JP2002246338A - ハブブレード及びマルチブレード - Google Patents

ハブブレード及びマルチブレード

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JP2002246338A
JP2002246338A JP2001043408A JP2001043408A JP2002246338A JP 2002246338 A JP2002246338 A JP 2002246338A JP 2001043408 A JP2001043408 A JP 2001043408A JP 2001043408 A JP2001043408 A JP 2001043408A JP 2002246338 A JP2002246338 A JP 2002246338A
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cutting
blade
hub
thickness
circular base
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Kazuma Sekiya
一馬 関家
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブレードを複数枚用いた切削において、効率
的かつ高精度な切削を可能とする。 【解決手段】 第一の側面24b(25b、26b)か
ら第二の側面24c(25c、26c)に至る厚みを有
する円形基台24a(25a、26a)と、第一の側面
24b(25b、26b)の外周に形成された切り刃部
24d(25d、26d)と、円形基台24a(25
a、26a)の中心部に形成され切削手段20を構成す
るスピンドル23に嵌入される開口部24e(25e、
26e)とから構成され、円形基台24a(25a、2
6a)の厚みは、被加工物の切り出し寸法Dに合致する
ように所定厚さに形成されており、第二の側面24c
(25c、26c)の外径は、第一の側面24b(25
b、26b)の空き領域24g(25g、26g)の外
径より小さく形成されたハブブレード24、25、26
及びこれらを組み付けたマルチブレード21を提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の板状物の切削に用いるブレードに関し、特に切り刃部
と円形基台とが一体となったハブブレード及びこれを複
数組み付けたマルチブレードに関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、LSI等の回路が形成された半
導体チップをマトリクス状に共通の基板上に配置し、全
体を樹脂で封止して板状に形成したCSP(Chip Size P
ackage)基板は、切削装置によって個々のCSPに分割
され、元の半導体チップのサイズに近い大きさのデバイ
スとして出荷され、携帯電話機、ノートブック型コンピ
ュータ等の小型化、薄型化、軽量化のニーズが大きい機
器に搭載される。
【0003】上記CSP基板は、単一の切削ブレードを
備えた切削装置によって切削されるが、隣り合うチップ
領域を区画する切削ラインを1本ずつ個別に切削してい
くため、生産性が比較的低いという問題があった。
【0004】そこで、図6に示すように、複数のワッシ
ャーブレード31、32、33、34のうち、隣り合う
もの同士の間隔と被加工物41の切削ラインの間隔D1
とが合致するように、複数のワッシャーブレード31、
32、33、34を、スペーサ35、36、37を介在
させて円柱状のスピンドル38に取り付け、フランジ3
9及びナット40によって固定した構成のマルチブレー
ド30を構成し、このマルチブレード30を高速回転さ
せて被加工物41の複数の切削ラインを同時に切削する
ことによって生産性の向上を図ることも試みられてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記マ
ルチブレード30を構成する個々のワッシャーブレード
31、32、33、34は、ダイヤモンド等の砥粒のレ
ジンボンド等による混練または電着によって形成されて
いるため、製造段階において電着液の濃度や温度、電着
時間、砥粒の混入量等を厳密に管理しても、形状や寸法
に誤差のない全く同一のワッシャーブレードを複数製造
することは困難であり、ワッシャーブレードの厚みは必
ずしも一定であるとはいえず、現実には個々に多少のバ
ラツキがある。
【0006】従って、スペーサ35、36、37の厚み
を誤差なく高精度に形成しても、実際には個々のワッシ
ャーブレードがストリートの位置に合致しない場合があ
り、この場合は高精度な切削ができないという問題があ
る。
【0007】また、一体型ブレードのように、予め形成
された一体型の円形基台に複数の切り刃部を形成して構
成したものもあるが、一体型ブレードは、製造前に予め
切り刃部の数や間隔が決められてしまうため、被加工物
に合わせて切り刃部の数等を調整する等の柔軟な対応が
できないという問題がある。
【0008】従って、ブレードを複数枚用いた切削にお
いては、高精度な切削を可能とすると共に、柔軟かつ効
率的に切削を行うことに課題を有している。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持する保持
手段と、保持手段に保持された被加工物を切削する切削
手段とを少なくとも備えた切削装置の切削手段に使用さ
れるハブブレードであって、ハブブレードは、第一の側
面から第二の側面に至る厚みを有し第一の側面には切り
刃部支持領域と空き領域とが形成されている円形基台
と、切り刃部支持領域に形成された切り刃部と、円形基
台の中心部に形成され切削手段を構成するスピンドルに
嵌入される開口部とから構成されており、円形基台の厚
みは、被加工物の切り出し寸法に合致するように所定厚
さに形成されており、第二の側面の外径は、第一の側面
の空き領域の外径より小さく形成されたハブブレードを
提供する。
【0010】また本発明は、被加工物を保持する保持手
段と、保持手段に保持された被加工物を切削する切削手
段とを少なくとも備えた切削装置の該切削手段に使用さ
れるハブブレードを複数組み付けて構成されるマルチブ
レードであって、ハブブレードは、第一の側面から第二
の側面に至る厚みを有し第一の側面には切り刃部支持領
域と空き領域とが形成されている円形基台と、切り刃部
支持領域に形成された切り刃部と、円形基台の中心部に
形成され切削手段を構成するスピンドルに嵌入される開
口部とから構成されており、円形基台の厚みは、被加工
物の切り出し寸法に合致するように所定厚さに形成さ
れ、第二の側面の外径は、第一の側面の空き領域の外径
より小さく形成されており、一のハブブレードの円形基
台の第一の側面と他のハブブレードの円形基台の第二の
側面とが対峙するように2以上のハブブレードの開口部
をスピンドルに嵌入して固定した際、第二の側面が第一
の側面の切り刃部支持領域に形成された切り刃部と接触
することなく第一の側面の空き領域と密着し、2以上の
ハブブレードを構成する隣り合う切り刃部間の間隔が各
ハブブレードの円形基台の厚みと一致するマルチブレー
ドを提供する。
【0011】上記のように構成されるハブブレードによ
れば、円形基台の厚みが被加工物の切り出し寸法に合致
していると共に、ハブブレードの構造上切り刃部には他
のハブブレードの円形基台が接触しないため、隣り合う
切り刃部と切り刃部との間隔は高精度に切り出し寸法に
合致し、高精度な切削が可能なマルチブレードを構成す
ることができる。
【0012】また、上記のように構成されるマルチブレ
ードによれば、ハブブレードを何枚重ねても切り刃部の
厚みのバラツキに起因する誤差の累積がないため切り刃
部と切り刃部との間隔は高精度に切り出し寸法に合致
し、更に切り刃部の数を必要に応じて自由に調整するこ
とができるため、高精度かつ効率的な切削が可能とな
る。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例とし
て、図1に示す切削装置10に用いられるハブブレード
及び及びそのハブブレードを複数組み付けて構成される
マルチブレードについて説明する。
【0014】図1に示す切削装置10において、例えば
半導体ウェーハWを切削して個々の半導体チップとする
場合は、切削しようとする半導体ウェーハWは、保持テ
ープTを介してフレームFと一体となった状態でカセッ
ト11に収容される。
【0015】ここで、図2に示すように、半導体ウェー
ハWの表面には、所定間隔を置いて格子状に配列された
複数の切削ラインであるストリートSが存在し、ストリ
ートSによって区画された多数の矩形領域には回路パタ
ーンが施されている。そして、ストリートSを切削する
ことにより、各矩形領域が半導体チップCとなる。な
お、ストリート間隔(切り出し寸法)をDとする。
【0016】図1を参照して説明を続けると、カセット
11に収容された半導体ウェーハWは、搬出入手段12
によって1枚ずつ仮置き領域13に搬出され、更に搬送
手段14によってチャックテーブル15に搬送され、チ
ャックテーブル15において吸引保持される。
【0017】チャックテーブル15はX軸方向に移動可
能となっており、チャックテーブル15が半導体ウェー
ハWを保持した状態で+X方向に移動すると共に、アラ
イメント手段16がY軸方向に移動することにより、半
導体ウェーハWの表面がアライメント手段16によって
撮像され、切削すべき被切削領域であるストリートが検
出される。
【0018】また、アライメント手段16と連動して切
削手段20がY軸方向に移動するため、切削手段20を
構成するマルチブレード21と切削しようとするストリ
ートとのY軸方向の位置合わせがなされる。
【0019】図3に示すように、切削手段20は、スピ
ンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22に
よって回転可能に支持されその先端部にブレードマウン
タ23aが形成されたスピンドル23と、ブレードマウ
ンタ23aに装着される複数のハブブレード24、2
5、26と、装着された複数のハブブレード24、2
5、26を固定するナット27とから構成される。
【0020】ハブブレード24、25、26は同様に構
成されるため、ここではハブブレード24を例に挙げて
図3及び図4を参照して説明すると、ハブブレード24
には、所定の厚さの円形基台24aが形成されており、
この円形基台24aは、図3のハブブレード24を裏側
から見た状態を示した図4に示す第一の側面24b及び
図3に示す第二の側面24cとを有している。
【0021】図2において拡大して示すように、円形基
台24aの第一の側面24bは、切り刃部24dが形成
される切り刃部支持領域24fと、図4に示すその内側
の空き領域24gとから構成されており、切り刃部支持
領域24fには図示する状態で切り刃部24dが形成さ
れている。また、中心部には、スピンドル23の軸心方
向に貫通する開口部24eが形成されている。
【0022】円形基台24aにおいては、段差を設ける
ことにより第一の側面24bの空き領域24gの外径L
1(切り刃部24dの内径と等しい)と第二の側面の外
径L2とが異なるように形成されており、L1>L2の
関係が成立する。そして、円形基台24aの厚みは第一
の側面24bから第二の側面24cに至るまでの長さで
ある。
【0023】切り刃部24dは、ダイヤモンド等の砥粒
を電着によって円形基台24aと一体に形成されてお
り、切り刃部24dの厚さには、製造時において個々の
ハブブレードごとに若干のバラツキが発生する場合があ
る。
【0024】このように形成された複数(図示の例では
3つ)のハブブレード24、25、26のそれぞれの開
口部24e、25e、26eを、図3に示した如くブレ
ードマウンタ23aの円柱部23bに嵌入し、ナット2
7を被螺合部23cに螺合させて締め付けると、図5に
示すように、ひとつのスピンドル23に3つのハブブレ
ード24、25、26が装着された構成のマルチブレー
ド21が形成される。
【0025】マルチブレード21においては、図2にお
いて拡大して示すように、ハブブレード24の第一の側
面24bの空き領域24gはマウンタ23bの当接面2
3dに密着し、ハブブレード25の第一の側面25bの
空き領域25gはハブブレード24の第二の側面24c
に密着し、ハブブレード26の第一の側面26bの空き
領域26gはハブブレード25の第二の側面25cに密
着する。
【0026】ここで、ハブブレード24とハブブレード
25との関係については、ハブブレード24の第二の側
面24cの外径L2はハブブレード25の第一の側面2
5bの空き領域25gの外径L1より小さいため、ハブ
ブレード24の第二の側面24cは、空き領域25gに
おいてハブブレード25の第一の側面25bのみと密着
し、切り刃部25dはハブブレード24の第二の側面2
4cとは接触しない。従って、切り刃部25dの厚みに
バラツキがあってもハブブレード24とハブブレード2
5との密着状態には全く影響しない。
【0027】同様に、ハブブレード25とハブブレード
26との関係については、ハブブレード25の第二の側
面25cの外径L2はハブブレード26の第一の側面2
6bの空き領域26gの外径L1より小さいため、ハブ
ブレード25の第二の側面25bは、空き領域26gに
おいてハブブレード26の第一の側面26bのみと密着
し、切り刃部26dはハブブレード25の第二の側面2
5cとは接触しない。従って、切り刃部25dの厚みに
バラツキがあってもハブブレード25とハブブレード2
6との密着状態には全く影響しない。
【0028】このように構成されるマルチブレード21
を用いて図2に示した半導体ウェーハWのストリートを
切削する場合は、例えば図示したようにハブブレード2
4の切り刃部24dを最も端部のストリートS1に位置
合わせする。そして、各円形基台24a、25a、26
aの厚みを図2に示した半導体ウェーハWに形成された
ストリートSのストリート間隔Dと一致するようにして
おけば、切り刃部25d及び切り刃部26dもストリー
トS2、S3にそれぞれ自動的に位置合わせされる。
【0029】図1に基づいて説明を続けると、こうして
位置合わせがされた後は、チャックテーブル15が+X
方向に移動すると共に、高速回転するマルチブレード2
1が半導体ウェーハWに作用し、ストリートS1、S
2、S3が同時に切削される。
【0030】そして、順次ストリート間隔(切り出し寸
法)の3倍、即ち3Dだけ切削手段20を+Y方向に割
り出し送りしながら上記と同様の切削を行うと、ストリ
ートが3本ずつ切削され、極めて効率よく切削が行われ
る。
【0031】また、各円形基台の厚みが被加工物の切り
出し寸法に合致していると共に、ハブブレードの構造上
切り刃部には他のハブブレードの円形基台が接触しない
ため、隣り合う切り刃部と切り刃部との間隔は高精度に
切り出し寸法に合致し、高精度な切削が可能なマルチブ
レードを構成することができ、高精度に切削を行うこと
ができる。
【0032】更に、円形基台がスペーサとしての役割を
果たすことで、従来必要であったスペーサが不要となる
が、ハブブレードの第二の側面の外径と略同じで第一の
側面の空き領域の外径より小さい外径のスペーサを介在
させれば、適宜切り刃部の間隔を高精度に調整すること
も可能になる。
【0033】なお、本発明においてはハブブレードを3
つ備えたマルチブレードについて説明したが、ハブブレ
ードの数は任意であり、必要に応じてその数を調整する
ことができるため、被加工物の種類等に合わせて柔軟に
対応することができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るハブ
ブレードによれば、円形基台の厚みが被加工物の切り出
し寸法に合致していると共に、ハブブレードの構造上切
り刃部には他のハブブレードの円形基台が接触しないた
め、隣り合う切り刃部と切り刃部との間隔は高精度に切
り出し寸法に合致し、高精度な切削が可能なマルチブレ
ードを構成することができ、高精度に切削を行うことが
できる。
【0035】また、上記のように構成されるマルチブレ
ードによれば、ハブブレードを何枚重ねても切り刃部の
厚みのバラツキに起因する誤差の累積がないため、切り
刃部と切り刃部との間隔は高精度に切り出し寸法に合致
し、更に切り刃部の数を必要に応じて自由に調整するこ
とができると共に、破損したブレードを適宜交換でき
る。従って、高精度かつ効率的な切削が可能であり、生
産性が向上すると共に被加工物の品質も向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るハブブレード及びマルチブレード
が装着される切削装置の一例を示す斜視図である。
【図2】同ハブブレード及びマルチブレードと半導体ウ
ェーハを示す説明図である。
【図3】同ハブブレード及びマルチブレードが含まれる
切削手段を示す分解斜視図である。
【図4】同ハブブレードを示す斜視図である。
【図5】同ハブブレード及びマルチブレードが装着され
た切削手段を示す斜視図である。
【図6】従来のマルチブレードを示す正面図である。
【符号の説明】
10…切削装置 11…カセット 12…搬出入手段 13…仮置き領域 14…搬送手段 15…チャックテーブル 16…アライメント手段 20…切削手段 21…マルチブレード 22…スピンドルハウジング 23…スピンドル 23a…ブレードマウンタ 23b…円柱部 23c…被螺合部 23d…当接面 24、25、26…ハブブレード 24a、25a、26a…円形基台 24b、25b、26b…第一の側面 24c、25c、26c…第二の側面 24d、25d、26d…切り刃部 24e、25e、26e…開口部 24f、25f、26f…切り刃部支持領域 24g、25g、26g…空き領域 27…ナット 30…マルチブレード 31、32、33、34…ワッシャーブレード 35、36、37…スペーサ 38…スピンドル 39…フランジ 40…ナット 41…被加工物

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物を保持する保持手段と、該保持
    手段に保持された被加工物を切削する切削手段とを少な
    くとも備えた切削装置の該切削手段に使用されるハブブ
    レードであって、 該ハブブレードは、第一の側面から第二の側面に至る厚
    みを有し該第一の側面には切り刃部支持領域と空き領域
    とが形成されている円形基台と、該切り刃部支持領域に
    形成された切り刃部と、該円形基台の中心部に形成され
    該切削手段を構成するスピンドルに嵌入される開口部と
    から構成されており、 該円形基台の厚みは、被加工物の切り出し寸法に合致す
    るように所定厚さに形成されており、 該第二の側面の外径は、該第一の側面の空き領域の外径
    より小さく形成されたハブブレード。
  2. 【請求項2】 被加工物を保持する保持手段と、該保持
    手段に保持された被加工物を切削する切削手段とを少な
    くとも備えた切削装置の該切削手段に使用されるハブブ
    レードを複数組み付けて構成されるマルチブレードであ
    って、 該ハブブレードは、第一の側面から第二の側面に至る厚
    みを有し該第一の側面には切り刃部支持領域と空き領域
    とが形成されている円形基台と、該切り刃部支持領域に
    形成された切り刃部と、該円形基台の中心部に形成され
    該切削手段を構成するスピンドルに嵌入される開口部と
    から構成されており、該円形基台の厚みは、被加工物の
    切り出し寸法に合致するように所定厚さに形成され、該
    第二の側面の外径は、該第一の側面の空き領域の外径よ
    り小さく形成されており、 一のハブブレードの円形基台の第一の側面と他のハブブ
    レードの円形基台の第二の側面とが対峙するように2以
    上のハブブレードの開口部を該スピンドルに嵌入して固
    定した際、該第二の側面が該第一の側面の切り刃部支持
    領域に形成された切り刃部と接触することなく該第一の
    側面の空き領域と密着し、該2以上のハブブレードを構
    成する隣り合う切り刃部間の間隔が各ハブブレードの円
    形基台の厚みと一致するマルチブレード。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003049165A1 (fr) * 2001-12-06 2003-06-12 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Procede de fabrication de dispositif optique et dispositif optique correspondant
JP2006286694A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Murata Mfg Co Ltd ダイシング装置およびダイシング方法
JP2016219764A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 久元電子股▲ふん▼有限公司 円形分割方法
CN107283657A (zh) * 2017-07-14 2017-10-24 合肥文胜新能源科技有限公司 硅片切割装置
CN107538630A (zh) * 2017-07-14 2018-01-05 合肥文胜新能源科技有限公司 一种用于硅片切割的装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003049165A1 (fr) * 2001-12-06 2003-06-12 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Procede de fabrication de dispositif optique et dispositif optique correspondant
US7109053B2 (en) 2001-12-06 2006-09-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for preparing optical device by dicing
JP2006286694A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Murata Mfg Co Ltd ダイシング装置およびダイシング方法
JP2016219764A (ja) * 2015-05-22 2016-12-22 久元電子股▲ふん▼有限公司 円形分割方法
CN107283657A (zh) * 2017-07-14 2017-10-24 合肥文胜新能源科技有限公司 硅片切割装置
CN107538630A (zh) * 2017-07-14 2018-01-05 合肥文胜新能源科技有限公司 一种用于硅片切割的装置

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