JPH1140922A - セラミックス配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内部に導体ペーストが充填されたグリーンシ
ート上にフォトリソグラフィーと厚膜法との組み合わせ
により導体ペースト層を形成する際、導体ペースト乾燥
工程で加熱によりグリーンシートの寸法が変化するた
め、ビア用貫通孔の位置が変化し、ビアカバー部分とビ
ア用貫通孔との間に位置ずれを生じる。 【解決手段】 フィルム基材１１上のポジ型フォトレジ
スト層１２に導体パターン形状の凹部１５が形成され、
凹部１５に導体ペースト１６が充填・乾燥された転写用
複合体のポジ型フォトレジスト層１２及び導体ペースト
乾燥体１６’上に、ビア用貫通孔２０を有する第１のグ
リーンシート１９を圧接し、ビア用貫通孔２０に導体ペ
ースト２１を充填・乾燥させ、第１のグリーンシート１
９上に別の転写用複合体の導体ペースト乾燥体１６’及
びポジ型フォトレジスト層１２を圧接する工程を経てセ
ラミックス配線基板を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス配線基
板の製造方法に関し、より詳細には半導体ＬＳＩ、チッ
プ部品等を実装するために用いられるセラミックス配線
基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器はますます小型化や配線
等の高密度化が進んできており、これらに装備される半
導体装置の狭ピッチ多ピン化や、マルチチップ化も急速
に進められつつある。従って、ＬＳＩチップやＩＣチッ
プ等のボンディング法も従来のワイヤボンディング法か
ら、マルチチップ化や高密度実装に適したＴＡＢ（Tape
Automated Bonding)方式又はフリップチップ方式が採用
されるようになってきている。このような電子機器にお
ける配線等の高密度化に伴い、セラミックス配線基板上
に、線幅が１００μｍ以下の微細配線や、直径が１００
μｍ以下のバンプ等の導体パターンを形成する技術が要
求されるようになってきている。

【０００３】上記要求に応えるため、パターンの形成に
はフォトレジストを用いたフォトリソグラフィーを導入
し、導体層の形成には導体ペーストを用いる方法（厚膜
法による方法）が種々試みられている。この種の方法で
は、従来、ガラス基板やセラミックス基板等の基板を対
象にしていたが、最近では焼成前のグリーンシートを対
象にしたものも開示されている（特開平４−２８３９４
６号公報等）。前記公報においては、グリーンシートの
表面にフォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラ
フィーにより前記フォトレジスト層に配線パターン形状
に凹部（開口部）を形成し、次に、印刷機等を使用して
導体ペーストを前記凹部に充填して導体パターンを形成
する。上記方法によりほぼ薄膜法と同等の精度を有する
微細配線パターンを形成することができる。

【０００４】上記工程の後、前記グリーンシート上に導
体ペースト（乾燥体）のみを残すために、前記フォトレ
ジスト層を除去する。前記フォトレジスト層の構成材料
としてポジ型フォトレジストを使用した場合には、前記
フォトレジスト層に再度露光処理を施すことにより、現
像液により前記ポジ型フォトレジスト層を溶解、除去す
ることができる。上記方法によれば、前記ポジ型フォト
レジスト層を除去した後、非酸化性雰囲気で焼成して導
体ペースト中の有機分を分解、消失させることができ、
Ｃｕ、Ｍｏ−Ｍｎ等の易酸化性卑金属を導体として使用
した場合でも、導体自体を酸化させずに導体層を形成す
ることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、内部にビア用
導体ペーストが充填されたグリーンシート上に上記した
フォトリソグラフィーと厚膜法とを組み合わせた方法で
導体ペースト層を形成しようとする場合、以下のような
不都合が生じてしまう。

【０００６】すなわち、初めにグリーンシートを作製し
た後、該グリーンシートにビア用貫通孔を形成し、続い
て、該ビア用貫通孔に導体ペーストを充填して乾燥させ
た後、前記グリーンシート上に上記した方法により導体
ペーストのパターンを形成するが、前記乾燥工程におい
て、グリーンシートは加熱によりその寸法が変化し、そ
のためにビア用貫通孔の位置に変化が生じる。

【０００７】上記したフォトリソグラフィーと厚膜法と
を組み合わせた方法では、グリーンシート上に精度の高
い導体パターンを形成するため、配線用導体ペースト層
やビアカバー用導体ペースト層の寸法は小さくとってお
り、ビアカバー用導体ペースト層と前記ビア用貫通孔と
の間に位置ずれが生じると、焼成後にビアカバーとビア
とが接続されないといった不都合が生じてしまう。

【０００８】また、表面に導体ペースト層が形成された
グリーンシートを積層した場合にも、前記導体ペースト
層と隣接するグリーンシートのビア用貫通孔との間に同
様の位置ずれが生じ、その結果、焼成後のセラミックス
配線基板の導体層に断線が生じる原因となるという課題
があった。

【０００９】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、内部のビア用導体ペースト層の位置精度が高く、該
ビア用導体ペースト層とビアカバー用導体ペースト層と
の位置ずれのないグリーンシート積層体を作製すること
ができ、その結果、セラミックス基板の表面及び／又は
内部に、精密かつ微細で断線等の欠陥のない配線パター
ンを形成することができるセラミックス配線基板の製造
方法を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るセラミックス配線基板の製造方法（１）
は、フィルム基材に形成されたポジ型フォトレジスト層
に導体パターン形状の凹部が形成され、該凹部に導体ペ
ーストが充填・乾燥されて転写用複合体が構成され、前
記ポジ型フォトレジスト層及び前記導体ペースト乾燥体
の上に、ビア用貫通孔が形成された第１のグリーンシー
トを載置した後加圧する第１の圧接工程と、前記第１の
グリーンシートの前記ビア用貫通孔に導体ペーストを充
填した後乾燥させる第１の導体ペースト充填・乾燥工程
と、前記第１のグリーンシート上に、前記転写用複合体
と同様の方法で作製された別の転写用複合体の導体ペー
スト乾燥体及びポジ型フォトレジスト層を載置・加圧す
る第２の圧接工程とを含むことを特徴としている。

【００１１】上記セラミックス配線基板の製造方法
（１）によれば、前記転写用複合体を構成する前記ポジ
型フォトレジスト層及び前記導体ペースト乾燥体の上に
前記第１のグリーンシートを載置した後加圧して圧接す
る際、前記第１のグリーンシートには前記ビア用貫通孔
のみが形成され、該ビア用貫通孔には導体ペーストが充
填されていない。従って、前記第１のグリーンシートに
は乾燥のための加熱処理が施されておらず、熱による寸
法の変化がなく、前記ビア用貫通孔の位置が正確に設定
された状態が維持されている。その結果、前記導体ペー
スト乾燥体を構成するビアカバー部と前記第１のグリー
ンシートの前記ビア用貫通孔との位置合わせを高精度に
行うことができ、前記ビアカバー部を従来の場合より小
さくしても、前記ビアカバー部と前記ビア用貫通孔との
位置ずれの発生を防止することができる。

【００１２】また、前記第１の導体ペースト充填・乾燥
工程において、前記第１のグリーンシートを加熱して
も、前記第１のグリーンシートは前記ポジ型フォトレジ
スト層及び前記導体ペースト乾燥体により拘束されてい
るため伸び縮みせず（寸法が変化せず）、そのために前
記第２の圧接工程においても、前記ビアカバー部と前記
前記ビア用貫通孔との位置合わせを高精度に行うことが
できる。

【００１３】その結果、精密かつ微細で、断線、短絡等
の欠陥のない導体層が形成されたセラミックス配線基板
を製造することができる。

【００１４】また、本発明に係るセラミックス配線基板
の製造方法（２）は、上記セラミックス配線基板の製造
方法（１）において、前記第２の圧接工程の後に前記フ
ィルム基材を剥離した後、前記ポジ型フォトレジスト層
を消失させ、これら工程の後、前記導体ペースト乾燥体
のみが両面に残された前記第１のグリーンシートの前記
両面に、ビア用貫通孔が形成された第２及び第３のグリ
ーンシートをそれぞれ積層するグリーンシート積層工程
と、これら第２及び第３のグリーンシートの前記ビア用
貫通孔に導体ペーストを充填した後乾燥させる第２の導
体ペースト充填・乾燥工程とを含むことを特徴としてい
る。

【００１５】上記セラミックス配線基板の製造方法
（２）によれば、前記導体ペースト乾燥体のみが両面に
残された前記第１のグリーンシートの前記両面に、前記
ビア用貫通孔のみが形成され、熱に起因する寸法の変化
がない前記第２及び第３のグリーンシートを載置した後
加圧、積層するので、前記第１のグリーンシートに転写
された前記導体ペースト乾燥体のビアカバー部と前記第
２及び第３のグリーンシートの前記ビア用貫通孔との位
置合わせを高精度に行うことができる。

【００１６】その結果、より精密かつ微細で、断線、短
絡等の欠陥のない導体層が積層形成されたセラミックス
配線基板を製造することができる。

【００１７】また、本発明に係るセラミックス配線基板
の製造方法（３）は、上記セラミックス配線基板の製造
方法（１）において、前記第２の圧接工程の後に２枚の
前記フィルム基材のうちの１枚を剥離した後、前記ポジ
型フォトレジスト層を消失させ、これら工程の後、前記
導体ペースト乾燥体のみが残された前記第１のグリーン
シートの片面に、ビア用貫通孔が形成された第２のグリ
ーンシートを積層する第２のグリーンシート積層工程
と、前記第２のグリーンシートの前記ビア用貫通孔に導
体ペーストを充填した後乾燥させる第２の導体ペースト
充填・乾燥工程と、前記第１のグリーンシートの他面に
存在する残り１枚の前記フィルム基材を剥離した後、前
記ポジ型フォトレジスト層を溶解、消失させ、これら工
程の後、前記導体ペースト乾燥体のみが残された前記第
１のグリーンシート他面に、ビア用貫通孔が形成された
第３のグリーンシートを載置した後加圧する第３のグリ
ーンシート積層工程と、前記第３のグリーンシートの前
記ビア用貫通孔に導体ペーストを充填した後乾燥させる
第３の導体ペースト充填・乾燥工程と、を含むことを特
徴としている。

【００１８】上記セラミックス配線基板の製造方法
（３）によれば、前記導体ペースト乾燥体のみが片面に
残された前記第１のグリーンシートの前記片面に、前記
ビア用貫通孔のみが形成され、熱に起因する寸法の変化
がない前記第２のグリーンシートを載置した後加圧、積
層するので、前記第１のグリーンシートに転写された前
記導体ペースト乾燥体の前記ビアカバー部と前記第２の
グリーンシートの前記ビア用貫通孔との位置合わせを高
精度に行うことができる。

【００１９】また、前記第２の導体ペースト充填・乾燥
工程において、前記第１及び第２のグリーンシート積層
体は、前記第１のグリーンシート他面に存在する前記ポ
ジ型フォトレジスト層及び前記導体ペースト乾燥体によ
り拘束されているため伸び縮みせず、そのため前記第３
のグリーンシート積層工程においても、前記第１のグリ
ーンシートに転写された前記導体ペースト乾燥体の前記
ビアカバー部と前記第３のグリーンシートの前記ビア用
貫通孔との位置合わせを高精度に行うことができる。

【００２０】その結果、より精密かつ微細で、断線、短
絡等の欠陥のない導体層が積層形成されたセラミックス
配線基板を製造することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
セラミックス配線基板の製造方法について説明する。ま
ず、実施の形態（１）に係るセラミックス配線基板の製
造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｈ）及び図２
（ｉ）〜（ｍ）は、実施の形態（１）に係るセラミック
ス配線基板の製造方法における各工程を模式的に示した
断面図であり、図１（ａ）〜（ｈ）が前半の工程を、図
２（ｉ）〜（ｍ）が後半の工程を示している。

【００２２】本実施の形態では、フォトレジスト層形成
工程として、まずフィルム基材１１上にポジ型フォトレ
ジスト層１２を形成する（図１（ａ））。フィルム基材
１１は、耐水性、耐熱性に優れ、後述する第２の圧接工
程（図１（ｈ））の後、ポジ型フォトレジスト層１２か
らの剥離が容易なものが好ましい。フィルム基材１１と
しては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエステル、ポリエチレン等の柔軟性を有する
樹脂が挙げられる。

【００２３】ポジ型フォトレジスト層１２の形成方法は
特に限定されるものではないが、例えば、液状のポジ型
フォトレジストをロールコーター法、バーコーター法、
ディップ法、スピンコーター法等の方法によりフィルム
基材１１表面に塗布した後、オーブンに入れて約８５〜
９５℃で３０分程度加熱し、フォトレジストを乾燥、固
化させる方法を採用することができる。上記方法は平坦
なポジ型フォトレジスト層を形成することができる点か
らも好ましい。また、上記した塗布方法の中でも、ロー
ルコーター法、バーコータ−法が均一な厚さの膜を形成
することができる点からより好ましい。前記液状のポジ
型フォトレジストとしては、例えばヘキストジャパン社
製のＡＺ４９０３、ＡＺ４６２０、東京応化工業社製の
ＯＰレジスト、東京エレクトロン社製のアキュトレー
ス、日本チバガイギー社製のプロビマー等が挙げられ
る。

【００２４】ポジ型フォトレジスト層１２の厚さは１５
μｍ以上に設定するのが好ましい。ポジ型フォトレジス
ト層１２の厚さが１５μｍ未満であると、後工程の研磨
工程（図１（ｅ））において、凹部１５に充填された導
体ペースト乾燥体１６’が剥れ易くなる。

【００２５】次に、凹部形成工程として、フォトリソグ
ラフィーの手法によりポジ型フォトレジスト層１２に凹
部１５を形成するが、具体的には、まずポジ型フォトレ
ジスト層１２に、導体パターン形状（ビアカバーの形状
を含む）に紫外線１３が露光されるように設計されたフ
ォトマスク１４を介して紫外線１３を照射し（図１
（ｂ））、その後現像処理を施すことにより、ポジ型フ
ォトレジスト層１２に導体パターン形状の凹部１５を形
成する（図１（ｃ））。

【００２６】上記した紫外線１３による露光処理及び現
像処理の条件は特に限定されず、通常、半導体基板等の
処理において、ポジ型フォトレジスト層１２にフォトマ
スク１４を介して紫外線１３による露光処理を施す場合
の条件とほぼ同様の条件で露光処理を施すことができ
る。また、通常の水性現像液を使用する条件で現像処理
を施すことができる。

【００２７】上記工程によりポジ型フォトレジスト層１
２に、その幅又は直径が２０μｍ程度で、お互いの間隔
が２０μｍ程度まで近づいた凹部１５を形成することが
できる。この後、後工程で導体ペースト１６を充填する
際にポジ型フォトレジスト層１２の凹部１５が変形しな
いように、ポジ型フォトレジスト層１２に約１２０℃前
後で１分程度加熱処理を施してその強度を強化しておい
てもよい。

【００２８】次に、導体ペースト塗布工程として、ポジ
型フォトレジスト層１２の凹部１５を含む部分に、スキ
ージ１７を用い、スクリーン印刷法により導体ペースト
１６を塗布する（図１（ｄ））。

【００２９】前記スクリーン印刷の際に用いるスキージ
１７はウレタンゴム製又はシリコンゴム製のものが好ま
しく、メッシュスクリーン１８は、ポリエチレン製又は
ステンレス製のものが好ましい。スクリーン印刷法（メ
ッシュスクリーン１８）を用いることにより、ポジ型フ
ォトレジスト層１２を余り押圧せずに、導体ペースト１
６をポジ型フォトレジスト層１２の凹部１５を含む部分
に塗布することが可能となり、ポジ型フォトレジスト層
１２の破損を防止することができる。

【００３０】導体ペースト１６、２１は、導体粉末、溶
剤、及び樹脂（バインダ）等により構成される。前記導
体粉末の材料としては、通常基板等の配線に使用される
公知の導体材料を使用することができ、例えばＡｕ、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ等が挙げられる。

【００３１】導体ペースト１６、２１用の溶剤には、凹
部１５の形状が崩れないよう、ポジ型フォトレジスト層
１２を溶解しないものを用いる必要がある。ポジ型フォ
トレジスト層１２を溶解しない溶剤としては、例えばト
ルエン、キシレン、ショウノウ油、テレビン油、パイン
油等の炭化水素系溶剤が挙げられる。

【００３２】また、導体ペースト１６、２１用の樹脂
（バインダ）も、後工程でポジ型フォトレジスト層１２
を消失させる際に用いられる現像液に溶解しない、非水
溶性の樹脂である必要がある。前記樹脂としては、例え
ばエチルセルロース樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂等が挙げられる。

【００３３】導体ペースト１６、２１としては、例えば
前記導体粉末を８０〜９２ｗｔ％、アクリル樹脂等の樹
脂（バインダ）を２〜６ｗｔ％、及びトルエン等の溶剤
を２〜１８ｗｔ％含むものが好ましく、その他に基板へ
の密着性を向上させるため、ガラス粉末やセラミックス
粉末が少量添加されていてもよい。導体ペースト１６、
２１は、メッシュスクリーン１８より吐出され易い粘度
に調整するが、この粘度は溶剤の添加量により調整す
る。

【００３４】上記組成の導体ペースト１６の具体的な塗
布方法としては、ポジ型フォトレジスト層１２上にメッ
シュスクリーン１８を載置し、ポジ型フォトレジスト層
１２に圧力を加えすぎないように、導体ペースト１６を
保持したスキージ１７を移動させ、凹部１５を含むポジ
型フォトレジスト層１２に導体ペースト１６を塗布する
方法をとればよい。このとき、図１（ｄ）に示したよう
に、導体ペースト１６が塗布される部分が、凹部１５が
形成されていない部分も含め、ポジ型フォトレジスト層
１２の全体に及ぶようにする。このように導体ペースト
１６を厚く塗布することにより、次の乾燥工程で導体ペ
ースト１６が収縮しても、凹部１５内の導体ペースト乾
燥体１６’の厚さを十分確保することができる。導体ペ
ースト乾燥体１６’の厚さを十分確保するため、前記ス
クリーン印刷を複数回繰り返してもよい。余分の導体ペ
ースト乾燥体１６’は、後工程で研磨し、除去する。

【００３５】この後、真空脱泡処理を行い、塗布された
導体ペースト１６中の気泡や凹部１５内の気泡を除去す
ることが望ましい。この真空脱泡処理により、導体ペー
スト１６が凹部１５内に完全に充填される。

【００３６】次に、乾燥工程として、前記工程を経たポ
ジ型フォトレジスト層１２及び導体ペースト１６に加熱
処理を施し、導体ペースト１６中の溶剤等を揮発させ、
導体ペースト１６を乾燥、固化させる。加熱処理は、約
７０〜９０℃で３〜２０分程度行うことが好ましい。前
記加熱処理の温度が９０℃を超えると、導体ペースト乾
燥体１６’にき裂が発生し易くなってしまう。

【００３７】次に、研磨除去工程として、ポジ型フォト
レジスト層１２の凹部１５の内部以外に塗布された導体
ペースト乾燥体１６’を研磨除去する（図１（ｅ））。

【００３８】前記研磨除去方法としては、粒径約１μｍ
〜約９μｍの砥粒が被着されたラッピングフィルムを用
い、導体ペースト乾燥体１６’表面を研磨することによ
り除去する。前記研磨除去により、図１（ｅ）に示した
ように、凹部１５内の導体ペースト乾燥体１６’は断面
視矩形状となっており、後工程の焼成後も導体層２６
（図２（ｍ））は矩形形状を維持する。

【００３９】次に、第１の圧接工程として、前記工程を
経たフィルム基材１１上のポジ型フォトレジスト層１２
及び導体ペースト乾燥体１６’（以下、これらを転写用
複合体とも記す）上の所定の位置にビア用貫通孔２０が
形成された第１のグリーンシート１９を載置した後加圧
し、ポジ型フォトレジスト層１２及び導体ペースト乾燥
体１６’に第１のグリーンシート１９を圧接させる（図
１（ｆ））。

【００４０】本実施の形態で用いるグリーンシート（第
１のグリーンシート１９、第２のグリーンシート２２、
第３のグリーンシート２３）は通常の方法、すなわち、
例えばアルミナ、ムライト、ガラスセラミックス、窒化
アルミニウム等のセラミックス粉末に、焼結助剤、ポリ
ビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂、アクリル樹脂等の非
水溶性樹脂（バインダ）、トルエン、キシレン、イソブ
チルアルコール等の溶剤、及びフタル酸ブチル（ＤＢ
Ｐ）等の可塑剤を添加、混合してスラリを形成し、続い
てドクターブレード法等により成形し、その後乾燥する
ことにより作製する。ビア用貫通孔２０は、前記方法に
より作製されたグリーンシートにパンチング処理を施す
か、又はレーザ光を照射することにより形成する。

【００４１】第１のグリーンシート１９を載置する際、
導体ペースト乾燥体１６’のビアカバーに相当する部分
（ビアカバー部）１６ａ’の中心にビア用貫通孔２０の
中心が位置するように正確に第１のグリーンシート１９
の位置を調整する。第１のグリーンシート１９のビア用
貫通孔２０には、導体ペーストが充填されておらず、第
１のグリーンシート１９は加熱工程（乾燥工程）を経て
いない。従って、第１のグリーンシート１９は加熱処理
による伸び縮み（寸法の変化）がなく、ビア用貫通孔２
０の位置は正確に設定されている。そのため、ビアカバ
ー部１６ａ’とビア用貫通孔２０との位置合わせを高精
度に行うことができ、結果的にビアカバー部１６ａ’の
大きさを従来のものより小さくすることができる。

【００４２】第１のグリーンシート１９を圧接する際に
は、例えば通常のプレス成形装置等を用い、第１のグリ
ーンシート１９の厚さ方向に圧力を加える。このとき、
例えば１０〜１００ｋｇ／ｃｍ² 程度の圧力を１〜２分
程度維持するのが望ましい。また、この際、第１のグリ
ーンシート１９の可塑性を高めるために１００℃前後に
加熱してもよい。

【００４３】第１のグリーンシート１９は可塑剤を含む
ため柔軟性を有し、ポジ型フォトレジスト層１２及び導
体ペースト乾燥体１６’に第１のグリーンシート１９を
上記条件で圧接させることにより、第１のグリーンシー
ト１９に導体ペースト乾燥体１６’がしっかりと接着さ
れる。また、導体ペースト乾燥体１６’はポジ型フォト
レジスト層１２内に充填、固定されているため、加圧に
よりクラックが生じることはない。

【００４４】次に、第１の導体ペースト充填・乾燥工程
として、ビア用貫通孔２０に導体ペースト２１を充填
し、乾燥させる（図１（ｇ））。導体ペースト２１の充
填は、スクリーン印刷により行う。乾燥条件は、導体ペ
ースト１６を乾燥させた場合と同様の条件でよい。この
乾燥工程において、第１のグリーンシート１９はポジ型
フォトレジスト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’に
拘束されているため、加熱により伸び縮み（寸法の変
化）が生じることはなく、加熱前の寸法を維持する。

【００４５】次に、第２の圧接工程として、前記転写用
複合体と同様の方法で作製した別の転写用複合体のポジ
型フォトレジスト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’
を第１のグリーンシート１９の上に載置し、加圧する
（図１（ｈ））。ポジ型フォトレジスト層１２及び導体
ペースト乾燥体１６’を載置する際には、第１のグリー
ンシート１９のビア用貫通孔２０と導体ペースト乾燥体
１６’ののビアカバー部１６ａ’との位置が一致するよ
うに位置合わせを行うが、前記第１の導体ペースト充填
・乾燥工程においても、第１のグリーンシート１９には
寸法に変化が生じないので、前記位置合わせを高精度に
行うことができる。また、導体ペースト乾燥体１６’は
ポジ型フォトレジスト層１２内に充填、固定されている
ため、加圧によりクラックが生じることはない。

【００４６】次に、フィルム基材剥離工程として、第１
のグリーンシート１９の両側に存在するフィルム基材１
１を剥離し（図２（ｉ））、続いて、フォトレジスト層
消失工程として、このフィルム基材１１の剥離により露
出したポジ型フォトレジスト層１２をアルカリ性水溶液
等を用いて溶解、消失させ、第１のグリーンシート１９
の両面に導体ペースト乾燥体１６’のみを残す（図２
（ｊ））。

【００４７】前記アルカリ性水溶液としては、例えば３
ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水
溶液を使用することができ、この場合には前もって紫外
線による全面露光処理を施しておかなくてもポジ型フォ
トレジスト層１２を溶解、消失させることができる。

【００４８】場合によっては、ポジ型フォトレジスト層
１２に凹部１５を形成した後、全面露光処理を施してお
き、通常の現像液を用いてポジ型フォトレジスト層１２
を溶解、消失させてもよい。

【００４９】次に、グリーンシート積層工程として、導
体ペースト乾燥体１６’が残された第１のグリーンシー
ト１９の両面にビア用貫通孔２０が形成された第２のグ
リーンシート２２及び第３のグリーンシート２３を積層
する（図２（ｋ））。

【００５０】積層の際には、第２のグリーンシート２２
及び第３のグリーンシート２３のビア用貫通孔２０とビ
アカバー部１６ａ’との位置が一致するように位置合わ
せを行うが、第２のグリーンシート２２及び第３のグリ
ーンシート２３のビア用貫通孔２０には導体ペースト１
６が充填されておらず、加熱工程（乾燥工程）を経てい
ない。従って、第２のグリーンシート２２及び第３のグ
リーンシート２３は加熱処理による伸び縮み（寸法の変
化）がなく、ビア用貫通孔２０の位置が正確に設定され
ている。そのため、上記した位置合わせを高精度に行う
ことができる。

【００５１】次に、第２の導体ペースト充填・乾燥工程
として、第２のグリーンシート２２及び第３のグリーン
シート２３のビア用貫通孔２０にスクリーン印刷法によ
り導体ペースト２１を充填した後、乾燥させる（図２
（ｌ））。

【００５２】その後、グリーンシート積層体の表面に導
体ペースト層を形成した後、焼成することにより、セラ
ミックス配線基板２４を製造する（図１（ｍ））。な
お、前記グリーンシート積層体には、別のグリーンシー
トを積層させてもよい。

【００５３】焼成条件は、セラミックス粉末の種類や導
体ペースト１６中の導体の種類により異なるが、グリー
ンシート中に含まれる有機成分が十分に分解、消失し、
導体材料が酸化せず、また導体ペースト中の前記導体や
前記セラミックス粉末が十分に焼結する条件とする。

【００５４】上記した各工程を経ることにより、セラミ
ックス基板２５上やセラミックス基板２５内に、その幅
又は直径が２０μｍ程度で、お互いの間隔が２０μｍ程
度まで近づいた導体層２６が形成される。このセラミッ
クス配線基板２４の導体層２６は精密かつ微細であり、
断線、短絡等の欠陥は存在しない。

【００５５】次に、実施の形態（２）に係るセラミック
ス配線基板の製造方法について説明する。

【００５６】図３（ｉ）〜（ｍ）及び図４（ｎ）〜
（ｑ）は、実施の形態（２）に係るセラミックス配線基
板の製造方法における中間段階以後の工程をそれぞれ模
式的に示した断面図である。実施の形態（２）に係るセ
ラミックス配線基板の製造方法において、最初のフォト
レジスト層形成工程から第２の圧接工程までの工程は、
実施の形態（１）に係るセラミックス配線基板の製造方
法と同様に行う（図１（ａ）〜（ｈ））。従って、ここ
では図面及びこれらの工程の説明を省略する。

【００５７】前記第２の圧接工程の後、２枚のフィルム
基材１１のうちの１枚を剥離した後（図３（ｉ））、フ
ィルム基材１１の剥離により露出したポジ型フォトレジ
スト層１２を、実施の形態（１）の場合と同様に、アル
カリ性水溶液等を用いて溶解、消失させ、第１のグリー
ンシート１９の片面に導体ペースト乾燥体１６’のみを
残す（図３（ｊ））。

【００５８】次に、第２のグリーンシート積層工程とし
て、導体ペースト乾燥体１６’のみが残された第１のグ
リーンシート１９の片面に、ビア用貫通孔２０が形成さ
れた第２のグリーンシート２２を積層する（図３
（ｋ））。

【００５９】積層の際には、第２のグリーンシート２２
のビア用貫通孔２０と導体ペースト乾燥体１６’のビア
カバー部１６ａ’との位置が一致するように位置合わせ
を行うが、第２のグリーンシート２２のビア用貫通孔２
０には導体ペースト１６が充填されておらず、加熱工程
（乾燥工程）を経ていないので、熱による伸び縮み（寸
法の変化）がなく、ビア用貫通孔２０の位置は正確に設
定されている。従って、上記位置合わせを高精度に行う
ことができる。

【００６０】次に、第２の導体ペースト充填・乾燥工程
として、第２のグリーンシート２２のビア用貫通孔２０
にスクリーン印刷法により導体ペースト２１を充填した
後、乾燥させる（図３（ｌ））。乾燥は、導体ペースト
１６を乾燥させた場合の条件と同様の条件でよい。

【００６１】前記乾燥工程において、第１のグリーンシ
ート１９及び第２のグリーンシート２２の積層体は、第
１のグリーンシート１９下面に存在するポジ型フォトレ
ジスト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’により拘束
されているため伸び縮みせず、第１のグリーンシート１
９及び第２のグリーンシート２２の積層体の寸法に変化
は生じない。

【００６２】次に、第１のグリーンシート１９の他面に
存在する残り１枚のフィルム基材１１を剥離した後（図
３（ｍ））、フィルム基材１１の剥離により露出したポ
ジ型フォトレジスト層１２を、実施の形態（１）の場合
と同様に、アルカリ性水溶液等を用いて溶解、消失さ
せ、第１のグリーンシート１９他面に導体ペースト乾燥
体１６’のみを残す（図４（ｎ））。

【００６３】次に、第３のグリーンシート積層工程とし
て、導体ペースト乾燥体１６’のみが残された第１のグ
リーンシート１９他面に、ビア用貫通孔２０が形成され
た第３のグリーンシート２３を積層する（図４
（ｏ））。

【００６４】積層の際には、第３のグリーンシート２３
のビア用貫通孔２０と第１のグリーンシート１９に転写
された導体ペースト乾燥体１６’のビアカバー部１６
ａ’との位置が一致するように位置合わせを行う。前記
第３のグリーンシート積層工程において、第１のグリー
ンシート１９及び第２のグリーンシート２２の積層体
は、上記したように第２の導体ペースト充填・乾燥工程
において寸法が変化しておらず、一方、第３のグリーン
シート２３にも熱による伸び縮み（寸法の変化）がな
く、ビア用貫通孔２０の位置が正確に設定されている。
従って、上記位置合わせを高精度に行うことができる。

【００６５】次に、第３の導体ペースト充填・乾燥工程
として、第３のグリーンシート２３のビア用貫通孔２０
にスクリーン印刷法により導体ペースト２１を充填した
後、乾燥させる（図４（ｐ））。

【００６６】その後、表面に導体ペースト層を形成した
後、焼成することにより、セラミックス配線基板２４を
製造する（図４（ｑ））。焼成条件は、実施の形態
（１）の場合と同様でよい。

【００６７】上記した各工程を経ることにより、セラミ
ックス基板３５上やセラミックス基板３５内に、その幅
又は直径が２０μｍ程度で、お互いの間隔が２０μｍ程
度まで近づいた導体層３６が形成される。このセラミッ
クス配線基板３４の導体層３６は精密かつ微細であり、
断線、短絡等の欠陥は全く存在しない。

【００６８】上記実施の形態（１）及び（２）により製
造されたセラミックス配線基板２４、３４の導体層２
６、３６のうち表面の導体層には、適宜ＮｉメッキやＡ
ｕメッキを施してもよく、またＣｒやＣｕ等を蒸着させ
てもよい。

【００６９】また、これらセラミックス配線基板２４、
３４は種々の用途に使用することができるが、例えばマ
ルチチップ化や高密度実装に適したＴＡＢ（Tape Autom
atedBonding)方式又はフリップチップ方式により半導体
装置と接続を行うタイプの配線基板としても好適に使用
することができる。

【００７０】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミックス
配線基板の製造方法の実施例を図面に基づいて説明す
る。また、比較例として、従来の方法によりセラミック
ス配線基板を製造し、評価を行った。なお、実施例１は
図１及び図２に基づき、実施例２は図１、図３及び図４
に基づき、比較例１は図５に基づき、それぞれその製造
方法を説明する。

【００７１】〔実施例１〕まず、フォトレジスト層形成
工程として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）か
らなる、厚さが２５０μｍ、縦、横の長さが９０ｍｍの
フィルム基材１１（ニッパ（株）製）の表面に液状ポジ
型フォトレジスト（ヘキストジャパン社製ＡＺ４９０
３）をロールコーター法により塗布し、９０℃に保持し
たオーブン内に入れて乾燥させた（図１（ａ））。乾燥
後のポジ型フォトレジスト層１２の膜厚は２５μｍであ
った。

【００７２】次に、凹部形成工程として、線幅が２０μ
ｍで配線間の間隔が２０μｍからなる所定の配線パター
ン形状、及びその直径が８０μｍのビアカバーパターン
形状を有するフォトマスク１４を介して、ポジ型フォト
レジスト層１２に紫外線１３を露光量が１０００ｍＪ／
ｃｍ² の条件で照射した（図１（ｂ））。次に、上記露
光処理の終ったポジ型フォトレジスト層１２を有するフ
ィルム基材１１を現像液（ヘキストジャパン社製 ＡＺ
４００Ｋを純水で５倍に希釈した液）中に浸漬した後、
揺動させて現像処理を施し、フィルム基材１１上に形成
されたポジ型フォトレジスト層１２に導体パターン形状
に凹部１５を形成した（図１（ｃ））。

【００７３】次に、導体ペースト塗布工程として、平均
粒径が２．０μｍのＡｇ粉末：８７ｗｔ％、ガラス（鉛
ホウケイ酸系）粉末１ｗｔ％、エチルセルロース樹脂：
３ｗｔ％、及びテレビン油：９ｗｔ％からなる導体ペー
スト１６を用い、硬度７０のシリコンゴム製のスキージ
１７（厚さ３ｍｍ）及びメッシュカウント＃１００のポ
リエチレン製のメッシュスクリーン１８を用いたスクリ
ーン印刷により、凹部１５を含むポジ型フォトレジスト
層１２全体に導体ペースト１６を塗布した（図１
（ｄ））。

【００７４】次に、真空脱泡処理工程として、前記工程
を経たフィルム基材１１を真空デシケータに入れ、１５
０Ｔｏｒｒ（約２×１０⁴ Ｐａ）にまで減圧し、真空脱
泡処理を施した。

【００７５】次に、乾燥工程として、前記工程を経たフ
ィルム基材１１を７０℃で２０分間加熱することによ
り、塗布された導体ペースト１６を乾燥させた。導体ペ
ースト乾燥体１６’の厚さは３５〜４５μｍであった。

【００７６】次に、研磨除去工程として、ポジ型フォト
レジスト層１２の凹部１５以外に塗布された導体ペース
ト乾燥体１６’を、５μｍの砥粒が被着したアルミナラ
ッピングフィルム（住友スリーエム社製）で２分間程度
研磨することにより除去した（図１（ｅ））。

【００７７】一方、これまでの工程とは別に、アルミナ
粉末（６０ｗｔ％）及びガラス粉末（ＣａＯ−Ａｌ₂ Ｏ
₃ −Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ 系：４０ｗｔ％）の混合物１０
０重量部に、バインダとしてメタクリル酸エステル樹脂
を１３重量部、可塑剤としてジオクチルフタレートを５
重量部、及び溶剤としてトルエンとイソプロピルアルコ
ールとを合計で２７重量部添加、混合して、スラリを調
製した。次に、このスラリを用いてドクターブレード法
によりテープを作製し、このテープを乾燥させてアルミ
ナセラミックスを主成分とするグリーンシート（第１の
グリーンシート１９、第２のグリーンシート２２、第３
のグリーンシート２３）を作製した。続いて、これらの
グリーンシートに打ち抜き型を用いて直径５０μｍのビ
ア用貫通孔２０を形成した（図示せず）。

【００７８】次に、第１の圧接工程として、フィルム基
材１１上に形成した導体ペースト乾燥体１６’とポジ型
フォトレジスト層１２（転写用複合体）上に第１のグリ
ーンシート１９を載置した後加圧し、ポジ型フォトレジ
スト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’に第１のグリ
ーンシート１９を圧接させた（図１（ｆ））。

【００７９】第１のグリーンシート１９を載置する際、
導体ペースト乾燥体１６’のビアカバー部１６ａ’の中
心にビア用貫通孔２０の中心が位置するように正確に第
１のグリーンシート１９の位置を調整し、続いて、これ
らをプレス成形機により熱を加えながらプレスした。前
記プレスの条件は、圧力が６０ｋｇ／ｃｍ² 、温度が９
０℃であり、この加圧状態を３０秒間維持した。

【００８０】次に、第１の導体ペースト充填・乾燥工程
として、凹部１５の充填に用いた導体ペースト１６と同
じ組成の導体ペースト２１を用い、スクリーン印刷によ
り第１のグリーンシート１９のビア用貫通孔２０に導体
ペースト２１を充填し、８０℃で乾燥させた（図１
（ｇ））。

【００８１】次に、第２の圧接工程として、前記転写用
複合体と同様の方法で作製した別の転写用複合体のポジ
型フォトレジスト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’
を第１のグリーンシート１９上に載置し、前記第１の圧
接工程と同様の条件で圧接させた（図１（ｈ））。

【００８２】この場合にも、第１のグリーンシート１９
のビア用貫通孔２０の中心に導体ペースト乾燥体１６’
のビアカバー部１６ａ’が位置するように正確にポジ型
フォトレジスト層１２及び導体ペースト乾燥体１６’の
位置を調整した。

【００８３】次に、フィルム基材剥離工程として、第１
のグリーンシート１９の両側に存在するフィルム基材１
１を剥離した（図２（ｉ））。次に、フォトレジスト層
消失工程として、上記工程を経た第１のグリーンシート
１９を３ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬した
後、揺動させ、ポジ型フォトレジスト層１２を溶解、消
失させ、導体ペースト乾燥体１６’のみを第１のグリー
ンシート１９の両面に残した（図２（ｊ））。

【００８４】次に、グリーンシート積層工程として、導
体ペースト乾燥体１６’が残された第１のグリーンシー
ト１９の両面にビア用貫通孔２０が形成された第２のグ
リーンシート２２及び第３のグリーンシート２３を、前
記第１の圧接工程と同様の条件でプレスし、積層した
（図２（ｋ））。

【００８５】積層の際には、第２のグリーンシート２２
及び第３のグリーンシート２３のビア用貫通孔２０とビ
アカバー部１６ａ’との位置が一致するように正確に位
置を調整した。

【００８６】次に、第２の導体ペースト充填・乾燥工程
として、凹部１５の充填に用いた導体ペースト１６と同
じ組成の導体ペースト２１を用い、スクリーン印刷によ
り第２のグリーンシート２２及び第３のグリーンシート
２３のビア用貫通孔２０に導体ペースト２１を充填し、
８０℃で乾燥させた（図２（ｌ））。

【００８７】前記工程により作製されたグリーンシート
積層体の表面に導体ペースト層を形成した後、大気中、
９００℃で焼成することによりセラミックス配線基板２
４を製造した。

【００８８】焼成後のセラミックス配線基板２４内に
は、線幅が１７μｍ、配線間の距離の最小値が２３μｍ
の導体層２６が形成されていた。また、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）により、導体層２６のビアカバーとビアと
の接続部分の断面を１００箇所観察したが、位置ずれは
皆無であった。また、導体層２６の導通不良箇所及び導
通短絡箇所も皆無であった。

【００８９】〔実施例２〕フォトレジスト層形成工程〜
第２の圧接工程は、実施例１の場合と同様に行った（図
１（ａ）〜（ｈ））。

【００９０】前記第２の圧接工程の後、２枚のフィルム
基材１１のうちの１枚を剥離し（図３（ｉ））、フィル
ム基材１１の剥離により露出したポジ型フォトレジスト
層１２を、実施例１の場合と同様に、アルカリ性水溶液
等を用いて溶解、消失させ、第１のグリーンシート１９
の片面に導体ペースト乾燥体１６’のみを残した（図３
（ｊ））。

【００９１】次に、第２のグリーンシート積層工程とし
て、導体ペースト乾燥体１６’のみが残された第１のグ
リーンシート１９の片面に、ビア用貫通孔２０が形成さ
れた第２のグリーンシート２２を積層した（図３
（ｋ））。

【００９２】積層の際には、第２のグリーンシート２２
のビア用貫通孔２０と導体ペースト乾燥体１６’のビア
カバー部１６ａ’との位置が一致するように正確に位置
合わせを行い、前記第２の圧接工程と同様の条件で第２
のグリーンシート２２を積層した。

【００９３】次に、実施例１の場合と同様に、第１のグ
リーンシート１９のビア用貫通孔２０に導体ペースト２
１を充填、乾燥させ、続いて、剥離していないフィルム
基材１１が上にくるように上下を逆転した。

【００９４】次に、第１のグリーンシート１９の他面に
存在する残り１枚のフィルム基材１１を剥離した後（図
３（ｍ））、露出したポジ型フォトレジスト層１２を、
実施例１の場合と同様の条件で溶解、消失させ、第１の
グリーンシート１９他面に導体ペースト乾燥体１６’の
みを残した（図４（ｎ））。

【００９５】次に、第２のグリーンシートを積層した場
合と同様の条件で、導体ペースト乾燥体１６’のみが残
された第１のグリーンシート１９他面に、ビア用貫通孔
２０が形成された第３のグリーンシート２３を積層し
（図４（ｏ））、第３のグリーンシート２３のビア用貫
通孔２０にスクリーン印刷法により導体ペースト２１を
充填した後、乾燥させたた（図４（ｐ））。

【００９６】次に、実施例１の場合と同様に、前記工程
により作製されたグリーンシート積層体の表面に導体ペ
ースト層を形成した後、大気中、９００℃で焼成し、セ
ラミックス配線基板３４を製造した。

【００９７】焼成後のセラミックス配線基板３４内に
は、線幅が１７μｍ、配線間の距離の最小値が２３μｍ
の導体層３６が形成されていた。また、ＳＥＭにより、
導体層３６のビアカバーとビアとの接続部分の断面を１
００箇所観察したところ、位置ずれは皆無であった。ま
た、導体層３６の導通不良箇所及び導通短絡箇所も皆無
であった。

【００９８】〔比較例１〕実施例１と同じ組成のグリー
ンシート（第１のグリーンシート４１、第２のグリーン
シート４２、第３のグリーンシート４３）を３枚、同じ
寸法になるように作製した後ビア用貫通孔４４を形成
し、実施例１と同様の条件でスクリーン印刷法によりビ
ア用貫通孔４４に導体ペースト４５を充填した（図５
（ａ））。

【００９９】次に、これら第１のグリーンシート４１、
第２のグリーンシート４２、及び第３のグリーンシート
４３に加熱処理を施し、導体ペースト４５を乾燥させた
後、実施例１と同様の方法で作製した転写用複合体を用
いて、第２のグリーンシート４２及び第３のグリーンシ
ート４３の片面に導体ペースト乾燥体１６’とポジ型フ
ォトレジスト層１２とを圧接させ、その後ポジ型フォト
レジスト層１２を消失させた（図５（ｂ））。

【０１００】次に、前記工程を経た第１のグリーンシー
ト４１、第２のグリーンシート４２、及び第３のグリー
ンシート４３を積層し（図５（ｃ））、実施例１と同様
の条件で焼成することによりセラミックス配線基板４６
を製造した（図５（ｄ））。

【０１０１】本比較例においては、図５（ｂ）にも示し
ているように、乾燥工程において、グリーンシート（第
１のグリーンシート４１、第２のグリーンシート４２、
第３のグリーンシート４３）が寸法の変化（伸び）を生
じており、ビア用貫通孔４４（導体ペースト乾燥体４
５’）の位置が変化している。そのため第２のグリーン
シート４２及び第３のグリーンシート４３のビア用貫通
孔４４と導体ペースト乾燥体１６’のビアカバー部１６
ａ’の位置を正確に調整することができなかった。

【０１０２】従って、得られたセラミックス配線基板４
６の導体層４７のビアカバーとビアとの接続部分の断面
をＳＥＭにより１００箇所観察したところ、位置ずれの
箇所を３２箇所発見した。また、導通不良箇所及び導通
短絡箇所が多発していた。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態（１）
に係るセラミックス配線基板の製造方法における前半の
各工程を模式的に示した断面図である。

【図２】（ｉ）〜（ｍ）は、実施の形態（１）に係るセ
ラミックス配線基板の製造方法における後半の各工程を
模式的に示した断面図である。

【図３】（ｉ）〜（ｍ）は、実施の形態（２）に係るセ
ラミックス配線基板の製造方法における中間段階の各工
程を模式的に示した断面図である。

【図４】（ｎ）〜（ｑ）は、実施の形態（２）に係るセ
ラミックス配線基板の製造方法における後半の各工程を
模式的に示した断面図である。

【図５】従来のセラミックス配線基板の製造方法におけ
る各工程を模式的に示した断面図である。

【符号の説明】

１１ フィルム基材 １２ ポジ型フォトレジスト層 １５ 凹部 １６、２１ 導体ペースト １６’、２１’ 導体ペースト乾燥体 １９ 第１のグリーンシート ２０ ビア用貫通孔 ２２ 第２のグリーンシート ２３ 第３のグリーンシート ２４、３４ セラミックス配線基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルム基材に形成されたポジ型フォト
   レジスト層に導体パターン形状の凹部が形成され、該凹
   部に導体ペーストが充填・乾燥されて転写用複合体が構
   成され、前記ポジ型フォトレジスト層及び前記導体ペー
   スト乾燥体の上に、ビア用貫通孔が形成された第１のグ
   リーンシートを載置した後加圧する第１の圧接工程と、 前記第１のグリーンシートの前記ビア用貫通孔に導体ペ
   ーストを充填した後乾燥させる第１の導体ペースト充填
   ・乾燥工程と、 前記第１のグリーンシート上に、前記転写用複合体と同
   様の方法で作製された別の転写用複合体の導体ペースト
   乾燥体及びポジ型フォトレジスト層を載置・加圧する第
   ２の圧接工程とを含むことを特徴とするセラミックス配
   線基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第２の圧接工程の後に前記フィルム
   基材を剥離した後、前記ポジ型フォトレジスト層を消失
   させ、これら工程の後、前記導体ペースト乾燥体のみが
   両面に残された前記第１のグリーンシートの前記両面
   に、ビア用貫通孔が形成された第２及び第３のグリーン
   シートをそれぞれ積層するグリーンシート積層工程と、 これら第２及び第３のグリーンシートの前記ビア用貫通
   孔に導体ペーストを充填した後乾燥させる第２の導体ペ
   ースト充填・乾燥工程とを含むことを特徴とする請求項
   １記載のセラミックス配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第２の圧接工程の後に２枚の前記フ
   ィルム基材のうちの１枚を剥離した後、前記ポジ型フォ
   トレジスト層を消失させ、これら工程の後、前記導体ペ
   ースト乾燥体のみが残された前記第１のグリーンシート
   の片面に、ビア用貫通孔が形成された第２のグリーンシ
   ートを積層する第２のグリーンシート積層工程と、 前記第２のグリーンシートの前記ビア用貫通孔に導体ペ
   ーストを充填した後乾燥させる第２の導体ペースト充填
   ・乾燥工程と、 前記第１のグリーンシートの他面に存在する残り１枚の
   前記フィルム基材を剥離した後、前記ポジ型フォトレジ
   スト層を溶解、消失させ、これら工程の後、前記導体ペ
   ースト乾燥体のみが残された前記第１のグリーンシート
   他面に、ビア用貫通孔が形成された第３のグリーンシー
   トを載置した後加圧する第３のグリーンシート積層工程
   と、 前記第３のグリーンシートの前記ビア用貫通孔に導体ペ
   ーストを充填した後乾燥させる第３の導体ペースト充填
   ・乾燥工程と、 を含むことを特徴とする請求項１記載のセラミックス配
   線基板の製造方法。