TW201642331A - 圓形劈裂方法 - Google Patents
圓形劈裂方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201642331A TW201642331A TW104116400A TW104116400A TW201642331A TW 201642331 A TW201642331 A TW 201642331A TW 104116400 A TW104116400 A TW 104116400A TW 104116400 A TW104116400 A TW 104116400A TW 201642331 A TW201642331 A TW 201642331A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- file
- wafer
- length
- edge
- files
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
本發明為一種圓形劈裂方法,其主要係運用在半導體之晶圓上,透過於晶圓上方處設有複數劈刀,並依據晶圓外緣處之安全距離值或鐵環內緣處之安全距離值來設定更換劈刀之條件步驟,使能預防劈刀在進行劈裂時不會切到外框而無法完成劈裂晶圓之動作,以具有提高產能良率之效能者。
Description
本發明係有關於一種圓形劈裂方法,尤指一種可藉由設定更換劈刀之條件步驟,使具有提高產能良率之效能,而適用於晶圓(Wafer)劈裂製程或類似之製程者。
目前的半導體產業中,該晶圓(Wafer)經製造完成後都需要進行劈裂製程,以將晶圓劈裂成一顆一顆的晶粒,以便後續進行封裝作業。
然,目前產業上所使用的劈裂製程乃是將晶圓裝在更大尺寸的承載圓盤中,如12吋晶圓,就會用16吋的承載圓盤來裝載,以防止劈刀在劈裂時,會切到承載圓盤的外框,造成劈刀損傷及晶圓無法一次完成劈裂,使工時增加外,其晶圓的良率也無法提高。
另,隨著晶圓的尺吋的擴大,均需準備更大的承載圓盤,非常不符經濟效益。
因此,本發明人有鑑於上述缺失,期能提出一種變更劈刀條件的圓形劈裂方法,令使用者可輕易操作組裝,乃潛心研思、設計組製,以提供使用者便利性,為本發明人所欲研發之發明動機者。
本發明之主要目的,在於提供一種圓形劈裂方法,其主要係運用在半導體之晶圓上,透過於晶圓上方處設有複數劈刀,並依據晶圓外
緣處之安全距離值或鐵環內緣處之安全距離值來設定更換劈刀之條件步驟,使能預防劈刀在進行劈裂時不會切到外框而無法完成劈裂晶圓之動作,以具有提高產能良率之效能,進而增加整體之實用性者。
本發明之另一目的,在於提供一種圓形劈裂方法,透過複數劈刀係細分為5種長度,而複數劈刀依長短分別設有第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀,且於(b)步驟中進行劈裂時乃依順序為第五劈刀、第四劈刀、第三劈刀、第二劈刀、第一劈刀、第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀,使能根據晶圓外緣處或鐵環內緣處所設定的安全距離值來進行更換劈刀之程序,讓劈刀能隨著晶圓長度或鐵環內緣長度的變化而更換適當之劈刀,進而增加整體之安全性者。
為達上述目的,本發明之圓形劈裂方法主要有兩種,第一種係設有一鐵環,該鐵環內係置有晶圓,而於晶圓外緣處係設有安全距離值,且於晶圓上方處設有複數劈刀,該複數劈刀之長度係各有不同,其主要劈裂步驟為如下:(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(c)在劈裂過程中其劈刀長度與晶圓長度之差異需低於安全距離值;以及(d)當劈刀長度與晶圓長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者。或者是第二種係設有一鐵環,該鐵環內係置有晶圓,而於鐵環內緣處係設有安全距離值,且於晶圓上方處設有複數劈刀,該複數劈刀之長度係各有不同,其主要劈裂步驟為如下:(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(c)在劈裂過程中其鐵環內緣長度與劈刀長度之差異需低於安全距離值;以及(d)當鐵環內緣長度與劈刀長度之差異大於安全距離
值時,即進行更換劈刀者。
為了能夠更進一步瞭解本發明之特徵、特點和技術內容,請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖,惟所附圖式僅提供參考與說明用,非用以限制本發明。
10‧‧‧晶圓(Wafer)
11‧‧‧外緣
20‧‧‧劈刀
21‧‧‧第一劈刀
22‧‧‧第二劈刀
23‧‧‧第三劈刀
24‧‧‧第四劈刀
25‧‧‧第五劈刀
26‧‧‧刀邊
30‧‧‧鐵環
31‧‧‧外緣
32‧‧‧內緣
40‧‧‧安全距離值
50‧‧‧安全距離值
S100‧‧‧(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心
S110‧‧‧(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂
S120‧‧‧(c)在劈裂過程中其劈刀長度與晶圓長度之差異需低於安全距離值
S130‧‧‧(d)當劈刀長度與晶圓長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者
S200‧‧‧(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心
S210‧‧‧(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂S220‧‧‧(c)在劈裂過程中其鐵環內緣長度與劈刀長度之差異需低於安全距離值
S230‧‧‧(d)當鐵環內緣長度與劈刀長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者
第1圖係為本發明之第一種步驟的平面架構示意圖。
第2圖係為本發明之第一種步驟流程示意圖。
第3圖係為本發明之第二種步驟的平面架構示意圖。
第4圖係為本發明之第二種步驟流程示意圖。
請參閱第1~4圖,係為本發明實施例之示意圖,而本發明之圓形劈裂方法主要係運用在晶圓(Wafer)10劈裂製程上,透過下列劈裂步驟能預防劈刀20在進行劈裂時不會切到鐵環30外框而無法完成劈裂晶圓10之動作,以具有提高產能良率之效能。
而本發明之圓形劈裂方法主要有兩種,第一種係為設有一鐵環30,該鐵環30內係置有晶圓(Wafer)10,而以12吋晶圓(300mm)10為例,其鐵環30的外緣31係為16吋(400mm),另鐵環30的內緣32則為14吋(350mm),使晶圓(Wafer)10能剛好置放於鐵環30內(如第1圖所示)。
再者,於晶圓10上方處設有複數劈刀20,該複數劈刀20之長度係各有不同,而該複數劈刀20係細分為五種長度,並依長短分
別設有第一劈刀21、第二劈刀22、第三劈刀23、第四劈刀24、第五劈刀25,該第一劈刀21長度最長,而第五劈刀25長度最短,且該劈刀20擺放位置乃由晶圓10中心處以相等距離來向外依序擺放,其中第一劈刀21之擺放位置乃最接近晶圓10中心處,而第五劈刀25之擺放位置則離晶圓10中心處最遠乃為晶圓10之側邊處(如第1圖所示)。
另本發明乃於晶圓(Wafer)10外緣11處係設有安全距離值40,該安全距離值40乃為晶圓10外緣11處至劈刀20刀邊26處之距離,而其主要劈裂步驟乃首先進行的步驟S100為(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(如第2圖所示)首先,將複數劈刀20之尺寸對稱於晶圓10之圓心,使每一把劈刀20劈在晶圓10時能完整將晶圓10劈裂,而不會出現只有劈裂一半的情形發生,而完成上述步驟S100後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S110為(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(如第2圖所示)而該進行劈裂時乃透過複數劈刀20由晶圓10之下緣處往晶圓10之上緣處依順序進行劈裂,且其使用複數劈刀20的順序為第五劈刀25、第四劈刀24、第三劈刀23、第二劈刀22、第一劈刀21、第一劈刀21、第二劈刀22、第三劈刀23、第四劈刀24、第五劈刀25,使劈刀20能配合切割的晶圓10長度來進行更換,而完成上述步驟S110後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S120為(c)在劈裂過程中其劈刀長度與晶圓長度之差異需低於安全距離值;(如第2圖所示)而為了能完全將晶圓10劈裂,因此,在劈裂的過程中其劈刀20長度與晶圓10長度
之差異需低於安全距離值40,舉例來說,當晶圓10長度為300mm,其劈刀20長度為320mm,而該安全距離值40設為11mm(晶圓10外緣11處至劈刀20刀邊26處之距離)時,該劈刀20長度320mm減晶圓10長度300mm為20mm再除以2(兩邊)各等於10mm則未超過所設定的安全距離值40,使能將晶圓10完全劈裂,而完成上述步驟S120後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S130為(d)當劈刀長度與晶圓長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者;(如第2圖所示)而為了預防劈刀20長度過長在劈裂時會劈到鐵環30,因此,在劈裂的過程中當劈刀20長度與晶圓10長度之差異大於安全距離值40時,即進行更換劈刀20,舉例來說,當劈裂完晶圓10長度為300mm後,要進行劈裂晶圓10長度為250mm時,如用原來之劈刀20(長度為320mm)來進行劈裂,則容易因劈刀20長度320mm減去晶圓10長度250mm為70mm再除以2(兩邊)各等於35mm而超出設定的安全距離值40為11mm(晶圓10外緣11處至劈刀20刀邊26處之距離),讓劈刀20長度因太長而容易劈到鐵環30,而無法完成劈裂晶圓10之動作,因此,要進行更換劈刀20長度為270mm,當劈刀20長度270mm減晶圓10長度250mm為20mm再除以2(兩邊)各等於10mm則未超過所設定的安全距離值40,使能將晶圓10完全劈裂。
而本發明之圓形劈裂方法的第二種乃設有一鐵環30,該鐵環30內係置有晶圓(Wafer)10,而以12吋晶圓(300mm)10為例,其鐵環30的外緣31係為16吋(400mm),另鐵環30的內緣32則為14吋
(350mm),使晶圓(Wafer)10能剛好置放於鐵環30內(如第3圖所示)。
另於晶圓10上方處設有複數劈刀20,該複數劈刀20之長度係各有不同,而該複數劈刀20係細分為五種長度,並依長短分別設有第一劈刀21、第二劈刀22、第三劈刀23、第四劈刀24、第五劈刀25,該第一劈刀21長度最長,而第五劈刀25長度最短,且該劈刀20擺放位置乃由晶圓10中心處以相等距離來向外依序擺放,其中第一劈刀21之擺放位置乃最接近晶圓10中心處,而第五劈刀25之擺放位置則離晶圓10中心處最遠乃為晶圓10之側邊處(如第3圖所示)。
而本發明乃於鐵環30內緣32處係設有安全距離值50,該安全距離值50乃為鐵環30內緣32處至劈刀20刀邊26處之距離,而其主要劈裂步驟乃首先進行的步驟S200為(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(如第4圖所示)首先,將複數劈刀20之尺寸對稱於晶圓10之圓心,使每一把劈刀20劈在晶圓10時能完整將晶圓10劈裂,而不會出現只有劈裂一半的情形發生,而完成上述步驟S200後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S210為(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(如第4圖所示)而該進行劈裂時乃透過複數劈刀20由晶圓10之下緣處往晶圓10之上緣處依順序進行劈裂,且其使用複數劈刀20的順序為第五劈刀25、第四劈刀24、第三劈刀23、第二劈刀22、第一劈刀21、第一劈刀21、第二劈刀22、第三劈刀23、第四劈刀24、第五劈刀25,使劈刀20能配合切割的晶圓10長度來進行更換,而完成上述步驟S210後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S220為(c)在劈裂過程中其鐵環內緣長度與劈刀長度之差異需低於安全距離值;(如第4圖所示)而為了能完全將晶圓10劈裂,因此,在劈裂的過程中其劈刀20長度與鐵環30內緣32長度之差異需低於安全距離值50,舉例來說,當晶圓10長度250mm,而其鐵環30內緣32長度為280mm,其劈刀20長度為270mm,而該安全距離值50設為11mm(鐵環30內緣32處至劈刀20刀邊26處之距離)時,該鐵環30內緣32長度280mm減劈刀20長度270mm為10mm再除以2(兩邊)各等於5mm則未超過所設定的安全距離值50,使能將晶圓10完全劈裂,而完成上述步驟S220後即進行下一步。
另,下一步進行的步驟S230為(d)當鐵環內緣長度與劈刀長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者;(如第4圖所示)而為了預防劈刀20長度太短而無法完全將晶圓10進行劈裂,因此,在劈裂的過程中當鐵環30內緣32長度與劈刀20長度之差異大於安全距離值50時,即進行更換劈刀20,舉例來說,當劈裂完晶圓10長度為250mm後,欲進行劈裂晶圓10長度為300mm時,其鐵環30內緣32長度為340mm時,如用原來之劈刀20(長度為270mm)來進行劈裂,則容易因鐵環30內緣32長度340mm減去原劈刀20長度270mm為70mm再除以2(兩邊)各等於35mm而超出設定的安全距離值50為11mm(鐵環30內緣32處至劈刀20刀邊26處之距離),讓劈刀20長度因太短而容易無法完全將晶圓10進行劈裂,因此,要進行更換劈刀20長度為320mm,當鐵環30內緣32長度340mm減去劈刀20長度320mm為20mm再除以2(兩邊)各等於10mm則未超過所設定的安全距離值50,使能將晶圓10完全
劈裂。
藉此,使本發明能根據晶圓10外緣11處或鐵環30內緣32處所設定的安全距離值40、50來進行更換劈刀20之程序,讓劈刀20能隨著晶圓10長度或鐵環30內緣32長度的變化而更換適當之劈刀20,進而增加整體之安全性者。
由以上詳細說明,可使熟知本項技藝者明瞭本發明的確可達成前述目的,實已符合專利法之規定,爰提出發明專利申請。
惟以上所述者,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍;故,凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾,皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
10‧‧‧晶圓(Wafer)
11‧‧‧外緣
20‧‧‧劈刀
21‧‧‧第一劈刀
22‧‧‧第二劈刀
23‧‧‧第三劈刀
24‧‧‧第四劈刀
25‧‧‧第五劈刀
26‧‧‧刀邊
30‧‧‧鐵環
31‧‧‧外緣
32‧‧‧內緣
40‧‧‧安全距離值
Claims (6)
- 一種圓形劈裂方法,係設有一鐵環,該鐵環內係置有晶圓,而於晶圓外緣處係設有安全距離值,且於晶圓上方處設有複數劈刀,該複數劈刀之長度係各有不同,其主要劈裂步驟為如下:(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(c)在劈裂過程中其劈刀長度與晶圓長度之差異需低於安全距離值;以及(d)當劈刀長度與晶圓長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者。
- 如申請專利範圍第1項所述之圓形劈裂方法,其中該複數劈刀係進一步細分為5種長度,而複數劈刀依長短分別設有第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀,且於(b)步驟中進行劈裂時乃依順序為第五劈刀、第四劈刀、第三劈刀、第二劈刀、第一劈刀、第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀者。
- 如申請專利範圍第1項所述之圓形劈裂方法,其中該晶圓外緣處之安全距離值係進一步為晶圓外緣處至劈刀刀邊處之距離者。
- 一種圓形劈裂方法,係設有一鐵環,該鐵環內係置有晶圓,而於鐵環內緣處係設有安全距離值,且於晶圓上方處設有複數劈刀,該複數劈刀之長度係各有不同,其主要劈裂步驟為如下:(a)將複數劈刀之尺寸對稱於晶圓之圓心;(b)並由晶圓之下緣處往晶圓之上緣處依順序進行劈裂;(c)在劈裂過程中其鐵環內緣長度與劈刀長度之差異需低於安全距離 值;以及(d)當鐵環內緣長度與劈刀長度之差異大於安全距離值時,即進行更換劈刀者。
- 如申請專利範圍第4項所述之圓形劈裂方法,其中該複數劈刀係進一步細分為5種長度,而複數劈刀依長短分別設有第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀,且於(b)步驟中進行劈裂時乃依順序為第五劈刀、第四劈刀、第三劈刀、第二劈刀、第一劈刀、第一劈刀、第二劈刀、第三劈刀、第四劈刀、第五劈刀者。
- 如申請專利範圍第4項所述之圓形劈裂方法,其中該鐵環內緣處之安全距離值係進一步為鐵環內緣處至劈刀刀邊處之距離者。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104116400A TWI566290B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | Circular splitting method |
JP2015133843A JP6144299B2 (ja) | 2015-05-22 | 2015-07-02 | 円形分割方法 |
US14/803,098 US20160339603A1 (en) | 2015-05-22 | 2015-07-19 | Method for splitting circles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104116400A TWI566290B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | Circular splitting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201642331A true TW201642331A (zh) | 2016-12-01 |
TWI566290B TWI566290B (zh) | 2017-01-11 |
Family
ID=57325012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104116400A TWI566290B (zh) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | Circular splitting method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160339603A1 (zh) |
JP (1) | JP6144299B2 (zh) |
TW (1) | TWI566290B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115139419A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-10-04 | 深圳市青虹激光科技有限公司 | 晶圆裂片加工方法、晶圆加工设备及存储介质 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112895183B (zh) * | 2021-01-20 | 2022-08-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种裂片装置 |
CN115122513A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-30 | 深圳市青虹激光科技有限公司 | 晶圆加工方法、设备及存储介质 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126760A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Seiko Epson Corp | Dicing unit |
JPH0436887Y2 (zh) * | 1987-03-31 | 1992-08-31 | ||
JPH02190310A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物切削方法及び切削ブレード |
JPH02288251A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-28 | Nec Corp | 半導体ウェーハの切断方法 |
US5718615A (en) * | 1995-10-20 | 1998-02-17 | Boucher; John N. | Semiconductor wafer dicing method |
JP2000031096A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-28 | Motorola Inc | 基板を切断する方法 |
US6165051A (en) * | 1998-10-29 | 2000-12-26 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Monitoring system for dicing saws |
JP2001085360A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Lintec Corp | 電子部品の貼着方法およびそのための粘着テープの切り込み形成方法 |
JP2002246338A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ハブブレード及びマルチブレード |
US6962147B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-11-08 | Micron Technology Inc | Dicing saw blade positioning apparatus and methods independent of blade thickness via constrained biasing elements |
JP2004303883A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005101290A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの分割方法 |
US7396484B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-07-08 | Becton, Dickinson And Company | Methods of fabricating complex blade geometries from silicon wafers and strengthening blade geometries |
CN102276139B (zh) * | 2004-07-16 | 2014-08-06 | 三星钻石工业股份有限公司 | 刀轮及其制造方法、手动划线工具及划线装置 |
JP2006253441A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Kumamoto Univ | ブレード加工方法 |
JP2006286694A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Murata Mfg Co Ltd | ダイシング装置およびダイシング方法 |
JP4933233B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-05-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
TW201306104A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-02-01 | Lextar Electronics Croportion | 晶粒分離製程及其裝置 |
CN103302753B (zh) * | 2012-03-06 | 2015-08-19 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 玻璃晶圆切割方法 |
CN103481381B (zh) * | 2012-06-12 | 2016-03-30 | 清华大学 | 脆性片状结构的切割方法 |
JP6366351B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2015
- 2015-05-22 TW TW104116400A patent/TWI566290B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-02 JP JP2015133843A patent/JP6144299B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-19 US US14/803,098 patent/US20160339603A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115139419A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-10-04 | 深圳市青虹激光科技有限公司 | 晶圆裂片加工方法、晶圆加工设备及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160339603A1 (en) | 2016-11-24 |
TWI566290B (zh) | 2017-01-11 |
JP2016219764A (ja) | 2016-12-22 |
JP6144299B2 (ja) | 2017-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI548504B (zh) | Slicing method of semiconductor single crystal ingot | |
TWI566290B (zh) | Circular splitting method | |
SG11201811636RA (en) | Method and Apparatus for Resuming the Wire Sawing Process of a Workpiece after an Unplanned Interruption | |
WO2012178059A3 (en) | Etching a laser-cut semiconductor before dicing a die attach film (daf) or other material layer | |
CN102350743A (zh) | 切片用硅晶棒加工方法 | |
CN105448648A (zh) | 一种晶片流片方法 | |
JP2007081131A (ja) | 単結晶ウエハ及びそれを用いたエピタキシャル成長用基板 | |
JP2015222766A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットのワイヤー加工方法 | |
CN106113297A (zh) | 一种多晶循环料的处理方法 | |
US20130217310A1 (en) | Wafer Processing Equipment | |
CN103545254A (zh) | 晶圆片激光加工方法 | |
JP2013161944A (ja) | ダイシング方法 | |
TW201446454A (zh) | 將固體原材料製成之固體塊倒圓的方法,以及以此種方法製成的固體產品 | |
JP6185792B2 (ja) | 半導体ウエハの分断方法 | |
JP5726061B2 (ja) | ウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
CN202181292U (zh) | 一种采用二段分离方式的废砂浆在线回收设备 | |
CN105033659A (zh) | 一种全自动环规加工设备 | |
CN105235079A (zh) | 一种多线切割机硅片分切模具 | |
JP6236348B2 (ja) | 加工方法 | |
JP2015153999A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
CN104064444A (zh) | 半导体晶片的制造方法及半导体晶片 | |
CN103692021A (zh) | 多刀刃切削刀具 | |
CN105756915B (zh) | 一种切割环及其加工方法 | |
CN104505442B (zh) | 一种led外延片的切裂方法 | |
JP5886522B2 (ja) | ウェーハ生産方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |