CN102959642B - 透明导电性基材 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种在基材的单面或者双面上依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层的透明导电性基材及其制备方法，所述透明导电性基材的特征在于，该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔，该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧，所述透明导电性基材的制备方法的特征在于，通过倾斜蒸镀法，在所述透明导电性薄膜层的表面上，形成所述透明金属氧化物层。

Description

透明导电性基材
技术领域
本发明涉及透明导电性基材、及该透明导电性基材的制备方法。
背景技术
在透明基板上形成透明的金属氧化物导电层（ITO，ZnO等）的透明导电性基材，由于透明且具有导电性，被用于触控面板、太阳能电池、电磁波/静电屏蔽、紫外线屏蔽/红外线屏蔽等用途中。
但是，现有产品具有以下缺点。
1）金属氧化物导电层表面的可见光反射量大，透明性差。
2）因为金属氧化物导电层吸收近紫外线附近的光，因此波长小于450nm的光的透光率减小，着色为黄色。
由于上述1）及2），对金属氧化物导电层进行图形刻蚀后再使用的情况下，能够明确识别有图形部分与无图形部分之间的差异，因此也需要进行该改进。
3）由于ITO膜为薄膜，在搬运、加工以及使用时，因摩擦而造成损伤，导致产生导电性变差、断开、外观变差等缺陷。
4）ITO膜上水的润湿性差，改进对ITO膜的印刷、涂布、粘结剂等的粘结性是研究课题，需要提高膜表面的水的润湿性（减小水的接触角）。
以改良这些缺陷为目的，提出了在ITO膜面上形成光的折射率比ITO小的透明层（SiO2、Al2O3、透明树脂等）的方案。（例如，专利文献1及专利文献2）。
在专利文献1中，公开了一种透明导电性薄膜的制备方法，其特征是对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜表面实施高频率溅射蚀刻处理后，形成透明的导电性薄膜，接着在该薄膜上形成膜厚为以上的透 明的电介质薄膜，试图通过形成电介质薄膜，提高抗擦伤性和改善透明性。
在专利文献2中，公开了一种透明导电性层积体，其是通过在厚度为2~120μm的透明薄膜基材的一个面上形成透明的导电性薄膜并进一步在其上形成透明的电介质薄膜，并在另一个面上通过透明的粘结剂层贴附透明基体而形成，其试图通过形成电介质薄膜提高透明性及抗擦伤性、改善触摸操作性（打点特性）。
虽然通过形成这样的层能够改善上述缺陷，但由于透明的电介质薄膜为电绝缘层，因此金属氧化物导电层与设置在电介质薄膜层上的电极（导电膏、金属层等）之间的导电性非常差，导电性也不稳定。另外，在需要对金属氧化物导电层（ITO）膜进行图形刻蚀的情况下，由于存在上述绝缘层，因此难以蚀刻。
因此，在金属氧化物导电层上设置了电介质薄膜层的透明导电性基材，不适合用在如触控面板或太阳能电池等需要刻蚀ITO膜及导线用电极的用途中，其应用受到限制。
在专利文献3中，公开了一种无机微孔膜，其特征是在表面和背面上具有以直线且大致相同直径贯通的平均孔径为0.1nm~10μm的超微细孔，并公开了该无机微孔膜是通过将无机材料进行倾斜蒸镀制备而成的。并且，作为该无机微孔膜的应用，可以例举如分离膜、偏光膜、催化剂载体膜、着色膜等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平2-27617号公报
专利文献2：日本专利特开平2-213006号公报
专利文献3：日本专利特开平8-27561号公报
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种透明导电性基材，其ITO等透明导电性薄膜层与金属电极间的导电性高，并且透明性、抗擦伤性及水的润湿性优异，也能够进行蚀刻。
（二）技术方案
本申请人等发现，通过在透明导电性薄膜层上设置开有贯通表面和背面的微细的孔的透明金属氧化物层，在不会降低透明性的情况下，能够大幅提高透明导电性薄膜层与透明金属氧化物层上的金属电极之间的导电性。
本发明是基于这些发现并进行了深入研究而完成的，进而提供了下述透明导电性基材、透明导电性基材的制备方法等。
项1.透明导电性基材，在基材的单面或者双面上，依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层，其特征在于，该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔，该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧。
项2.根据项1所述的透明导电性基材，其特征在于，所述透明金属氧化物层不与所述透明导电性薄膜层邻接的面上的平均孔径为100~1000nm。
项3.根据项1或项2所述的透明导电性基材，其特征在于，所述透明金属氧化物层不与所述透明导电性薄膜层邻接的面上的表面孔隙率为5~90%。
项4.根据项1~3中任意一项所述的透明导电性基材，在所述透明导电性薄膜层上进一步层积金属电极。
项5.具备项1~4中任意一项所述的透明导电性基材的触控面板。
项6.具备项1~4中任意一项所述的透明导电性基材的太阳能电池用电极。
项7.具备项1~4中任意一项所述的透明导电性基材的加热器。
项8.具备项1~4中任意一项所述的透明导电性基材的电磁波/静电屏蔽用基材。
项9.项1~4中任意一项所述的透明导电性基材的制备方法，其特征在于，通过倾斜蒸镀法，在所述透明导电性薄膜层的表面上，形成所述透明金属氧化物层。
（三）有益效果
本发明的透明导电性基材，透明导电性薄膜层与金属电极间导电性高，并且透明性、抗擦伤性及水的润湿性优异，也能够进行蚀刻。
附图说明
图1为本发明的透明导电性基材的截面图。
图2为本发明的透明金属氧化物层的截面放大图。
图3为本发明的透明金属氧化物层的俯视图。
图4为本发明的透明金属氧化物层的俯视放大图。
图5为表示电容式触控面板的一个例子的截面模式图。
图6为表示投影电容式触控面板的一个例子的模式图。
图7为表示本发明的透明导电性基材的制备方法的例子的附图。
具体实施方式
以下，对本发明的透明导电性基材及透明导电性基材的制备方法进行详细的说明。
透明导电性基材
本发明的透明导电性基材是在基材的单面或者双面依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层形成的透明导电性基材，其特征是该透明金属氧化层具有多个贯通其表面和背面的微细空孔。
本发明的透明导电性基材的一个例子如图1所示。
（基材）
在本发明中，作为基材，可使用玻璃或具有透明性的各种塑料薄膜及片材（板），作为塑料薄膜及片材，可以例举如作为树脂成分包含例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯酸酯、聚芳酯、聚苯硫醚等的塑料薄膜及片材。其中，尤其优选聚酯，在聚酯中，尤其优选聚对苯二甲酸乙二醇酯。
对基材的厚度无特殊限定，可根据产品特性进行设定，但其为薄膜的情况下，通常为6～400μm，优选20～200μm左右，当其是片材（板）状的情况下，通常厚度为400μm～5mm左右。
为了提高透明导电性薄膜的贴附性，作为在基材上形成透明导电性薄膜层之前的预处理，可对基材表面实施电晕处理、火焰处理、等离子体处理等物理处理。另外，也可在基材的单面或者双面上形成硬质涂层（hard coat）。在形成透明导电性薄膜层之前，根据需要，也可以通过溶剂洗涤或超声波洗涤等进行除尘、洗涤。
（透明导电性薄膜层）
作为透明导电性薄膜的材料，只要具有透明性和导电性即可，对其无特殊限定，但可以例举如含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡、氧化锌等。
作为透明导电性薄膜的形成方法，可以使用真空蒸镀法、溅射涂覆（sputtering）法、离子电镀法等现有公知技术。
作为透明导电性薄膜的厚度，并没有特别限定，但通常为5～2000nm，优选10～1000nm。如在该范围内，则导电性及透明性两者均优异。
另外，为了提高透明金属氧化物层的贴附性，作为在透明导电性薄膜层上形成透明金属氧化物层之前的预处理，可对透明导电性薄膜表面实施等离子体处理等。
（透明金属氧化物层）
本发明的透明金属氧化物层的特征是具有多个贯通表面和背面的微细空孔。
与透明导电性薄膜层邻接的面（以下称为背面。图1的3b）的微细空孔的平均孔径为10nm~200nm，优选50nm~100nm，与透明导电性薄膜层不邻接的面（以下称为表面。图1的3a）的微细空孔的平均孔径为100nm~1000nm，优选350nm~700nm。如图2所示，微细空孔的孔径优选表面大于背面，其中不包含表面和背面为大致相同直径的空孔。这是因为，通过倾斜蒸镀法形成以大致相同直径贯通的微细空孔的情况下，需要在狭缝等中狭窄限定蒸镀入射角，减小蒸镀面积，膜形成速度缓慢，生产率差，以及在形成以大致相同直径贯通的微细空孔的情况下，由于随着孔径增大，透明导电性薄膜与透明金属氧化物层的接触面积减小，因此附着力变弱。表面的平均孔径通常为背面的平均孔径的3~70倍，优选7~15倍，更优选7~10倍。
微细空孔如图3及图4所示，具有细长的形状，通常，呈TD方向（宽度方向）的孔径k比MD方向（长度方向）的孔径t更长的形状。这种情况下，上述平均孔径表示TD方向的孔径k的平均值。
本发明的透明金属氧化物层的表面的表面孔隙率，以[孔面积/透明金属氧化物层的表面积]×100（%）求得，表面的表面孔隙率在通常为5~90%、优选40~90%的范围内进行适当设定。
作为透明金属氧化物层的表面上的微细空孔的个数，通常可以是4~10个/0.5μm角，优选5~7个/0.5μm角，但并不限定于该范围内。
另外，透明金属氧化物层的厚度通常为50nm~300nm，优选在75nm~120nm的范围内。
作为透明金属氧化物层的材质，只要能够形成具有微细空孔的透明的金属氧化物层即可，例如可例举TiO2、Ta2O5、ZrO2、SiO、SiO2、Al2O3、SnO2、In2O3、MgO、MoO3等，优选透明金属氧化物层的光的折射率n1小于透明导电性薄膜层的光的折射率n2，例如MoO3、SiO、SiO2、Al2O3等，其也具有提高透光率等效果。这些材料可以单独使用其中一种或两种以上混合使用。另外，可通过例如后述的方法形成透明金属氧化物层。
（金属电极）
本发明的透明导电性基材，也可以在透明金属氧化物层上层积金属电极。
作为金属电极的材料，可列例举如Cu、Ag、Al、Au、Ni、Ni/Cr、Cr、Ti等单体或者由两种以上构成的合金或金属膏，但并不限定于此。
对金属电极的厚度，无特殊限定，但通常为0.01~50μm，优选0.02~25μm。
金属电极的形成，可以使用现有公知方法，例如镀层法、真空蒸镀法、溅射涂覆法等，当其为金属膏的情况下，可以使用印刷、涂覆的方法等。
另外，根据需要，可以在金属电极的下方及上方设置Ni、Ni/Cr、Cr、Ti、Mo、C等层以及它们的氧化物层，以保护所述金属电极。
另外，也可以根据需要在本发明的透明导电性基材的与透明导电性薄膜层相反侧的基材面上设置硬质涂层或防眩光层，也可设置透明粘结层等，也可贴附于其他基板上。另外，也可以在基材两面上分别设置本发明的透明导电性薄膜层/透明金属氧化物层。
本发明的透明导电性基材，可用作触控面板、太阳能电池用电极、加热器、电磁波/静电屏蔽用基材等的透明电极。具体地，可将本发明的透明导电性基材用作电阻膜式或电容式触控面板的上部电极和/或下部电极，将该触控面板配置于液晶显示器的前面，可得到具有触控功能的显示装置。其中，本发明的透明导电性基材适宜用作电容式触控面板的电极，尤其适宜用作投影型电容式触控面板的电极。
图5为表示使用本发明的透明导电性基材的常规的电容式触控面板的截面模式图。在图中，4表示透明导电性基材，6表示玻璃。操作时，用户以手指触摸透明导电性基材上的任意位置，通过触控面板电极表面的电荷变化检测位置。
另外，图6表示使用本发明的透明导电性基材的常规投影电容式 触控面板的模式图。如图6所示使用矩阵状导电图形的电容式触控面板时，上面的导电图形纵向连接可检测出纵向位置，下面的导电图形为横向连接可检测出横向位置，因此能够识别出交点为按压的位置。
透明导电性基材的制备方法
本发明的透明导电性基材的制备方法，为上述的透明导电性基材的制备方法，其特征是通过倾斜蒸镀法在透明导电性薄膜层的表面上，形成透明金属氧化物层。
作为倾斜蒸镀法，可以使用公知的倾斜蒸镀法技术。例如，可以例举日本专利特开平8-27561号公报所公开的方法，优选使用下述等方法，即通过使用真空蒸镀装置、或在以棍输出的支撑体上使蒸镀材料蒸镀、或通过在蒸发源与基材之间设置遮挡板等使蒸镀材料倾斜蒸镀在该基材上。
图7所示为本发明透明导电性基材的制备方法的一个例子。在图7所示的方法中，在真空的容器（腔室（chamber））中，以蒸镀材料为蒸汽源40进行加热使其汽化或升华，使用防沉积板30，使蒸镀材料相对于形成透明导电性薄膜层的基材10（以下也称为基材10）倾斜，并附着在放置于远离位置的基材10的表面上。由于使蒸镀材料相对于基材10倾斜蒸镀，能够形成具有多个贯通表面和背面的微细空孔的透明金属氧化物层。基材10由旋转棍20输送。
此处，对于微细空孔的平均孔径、表面孔隙率、微细空孔的个数，均可按照基材10表面凹凸部的大小、形状、方向性等，通过适当设定蒸镀时的入射角度α等，适宜调整至上述范围内的值。另外，关于透明金属氧化物层的厚度，可对应蒸镀的金属氧化物，通过设定一定的蒸镀速度及蒸镀时间，进行适当的调整。在蒸镀形成透明金属氧化物层时，可通过增加膜厚的同时连续减小蒸镀入射角（尽量设为0度），能够使透明金属氧化物层正面的空孔的孔径大于背面的空孔的孔径。
进行倾斜蒸镀时的真空度为10-3托（Torr）以下，优选10-4托以下，更优选10-7Torr~2×10-4托。蒸镀材料的蒸镀可以使用加热或使该材料汽化等公知方法，例如可例举电阻加热、电子束、高频感应、激光等方法，优选通过离子束进行加热汽化。
实施例
下面，例举实施例为对本发明进行详细说明。但本发明并不限定于实施例等。
实施例1
在含有约2%的O2气体的Ar气体环境中，在真空度为3×10-3托的条件下，使用含有5wt%SnO2的ITO靶材，通过溅射蒸镀法，在单面硬质涂层处理后的PET薄膜的PET面上，形成表面电阻R=100（Ω/□）的ITO膜（厚度大约为60nm）。接着，通过图7所示装置在上述ITO膜上，形成厚度大约为100nm的SiO2膜，制得目标透明导电性薄膜，形成SiO2膜的条件为：在真空度小于2×10-4托条件下通过电子束蒸镀法以入射角度θ小于90°以下（θ=90~0°）的条件下进行。
另外，单面硬质涂层处理后的PET薄膜基材的总透光率为约91%。
实施例2
设置电子束蒸镀法的入射角θ＜60°（θ=60~0°），除此之外通过与实施例1相同的方法，形成目标透明导电性薄膜。
实施例3
设置电子束蒸镀法的入射角θ＜45°（θ=45~0°），除此之外通过与实施例1相同的方法，形成目标导电性薄膜。
比较例1
除了不在ITO膜上形成SiO2膜之外，与实施例1的方法相同，在含有约2%的O2气体的Ar气体环境中，在真空度为3×10-3托的条件下，使用含有5wt%SnO2的ITO靶材，通过溅射蒸镀法，在单面硬质涂层处理后的PET薄膜的PET面上，形成表面电阻R=100（Ω/□）的ITO膜，制 得透明导电性薄膜。
比较例2
设置电子束蒸镀法的入射角度θ=90±10°（垂直入射），除此之外通过与实施例1相同的方法，形成透明导电性薄膜。
比较例3
在含有O2气体的Ar气体环境中，于真空度为3×10-3托的条件下，通过使用了含有硅靶材的溅射蒸镀法，在ITO膜上形成SiO2层，从而代替基于离子束蒸镀法形成的SiO2膜，除此之外通过与实施例1相同的方法形成透明导电性薄膜。此时SiO2的蒸镀入射角度θ大约为90°。
比较例4
在防沉积板（入射角调整板）上设置缝隙，通过该缝隙，使蒸镀入射角在40~50°的范围内进行蒸镀，除此之外通过与实施例1相同的方法，形成透明导电性薄膜。SiO2膜的蒸镀速度比实施例3慢一半左右。蒸镀方法为参考专利文献3（日本专利特开平8-27561号公报）所公开的方法。
对得到的透明导电性薄膜进行下述评价，结果如表1所示。
评价方法：
1）观察SiO2膜的空孔的尺寸
用TEM（电子扫描显微镜）在任意厚度方向上观察从ITO膜到蒸镀SiO2膜的表面，求得（a）平均孔径：（TD方向孔径A的平均值）、（b）表面孔隙率：（TD方向孔径A×MD方向孔径B×孔的个数/处理膜表面积）×100（%）。
任意厚度方向的TEM观察是通过下述方法进行的，即在SiO2膜表面以Ar离子溅射法进行SiO2膜的蚀刻，切削至SiO2膜形成任意厚度为止，对其表面进行TEM观察。另外，也同时对当时的SiO2膜的截面进行了观察。另外，以SiO2膜厚约5nm部分的分析值为ITO表面部分。
2）表面电阻R0(Ω/□)：
使用四探针测定（four probe method）法，测定ITO膜或SiO2膜上的表面电阻，分别视作其膜的表面电阻R0。
3）电极与ITO之间的接触电阻Rs（Ω）：
将上述透明导电性薄膜切割成5cm宽，在宽度方向上形成电极间距分别为5cm的两根电极，所述电极可以是宽度为10mm的银膏电极（约10μm厚、使用滕仓化成（株）DOTITE FA401CA、印刷后固化温度约为150℃×30分）或通过常规溅射喷镀形成的铜电极（10mm宽、约180mm厚），用两探针法测定两电极间的电阻Ra，求得Rs=Ra-R0。
4）总透光率 
使用须贺试验机（スガ試験機）（株）HGM-2DP，测定透明导电性薄膜的总透光率。
5）ITO膜的蚀刻试验：
使用关东化学：ITO-07N（草酸类ITO用刻蚀液），在液温为20℃及50℃的情况下，测定ITO膜蚀刻完成时间（目测及膜表面的电阻达到大于1×106Ω）。
6）抗擦伤性： 
利用新东科学社制的HEIDON表面特定测定装置，测定以下述条件擦伤薄膜表面后薄膜表面电阻Rb，所述条件为：（a）摩擦材料：纱布（日本药典类型I）、（b）负荷：100g/cm2、（c）擦伤速度：30cm/分、（d）擦伤次数：100次（来回50次），求出表面电阻Rb相对于初期膜表面电阻R0的变化率（Rb/R0），评价其抗摩擦性。另外，可以通过下述方法测定表面电阻，即将上述透明导电性薄膜切割成1cm宽，以电极间距分别为1cm设置两根通过常规的溅射蒸镀形成的铜电极（10mm宽、约180mm厚），以两探针法测定两电极间的电阻Ra。
7）膜表面的水润湿性（水的接触角）：
使用协和界面科学（株）制CONTACT-ANGLE METER，测定膜表面的水的接触角θ。
（考察）
实施例1
可知入射角θ＜90°的情况下，由四探针测定法得到的表面电阻较高，但能够通过Ag膏、Cu电极法进行电连接。通过SiO2层的截面状态观察可知，这是因为平均孔径与表面孔隙率分别为：在ITO面上为10nm、小于1%，在50nm处为100nm、5%，SiO2膜表面为700nm、90%，即由SiO2膜底层到表层侧扩大的多个孔引起的。
也可以在最初通过该金属氧化物层对ITO膜进行蚀刻处理。另外，形成SiO2膜的ITO膜抗擦伤性也得到了提高。另一方面，与Ag膏电极之间的接触电阻高达200Ω，使用Ag膏电极的情况下，其用途受到制约（考虑到本次使用的Ag膏是常规的Ag的平均粒径为2~5μm左右，如果使用Ag粒子小的Ag膏电极，接触电阻将进一步减小）。
另一方面，Cu溅射蒸镀电极与ITO间的接触电阻为0Ω、以Cu的原子状态蒸镀而形成的膜，与本实施例的金属氧化物层的孔径相比，由于Cu蒸镀粒子直径十分小，可认为接触电阻为0Ω。
实施例2
可知入射角θ＜60°的情况下，与实施例1相比，SiO2层的孔的平均孔径和表面孔隙率同时增大、与Ag膏电极膏的接触电阻也减少至100Ω左右，认为其是优选的范围。另外，实现了ITO膜蚀刻性的短时间化。
实施例3
可知入射角θ＜45°的情况下，与实施例1、2相比，SiO2层的孔的平均孔径和表面孔隙率同时增大。因此，可知Ag膏电极与ITO膜的接触电阻进一步减小，ITO膜的蚀刻性优异，也大幅度改善了表面的水的接触角。
比较例1
本例为ITO层上无SiO2层的透明导电性薄膜，Ag膏电极及蒸镀Cu 电极的接触电阻，以及ITO膜的蚀刻性无缺陷，但透明性为较低的78%，ITO膜的抗擦伤性差。另外，可知水润湿性高达70°，印刷性差。
另外，可知ITO膜蚀刻后，能够明确目测观察出ITO膜部分（总透光率为78%）与无ITO膜部分（总透光率为91%），需要改进。
比较例2、3
本例为以常规方法在ITO膜上形成SiO2膜（无孔）的透明导电性薄膜，由于Ag膏与蒸镀Cu电极之间的接触电阻高，不能联通电极。另外，由于不能对ITO膜进行蚀刻处理，因此不能用于触控面板、透明加热器等电路领域。另外，水的接触角为14°也不够充分。
比较例4
本例为ITO侧与SiO2膜表面侧SiO2层的孔径基本相同，微细空孔以直线且大致相同的孔径贯通于表面和背面（射角度θ与实施例3相似，限定为θ=40~50°）。虽然能够使透明性、抗擦伤性及水的接触角得到改善，但由于孔径及孔隙率少，电极与ITO膜的接触电阻非常高。另外，可知由于ITO膜的蚀刻性非常差，不能应用于上述的电路领域。
另外，可预知θ设定为3°左右，孔径及孔隙率增大，与电极的接触电阻及蚀刻性也能够得到改善，但ITO膜与SiO2层之间的接触面积显著减小（由于SiO2膜背面侧与表面侧的孔径基本相同），ITO膜与SiO2膜的贴付性降低，在作为本发明目标的用途中，会发生SiO2膜的剥离而不能使用。另外，与本发明的方法相比，由于蒸镀入射角（蒸镀面积）限定在狭小的范围内，因此SiO2膜的处理速度显著减缓，在作为本发明目标的用途中，生产率方面也不能令人满意。
（触控面板）
通过使用实施例1~3的透明导电性基材，能够制得如图5所示结构的触控面板。
附图标记
1、基材；
2、透明导电性薄膜层；
3、透明金属氧化物层；
3a、透明金属氧化物层的表面；
3b、透明金属氧化物层的背面；
4、透明导电性基材；
5、微细空孔； 
6、玻璃；
10、形成透明导电性薄膜层的基材；
20、旋转辊； 
30、防沉积板； 
40、蒸发源。 

Claims (10)

1.透明导电性基材，在基材的单面或者双面，依次层积透明导电性薄膜层、透明金属氧化物层，其特征在于，该透明金属氧化物层具有贯通表面和背面的多个微细空孔，该空孔的孔径为相反面侧大于与该透明导电性薄膜邻接面侧。
2.如权利要求1所述的透明导电性基材，其特征在于，所述透明金属氧化物层的不与所述透明导电性薄膜层邻接的面上的平均孔径为100～1000nm。
3.如权利要求1所述的透明导电性基材，其特征在于，所述透明金属氧化物层的不与所述透明导电性薄膜层邻接的面上的表面孔隙率为5～90％。
4.如权利要求1所述的透明导电性基材，其特征在于，在所述透明导电性薄膜层上进一步层积金属电极。
5.具备权利要求1所述的透明导电性基材的触控面板。
6.具备权利要求1所述的透明导电性基材的太阳能电池。
7.具备权利要求1所述的透明导电性基材的加热器。
8.具备权利要求1所述的透明导电性基材的电磁波屏蔽用基材。
9.具备权利要求1所述的透明导电性基材的静电屏蔽用基材。
10.透明导电性基材的制备方法，其是一种如权利要求1所述的透明导电性基材的制备方法，其特征在于，通过倾斜蒸镀法，在所述透明导电性薄膜层的表面上，形成所述透明金属氧化物层。
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