JP2008141041A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】専用の下治具を用いなくても加工装置に対する位置決めができ、しかも生産性やコスト性の低下を回避できる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２を形成する絶縁層形成工程を行う。次に、めっきレジスト材５３を用いて絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２上にめっきレジスト５４を形成するレジスト形成工程を行う。次に、閉塞体５５にて第１ピン止め用孔５１を閉塞した状態でめっきを行い、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２上に導体層３６を選択的に形成する導体層形成工程を行う。積層配線部３１，３２の完成後に第１ピン止め用孔５１を位置基準とする穴明け加工を行い、製品形成領域１５に貫通孔３０を透設する貫通孔形成工程を行い、多層配線基板１０を完成させる。
【選択図】 図８

Description

本発明は、多層配線基板の製造方法に関し、特には所定の位置決め孔を使用して位置決めを行う工程を含む多層配線基板の製造方法に関するものである。

従来、複数層の樹脂絶縁層によって構成されるコア基板を有し、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板の製造方法が従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。この種の多層配線基板では、製品形成領域とそれを包囲する枠部とに区画されていて、製品形成領域には製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置されている。以下、従来における多層配線基板２０１の製造方法の一例を図１６，図１７に基づいて説明する。

まず、コア基板２０２を用意して、そのコア基板２０２における枠部２０３に複数の加工用ピン止め用孔２０４をあらかじめ設けておく。次に、これらの加工用ピン止め用孔２０４を位置基準とするドリル加工を行うことにより、製品形成領域２０５内に複数のスルーホール形成用孔２０６を形成し、枠部２０３に別の複数の加工用ピン止め用孔（スタック孔２０７）を形成する。その後、スルーホールめっき等を行ってコア基板２０２を完成させるとともに、絶縁層２０８の形成と、銅めっきによる導体層２０９の形成とを繰り返し行い、基板両面にビルドアップ層２１０，２１１を形成する。ビルドアップ層２１０，２１１の完成後には、スタック孔２０７を位置基準とする穴明け加工をドリルマシンにより行うことで、製品形成領域２０５において製品となるべき部分にそれぞれ貫通孔２１２を透設する。この後、切断予定線２１３に沿って切断することで、１枚の多層配線基板２０１から複数の製品個片を得ることができる。
特開２００２−１８７９５号公報

ところが、上記従来の製造方法によると、ビルドアップ層２１０，２１１の形成時の銅めっきを経る度にスタック孔２０７の内壁面に銅めっき２１４が析出してしまうため、スタック孔２０７の内径が設計値よりも小さくなる。よって、小径化したスタック孔２０７にスタックピン（図示略）が入りにくくなり、ドリル
マシン設置時に多層配線基板２０１を位置決めすることが困難になってしまう。それゆえ従来では、品番毎あるいはスタック孔毎に太さを変えたスタックピンを設けた専用の下治具を複数種類用意し、その下治具を介して多層配線基板２０１をドリルマシンに設置する必要がある。ゆえに、これが生産性やコスト性を低下させる原因になっている。

また、小径化したスタック孔２０７にスタックピンを無理やり嵌めた場合には、スタック孔２０７の開口部にて銅めっき２１４が変形して突出してしまう。このため、銅めっき変形部のある側にはんだ印刷用マスクを載せて印刷を行うと、銅めっき変形部に対する圧力集中によりマスクが割れるおそれがあり、工程上改良の余地がある。

なお、スタック孔２０７内に付着した銅めっきを事後的に除去して小径化を防ぐという対策も考えられる。しかし、これを実施した場合には生産性やコスト性の低下につながる可能性が高く、しかも、孔径を制御することは困難である。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、専用の下治具を用いなくても加工装置に対する位置決めを行うことができ、しかも生産性やコスト性の低下を回避することができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア基板上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記枠部に第１ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、めっきレジスト材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、閉塞体にて前記第１ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、前記積層配線部の完成後に前記第１ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法をその要旨とする。

従って、手段１に記載の製造方法によると、導体層形成工程の際に閉塞体にて第１ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行っているため、第１ピン止め用孔の内壁面にめっきが付着せず、第１ピン止め用孔の小径化が回避される。よって、通常の径を有する加工装置側ピンを第１ピン止め用孔に止めることが可能となり、ピン径の異なる専用の下治具を複数種類用意しておかなくても、当該孔を位置基準とする穴明け加工を確実に行うことができる。また、この製造方法によれば、専用の下治具も銅めっき除去も不要なため、生産性やコスト性の低下を回避することができる。

手段１にかかる多層配線基板の製造方法では、絶縁層形成工程等を実施する前にコア基板を準備しておく必要がある。

コア基板は、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画されている。コア基板は矩形状を呈しており、基板搬送時に基板搬送方向に沿って平行に配置される一対の第１端縁と、基板搬送時に基板搬送方向に対して垂直に配置される一対の第２端縁とを有している。

コア基板としては、樹脂製コア基板、セラミック製コア基板、金属製コア基板のいずれでもよいが、コスト性や加工性の観点から樹脂製コア基板が好適である。コア基板用の樹脂材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

コア基板における製品形成領域には、表裏面の導通を図るためのめっきスルーホールが複数設けられていてもよい。かかるめっきスルーホールは、基板穴あけの後に無電解銅めっきを施すことにより形成可能である。

コア基板における枠部には、１つまたは複数の第１ピン止め用孔が透設されている。第１ピン止め用孔は、例えばスタックピンをピン止めするための孔（スタック孔）として使用されることが好適である。枠部における第１ピン止め用孔の形成位置は限定されないが、例えば、製品形成領域と一対の第１端縁との間に配置されることが好ましい。その理由は、搬送装置で多層配線基板を搬送することを考慮すると、この位置であることが工程上都合がよいからである。

また、枠部には、第１ピン止め用孔よりも径の大きい複数の第２ピン止め用孔が透設されていてもよい。第２ピン止め用孔は第１ピン止め用孔よりも先に加工形成され、これを位置基準として用いて第１ピン止め用孔やスルーホール形成用孔が加工形成される。枠部における第２ピン止め用孔の形成位置は限定されないが、例えば、製品形成領域と一対の第１端縁との間に配置されることが好ましい。

次に、絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部をコア基板上に形成する。積層配線部はコア基板の主面及び裏面の少なくともいずれか一方の面上に配置されていてもよいが、好ましくは主面及び裏面の両面上に配置されることがよい。

積層配線部を形成する場合には、まず絶縁層を形成する絶縁層形成工程を行う。絶縁層用の材料としては特に限定されないが、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。絶縁層の形成はフィルム状のものを貼り付けることにより行ってもよく、あるいは液体状のものを塗布した後に乾燥させることにより行ってもよい。

次に、めっきレジスト材を用いて絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程を行う。めっきレジスト材は、例えば耐めっき液性を有する合成樹脂材料等からなり、めっきを行う際にめっきの付着を防止したい箇所に配置される。ここで、第１ピン止め用孔を閉塞するための閉塞体は、後述する導体層形成工程を実施時までに設けられていればよいが、めっきレジスト材を用いてめっきレジストと同時に形成されることが好適である。その理由は、この方法によれば材料を共通化できるので低コスト化及び生産性向上が図りやすくなるからである。また、めっきレジストの剥離時に閉塞体も同時に除去することができ、工程上好ましいからである。また、めっきレジスト材はフィルム状、液状のいずれでもよいが、好ましくはフィルム状のめっきレジスト材を用いることがよい。このような性状のめっきレジスト材であれば、第１ピン止め用孔を閉塞する際でも、孔内部にめっきレジスト材を侵入させることなくその開口部のみを覆うことができる。よって、めっきレジスト材からなる閉塞体を容易に除去することができる。

めっきレジストは製品形成領域に形成される。一方、閉塞体は第１ピン止め用孔が存在する枠部に形成され、好ましくは枠部にてめっきレジストと分離して形成されることがよい。即ち、めっきレジストと閉塞体とを分離せずに連続させて形成することも可能であるが、この場合には両者間に段差が生じて、閉塞体が剥がれやすくなるおそれがある。その点、上記のように閉塞体とめっきレジストとをあらかじめ分離しておけば、段差の発生を心配しなくてもよくなり、第１ピン止め用孔を確実に閉塞して孔内壁面に対するめっきの付着を確実に防ぐことができる。

めっきレジスト及び閉塞体は、基板搬送時に基板搬送方向に沿って平行に配置される一対の第１端縁を避けて形成されることが好ましい。言い換えると、めっきレジストの外縁及び閉塞体は、その外縁が一対の第１端縁まで及ばないように形成されることが好ましい。搬送装置で多層配線基板を搬送する場合、一対の第１端縁にめっきレジスト材が配置されていると、搬送装置との接触により当該めっきレジスト材が擦れて塵が生じやすくなるおそれがある。その結果、めっきレジスト材剥離時に発生した塵が基板表面に付着して導体層形成に悪影響を及ぼし、これが歩留まりを低下させる原因となりうるからである。また、搬送装置との擦れによって閉塞体が剥がれやすくなる可能性もあるからである。

閉塞体の形状は特に限定されず、平面視で矩形状や円形状などの形状を採用することが可能であるが、平面視で角のない形状であることが好適である。即ち、角のない形状の閉塞体は、角のある形状の閉塞体に比較して剥がれにくいからである。

閉塞体の大きさは特に限定されず、第１ピン止め用孔を閉塞できるのであれば任意に設定することが可能である。ただし、閉塞体の大きさは必要最小限でよく、例えば第２ピン止め用孔まで閉塞する必要はない。第２ピン止め用孔は、第１ピン止め用孔とは異なり大径であるため、めっきが付着したとしても一般的に位置決め上の不都合が生じにくいからである。

より具体的にいうと、閉塞体の面積は第１ピン止め用孔の開口面積よりも若干大きい程度（数倍程度）であることが好ましい。また、閉塞体の最小幅は、第１ピン止め用孔の直径の１．５倍以上３．０倍以下であることが好ましい。１．５倍未満の場合、閉塞体形成精度における誤差が大きいと、位置ずれが生じて第１ピン止め用孔を確実に閉塞できなくなる可能性があるからである。また、３．０倍を越える場合、枠部の幅を狭くしたときには、閉塞体をめっきレジストと分離して形成しにくくなることに加え、閉塞体を一対の第１端縁を避けて形成しにくくなる。

ここで、レジスト形成工程において同時に閉塞体を形成するには、具体的には以下のようにすることが好ましい。まず、感光性を付与したフィルム状のめっきレジスト材を貼り付ける工程を行う。次に、製品形成領域における導体層非形成部位及び枠部における閉塞体形成部位に対応してマスクパターンが形成された露光用マスクをめっきレジスト材上に配置する工程を行う。次に、露光用マスクを介してめっきレジスト材を露光する工程を行う。次に、めっきレジスト材を現像してめっきレジストを形成する工程を行う。そして以上の工程を経れば、共通の露光用マスクを用いて露光・現像することにより、めっきレジスト及び閉塞体を所望の位置にそれぞれ形成することができる。また、この方法によれば既存のプロセスを変更することなく、露光用マスクのマスクパターンのみ若干変更するだけで足りるため、低コスト化及び生産性向上を達成しやすくなる。

レジスト形成工程後には導体層形成工程を行う。この工程では、閉塞体にて第１ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行うことにより、絶縁層上に導体層を選択的に形成する。第１ピン止め用孔は閉塞体にて閉塞されているため、第１ピン止め用孔の内壁面へのめっきの付着が防止される。
この後、絶縁層形成工程、レジスト形成工程及び導体層形成工程を必要回数だけ繰り返し行って積層配線部を完成させた後、貫通孔形成工程を行う。この工程では、第１ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、製品形成領域に貫通孔を透設する。このとき、第１ピン止め用孔は小径化しておらず元来の内径を維持しているため、通常の径を有する加工装置側ピンを第１ピン止め用孔に容易に止めることができる。そして、このピン止め状態で穴明け加工を行うことにより、製品形成領域における所望の位置に貫通孔を正確に透設することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板１０は、平面視略矩形板状のコア基板１１と、その基板主面１２（図１では上面）上に形成された第１ビルドアップ層３１（積層配線部）と、その基板裏面１３（図１では下面）上に形成された第２ビルドアップ層３２（積層配線部）とを備えている。この多層配線基板１０は、いわゆる多数個取り用の多層配線基板であり、複数の配線基板個片が連結された状態の配線基板集合体である。複数の配線基板個片が最終製品であると定義すると、この多層配線基板１０はその中間製品であると把握することもできる。

図１，図２に示されるように、コア基板１１は、製品となるべき部分１４が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域１５と、その製品形成領域１５を包囲する枠部１６とに区画されている。枠部１６は、いわば製品にはならない製品外領域であると把握できる。製品となるべき部分１４はいずれも平面視略矩形状をなし、製品形成領域１５内にて縦横に複数個ずつ配置されている。よって、製品形成領域１５も平面視略矩形状をなしている。枠部１６における基板主面１２上及び基板裏面１３上には、銅めっき６１からなるベタ状パターンが形成されている。

図２に示されるように、コア基板１１は、基板搬送時に基板搬送方向に沿って平行に配置される一対の第１端縁Ｅ１と、基板搬送時に基板搬送方向に対して垂直に配置される一対の第２端縁Ｅ２とを有している。本実施形態では、コア基板１１の長辺側が第１端縁Ｅ１に対応し、短辺側が第２端縁Ｅ２に対応している。

コア基板１１における枠部１６には、基板主面１２及び基板裏面１３を貫通する複数の第２ピン止め用孔５２が形成されている。これら一対の第１端縁Ｅ１は、製品形成領域１５と一対の第１端縁Ｅ１との間に配置されるとともに、４個ずつ配置されている。また、枠部１６において第２ピン止め用孔５２の脇には、基板主面１２及び基板裏面１３を貫通する複数のスタック孔５１（第１ピン止め用孔）が形成されている。スタック孔５１も、製品形成領域１５と一対の第１端縁Ｅ１との間に配置されている。本実施形態の場合、スタック孔５１は２個形成されている。なお、第２ピン止め用孔５２の内径はスタック孔５１の内径よりもいくぶん大きく設定されている。また、第２ピン止め用孔５２の内壁面には銅めっき６１が付着しているのに対し、スタック孔５１の内壁面には銅めっき６１が付着していない点で相違している。そして、製品形成領域１５において製品となるべき部分１４には、それぞれ貫通孔３０が形成されている。なお、これら貫通孔３０は、製品個片ごとに設けられており、製品個片実装時に製品個片を位置決めするために使用される。

図１に示されるように、コア基板１１は、インナーコア１７とアウターコア２０とを積み重ねて一体化した構造を有している。本実施形態において、インナーコア１７及びアウターコア２０は、いずれもガラスエポキシからなる平面視略矩形状の基板である。アウターコア２０はインナーコアの表裏面に対して接合されている。

コア基板１１の製品形成領域１５にはスルーホール形成用孔２４が形成され、その内周面にはビルドアップ層３１，３２同士の電気的な接続を図るためのめっきスルーホール２５が形成されている。めっきスルーホール２５中の空洞部には充填材２６が充填されている。めっきスルーホール２５の開口部は、銅めっきからなる蓋めっき２３により閉塞されている。

図１に示されるように、第１ビルドアップ層３１は、エポキシ樹脂からなる絶縁層３３，３４，３５と、銅からなる導体層３６とを交互に積層した構造を有している。絶縁層３３，３４，３５内における複数箇所には、ビア導体３７が形成されている。これらのビア導体３７は異なる層における導体層３６同士を電気的に接続している。また、最上層の絶縁層３５の表面上において各ビア導体３７の上端となる箇所には、フリップチップ接続用の端子パッド３８がアレイ状に形成されている。さらに、絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３９によってほぼ全体的に覆われている。各端子パッド３８は、ソルダーレジスト３９に設けられた開口部から露出しており、その露出部分には図示しないはんだバンプが形成されている。

図１に示されるように、第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、エポキシ樹脂からなる絶縁層４０，４１，４２と、導体層３６とを交互に積層した構造を有している。絶縁層４０，４１，４２内における複数箇所には、ビア導体３７が形成されている。これらのビア導体３７は、異なる層における導体層３６同士を電気的に接続している。また、最下層の絶縁層４２の下面上において各ビア導体３７の下端となる箇所には、端子パッド４３が格子状に形成されている。さらに、絶縁層４２の下面は、ソルダーレジスト４４によってほぼ全体的に覆われている。各端子パッド４３は、ソルダーレジスト４４に設けられた開口部から露出しており、その露出部分には図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ（図示略）が形成されている。

なお、図２に示されるように、この多層配線基板１０は、製品となるべき部分１４の外形線に沿って切断される。このような外形線に沿った線のことを切断予定線４５と定義する。

次に、本実施形態の多層配線基板１０の製造方法について説明する。

ここでは、まず、製品形成領域１５にめっきスルーホール２５が設けられるとともに、枠部１６にスタック孔５１及び第２ピン止め用孔５２が加工形成されたコア基板１１を準備する（図３参照）。めっきスルーホール２５内の空洞部は、樹脂ペーストの印刷充填及び加熱硬化を経て形成された充填材２６によって埋められる。さらに、蓋めっき２３を形成した後、基板主面１２及び基板裏面１３を表面研磨する。

次に、以下のような手順でコア基板１１上にビルドアップ層３１，３２を形成する。なお、第２ビルドアップ層３２の形成手順は基本的に第１ビルドアップ層３１の形成手順と同じであるので、ここでは第１ビルドアップ層３１を例に挙げて説明する。

まず、コア基板１１の基板主面１２上にシート状の熱硬化性エポキシ樹脂をラミネートして、製品形成領域１５の全体に未硬化状態の第１層の絶縁層３３を形成する（絶縁層形成工程、図４参照）。このとき、枠部１６には絶縁層３３は形成されない。次に、１７０℃に加熱して絶縁層３３を半硬化させる。さらに、レーザー加工機によりレーザーを照射し、製品形成領域１５においてビア導体３７が形成されるべき位置に複数の盲孔Ｈ１を形成する（図５参照）。そして、１８０℃に加熱して絶縁層３３を硬化させる。

続くレジスト形成工程では、まず、感光性を付与したフィルム状のめっきレジスト材５３を基板主面１２側に貼り付ける。本実施形態では感光性を付与したエポキシ樹脂を用いている。このめっきレジスト材５３は、コア基板１１よりもひと回り小さい面積（言い換えると、製品形成領域１５よりもひと回り大きい面積）を有する。そのため、めっきレジスト材５３によって、第１層の絶縁層３３が全体的に覆われるとともに、枠部１６におけるスタック孔５１の開口部も覆われる（図６参照）。

次に、ガラス等の透光性材料により形成された露光用マスク８１をめっきレジスト５３上に配置する（図７参照）。この露光用マスク８１の片側面には、製品形成領域１５における導体層非形成部位及び枠部１６における閉塞体形成部位に対応して、それぞれ光不透過性のマスクパターン８２が形成されている。

上記のようなマスク配置状態で露光用マスク８１を介して所定強度の紫外線を所定時間だけ照射し、めっきレジスト材５３を露光する。かかる露光を行うと、紫外線による光重合反応が進み、照射部分のみが選択的に光硬化する。この後、めっきレジスト材５３を現像することにより、所定部分に開口部を有するめっきレジスト５４を製品形成領域１５に形成する。かかる開口部は、導体層３６が形成されるべき位置に対応しており、少なくとも盲孔Ｈ１の形成位置を露出させている。また上記の現像を行うと同時に、めっきレジスト材５３からなる閉塞体５５が枠部１６上の２箇所に形成される（図８，図９参照）。そして、これらの閉塞体５５によって、スタック孔５１の基板主面側開口部が完全に閉塞される。本実施形態の閉塞体５５は、平面視で矩形状を呈しており、めっきレジスト５４とは分離されている。閉塞体５５の外縁は一対の第１端縁Ｅ１まで及んでおらず、いわば閉塞体５５は一対の第１端縁Ｅ１を避けて形成されている。また、閉塞体５５の面積はスタック孔５１の開口面積よりも若干大きい程度であり、その最小幅Ｗ１はスタック孔５１の直径（本実施形態では３．１５ｍｍ）の１．５倍〜２倍程度に設定されている。それゆえ、閉塞体５５は、スタック孔５１の近傍にある第２ピン止め用孔５２までは閉塞していない。

なお、図示しないが基板裏面１３側についても同様のプロセスを経て、絶縁層４０を覆うめっきレジスト５４と、スタック孔５１の基板裏面側開口部を完全に閉塞する閉塞体５５とを形成しておく。

次に、閉塞体５５によってスタック孔５１を両側から閉塞した状態で無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、盲孔Ｈ１の内部にビア導体３７を形成するとともに、絶縁層３３，４０上に導体層３６を選択的に形成する（導体層形成工程、図１０参照）。このとき、枠部１６上にも銅めっき６１が付着するが、スタック孔５１については閉塞体５５で閉塞されているため、その内部にめっき液が入り込むことはない。ゆえに、スタック孔５１の内壁面への銅めっき６１の付着が防止される。

めっきによる導体層３６の形成後、めっきレジスト材５３を溶解しうる溶液を処理して、めっきレジスト５４及び閉塞体５５を同時に溶解除去する（図１１参照）。その結果、スタック孔５１が露出する。

続いて、上述したプロセス（絶縁層形成、レジスト形成（めっきレジスト材５３の貼付、露光及び現像）、めっきによる導体層形成、レジスト除去）を実施し、第１層の絶縁層３３，４０上に第２層の絶縁層３４，４１を形成しかつ第２層の導体層３６を形成する。なお、このときの導体層形成時においても閉塞体５５でスタック孔５１を閉塞することにより、その内壁面への銅めっき６１の付着を防止する。さらに、もう一回上述したプロセスを実施し、第２層の絶縁層３４，４１上に第３層の絶縁層３５，４２を形成しかつ第３層の導体層３６を形成する。なお、このときの導体層形成時においても閉塞体５５でスタック孔５１を閉塞することにより、その内壁面への銅めっき６１の付着を防止する。この後、ソルダーレジスト３９，４４の形成を行い、ビルドアップ層３１，３２を完成させる（図１２，図１３参照）。

図１２，図１３に示す多層配線基板の中間製品１０Ａにおいては、まだ貫通孔３０が設けられていないため、下記の方法で貫通孔３０の加工形成を行う。

図１４には、多層配線基板の中間製品１０Ａが載置可能な固定治具Ｇ１、固定治具Ｇ１の上面における２箇所に立設されたスタックピンＳＰ１、固定治具Ｇ１の上方に配置されたドリルＤ１などを備えるドリルマシンが示されている。そして、ドリルマシンの固定治具Ｇ１上に多層配線基板の中間製品１０Ａを載置するとともに、各スタック孔５１に各スタックピンＳＰ１をピン止めして、多層配線基板の中間製品１０Ａを位置決めする。このとき、スタック孔５１の内壁面に銅めっき６１が付着していないため、スタック孔５１はほぼ設計値どおりの内径を有している。それゆえ、スタック孔５１にスタックピンＳＰ１を無理なく容易に入り込ませることができる。次に、このようなピン止め固定状態でドリルＤ１を回転駆動し、製品となるべき部分１４の所定箇所をそれぞれ穴明け加工することにより、複数の貫通孔３０を透設する。その結果、図１の多層配線基板１０が完成する。

その後、従来周知の切断装置などを用いて製品形成領域１５から枠部１６を切断除去するとともに、製品形成領域１５における切断予定線４５に沿って切断する。これにより、製品同士が分割され、複数ピースの製品（配線基板個片）が得られ、多数個取りが達成される。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）この製造方法では、導体層形成工程の際に閉塞体５５にてスタック孔５１を閉塞した状態で銅めっきを行っているため、スタック孔５１の内壁面に銅めっき６１が付着せず、その小径化が回避される。よって、通常の径を有するスタックピンＳＰ１をスタック孔５１に止めることが可能となる。そのため、ピン径の異なる専用の下治具を複数種類用意しておかなくても、当該スタック孔５１を位置基準とする貫通孔３０の穴明け加工を確実に行うことができる。また、この製造方法によれば、専用の下治具も銅めっき除去も不要なため、生産性やコスト性の低下を回避することができる。

（２）本実施形態の製造方法によると、共通のめっきレジスト材５３を用いてめっきレジスト５４と閉塞体５５とが同時に形成されるため、低コスト化及び生産性向上を比較的容易に図ることができる。また、共通のめっきレジスト材５３を用いたことにより、めっきレジスト材５３の剥離時に閉塞体５５も同時に除去することができるという工程上の利点がある。

しかも、本実施形態の製造方法では、めっきレジスト５４の形成にあたり、共通の露光用マスク８１を用いて露光・現像することにより、めっきレジスト５４及び閉塞体５５を所望の位置にそれぞれ形成している。そして、この方法によれば既存のプロセスを変更することなく、露光用マスク８１のマスクパターン８２のみ若干変更するだけで足りる。このことも低コスト化及び生産性向上に寄与している。

なお、本発明の各実施形態は以下のように変更してもよい。

・閉塞体５５の平面視での形状は上記実施形態のものに限定されず、任意に変更することができる。例えば、図１５に示す別の実施形態の多層配線基板の中間製品１０Ｂの有する閉塞体５５Ａは、平面視で略矩形状を呈しているものの、各コーナー部が丸みを帯びた角のない形状となっている。このような平面形状の閉塞体５５Ａは、上記実施形態のものに比べて剥がれにくいという利点を有するため、銅めっき６１の付着をより確実に防止することができる。

・上記実施形態では、閉塞体５５を形成するにあたり、めっきレジスト材５３を用いたが、これ以外の材料を用いることも可能である。例えば、銅めっき液に耐性のある被覆材（例えば銅めっき液に溶解しない或いは溶解しにくい金属のテープなど）を用いてもよい。この場合、被覆材は毎回のめっきごとに被覆及び剥離を行うようにしてもよいが、複数回のめっきにわたって被覆しておき、最終のめっき後に剥離するようにしてもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）コア基板上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記枠部に第１ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、耐めっき液性の被覆材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、閉塞体にて前記第１ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、前記積層配線部の完成後に前記第１ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

（２）コア基板の基板主面上及び基板裏面上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる第１積層配線部及び第２積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記枠部に第１ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、フィルム状のめっきレジスト材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、閉塞体にて前記第１ピン止め用孔をその両開口部にて閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、前記第１積層配線部及び前記第２積層配線部の完成後に前記第１ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板を示す部分概略断面図。 実施形態の多層配線基板を示す概略平面図。 実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための概略平面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための概略平面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 同製造方法を説明するための概略平面図。 同製造方法を説明するための部分拡大平面図。 同製造方法を説明するための部分概略断面図。 別の実施形態の閉塞体を説明するための部分拡大平面図。 従来技術の多層配線基板の部分概略断面図。 従来技術の多層配線基板の部分拡大平面図。

符号の説明

１０…多層配線基板
１１…コア基板
１４…製品となるべき部分
１５…製品形成領域
１６…枠部
３０…貫通孔
３１，３２…積層配線部としてのビルドアップ層
３３，３４，３５，４０，４１，４２…絶縁層
３６…導体層
５１…第１ピン止め用孔としてのスタック孔
５３…めっきレジスト材
５４…めっきレジスト
５５，５５Ａ…閉塞体
８１…露光用マスク
８２…マスクパターン
Ｅ１…第１端縁
Ｅ２…第２端縁
Ｗ１…閉塞体の最小幅
Ｄ１…第１ピン止め用孔の直径

Claims (8)

1. コア基板上に絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる積層配線部を設けた構造を有し、製品となるべき部分が基板平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域を包囲する枠部とに区画され、前記製品形成領域に貫通孔が透設され、前記枠部に第１ピン止め用孔が透設された多層配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   めっきレジスト材を用いて前記絶縁層上にめっきレジストを形成するレジスト形成工程と、
   閉塞体にて前記第１ピン止め用孔を閉塞した状態でめっきを行い、前記絶縁層上に前記導体層を選択的に形成する導体層形成工程と、
   前記積層配線部の完成後に前記第１ピン止め用孔を位置基準とする穴明け加工を行い、前記製品形成領域に貫通孔を透設する貫通孔形成工程と
   を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記閉塞体は、前記めっきレジスト材を用いて前記めっきレジストと同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記レジスト形成工程は、
   感光性を付与したフィルム状のめっきレジスト材を貼り付ける工程と、
   前記製品形成領域における導体層非形成部位及び前記枠部における閉塞体形成部位に対応してマスクパターンが形成された露光用マスクを前記めっきレジスト材上に配置する工程と、
   前記露光用マスクを介して前記めっきレジスト材を露光する工程と、
   前記めっきレジスト材を現像して前記めっきレジストを形成する工程と
   を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記めっきレジストは前記製品形成領域に形成され、前記閉塞体は前記枠部にて前記めっきレジストと分離して形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記コア基板は、基板搬送時に基板搬送方向に沿って平行に配置される一対の第１端縁と、基板搬送時に基板搬送方向に対して垂直に配置される一対の第２端縁とを有する略矩形状を呈し、
   前記第１ピン止め用孔は、前記製品形成領域と前記一対の第１端縁との間に配置され、
   前記めっきレジスト及び前記閉塞体は、前記一対の第１端縁を避けて形成される
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記閉塞体は、平面視で角のない形状を呈することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記閉塞体の最小幅は、前記第１ピン止め用孔の直径の１．５倍以上３．０倍以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記枠部には、前記第１ピン止め用孔よりも径の大きい複数の第２ピン止め用孔が透設されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。

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