CN108305856B - 天线的封装结构及封装方法 - Google Patents
天线的封装结构及封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108305856B CN108305856B CN201810217683.4A CN201810217683A CN108305856B CN 108305856 B CN108305856 B CN 108305856B CN 201810217683 A CN201810217683 A CN 201810217683A CN 108305856 B CN108305856 B CN 108305856B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- antenna
- packaging
- metal
- rewiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 203
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 203
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 18
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 17
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 261
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0231—Manufacturing methods of the redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0233—Structure of the redistribution layers
- H01L2224/02331—Multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02381—Side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
本发明提供一种天线的封装结构及封装方法,封装结构包括天线电路芯片、第一封装层、第一重新布线层、天线结构、第二金属连接柱、第三封装层、第二天线金属层以及第二金属凸块,所述天线电路芯片、天线结构以及第二天线金属层通过重新布线层以及金属连接柱互连。本发明的天线封装结构采用多层重新布线层互连的方法,可实现多层天线金属层的整合,且可以实现多个天线封装结构之间的直接垂直互连,从而大大提高天线的效率及性能,且本发明的天线封装结构及方法整合性较高;本发明采用扇出型封装方法封装天线结构,可有效缩小封装体积,使得天线的封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能,在半导体封装领域具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装领域,特别是涉及一种天线的封装结构及封装方法。
背景技术
由于科技的进步,发展出各种高科技的电子产品以便利人们的生活,其中包括各种电子装置,如:笔记型计算机、手机、平板电脑(PAD)等。
随着这些高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,除了这些高科技产品内所配置的各项功能与应用大幅度增加外,特别是为了配合人们移动的需求而增加了无线通讯的功能。于是,人们可以通过这些具有无线通讯功能的高科技电子装置于任何地点或是任何时刻使用这些高科技电子产品。从而大幅度的增加了这些高科技电子产品使用的灵活性与便利性,因此,人们再也不必被局限在一个固定的区域内,打破了使用范围的疆界,使得这些电子产品的应用真正地便利人们的生活。
一般来说,现有的天线结构通常包括偶极天线(Dipole Antenna)、单极天线(Monopole Antenna)、平板天线(Patch Antenna)、倒F形天线(Planar Inverted-FAntenna)、曲折形天线(Meander Line Antenna)、倒置L形天线(Inverted-L Antenna)、循环天线(Loop Antenna)、螺旋天线(Spiral Antenna)以及弹簧天线(Spring Antenna)等。已知的作法是将天线直接制作于电路板的表面,这种作法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种电子装置而言,使用较大的电路板即表示较大体积的电子装置。但是,这些电子装置设计与发展的主要目的是为了让使用者能够便于携带,因此,如何减少天线所占电路板的面积,提高天线封装结构的整合性能,将是这些电子装置所需克服的问题。
另外,现有的天线封装多为单层结构,其天线效率较低,已不足以满足对天线性能日益提高的需求。
基于以上所述,提供一种具有高整合性以及高效率的天线的封装结构及封装方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种天线的封装结构及封装方法,用于解决现有技术中天线封装整合性较低以及天线的效率较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种天线的封装结构,包括:天线电路芯片;第一封装层,包覆所述天线芯片,包括第一面及相对的第二面,所述第一面显露所述天线芯片的正面;第一重新布线层,形成于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层的第一面,所述第一重新布线层包括与所述第一封装层连接的第一面以及相对的第二面;天线结构,包括第二封装层、第一天线金属层、第二重新布线层及第一金属凸块,所述第一天线金属层位于所述第二封装层的第一面,所述第二重新布线层位于所述第二封装层的第二面,所述第一天线金属层及所述第二重新布线层藉由穿过所述第二封装层的第一金属连接柱电性连接,所述第一金属凸块形成于所述第二重新布线层上,所述第一金属凸块与所述第一重新布线层接合;第二金属连接柱,形成于所述第一重新布线层的第二面上,所述第二金属连接柱的高度不低于所述天线结构的顶面;第三封装层,包覆所述天线结构,且所述第二金属连接柱的顶面露出于所述第三封装层;第二天线金属层,形成于所述第三封装层表面,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱连接;以及第二金属凸块,形成于所述第一封装层的通孔中,并电性连接所述第一重新布线层的第一面。
优选地,所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种;所述第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种,所述第三封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
优选地,所述第一重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。
优选地,所述第二重新布线层包括依次层叠的图形化的第一介质层、图形化的金属布线层以及图形化的第二介质层。
优选地,所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
优选地,所述第一金属连接柱及所述第二金属连接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。
优选地,所述第一金属凸块及第二金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
优选地,所述第一重新布线层的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱分布于所述天线结构外围的第一重新布线层的第二面上。
优选地,所述第二天线金属层在所述第一天线金属层的垂向区域具有一窗口,以避免所述第二天线金属层对所述第一天线金属层的遮挡。
本发明还提供一种天线的封装方法,所述封装方法包括:1)提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;2)提供一天线电路芯片,将所述天线电路芯片粘附于所述分离层,所述天线电路芯片的正面朝向所述分离层;3)采用第一封装层封装所述天线电路芯片;4)基于所述分离层剥离所述第一封装层及所述支撑基底,露出所述天线电路芯片的正面;5)于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层表面形成第一重新布线层,所述第一重新布线层包括与所述第一封装层连接的第一面以及相对的第二面;6)提供一天线结构,所述天线结构包括第二封装层、第一天线金属层、第二重新布线层及第一金属凸块,所述第一天线金属层位于所述第二封装层的第一面,所述第二重新布线层位于所述第二封装层的第二面,所述第一天线金属层及所述第二重新布线层藉由穿过所述第二封装层的第一金属连接柱电性连接,所述第一金属凸块形成于所述第二重新布线层上;7)接合所述第一重新布线层的第二面与所述第一金属凸块;8)于所述第一重新布线层的第二面上形成第二金属连接柱,所述第二金属连接柱的高度不低于所述天线结构的顶面;9)采用第三封装层封装所述天线结构,并对所述第三封装层表面进行平坦化处理,并使得所述第二金属连接柱的顶面露出于所述第三封装层;10)于所述第三封装层表面形成第二天线金属层,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱连接;以及11)于所述第一封装层中形成显露所述第一重新布线层的通孔,并于所述通孔中形成第二金属凸块,以实现所述第一重新布线层的电性引出。
优选地,所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种;所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种,所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基底表面,然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。
优选地,步骤3)采用第一封装层封装所述天线芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种;步骤9)采用第三封装层封装所述天线结构的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第三封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
优选地,步骤4)基于所述分离层剥离所述第一封装层及所述支撑基底的方法包括机械剥离及化学剥离中的一种。
优选地,步骤5)制作所述第一重新布线层包括步骤:5-1)采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层表面形成介质层,并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层;5-2)采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层,并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。
进一步地,所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
优选地,步骤6)提供所述天线结构包括:6-1)提供一支撑基片,于所述支撑基片上形成剥离层;6-2)于所述剥离层上形成第一天线金属层,并于所述第一天线金属层上形成第一金属连接柱;6-3)采用第二封装层封装所述第一天线金属层及所述第一金属连接柱,并对所述第二封装层进行平坦化处理,以显露所述第一金属连接柱;6-4)于所述第二封装层上形成第二重新布线层,并于所述第二重新布线层上形成第一金属凸块;6-5)基于所述剥离层分离所述支撑基片及所述第二封装层,以显露所述第一天线金属层;以及6-6)切割以形成独立的天线结构。
优选地,采用焊线工艺制作所述第二金属连接柱,所述焊线工艺包括热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种;所述第二金属连接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。
优选地,所述第一金属凸块及第二金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
优选地,所述第一重新布线层的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱分布于所述天线结构外围的第一重新布线层的上。
优选地,所述第二天线金属层在所述第一天线金属层的垂向区域具有一窗口,以避免所述第二天线金属层对所述第一天线金属层的遮挡。
如上所述,本发明的天线的封装结构及封装方法,具有以下有益效果:
本发明的天线封装结构采用多层重新布线层互连的方法,可实现多层天线金属层的整合,且可以实现多个天线封装结构之间的直接垂直互连,从而大大提高天线的效率及性能,且本发明的天线封装结构及方法整合性较高;
本发明采用扇出型封装方法封装天线结构,可有效缩小封装体积,使得天线的封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能,在半导体封装领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1~图20显示为本发明的天线的封装方法各步骤所呈现的结构示意图,其中,图20显示为本发明的天线的封装结构的结构示意图。
元件标号说明
101 支撑基底
102 分离层
103 天线电路芯片
104 第一封装层
105 第一重新布线层
106 第二金属连接柱
107 第三封装层
108 第二天线金属层
109 第二金属凸块
110 窗口
201 支撑基片
202 剥离层
203 第一天线金属层
204 第一金属连接柱
205 第二封装层
206 第二重新布线层
207 第一金属凸块
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1~图20。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1~图20所示,本实施例提供一种天线的封装方法,所述封装方法包括:
如图1所示,首先进行步骤1),提供一支撑基底101,于所述支撑基底101上形成分离层102。
作为示例,所述支撑基底101包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。在本实施例中,所述支撑基底101选用为玻璃衬底,所述玻璃衬底成本较低,容易在其表面形成分离层102,且能降低后续的剥离工艺的难度。
作为示例,所述分离层102包括胶带及聚合物层中的一种,所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基底101表面,然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。
在本实施例中,所述分离层102选用为热固化胶,通过旋涂工艺形成于所述支撑基底101上后,通过热固化工艺使其固化成型。热固化胶性能稳定,表面较光滑,有利于后续的重新布线层的制作,并且,在后续的剥离工艺中,剥离的难度较低。
如图2所示,然后进行步骤2),提供一天线电路芯片103,将所述天线电路芯片103粘附于所述分离层102,所述天线电路芯片103的正面朝向所述分离层102。
如图3所示,接着进行步骤3),采用第一封装层104封装所述天线电路芯片103,所述第一封装层104的厚度大于所述天线电路芯片103的厚度,以达到更好的保护效果。
作为示例,采用第一封装层104封装所述天线芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第一封装层104的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图4所示,接着进行步骤4),基于所述分离层102剥离所述第一封装层104及所述支撑基底101,露出所述天线电路芯片103的正面。
作为示例,依据所述分离层102的属性,可以采用如机械剥离、激光剥离、化学剥离(如湿法腐蚀等)等方法分离剥离所述第一封装层104及所述支撑基底101。
如图5所示,接着进行步骤5),于所述天线电路芯片103的正面及所述第一封装层104表面形成第一重新布线层105,所述第一重新布线层105包括与所述第一封装层104连接的第一面以及相对的第二面。
步骤5)制作所述第一重新布线层105包括步骤:
步骤5-1),采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述天线电路芯片103的正面及所述第一封装层104表面形成介质层,并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层。所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合。
优选地,所述介质层的材料选用为PI(聚酰亚胺),以进一步降低工艺难度以及工艺成本。
步骤5-2),采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层,并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
如图6~图14所示,接着进行步骤6),提供一天线结构,所述天线结构包括第二封装层205、第一天线金属层203、第二重新布线层206及第一金属凸块207,所述第一天线金属层203位于所述第二封装层205的第一面,所述第二重新布线层206位于所述第二封装层205的第二面,所述第一天线金属层203及所述第二重新布线层206藉由穿过所述第二封装层205的第一金属连接柱204电性连接,所述第一金属凸块207形成于所述第二重新布线层206上。
步骤6)提供所述天线结构包括:
如图6所示,首先进行步骤6-1),提供一支撑基片201,于所述支撑基片201上形成剥离层202。
作为示例,所述支撑基片201包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。在本实施例中,所述支撑基片201选用为玻璃衬底,所述玻璃衬底成本较低,容易在其表面形成剥离层202,且能降低后续的剥离工艺的难度。
作为示例,所述剥离层202包括胶带及聚合物层中的一种,所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基片201表面,然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。
在本实施例中,所述剥离层202选用为热固化胶,通过旋涂工艺形成于所述支撑基片201上后,通过热固化工艺使其固化成型。热固化胶性能稳定,表面较光滑,有利于后续的重新布线层的制作,并且,在后续的剥离工艺中,剥离的难度较低。
如图7~图8所示,然后进行步骤6-2),于所述剥离层202上形成第一天线金属层203,并于所述第一天线金属层203上形成第一金属连接柱204。
如图9~图10所示,接着进行步骤6-3),采用第二封装层205封装所述第一天线金属层203及所述第一金属连接柱204,并对所述第二封装层205进行平坦化处理,以显露所述第一金属连接柱204。
作为示例,采用第二封装层205封装所述第一天线金属层203及所述第一金属连接柱204的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第二封装层205的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图11所示,接着进行步骤6-4),于所述第二封装层205上形成第二重新布线层206,并于所述第二重新布线层206上形成第一金属凸块207。所述第一金属凸块207包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
如图12所示,然后进行步骤6-5),基于所述剥离层202分离所述支撑基片201及所述第二封装层205,以显露所述第一天线金属层203。
如图13~图14所示,最后进行步骤6-6),切割以形成独立的天线结构。
如图15所示,接着进行步骤7),接合所述第一重新布线层105的第二面与所述第一金属凸块207。例如,可以采用焊接工艺结合所述第一重新布线层105的第二面与所述第一金属凸块207。
如图16所示,然后进行步骤8),于所述第一重新布线层105的第二面上形成第二金属连接柱106,所述第二金属连接柱106的高度不低于所述天线结构的顶面。
采用焊线工艺制作所述第二金属连接柱106,所述焊线工艺包括热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种;所述第二金属连接柱106的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。例如,所述第二金属连接柱106可以选用为Al,采用超声波焊线工艺在较低的温度下便可完成焊接,可以大大降低了工艺温度。又如,所述第二金属连接柱106可以选用为Au,可以获得优异的导电性能。
优选地,所述第一重新布线层105的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱106分布于所述天线结构外围的第一重新布线层105的上。
如图17~图18所示,接着进行步骤9),采用第三封装层107封装所述天线结构,并对所述第三封装层107表面进行平坦化处理,并使得所述第二金属连接柱106的顶面露出于所述第三封装层107。
作为示例,采用第三封装层107封装所述天线结构的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第三封装层107的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图19所示,然后进行步骤10),于所述第三封装层107表面形成第二天线金属层108,所述第二天线金属层108与所述第二金属连接柱106连接。
在本实施例中,所述第二天线金属层108在所述第一天线金属层203的垂向区域具有一窗口110,以避免所述第二天线金属层108对所述第一天线金属层203的遮挡,降低多层天线之间的相互干扰,以提高多层天线的性能。
如图20所示,最后进行步骤11),于所述第一封装层104中形成显露所述第一重新布线层105的通孔,并于所述通孔中形成第二金属凸块109,以实现所述第一重新布线层105的电性引出。
作为示例,采用刻蚀工艺或激光钻孔工艺于所述第一封装层104中形成显露所述第一重新布线层105的通孔,采用植球工艺于所述通孔中形成第二金属凸块109,所述第二金属凸块109包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
如图20所示,本实施例还提供一种天线的封装结构,包括:天线电路芯片103、第一封装层104、第一重新布线层105、天线结构、第二金属连接柱106、第三封装层107、第二天线金属层108以及第二金属凸块109。
如图20所示,所述第一封装层104包覆所述天线芯片,包括第一面及相对的第二面,所述第一面显露所述天线芯片的正面。所述第一封装层104的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图20所示,所述第一重新布线层105形成于所述天线电路芯片103的正面及所述第一封装层104的第一面,所述第一重新布线层105包括与所述第一封装层104连接的第一面以及相对的第二面。
作为示例,所述第一重新布线层105包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
如图20所示,所述天线结构包括第二封装层205、第一天线金属层203、第二重新布线层206及第一金属凸块207,所述第一天线金属层203位于所述第二封装层205的第一面,所述第二重新布线层206位于所述第二封装层205的第二面,所述第一天线金属层203及所述第二重新布线层206藉由穿过所述第二封装层205的第一金属连接柱204电性连接,所述第一金属凸块207形成于所述第二重新布线层206上,所述第一金属凸块207与所述第一重新布线层105接合。
作为示例,所述第二重新布线层206包括依次层叠的图形化的第一介质层、图形化的金属布线层以及图形化的第二介质层。所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
作为示例,所述第一金属连接柱204的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。
作为示例,所述第一金属凸块207包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
作为示例,所述第一重新布线层105的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱106分布于所述天线结构外围的第一重新布线层105的第二面上。
作为示例,所述第二封装层205的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图20所示,所述第二金属连接柱106形成于所述第一重新布线层105的第二面上,所述第二金属连接柱106的高度不低于所述天线结构的顶面。
如图20所示,所述第三封装层107包覆所述天线结构,且所述第二金属连接柱106的顶面露出于所述第三封装层107。
所述第三封装层107的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
如图20所示,所述第二天线金属层108形成于所述第三封装层107表面,所述第二天线金属层108与所述第二金属连接柱106连接。
作为示例,所述第二天线金属层108在所述第一天线金属层203的垂向区域具有一窗口110,以避免所述第二天线金属层108对所述第一天线金属层203的遮挡,降低多层天线之间的相互干扰,以提高多层天线的性能。
所述第二金属凸块109形成于所述第一封装层104的通孔中,并电性连接所述第一重新布线层105的第一面。作为示例,所述第二金属凸块109包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
如上所述,本发明的天线的封装结构及封装方法,具有以下有益效果:
本发明的天线封装结构采用多层重新布线层互连的方法,可实现多层天线金属层的整合,且可以实现多个天线封装结构之间的直接垂直互连,从而大大提高天线的效率及性能,且本发明的天线封装结构及方法整合性较高;
本发明采用扇出型封装方法封装天线结构,可有效缩小封装体积,使得天线的封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能,在半导体封装领域具有广泛的应用前景。
所以,本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (20)
1.一种天线的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
天线电路芯片;
第一封装层,包覆所述天线芯片,包括第一面及相对的第二面,所述第一面显露所述天线电路芯片的正面;
第一重新布线层,形成于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层的第一面,所述第一重新布线层包括与所述第一封装层连接的第一面以及相对的第二面;
天线结构,包括第二封装层、第一天线金属层、第二重新布线层及第一金属凸块,所述第一天线金属层位于所述第二封装层的第一面,所述第二重新布线层位于所述第二封装层的第二面,所述第一天线金属层及所述第二重新布线层藉由穿过所述第二封装层的第一金属连接柱电性连接,所述第一金属凸块形成于所述第二重新布线层上,所述第一金属凸块与所述第一重新布线层接合;
第二金属连接柱,形成于所述第一重新布线层的第二面上,所述第二金属连接柱的高度不低于所述天线结构的顶面;
第三封装层,包覆所述天线结构,且所述第二金属连接柱的顶面露出于所述第三封装层;
第二天线金属层,形成于所述第三封装层表面,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱连接;以及
第二金属凸块,形成于所述第一封装层的通孔中,并电性连接所述第一重新布线层的第一面。
2.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种;所述第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种,所述第三封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
3.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。
4.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第二重新布线层包括依次层叠的图形化的第一介质层、图形化的金属布线层以及图形化的第二介质层。
5.根据权利要求3或4所述的天线的封装结构,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
6.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一金属连接柱及所述第二金属连接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。
7.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一金属凸块及第二金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
8.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一重新布线层的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱分布于所述天线结构外围的第一重新布线层的第二面上。
9.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第二天线金属层在所述第一天线金属层的垂向区域具有一窗口,以避免所述第二天线金属层对所述第一天线金属层的遮挡。
10.一种天线的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
1)提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;
2)提供一天线电路芯片,将所述天线电路芯片粘附于所述分离层,所述天线电路芯片的正面朝向所述分离层;
3)采用第一封装层封装所述天线电路芯片;
4)基于所述分离层剥离所述第一封装层及所述支撑基底,露出所述天线电路芯片的正面;
5)于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层表面形成第一重新布线层,所述第一重新布线层包括与所述第一封装层连接的第一面以及相对的第二面;
6)提供一天线结构,所述天线结构包括第二封装层、第一天线金属层、第二重新布线层及第一金属凸块,所述第一天线金属层位于所述第二封装层的第一面,所述第二重新布线层位于所述第二封装层的第二面,所述第一天线金属层及所述第二重新布线层藉由穿过所述第二封装层的第一金属连接柱电性连接,所述第一金属凸块形成于所述第二重新布线层上;
7)接合所述第一重新布线层的第二面与所述第一金属凸块;
8)于所述第一重新布线层的第二面上形成第二金属连接柱,所述第二金属连接柱的高度不低于所述天线结构的顶面;
9)采用第三封装层封装所述天线结构,并对所述第三封装层表面进行平坦化处理,并使得所述第二金属连接柱的顶面露出于所述第三封装层;
10)于所述第三封装层表面形成第二天线金属层,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱连接;以及
11)于所述第一封装层中形成显露所述第一重新布线层的通孔,并于所述通孔中形成第二金属凸块,以实现所述第一重新布线层的电性引出。
11.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:所述支撑基底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种;所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种,所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基底表面,然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。
12.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:步骤3)采用第一封装层封装所述天线电路芯片的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第一封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种;步骤9)采用第三封装层封装所述天线结构的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种,所述第三封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
13.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:步骤4)基于所述分离层剥离所述第一封装层及所述支撑基底的方法包括机械剥离及化学剥离中的一种。
14.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:步骤5)制作所述第一重新布线层包括步骤:
5-1)采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述天线电路芯片的正面及所述第一封装层表面形成介质层,并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层;
5-2)采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层,并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。
15.根据权利要求14所述的天线的封装方法,其特征在于:所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一种或两种以上组合,所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。
16.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:步骤6)提供所述天线结构包括:6-1)提供一支撑基片,于所述支撑基片上形成剥离层;
6-2)于所述剥离层上形成第一天线金属层,并于所述第一天线金属层上形成第一金属连接柱;
6-3)采用第二封装层封装所述第一天线金属层及所述第一金属连接柱,并对所述第二封装层进行平坦化处理,以显露所述第一金属连接柱;
6-4)于所述第二封装层上形成第二重新布线层,并于所述第二重新布线层上形成第一金属凸块;
6-5)基于所述剥离层分离所述支撑基片及所述第二封装层,以显露所述第一天线金属层;以及
6-6)切割以形成独立的天线结构。
17.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:采用焊线工艺制作所述第二金属连接柱,所述焊线工艺包括热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种;所述第二金属连接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。
18.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:所述第一金属凸块及第二金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。
19.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:所述第一重新布线层的两端宽度大于所述天线结构的宽度,所述第二金属连接柱分布于所述天线结构外围的第一重新布线层的第二面上。
20.根据权利要求10所述的天线的封装方法,其特征在于:所述第二天线金属层在所述第一天线金属层的垂向区域具有一窗口,以避免所述第二天线金属层对所述第一天线金属层的遮挡。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810217683.4A CN108305856B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 天线的封装结构及封装方法 |
US16/354,464 US11228087B2 (en) | 2018-03-16 | 2019-03-15 | Antenna package structure and antenna packaging method |
US17/545,650 US11699840B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-12-08 | Antenna package structure and antenna packaging method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810217683.4A CN108305856B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 天线的封装结构及封装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108305856A CN108305856A (zh) | 2018-07-20 |
CN108305856B true CN108305856B (zh) | 2023-08-18 |
Family
ID=62850069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810217683.4A Active CN108305856B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 天线的封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108305856B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109119768A (zh) * | 2018-08-12 | 2019-01-01 | 瑞声科技(南京)有限公司 | Aog天线系统及移动终端 |
CN109149068B (zh) * | 2018-08-12 | 2021-04-02 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 封装天线系统及移动终端 |
CN109103589B (zh) * | 2018-08-12 | 2021-01-12 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 天线模组及移动终端 |
CN109149069A (zh) * | 2018-08-12 | 2019-01-04 | 瑞声科技(南京)有限公司 | Aog天线系统及移动终端 |
KR102066904B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2020-01-16 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 |
CN109768031A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-05-17 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 天线的封装结构及封装方法 |
CN112701444B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-06-28 | 华为技术有限公司 | 天线、天线封装方法及终端 |
CN114512790A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-05-17 | 江苏长电科技股份有限公司 | 天线封装结构及天线封装结构制造方法 |
CN116387799B (zh) * | 2023-05-08 | 2023-10-27 | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 | 双极化空气耦合天线封装结构及制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103390785A (zh) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 无终止件的功率分离器/组合器 |
CN106450659A (zh) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 矽品精密工业股份有限公司 | 电子模块 |
CN107146785A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-08 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 具有3d堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法 |
CN107240556A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-10 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 人脸识别芯片的封装结构及封装方法 |
CN107425031A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-12-01 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 背照式cmos传感器的封装结构及封装方法 |
CN107452702A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-08 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 半导体芯片的封装结构及封装方法 |
CN208336188U (zh) * | 2018-03-16 | 2019-01-04 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 天线的封装结构 |
-
2018
- 2018-03-16 CN CN201810217683.4A patent/CN108305856B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103390785A (zh) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 无终止件的功率分离器/组合器 |
CN106450659A (zh) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 矽品精密工业股份有限公司 | 电子模块 |
CN107146785A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-08 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 具有3d堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法 |
CN107240556A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-10 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 人脸识别芯片的封装结构及封装方法 |
CN107452702A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-12-08 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 半导体芯片的封装结构及封装方法 |
CN107425031A (zh) * | 2017-09-05 | 2017-12-01 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 背照式cmos传感器的封装结构及封装方法 |
CN208336188U (zh) * | 2018-03-16 | 2019-01-04 | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 | 天线的封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108305856A (zh) | 2018-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108511400B (zh) | 天线的封装结构及封装方法 | |
CN108305856B (zh) | 天线的封装结构及封装方法 | |
CN108417982B (zh) | 天线的封装结构及封装方法 | |
CN108336494B (zh) | 天线的封装结构及封装方法 | |
US11699840B2 (en) | Antenna package structure and antenna packaging method | |
US10886594B2 (en) | Packaging structure and packaging method for antenna | |
US11488915B2 (en) | Antenna package structure and antenna packaging method | |
US11283152B2 (en) | Antenna package structure and antenna packaging method | |
CN207852654U (zh) | 具有天线组件的半导体封装结构 | |
CN112713097A (zh) | 天线封装结构及封装方法 | |
CN112713098A (zh) | 天线封装结构及封装方法 | |
CN208336188U (zh) | 天线的封装结构 | |
CN112599499B (zh) | 天线封装结构及封装方法 | |
CN209880604U (zh) | 一种封装结构 | |
CN109768032B (zh) | 天线的封装结构及封装方法 | |
CN109888458B (zh) | 天线封装结构、封装方法及外接天线连接方法 | |
CN211088260U (zh) | 天线的封装结构 | |
CN210692485U (zh) | 天线封装结构 | |
CN210224005U (zh) | 一种扇出型天线封装结构 | |
CN110060983B (zh) | 天线封装结构及封装方法 | |
CN112259954A (zh) | 封装天线模组及其制备方法 | |
CN112289766A (zh) | 封装天线模组及其制备方法 | |
CN114975140B (zh) | 一种扇出型封装结构及其制作方法 | |
CN110854107A (zh) | 扇出型天线封装结构及封装方法 | |
CN210040521U (zh) | 封装天线模组 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: No.78 Changshan Avenue, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province (place of business: No.9 Dongsheng West Road, Jiangyin City) Applicant after: Shenghejing micro semiconductor (Jiangyin) Co.,Ltd. Address before: No.78 Changshan Avenue, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: SJ Semiconductor (Jiangyin) Corp. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |