疊層製程，在第2設定溫度T2下，使突起78、79的長度h3(T2)與第2絕緣片20的厚度h4(T2)大致相等的情況，對第2絕緣片20之材料、厚度、溫度及突起78、79之長度的控制要求高精度。在這種情況，即使是在突起78、79的長度h3與第2絕緣片20之厚度h4的關係發生一些變動的情況，亦若配置緩衝構件60，藉由在埋入製程調整壓住第2絕緣片20的力，而可使突起78、79的前端部78a、79a從第2絕緣片20之另一方主面側露出。
如以上所示，若依據第2發明之第2實施形態之配線板100的製造方法，具有與第1實施形態之製造方法一樣的作用效果，而且因為在埋入製程將緩衝構件60配置於第2絕緣片20的另一方主面側，所以能以比較小的力使突起78、79向第2絕緣片20的另一方主面側露出，又，即使是在突起78、79的長度h3與第2絕緣片20之厚度h4的關係發生變動的情況，亦吸收變動，而可使突起78、79向第2絕緣片20之另一方主面側確實地露出。
如以上所說明之實施形態係為了易於理解本發明所記載，不是為了限定本發明所記載。因此，在上述的實施形態所揭示的各元件係亦包含屬於本發明之技術性範圍之全部的設計變更或對等物。
1．．．第1基板
2．．．第2基板
4．．．模具
40．．．支撐構件
41~47．．．凸部
48、49．．．突起
10．．．第1絕緣片
11~17．．．第1上部配線
18、19．．．第1孔道
21、22．．．第1下部配線
20．．．第2絕緣片
31~37．．．第2上部配線
38、39．．．第2孔道
51~57．．．槽部(凹部)
58、59．．．孔(通孔)
6．．．工作台
60．．．緩衝片(緩衝構件)
7．．．配線體
70．．．支撐構件
7a．．．配線面
71~77．．．凸部、配線部
78、79‧‧‧突起、配線部
71P~77P‧‧‧凸部、配線部
78P、79P‧‧‧第2孔道
第1圖係表示第1發明之第1實施形態的配線板之一例的剖面圖。
第2圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第3圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第4圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第5圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第6圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第7圖係用以說明第1發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第8圖係第7圖所示之A區域的放大圖。
第9圖係根據比較例的製造方法所得之相當於第7圖所示的A區域之區域的放大圖。
第10圖係用以說明第1發明之第2實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第11圖係用以說明第1發明之第2實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第12圖係第11圖所示之B區域的放大圖。
第13圖係表示第2發明之第1實施形態的配線板之一例的剖面圖。
第14圖係用以說明第2發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第15圖係用以說明第2發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第16圖係用以說明第2發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第17圖係用以說明第2發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第18圖係用以說明第2發明之第1實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第19圖係第18圖所示之C區域的放大圖。
第20圖係根據比較例的製造方法所得之相當於第18圖所示的C區域之區域的放大圖。
第21圖係用以說明第2發明之第2實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第22圖係用以說明第2發明之第2實施形態之配線板的製造方法之一例的製程剖面圖。
第23圖係第22圖所示之D區域的放大圖。
100‧‧‧配線板
1‧‧‧第1基板
2‧‧‧第2基板
10‧‧‧第1絕緣片
11~17‧‧‧第1上部配線
18、19‧‧‧第1孔道
20‧‧‧第2絕緣片
21、22‧‧‧第1下部配線
31~37‧‧‧第2上部配線
38、39‧‧‧第2孔道

Claims (6)

  1. 一種配線板的製造方法，其特徵在於包含：基板準備製程，係準備第1基板，而該第1基板係具備第1絕緣片與形成於該第1絕緣片之一方主面側的第1配線；模具準備製程，係準備具有包含凸部與突起之版面的模具，而該凸部係因應於構成在該第1基板所疊層之第2基板的圖案之至少一部分的配線圖案所形成，該突起係因應於構成該圖案之至少一部分的孔道圖案所形成；壓住製程，係將該模具的版面配置成使其與第2絕緣片的一方主面側相對向，將該第2絕緣片加熱至第1設定溫度，並以該版面之突起的至少前端部在該第2絕緣片之另一方主面側露出的方式將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面；疊層製程，係至少將該第2絕緣片加熱至第2設定溫度，在該突起仍然插入該第2絕緣片之狀態，以從該第2絕緣片之另一方主面所露出之該突起的前端部與該第1絕緣片之該第1配線接觸的方式將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片；離模製程，係至少將該第2絕緣片冷卻，再使該模具從該第2絕緣片離模；及填充製程，係將導電材料填充於利用形成於該第2絕緣片之該模具的凸部所形成之槽部及利用該模具之突起所形成的孔。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線板的製造方法，其中在將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h1是該第2絕緣片的厚度h2以上；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h1與該第2絕緣片的厚度h2大致相等。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之配線板的製造方法，其中在將該模具壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將緩衝片配置於該第2絕緣片的另一方主面側；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，除去該緩衝片。
  4. 一種配線板的製造方法，其特徵在於包含：基板準備製程，係準備第1基板，而該第1基板係具備第1絕緣片與形成於該第1絕緣片之一方主面側的第1配線；配線部形成製程，係在平板狀之支撐構件的一方主面，形成包含凸部與突起的配線部，而該凸部係作用為構成在該第1基板所疊層之第2基板的圖案之至少一部分的配線圖案，該突起係作用為構成該圖案之至少一部分的孔道圖案；壓住製程，係將形成於該支撐構件的配線部配置成使其與第2絕緣片的一方主面側相對向，將該第2絕緣片加熱至第1設定溫度，並以該配線部之突起的至少前端部在 該第2絕緣片之另一方主面側露出的方式將該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面；疊層製程，係將該第2絕緣片加熱至第2設定溫度，在作用為該孔道圖案之突起仍然插入該第2絕緣片之狀態，以從該第2絕緣片之另一方主面所露出之該突起的前端部與該第1絕緣片之該第1配線接觸的方式將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片；及除去製程，係從該第2絕緣片除去該支撐構件。
  5. 如申請專利範圍第4項之配線板的製造方法，其中在將形成於該支撐構件的該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h3是該第2絕緣片的厚度h4以上；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，因應於該孔道圖案所形成之突起的長度h3與該第2絕緣片的厚度h4大致相等。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之配線板的製造方法，其中在將形成於該支撐構件的該配線部壓住該第2絕緣片之一方主面的製程，將緩衝片配置於該第2絕緣片的另一方主面側；在將該第2絕緣片疊層於該第1絕緣片的製程，除去該緩衝片。
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