JPH02288251A - 半導体ウェーハの切断方法 - Google Patents
半導体ウェーハの切断方法Info
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- JPH02288251A JPH02288251A JP1110217A JP11021789A JPH02288251A JP H02288251 A JPH02288251 A JP H02288251A JP 1110217 A JP1110217 A JP 1110217A JP 11021789 A JP11021789 A JP 11021789A JP H02288251 A JPH02288251 A JP H02288251A
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- sheet
- cutting
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- wafer
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Links
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの切断方法に関する。
従来、半導体ウェーハを個々のペレットに分離する技術
の一つとして、切断用ブレードを用いる方法がある。
の一つとして、切断用ブレードを用いる方法がある。
第2図(a)〜(C)は従来の牛導体ウェーハの切断方
法を説明するための工程順に示した断面図である。
法を説明するための工程順に示した断面図である。
まず、第2図(a)に示すように、ポリエチレンや塩化
ビニール等の基材に接着剤層2を設けたシート1をステ
ンレス鋼等で作られた固定用フレーム4に貼付け、半導
体ウェーハ5の裏面を接着剤層2を利用してシート1に
貼付ける。
ビニール等の基材に接着剤層2を設けたシート1をステ
ンレス鋼等で作られた固定用フレーム4に貼付け、半導
体ウェーハ5の裏面を接着剤層2を利用してシート1に
貼付ける。
次に、第2図(b)に示すように、切断装置上に置き、
切断用ブレード6を用いて半導体ウェーハ5の表面から
裏面に達する切溝を入れる。
切断用ブレード6を用いて半導体ウェーハ5の表面から
裏面に達する切溝を入れる。
次に、第2図(c)に示すように、1ラインの切断が終
ると、ブレード6を上方に持上げ、次のラインの切断に
入る。
ると、ブレード6を上方に持上げ、次のラインの切断に
入る。
上述した従来のウェーハの切断方法は、ウェーハ上の1
ラインを切断装置のブレードによりウェーハ表面からシ
ート1迄完全切断した直後、ブレ−ド6は、第2図(b
)に示すようにシート2の上層部へ切り込んでおり、ブ
レード6が二方向で切断する。通常、スピードアップ可
能な往復モードにおいては、ブレードのZ軸位置が重要
であり、そのままの状態ではインデックス送り時にブレ
ード破損が生じる為、第2図(c)に示すように、必ら
ず1ライン各にシート上面へブレードが移動しなければ
ならず、その1ライン毎のZ軸移動時間によりブレード
が一方向で切断する片道モードとほぼ同スピードとなり
、シート迄切り込まないペレットの不完全切断方法(但
し、この方法はブレーキング工程が必要な為、後工程で
工数が増加する欠点がある。)に比べ約30%の工程能
力のダウンが生じ、設備投資を行なわなければならない
という欠点がある。
ラインを切断装置のブレードによりウェーハ表面からシ
ート1迄完全切断した直後、ブレ−ド6は、第2図(b
)に示すようにシート2の上層部へ切り込んでおり、ブ
レード6が二方向で切断する。通常、スピードアップ可
能な往復モードにおいては、ブレードのZ軸位置が重要
であり、そのままの状態ではインデックス送り時にブレ
ード破損が生じる為、第2図(c)に示すように、必ら
ず1ライン各にシート上面へブレードが移動しなければ
ならず、その1ライン毎のZ軸移動時間によりブレード
が一方向で切断する片道モードとほぼ同スピードとなり
、シート迄切り込まないペレットの不完全切断方法(但
し、この方法はブレーキング工程が必要な為、後工程で
工数が増加する欠点がある。)に比べ約30%の工程能
力のダウンが生じ、設備投資を行なわなければならない
という欠点がある。
また、Z軸移動速度の高速化にも限界があり、Z軸の位
置精度は重要で、無理な高速化を行なうと製品上チッピ
ング、欠けの増加や不完全切断が生じ、歩留を下げたり
、設備上、ブレード回転部のZ軸の精度の低下や異常発
生の原因となり、稼働率や工期へ支障を来たすこともあ
る。
置精度は重要で、無理な高速化を行なうと製品上チッピ
ング、欠けの増加や不完全切断が生じ、歩留を下げたり
、設備上、ブレード回転部のZ軸の精度の低下や異常発
生の原因となり、稼働率や工期へ支障を来たすこともあ
る。
本発明の半導体ウェーハの切断方法は、可撓性の高分子
有機樹脂製シートに半導体ウェーハ貼り付け部分とその
近傍に接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層に半導
体ウェーハを貼り付ける工程と、前記シートを固定用フ
レームに取付ける工程と、前記フレームごとウェーハ切
断装置に載置して前記半導体ウェーハを切断する工程と
を含んで構成される。
有機樹脂製シートに半導体ウェーハ貼り付け部分とその
近傍に接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層に半導
体ウェーハを貼り付ける工程と、前記シートを固定用フ
レームに取付ける工程と、前記フレームごとウェーハ切
断装置に載置して前記半導体ウェーハを切断する工程と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程瀬に示した断面図である。
めの工程瀬に示した断面図である。
第1図(a)に示すように、塩化ビニール、ポリエチレ
ン、ポリオレフィン系等の厚さ100μm前後のシート
1の上に貼り付けしようとするウェーハ5から一定の距
離の部分を除いて厚さ10μm程度の接着剤層2を設け
る。このシート1を固定用のフレーム4に貼り付ける。
ン、ポリオレフィン系等の厚さ100μm前後のシート
1の上に貼り付けしようとするウェーハ5から一定の距
離の部分を除いて厚さ10μm程度の接着剤層2を設け
る。このシート1を固定用のフレーム4に貼り付ける。
接着剤層2を設ける。このシート1を固定用フレーム4
に貼り付ける。接着剤層2のある部分にウェーハ5の裏
面を貼り付ける。
に貼り付ける。接着剤層2のある部分にウェーハ5の裏
面を貼り付ける。
次に、第1図(b)に示すように、このシート1をフレ
ーム4と共に切断装置ステージ上に真空吸着させ、切断
用ブレード4にて二方向がら往復モードでシートの切り
込み量が5μm程度となるようにブレード6の高さを設
定し、完全切断を行なう。
ーム4と共に切断装置ステージ上に真空吸着させ、切断
用ブレード4にて二方向がら往復モードでシートの切り
込み量が5μm程度となるようにブレード6の高さを設
定し、完全切断を行なう。
尚、インデックス送りの際は、ウェーハ外周部からフレ
ーム4までの間に接着剤層がないから、ブレード6のZ
軸の移動なしに次のカッティングラインまで移動するこ
とが出来、この為スピードダウンすることがない。また
、シート切り込み量は、ブレード磨耗量の実績値から計
算し、自動制御可能である。
ーム4までの間に接着剤層がないから、ブレード6のZ
軸の移動なしに次のカッティングラインまで移動するこ
とが出来、この為スピードダウンすることがない。また
、シート切り込み量は、ブレード磨耗量の実績値から計
算し、自動制御可能である。
ウェーハ貼り付けの際、シート中央部の接着剤層の大き
さのばらつきは破線で囲んだ部分7まで許容することが
出来る為、シートの精度は特に厳しく要求されず、また
ウェーハ貼り付け後のずれも多少緩和することができる
。
さのばらつきは破線で囲んだ部分7まで許容することが
出来る為、シートの精度は特に厳しく要求されず、また
ウェーハ貼り付け後のずれも多少緩和することができる
。
以上説明したように、本発明は、半導体ウェーハを貼り
付ける接着剤層をウェーハ貼付け部分に設け、その他の
部分に設けないようにしたので、ウェーハの1ライン切
断後切断用ブレードをそのままZ軸の移動なしに次のラ
インへインデックス送りが可能となり、従来に比べ約3
0%の切削時間の短縮が行なえるという効果がある。
付ける接着剤層をウェーハ貼付け部分に設け、その他の
部分に設けないようにしたので、ウェーハの1ライン切
断後切断用ブレードをそのままZ軸の移動なしに次のラ
インへインデックス送りが可能となり、従来に比べ約3
0%の切削時間の短縮が行なえるという効果がある。
また、シート中央部分からシート固定用フレームの間に
は、ブレードが接着剤層に切り込まないので接着剤のブ
レードへの付着が少なくなり、それに伴ないブレード磨
耗やカッティング不良による汚れ発生を防ぐことが出来
るという効果がある。
は、ブレードが接着剤層に切り込まないので接着剤のブ
レードへの付着が少なくなり、それに伴ないブレード磨
耗やカッティング不良による汚れ発生を防ぐことが出来
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した断面図、第2図(a)〜(C)は従
来の半導体ウェーハの切断方法を説明するための工程順
に示した断面図である。 1・・・シート、2・・・接着剤層、4・・・フレーム
、5・・・半導体ウェーハ 6・・・ブレード、7・・
・接着剤層許容範囲部分。
めの工程順に示した断面図、第2図(a)〜(C)は従
来の半導体ウェーハの切断方法を説明するための工程順
に示した断面図である。 1・・・シート、2・・・接着剤層、4・・・フレーム
、5・・・半導体ウェーハ 6・・・ブレード、7・・
・接着剤層許容範囲部分。
Claims (1)
- 可撓性の高分子有機樹脂製シートに半導体ウェーハ貼り
付け部分とその近傍に接着剤層を形成する工程と、前記
接着剤層に半導体ウェーハを貼り付ける工程と、前記シ
ートを固定用フレームに取付ける工程と、前記フレーム
ごとウェーハ切断装置に載置して前記半導体ウェーハを
切断する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ
の切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110217A JPH02288251A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110217A JPH02288251A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288251A true JPH02288251A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14530043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1110217A Pending JPH02288251A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02288251A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219764A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 久元電子股▲ふん▼有限公司 | 円形分割方法 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP1110217A patent/JPH02288251A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016219764A (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-22 | 久元電子股▲ふん▼有限公司 | 円形分割方法 |
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