JP4282714B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
マシン設置時に多層配線基板201を位置決めすることが困難になってしまう。それゆえ従来では、品番毎あるいはスタック孔毎に太さを変えたスタックピンを設けた専用の下治具を複数種類用意し、その下治具を介して多層配線基板201をドリルマシンに設置する必要がある。ゆえに、これが生産性やコスト性を低下させる原因になっている。
この後、絶縁層形成工程、レジスト形成工程及び導体層形成工程を必要回数だけ繰り返し行って積層配線部を完成させた後、貫通孔形成工程を行う。この工程では、第1ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、製品形成領域に貫通孔を透設する。このとき、第1ピン止め用孔は小径化しておらず元来の内径を維持しているため、通常の径を有する加工装置側ピンを第1ピン止め用孔に容易に止めることができる。そして、このピン止め状態で穴明け加工を行うことにより、製品形成領域における所望の位置に貫通孔を正確に透設することができる。
図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板10は、平面視略矩形板状のコア基板11と、その基板主面12(図1では上面)上に形成された第1ビルドアップ層31(積層配線部)と、その基板裏面13(図1では下面)上に形成された第2ビルドアップ層32(積層配線部)とを備えている。この多層配線基板10は、いわゆる多数個取り用の多層配線基板であり、複数の配線基板個片が連結された状態の配線基板集合体である。複数の配線基板個片が最終製品であると定義すると、この多層配線基板10はその中間製品であると把握することもできる。
(1)コア基板上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記枠部に第1ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、耐めっき液性の被覆材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、閉塞体にて前記第1ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、前記積層配線部の完成後に前記第1ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
11…コア基板
14…製品となるべき部分
15…製品形成領域
16…枠部
30…貫通孔
31,32…積層配線部としてのビルドアップ層
33,34,35,40,41,42…絶縁層
36…導体層
51…第1ピン止め用孔としてのスタック孔
53…めっきレジスト材
54…めっきレジスト
55,55A…閉塞体
81…露光用マスク
82…マスクパターン
E1…第1端縁
E2…第2端縁
W1…閉塞体の最小幅
D1…第1ピン止め用孔の直径
Claims (8)
- コア基板上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記コア基板にて前記積層配線部が設けられた前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記コア基板にて前記積層配線部が設けられていない前記枠部に第1ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
めっきレジスト材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
閉塞体にて前記第1ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、
前記積層配線部の完成後に前記第1ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記閉塞体は、前記めっきレジスト材を用いて前記めっきレジストと同時に形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記レジスト形成工程は、
感光性を付与したフィルム状のめっきレジスト材を貼り付ける工程と、
前記製品形成領域における導体層非形成部位及び前記枠部における閉塞体形成部位に対応してマスクパターンが形成された露光用マスクを前記めっきレジスト材上に配置する工程と、
前記露光用マスクを介して前記めっきレジスト材を露光する工程と、
前記めっきレジスト材を現像して前記めっきレジストを形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記めっきレジストは前記製品形成領域に形成され、前記閉塞体は前記枠部にて前記めっきレジストと分離して形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記コア基板は、基板搬送時に基板搬送方向に沿って平行に配置される一対の第1端縁と、基板搬送時に基板搬送方向に対して垂直に配置される一対の第2端縁とを有する略矩形状を呈し、
前記第1ピン止め用孔は、前記製品形成領域と前記一対の第1端縁との間に配置され、
前記めっきレジスト及び前記閉塞体は、前記一対の第1端縁を避けて形成される
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。 - 前記閉塞体は、平面視で角のない形状を呈することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記閉塞体の最小幅は、前記第1ピン止め用孔の直径の1.5倍以上3.0倍以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記枠部には、前記第1ピン止め用孔よりも径の大きい複数の第2ピン止め用孔が透設されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。
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