JPH03255646A - 半導体素子の分離用テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハを貼シ付けて半導体素子の個片
に分離する際に使用する半導体素子の分離用テープに関
する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体素子（以下ペレットと称す）分離
用テープは、第３図（ａ）の断面図に示すように、一般
にＰＶＣ等のベースフィルムｌと接着層２の二層からな
る厚さの均一な接着性テープ３Ｃであり、これを第３図
（ｂ）の断面図に示すように、ステンレス等のテープ固
定用フレーム４と半導体ウニ・・（以下ウェノ・と称す
）５の裏面に貼り付けて切削装置ステージ上で切削用ブ
レードによりウェハ表面から裏面に達する切溝を設け、
引き延ばして個々のペレットに分離するという方法で使
用するのが一般的である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のペレット分離用テープでは、ウェーハ切
削時にウェハ上の１ラインを切削装置の砥石（以下ブレ
ードと称す）６により、ウェハ表面から接着性テープ迄
完全切断した直後は、ブレード６が第３図（Ｃ）の断面
図のように接着性テープ３Ｃの上層部へ切す込んでいる
。

この為、通常、ブレードの往復切削によシカ。

ティング時間の短縮が可能な方法（以下往復カットと称
す）においては、ウェハ切断時の筐まのブレードの高さ
では、次のラインの位置へブレードが移動出来ず、第３
図（ｄ）の断面図のように必らずｌライン毎に接着性テ
ープ上面へブレードが移動しなければならない。そのた
めｌライン毎のブレードの上下方向（以下Ｚ軸と称す）
の移動時間によシ、片道力、トとほぼ同じカッティング
時間となってし壕い時間短縮にならない。

筐たこのカッティング時間ダウン対策の１つに切削ステ
ージ上でシート固定用フレームを下方向へ押し下げ、ブ
レードをステージの外部へ逃がす方法もあるが、この場
合、テープの伸縮によるペレットの欠けの発生で歩留り
を低下させるという欠点がある。他にブレードのＺ軸移
動速度の高速化が考えられるが、Ｚ軸の位置精度は重要
で、無理な高速化を行なうとテープ切り込み時にブレー
ドが破損するだけでなく、製品上、チアピンク。

欠けの増加やブレード高さの不安定による不完全切断が
生じ歩留りを下げたυ、設備上、Ｚ軸等ブレード回転部
分の精度の低下や異常発生の原因となり、稼動率や工期
へ支障を来たすこともある為、Ｚ軸移動速度の高速化に
は限界があυ、それによるカッティング時間短縮は殆ん
ど期待出来ない状況である。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、半導体ウェハを貼り付けて半導体素子の個片
に分離する際に使用する半導体素子の分離用テープにお
いて、前記テープの厚さが前記ウェハの貼り付は部分と
その近傍部とで約２０μｍ以上異なる構造を有する半導
体素子の分離用テープである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の部分断面図であ
り、（ｂ）　、　（Ｃ）はそのテープを使用した際のペ
レット分離方法を説明する断面図である。本テープは、
同図（ａ）のようにポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポ
リオレフィン等の厚さ１００μｍ前後のベースフィルム
ｌ上に、貼り付けようとするウェハ裏面及びテープ固定
用フレーム裏面部分管たは、ウェハ端からテープ固定用
フレーム迄のドーナツ状の領域を除いた部分に、厚ｇｌ
Ｏμｍ以上の接着層２を設けた接着性テープ３ａである
。

これを同図（ｂ）のようにテープ固定用フレーム４に貼
９付けた後、接着層のあるテープ中央部にウェハ５の裏
面を貼り付け、切削装置ステージ上に真空吸着させ、切
削用ブレードにて往復カットでテープの切り込み量が５
μｍ程度となるようにブレードの高さを設定し、完全切
断を行なう。尚、ブレードが次の切削ラインに移動する
際は、同図（Ｃ）のようにウェハ外局部から固定リング
の間に接着層がないことによう、ブレードのＺ軸の移動
なしに次の力、ティングライン筐で移動することが出来
、この為スピードダウンすることはなく、筐た、テープ
への切υ込み量５μｍは、現状の切削装置の能力で十分
コントロール可能である。このコントロール可能量が、
接着層の厚さを１０μｍ以上と設定した根拠となってい
る。さらにウェハ貼り付けの際、テープ中央部の接着層
の大きさのばらつきは、同図（Ｃ）の接着層許容範囲部
７（ブレード６に当たらない範囲）筐で許容可能な為、
テープ厚の精度は特に厳しく要求されず、またウェハ貼
り付は後のズレも多少緩和することが出来る。

第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の部分断面図であ
る。このテープは、同図（ａ）のようにポリ塩化ビニル
やポリエチレンやポリオレフィン系等の厚さ１００μｍ
前後のベースフィルムｌの上に、テープ製造時の接着層
厚のばらつき（約±５μｍ）とテープへのブレードの切
り込み量（約５μｍ）を考慮し、貼り付けしようとする
サイズと同一のウェハ面積部分の接着層厚が、それ以外
の部分の接着層厚（１０〜２０μｍ）より約２０μｍ以
上厚い２段構造の接着層からなる接着性テープ３ｂであ
る。

これを使用し、ペレットの分離は同図（ｂ）のように、
第１の実施例と同様に行なう。尚、接着層の厚さは任意
に設定可能であり、また接着層のみでなくベースフィル
ムの厚さを変更したテープによる実施例が考えられるこ
とは言う筐でもない。さらに本テープとして、ベースフ
ィルムや接着層に特殊なＵＶ硬化型や熱硬化型の樹脂を
使用したテープの適用も可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ウェノ・裏面に接着性テ
ープを貼り付けた状態でウェノ・表層から前記テープへ
完全切断する工程において、前記テープの厚さがウェハ
裏面の貼り付は部分とその近傍部分で１０μ以上異なる
構造のものを使用することによυ、ウェハ上の１ライン
を切削用ブレードでウェハ表面から前記テープ迄完全切
断した直後、ブレードはテープから浮いている為、その
１″１２軸の移動なしに次の切削ラインへの移動が可能
となり、従来に比べ約３５優の切削時間の短縮が行なえ
、それにより設備の稼動率が上がり、工期も短縮出来る
という効果がある。

また、テープ中央部分からテープ固定用リングの間では
、ブレードが接着層に切り込１ないので接着剤のブレー
ドへの付着が少なくなり、それに伴ないブレード摩耗や
カッティング不良による汚れ発生を抑えることが出来る
。さらにテープ中央部分からテープ固定用リングの間の
接着層を無くすと、ウェハ切削時の純水の流れが良くな
り、ウェハ上層部のみでなくウェハ下層部の切シ溝から
シリコン汚れを洗い流すことが出来、汚れに対する歩留
り向上が行なえる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示し、同図（ａ）はそ
の断面図、同図（ｂ）　、　（Ｃ）はそれぞれその使用
方法を説明する断面図及び拡大断面図、第２図は本発明
の第２の実施例を示し、同図（ａ）はその断面図、同図
（ｂ）はその使用法を示す断面図、第３図は従来の分離
用テープを示し同図＜ａ）はその断面図、同図（ｂ）　
、　ＦＣ）　、　（ｄ）はそれぞれ従来品の使用方法を
説明する断面図である。 ｌ・・・・・・ベースフィルム、２・・・・・・接着層
、３　ａ　。 ３ｂ　、３ｃ・・・・・・接着性テープ、４・・・・・
・テープ固定用フレーム、５・・・・・・半導体ウェハ
、６・−・・・・切削用ブレード、７・・・・・・接着
層許容範囲部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハを貼り付けて半導体素子の個片に分離す
   る際に使用する半導体素子の分離用テープにおいて、前
   記テープの厚さが前記ウェハの貼り付け部分とその近傍
   部とで約１０μｍ以上異なる構造を有することを特徴と
   する半導体素子の分離用テープ。