TW201621351A - 具有均勻紋理表面及低閃爍之防眩光基材與其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本案揭示防眩光物件及用於形成其之方法的實施例。在一或多個實施例中,該防眩光物件包括具有表面之基材,及安置於該表面上之複數個特徵,其中該複數個特徵之約50%或更多包含在約0.5至約1.5範圍內之正規化面積,且該正規化面積係定義為關係(特徵之表面積/所有特徵之平均表面積)。在一些實施例中,該等特徵之約90%或更多具有約100微米或更小之表面積。該防眩光物件展現約5%或更小之PPDr、小於約20%之透射渾濁度及小於約90%之DOI。亦揭示形成該基材之方法,且該等方法包括利用包含水溶性金屬離子鹽之蝕刻劑來蝕刻基材之表面。
Description
本申請案根據專利法主張2014年10月31日申請的美國臨時申請案序列號第62/073224號之優先權權益,該臨時申請案之內容為本文之基礎且係以全文引用方式併入本文中。
本揭示內容係關於展現防眩光性質之基材,且更特定而言係關於展現均勻紋理化表面及低閃爍之基材。亦揭示用於製造此等基材之方法。
消費者電子技術之進展已使得必須改良各種蓋基材性質。一種此種改良領域為用於消費者電子設備之防眩光表面,該等消費者電子設備諸如智慧型(行動)電話、平板電腦、電子閱讀器、顯示器及TV。
鏡面反射之減少常常為觸感式電子裝置、電子墨水閱讀器、交互式白板及其他可攜式LCD面板中之所欲性質,尤其在用於某些光條件下如此。展現此等性質之蓋基材可藉由在表面上利用防反射層塗佈或產生紋理(因
此形成防眩光表面)來達成。表面紋理經由反射光之隨機散射而減少反射光,且導致模糊反射影像。
對於消費者電子應用而言,已知的防眩光表面可在低透射霧度位準(例如,約10%或更小)下展現閃爍(或粒狀外觀)。顯示器「閃爍」為在防眩光或光散射表面併入顯示系統中時可發生的現象。閃爍與極精細粒狀外觀相關聯,該外觀可呈現為具有顆粒圖案隨顯示視角改變之移位。當透過防眩光表面檢視諸如LCD之像素化顯示器時,觀察到此種類型的閃爍。此種閃爍為不同類型,且起源於已在投影或雷射系統中觀察到且表徵之「閃爍」或「斑駁」。
由於顯示器展現較高清晰度且較多像素以較高密度來裝配,所以閃爍之減少變得更為重要。諸如防眩光薄膜積層、噴砂、溶膠-凝膠塗佈之已知防眩光技術趨向於產生顯著閃爍。因此,需要防眩光表面,其展現低閃爍,同時仍展現低DOI及低透射霧度。
本揭示內容之態樣係關於最佳化表面紋理與低閃爍之間的關係。如將描述的,本文所述的防眩光基材及及其製造方法提供一表面,其中正規化特徵面積百分比之約50%或更多在約0.5至約1.5範圍內,從而顯著地減少閃爍。
本揭示內容之第一態樣係關於展現低閃爍(就低像素功率偏差參考或PPDr而言)之基材及包括此等基
材之物件。本揭示內容之一或多個實施例包括防眩光物件,其包括具有表面之基材及安置於該表面上之複數個特徵。在一些實施例中,該複數個特徵之約50%或更多具有在約0.5至約1.5範圍內之正規化面積。片語正規化面積係定義為關係:(特徵之表面積/所有特徵之平均表面積)。在一些變體中,該等特徵之約90%或更多具有約100微米或更小之表面積。在一些變體中,該複數個特徵之約18%或更小具有大於約400nm之平均表面積。在一些變體中,該複數個特徵之約15%或更小具有大於約400nm之平均表面積。
在一或多個實施例中,該物件展現約0.15微米或更小之粗糙度平均值(Ra)。在一些實施例中,該物件展現約5%或更小之PPDr值。一或多個實施例之物件亦展現小於約20%之透射霧度。在一些情況下,該基材表面包括展現小於約90%之DOI的複數個特徵。在一些情況下,該基材表面包括展現約87%或更小之60°下光澤度之複數個特徵。
本揭示內容之第二態樣係關於形成防眩光表面或更確切言之具有防眩光表面之基材的方法。在一或多個實施例中,該防眩光表面包含複數個特徵。在一些實施例中,該複數個特徵之約50%或更多包含在約0.5至約1.5範圍內之正規化面積。在一些實施例中,所得基材展現約20%或更小之透射霧度及/或約6或更小之PPD。在
一些實施例中,防眩光表面展現約90%或更小之DOI及/或約87%或更小之60°下光澤度。
在一或多個實施例中,形成具有防眩光表面之基材的方法包括:利用蝕刻劑蝕刻基材之第一表面之一部分以提供蝕刻表面,及移除該蝕刻表面之一部分以提供防眩光表面。在一些實施例中,該方法包括在第一表面之蝕刻之前於基材之第二表面上形成耐酸薄膜。在一些實施例中,蝕刻基材之第一表面之一部分包括使第一表面與蝕刻劑接觸小於約5分鐘。在一些實施例中,移除蝕刻表面之一部分包含使蝕刻表面與酸溶液接觸小於15分鐘。
在一或多個實施例中,蝕刻劑包括水溶性金屬離子鹽。適合的水溶性金屬離子鹽之實例包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、FeCl3、Fe2(SO4)3、Fe(NO3)3、CoCl2、Co2SO4、Co(NO3)2、NiCl2、Ni2SO4、Ni(NO3)2、ZnCl2、Zn2SO4、Zn(NO3)2、CaCl2、Ca2SO4、Ca(NO3)2、MgCl2、Mg2SO4、Mg(NO3)2、NH4Cl或其組合。在一些實施例中,蝕刻劑包括含氟化物之酸及填充劑。適合的含氟化物之酸之實例包括NH4F、NH4HF2或其組合。用於蝕刻劑之一些實施例之填充劑可包括無機鹽,諸如BaSO4、CaF2、MgF2、高嶺土或其組合。在一些實施例中,蝕刻劑包括可溶性澱粉。在一些實施例中,蝕刻劑可包括可溶性聚合物界面活性劑,諸如聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、聚(苯乙烯磺酸酯)及其組合。視情況,蝕刻劑可包括KNO3。
用於一些實施例中之酸溶液可包括HF、HCl或其組合。
其他特徵及優勢將在以下的詳述中闡述,且在部分程度上,熟習此項技術者將根據該描述而容易明白該等特徵及優勢,或藉由實踐如本文(包括後續實施方式、發明申請專利範圍以及隨附圖式)所述的實施例來認識該等特徵及優勢。
應理解,前述的一般描述及以下詳述僅僅為示範,且意欲提供用於理解發明申請專利範圍之性質及特徵的概述及框架。隨附圖式係納入來提供對本說明書的進一步理解,且併入本說明書中並構成本說明書之一部分。圖式例示一或多個實施例,且與說明書一起用於解釋各種實施例之原理及操作。
100‧‧‧基材
112‧‧‧主表面
114‧‧‧主表面/表面
116‧‧‧次表面/表面
118‧‧‧次表面/表面
120‧‧‧紋理化表面
122‧‧‧特徵
第1圖為一個實施例之側視圖圖解;第2圖為實例1之光學顯微鏡影像;第3圖為實例6之光學顯微鏡影像;第4圖為實例12之光學顯微鏡影像;第5圖為實例21之光學顯微鏡影像;第6圖展示在500倍放大率下實例30之透射光光學顯微鏡影像;第7圖展示在200倍放大率下實例31之透射光光學顯微鏡影像;
第8圖展示在200倍放大率下實例32之透射光光學顯微鏡影像;第9圖展示在200倍放大率下比較實例33之透射光光學顯微鏡影像;第10圖為展示實例30-32及比較實例33之特徵表面積分佈的條形圖;第11圖為展示實例30-32及比較實例33之特徵表面積分佈的線圖;第12圖為展示實例30-32及比較實例33之特徵之正規化面積分佈的條形圖;以及第13圖為展示實例30-32及比較實例33之特徵之正規化面積分佈的線圖。
現將詳細參考本揭示內容之各種實施例。
本揭示內容之第一態樣係關於展現防眩光性質之基材及包括其之物件。確切言之,防眩光基材展現就以下者而言的低閃爍:約5%或更小之PPDr、低透射霧度(例如,小於約20%)、低DOI(例如,小於約90%)及低60°下光澤度(例如,約87%或更小),如在包括防眩光表面(或紋理化或粗糙化表面)之表面上所量測。
參考第1圖,在一或多個實施例中,基材100包括相反主表面112、114及相反次表面116、118。在一些實施例中,至少一個表面(例如,主表面)包括具有複數個特徵122之紋理(本文中稱為紋理化表面120)。紋理
可跨於表面之一部分、整個表面或於一個以上的表面延伸。紋理可稱為粗糙化。特徵120可描述為自表面延伸至基材中之凹形形狀,其中開口處於表面處、自該表面向外面向,如第1圖所示。
除非另有說明,否則基材100的就DOI及光澤度而言之防眩光效能係於具有紋理或複數個特徵122之表面上以反射模式(亦即,不考慮基材之其他表面)來量測。PPDr及透射霧度效能係就整個基材而言,因為此等值係以透射模式來量測。
複數個特徵具有狹窄表面積分佈且因此表面具有均勻紋理。在一或多個實施例中,複數個特徵之約50%或更多具有在約0.25至約1.75(或約0.5至約1.5、約0.6至約1.4、約0.7至約1.3或約0.75至約1.25)範圍內之正規化面積。如本文所使用,片語「正規化面積」係定義為關係:(特徵之表面積/所有特徵之平均表面積)。
在一或多個實施例中,複數個特徵之顯著部分具有約100微米(μm)或更小之表面積。例如,在一些實施例中,複數個特徵之約90%或更多具有約100微米(μm)或更小之表面積。在一些情況下,特徵之約90%或更多具有約90微米(μm)或更小、約80微米(μm)或更小、約70微米(μm)或更小、或約60微米(μm)或更小之表面積。
在一些情況下,複數個特徵之小部分具有大於約100微米(μm)之表面積,且複數個特徵之甚至更少具有約400微米(μm)或更多之表面。例如,在一些實施例中,複數個特徵之約20%或更小(或約18%或更小)具有約400奈米(nm)或更大之平均表面積。在一些情況下,複數個特徵之約20%或更小具有約450奈米(nm)或更大、約500奈米(nm)或更大、約550奈米(nm)或更大、或約600奈米(nm)或更大之平均表面積。在一或多個實施例中,複數個特徵之約15%或更小具有大於約400奈米(nm)之平均表面積。
複數個特徵可就特徵大小而言來表徵,該特徵大小可就特徵之平均最長橫截面尺寸而言來描述。在一或多個實施例中,複數個特徵可具有在約5微米(μm)至約50微米(μm)、或更確切言之約5微米(μm)至約30微米(μm)範圍內之平均值最長橫截面尺寸。如本文所使用,術語「最長橫截面尺寸」係指特徵之最長單一尺寸。因此,為明確,當特徵為圓形時,最長橫截面尺寸為其直徑;當特徵為卵形時,最長橫截面尺寸為卵形之最長直徑;且當特徵為不規則形狀時,最長橫截面尺寸為其周長上兩個最遠相反點之間的線。當與「最長橫截面尺寸」一起使用時術語「平均值」包括同一樣本上最少20個不同特徵之經量測最長橫截面尺寸之平均值。
在一些實施例中,紋理化表面可就其平均粗糙度(Ra)而言來表徵。防眩光表面可具有約0.15微米
(μm)或更小之Ra。在一些情況下,防眩光表面可具有約0.14微米(μm)或更小、約0.13微米(μm)或更小、約0.12微米(μm)或更小、約0.11微米(μm)或更小、或約0.1微米(μm)或更小之Ra。在一些情況下,Ra可為約0.6微米(μm)或更小。在所有情況下,Ra值為約0.01微米(μm)或更大。
在一或多個實施例中,紋理化表面可表徵為與平均值的輪廓高度偏差之均平根(root mean square;RMS)平均值。在一或多個實施例中,紋理化表面可具有約200奈米(nm)或更大之RMS。在一些情況下,紋理化表面可具有在約200奈米(nm)至約300奈米(nm)、或約200奈米(nm)至約260奈米(nm)範圍內之RMS。
在一或多個實施例中,基材展現低閃爍,其可表徵為約5%或更小、約4.5%或更小、約4%或更小、約3.5%或更小、或約3%或更小之像素功率偏差參考或PPDr。如本文所使用,術語「像素功率偏差參考」及「PPDr」涉及用於顯示器閃爍之定量量測。除非另外規定,否則PPDr係使用顯示器佈置來量測,該顯示器佈置包括邊緣點亮LCD螢幕(扭轉向列型LCD),該螢幕具有60μm x 180μm之原始子像素間距及約44μm x約142μm之子像素開口窗口大小。LCD螢幕之前表面具有光亮、防反射類型之線性偏振薄膜。為測定顯示系統或形成顯示系統之一部分的防眩光表面之PPDr,將螢幕置放於「眼睛模擬器」攝影機之焦點區域中,該攝影機接近於人
類觀察者之眼睛之參數。因而,攝影機系統包括孔徑(或「瞳孔孔徑」),該孔徑係插入光程中以調整光之收集角度,且因此接近於人眼瞳孔之孔徑。在本文所述的PPDr量測中,虹膜式光圈對向18毫弧度之角度。
PPDr量測可不同於用於表徵已知防眩光表面之PPD量測。PPDr包括像素功率之正規化標準偏差,且更完全地描述於J.Gollier等人,「Display sparkle measurement and human response,」SIDSymposium of Technical Papers 44,第1期,295-297(2013)。為計算來自單獨顯示器之PPD貢獻,即像素功率變化,移除不具有防眩光表面之發射式顯示器以提供PPDr量測(表示參考量測)。通常,取裸顯示器之第一影像且用作利用含有防眩光表面之試驗樣本所取的影像之參考。相鄰像素之間的邊界係藉由將影像中之行隨後列求和並判定最小者來計算。對於極具雜訊之影像而言,可能需要使用發射式顯示器中之像素間距為恆定的知識來估計整合區域之位置。自影像減去像素之間暗區域中觀察到的背景計數,以移除顯示器內之攝影機暗計數或其他散射光。隨後將每一像素內之總功率積分,且藉由自參考影像除以像素功率來正規化。隨後計算像素功率之分佈之標準偏差以得出PPDr值。
更確切言之,在量測PPDr中,LCD像素之均勻綠色塊斑係用作來源。僅綠色子像素受照射,其中最小量測面積為約20 x 20LCD像素。獲取試驗影像(Tij)
及參考影像(Rij)。參考影像移除來源強度分佈中之不均勻性。在透過虹膜檢視時LCD像素之影像係藉由CCD(電荷耦合裝置)攝影機來收集,該攝影機具有每LCD像素至少約20CCD像素。亦測定背景值(bg)以移除來自雜散光及暗計數之影響。PPDr值係藉由方程式(1)及(2)測定。
Aij=(Tij-bg)/(Rij-bg) (1)
PPDr=標準偏差[Aij]* 100 (2)
PPDr量測可在0°及在90°下進行。本文中敘述的PPDr值係指此等量測之數學平均值。
在一些實施例中,防眩光表面展現約90或更小(例如,約85或更小、約80或更小、約60或更小或約40或更小)之20°影像相異性(distinctness of image;DOI)。如本文所使用,術語「影像相異性」係藉由名稱為「用於塗層表面之影像相異性光澤度之標準儀器量測試驗方法(Standard Test Methods for Instrumental Measurements of Distinctness-of-Image Gloss of Coating Surfaces)」的ASTM程序D5767(ASTM 5767)之方法A來定義,該程序之內容係以全文以引用方式併入本文。根據ASTM 5767之方法A,基材反射因數量測係於防眩光表面上以鏡面視角及以稍微偏離鏡面視角之角度來進行。將自此等量測獲得的值組合以提供DOI值。詳言之,DOI係根據以下方程式計算
其中Ros為遠離鏡面反射方向0.2°與0.4°之間的相對反射強度平均值,且Rs為在鏡面方向上之相對反射強度平均值(在+0.05°與-0.05°之間,圍繞鏡面反射方向定中心)。若入射光源角度為離樣本表面法線(在本揭示內容全篇中如此)+20°,且樣本之表面法線視為0°,隨後鏡面反射光Rs之量測值視為約-19.95°至-20.05°範圍內之平均值,且Ros視為約-20.2°至-20.4°範圍內之平均反射強度(或-19.6°至-19.8°,或此兩個範圍兩者之平均值)。如本文所使用,DOI值應直接解釋為規定出如本文所定義的Ros/Rs之目標比率。在一些實施例中,防眩光表面具有反射散射輪廓,以使得>95%之反射光功率含於+/-10°之圓錐內,其中該圓錐針對任何入射角圍繞鏡面反射方向定中心。
在一些實施例中,本文所述的防眩光表面具有約20%或更小之透射霧度值。在一些實施例中,透明玻璃片之透射霧度為約18%或更小、約16%或更小、約15%或更小、約14%或更小、約12%或更小、約10%或更小、或約8%或更小。如本文所使用,術語「透射霧度」及「霧度」係指根據ASTM程序D1003,約±2.5°之成角圓錐外部散射的透射光之百分比。對於光學平滑表面而言,透射霧度通常接近於零。
用於形成防眩光表面之基材可為無機的,且可包括非晶形基材、結晶基材或其組合。在一或多個實施例
中,基材可為非晶形,且可包括玻璃,其可為強化或非強化的。適合的玻璃之實例包括鈉鈣玻璃、鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃、含鹼金屬硼矽酸鹽玻璃及鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃。在一或多個替代實施例中,基材可包括結晶基材,諸如玻璃陶瓷基材(其可為強化或非強化的),或可包括單晶結構,諸如藍寶石。在一或多個特定實施例中,基材包括非晶形基底(例如,玻璃)及結晶包層(例如,藍寶石層、多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2O4)層)。
基材可為實質上平面或片狀,儘管其他實施例可利用曲形或以其他方式成形或雕刻的基材。基材可為實質上光學清晰、透明且無光散射的。在此等實施例中,基材可展現在光學波長區間上約85%或更大、約86%或更大、約87%或更大、約88%或更大、約89%或更大、約90%或更大、約91%或更大或約92%或更大之平均透光率。在一或多個替代實施例中,基材可為不透明的或展現在光學波長區間上小於約10%、小於約9%、小於約8%、小於約7%、小於約6%、小於約5%、小於約4%、小於約3%、小於約2%、小於約1%或小於約0%之平均透光率。基材可視情況展現色彩,諸如白色、黑色、紅色、藍色、綠色、黃色、橙色等等。
另外或替代地,出於美學原因及/或功能性原因,基材之實體厚度可沿其尺寸之一或多者而變化。例如,相較於基材100之較為中心的區域而言,基材之邊緣
可較厚。基材之長度、寬度及實體厚度尺寸亦可根據應用或用途而變化。
基材可使用各種不同製程來提供。例如,在基材包括諸如玻璃之非晶形基材的情況下,各種形成方法可包括浮製玻璃製程及諸如熔融拉製及狹槽拉製伸之下拉製程。
一旦形成,基材可經強化來形成強化基材。如本文所使用,術語「強化基材」可指已經化學強化的基材,例如已經由將基材之表面中的較小離子交換成較大離子的離子交換而強化。然而,可利用此項技術中已知的其他強化方法來形成強化基材,該等方法諸如熱回火,或利用基材之數個部分之間的熱膨脹係數之不匹配來產生壓縮應力及中心張力區域。
在基材藉由離子交換製程來化學強化的情況下,基材之表面層中的離子由具有相同原子價或氧化態之較大離子置換--或由該等較大離子交換。離子交換製程典型地藉由將基材浸沒於含有待與基材中之較小離子交換的較大離子的熔融鹽浴中來進行。熟習此項技術者將瞭解的是,用於離子交換製程之參數包括但不限於浴組成及溫度、浸沒時間、基材於(一或多個)鹽浴中之浸沒次數、多個鹽浴之使用、其他步驟(諸如,退火、洗滌)及類似參數,該等參數通常由基材之組成物及因強化操作而產生的基材之所欲壓縮應力(compressive stress;CS)、壓縮應力層深度(或層深度)決定。舉例而言,含鹼金屬玻璃
基材之離子交換可藉由浸沒於含有鹽之至少一種熔融浴中來達成,該鹽諸如但不限於具有較大鹼金屬離子之硝酸鹽、硫酸鹽及氯化物。熔融鹽浴之溫度典型地在約380℃至多約450℃範圍內,而浸沒時間在約15分鐘至多約40小時範圍變化。然而,亦可使用不同於以上所述彼等者的溫度及浸沒時間。
另外,其中將玻璃基材浸沒於多個離子交換浴中,同時在浸沒之間進行洗滌及/或退火步驟的離子交換製程之非限制性實例描述於以下者中:Douglas C.Allan等人2009年7月10日申請的名稱為「Glass with Compressive Surface for Consumer Applications」之美國專利申請案第12/500,650號,該美國專利申請案主張2008年7月11日申請的美國臨時專利申請案第61/079,995號之優先權,其中玻璃基材藉由在多個連續離子交換處理中浸沒於不同濃度之鹽浴中來強化;以及2012年11月20日頒與Christopher M.Lee等人的名稱為「Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass」之美國專利8,312,739,該美國專利主張2008年7月29日申請的美國臨時專利申請案第61/084,398號之優先權,其中玻璃基材藉由在用流出物離子稀釋的第一浴中之離子交換、接著浸沒於具有相比第一浴而言較小濃度的流出物離子之第二浴中來強化。美國專利申請案第12/500,650號及美
國專利第8,312,739號之內容以全文引用方式併入本文。
藉由離子交換達成的化學強化之程度可基於中心張力(central tension;CT)、表面CS及層深度(depth of layer;DOL)之參數而量化。表面CS可靠近表面量測,或在強化玻璃內之各種深度處量測。最大CS值可包括在強化基材之表面處量測的CS(CSs)。對玻璃基材內相鄰壓縮應力層之內區域計算的CT可由CS、實體厚度t及DOL來計算。使用此項技術中已知的彼等手段量測CS及DOL。此等手段包括但不限於:使用市售儀器量測表面應力(FSM),該等儀器諸如由Luceo Co.,Ltd.(日本東京)製造的FSM-6000或類似物,且量測CS及DOL之方法描述於以下者中:名稱為「用於化學強化平板玻璃之標準規範(Standard Specification for Chemically Strengthened Flat Glass)」之ASTM 1422C-99,及ASTM 1279.19779「用於退火、熱強化及完全回火平板玻璃中邊緣及表面應力之非破壞性光彈性量測的標準試驗方法(Standard Test Method for Non-Destructive Photoelastic Measurement of Edge and Surface Stresses in Annealed,Heat-Strengthened,and Fully-Tempered Flat Glass)」,該等方法之內容以全文引用方式併入本文。表面應力量測依賴於應力光學係數(stress optical coefficient;SOC)之精確量測,
該應力光學係數與玻璃基材之雙折射性相關。SOC轉而係藉由此項技術中已知的彼等方法量測,該等方法諸如纖維及四點彎曲方法,兩者均描述於名為「用於量測玻璃應力-光學係數之標準試驗方法(Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient)」之ASTM標準C770-98(2008)中,其內容以全文引用方式併入本文中;以及體積圓柱(bulk cylinder)方法。CS與CT之間的關係藉由表達式(1)給出:CT=(CS‧DOL)/(t-2 DOL) (1),其中t為玻璃物件之實體厚度(μm)。在本揭示內容之各部分中,CT及CS在本文中以百萬帕(MPa)來表達,實體厚度 t 係以微米(μm)或毫米(mm)來表達,且DOL係以微米(μm)來表達。
在一個實施例中,強化基材可具有250MPa或更大、300MPa或更大,例如400MPa或更大、450MPa或更大、500MPa或更大、550MPa或更大、600MPa或更大、650MPa或更大、700MPa或更大、750MPa或更大或800MPa或更大之表面CS。強化基材可具有10μm或更大、15μm或更大、20μm或更大(例如,25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm或更大)之DOL,及/或10MPa或更大、20MPa或更大、30MPa或更大、40MPa或更大(例如,42MPa、45MPa或50MPa或更大)但小於100MPa(例如,95
MPa、90MPa、85MPa、80MPa、75MPa、70MPa、65MPa、60MPa、55MPa或更小)之CT。在一或多個特定實施例中,強化基材具有以下一或多者:大於500MPa之表面CS、大於15μm之DOL及大於18MPa之CT。
可用於基材中的示例性玻璃可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物或鹼金屬鋁硼矽酸鹽玻璃組成物,然而可涵蓋其他玻璃組成物。此等玻璃組成物能夠藉由離子交換製程化學強化。一種示例性玻璃組成物包含SiO2、B2O3及Na2O,其中(SiO2+B2O3)66mol.%且Na2O9mol.%。在一實施例中,玻璃組成物包括至少6wt.%氧化鋁。在另一實施例中,基材包括具有一或多種鹼土金屬氧化物之玻璃組成物,以使得鹼土金屬氧化物之含量為至少5wt.%。在一些實施例中,適合的玻璃組成物進一步包含以下至少一者:K2O、MgO及CaO。在特定實施例中,用於基材之玻璃組成物可包含:61-75mol.% SiO2;7-15mol.% Al2O3;0-12mol.% B2O3;9-21mol.% Na2O;0-4mol.% K2O;0-7mol.% MgO;及0-3mol.% CaO。
適用於基材之另一示例性玻璃組成物包含:60-70mol.% SiO2;6-14mol.% Al2O3;0-15mol.% B2O3;0-15mol.% Li2O;0-20mol.% Na2O;0-10mol.% K2O;0-8mol.% MgO;0-10mol.% CaO;0-5mol.% ZrO2;0-1mol.% SnO2;
0-1mol.% CeO2;小於50ppm As2O3;以及小於50ppm Sb2O3;其中12mol.%(Li2O+Na2O+K2O)20mol.%且0mol.%(MgO+CaO)10mol.%。
適用於基材之又一示例性玻璃組成物包含:63.5-66.5mol.% SiO2;8-12mol.% Al2O3;0-3mol.% B2O3;0-5mol.% Li2O;8-18mol.% Na2O;0-5mol.% K2O;1-7mol.% MgO;0-2.5mol.% CaO;0-3mol.% ZrO2;0.05-0.25mol.% SnO2;0.05-0.5mol.% CeO2;小於50ppm As2O3;以及小於50ppm Sb2O3;其中14mol.%(Li2O+Na2O+K2O)18mol.%且2mol.%(MgO+CaO)7mol.%。
在特定實施例中,適用於基材之鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物包含氧化鋁、至少一種鹼金屬,及在一些實施例中大於50mol.% SiO2,在其他實施例中至少58mol.% SiO2,及在其他實施例中至少60mol.% SiO2,其中比率,其中組分之比率係以mol.%表達且改質劑為鹼金屬氧化物。在特定實施例中,此玻璃組成物包含:58-72mol.% SiO2;9-17mol.% Al2O3;2-12mol.% B2O3;8-16mol.% Na2O;以及0-4mol.% K2O,其中比率
在又一實施例中,基材可包括鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物,其包含:64-68mol.% SiO2;12-16mol.% Na2O;8-12mol.% Al2O3;0-3mol.% B2O3;2-5mol.% K2O;4-6mol.% MgO;以及0-5mol.% CaO,其中:66mol.%SiO2+B2O3+CaO69mol.%;Na2O+K2O+B2O3+MgO+CaO+SrO>10mol.%;5mol.%MgO+CaO+SrO8mol.%;(Na2O+B2O3)-Al2O3 2mol.%;2mol.%Na2O-Al2O3 6mol.%;以及4mol.% (Na2O+K2O)-Al2O3 10mol.%。
在替代實施例中,基材可包含鹼金屬鋁矽酸鹽玻璃組成物,其包含:2mol%或更大Al2O3及/或ZrO2,或4mol%或更大Al2O3及/或ZrO2。
在基材包括結晶基材的情況下,基材可包括單晶,該單晶可包括Al2O3。此等單晶基材係稱為藍寶石。用於結晶基材之其他適合的材料包括多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2O4)。
視需要,結晶基材可包括可為強化或非強化的玻璃陶瓷基材。適合的玻璃陶瓷之實例可包括Li2O-Al2O3-SiO2系統(亦即LAS-系統)玻璃陶瓷、MgO-Al2O3-SiO2系統(亦即MAS-系統)玻璃陶瓷,及/或包括主晶相之玻璃陶瓷,該主晶相包括β-石英固溶體、β-鋰輝石固溶體、堇青石及二矽酸鋰。玻璃陶瓷基材可使用本文揭示的化學強化製程來強化。在一或多個實
施例中,MAS-系統玻璃陶瓷基材可在Li2SO4熔融鹽中強化,藉以可發生2Li+與Mg2+之交換。
根據一或多實施例的基材可具有在約100μm至約5mm的範圍變化之實體厚度。示例性基材實體厚度在約100μm至約500μm範圍變化(例如,100μm、200μm、300μm、400μm或500μm)。其他示例性基材實體厚度在約500μm至約1000μm範圍變化(例如,500μm、600μm、700μm、800μm、900μm或1000μm)。基材可具有大於約1mm(例如,約2mm、3mm、4mm或5mm)之實體厚度。在一或多個特定實施例中,基材可具有為2mm或更小或小於1mm之實體厚度。基材可經酸拋光或以其他方式處理來移除或減少表面瑕疵之效應。
可包括此等防眩光基材之物件之實例包括用於電子裝置之顯示器,該等電子裝置諸如膝上型電腦、行動電話、智慧型電話、平板電腦、電子閱讀器、銷售點裝置、庫存裝置、導航系統、汽車儀錶板、汽車控制台、電器(例如,爐、灶、洗碗機及冰箱)。本文所述的防眩光基材亦可用於此等電子裝置之外殼中以達裝飾性目的。防眩光基材亦可併入建築學物件中,諸如檯面板、窗戶、電梯及類似物)。
本揭示內容之第二態樣係關於形成本文所述的防眩光基材之方法。該方法包括提供如本文所述的具有表面之基材,以及蝕刻該表面之一部分以提供或形成蝕刻
表面。該方法包括移除蝕刻表面之一部分以提供具有包括如本文所述的複數個特徵之紋理化表面的防眩光表面。
在一或多個實施例中,基材可經製備以用於蝕刻。在一些實施例中,將基材清潔以移除污染物且隨後在超音波攪拌DI水浴中清洗。清潔溶液可包括清潔劑及水。在清潔及清洗之後,基材可利用耐酸薄膜於基材的未受處理之表面(例如,第1圖中之表面114、116及/或118)上進行積層,之後蝕刻待紋理化之表面120。具有耐酸薄膜之基材可浸沒於氫氟酸及鹽酸之稀釋浴中短暫持續時間(例如,5秒或10秒),且隨後在DI水中再次清洗短的持續時間。此後,表面120暴露於蝕刻劑以形成蝕刻表面,且隨後可移除蝕刻表面之一部分。基材可浸漬於含有蝕刻劑之槽或浴中。表面120對蝕刻劑之暴露時間可小於約5分鐘。在一些情況下,基材對蝕刻劑之暴露時間在以下範圍內:約30秒至約240秒、約30秒至約220秒、約30秒至約200秒、約30秒至約180秒、約30秒至約160秒、約30秒至約140秒、約30秒至約120秒、約30秒至約100秒、約30秒至約80秒、約30秒至約60秒、約60秒至約240秒、約80秒至約240秒、約100秒至約240秒、約120秒至約240秒、約140秒至約240秒、約160秒至約240秒、或約180秒至約240秒。在一些情況下,蝕刻步驟之持續時間可經修改以於表面120上形成足夠沉澱物,從而充當遮罩以用於蝕刻表面之厚度之一部分的後續移除。
在一些實施例中,在形成蝕刻表面(包括沉澱物)之後,基材可經清洗以移除蝕刻劑(例如,藉由將基材浸沒於DI水槽中歷時約20秒或更少或約10秒)。此後,蝕刻表面之部分藉由使蝕刻表面(或安置有耐酸薄膜之整個基材)暴露於酸溶液中歷時小於約15分鐘而移除。例如,在一些情況下,蝕刻表面對酸溶液之暴露時間可為約2分鐘至約15分鐘、約4分鐘至約15分鐘、約5分鐘至約15分鐘、約6分鐘至約15分鐘、約8分鐘至約15分鐘、約10分鐘至約15分鐘、約2分鐘至約14分鐘、約2分鐘至約12分鐘、約2分鐘至約10分鐘、約2分鐘至約8分鐘、約2分鐘至約6分鐘、約2分鐘至約5分鐘、或約5分鐘至約10分鐘。
具有紋理化表面或防眩光表面之所得基材可於DI水中清洗。在適用的情況下,可移除耐酸薄膜且可乾燥基材。
在一或多個實施例中,蝕刻劑包含可溶性金屬離子鹽。一些實施例之金屬離子鹽為水溶性的。金屬離子可包括過渡金屬離子、非過渡金屬離子或其組合。適合的可溶性金屬離子鹽之實例包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、FeCl3、Fe2(SO4)3、Fe(NO3)3、CoCl2、Co2SO4、Co(NO3)2、NiCl2、Ni2SO4、Ni(NO3)2、ZnCl2、Zn2SO4、Zn(NO3)2、CaCl2、Ca2SO4、Ca(NO3)2、MgCl2、Mg2SO4、Mg(NO3)2及NH4Cl。此等可溶性金屬離子鹽可以組合使用或單獨使用。換言
之,蝕刻劑可包括僅一種類型之可溶性金屬離子鹽或可溶性金屬離子鹽之組合。
在一或多個實施例中,可溶性金屬離子鹽以至多約30wt%之量存在於蝕刻劑中。在一些實施例中,可溶性金屬離子鹽以在以下範圍內之量存在於蝕刻劑中:約1wt%至約30wt%、約1wt%至約28wt%、約1wt%至約25wt%、約5wt%至約30wt%、約10wt%至約30wt%、或約15wt%至約30wt%。
在一些實施例中,蝕刻劑包括含氟化物之酸,其可包括NH4F、NH4HF2、其他已知的含氟化物之酸及其組合。含氟化物之酸可以在以下範圍內之量存在:約1wt%至約50wt%、約5wt%至約50wt%、約10wt%至約50wt%、約20wt%至約50wt%、約1wt%至約45wt%、約1wt%至約40wt%、約10wt%至約40wt%、或約20wt%至約40wt%。在一些情況下蝕刻劑可包括呈在約10wt%至約20%範圍內之量的NH4F,及呈在約10wt%至約20wt%範圍內之量的NH4HF2。
在一些實施例中,蝕刻劑可包括無機鹽。此等無機鹽之實例包括BaSO4、CaF2、MgF2、高嶺土及其他已知無機鹽。蝕刻劑可包括僅一種無機鹽或無機鹽之組合。在一些實施例中,無機鹽可以在以下範圍內之量存在:約1wt%至約30wt%、約5wt%至約30wt%、約10wt%至約30wt%、約1wt%至約25wt%、約1wt%至約20wt%、或約5wt%至約20wt%。
一些實施例之蝕刻劑可包括可溶性澱粉或水溶性澱粉。適合的可溶性澱粉之實例包括多醣、幾丁質、纖維素及其他此等澱粉。在一些實施例中,蝕刻劑包括僅一種類型之可溶性澱粉或可包括可溶性澱粉之組合。可溶性澱粉可以在以下範圍內之量存在於蝕刻劑中:約0.1wt%至約20wt%、約1wt%至約20wt%、約5wt%至約20wt%、0.1wt%至約15wt%、約0.1wt%至約10wt%、或約1wt%至約10wt%。
一或多個實施例之蝕刻劑可包括可溶性聚合物界面活性劑或水溶性聚合物界面活性劑。適合的界面活性劑之實例包括聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、聚(苯乙烯磺酸酯)及其他已知的聚合物界面活性劑。在一些實施例中,蝕刻劑包括僅一種類型之聚合物界面活性劑或可包括聚合物界面活性劑之組合。聚合物界面活性劑可以在以下範圍內之量存在於蝕刻劑中:約0wt%至約10wt%、約0wt%至約8wt%、約0wt%至約5wt%、約0wt%至約4wt%、約0wt%至約2wt%、約0.1wt%至約10wt%、約1wt%至約10wt%、約2wt%至約10wt%、約4wt%至約10wt%、或約0.1wt%至約5wt%。
蝕刻劑可視情況包括鉀鹽,諸如KNO3。鉀鹽可以在以下範圍內之量存在於蝕刻劑中:約0wt%至約10wt%、約0.1wt%至約10wt%、約1wt%至約10wt%、約0wt%至約5wt%、或約0.1wt%至約5wt%。
在一或多個實施例中,該方法可包括藉由將以下任何一或多者一起組合來形成蝕刻劑:可溶性金屬離子鹽、含氟化物之酸、無機鹽、可溶性澱粉、可溶性聚合物界面活性劑及可選鉀鹽。此等組分可以粉末形式提供。呈在約10wt%至約40wt%範圍內之量的DI水可在手動攪拌下添加至組合物中。此後,在手動攪拌下緩慢添加氫氟酸溶液(20%)直至形成漿液。所添加的氫氟酸溶液之總量可在約5wt%至約20wt%範圍內。漿料可使用機械攪拌器進一步攪拌至多2小時或3小時,且保持在周圍條件下至多24小時,之後用於蝕刻基材之表面。蝕刻劑可在室溫(例如,24℃)下製備。
在不受理論束縛的情況下,蝕刻劑中之金屬離子容易黏附於基材之表面,且影響沉澱物於基材之表面上的成核及生長。咸信,蝕刻劑因此形成獨特遮罩,從而提供均勻紋理化表面。在不受理論束縛的情況下,咸信蝕刻劑之金屬離子減少沉澱物於基材之表面上的生長率。
用於移除蝕刻表面之一部分的酸溶液可包括氫氟酸(hydrofluoric acid;HF)、鹽酸(hydrochloric acid;HCl)、其他已知的酸及其組合。在一些實施例中,酸溶液可包括HF及HCl兩者。在一或多個實施例中,酸溶液可具有在約5wt%至約15wt%或約10wt%至約15wt%範圍內或約12wt%之HF濃度。在一些實施例中,酸溶液可具有在約10wt%至約20wt%、約12wt%至約18wt%範圍內或約15wt%之HCl
濃度。在一些情況下,溶液可包括水之剩餘部分。在一個實例中,酸溶液包括約12wt% HF、約15wt% HCl及約73wt%水。
在一或多個實施例中,本文所述的蝕刻劑與酸溶液組合可提供具有紋理化表面之基材,其展現合乎需要的PPDr、透射霧度、光澤度及DOI值,該等性質可藉由在本文中提供的範圍內改變蝕刻劑之組分之濃度及/或修改對蝕刻劑之暴露時間而微調。例如,根據一或多實施例之所得基材可展現約20%之透射霧度、約5%或更小之PPDr值及90或更小之DOI值。
在一或多個實施例中,該方法可包括將塗層塗覆於紋理化表面上。在一些情況下,自防眩光表面之反射可藉由於表面上塗覆抗反射塗層而減少。在其他實施例中,防刮性可藉由將防刮塗層塗覆於表面上而賦予至紋理化表面。
各種實施例將藉由以下實例進一步闡明。
實例1-29中每一者包括選自具有標稱組成物之A-D的玻璃基材,如表1所示。每一玻璃基材之一個主表面暴露於具有以下組成物之蝕刻劑:約16wt% NH4F、約8wt% NH4HF2、約8wt% KNO3、約1wt%聚丙烯醯胺、約14wt%之HF酸(40%濃度)及約18wt%
CuCl2,以及約35wt% DI水。主表面暴露於蝕刻劑歷時在約1分鐘至3分鐘範圍內之持續時間,且隨後清洗而留下蝕刻表面。蝕刻表面之一部分藉由使蝕刻表面暴露於包括HF及HCl酸之酸溶液歷時在約5分鐘至約20分鐘範圍內之持續時間而移除。
第2-5圖分別展示實例1、6、12及21之光學顯微鏡影像。第2-5圖中每一圖之標度指示20微米(μm)。
表2包括實例1-19之所量測Ra(微米)、0°及90°下取得的PPDr量測值及其平均值、透射霧度、DOI及60°下光澤度。表3包括實例20-29之所量測PPDr(平均值)、透射霧度、DOI、60°、85°及20°下光澤度以及RMS。
實例30-32及比較實例33經製備以表徵紋理化表面之閃爍(或PPDr值)與均勻性之間的相關性。實例30-32係藉由使具有基材B之標稱組成物的基材暴露於蝕刻劑歷時1分鐘至3分鐘之暴露時間而形成。蝕刻劑具
有以下者之組成物:約11.22wt% NH4F、約8.44wt% NH4HF2、約4.94wt% NH4Cl、約9.07wt% KNO3、約5.39wt% BaSO4、約15.35wt% HF酸(40%濃度)、約4.49wt%澱粉及41.1wt% DI水。隨後使蝕刻表面暴露於HF及HCl酸之酸溶液歷時5分鐘至20之暴露時間。比較實例33包括市售防眩光玻璃。
量測實例30-32及比較實例33中每一者之PPDr值(如表4所示),且使用影像處理軟體分析用於測定PPDr之影像,以測定特徵表面積及特徵表面積分佈。
第6圖展示在500倍放大率下實例30之透射光光學顯微鏡影像。第7圖展示在200倍放大率下實例31之透射光光學顯微鏡影像。第8圖展示在200倍放大率下實例32之透射光光學顯微鏡影像。第9圖展示在200倍放大率下比較實例33之透射光光學顯微鏡影像。
經由影像處理及計算,執行實例30-32及比較實例33中每一者之特徵之表面積及特徵表面積分佈的統計分析,且在表5及第10及11圖中予以展示。第10及11圖以圖形展示表5之資料,且例示實例30-32及比較實例33之特徵面積分佈。如第10及11圖所示,第30圖具有狹窄特徵表面積分佈,且因此展現低PPDr。比較實例33具有最寬特徵表面積分佈,且展現最高PPDr。
實例30-32及比較實例33之特徵表面積分佈中每一者藉由每一實例之數學平均特徵面積來正規化,以提供正規化面積。正規化面積分佈展示於表6中,且例示
於第12-13圖中所示之相應分佈繪圖中。如第12及13圖所示,PPDr具有與正規化特徵面積分佈之強相關性。
實例30之狹窄分佈可與其較低PPDr相關,而比較實例33之特徵面積之較寬分佈可與其較高PPDr相關。確切言之,正規化面積0.5-1.0及1.0-1.5之百分比及相關PPDr展示於表7中。
如表6及7及第12-13圖所示,較狹窄特徵表面積分佈產生較低PPDr。另一方面,當較大特徵數目落入正規化面積範圍0-0.5內時,PPDr增加。當具有較大表面積之特徵百分比增加時,PPDr亦增加。因此,資料暗示:PPDr與特徵表面積分佈有關(亦即,在具有類似表面積之特徵的情況下,較均勻紋理化表面產生較低PPDr)。
熟習此項技術者將明白的是,可在不脫離本發明之精神或範疇的情況下做出各種修改及變化。
100‧‧‧基材
112‧‧‧主表面
114‧‧‧主表面/表面
116‧‧‧次表面/表面
118‧‧‧次表面/表面
120‧‧‧紋理化表面
122‧‧‧特徵
Claims (10)
- 一種防眩光物件,其包含:一基材,其具有一表面;以及複數個特徵,其安置於該表面上,其中該複數個特徵之約50%或更多包含在約0.5至約1.5範圍內之一正規化面積,且該正規化面積係定義為關係(一特徵之表面積/所有特徵之平均表面積)。
- 如請求項1所述之防眩光物件,其中該等特徵之約90%或更多具有約100微米或更小之一表面積。
- 如請求項1所述之防眩光物件,其中該複數個特徵之約18%或更小具有大於約400nm之一平均表面積。
- 如請求項1-3中任一項所述之防眩光物件,其中該物件展現約0.15微米或更小之一Ra及約5%或更小之一PPDr。
- 如請求項4所述之防眩光物件,其中該物件展現小於約20%之一透射霧度,且該基材表面展現小於約90%之一DOI。
- 如請求項4所述之防眩光物件,其中該基材表面展現約87%或更小之一60°下光澤度。
- 一種形成具有一防眩光表面之一基材的方法,該方法包含以下步驟利用一蝕刻劑蝕刻一基材之一第一表面之一部分以提供一蝕刻表面,該蝕刻劑包含一水溶性金屬離子鹽;以及移除該蝕刻表面之一部分以提供該防眩光表面,其中該防眩光表面包含複數個特徵,且其中該複數個特徵之約50%或更多包含在約0.5至約1.5範圍內之一正規化面積,且該正規化面積係定義為關係(一特徵之表面積/所有特徵之平均表面積)。
- 如請求項7所述之方法,其中該水溶性金屬離子鹽包含以下任何一或多者:CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、FeCl3、Fe2(SO4)3、Fe(NO3)3、CoCl2、Co2SO4、Co(NO3)2、NiCl2、Ni2SO4、Ni(NO3)2、ZnCl2、Zn2SO4、Zn(NO3)2、CaCl2、Ca2SO4、Ca(NO3)2、MgCl2、Mg2SO4、Mg(NO3)2及NH4Cl。
- 如請求項7或請求項8所述之方法,其中該蝕刻劑包含一含氟化物之酸及一填充劑。
- 如請求項9所述之方法,其中該蝕刻劑包含以下任何一或多者:一可溶性澱粉、一可溶性聚合 物界面活性劑或其組合,其中該可溶性聚合物界面活性劑包含以下任何一或多者:聚丙烯醯胺、聚丙烯酸及聚(苯乙烯磺酸酯)。
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