TW201707159A - 電子模組 - Google Patents

電子模組 Download PDF

Info

Publication number
TW201707159A
TW201707159A TW104126217A TW104126217A TW201707159A TW 201707159 A TW201707159 A TW 201707159A TW 104126217 A TW104126217 A TW 104126217A TW 104126217 A TW104126217 A TW 104126217A TW 201707159 A TW201707159 A TW 201707159A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
package
layer
disposed
electronic module
encapsulation layer
Prior art date
Application number
TW104126217A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI655719B (zh
Inventor
胡少玦
張月瓊
江東昇
Original Assignee
矽品精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 矽品精密工業股份有限公司 filed Critical 矽品精密工業股份有限公司
Priority to TW104126217A priority Critical patent/TWI655719B/zh
Priority to CN201510534096.4A priority patent/CN106450659B/zh
Priority to US14/998,114 priority patent/US10115712B2/en
Publication of TW201707159A publication Critical patent/TW201707159A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI655719B publication Critical patent/TWI655719B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/117—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1035—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the device being entirely enclosed by the support, e.g. high-density interconnect [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1041—Special adaptations for top connections of the lowermost container, e.g. redistribution layer, integral interposer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

一種電子模組，係包括相堆疊之第一封裝件以及第二封裝件。該第一封裝件係包含封裝層及埋設於該封裝層中之電子元件。該第二封裝件包含絕緣層及設於該絕緣層上並延伸貫穿該絕緣層的天線結構，以令該絕緣層結合該封裝層，使該天線結構電性連接該電子元件，故無需增加該第一封裝件之佈設區域，因而該第一封裝件不需增加寬度，使該電子模組能達到微小化之需求。

Description

電子模組
本發明係有關一種電子模組，尤指一種具有天線之電子模組。
隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前無線通訊技術已廣泛應用於各式各樣的消費性電子產品以利接收或發送各種無線訊號。為了滿足消費性電子產品的外觀設計需求，無線通訊模組之製造與設計係朝輕、薄、短、小之需求作開發，其中，平面天線(Patch Antenna)因具有體積小、重量輕與製造容易等特性而廣泛利用在手機(cell phone)、個人數位助理(Personal Digital Assistant，簡稱PDA)等電子產品之無線通訊模組中。
第1圖係習知無線通訊模組之立體示意圖。如第1圖所示，該無線通訊模組1係包括：一電路板10、設於該電路板10上之複數電子元件11、一天線結構12以及封裝膠體13。該電路板10係呈矩形體。該電子元件11係設於該電路板10上且電性連接該電路板10。該天線結構12係為平面型且具有一天線本體120與一導線121，該天線本體 120藉由該導線121電性連接該電子元件11。該封裝膠體13覆蓋該電子元件11與該部分導線121。
惟，習知無線通訊模組1中，該天線結構12係為平面式天線，故基於該天線結構12與該電子元件11之間的電磁輻射特性及該天線結構12之體積限制，而於製程中，該天線本體120難以與該電子元件11整合製作，亦即該封裝膠體13僅覆蓋該電子元件11，並未覆蓋該天線本體120，致使封裝製程之模具需對應該些電子元件11之佈設區域，且需於該電路板10之表面上增加佈設區域(未形成封裝膠體13之區域)以形成該天線本體120，致使該電路板10之寬度難以縮減，因而難以縮小該無線通訊模組1的寬度，導致該無線通訊模組1無法達到微小化之需求。
再者，需使用高頻之射頻晶片作為電子元件11，且射頻晶片與數位晶片、數位訊號處理器(Digital Signal Processor)或基頻晶片(Base Band)相鄰，因而造成電磁干擾的現象。
因此，如何克服上述習知技術之種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明係揭露一種電子模組，係包括：第一封裝件，係包含封裝層及埋設於該封裝層中之電子元件，且該封裝層係具有相對之第一表面與第二表面；以及第二封裝件，係設於該封裝層之第一表面上，且該第二封裝件包含具有相對之第三表面與第四表 面的絕緣層及設於該絕緣層之第三表面上並延伸貫穿該絕緣層的天線結構，以令該絕緣層以其第四表面結合該封裝層之第一表面，且令該天線結構電性連接該電子元件。
前述之電子模組中，該第一封裝件復包含線路結構，其設於該封裝層之第一表面上，使該電子元件藉由該線路結構電性連接該天線結構。
前述之電子模組中，該第一封裝件復包含設於該封裝層中並連通該第一與第二表面的導電通孔，以令該導電通孔電性連接該天線結構或電子元件。
前述之電子模組中，該電子元件係鄰近該封裝層之第一表面或該封裝層之第二表面。
前述之電子模組中，該第一封裝件復包含線路結構，其設於該封裝層之第二表面上並電性連接該電子元件。
前述之電子模組中，該第二封裝件復包含金屬層，其設於該絕緣層之第四表面上並電性連接該天線結構。
前述之電子模組中，該天線結構係包含設於該絕緣層之第三表面上的天線本體及設於該絕緣層中並連通該第三與第四表面之導電體，且該導電體電性連接該天線本體。
前述之電子模組中，該第二封裝件係藉由複數導電元件設於該封裝層之第一表面上。
另外，前述之電子模組中，復包括複數導電元件，係設於該封裝層之第二表面上。
由上可知，本發明之電子模組中，係藉由將該天線結構堆疊於該第一封裝件上，以增加該天線結構之佈設範 圍，而無需增加該第一封裝件之體積，故相較於習知平面式天線結構，本發明之電子模組能達到微小化之需求。
1‧‧‧無線通訊模組
10‧‧‧電路板
11,21,21’‧‧‧電子元件
12,22‧‧‧天線結構
120,220,220’‧‧‧天線本體
121‧‧‧導線
13‧‧‧封裝膠體
2,3‧‧‧電子模組
2a,2a’‧‧‧第一封裝件
2b‧‧‧第二封裝件
20‧‧‧第一線路結構
200‧‧‧第一介電層
201‧‧‧第一線路層
21a‧‧‧作用面
21b‧‧‧非作用面
210‧‧‧電極墊
221‧‧‧導電體
221a‧‧‧電性接觸墊
23‧‧‧封裝層
23a‧‧‧第一表面
23b‧‧‧第二表面
230‧‧‧導電通孔
24‧‧‧金屬層
25,240‧‧‧導電元件
26‧‧‧絕緣層
26a‧‧‧第三表面
26b‧‧‧第四表面
30‧‧‧第二線路結構
300‧‧‧第二介電層
301‧‧‧第二線路層
第1圖係為習知無線通訊模組之立體示意圖；第2圖係為本發明之電子模組之第一實施例的剖面示意圖；其中，第2’圖係為第2圖的天線本體的上視圖；以及第3圖係為本發明之電子模組之第二實施例的剖面示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“第一”、“第二”、“第三”、“第四”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
第2圖係為本發明之電子模組2之第一實施例之剖面示意圖。
如第2圖所示，所述之電子模組2係為系統級封裝(System in package，簡稱SiP)之無線通訊模組，且該電子模組2係包括：一第一封裝件2a、以及一堆疊於該第一封裝件2a之第二封裝件2b。
所述之第一封裝件2a係包含一封裝層23、及埋設於該封裝層23中之電子元件21、及設於該封裝層23上之第一線路結構20。具體地，該封裝層23具有相對之第一表面23a與第二表面23b，且該電子元件21係鄰近該封裝層23之第一表面23a，而該第一線路結構20設於該封裝層23之第一表面23a上。
於本實施例中，該第一線路結構20係具有至少一第一介電層200與設於該第一介電層200上之複數第一線路層201。具體地，該第一線路結構20係為封裝基板或增層線路結構，且該第一線路層係為扇出型(fan out)之重佈線路層(Redistribution Layer，簡稱RDL)。
再者，於該封裝層23中形成有連通該第一與第二表面23a,23b的複數導電通孔230，以令該些導電通孔230電性連接該第一線路層201。具體地，係以TMV(Through Molding Via)製程製作該些導電通孔230。
又，該電子元件21係為主動元件、被動元件或其組合者。例如，該主動元件係為半導體晶片，且該被動元件係為電阻、電容及電感。具體地，該電子元件21係為主動元 件並具有相對之作用面21a與非作用面21b上，且該作用面21a具有複數電極墊210並外露於該封裝層23之第一表面23a，以令該第一線路層201電性連接該些電極墊210，使該些導電通孔230藉由該第一線路層201電性連接該電子元件21。
另外，該封裝層23之第二表面23a上形成有複數導電元件25，且令該些導電元件25電性連接該些導電通孔230，使該第一封裝件2a藉由該些導電元件25接置於一如電路板之電子裝置(圖略)上。具體地，該導電元件25係如銲錫球、如銅柱之金屬凸塊等。
此外，該第一封裝件2a之製程係可先將該電子元件21設於該第一線路結構20上，再以該封裝層23包覆該電子元件21。然而，有關該第一封裝件2a之製程繁多，並不限於上述。
所述之第二封裝件2b係包含一絕緣層26、設於該絕緣層26相對兩側之一天線結構22及一金屬層24。具體地，該絕緣層26係具有相對之第三表面26a與第四表面26b，該天線結構22設於該絕緣層26之第三表面26a上，該金屬層24設於該絕緣層26之第四表面26b上，以令該絕緣層26以其第四表面26b(或其上之金屬層24)結合該封裝層23之第一表面23a，且令該天線結構22延伸貫穿該絕緣層26以電性連接該金屬層24。
於本實施例中，該絕緣層26係為低損耗(Df)或高介電材(Dk)之介電材，如陶瓷材料，以達低能量損耗或小尺寸 的天線設計，且該絕緣層26與該封裝層23的材料選擇無必要的相關性，故可達到高整合性與低成本之設計。
再者，該金屬層24上形成有複數導電元件240，使該第二封裝件2b藉由該些導電元件240設於該封裝層23之第一表面23a上。具體地，該導電元件240係如銲錫球、如銅柱之金屬凸塊等。
又，該天線結構22係為金屬材並具有設於該絕緣層26之第三表面26a上的天線本體220、及設於該絕緣層26中並連通該第三與第四表面26a,26b之導電體221，且該導電體221電性連接該天線本體220與該金屬層24，較佳地，該導電體221具有接觸該金屬層24之電性接觸墊221a。因此，該天線結構22藉由該金屬層24與該些導電元件240電性連接該第一線路層201，以令該天線結構22電性連接該電子元件21與該些導電通孔230。
另外，有關天線本體220,220’之外觀樣式係依需求而定，其可為金屬片狀(如第2圖所示之天線本體220)或圖案化(如第2’圖所示之天線本體220’)，並無特別限制。
因此，藉由大面積的金屬層24與該第一線路結構20的接地點相連接，以達到抗輻射干擾EMI的目的。
再者，該第二封裝件2b可包含一或複數個輻射天線元件(cell)，且輻射訊號由該第一封裝件2a直接提供，使損耗最低。
第3圖係為本發明之電子模組3之第二實施例之剖面示意圖。本實施例與第一實施例之差異在於電子元件21’ 之佈設，而其它結構係大致相同，故以下僅詳述相異處。
如第3圖所示，該電子元件21’係鄰近該封裝層23之第二表面23b。具體地，該電子元件21’之作用面21a外露於該封裝層23之第二表面23b。
於本實施例中，該第一封裝件2a’復包含第二線路結構30，其設於該封裝層23之第二表面23b上，且具有至少一第二介電層300與設於該第二介電層300上之複數第二線路層301，以令該第二線路層301電性連接該些導電通孔230與該電子元件21’之電極墊210，使該電子元件21’電性連接至該第一線路層201而電性連接該天線結構22。
綜上所述，本發明之電子模組2,3中，主要藉由該第二封裝件2b具有天線結構22及用以電磁遮蔽(Electromagnetic Shielding)之金屬層24，將該第二封裝件2b堆疊於該第一封裝件2a,2a’上，以增加該天線結構22之佈設範圍，而無需佔用該第一線路結構20之面積，故相較於習知平面式天線結構，本發明之電子模組2,3能達到微小化之需求。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
2‧‧‧電子模組
2a‧‧‧第一封裝件
2b‧‧‧第二封裝件
20‧‧‧第一線路結構
200‧‧‧第一介電層
201‧‧‧第一線路層
21‧‧‧電子元件
21a‧‧‧作用面
21b‧‧‧非作用面
210‧‧‧電極墊
22‧‧‧天線結構
220‧‧‧天線本體
221‧‧‧導電體
221a‧‧‧電性接觸墊
23‧‧‧封裝層
23a‧‧‧第一表面
23b‧‧‧第二表面
230‧‧‧導電通孔
24‧‧‧金屬層
25,240‧‧‧導電元件
26‧‧‧絕緣層
26a‧‧‧第三表面
26b‧‧‧第四表面

Claims (10)

  1. 一種電子模組，係包括：第一封裝件，係包含封裝層及埋設於該封裝層中之電子元件，且該封裝層係具有相對之第一表面與第二表面；以及第二封裝件，係設於該封裝層之第一表面上，且該第二封裝件包含具有相對之第三表面與第四表面的絕緣層及設於該絕緣層之第三表面上並延伸貫穿該絕緣層的天線結構，以令該絕緣層以其第四表面結合該封裝層之第一表面，且令該天線結構電性連接該電子元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該第一封裝件復包含線路結構，其設於該封裝層之第一表面上，使該電子元件藉由該線路結構電性連接該天線結構。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該第一封裝件復包含設於該封裝層中並連通該第一與第二表面的導電通孔，以令該導電通孔電性連接該天線結構或該電子元件。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該電子元件係鄰近該封裝層之第一表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該電子元件係鄰近該封裝層之第二表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該第 一封裝件復包含線路結構，其設於該封裝層之第二表面上並電性連接該電子元件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該第二封裝件復包含金屬層，其設於該絕緣層之第四表面上並電性連接該天線結構。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該天線結構係包含設於該絕緣層之第三表面上的天線本體及設於該絕緣層中並連通該第三與第四表面之導電體，且該導電體電性連接該天線本體。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，其中，該第二封裝件係藉由複數導電元件設於該封裝層之第一表面上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電子模組，復包括複數導電元件，係設於該封裝層之第二表面上。
TW104126217A 2015-08-12 2015-08-12 電子模組 TWI655719B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104126217A TWI655719B (zh) 2015-08-12 2015-08-12 電子模組
CN201510534096.4A CN106450659B (zh) 2015-08-12 2015-08-27 电子模块
US14/998,114 US10115712B2 (en) 2015-08-12 2015-12-24 Electronic module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104126217A TWI655719B (zh) 2015-08-12 2015-08-12 電子模組

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201707159A true TW201707159A (zh) 2017-02-16
TWI655719B TWI655719B (zh) 2019-04-01

Family

ID=57995921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104126217A TWI655719B (zh) 2015-08-12 2015-08-12 電子模組

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10115712B2 (zh)
CN (1) CN106450659B (zh)
TW (1) TWI655719B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI684260B (zh) * 2017-05-11 2020-02-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10784206B2 (en) 2015-09-21 2020-09-22 Mediatek Inc. Semiconductor package
US10685924B2 (en) 2017-08-24 2020-06-16 Qualcomm Incorporated Antenna-on-package arrangements
CN207517678U (zh) * 2017-12-07 2018-06-19 中芯长电半导体（江阴）有限公司 具有天线组件的半导体封装结构
US11211687B2 (en) * 2017-12-07 2021-12-28 Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation Method of fabricating a semiconductor structure with an antenna module
US10096558B1 (en) * 2017-12-20 2018-10-09 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Multi-band antenna package structure, manufacturing method thereof and communication device
CN207852888U (zh) * 2017-12-27 2018-09-11 中芯长电半导体（江阴）有限公司 具有天线组件的半导体封装结构
CN207852654U (zh) * 2017-12-27 2018-09-11 中芯长电半导体（江阴）有限公司 具有天线组件的半导体封装结构
CN207852651U (zh) * 2017-12-27 2018-09-11 中芯长电半导体（江阴）有限公司 具有天线组件的半导体封装结构
TWI655741B (zh) * 2018-01-10 2019-04-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
CN108305856B (zh) * 2018-03-16 2023-08-18 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 天线的封装结构及封装方法
TW201947727A (zh) * 2018-05-09 2019-12-16 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN108417982B (zh) * 2018-05-09 2024-03-08 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 天线的封装结构及封装方法
TWI688075B (zh) * 2018-05-23 2020-03-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
US20200036081A1 (en) * 2018-07-30 2020-01-30 Innolux Corporation Package structure and antenna device using the same
KR102066904B1 (ko) * 2018-09-18 2020-01-16 삼성전자주식회사 안테나 모듈
EP3859877B1 (en) * 2018-10-19 2023-10-04 Huawei Technologies Co., Ltd. Antenna packaging structure and manufacturing method thereof
US20200212536A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Wireless communication device with antenna on package
TWI696255B (zh) * 2019-04-09 2020-06-11 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
CN111048895B (zh) * 2019-12-24 2021-06-08 华南理工大学 一种封装基板分布式天线
WO2024054268A1 (en) * 2022-09-07 2024-03-14 Viasat, Inc. Method of creating embedded components on an antenna substrate and antenna apparatus formed with same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6686649B1 (en) * 2001-05-14 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-chip semiconductor package with integral shield and antenna
US9153863B2 (en) * 2012-01-24 2015-10-06 E I Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) system in a package (SiP) configurations for microwave/millimeter wave packaging applications
US9153542B2 (en) * 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof
US9129954B2 (en) * 2013-03-07 2015-09-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package including antenna layer and manufacturing method thereof
US9172131B2 (en) * 2013-03-15 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor structure having aperture antenna
CN103227164A (zh) * 2013-03-21 2013-07-31 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装构造及其制造方法
US9941593B2 (en) * 2013-04-30 2018-04-10 Monarch Antenna, Inc. Patch antenna and method for impedance, frequency and pattern tuning
WO2015088486A1 (en) * 2013-12-09 2015-06-18 Intel Corporation Antenna on ceramics for a packaged die

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI684260B (zh) * 2017-05-11 2020-02-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法
TWI640066B (zh) * 2017-11-03 2018-11-01 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170048981A1 (en) 2017-02-16
TWI655719B (zh) 2019-04-01
CN106450659B (zh) 2019-12-31
CN106450659A (zh) 2017-02-22
US10115712B2 (en) 2018-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI655719B (zh) 電子模組
TWI663701B (zh) 電子封裝件及其製法
KR20140057979A (ko) 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
TWI589059B (zh) 電子封裝件
TW201405758A (zh) 具有防電磁波干擾之半導體元件
TW201724648A (zh) 電子封裝件
TWI593165B (zh) 電子封裝件
CN107785277B (zh) 电子封装结构及其制法
TW201707155A (zh) 電子封裝件及其製法
TWI553732B (zh) 電子封裝件
TWI468088B (zh) 半導體封裝件及其製法
TWI517494B (zh) 電子封裝件
CN111446535B (zh) 电子封装件及其制法
TWI655741B (zh) 電子封裝件
TWI624113B (zh) 電子模組
CN107622981B (zh) 电子封装件及其制法
TWI549359B (zh) 電子組件
TWI613767B (zh) 電子封裝件及其製法
CN107819188B (zh) 电子封装件
TWI778608B (zh) 電子封裝件及其天線結構
TWI768322B (zh) 電子裝置及其製法
TWI672783B (zh) 電子封裝件
TWI558286B (zh) 封裝結構及其製法
TW201947727A (zh) 電子封裝件及其製法