TWI750353B - 紋理化玻璃製品及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本文提供了一種紋理化玻璃製品，此紋理化玻璃製品包含：包括厚度、主表面及在此厚度之中點處的主體組成物的玻璃基板；及由主表面界定並包含紋理化區域組成物之紋理化區域。紋理化區域包括2%或更少之閃爍。另外，主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽以及紋理化區域組成物包含至少約40mol%氧化矽。

Description

紋理化玻璃製品及其製作方法
本申請案根據專利法主張在2018年3月8日提交之美國臨時專利申請第15/915,325號之優先權，亦根據專利法主張在2017年3月28日提交之美國臨時專利申請第62/477592號之優先權，此等申請案之各者的內容被本文所依託並以引用之方式全部併入本文。
本揭示案大體係關於紋理化玻璃製品及其製造方法，具體關於用以生產實質上透明、低閃爍、紋理化玻璃製品之無氫氟酸方法。
防眩表面經常用於諸如LCD螢幕、OLED及觸控式螢幕之顯示器裝置中以避免或減少環境光之鏡面反射。在許多顯示器裝置中，此等防眩表面藉由向玻璃之一或多個表面提供一定位準的粗糙度以傳播及散射入射光來形成。呈粗糙玻璃表面形式之防眩表面經常用於此等顯示器裝置之前表面上以減少來自顯示器之外部反射的明顯可見度並提高顯示器在不同照明條件下之可讀性。此等粗糙表面亦用於一些顯示器裝置應用中，尤其觸控式螢幕，以提高觸覺感受。
顯示器「閃爍」或「耀眼」為當防眩或光散射表面併入顯示器系統時可發生之現象。閃爍與非常精細之粒狀外觀關聯，隨著顯示器之視角改變，粒狀外觀可表現為在粒狀圖案中具有變化。當經由防眩表面觀看諸如LCD之像素化顯示器時，觀察到此類閃爍。隨著顯示器裝置之解析度持續增加，尤其對於手提式電子裝置，用於此等裝置之像素陣列的像素間距愈來愈小，加劇了不良之閃爍效果。
用以製造紋理化玻璃表面之常規方法受到使用腐蝕酸，諸如氫氟酸之處理的影響，此等腐蝕酸在製造中對環境有害且成本昂貴。此外，紋理化粗糙防眩表面玻璃之常規方法產生相對大之特徵，此等特徵可限制此等表面最小化閃爍之效果。另外，產生防眩表面之其他常規方法使用可增加生產成本及產生不良光學效果之附加塗層。
綜上考慮，需要具有較小特徵之紋理化玻璃製品及其製造方法，尤其關於用以生產實質上透明、低閃爍、紋理化玻璃製品之無氫氟酸方法。亦需要以適合低成本且高產率製造之形式的此類方法。
本揭示案之第一態樣關於一種紋理化玻璃製品，此紋理化玻璃製品包含：包含厚度、主表面及在厚度之中點處之主體組成物的玻璃基板；及由主表面界定並包含紋理化區域組成物之紋理化區域。紋理化區域包括2%或更少之閃爍。另外，主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽以及紋理化區域組成物包含至少約40mol%氧化矽。
本揭示案之第二態樣關於一種紋理化玻璃製品，此紋理化玻璃製品包含：包含厚度、主表面及在厚度之中點處之主體組成物的玻璃基板；及由主表面界定並包括紋理化區域組成物之紋理化區域。此紋理化區域包含2%或更少之閃爍及複數個暴露特徵，此等複數個暴露特徵在由主表面界定之平面中具有小於5微米之平均最大尺寸。另外，主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽以及紋理化區域組成物包含至少約40mol%氧化矽。
在根據第一態樣或第二態樣之第三態樣中，紋理化區域另外包含自約10奈米至約500奈米之表面粗糙度(Ra )。
在根據上述態樣之任一者所述之第四態樣中，主體組成物選自由鋁矽玻璃、硼矽玻璃及磷矽玻璃組成之群組。
在根據上述態樣之任一者所述之第五態樣中，紋理化區域組成物及主體組成物每個包含實質上相等量之氧化矽。
在根據第一態樣至第四態樣之任一者所述之第六態樣中，紋理化區域組成物中之氧化矽的量高於主體組成物中之氧化矽的量。
在根據上述態樣之任一者所述之第七態樣中，玻璃基板另外包含自主表面延伸至選定深度之壓縮應力區域。
在根據第七態樣所述之第八態樣中，製品另外包含設置在紋理化區域上方之易清潔(easy-to-clean; ETC)塗層，此ETC塗層包含氟矽烷。
在根據上述態樣之任一者所述之第九態樣中，製品之特徵在於霧度範圍在自大於0%至100%。
本揭示案之第十態樣關於一種消費類電子產品，此消費類電子產品包括具有前表面、背表面及側面之外殼；至少部分設置在外殼中之電子部件，此等電子部件包括至少控制器、記憶體及顯示器，此顯示器設置在或鄰近於外殼之前表面；及設置在顯示器上方之蓋玻璃，其中外殼之部分或蓋玻璃之至少一者包含上述態樣之任一者所述之製品。
本揭示案之第十一態樣關於一種製造紋理化玻璃製品之方法，此方法包括以下步驟：使用具有約3或更少之pH的無氫氟酸蝕刻劑蝕刻具有厚度之玻璃基板之初始主表面；以及從玻璃基板去除蝕刻劑。蝕刻在自環境溫度以上至約100℃之溫度下進行以形成紋理化區域，此紋理化區域由此基板之主表面界定並包含2%或更少之閃爍。另外，玻璃基板在厚度之中點處包含主體組成物，此主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽，以及紋理化區域包括包含至少約40mol%氧化矽之紋理化區域組成物。
在根據第十一態樣所述之第十二態樣中，紋理化區域組成物中之氧化矽的量高於主體組成物中之氧化矽的量。
在根據第十一態樣或第十二態樣所述之第十三態樣中，製造紋理化玻璃製品之方法包括以下步驟：使用具有約10.0或更大之pH的第二蝕刻劑處理紋理化區域以去除紋理化區域並形成第二紋理化區域，此第二紋理化區域包含第二紋理化區域組成物並由基板之主表面界定。另外，處理在環境溫度以上進行。
在根據第十一態樣至第十三態樣之任一者所述之第十四態樣中，第二紋理化區域組成物及主體組成物每個包含實質上相等量之氧化矽。
在根據第十一態樣或第十二態樣所述之第十五態樣中，蝕刻步驟包括使用具有約3或更少之pH及添加鹽的無氫氟酸蝕刻劑蝕刻具有厚度的玻璃基板之初始主表面。
本文揭示之實施例的額外特徵及優勢將在下文描述中詳細地闡述，並且對於熟習此領域者而言，根據彼描述或藉由如本文描述地實踐所揭示實施例（包括隨後詳細描述、申請專利範圍以及附圖），部分將輕易地理解。
應理解，上述一般性描述及以下詳細描述僅為示例性地，並且意欲提供用於理解所主張之揭示內容的性質和特性之概述或框架。
包括之附圖用以提供對本揭示案之原理的進一步理解，並且併入及構成本說明書之一部分。附圖圖解了一或多個實施例，並與本說明書一起用以解釋例如本揭示案之原理及操作。應當理解，本說明書及附圖中揭示之本揭示案的各種特徵可以任何及全部組合的形式使用。藉由非限制性實例，本揭示案之各種特徵可根據以下態樣彼此組合。
在以下具體實施方式中，出於說明而非限制之目的，闡述揭示具體細節之示例實施例以提供對本揭示案之不同原理的透徹理解。然而，對於本領域一般技藝人士，經由得益於本揭示案，可以顯而易見地瞭解，可在不脫離本文揭示之具體細節之情況下在其他實施例中實踐本揭示案。此外，可以省略對眾所周知之設備、方法及材料的描述，以免模糊本揭示案之各種原理的描述。最後，無論在任何可應用之情況下，相同的元件符號指示相同元件。
本文表示之範圍自「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表示此種範圍時，另一實施例包括自一個特定值及/或至另一特定值。同樣地，當值藉由使用先行詞「約」而為近似值時，應理解特定值形成另一實施例。應進一步理解，範圍之各者之端點相對於另一個端點都為重要的，並且獨立於另一個端點。
本文使用之方向術語—例如上、下、右、左、前、後、頂部、底部—僅參考所繪製之附圖產生，並不意指絕對方向。
除非另有明確規定，否則本文闡述之任何方法決不意欲被解釋為需要按照特定的順序執行其步驟。因此，在方法請求項實際上沒有敘述其步驟要遵循之順序的情況下，或者在申請專利範圍或說明書中沒有另外具體陳述此等步驟僅限於特定順序之情況下，決不意圖在任何方面推斷出順序。此適用於解釋的任何可能的非表達基礎，包括：關於步驟安排、操作流程、部件順序或部件方向的邏輯事項；來自語法組織或標點的簡單含義；說明書中描述之實施例的數量或類型。
如本文使用，除非上下文另外明確指出，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該」包括複數指示物。因此，例如，除非上下文另外明確指出，對「部件」之引用包括具有兩個或更多個此種部件的態樣。
本揭示案之態樣大體關於紋理化玻璃製品，並且更具體地關於具有低閃爍之透明紋理化玻璃製品。本揭示案之態樣包括製造此等製品之方法，尤其使用無氫氟酸製程。更一般而言，製備本揭示案之紋理化玻璃製品的方法在多組分玻璃基板上產生具有小於5微米之特徵的精細紋理化表面，此多組分玻璃基板具有包含適量氧化矽及一或多個額外組分之組成物。一般而言，玻璃基板之異質性質允許其使用一或多種無氫氟酸蝕刻劑選擇性地蝕刻，從而留下可充當紋理化玻璃製品之紋理化區域的多孔富氧化矽層。可使用額外處理步驟以去除富多孔氧化矽層，從而留下具有與用於紋理化玻璃製品之基板的主體組成物相當之組成物的紋理化表面。
參見第1A圖，所圖示紋理化玻璃製品100a包括玻璃基板10，此玻璃基板具有複數個主表面12a及主表面14、厚度13及在厚度13之約中點13a處之主體組成物。在一些實施例中，主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽。玻璃製品100a亦包括具有一組成物之紋理化區域30a，此組成物具有至少40mol%氧化矽。在一些實施例中，紋理化區域30a由玻璃基板10組成或為玻璃基板10之另外部分，如在第1A圖中圖示。在此類實施方式中，紋理化區域30a界定在玻璃基板10內之主表面12a與紋理化區域界面34a之間。在其他實施方式(未圖示)中，紋理化區域30a存在於玻璃基板10上方，其中界面34a處在紋理化區域30a與玻璃基板10之間。
如第1A圖中大體圖示，紋理化區域30a在其具有平均特徵尺寸36a及平均粗糙度38a之主表面12a上包括複數個暴露特徵。根據紋理化玻璃製品100a之一些實施方式，紋理化區域30a之暴露特徵，包括它們的平均特徵尺寸36a及平均粗糙度38a，經配置以當此製品在顯示器裝置中使用時減少與製品關聯之眩光位準。平均特徵尺寸36a由根據本揭示案之領域中的一般技藝人士所理解之分析技術量測的與紋理化區域30a關聯之特徵之取樣的最大尺寸的平均值給定，例如，藉由使用200x放大之原子力顯微鏡拍攝主表面12a之影像並量測至少十(10)個特徵之取樣的最大尺寸。因此，術語「平均特徵尺寸」及「平均最大尺寸」在本揭示案中可互換使用。在一些實施例中，複數個特徵之至少一些具有高峰及山谷。暴露特徵之「最大尺寸」為自特徵之高峰之一個部分至特徵之高峰之另一部分的最大距離。在實施例中，與製品100a之紋理化區域30a關聯的平均特徵尺寸36a小於約10微米。根據一些實施方式，與紋理化區域30a關聯之平均特徵尺寸36a小於約5微米，小於約1微米，或者在一些情況下小於約0.5微米。另外，平均特徵大小36a可小於約10微米、9微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.9微米、0.8微米、0.7微米、0.6微米、0.5微米、0.4微米、0.3微米、0.2微米、0.1微米，以及在此等上限值之間的所有值。
再次參見與第1A圖中圖示之紋理化玻璃製品100a關聯之紋理化區域30a，平均粗糙度38a可使用干涉儀及200微米乘200微米之樣品面積量測作為表面粗糙度Ra 。使用之干涉儀為由ZYGO® 公司製造之ZYGO® NEW VIEW™7300光學表面輪廓儀。表面粗糙度即為平均表面粗糙度。在實施例中，玻璃製品100a可使用具有自約10奈米至約500奈米(Ra )之平均粗糙度38a的紋理化區域30a。根據一些實施方式，與紋理化區域30a關聯之平均粗糙度38a範圍為自約10奈米至約500奈米(Ra )，自約20奈米至約400奈米(Ra )，自約30奈米至約300奈米(Ra )，以及在此等表面粗糙度之間的所有值。另外，在紋理化玻璃製品100a之一些實施方式中，紋理化區域30a具有自約0.1奈米至約300奈米(Ra )之平均粗糙度38a，以及在此等表面粗糙度之間的所有值。
當玻璃製品之紋理化區域具有相對低的空間頻率時，與其暴露特徵關聯之粗糙度可開始充當產生稱為「閃爍」之影像假影的複數個透鏡。顯示器「閃爍」或者「耀眼」為可當將防眩或光散射表面引入像素化顯示器系統，諸如LCD、OLED、觸控式螢幕等等時發生之普遍不合需要副作用，並且此類型與在投影或雷射系統中觀察到並表徵之「閃爍」或者「斑點」的類型不同。閃爍與顯示器之非常精細之粒狀外觀關聯，並且隨著顯示器之視角改變，粒狀外觀可表現為在粒狀圖案中具有變化。顯示器閃爍可表現為明亮及黑暗或近似像素級大小之彩色斑點。
如本文使用，術語「像素功率偏差」及「PPD」指示顯示器閃爍之定量量測。另外，如本文使用，術語「閃爍」與「像素功率偏差」及「PPD」可互換使用。PPD藉由根據以下程序的影像分析顯示器像素來計算。網格框圍繞每個LCD像素繪製。每個網格框內之總功率隨後由CCD照相機資料計算並分配作為每個像素之總功率。每個LCD像素之總功率因而變為數位陣列，憑此可計算平均及標準偏差。PPD值被定義為每個像素總功率之標準偏差除以每像素平均功率(乘以100）。量測藉由眼睛模擬照相機自每個LCD像素收集之總功率並在整個量測區域上計算總像素功率之標準偏差(PPD)，此量測區域通常包含約30×30 LCD像素。
用以獲得PPD值之量測系統及影像處理計算的細節在標題為「用於決定閃爍之設備及方法(Apparatus and Method for Determining Sparkle)」之美國專利第9,411,180號中描述，其關於PPD量測之內容以引用之方式整個併入本文。PPD量測系統包括：包含複數個像素之像素化源，其中複數個像素之各者具有參考指數i 及j ；及沿來源於像素化源之光線路徑光學設置之成像系統。成像系統包括：沿光線路徑設置並具有包括第二複數個像素之像素化感光區的成像裝置，其中第二複數個像素之各者由指數m 及n 引用；以及設置在像素化源與成像裝置之間的光線路徑上的光闌，其中光闌對於來源於像素化源之影像具有可調節收集角。影像處理計算包括：獲得透明樣品之像素化影像，此像素化影像包括複數個像素；判定像素化影像中之相鄰像素之間的邊界；整合進邊界內以獲得像素化影像中之每個源像素的綜合能量；以及計算每個源像素之綜合能量之標準偏差，其中標準偏差為每像素離差之功率。如本文使用，所有「PPD」及「閃爍」值、屬性及極限值使用測試裝置計算及評估，此測試裝置使用具有每英寸210個像素(pixels per inch; PPI)之像素密度的顯示器裝置。
如第1A圖中大體圖示，紋理化玻璃製品100a之紋理化區域30a可經配置以最小化閃爍。在一些實施例中，紋理化區域30a經配置以最小化閃爍，同時維持適合於顯示器裝置應用之減少的眩光功能。根據一些實施例，紋理化玻璃製品100a之紋理化區域30a經配置使得製品表徵為2%或更少之閃爍。在其他態樣中，本揭示案之紋理化玻璃製品100a可經配置以具有2%或更少、1.5%或更少、1%或更少、0.5%或更少之閃爍，以及在此等上限值之間的所有閃爍位準。
再次參見第1A圖，紋理化玻璃製品100a之玻璃基板10經配置以具有多組分玻璃組成物，此多組分玻璃組成物具有約40mol%至80mol%氧化矽及一或多種其他成分之餘量，例如氧化鋁、氧化鈣、氧化鈉、氧化硼等等。在一些實施方式中，玻璃基板10之主體組成物選自由鋁矽玻璃、硼矽玻璃及磷矽玻璃組成之群組。在其他實施方式中，玻璃基板10之主體組成物選自由鋁矽玻璃、硼矽玻璃、磷矽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼鋁矽酸鹽玻璃及鹼鋁硼矽酸鹽玻璃組成之群組。在另外實施方式中，玻璃基板10為基於玻璃之基板，包括但不限於，包含約90重量%或更大之玻璃組分及陶瓷組分的玻璃陶瓷材料。
在紋理化玻璃製品100a之一個實施方式中，玻璃基板10具有包含鹼鋁矽酸鹽玻璃之主體組成物，此鹼鋁矽酸鹽玻璃包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中大於50mol%之SiO2 ，在其他實施例中至少58mol%之SiO2 ，以及在又一實施例中至少60mol%之Si02 ，其中比率(Al2 O3 (mol%)+B2 O3 (mol%))/∑鹼金屬改質劑(mol%)＞1，其中此等改質劑為鹼金屬氧化物。在特別實施例中，此玻璃包含以下各者，基本上由以下各者組成，或者由以下各者組成：約58mol%至約72mol% SiO2 ；約9mol%至約17mol% Al2 O3 ；約2mol%至約12mol% B2 O3 ；約8mol%至約16mol% Na2 O；及0mol%至約4mol% K2 O，其中比率(Al2 O3 (mol%)+B2 O3 (mol%))/∑鹼金屬改質劑(mol%)＞1，其中此改質劑為鹼金屬氧化物。
在紋理化玻璃製品100a之另一實施例中，如第1A圖中圖示，玻璃基板10具有包含鹼鋁矽酸鹽玻璃之主體組成物，此鹼鋁矽酸鹽玻璃包含以下各者，基本上由以下各者組成，或由以下各者組成：約61mol%至約75mol% SiO2 ；約7mol%至約15mol% Al2 O3 ；0mol%至約12mol% B2 O3 ；約9mol%至約21mol% Na2 O；0mol%至約4mol% K2 O；0mol%至約7mol% MgO；及0mol%至約3mol% CaO。
在又一實施例中，玻璃基板10具有包含鹼鋁矽酸鹽玻璃之主體組成物，此鹼鋁矽酸鹽玻璃包含以下各者，基本上由以下各者組成，或由以下各者組成：約60mol%至約70mol% SiO2 ；約6mol%至約14mol% Al2 O3 ；0mol%至約15mol% B2 O3 ；約0mol%至約15mol% Li2 O；0mol%至約20mol% Na2 O；0mol%至約10mol% K2 O；0mol%至約8mol% MgO；0mol%至約10mol% CaO；0mol%至約5mol% ZrO2 ；0mol%至約1mol% SnO2 ；0mol%至約1mol% CeO2 ；小於約50ppm As2 O3 ；以及小於約50ppm Sb2 O3 ；其中12mol%≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20mol%及0mol%≦MgO+Ca≦10mol%。
在又一實施例中，玻璃基板10具有包含鹼鋁矽酸鹽玻璃之主體組成物，此鹼鋁矽酸鹽玻璃包含以下各者，基本上由以下各者組成，或由以下各者組成：約64mol%至約68mol%之SiO2 ；約12mol%至約16mol%Na2 O；約8mol%至約12mol%之Al2 O3 ；0mol%至約3mol%之B2 O3 ；約2mol%至約5mol%之K2 O；約4mol%至約6mol%之MgO；以及0mol%至約5mol%之CaO，其中：66mol≦SiO2 +B2 O3 +CaO≦69mol%；Na2 O+K2 O+B2 O3 +MgO+CaO+SrO＞10mol%；5mol%≦MgO+CaO+SrO≦8mol%；(Na2 O+B2 O3 )-Al2 O3 ≦2mol%；2mol%≦Na2 O-Al2 O3 ≦6mol%；以及4mol%≦(Na2 O+K2 O)-Al2 O3 ≦10mol%。
在其他實施例中，玻璃基板10具有主體組成物，此主體組成物包含SiO2 、Al2 O3 、P2 O5 及至少一種鹼金屬氧化物(R2 O)，其中0.75＞[(P2 O5 (mol%)+R2 O(mol%))/M2 O3 (mol%)]≦1.2，其中M2 O3 =A12 O3 +B2 O3 。在一些實施例中，[(P2 O5 (mol%)+R2 O(mol%))/M2 O3 (mol%)]=l，以及在一些實施例中，玻璃不包括B2 O3 並且M2 O3 =Al2 O3 。在一些實施例中，玻璃基板包含：約40至約70mol%之SiO2 ；0至約28mol%之B2 O3 ；約0至約28mol%之Al2 O3 ；約1至約14mol%之P2 O5 ；以及約12至約16mol%之R2 O。在一些實施例中，玻璃基板包含：約40至約64mol%之SiO2 ；0至約8mol%之B2 O3 ；約16至約28mol%之Al2 O3 ；約2至約12mol%之P2 O5 ；以及約12至約16mol%之R2 O。玻璃基板10可另外包含至少一種鹼土金屬氧化物，諸如但不限於MgO或CaO。
在一些實施例中，玻璃基板10具有實質上不含鋰之主體組成物，亦即玻璃包含小於1mol%之Li2 O，以及在其他實施例中，玻璃包含小於0.1mol%之Li2 O，以及在其他實施例中，玻璃包含0.01mol%之Li2 O，以及在又一實施例中，玻璃包含0mol%之Li2 O。在一些實施例中，此類玻璃不含砷、銻及鋇之至少一種；亦即，玻璃包含小於1mol%，以及在其他實施例中，玻璃包含小於0.1mol%，以及在又一實施例中，玻璃包含0mol%之As2 O3 、Sb2 O3 及/或BaO。
在紋理化玻璃製品100a之其他實施例中，玻璃基板10具有主體組成物，此主體組成物包含以下各者，基本上有以下各者組成，由以下各者組成：Coming®Eagle XG®玻璃、Coming®Gorilla®玻璃、Coming®Gorilla®玻璃2、Coming® Gorilla®玻璃3、Coming® Gorilla®玻璃4或Coming®Gorilla®玻璃5之玻璃組成物。
如亦在第1A圖中圖示，紋理化玻璃製品100a之紋理化區域30a由範圍在玻璃基板10之主表面12a與紋理化區域界面34a之間的多孔淋溶層40a界定。在一些實施例中，多孔淋溶層40a中之氧化矽的量高於玻璃基板10之主體組成物中之氧化矽含量。作為用於說明目的之實例，具有玻璃基板10之紋理化玻璃製品100a可包括具有多孔淋溶層40a之紋理化區域30a，此玻璃基板10具有包含約50mol%氧化矽之主體組成物，此多孔淋溶層40a具有約70mol%氧化矽。如將在下文更詳細地概述，多孔淋溶層40a可經由玻璃基板10之低pH處理而產生。此種處理可優先去除玻璃基板10之非氧化矽組分，從而留下比玻璃基板10之主體組成物具有更高氧化矽含量之多孔淋溶層40a。
現參見第1B圖，所圖示紋理化玻璃製品100b包括玻璃基板10，此玻璃基板具有複數個主表面12b及主表面14、厚度13及在厚度13之約中點13a處之主體組成物。在一些實施例中，主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽。應當理解，關於功能及屬性，紋理化玻璃製品100b實質上類似於紋理化玻璃製品100a。另外，除非另作說明，與第1B圖中圖示之紋理化玻璃製品100b關聯的相同編號元件與第1A圖中圖示且先前概述之紋理化玻璃製品100a關聯的相同元件具有相同或等效之結構 及功能。紋理化玻璃製品100a與紋理化玻璃製品100b之間的主要差異為紋理化玻璃製品100a之紋理化區域30a可包括多孔淋溶層40a，如第1A圖圖示，並且紋理化玻璃製品100b之紋理化區域30b不表徵為具有與層40a相當之多孔淋溶層。
回見第1B圖，紋理化玻璃製品100b包括具有一組成物之紋理化區域30b，此組成物具有至少40mol%氧化矽。紋理化區域30b由玻璃基板10之主表面12b及紋理化區域界面34b界定。如第1B圖中以示例性方式圖示，紋理化區域30b之紋理化區域界面34b與玻璃基板10之主表面12b實質上一致，如表現為紋理化區域30b在玻璃基板10內具有很少至沒有之深度。在其他態樣中，玻璃基板10之主表面12b在紋理化區域界面34b上方，如表現為紋理化區域30b在玻璃基板10內具有深度，亦即，如由從主表面12b至紋理化區域界面34b(未圖示)給定之深度界定。
如在第1B圖中大體圖示，紋理化區域30b在具有平均特徵尺寸36b及平均粗糙度38b之其主表面12b上包括複數個暴露特徵。根據紋理化玻璃製品100b之一些實施方式，紋理化區域30b之暴露特徵，包括它們的平均特徵尺寸36b及平均粗糙度38b，經配置以當此製品在顯示器裝置中使用時減少與製品關聯之眩光程度。平均特徵尺寸36b由根據本揭示案之領域中的一般技藝人士所理解之分析技術量測的與紋理化區域30b關聯之特徵之取樣的最大尺寸的平均值給定，例如，藉由使用200x放大之原子力顯微鏡拍攝主表面12a之顯微影像並量測至少十(10)個特徵之取樣的最大尺寸。在實施例中，與製品100b之紋理化區域30b關聯的平均特徵尺寸36b小於約10微米。根據一些實施方式，與紋理化區域30b關聯之平均特徵尺寸36b小於約5微米，小於約1微米，或者在一些情況下小於約0.5微米。另外，平均特徵大小36b可小於約10微米、9微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米、0.9微米、0.8微米、0.7微米、0.6微米、0.5微米、0.4微米、0.3微米、0.2微米、0.1微米，以及在此等上限值之間的所有值。
再次參見與第1B圖中圖示之紋理化玻璃製品100b關聯之紋理化區域30b，平均粗糙度38b可使用關於第1A圖描述之方法量測作為表面粗糙度Ra 。在實施例中，玻璃製品100b可使用具有自約10奈米至約500奈米(Ra )之平均粗糙度38b的紋理化區域30b。根據一些實施方式，與紋理化區域30b關聯之平均粗糙度38b範圍為自約10奈米至約500奈米(Ra )，自約20奈米至約400奈米(Ra )，自約30奈米至約300奈米(Ra )，以及在此等表面粗糙度之間的所有值。另外，在紋理化玻璃製品100b之一些實施方式中，紋理化區域30b具有自約0.1奈米至約300奈米(Ra )之平均粗糙度38b，以及在此等表面粗糙度之間的所有值。
根據第1B圖中圖示之紋理化玻璃製品100b之一些實施例，可表徵紋理化區域30b使得其組成物與玻璃基板10之主體組成物實質上相等，尤其關於氧化矽含量。如將在下文更詳細地概述，紋理化區域30b可經由對玻璃基板10之連續低pH及高pH處理而產生。此低pH處理可優先去除玻璃基板10之非氧化矽組成物，從而留下比玻璃基板10之主體組成物具有更高氧化矽含量之多孔淋溶層40a(例如，如第1A圖中圖示)。然而，後續高pH處理可經配置以去除多孔淋溶層，從而留下具有約與玻璃基板10之主體組成物相同(尤其關於氧化矽含量如此)之組成物的紋理化區域30b。
如本文使用，術語「透射霧度」及「霧度」指根據ASTM程式D1003以約±2.5°之錐形角向外散射之透射光的百分比，此ASTM程序D1003標題為「用於透明塑膠之霧度及光透射比之標準測試方法(Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics)」，其內容以引用之方式整個併入本文。對於光學光滑表面，透射霧度通常接近於零。根據紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b之實施方式(見第1A圖 & 第1B圖)，製品可表徵為25%或者更少之霧度。在其他實施方式中，對於特殊應用，符合本揭示案之原理的紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b可由高達100%之霧度位準、自0%至100%之範圍中的霧度位準、自0%至50%之範圍中的霧度位準，以及在此等值之間的霧度位準製造。例如，紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b中之所需霧度位準可藉由控制與產生各別紋理化區域30a、紋理化區域30b關聯之蝕刻條件來獲得。一般而言，較高酸濃度及/或蝕刻時間可增加與特殊紋理化玻璃製品100a、特殊紋理化玻璃製品100b關聯之霧度量。
根據其他實施例，紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b（見第1A圖&第1B圖）之玻璃基板10可具有藉由本領域中已知之化學手段或熱手段增強的可離子交換玻璃組成物。在一個實施例中，玻璃基板藉由離子交換來化學增強。在此製程中，在或鄰近玻璃基板10之主表面12a、主表面12b的金屬離子（見第1A圖&第1B圖）可交換為與玻璃基板中之金屬離子具有相同原子價的更大金屬離子。此交換通常藉由將玻璃基板10與離子交換介質，諸如包含更大金屬離子之熔融鹽浴接觸來進行。金屬離子通常為單價金屬離子，諸如鹼金屬離子。在一個非限制性實例中，藉由離子交換包含鈉離子之玻璃基板10的化學增強，藉由將玻璃基板10浸沒在包含諸如硝酸鉀(KNO3 )等等之熔融鉀鹽的離子交換浴中來實現。在一個特殊實施例中，玻璃基板10之表層中的離子及更大離子為單價鹼金屬陽離子，諸如Li+ （當存在於玻璃中時）、Na+ 、K+ 、Rb+ 及Cs+ 。或者，玻璃基板10之表層中的單價陽離子可替換為除了鹼金屬陽離子外的單價陽離子，諸如Ag+ 等等。
在此等實施例中，在離子交換製程中小金屬離子由更大金屬離子的替換在自主表面12a、主表面12b延伸至深度52（見第1A圖&第1B圖）（稱作「層深」）之玻璃基板10中（亦即，在壓縮應力下）產生壓縮應力區域50。玻璃基板之主表面處的此壓縮應力藉由玻璃基板之內部中的拉伸應力（亦稱為「中央張力」）平衡。在一些實施例中，當藉由離子交換增強時，本文描述之玻璃基板10的主表面12a或者主表面12b具有至少350MPa壓縮應力，並且處於壓縮應力下之區域延伸至深度52（亦即在主表面12a或者主表面12b下方至少15μm的層深）。
離子交換製程通常藉由將玻璃基板10浸沒在熔融鹽浴中來進行，此熔融鹽浴包含待與玻璃中之較小離子交換的更大離子。熟習此項技術者將會理解，離子交換製程之參數包括但不限於：浴組成物及溫度、浸沒時間、鹽浴（或者多個浴）中之玻璃的浸沒次數、多個鹽浴之使用，諸如退火、清洗等等之額外步驟，通常藉由作為增強操作之結果的玻璃之組成物及層之所需深度及玻璃之壓縮應力判定。例如，含鹼金屬玻璃之離子交換可藉由在至少一個熔融浴中浸沒來實現，此熔融浴包含鹽，諸如但不限於更大鹼金屬離子之硝酸鹽、硫酸鹽及氯化物。熔融鹽浴之溫度一般在自約380℃到至多約450℃之範圍中，而浸沒時間範圍在自約15分鐘到至多約16小時。然而，亦可使用與上述彼等不同之溫度及浸沒次數。此種離子交換處理，當與具有鹼鋁矽酸鹽玻璃組成物之玻璃基板10一起使用時，產生壓縮應力區域50，該壓縮應力區域50具有自約10μm到至少50μm之深度52（層深），且壓縮應力範圍為自約200 MPa到至多約800 MPa，中央張力為小於約100MPa。
因為根據一些實施例可用以產生紋理化區域30a、紋理化區域30b之蝕刻及淋溶製程可在一些情況下從玻璃基板10去除鹼金屬離子，此等鹼金屬離子原本將在離子交換製程期間由更大之鹼金屬離子替代，所以在紋理化區域30a、紋理化區域30b之形成及發展之後，優先在紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b中發展壓縮應力區域50。在其他實施例中，在發展紋理化區域30a、紋理化區域30b之前，壓縮應力區域50可在玻璃基板10中發展至深度52，此深度足以導致在與低pH或低及高pH處理關聯之區域50中的層深中的一些損失，如下文概述。
根據在第1A圖及第1B圖中圖示之紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b的另一實施方式，製品另外包括設置在紋理化區域30a、紋理化區域30b上方之易清潔(ETC)塗層90。在大多數實施例中，ETC塗層90設置在紋理化區域30a、紋理化區域30b上方，使得其表面形態基本反映紋理化區域30a、紋理化區域30b之下層形態。在一個實施例中，紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b另外包括沉積在紋理化區域30a、紋理化區域30b之至少一部分上的耐髒氟基ETC塗層90。在實施例中，ETC塗層90包含具有氟端基之至少一種兩疏性物質，其提供具有兩疏性(亦即，疏水性及疏油性，或對油及水兩者缺乏親和力)之紋理化區域30a、紋理化區域30b，從而藉由水及/或油最小化表面之潤濕。ETC塗層90之氟端基比具有-OH端基之表面極性更少，並且因此最小化粒子與液體之間的氫(亦即，凡得瓦爾)鍵。對於與指紋關聯之指紋油及碎片，最小化結合力及黏合力。因此，最小化指紋油及碎片從人之手指至ETC塗層90的物質傳遞。在一個實施例中，ETC塗層90藉由交換在紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b之紋理化區域30a、紋理化區域30b上的末端OH基團中發現之氫與諸如含氟單體(例如，氟矽烷)之氟基部分以形成具有末端氟化基團之玻璃而形成。
在另一實施例中，紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b之ETC塗層90包含氟端分子鏈之自組合單層。在又一實施例中，ETC塗層90包含薄的氟代聚合塗層，並且在又一實施例中，ETC塗層包含已處理以具有附接至灰粒之下垂式氟碳基團的氧化矽灰粒。此類ETC塗層90可藉由浸泡、蒸汽塗覆、噴塗、用滾筒塗覆或本領域已知之其他適宜方法塗覆至紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b之紋理化區域30a、紋理化區域30b。在已塗覆ETC塗層90之後，它可在約25℃到至多約150℃之範圍溫度下「固化」，並且在另一實施例中，在約40℃到至多約100℃之範圍溫度下「固化」。固化時間可在自約1小時到至多約4小時之範圍中，並且可在包含40-95%濕氣之氣氛中進行。在固化之後，具有ETC塗層90之紋理化玻璃製品100a、紋理化玻璃製品100b可經溶劑沖洗以在使用之前去除任何非結合塗層及用空氣乾燥。
現參見第2圖，示意圖圖示對具有不同位準氧化矽之含氧化矽、多組分玻璃基板（例如，與玻璃基板10相當之玻璃基板）使用根據本揭示案之低pH淋溶製程的效果。在第2圖之部分「A」中，具有約40mol%至約80mol%氧化矽之組成物的玻璃基板經歷低pH淋溶製程，並且去除非氧化矽組分（如第2圖中之「其他組分」表示）。最後結果為，紋理化玻璃製品（例如，與第1圖中圖示之紋理化玻璃製品100a相當）具有一紋理化區域，此紋理化區域具有高於基板之主體組成物的氧化矽含量。相反，第2圖中之部分「B」及部分「C」表示根據氧化矽含量與超出較佳視窗之玻璃基板組成物進行同一低pH製程之效果。即是說，部分「B」中之基板具有小於40mol%之氧化矽含量，並且此基板在低pH處理期間由於非氧化矽組分之去除而基本上分崩離析或顯著降解。另一方面，部分「C」中之基板具有大於80mol%之氧化矽含量，並且基板之表面與蝕刻之前的基板表面幾乎難區分；因此，部分「C」中之基板在經歷低pH處理之後不具有符合本揭示案之原理的紋理化區域。
現參見第3A圖，提供示意流程圖，其圖示製造紋理化玻璃製品，例如紋理化玻璃製品100a（如第1A圖中圖示)的方法200a。如圖示，玻璃基板10具備初始主表面12’，以及相對之主表面14。隨後對玻璃基板10進行蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120，此蝕刻步驟包括使用具有約3或者更少之pH的無氫氟酸蝕刻劑蝕刻初始主表面12’。進一步關於蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120，其包括金屬離子(例如，來自玻璃基板10之鹼金屬)淋溶之低pH淋溶部分110及表面溶解部分(例如，來自玻璃基板10之氧化矽)。在方法200a之一些實施例中，鹽酸及/或檸檬酸可在蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120期間用作無氫氟酸蝕刻劑。根據實施例，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120在環境溫度以上至約100℃之高溫下進行。在一些實施方式中，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120在約25℃、30℃、35℃、40℃、45℃ 50℃、55℃、60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃，以及在此等值之間的所有溫度下進行。另外，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120可進行約15分鐘至約100小時。在一些實施例中，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120進行約5小時至約30小時。根據一些實施方式，鹽酸蝕刻劑之適宜濃度位準範圍為自約0.5重量%至約15重量%，例如約 0.5%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%以及在此等位準之間的所有鹽酸濃度。根據其他實施方式，檸檬酸蝕刻劑之適宜濃度位準範圍為自約1重量%至約30重量%，例如約1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%、20%、21%、22%、23%、24%、25%、26%、27%、28%、29%、30%，以及在此等位準之間的所有檸檬酸濃度。完成蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120時，紋理化區域30a在紋理化玻璃製品100a中形成(亦參見第1A圖)。
根據製造第3A圖中圖示之紋理化製品(例如，紋理化玻璃製品100a(如第1A圖中圖示))的方法200a的另一實施例，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120可包括使用具有約3或者更少之pH及添加鹽的無氫氟酸蝕刻劑蝕刻具有厚度13(如第1A圖中圖示)之玻璃基板10的初始主表面12’。如本文使用，術語「添加鹽」包含一種鹽，此鹽包含多價金屬陽離子(例如，Al3+)、氨陽離子(例如，NH4 +)及在玻璃基板10中不存在或微量豐富的金屬陽離子(例如，玻璃基板10之某些組成物的Li+)之一或多種。在一些實施例中，添加鹽可包含多價金屬離子及/或銨離子，例如，選自由NH4 +、Al3+、Fe3+、Ca2+及Mg2+組成的群組。例如，添加鹽可為NH4Cl、AlCl3、FeCl3、CaCl2及MgCl2。在一些實施例中，添加鹽亦可包括鹽，此鹽包含在目標玻璃基板10內不存在或微量豐富的陽離 子，例如NH4Cl、LiCl、CsCl等等。根據一些實施例，進行蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120，使得使用在大於約0.1M至約5M之範圍中的濃度的添加鹽(除無鹽酸蝕刻劑外)。根據一些實施例，在蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120中使用的多價金屬鹽濃度為自大於約0.1M至約3M、自約0.5M至約2M、自約0.5M至約1.5M，以及在此等範圍端點之間的所有濃度值。在使用添加鹽之蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120的一些實施方式中，蝕刻在自約75℃至約110℃之範圍溫度下、自約80℃至約110℃之範圍溫度下、自約85℃至約110℃之範圍溫度下、自約90℃至約110℃之範圍溫度下，以及在此等範圍端點之間的所有溫度下進行。有利地，將添加鹽併入蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120中可減少發展所需霧度位準及紋理化區域30a(參見第1A圖)所需的蝕刻時間。根據使用添加鹽之蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120的一些實施方式，蝕刻可進行約15分鐘至約10小時。在優選實施方式中，可使用添加鹽進行蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120約15分鐘至約5小時、約30分鐘至約5小時、乃至約30分鐘至2小時。
再次參見第3A圖，在一些實施例中，方法200a另外包括經配置以從蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120去除多餘蝕刻劑及淋溶基板成分的去除步驟。即是說，在方法200a之低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分 120之後，隨後藉由使用去離子水沖洗初始主表面12'上之蝕刻劑，去除多餘蝕刻劑以及玻璃基板10之初始主表面12'的任何成分。如本技術領域中一般技藝人士將理解，各種機械及/或水清潔方法可用於用以去除多餘蝕刻劑及淋溶基板成分而不實質影響玻璃基板10之表面的去除步驟。
在實施例中，第3A圖中圖示之方法200a的蝕刻步驟與低pH淋溶部分110以及低pH表面溶解及差異淋溶部分120(參見第3B圖)關聯。在不被理論束縛之情況下，低pH淋溶部分110在蝕刻期間之初始階段發生並導致從玻璃基板10淋溶非氧化矽成分。根據一些實施例，低pH淋溶部分110可由以下反應(「反應1」)表示：Mx+(玻璃基板中)→Mx+(蝕刻劑)，其中M表示從玻璃基板10淋溶進蝕刻劑中之金屬離子，以及x等於整數。因為裂縫及其他高深度特徵在低pH淋溶部分110期間在玻璃基板10之初始主表面12'中產生，所以額外非氧化矽成分在低pH表面溶解及差異淋溶部分120期間(例如，以高於周圍材料之淋溶率)從此等裂縫區域中之玻璃基板優先去除，從而導致淋溶層40a下方特徵之額外發展。根據一些實施例，低pH表面溶解及差異淋溶部分120可由以下反應(「反應2」)表示，其描述在玻璃基板10之表面處的氧化矽層溶解：(SiO2)n(玻璃基板中)+2n H2O→nH4SiO4(亦即，形成於蝕刻劑內之矽酸)，其中n為整數。亦應相信，上述反應可逆向進行，其中矽酸沉澱析出作為蝕刻劑內之SiO2(「反應3」)。因為矽酸濃度在反應3中降低，反應1及反應2並不限速且可持續，從而促進蝕刻製程以獲得紋理化區域30a。因而，在蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分 120期間形成之紋理化區域30a可例如在主表面12a及淋溶層40a與下層之玻璃基板10之間的界面34a處具有多個形態(見第1A圖)。
在不被理論束縛之情況下，根據方法200a形成紋理化區域30a之速率可藉由控制上述反應1、反應2及/或反應3之態樣加速或減速。例如，在蝕刻劑中使用之水量的減少可減慢反應2(例如，藉由增加水溶性有機溶劑)，並且因此減慢方法200a進行之速率。同樣地，增加矽酸至蝕刻劑亦可減慢反應2，其依次可減慢方法200a進行之速率。根據方法200a之一些實施例，如上文所述，蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120亦可使用添加鹽。特別地，添加鹽可充當反應3中之催化劑。即是說，添加鹽(表現為NH4Cl)將加速反應3，使得矽酸在蝕刻劑中沉澱、重新成核及/或聚合，從而減少矽酸在蝕刻劑中之濃度。因此，矽酸在蝕刻劑中之減少將允許反應1之加速，從而根據方法200a加速紋理化區域30a之形成總速率。根據另一實施方式，反應1、反應2及反應3之各者可藉由將反應溫度增加直到100℃來促進。最終，藉由將玻璃基板10之金屬離子併入蝕刻劑(例如，Li+、Na+及K+)中減慢反應1亦是可能的。
如第3B圖中圖示，提供示意流程圖，其圖示製造紋理化玻璃製品，例如紋理化玻璃製品100b(如第1B圖中圖示)的方法200b。方法200b之蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120與第3A圖中圖示之方法200a中使用的步驟相同。另外，方法200b之實施例在蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120之後可包括用以去除 多餘蝕刻劑及來自蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120之淋溶基板成分而進行的去除步驟。更特別地，方法200b中之蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120之完成產生具有紋理化區域30a及淋溶層40a之臨時紋理化玻璃製品(例如，與第1A圖及第3A圖中圖示之紋理化玻璃製品100a相當)。此時，方法200b繼續處理步驟130，此處理步驟藉由使用具有約10.0或者更大pH之蝕刻劑處理紋理化區域30a以形成紋理化區域30b來進行。在實施例中，步驟130中使用之蝕刻劑為具有自約10至約13之範圍中的pH之液態鹼性溶液。特別地，淋溶層40a在處理步驟130期間去除，從而留下紋理化區域30a，其由玻璃基板10之主表面12b界定。在方法200b之實施例中，主表面12b在蝕刻步驟的低pH淋溶部分110及低pH表面溶解及差異淋溶部分120之低pH表面溶解及差異淋溶部分120期間初始形成，並且稍後藉由在處理步驟130期間去除淋溶層40a而「暴露」。在方法200b之一些實施例中，紋理化區域30b之組成物實質上相當於玻璃基板10之主體組成物，尤其關於氧化矽。
本文揭示之玻璃製品，例如玻璃製品100a、玻璃製品100b，可併入另一製品中，諸如具有顯示器(或顯示器製品)之製品(例如，消費類電子設備，包括行動式電話、平板、電腦、導航系統等等)；建築製品、運輸製品(例如，汽車、火車、飛機、海船等等)、家電製品，或者要求一些透明度、耐刮擦、耐磨性或其組合之任何製品。併入本文揭示之玻璃製品的任一者(包括玻璃製品100a、玻璃製品100b)的示範性製品在第4A圖及第4B圖中圖示。具體地，第4A圖及第4B圖圖示消費類電子裝置400，其包括具有前表面404、背表面406及側面408之外殼402；至少部分或全部在外殼內並包括至少控制器、記憶體及在或鄰近外殼前表面之顯示器410的電子部件（未圖示）；及在外殼之前表面處或上方使得其處於顯示器上方的蓋基板412。在一些實施例中，蓋基板412或外殼402之部分的至少一者可包括本文揭示之任何玻璃製品。
實例
以下實例描述了本揭示案提供之各種特徵及優點，並且決不意欲限制本發明及所附申請專利範圍。
實例1
如本文所述地處理玻璃1、玻璃2及玻璃3之樣品。樣品未經離子交換。玻璃1具有基於67.37mol% SiO2 、3.67mol% B2 O3 、12.73mol% A12 O3 、13.77mol% Na2 O、0.01mol% K2 O、2.39mol% MgO、0.003mol% TiO2 、0.01mol% Fe2 O3 、0.01mol% ZrO2 及0.09mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃2具有基於67.81mol% SiO2 、9.74mol% B2 O3 、11.00mol% A12 O3 、2.26mol% MgO、8.60mol% CaO、0.50mol% SrO、0.01mol% Fe2 O3 及0.06mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃3具有基於66.37mol% SiO2 、0.60mol% B2 O3 、10.29mol% A12 O3 、13.80mol% Na2 O、2.40mol% K2 O、5.74mol%MgO、0.003mol% TiO2 、0.59mol% CaO及0.21mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃1之樣品在5至10wt.%鹽酸中在95℃下蝕刻1至24小時。玻璃2之樣品在5wt.%鹽酸中在95℃下蝕刻24小時。另外，玻璃3之樣品在5wt.%鹽酸中在95℃下蝕刻24小時。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。應注意，每個樣品之兩個主表面皆經歷蝕刻及清洗處理步驟。產生之樣品為與本揭示案中較早概述之紋理化玻璃製品100a相符的紋理化玻璃製品。
隨後，對經處理之樣品表徵表面粗糙度(Ra )、霧度及閃爍；並且結果列於下表1中。應注意，使用具有每平方英寸210像素之密度的顯示器，根據本揭示案中較早概述之協定進行所有的閃爍量測。總體上，如表1展示，包含玻璃1之紋理化玻璃製品展現自0%至100%之霧度位準及自約0.42 nm至243 nm之表面粗糙度(Ra )。玻璃2及玻璃3之霧度位準分別為20%及7%。一般而言，霧度位準及表面粗糙度位準隨著酸濃度及/或酸在樣品之間停留時間的增加而增加。另外，所有樣品之閃爍位準低於2%。 表1
Figure 107109227-A0304-0001
另外，第5圖為包含使用淋溶步驟處理的玻璃1基板之紋理化玻璃製品之一者的光學顯微照片，此淋溶步驟使用10wt.%HC1在95℃下進行24小時。如從第5圖明顯可見，與樣品關聯之紋理化區域的暴露特徵大小為1微米或者更少。第6A圖為包含使用淋溶步驟處理的玻璃3基板之紋理化玻璃製品之一者的光學顯微照片，此淋溶步驟使用5wt.%HC1在95℃下進行24小時。如從第6A圖明顯可見，與樣品關聯之紋理化區域的暴露特徵大小為1微米或者更少。最終，第6B圖為包含使用淋溶步驟處理的玻璃2基板之紋理化玻璃製品之一者的光學顯微照片，此淋溶步驟使用5wt.%HC1在95℃下進行24小時。如從第6B圖明顯可見，與樣品關聯之紋理化區域的暴露特徵大小為1微米或者更少。
實例2
玻璃1樣品在9wt.%鹽酸中在95℃下蝕刻8小時。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。為了掃描透射電子顯微鏡（scanning transmission electron microscopy; STEM）量測之目的，樣品隨後經歷本領域一般技藝人士理解的樣本製備技術。隨後，使用STEM分析樣品。如在第7A圖至第7D圖中圖示，產生之STEM影像顯示此等紋理化玻璃製品之橫截面，與第1A圖及第3A圖中圖示之紋理化玻璃製品100a相當，尤其是具有由主表面12a界定之約179nm之平均厚度的紋理化區域30a。另外，此等影像展示出紋理化區域30a包含具有自約1至10nm之範圍中的氣孔的多孔淋溶層40a。
實例3
以下實例使用玻璃4之樣品。玻璃4具有基於63.76mol% SiO2 、2.37mol% B2 O3 、15.05mol% Al2 O3 、9.24mol% Na2 O、5.88mol% Li2 O、1.18mol% ZnO、2.47mol% P2 O5 及0.05mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃4之樣品使用20wt.%檸檬酸在95℃下蝕刻10小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。另外，樣品部分經歷在環境溫度下使用具有約13 pH之鹼性清潔劑的高pH處理，隨後在去離子水中沖洗及在環境溫度下乾燥。隨後使用掃描電子顯微鏡(SEM)能量散射光譜(EDS)方法分析樣品。第8A1圖、第8A2圖及第8A3圖為製備狀態（亦即，在低pH及高pH處理之前）中之玻璃4的一系列SEM-EDS顯微照片，與第1B圖及第3B圖中圖示之玻璃基板10相當。第8B1圖、第8B2圖及第8B3圖為低pH處理之後且在高pH處理之前的樣品部分的一系列SEM-EDS影像。如第8B1圖至第8B3圖圖示，紋理化區域30a從低pH處理與淋溶層40a發展而來。最終，第8C1圖、第8C2圖及第8C3圖為高pH處理之後紋理化玻璃製品部分的一系列SEM-EDS影像。如第8C1圖至第8C3圖圖示，紋理化區域30b在樣品中從高pH處理發展而來。特別地，紋理化區域30b至少部分地基於高pH處理期間之淋溶層40a（見第8B1圖至第8B3圖）的去除發展而來。
實例4
在以下實例中使用玻璃1、玻璃5及玻璃6之樣品。玻璃5具有基於64.62mol% SiO2 、5.14mol% B2 O3 、13.97mol% Al2 O3 、13.79mol% Na2 O、2.40mol% MgO、0.003mol% TiO2 及0.08mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃6具有基於63.60mol% SiO2 、15.67mol% Al2 O3 、10.81mol% Na2 O、6.24mol% Li2 O、1.16mol% ZnO、2.48mol% P2 O5 及0.04mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃1樣品在95℃下使用5wt.%鹽酸蝕刻8小時，作為低pH處理步驟之部分，隨後在去離子水中沖洗並在環境溫度下乾燥。玻璃5樣品在95°下使用20wt.%檸檬酸蝕刻13.5小時。另外，玻璃6樣品在95°下使用20wt.%檸檬酸蝕刻10小時。另外，樣品經歷在環境溫度下使用具有約13 pH之鹼性清潔劑的高pH處理，隨後在去離子水中沖洗及在環境溫度下乾燥。隨後使用原子力顯微(atomic force microscopy; AFM)方法分析樣品。第9A圖、第9B圖及第9C圖分別為包含玻璃1、玻璃5及玻璃6之三個紋理化玻璃製品的一系列AFM影像。第9A圖至第9C圖中之AFM影像展示紋理化區域之表面形態，例如，與本揭示案之紋理化玻璃製品100b之紋理化區域30b相當（見第1B圖及第3B圖）。特別地，第9A圖至第9C圖中之影像展示此等紋理化區域之暴露特徵的平均最大尺寸為約1微米或者更少。第9A圖亦展示玻璃1之紋理化區域的平均表面粗糙度(Ra )為約106.4nm，如由圖式之右上部分中的輪廓計算。
實例5
以下實例使用玻璃4之樣品。玻璃4具有基於63.76mol% SiO2 、2.37mol%B2 O3 、15.05mol% Al2 O3 、9.24mol% Na2 O、5.88mol% Li2 O、1.18mol% ZnO、2.47mol% P2 O5 及0.05mol% SnO2 之氧化物的近似組成物。玻璃4之樣品使用20wt.%檸檬酸在95℃下蝕刻6至13小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品，除標記之樣品外，按照以1M濃度併入金屬鹽之蝕刻步驟進行蝕刻。金屬鹽之一些包括多價金屬鹽（亦即，AlCl3 、CaCl2 及FeCl3 ）；以及剩餘金屬鹽使用一價陽離子（例如，CsCl、NaCl、LiCl及KC1）。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。
參見第10A圖，針對根據此實例使用檸檬酸及各種金屬鹽蝕刻的玻璃基板提供霧度(%)對比蝕刻時間之圖表。如從第10A圖明顯可見，對於使用FeCl3 及AlCl3 鹽之蝕刻劑，蝕刻時間低至6小時產生至少約40%的霧度位準。另外，從第10A圖明顯可見，加速此等玻璃基板之蝕刻時間的鹽的作用可列為：FeCl3 ＞AlCl3 ＞CaCl2 ＞MgCl2 ≈CsCl＞對照（無鹽）＞LiCl＞NaCl＞KC1。另外，明顯可見，具有多價金屬鹽添加劑（亦即，Al3+ 、Fe3+ 、Ca2+ 、Mg2+ 陽離子）之蝕刻劑促進紋理化製程，以及增加單價金屬鹽添加劑（亦即，Na+ 、K+ 及Li+ 陽離子）減慢紋理化製程。
現參見第10B圖，圖表提供了在將矽酸(H4 SiO4 )以1M濃度暴露於此實例之金屬鹽時保留在濾液中的矽離子濃度。因而，實例之此部分評定各種金屬鹽對沉澱來自矽酸之氧化矽的作用，例如，如前文關於反應3所述。如從第10B圖明顯可見，NH4 Cl及FeCl3 兩者展現了矽酸沉澱之最高速率，如由在濾液中量測之約0 ppm的矽濃度證明。按照此等結果，在使用檸檬酸及FeCl3 鹽蝕刻的第10A圖中圖示之樣品中觀察到相對低之蝕刻時間。
實例6
以下實例使用玻璃4之樣品。玻璃4樣品在95℃下使用具有0.1M、0.5M及1.0M濃度之FeCl3 之20wt.%檸檬酸蝕刻約85分鐘至約145分鐘，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。現參見第11圖，針對此實例之玻璃基板提供霧度(%)對比蝕刻時間（分鐘）之圖表。如從第11圖明顯可見，增加檸檬酸蝕刻劑中之FeCl3 濃度傾向於導致更高程度之蝕刻，如以更大霧度值顯示，及更少之蝕刻時間以實現相同程度的蝕刻。例如，115分鐘及145分鐘之蝕刻時間與1M濃度之FeCl3 產生超過80%之霧度位準。如另一實例，與對於使用檸檬酸及0.1M FeCl3 蝕刻之樣品需要約145分鐘相比，對於使用檸檬酸及1M FeCl3 蝕刻的樣品，僅需要90分鐘之蝕刻時間來實現40%之霧度位準。
實例7
以下實例使用玻璃4之樣品。玻璃4樣品在95℃下使用無添加鹽（對照）之20wt.%檸檬酸蝕刻，在100℃下使用20wt.%檸檬酸及1M FeCl3 鹽蝕刻，以及在100℃下使用20wt.%檸檬酸及1M AlCl3 鹽蝕刻，此等樣品之蝕刻進行約1小時至約16小時，如低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。
現參見第12A圖，針對此實例之玻璃基板提供霧度(%)對比蝕刻時間（分鐘）之圖表，亦即，如使用無添加鹽之檸檬酸蝕刻的，使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻的，以及使用檸檬酸及氯化鐵鹽蝕刻的。如從第12A圖明顯可見，與對於特別霧度位準之沒有添加鹽之對照樣品相比，使用檸檬酸及氯化鋁鹽或者氯化鐵鹽蝕刻之玻璃基板展現出明顯更少之蝕刻時間。例如，與對於使用氯化鋁鹽或者氯化鐵鹽之樣品需要約2小時蝕刻時間相比，對於對照樣品，需要約12小時之蝕刻時間以獲得50%之霧度位準。另外，對於使用氯化鋁鹽或者氯化鐵鹽之樣品，需要僅約4小時之蝕刻時間以獲得約100%之霧度。
現參見第12B圖，針對根據本揭示案之態樣使用無添加鹽之檸檬酸及使用具有氯化鋁鹽的檸檬酸蝕刻的玻璃基板提供重量損失(mg/cm2 )對比蝕刻時間（小時）之圖表。如從第12B圖明顯可見，使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻之玻璃基板經歷大於對照樣品之彼等約5倍的重量損失率。此從重量損失對比蝕刻時間之資料集的線性擬合中可以看出（亦即，對於檸檬酸/AlCl3 樣品y=0.3383x-0.2714，以及對於檸檬酸對照樣品y=0.060513x-0.094793）。因此，使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻之玻璃基板比單獨使用檸檬酸蝕刻之對照樣品的彼等約快5倍地發展表面紋理。
實例8
以下實例使用玻璃4之樣品。玻璃4樣品在100℃下使用無添加鹽之20wt.%檸檬酸蝕刻（對照），在100℃下使用20wt.%檸檬酸及1M FeCl3 鹽蝕刻，以及在100℃下使用20wt.%檸檬酸及1M AlCl3 鹽蝕刻，此等樣品之蝕刻進行2.5小時或8.5小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。
現參見第13圖，針對此實例之玻璃基板（亦即，如使用無添加鹽之檸檬酸蝕刻的、使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻的，以及使用檸檬酸及氯化鐵鹽蝕刻的）提供霧度(%)對比蝕刻時間（分鐘）之圖表。如從第13圖明顯可見，使用檸檬酸及氯化鋁鹽或者氯化鐵鹽蝕刻之玻璃基板對於2.5小時之蝕刻時間，展現出超過85%之霧度位準。相反，不含添加鹽之對照樣品需要8.5小時之更長的蝕刻時間來實現更低程度的霧度，約55%之霧度位準。
實例9
以下實例使用玻璃7之樣品。玻璃7具有基於63.30mol% SiO2 、6.74mol% B2 O3 、15.18mol% Al2 O3 、4.32mol% Na2 O、6.84mol% Li2 O、1.02mol% MgO、1.55mol% CaO、0.03mol% SnO2 及1.03mol% SrO之氧化物的近似組成物。玻璃7樣品在95℃下使用無添加鹽之20wt.%檸檬酸蝕刻（對照），在95℃下使用20wt.%檸檬酸及1M AlCl3 鹽蝕刻，此等樣品之蝕刻進行約1小時至約3小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。
現參見第14圖，針對此實例之玻璃基板（亦即，如使用無添加鹽之檸檬酸蝕刻的、使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻的）提供霧度(%)對比蝕刻時間（分鐘）之圖表。如從第14圖明顯可見，與沒有添加鹽之對照樣品相比，使用檸檬酸及氯化鋁鹽蝕刻之玻璃基板在相同蝕刻時間內展現出明顯更高之霧度位準。例如，約3小時之蝕刻時間對於在95℃下使用檸檬酸及1M AlCl3 鹽蝕刻之玻璃基板產生約100%之霧度位準，以及對於在95℃下使用無鹽添加劑之檸檬酸蝕刻之玻璃基板對照樣品產生小於20%之霧度位準。
實例10
以下實例使用玻璃5之樣品。玻璃5樣品在95℃下使用無添加鹽之20wt.%檸檬酸而蝕刻，此等樣品之蝕刻進行約8小時至約24小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。
現參見第15圖，針對此實例之玻璃基板（亦即，如使用無添加鹽之檸檬酸蝕刻的）提供霧度(%)對比蝕刻時間（分鐘）之圖表。如從第15圖明顯可見，包含使用檸檬酸蝕刻之玻璃5的玻璃基板展現出隨著蝕刻時間分別自約8小時增加至24小時，霧度位準自約5%增加至約80%。
實例11
以下實例使用玻璃4、玻璃5及玻璃7之樣品。玻璃4、玻璃5及玻璃7之樣品在100℃下使用20wt.%檸檬酸與1M濃度之FeCl3 蝕刻約0.33小時至約8小時，作為低pH處理步驟之部分。所有樣品在蝕刻步驟之後在去離子水中沖洗並在室溫下乾燥。現參見第16圖，針對此實例之玻璃基板提供霧度(%)及重量損失(mg)對比蝕刻時間（小時）之圖表。如從第16圖明顯可見，對於玻璃基板樣品之各者（亦即，玻璃4、玻璃5及玻璃7），在100℃下使用檸檬酸及1M FeCl3 蝕刻約2小時或更長時間下，獲得超過80%之霧度位準。同樣地，對於玻璃基板樣品之各者，在蝕刻約4小時或更長時間下獲得接近100%之霧度位準。另外，在樣品中觀察到之重量損失率傾向於與作為蝕刻時間之函數觀察到之增加霧度位準關聯。
在實質上不偏離本揭示案之精神及各種原理的情況下，可以對本揭示案之上述實施例進行許多變化及修改。所有此等修改及變化意欲包括在本揭示案之範疇內並且由以下申請專利範圍保護。
10:玻璃基板
12':初始主表面
12a:主表面
12b:主表面
13:厚度
13a:中點
14:主表面
30a:紋理化區域
30b:紋理化區域
34a、34b:界面
36a:平均特徵尺寸
36b:平均特徵尺寸
38a:平均粗糙度
38b:平均粗糙度
40a:多孔淋溶層
50:壓縮應力區域
52:深度
90:易清潔(ETC)塗層
100a:紋理化玻璃製品
100b:紋理化玻璃製品
110:低pH淋溶部分
120:低pH表面溶解及差異淋溶部分
130:處理步驟
200a:方法
200b:方法
400:消費類電子裝置
402:外殼
404:前表面
406:背表面
408:側面
410:顯示器
412:蓋基板
參考附圖閱讀本揭示案之具體實施方式可更好地理解本揭示案之此等及其他特徵、態樣及優勢，在附圖中：
第1A圖根據本揭示案之態樣為包含紋理化區域之紋理化玻璃製品的橫截面的示意圖，此紋理化區域具有紋理化區域組成物，此紋理化區域組成物中之氧化矽的量高於主體組成物中之氧化矽的量。
第1B圖根據本揭示案之態樣為包含紋理化區域之紋理化玻璃製品的橫截面的示意圖，此紋理化區域具有紋理化區域組成物，此紋理化區域組成物中之氧化矽的量與主體組成物中之氧化矽的量實質上相等。
第2圖為描繪使用不同位準之氧化矽淋溶含氧化矽的多組分玻璃基板之效果的示意圖。
第3A圖根據本揭示案之態樣為描繪製造如第1A圖中圖示之紋理化玻璃製品的方法的示意流程圖。
第3B圖根據本揭示案之態樣為描繪製造如第1B圖中圖示之紋理化玻璃製品的方法的示意流程圖。
第4A圖為併入本文揭示之製品的任一者的示例性電子裝置之平面圖。
第4B圖為第4A圖之示例性電子裝置的透視圖。
第5圖根據本揭示案之態樣為包含具有鹼金屬-鋁矽酸鹽組成物之玻璃基板的紋理化玻璃製品的光學顯微照片，此玻璃基板具有從在95℃下使用10wt.%HC1進行24小時的蝕刻步驟上獲得的約1微米或更少之暴露特徵。
第6A圖根據本揭示案之態樣為包含具有鹼金屬-鋁矽酸鹽組成物之玻璃基板的紋理化玻璃製品的光學顯微照片，此玻璃基板具有從在95℃下使用5wt.%HC1進行24小時的蝕刻步驟上獲得的約1微米或更少之暴露特徵。
第6B圖根據本揭示案之態樣為包含具有鹼土硼-鋁矽酸鹽組成物之玻璃基板的紋理化玻璃製品的光學顯微照片，此玻璃基板具有從在95℃下使用5wt.%HC1進行24小時的蝕刻步驟上獲得的約1微米或更少之暴露特徵。
第7A圖至第7D圖根據本揭示案之態樣為包含具有鹼金屬-鋁矽酸鹽組成物之玻璃基板的紋理化玻璃製品的橫截面之掃描透射電子顯微(scanning transmission electron microscopy; STEM)影像，此玻璃基板具有來源於在95℃下使用9wt.%HC1進行8小時之蝕刻步驟的多孔淋溶層。
第8A1圖至第8A3圖根據本揭示案之態樣為在經歷製造紋理化玻璃製品之方法之前的所製備矽玻璃基板之一系列掃描電子顯微(scanning electron microscope; SEM)能量散射光譜(energy dispersive spectroscopy; EDS)影像。
第8B1圖至第8B3圖根據本揭示案之態樣為包含如在第8A1圖至第8A3圖中圖示之玻璃基板的紋理化玻璃製品之一系列掃描電子顯微(SEM)能量散射光譜(EDS)影像，此玻璃基板具有來源於酸蝕刻步驟之紋理化區域。
第8C1圖至第8C3圖根據本揭示案之態樣為包含如在第8A1圖至第8A3圖中圖示之玻璃基板的紋理化玻璃製品之一系列掃描電子顯微(SEM)能量散射光譜(EDS)影像，此玻璃基板具有來源於在低pH蝕刻步驟之後繼之以高pH蝕刻步驟的紋理化區域。
第9A圖至第9C圖根據本揭示案之態樣為包含具有鋁矽酸鹽組成物之玻璃基板的三個各別紋理化玻璃製品之一系列原子力顯微(atomic force microscopy; AFM)影像，此玻璃基板具有紋理化區域，此紋理化區域具有來源於在低pH蝕刻步驟之後繼之以高pH蝕刻步驟的約1微米或更少之暴露特徵。
第10A圖根據本揭示案之態樣為使用檸檬酸及各種添加鹽蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第10B圖根據本揭示案之態樣為在將矽酸暴露於促進氧化矽沉澱之不同添加鹽時保持在濾液中的矽離子濃度之圖表。
第11圖根據本揭示案之態樣為使用檸檬酸及各種濃度之氯化鐵鹽蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第12A圖根據本揭示案之態樣為使用無鹽添加劑之檸檬酸、檸檬酸與氯化鋁鹽及檸檬酸與氯化鐵鹽蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第12B圖根據本揭示案之態樣為使用無添加鹽之檸檬酸及具有氯化鋁鹽之檸檬酸蝕刻的玻璃基板的重量損失對比蝕刻時間之圖表。
第13圖根據本揭示案之態樣為使用無鹽添加劑之檸檬酸、檸檬酸與氯化鋁鹽及檸檬酸與氯化鐵鹽蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第14圖根據本揭示案之態樣為使用無添加鹽之檸檬酸及具有氯化鋁鹽之檸檬酸蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第15圖根據本揭示案之態樣為使用無添加鹽之檸檬酸蝕刻之玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
第16圖根據本揭示案之態樣為使用檸檬酸及氯化鐵鹽蝕刻之不同玻璃基板的霧度對比蝕刻時間之圖表。
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10:玻璃基板
12b:主表面
13:厚度
13a:中點
14:主表面
30b:紋理化區域
34b:界面
36b:平均特徵尺寸
38b:平均粗糙度
50:壓縮應力區域
52:深度
90:易清潔(ETC)塗層
100b:紋理化玻璃製品

Claims (11)

  1. 一種紋理化玻璃製品，包含：一玻璃基板，包含一厚度、一主表面及在該厚度之該中點處之一主體組成物；以及一紋理化區域，由該主表面界定並包含一紋理化區域組成物，其中該紋理化區域包含2%或更少之一閃爍及複數個暴露特徵，該等複數個暴露特徵在由該主表面界定之一平面中具有小於5微米之一平均最大尺寸，以及另外其中該主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽以及該紋理化區域組成物包含至少約40%氧化矽。
  2. 如請求項1所述之製品，其中該紋理化區域另外包含自約10奈米至約500奈米之一表面粗糙度(Ra)。
  3. 如請求項1所述之製品，其中該紋理化區域組成物及該主體組成物每個包含一實質上相等量之氧化矽。
  4. 如請求項1所述之製品，其中該紋理化區域組成物比該主體組成物中包含一更高量之氧化矽。
  5. 如請求項1所述之製品，其中該玻璃基板另外包含自該主表面延伸至一選定深度之一壓縮應力區 域。
  6. 一種消費類電子產品，包括：一外殼，具有一前表面、一背表面及側面；電子部件，至少部分地設置在該外殼內，該電子部件包括至少一控制器、一記憶體及一顯示器，該顯示器設置在或鄰近於該外殼之該前表面；以及一蓋玻璃，設置在該顯示器上方，其中該外殼之一部分或該蓋玻璃之至少一者包含如請求項1所述之製品。
  7. 一種製造一紋理化玻璃製品之方法，包括以下步驟：使用具有約3或更少之一pH的一無氫氟酸蝕刻劑蝕刻具有一厚度之一玻璃基板的一初始主表面，以及從該玻璃基板去除該蝕刻劑，其中該蝕刻在自環境溫度以上至約100℃之溫度下進行以形成一紋理化區域，該紋理化區域由該基板之一主表面界定並包含2%或更少之一閃爍，以及另外其中該玻璃基板在該厚度之該中點處包含一主體組成物，該主體組成物包含約40mol%至80mol%氧化矽，以及該紋理化區域包括包含至少約40mol%氧化矽之一紋理化區域組成物。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該紋理化區域 組成物比該主體組成物中包含一更高量之氧化矽。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該蝕刻步驟包括以下步驟：使用具有約3或更少之一pH及一添加鹽的一無氫氟酸蝕刻劑蝕刻具有一厚度的該玻璃基板之該初始主表面。
  10. 如請求項9所述之方法，其中進行該蝕刻步驟使得該溫度在自約90℃至約110℃以及該添加鹽之濃度範圍在自大於0.1M至約1.5M。
  11. 如請求項8至請求項10之任一項所述之方法，另外包括以下步驟：使用具有約10.0或更大之一pH的一第二蝕刻劑處理該紋理化區域以去除該紋理化區域並形成一第二紋理化區域，該第二紋理化區域包含一第二紋理化區域組成物並由該基板之一主表面界定，其中該處理之步驟在環境溫度以上進行。
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