TW201538231A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201538231A
TW201538231A TW104107817A TW104107817A TW201538231A TW 201538231 A TW201538231 A TW 201538231A TW 104107817 A TW104107817 A TW 104107817A TW 104107817 A TW104107817 A TW 104107817A TW 201538231 A TW201538231 A TW 201538231A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzle
image
substrate
processing
determination
Prior art date
Application number
TW104107817A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI613010B (zh
Inventor
Hiroshi Sano
Hiroaki Kakuma
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2014047590A external-priority patent/JP6278759B2/ja
Priority claimed from JP2014048807A external-priority patent/JP6251086B2/ja
Priority claimed from JP2014254881A external-priority patent/JP6353780B2/ja
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201538231A publication Critical patent/TW201538231A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI613010B publication Critical patent/TWI613010B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Spray Control Apparatus (AREA)

Abstract

本發明之目的係提供一種無論成為處理對象之基板之種類如何，均可確實地檢測出來自噴嘴之處理液之噴出的基板處理裝置及基板處理方法。 上表面處理液噴嘴30於保持於旋轉夾盤20之基板W上方之處理位置與較處理護罩40更靠外側之待機位置之間往返移動。於移動至處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前，由相機70拍攝包含上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域而獲取噴出基準圖像。其後，依序對複數個監視對象圖像與噴出基準圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定，上述複數個監視對象圖像係相機70連續地對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。每當對成為新的處理對象之基板W進行處理時，獲取噴出基準圖像，因此，可排除作為監視對象圖像及噴出基準圖像雙方之背景而顯現之基板表面之影響，從而可確實地對處理液之噴出進行檢測。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種自噴嘴將處理液噴出至半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等薄板狀之精密電子基板(以下簡稱為「基板」)而進行特定處理之基板處理裝置及基板處理方法。
自先前以來，於半導體器件等之製造步驟中，對基板供給純水、光阻液、蝕刻液等各種處理液而進行洗淨處理或光阻塗佈處理等基板處理。作為進行使用有該等處理液之液體處理之裝置，如下之基板處理裝置已被廣泛使用，該基板處理裝置一面使基板以水平姿勢旋轉，一面自噴嘴將處理液噴出至該基板之表面。
此種基板處理裝置根據流量計之輸出或泵之動作確認而確認是否已自噴嘴噴出處理液，但作為更確實地對噴出之有無進行判定之方法，例如於專利文獻1中，已提出設置CCD(Charge Coupled Device，電荷藕合器件)相機等攝影機構而直接地對來自噴嘴之處理液之噴出進行監視。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-329936號公報
然而，於藉由攝影機構而直接地對來自噴嘴之處理液之噴出進行監視之情形時，攝影時之背景會根據成為處理對象之基板之種類而有所不同。即，一般於基板表面形成光阻膜或絕緣膜等各種膜而形成圖案。繼而，根據此種膜之種類或所形成之圖案，基板表面之反射率大不相同，其結果，攝影時之背景根據成為處理對象之基板之種類而有所不同。又，即使形成有相同種類之膜，例如當進行使用有氫氟酸之蝕刻處理時，有時膜隨著處理時間之經過而受到腐蝕，基板表面之反射率亦發生變化。因此，產生了如下問題：由於形成於表面之膜之種類、所形成之圖案、處理內容等各種原因，攝影機構所拍攝之圖像之雜訊增大，無法正確地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
又，於專利文獻1所揭示之技術中，藉由攝影機構對來自噴嘴之處理液之噴出進行監視，因此，例如於自噴嘴發生滴落之情形時，能夠檢測出該情形，但即使噴嘴自身產生位置偏移，卻無法檢測出該位置偏移。一般於基板處理裝置中，噴出處理液之噴嘴能夠藉由旋轉式之機械臂等而於待機位置與處理位置之間移動，以特定時序移動至已被預先教示之處理位置而進行處理液之噴出處理。
然而，有時由於維護時之調整錯誤或經時變化等，噴嘴會移動至偏離已被教示之處理位置之位置而噴出處理液。於產生此種噴嘴之位置偏移之情形時，存在無法獲得原本所期待之處理結果之問題。
本發明係鑒於上述問題而成者，其第1目的在於提供無論成為處理對象之基板之種類如何，均可確實地檢測出來自噴嘴之處理液之噴出的基板處理裝置及基板處理方法。
又，本發明之第2目的在於提供可檢測出噴嘴之位置偏移之基板處理裝置及基板處理方法。
為了解決上述問題，技術方案1之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包括：基板保持部，其保持基板；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍；噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；以及判定部，其對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，每當上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板而上述噴嘴移動至上述處理位置時，上述攝影部獲取第1基準圖像。
又，如技術方案1之發明之基板處理裝置，技術方案2之發明之特徵在於：進而包括記憶判定區域之記憶部，上述判定區域係上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像中之、包含自上述噴嘴之前端至保持於上述基板保持部之基板為止之一部分而設定的區域，只要第1基準圖像及監視對象圖像之上述判定區域中之差分為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案2之發明之基板處理裝置，技術方案3之發明之特徵在於：上述攝影部自上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板，且上述噴嘴開始自上述待機位置向上述處理位置移動之時點起，以特定間隔連續地拍攝上述攝影區域，只要上述攝影部對上述攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，上述判定部便判定為上述噴嘴已停止移動。
又，如技術方案3之發明之基板處理裝置，技術方案4之發明之特徵在於：上述判定部將上述攝影部所連續獲取之圖像中的判定為上述 噴嘴已停止移動之時點之圖像設為第1基準圖像。
又，如技術方案4之發明之基板處理裝置，技術方案5之發明之特徵在於：上述判定部依序對複數個監視對象圖像與第1基準圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述複數個監視對象圖像係判定為上述噴嘴已停止移動之後由上述攝影部連續獲取之圖像。
又，如技術方案5之發明之基板處理裝置，技術方案6之發明之特徵在於：上述判定部利用上述判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較。
又，如技術方案6之發明之基板處理裝置，技術方案7之發明之特徵在於：只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案4至技術方案7中任一項之發明之基板處理裝置，技術方案8之發明之特徵在於：上述判定部對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案8之發明之基板處理裝置，技術方案9之發明之特徵在於：只要第2基準圖像及第1基準圖像中之上述噴嘴之座標之差為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為上述噴嘴之位置異常。
又，如技術方案8之發明之基板處理裝置，技術方案10之發明之特徵在於：上述判定部基於第2基準圖像與第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之上述判定區域之位置移動。
又，技術方案11之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包括：保持步驟，其將成為新的處理對象之基板保持於基板保持部；噴嘴移動步驟，其於成為新的處理對象之基板保持於上述基板保持部之後， 使噴出處理液之噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置，向保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置移動；攝影步驟，其藉由攝影部而拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；以及噴出判定步驟，其對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，於上述攝影步驟中，每當上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板而上述噴嘴移動至上述處理位置時，獲取第1基準圖像。
又，如技術方案11之發明之基板處理方法，技術方案12之發明之特徵在於：進而包括預先設定判定區域之步驟，該判定區域係上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像中之、包含自上述噴嘴之前端至保持於上述基板保持部之基板為止之一部分的區域，於上述噴出判定步驟中，只要第1基準圖像及監視對象圖像之上述判定區域中之差分為特定之臨限值以上，便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案12之發明之基板處理方法，技術方案13之發明之特徵在於：於上述攝影步驟中，自上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板且上述噴嘴開始自上述待機位置向上述處理位置移動之時點起，以特定間隔連續地拍攝上述攝影區域，且進而包括停止判定步驟，於該停止判定步驟中，只要上述攝影部對上述攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便判定為上述噴嘴已停止移動。
又，如技術方案13之發明之基板處理方法，技術方案14之發明之特徵在於：將上述攝影部所連續獲取之圖像中的判定為上述噴嘴已停止移動之時點之圖像設為第1基準圖像。
又，如技術方案14之發明之基板處理方法，技術方案15之發明之特徵在於：於上述噴出判定步驟中，依序對複數個監視對象圖像與第1基準圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述複數個監視對象圖像係判定為上述噴嘴已停止移動之後，由上述攝影部連續獲取之圖像。
又，如技術方案15之發明之基板處理方法，技術方案16之發明之特徵在於：於上述噴出判定步驟中，利用上述判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較。
又，如技術方案16之發明之基板處理方法，技術方案17之發明之特徵在於：於上述噴出判定步驟中，只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案14至技術方案17中任一項之發明之基板處理方法，技術方案18之發明之特徵在於：進而包括位置判定步驟，該位置判定步驟對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案18之發明之基板處理方法，技術方案19之發明之特徵在於：於上述位置判定步驟中，只要第2基準圖像及第1基準圖像中之上述噴嘴之座標之差為特定之臨限值以上，便判定為上述噴嘴之位置異常。
又，如技術方案18之發明之基板處理方法，技術方案20之發明之特徵在於：於上述噴出判定步驟中，基於第2基準圖像與第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之上述判定區域之位置移動。
又，技術方案21之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包括：基板保持部，其保持基板；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍；噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；設定部，其特定出位置基準圖像中之上述噴嘴之座標，將包含上述噴嘴之前端之矩形區域設定為參考圖案，上述位置基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及判定部，其對如下圖像中之對應於上述參考圖案之一部分區域圖像與上述位置基準圖像中之上述參考圖案進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述圖像係上述基板保持部保持成為處理對象之基板，且上述噴嘴移動至上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案21之發明之基板處理裝置，技術方案22之發明之特徵在於：上述設定部根據參照圖像與上述位置基準圖像之差分即差分圖像而特定出上述噴嘴之座標，上述參照圖像係正確地位於上述處理位置之上述噴嘴向特定方向移動特定量時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案22之發明之基板處理裝置，技術方案23之發明之特徵在於：上述設定部根據上述差分圖像中之灰階值分佈而特定出上述噴嘴之寬度方向兩端及前端之座標。
又，如技術方案21至技術方案23中任一項之發明之基板處理裝置，技術方案24之發明之特徵在於：上述設定部基於上述噴嘴之噴出寬度、及上述噴嘴之前端與保持於上述基板保持部之基板之距離，設定上述位置基準圖像中之噴出判定區域，該噴出判定區域包含直至自上述噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於上述基板保持部之基板為止 之液柱部分，上述判定部對噴出基準圖像中之上述噴出判定區域、與監視對象圖像中之上述噴出判定區域進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案24之發明之基板處理裝置，技術方案25之發明之特徵在於：上述設定部將差分之最大值與差分之最小值之中間值設定為臨限值，上述差分之最大值係未自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最大值，上述差分之最小值係自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最小值，上述判定部對上述監視對象圖像與上述噴出基準圖像之上述噴出判定區域中的差分及上述臨限值進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定。
又，技術方案26之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包括：圖案設定步驟，其特定出位置基準圖像中之上述噴嘴之座標，將包含上述噴嘴之前端之矩形區域設定為參考圖案，上述位置基準圖像係噴出處理液之噴嘴正確地位於應保持於基板保持部之基板上方之處理位置時，由攝影部對包含上述處理位置之噴嘴之前端之攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及位置判定步驟，其對如下圖像中之對應於上述參考圖案之一部分區域圖像與上述位置基準圖像中之上述參考圖案進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述圖像係上述基板保持部保持成為處理對象之基板，且上述噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置移動至上述處理位置 時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案26之發明之基板處理方法，技術方案27之發明之特徵在於：於上述圖案設定步驟中，根據參照圖像與上述位置基準圖像之差分即差分圖像而特定出上述噴嘴之座標，上述參照圖像係正確地位於上述處理位置之上述噴嘴向特定方向移動特定量時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案27之發明之基板處理方法，技術方案28之發明之特徵在於：於上述圖案設定步驟中，根據上述差分圖像中之灰階值分佈而特定出上述噴嘴之寬度方向兩端及前端之座標。
又，如技術方案26至技術方案28中任一項之發明之基板處理方法，技術方案29之發明之特徵在於進而包括：區域設定步驟，其基於上述噴嘴之噴出寬度、及上述噴嘴之前端與保持於上述基板保持部之基板之距離，設定上述位置基準圖像中之噴出判定區域，該噴出判定區域包含直至自上述噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於上述基板保持部之基板為止之液柱部分；以及噴出判定步驟，其對噴出基準圖像中之上述噴出判定區域、與監視對象圖像中之上述噴出判定區域進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後，對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
又，如技術方案29之發明之基板處理方法，技術方案30之發明之特徵在於：進而包括臨限值設定步驟，於該臨限值設定步驟中，將差分之最大值與差分之最小值之中間值設定為臨限值，上述差分之最大值係未自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最大值，上述差分之最小值係自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝 影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最小值，於上述噴出判定步驟中，對上述監視對象圖像與上述噴出基準圖像之上述噴出判定區域中之差分及上述臨限值進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定。
又，如技術方案30之發明之基板處理方法，技術方案31之發明之特徵在於進而包括：保存步驟，其保存上述臨限值設定步驟中所使用之如下圖像，該圖像係未自上述噴嘴噴出處理液時及噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及驗證步驟，其使用上述保存步驟中所保存之圖像，對上述區域設定步驟中所設定之上述噴出判定區域及上述臨限值設定步驟中所設定之上述臨限值進行驗證。
又，技術方案32之發明係一種基板處理裝置，其特徵在於包括：腔室，其收容基板；基板保持部，其將基板保持於上述腔室內；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍；噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝判定區域，於自上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液時，上述處理液映入至上述判定區域，且於停止自上述噴嘴噴出處理液時，保持於上述基板保持部之基板之表面映入至上述判定區域；以及判定部，其基於上述攝影部對上述判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像，對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述判定部於上述判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液，於上述分散度大於上述臨限值時，判定為未自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案32之發明之基板處理裝置，技術方案33之發明之特徵在於：上述分散度為標準偏差。
又，如技術方案32之發明之基板處理裝置，技術方案34之發明之 特徵在於：上述攝影部對上述判定區域進行連續拍攝而獲取複數個判定圖像，上述判定部利用上述複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於上述分散度持續地小於上述臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案32至技術方案34中任一項之發明之基板處理裝置，技術方案35之發明之特徵在於：於上述腔室內之部位形成花紋，上述腔室內之部位係於停止自上述噴嘴噴出處理液時，由保持於上述基板保持部之基板之表面反射且由上述攝影部拍攝之部位。
又，如技術方案35之發明之基板處理裝置，技術方案36之發明之特徵在於：上述花紋為方格花紋。
又，如技術方案35之發明之基板處理裝置，技術方案37之發明之特徵在於：上述花紋為格子花紋。
又，如技術方案35之發明之基板處理裝置，技術方案38之發明之特徵在於：上述花紋為條紋花紋。
又，技術方案39之發明係一種基板處理方法，其特徵在於包括：保持步驟，其將成為新的處理對象之基板搬入至腔室內且保持於基板保持部；噴嘴移動步驟，其於成為新的處理對象之基板保持於上述基板保持部之後，使噴出處理液之噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置，向保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置移動；攝影步驟，其拍攝判定區域，於自上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液時，上述處理液映入至上述判定區域，且於停止自上述噴嘴噴出處理液時，保持於上述基板保持部之基板之表面映入至上述判定區域；以及判定步驟，其基於在上述攝影步驟中對上述判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像，對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，於上述判定步驟中，當上述判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液，當上 述分散度大於上述臨限值時，判定為未自上述噴嘴噴出處理液。
又，如技術方案39之發明之基板處理方法，技術方案40之發明之特徵在於：上述分散度為標準偏差。
又，如技術方案39或技術方案40之發明之基板處理方法，技術方案41之發明之特徵在於：於上述攝影步驟中，對上述判定區域進行連續拍攝而獲取複數個判定圖像，於上述判定步驟中，利用上述複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於上述分散度持續地小於上述臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
根據技術方案1至技術方案10之發明，對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至處理位置之噴嘴噴出處理液之前由攝影部對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係噴嘴噴出處理液之後對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，每當基板保持部保持成為新的處理對象之基板，噴嘴移動至處理位置時，獲取第1基準圖像，因此，第1基準圖像及監視對象圖像雙方包含相同基板之表面作為背景，基板表面之反射率之影響被排除，無論成為處理對象之基板之種類如何，均可確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
尤其根據技術方案2之發明，由於設定有包含自噴嘴前端至保持於基板保持部之基板為止之一部分之判定區域，故而可排除基板表面所反射之影像之影響等而對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較。
尤其根據技術方案3之發明，只要攝影部對攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便判定為噴嘴已停止移動，因此，可自動地對噴嘴之移動停止進行判定。
尤其根據技術方案6之發明，利用判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較，因此，無論判定區域之大小 如何，均可使臨限值固定。
尤其根據技術方案7之發明，只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，便判定為已自噴嘴噴出處理液，因此，可緩和攝影時之雜訊之影響。
尤其根據技術方案8之發明，對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定噴嘴之處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係噴嘴正確地位於處理位置時，由攝影部對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，因此，除了可對處理液之噴出進行判定之外，亦可對噴嘴之位置異常進行判定。
尤其根據技術方案10之發明，基於第2基準圖像與第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之判定區域之位置移動，因此，即使噴嘴之停止位置稍微偏離適當之處理位置，亦可正確地設定判定區域。
根據技術方案11至技術方案20之發明，對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至處理位置之噴嘴噴出處理液之前由攝影部對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係噴嘴噴出處理液之後對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，每當基板保持部保持成為新的處理對象之基板，噴嘴移動至處理位置時，獲取第1基準圖像，因此，第1基準圖像及監視對象圖像雙方包含相同基板之表面作為背景，基板表面之反射率之影響被排除，無論成為處理對象之基板之種類如何，均可確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
尤其根據技術方案12之發明，由於預先設定判定區域，該判定區域包含自噴嘴之前端至保持於基板保持部之基板為止之一部分，故而可排除基板表面所反射之影像之影響等而對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較。
尤其根據技術方案13之發明，只要攝影部對攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便判定為噴嘴已停止移動，因此，可自動地對噴嘴之移動停止進行判定。
尤其根據技術方案16之發明，利用判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較，因此，無論判定區域之大小如何，均可使臨限值固定。
尤其根據技術方案17之發明，只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，便判定為已自噴嘴噴出處理液，因此，可緩和攝影時之雜訊之影響。
尤其根據技術方案18之發明，對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定噴嘴之處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係噴嘴正確地位於處理位置時，由攝影部對攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，因此，除了可對處理液之噴出進行判定之外，亦可對噴嘴之位置異常進行判定。
尤其根據技術方案20之發明，基於第2基準圖像與第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之判定區域之位置移動，因此，即使噴嘴之停止位置稍微偏離適當之處理位置，亦可正確地設定判定區域。
根據技術方案21至技術方案25之發明，特定出噴嘴正確地位於處理位置時所獲取之位置基準圖像中之噴嘴之座標，將包含噴嘴前端之矩形區域設定為參考圖案，對如下圖像中之對應於參考圖案之一部分區域圖像與位置基準圖像中之參考圖案進行比較，從而判定噴嘴之處理位置之位置異常，上述圖像係基板保持部保持成為處理對象之基板，且噴嘴移動至處理位置時所獲取之圖像，因此，可檢測出噴嘴之位置偏移。
尤其根據技術方案24之發明，設定位置基準圖像中之噴出判定區 域，該噴出判定區域包含直至自噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於基板保持部之基板為止之液柱部分，對噴出基準圖像中之噴出判定區域與監視對象圖像中之噴出判定區域進行比較，從而對來自噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至處理位置之噴嘴噴出處理液之前所獲取之圖像，上述監視對象圖像係噴嘴噴出處理液之後所獲取之圖像，因此，除了可判定噴嘴之位置偏移之外，亦可判定有無噴出處理液。
根據技術方案26至技術方案31之發明，特定出位置基準圖像中之噴嘴之座標，將包含噴嘴前端之矩形區域設定為參考圖案，上述位置基準圖像係噴出處理液之噴嘴正確地位於應保持於基板保持部之基板上方之處理位置時所獲取之圖像，對如下圖像中之對應於參考圖案之一部分區域圖像與位置基準圖像中之參考圖案進行比較，從而判定噴嘴之處理位置之位置異常，上述圖像係基板保持部保持成為處理對象之基板，且噴嘴移動至處理位置時所獲取之圖像，因此，可檢測出噴嘴之位置偏移。
尤其根據技術方案29之發明，設定位置基準圖像中之噴出判定區域，該噴出判定區域包含直至自噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於基板保持部之基板為止之液柱部分，對噴出基準圖像中之噴出判定區域與監視對象圖像中之噴出判定區域進行比較，從而對來自噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至處理位置之噴嘴噴出處理液之前所獲取之圖像，上述監視對象圖像係噴嘴噴出處理液之後所獲取之圖像，因此，除了可判定噴嘴之位置偏移之外，亦可判定有無噴出處理液。
尤其根據技術方案31之發明，保存臨限值設定中所使用之如下圖像，該圖像係未自噴嘴噴出處理液時及噴出處理液時所獲取圖像，使用該圖像對噴出判定區域及臨限值進行驗證，因此，可不實際上將處 理液自噴嘴噴出至基板而對噴出判定區域及臨限值之妥當性進行驗證。
根據技術方案32至技術方案38之發明，當對判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自噴嘴噴出處理液，當分散度大於臨限值時，判定為未自噴嘴噴出處理液，因此，可僅利用判定圖像進行判定，從而可確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
尤其根據技術方案34之發明，利用進行連續拍攝所獲取之複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於分散度持續地小於臨限值時，判定為已自噴嘴噴出處理液，因此，可穩定且確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
尤其根據技術方案35至技術方案38之發明，於腔室內之部位形成花紋，該腔室內之部位係停止噴出處理液時，由保持於基板保持部之基板之表面反射且由攝影部拍攝之部位，因此，可使未噴出處理液時之判定圖像之分散度顯著增大，從而防止誤判定。
根據技術方案39至技術方案41之發明，當對判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自噴嘴噴出處理液，當分散度大於臨限值時，判定為未自噴嘴噴出處理液，因此，可僅利用判定圖像進行判定，從而可確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
尤其根據技術方案41之發明，利用進行連續拍攝所獲取之複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於分散度持續地小於臨限值時，判定為已自噴嘴噴出處理液，因此，可穩定且確實地對來自噴嘴之處理液之噴出進行檢測。
1‧‧‧洗淨處理單元
9‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
12‧‧‧頂壁
13‧‧‧底壁
14‧‧‧風扇過濾器單元
15‧‧‧分隔板
18‧‧‧排氣風道
20‧‧‧旋轉夾盤
21‧‧‧旋轉基座
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧覆蓋構件
24‧‧‧旋轉軸
25‧‧‧凸緣狀構件
26‧‧‧夾盤銷
28‧‧‧下表面處理液噴嘴
30、60、65‧‧‧上表面處理液噴嘴
31‧‧‧噴出頭
32、62、67‧‧‧噴嘴臂
33、63、68‧‧‧噴嘴基台
40‧‧‧處理護罩
41‧‧‧內護罩
42‧‧‧中護罩
43‧‧‧外護罩
43a、52a‧‧‧下端部
43b、47b、52b‧‧‧上端部
43c、52c‧‧‧折返部
44‧‧‧底部
45‧‧‧內壁部
46‧‧‧外壁部
47‧‧‧第1導引部
48‧‧‧中壁部
49‧‧‧廢棄槽
50‧‧‧內側回收槽
51‧‧‧外側回收槽
52‧‧‧第2導引部
53‧‧‧處理液分離壁
70‧‧‧相機
71‧‧‧照明部
91‧‧‧判定部
92‧‧‧記憶部
93‧‧‧設定部
100‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧索引器
103‧‧‧主搬送機器人
AR34、AR64、AR69‧‧‧箭頭
C1‧‧‧差分之最大值
C2‧‧‧差分之最小值
CX‧‧‧旋轉軸
N1‧‧‧序號
PA‧‧‧攝影區域
PX、PY‧‧‧線
RP‧‧‧參考圖案
S11~S18、S21~S28、S31~S39‧‧‧步驟
SP‧‧‧噴出判定區域
TH‧‧‧臨限值
W‧‧‧基板
圖1係表示本發明之基板處理裝置之整體構成之圖。
圖2係洗淨處理單元之俯視圖。
圖3係洗淨處理單元之縱剖面圖。
圖4係表示相機與上表面處理液噴嘴之位置關係之圖。
圖5係相機及控制部之區塊圖。
圖6係表示對判定用參數進行設定之順序之流程圖。
圖7係表示判定部之判定處理之順序之流程圖。
圖8係表示相機對包含處理位置之上表面處理液噴嘴之前端之攝影區域進行拍攝所得的圖像之一例之圖。
圖9係表示攝影區域內之上表面處理液噴嘴之移動之圖。
圖10(a)、圖10(b)係表示噴出基準圖像及監視對象圖像之圖。
圖11係表示差分總和與臨限值之比較之圖。
圖12係模式性地表示處理液噴出判定之運算法之一例之圖。
圖13係模式性地表示處理液噴出判定之運算法之其他例子之圖。
圖14係表示對第2實施形態之判定用參數進行設定之順序之流程圖。
圖15(a)~圖15(c)係表示用以特定出上表面處理液噴嘴之座標之圖像處理之圖。
圖16係表示用以特定出上表面處理液噴嘴之寬度方向兩端之座標之灰階值分佈的例子之圖。
圖17係表示用以特定出上表面處理液噴嘴前端之座標之灰階值分佈之例子的圖。
圖18係用以對噴出判定之臨限值設定進行說明之圖。
圖19係表示相機對包含處理位置之上表面處理液噴嘴之前端之攝影區域進行拍攝所得的圖像之一例之圖。
圖20係表示攝影區域內之上表面處理液噴嘴之移動之圖。
圖21係表示未自上表面處理液噴嘴噴出處理液時之噴出判定用 圖像之圖。
圖22係表示自上表面處理液噴嘴噴出處理液時之噴出判定用圖像之圖。
圖23係表示未噴出處理液時之判定用圖像之像素之亮度值的一例之圖。
圖24係表示噴出處理液時之判定用圖像之像素之亮度值的一例之圖。
圖25係表示腔室內所形成之花紋之一例之圖。
圖26係表示腔室內所形成之花紋之一例之圖。
圖27係表示腔室內所形成之花紋之一例之圖。
以下，一面參照圖式，一面詳細地對本發明之實施形態進行說明。
<第1實施形態>
圖1係表示本發明之基板處理裝置100之整體構成之圖。該基板處理裝置100係逐塊地對半導體用途之基板W進行處理之單片式處理裝置，其對圓形之矽基板W進行使用有藥液及純水之洗淨處理之後，進行乾燥處理。作為藥液，典型而言，可使用SC1液(氨水、過氧化氫水、水之混合液)、SC2液(鹽酸、過氧化氫水、水之混合液)、DHF液(稀氫氟酸)等。於本說明書中，將藥液與純水總稱為「處理液」。再者，不僅用於洗淨處理，而且用於成膜處理之光阻液等塗佈液、用以除去多餘膜之藥液、用於蝕刻之藥液等亦包含於本發明之「處理液」。
基板處理裝置100包括索引器102、複數個洗淨處理單元1、及主搬送機器人103。索引器102具有如下功能，即，將自裝置外接受之未處理之基板W搬入至裝置內，並且將洗淨處理已結束之已處理之基板W搬出至裝置外。索引器102載置複數個載體，並且具備移送機器人(圖示均已省略)。作為載體，可採用將基板W收納於密閉空間之眾所周知 之FOUP(front opening unified pod，前端開口式整合型晶圓匣)或SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械化介面)晶圓匣、或使收納基板W暴露於外氣之OC(open cassette，開放式晶圓盒)。移送機器人於該載體與主搬送機器人103之間移送基板W。
於基板處理裝置100中配置有12個洗淨處理單元1。詳細之配置構成如下：4個積層有3個洗淨處理單元1之塔體以包圍主搬送機器人103周圍之方式配置。換言之，包圍主搬送機器人103而配置之4個洗淨處理單元1積層為3段，圖1中表示了其中之一層。再者，搭載於基板處理裝置100之洗淨處理單元1之個數並不限定於12，例如亦可為8個或4個。
主搬送機器人103設置於積層有洗淨處理單元1之4個塔體之中央。主搬送機器人103將自索引器102接受之未處理之基板W搬入至各洗淨處理單元1，並且自各洗淨處理單元1搬出已處理之基板W而將該基板W交予索引器102。
其次，對洗淨處理單元1進行說明。以下，對搭載於基板處理裝置100之12個洗淨處理單元1中之一個進行說明，但其他洗淨處理單元1亦完全相同。圖2係洗淨處理單元1之俯視圖。又，圖3係洗淨處理單元1之縱剖面圖。再者，圖2表示旋轉夾盤20未保持有基板W之狀態，圖3表示旋轉夾盤20保持有基板W之狀態。
洗淨處理單元1於腔室10內包括如下各部作為主要之要素，即，旋轉夾盤20，其呈水平姿勢(法線沿著鉛垂方向之姿勢)地保持基板W；3個上表面處理液噴嘴30、60、65，其等用以將處理液供給至保持於旋轉夾盤20之基板W之上表面；處理護罩40，其包圍旋轉夾盤20之周圍；以及相機70，其對旋轉夾盤20之上方空間進行拍攝。又，於腔室10內之處理護罩40之周圍，設置有上下地對腔室10之內側空間進行分隔之分隔板15。
腔室10包括沿著鉛垂方向之側壁11、使側壁11所圍成之空間之上 側閉塞之頂壁12及使下側閉塞之底壁13。側壁11、頂壁12及底壁13所圍成之空間成為基板W之處理空間。又，於腔室10之側壁11之一部分，設置有用以供主搬送機器人103相對於腔室10而將基板W搬出搬入之搬出搬入口及使該搬出搬入口開閉之擋門(圖示均已省略)。
於腔室10之頂壁12安裝有風扇過濾器單元(FFU)14，該風扇過濾器單元(FFU)14用以進一步使設置有基板處理裝置100之無塵室內之空氣潔淨化，將該空氣供給至腔室10內之處理空間。風扇過濾器單元14包括用以吸入無塵室內之空氣而將其送出至腔室10內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Arrestance，高效微粒滯留)過濾器)，且於腔室10內之處理空間形成潔淨空氣之降流。為了使風扇過濾器單元14所供給之潔淨空氣均一地分散，亦可將穿設有多數個吹出孔之沖孔板設置於頂壁12之正下方。
旋轉夾盤20包括圓板形狀之旋轉基座21，該圓板形狀之旋轉基座21以水平姿勢固定於沿鉛垂方向延伸之旋轉軸24之上端。於旋轉基座21之下方設置有使旋轉軸24旋轉之旋轉馬達22。旋轉馬達22經由旋轉軸24而使旋轉基座21於水平面內旋轉。又，以包圍旋轉馬達22及旋轉軸24之周圍之方式設置有筒狀之覆蓋構件23。
圓板形狀之旋轉基座21之外徑稍大於保持於旋轉夾盤20之圓形之基板W之直徑。藉此，旋轉基座21具有與應保持之基板W之整個下表面相對向之保持面21a。
於旋轉基座21之保持面21a之周緣部豎立設置有複數個(本實施形態中4根)夾盤銷26。複數個夾盤銷26沿與圓形之基板W之外周圓相對應的圓周上，隔開均等之間隔地(如本實施形態般，若為4個夾盤銷26，則以90°之間隔)配置。複數個夾盤銷26藉由收容於旋轉基座21內之圖示省略之連結機構而連動地受到驅動。旋轉夾盤20使複數個夾盤銷26各自抵接於基板W之外周端而抓持基板W，藉此，可將該基板W以接 近於保持面21a之水平姿勢而保持於旋轉基座21之上方(參照圖3)，並且可使複數個夾盤銷26各自離開基板W之外周端而解除抓持。
覆蓋旋轉馬達22之覆蓋構件23之下端固定於腔室10之底壁13，上端到達旋轉基座21之正下方為止。於覆蓋構件23之上端部設置有凸緣狀構件25，該凸緣狀構件25自覆蓋構件23向外方大致水平地伸出，進而向下方彎曲而延伸。於藉由複數個夾盤銷26之抓持而由旋轉夾盤20保持基板W之狀態下，旋轉馬達22使旋轉軸24旋轉，藉此，可使基板W圍繞沿著通過基板W中心之鉛垂方向之旋轉軸CX而旋轉。再者，旋轉馬達22之驅動係由控制部9控制。
上表面處理液噴嘴30係於噴嘴臂32之前端安裝噴出頭31而構成。噴嘴臂32之基端側固定連結於噴嘴基台33。噴嘴基台33能夠藉由省略圖示之馬達而圍繞沿著鉛垂方向之軸轉動。由於噴嘴基台33轉動，如圖2中之箭頭AR34所示，上表面處理液噴嘴30於旋轉夾盤20上方之處理位置與較處理護罩40更靠外側之待機位置之間，沿水平方向呈圓弧狀地移動。上表面處理液噴嘴30係以如下方式構成，即，複數種處理液(至少包含純水)供給至該上表面處理液噴嘴30。於處理位置，自上表面處理液噴嘴30之噴出頭31噴出之處理液附著於旋轉夾盤20所保持之基板W之上表面。又，由於噴嘴基台33轉動，上表面處理液噴嘴30能夠於旋轉基座21之保持面21a之上方擺動。
又，於本實施形態之洗淨處理單元1中，除了設置有上述上表面處理液噴嘴30之外，進而設置有2個上表面處理液噴嘴60、65。本實施形態之上表面處理液噴嘴60、65具備與上述上表面處理液噴嘴30相同之構成。即，上表面處理液噴嘴60係於噴嘴臂62之前端安裝噴出頭而構成，藉由連結於噴嘴臂62之基端側之噴嘴基台63，如箭頭AR64所示，於旋轉夾盤20上方之處理位置與較處理護罩40更靠外側之待機位置之間，呈圓弧狀地移動。同樣地，上表面處理液噴嘴65係於噴嘴臂 67之前端安裝噴出頭而構成，藉由連結於噴嘴臂67之基端側之噴嘴基台68，如箭頭AR69所示，於旋轉夾盤20上方之處理位置與較處理護罩40更靠外側之待機位置之間，呈圓弧狀地移動。上表面處理液噴嘴60、65亦係以如下方式構成，即，至少包含純水之複數種處理液供給至該上表面處理液噴嘴60、65，於處理位置，將處理液噴出至保持於旋轉夾盤20之基板W之上表面。再者，上表面處理液噴嘴60、65之至少一方亦可為雙流體噴嘴，該雙流體噴嘴對純水等洗淨液與加壓後之氣體進行混合而生成液滴，將該液滴與氣體之混合流體噴射至基板W。又，設置於洗淨處理單元1之噴嘴數並不限定於3根，其為1根以上即可。
另一方面，以插通旋轉軸24之內側之方式，沿鉛垂方向而設置有下表面處理液噴嘴28。下表面處理液噴嘴28之上端開口形成於如下位置，該位置與保持於旋轉夾盤20之基板W之下表面中央相對向。下表面處理液噴嘴28亦係以如下方式構成，即，複數種處理液供給至該下表面處理液噴嘴28。自下表面處理液噴嘴28噴出之處理液附著於旋轉夾盤20所保持之基板W之下表面。
包圍旋轉夾盤20之處理護罩40包括能夠彼此獨立地升降之內護罩41、中護罩42及外護罩43。內護罩41包圍旋轉夾盤20之周圍，且具有相對於旋轉軸CX呈大致旋轉對稱之形狀，該旋轉軸CX通過保持於旋轉夾盤20之基板W之中心。該內護罩41一體地包括：俯視呈圓環狀之底部44；圓筒狀之內壁部45，其自底部44之內周緣向上方立起；圓筒狀之外壁部46，其自底部44之外周緣向上方立起；第1導引部47，其自內壁部45與外壁部46之間立起，且上端部描繪出平滑之圓弧，並且向中心側(靠近保持於旋轉夾盤20之基板W之旋轉軸CX的方向)斜上方延伸；以及圓筒狀之中壁部48，其自第1導引部47與外壁部46之間向上方立起。
內壁部45形成為如下長度，該長度使得該內壁部45於內護罩41上 升至最高之狀態下，保持適當間隙地收容於覆蓋構件23與凸緣狀構件25之間。中壁部48形成為如下長度，該長度使得該中壁部48於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，保持適當間隙地收容於中護罩42之後述之第2導引部52與處理液分離壁53之間。
第1導引部47具有上端部47b，該上端部47b描繪出平滑之圓弧，並且向中心側(靠近基板W之旋轉軸CX之方向)斜上方延伸。又，內壁部45與第1導引部47之間設為廢棄槽49，該廢棄槽49用以收集使用後之處理液並廢棄。第1導引部47與中壁部48之間設為圓環狀之內側回收槽50，該圓環狀之內側回收槽50用以收集回收使用後之處理液。進而，中壁部48與外壁部46之間設為圓環狀之外側回收槽51，該圓環狀之外側回收槽51用以收集回收種類與內側回收槽50不同之處理液。
圖示省略之排氣排液機構連接於廢棄槽49，該圖示省略之排氣排液機構用以將該廢棄槽49所收集之處理液排出，並且強制地對廢棄槽49內進行排氣。例如沿廢棄槽49之圓周方向而等間隔地設置有4個排氣排液機構。又，回收機構(圖示均已省略)連接於內側回收槽50及外側回收槽51，該回收機構(圖示均已省略)用以將內側回收槽50及外側回收槽51所分別收集之處理液回收至設置於基板處理裝置1外部之回收罐。再者，內側回收槽50及外側回收槽51之底部相對於水平方向傾斜極小之角度，且於其最低之位置連接有回收機構。藉此，流入至內側回收槽50及外側回收槽51之處理液順利地被回收。
中護罩42包圍旋轉夾盤20之周圍，且具有相對於旋轉軸CX呈大致旋轉對稱之形狀，該旋轉軸CX通過保持於旋轉夾盤20之基板W之中心。該中護罩42一體地包括第2導引部52、與連結於該第2導引部52之圓筒狀之處理液分離壁53。
第2導引部52於內護罩41之第1導引部47之外側，具有：下端部52a，其呈與第1導引部47之下端部同軸之圓筒狀；上端部52b，其自下 端部52a之上端描繪出平滑之圓弧，並且向中心側(靠近基板W之旋轉軸CX之方向)斜上方延伸；以及折返部52c，其係使上端部52b之前端部向下方折返而形成。下端部52a於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，於第1導引部47與中壁部48之間保持適當間隙地收容於內側回收槽50內。又，上端部52b係以於上下方向上與內護罩41之第1導引部47之上端部47b重疊之方式設置，且於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，保持極其微小之間隔地接近第1導引部47之上端部47b。進而，使上端部52b之前端向下方折返而形成之折返部52c設為如下長度，該長度使得於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，折返部52c於水平方向上與第1導引部47之上端部47b之前端重疊。
又，第2導引部52之上端部52b係以如下方式形成，即，越靠下方，則壁厚越厚，處理液分離壁53係以自上端部52b之下端外周緣部向下方延伸之方式設置，且具有圓筒形狀。處理液分離壁53於內護罩41與中護罩42最接近之狀態下，於中壁部48與外護罩43之間保持適當間隙地收容於外側回收槽51內。
外護罩43於中護罩42之第2導引部52之外側，包圍旋轉夾盤20之周圍，且具有相對於旋轉軸CX呈大致旋轉對稱之形狀，該旋轉軸CX通過保持於旋轉夾盤20之基板W之中心。該外護罩43具有作為第3導引部之功能。外護罩43具有：下端部43a，其呈與第2導引部52之下端部52a同軸之圓筒狀；上端部43b，其自下端部43a之上端描繪出平滑之圓弧，並且向中心側(靠近基板W之旋轉軸CX之方向)斜上方延伸；以及折返部43c，其係使上端部43b之前端部向下方折返而形成。
下端部43a於內護罩41與外護罩43最接近之狀態下，於中護罩42之處理液分離壁53與內護罩41之外壁部46之間，保持適當間隙地收容於外側回收槽51內。又，上端部43b係以於上下方向上與中護罩42之第2導引部52重疊之方式設置，且於中護罩42與外護罩43最接近之狀態 下，保持極其微小之間隔地接近第2導引部52之上端部52b。進而，使上端部43b之前端部向下方折返而形成之折返部43c係以如下方式形成，即，於中護罩42與外護罩43最接近之狀態下，折返部43c於水平方向上與第2導引部52之折返部52c重疊。
又，內護罩41、中護罩42及外護罩43能夠彼此獨立地升降。即，內護罩41、中護罩42及外護罩43分別個別地設置有升降機構(圖示省略)，藉此，個別地獨立升降。作為此種升降機構，例如可採用滾珠螺桿機構或空氣缸等眾所周知之各種機構。
分隔板15係以上下地對腔室10之內側空間進行分隔之方式，設置於處理護罩40之周圍。分隔板15可為包圍處理護罩40之一塊板狀構件，亦可為複數個板狀構件接合而成之構件。又，於分隔板15中亦可形成有貫通於厚度方向之貫通孔或缺口，於本實施形態中形成有用以供支持軸通過之貫通孔，該支持軸用以支持上表面處理液噴嘴30、60、65之噴嘴基台33、63、68。
分隔板15之外周端連結於腔室10之側壁11。又，分隔板15之包圍處理護罩40之端緣部形成為直徑較外護罩43之外徑更大之圓形形狀。 藉此，分隔板15不會妨礙外護罩43升降。
又，於腔室10之側壁11之一部分且於底壁13之附近設置有排氣風道18。排氣風道18連通連接於圖示省略之排氣機構。自風扇過濾器單元14供給且於腔室10內流下之潔淨空氣中，通過處理護罩40與分隔板15之間之空氣自排氣風道18排出至裝置外。
相機70設置於腔室10內之較分隔板15更靠上方處。圖4係表示相機70與上表面處理液噴嘴30之位置關係之圖。相機70包括例如作為固體攝影元件之一之CCD、與電子快門、鏡頭等光學系統。上表面處理液噴嘴30藉由噴嘴基台33，於保持於旋轉夾盤20之基板W上方之處理位置(圖4之點線位置)與較處理護罩40更靠外側之待機位置(圖4之實線 位置)之間往返移動。處理位置係自上表面處理液噴嘴30將處理液噴出至保持於旋轉夾盤20之基板W之上表面而進行洗淨處理的位置。待機位置係上表面處理液噴嘴30不進行洗淨處理時，停止噴出處理液而待機之位置。亦可於待機位置設置待機箱，該待機箱收容上表面處理液噴嘴30之噴出頭31。
相機70設置於如下位置，該位置使得至少處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端包含於該相機70之攝影視野，即，使得噴出頭31之附近包含於該相機70之攝影視野。於本實施形態中，如圖4所示，相機70設置於自前上方對處理位置之上表面處理液噴嘴30進行拍攝之位置。 藉此，相機70可拍攝包含處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域。相機70之攝影區域中，包含保持於旋轉夾盤20之基板W之表面作為上表面處理液噴嘴30之背景。同樣地，相機70亦可拍攝包含處理位置之上表面處理液噴嘴60、65之前端之攝影區域。再者，於相機70設置於圖2、圖4所示之位置之情形時，由於上表面處理液噴嘴30、60於相機70之攝影視野內向橫方向移動，故而能夠適當地拍攝處理位置附近之動作，但由於上表面處理液噴嘴65於相機70之攝影視野內向縱深方向移動，故而亦有無法適當地拍攝處理位置附近之移動量之虞。於此種情形時，亦可設置與相機70不同之上表面處理液噴嘴65專用之相機。
又，如圖3所示，於腔室10內之較分隔板15更靠上方處設置有照明部71。通常，腔室10內為暗室，因此，當相機70進行拍攝時，照明部71會將光照射至處理位置附近之上表面處理液噴嘴30、60、65。
圖5係相機70及控制部9之區塊圖。作為設置於基板處理裝置100之控制部9之硬體之構成與一般之電腦相同。即，控制部9係包括進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、記憶基本程式之讀出專用之記憶體即ROM(Read Only Memory，唯讀記憶 體)、記憶各種資訊之讀寫自如之記憶體即RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)及預先記憶控制用軟體或資料等之磁碟等而構成。控制部9之CPU執行特定之處理程式，藉此，基板處理裝置100之各動作機構受到控制部9控制，進行基板處理裝置100中之處理。
圖5所示之判定部91及設定部93係由控制部9之CPU執行特定之處理程式，藉此，於控制部9內實現之功能處理部。詳情將後述，判定部91對相機70所拍攝之圖像進行圖像處理，藉此進行各種判定處理，設定部93設定用以供判定部91進行判定處理之參數或區域。又，控制部9內之記憶部92係由上述RAM或磁碟構成，且記憶相機70所拍攝之圖像之資料或輸入值、或設定部93所設定之參數等。
其次，對具有上述構成之基板處理裝置100中之動作進行說明。 基板處理裝置100中之基板W之通常之處理順序如下：主搬送機器人103將自索引器102接受之未處理之基板W搬入至各洗淨處理單元1，於該洗淨處理單元1中對基板W進行洗淨處理之後，主搬送機器人103自該洗淨處理單元1搬出處理後之基板W，且將其歸還至索引器102。各洗淨處理單元1中之典型之基板W之洗淨處理順序的概略如下：將藥液供給至基板W之表面而進行特定之藥液處理之後，供給純水而進行純水沖淋處理，其後，使基板W高速旋轉而進行甩乾處理。
當於洗淨處理單元1中對基板W進行處理時，將基板W保持於旋轉夾盤20，並且由處理護罩40進行升降動作。當進行藥液處理時，例如僅外護罩43上升，於外護罩43之上端部43b與中護罩42之第2導引部52之上端部52b之間，形成包圍旋轉夾盤20所保持之基板W之周圍之開口。於該狀態下，基板W與旋轉夾盤20一併旋轉，將藥液自上表面處理液噴嘴30及下表面處理液噴嘴28供給至基板W之上表面及下表面。 所供給之藥液藉由基板W之旋轉所產生之離心力而沿基板W之上表面及下表面流動，不久便自基板W之端緣部向側方飛散。藉此，進行基 板W之藥液處理。自旋轉之基板W之端緣部飛散出之藥液受到外護罩43之上端部43b阻擋，沿外護罩43之內表面流下，且回收至外側回收槽51。
又，當進行純水沖淋處理時，例如內護罩41、中護罩42及外護罩43全部上升，保持於旋轉夾盤20之基板W之周圍由內護罩41之第1導引部47包圍。於該狀態下，基板W與旋轉夾盤20一併旋轉，將純水自上表面處理液噴嘴30及下表面處理液噴嘴28供給至基板W之上表面及下表面。所供給之純水藉由基板W之旋轉所產生之離心力而沿基板W之上表面及下表面流動，不久便自基板W之端緣部向側方飛散。藉此，進行基板W之純水沖淋處理。自旋轉之基板W之端緣部飛散出之純水沿第1導引部47之內壁流下，且自廢棄槽49排出。再者，於利用與藥液不同之路徑回收純水之情形時，亦可使中護罩42及外護罩43上升，於中護罩42之第2導引部52之上端部52b與內護罩41之第1導引部47之上端部47b之間，形成包圍旋轉夾盤20所保持之基板W之周圍之開口。
又，當進行甩乾處理時，內護罩41、中護罩42及外護罩43全部下降，內護罩41之第1導引部47之上端部47b、中護罩42之第2導引部52之上端部52b及外護罩43之上端部43b均位於較保持於旋轉夾盤20之基板W更靠下方之位置。於該狀態下，基板W與旋轉夾盤20一併高速旋轉，附著於基板W之水滴藉由離心力而被甩開，而進行乾燥處理。
繼而，於第1實施形態中，當將處理液自上表面處理液噴嘴30噴出至基板W之上表面時，對於藉由相機70對處理位置之上表面處理液噴嘴30進行拍攝所獲得之圖像，判定部91進行特定之圖像處理而判定有無噴出處理液。以下，詳細地說明該技術。再者，此處，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出判定進行說明，但其他上表面處理液噴嘴60、65亦相同。
圖6及圖7係表示判定部91之判定處理之順序之流程圖。圖6中表 示有用於判定處理之事先準備之順序，圖7中表示有將成為處理對象之基板W搬入至洗淨處理單元1時之判定處理之順序。順序表示於圖6中之事先準備係於實際的成為處理對象之基板W之處理製程之前先被執行者，且例如只要於基板處理裝置100之維護作業時實施即可。
首先，例如於維護作業時等，當對上表面處理液噴嘴30進行示教時，使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置(步驟S11)。所謂示教，係指對上表面處理液噴嘴30教示適當動作之作業，其將上表面處理液噴嘴30之停止位置修正至適當之位置(示教位置)。藉此，於示教時，當使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置時，上表面處理液噴嘴30會正確地移動至適當之處理位置。再者，所謂適當之處理位置，係指只要於該處理位置自上表面處理液噴嘴30噴出處理液，便可進行所要求之基板處理之位置。
當上表面處理液噴嘴30移動至適當之處理位置時，藉由相機70對包含上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝(步驟S12)。圖8係表示相機70對包含處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝所得的圖像之一例之圖。於攝影區域PA中，包含位於旋轉夾盤20所保持之基板W上方之處理位置之上表面處理液噴嘴30的前端。再者，於維護時，有時旋轉夾盤20亦未保持有基板W，因此，攝影區域PA中亦可不一定包含基板W。
其次，自於步驟S12中進行拍攝所得之圖像切出參考圖案(步驟S13)。於步驟S12中之攝影時點，上表面處理液噴嘴30藉由示教而正確地位於適當之處理位置。因此，於步驟S12中藉由相機70進行拍攝所得之圖像可成為表示上表面處理液噴嘴30之適當處理位置之噴嘴位置基準圖像(第2基準圖像)。於步驟S13中，如圖8所示，自此種噴嘴位置基準圖像，切出包含上表面處理液噴嘴30之前端部分之一部分圖像區域作為參考圖案RP。例如只要於示教時，由作業員一面觀察於步驟S12 中所拍攝之圖像，一面手動地指定成為參考圖案RP之區域而進行該切出即可。所切出之參考圖案RP與圖像內之座標一併記憶於控制部9之記憶部92(步驟S14)。
繼而，作業員設定位置異常判定之臨限值(步驟S15)。此處所設定之臨限值係用於後述之上表面處理液噴嘴30之位置異常之判定(圖7之步驟S26)者，且係於步驟S12中所拍攝之噴嘴位置基準圖像之參考圖案RP中的噴嘴位置、與步驟S25中所特定出之圖像中之噴嘴位置之偏差的臨限值。此處所設定之臨限值越低，則即使兩個圖像中之噴嘴位置之偏差小，亦可判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常。即，判定基準變嚴格。步驟S15中所設定之臨限值儲存於記憶部92。
其次，於步驟S12中進行拍攝所得之圖像內設定噴出判定區域(步驟S16)。如圖8所例示，於相機70對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像中，除了映入有上表面處理液噴嘴30之前端附近以外，亦映入有保持於旋轉夾盤20之基板W或洗淨處理單元1內之機器等。當對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定時，較佳為儘可能減少該等背景之影響，尤其必需排除基板W之表面所反射之處理液之影像的影響。因此，於步驟S16中，設定由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像中之、包含自上表面處理液噴嘴30之前端至保持於旋轉夾盤20之基板W為止之一部分的噴出判定區域SP。亦只要由作業員一面觀察於步驟S12中所拍攝之圖像，一面手動地進行區域指定而進行該設定即可。所設定之噴出判定區域SP記憶於控制部9之記憶部92。再者，此處所設定之噴出判定區域SP與上述參考圖案RP不同，其並非為圖像本身，而係終究由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像中之區域，且例如由表示圖8之噴出判定區域SP之四邊形之座標資料表示。
設定噴出判定區域SP之後，繼而由作業員設定噴出判定之臨限值(步驟S17)。此處所設定之臨限值係用於後述之處理液之噴出判定(圖7 之步驟S28)者，且係相機70所拍攝之處理液噴出前後之圖像之差分的臨限值。此處所設定之臨限值越低，則即使差分小，亦易於判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。步驟S17中所設定之臨限值儲存於記憶部92。
以上述方式進行與上表面處理液噴嘴30相關之事先準備。對於其他上表面處理液噴嘴60、65，亦執行與步驟S11至步驟S17所示之事先準備相同之事先準備(步驟S18)。此種事先準備只要於進行示教時預先實施即可，一旦實施後，無需再次實施直至示教位置變更為止。再者，關於固定之下表面處理液噴嘴28，不進行如上所述之事先準備處理。
其次，一面參照圖7，一面說明於進行圖6所示之事先準備後，對成為處理對象之基板W進行處理時的順序。首先，成為處理對象之基板W藉由主搬送機器人103而被搬入至洗淨處理單元1(步驟S21)。搬入之基板W以水平姿勢藉由旋轉夾盤20保持。並且，處理護罩40以到達特定之高度位置之方式進行升降動作。
成為新的處理對象之基板W保持於旋轉夾盤20之後，上表面處理液噴嘴30開始自待機位置向處理位置移動(步驟S22)。控制部9根據預先設定之處理程式(記述有基板W之處理順序及條件者)而控制噴嘴基台33，藉此，使上表面處理液噴嘴30移動。又，於該處理程式中記述有以特定時間以上(例如5秒以上)之時間，自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之情形時，控制部9以與使上表面處理液噴嘴30開始移動之時序相同之時序，指示判定部91進行噴出判定。由控制部9指示進行噴出判定之時序亦可並非嚴格地與使上表面處理液噴嘴30開始移動之時序相同，但較佳為足以於上表面處理液噴嘴30停止移動之前，由判定部91進行步驟S23以後之處理。
接受了噴出判定之指示之判定部91使相機70開始進行連續拍攝(步驟S23)。相機70以固定間隔連續地對攝影區域PA進行拍攝。例如， 相機70以33毫秒之間隔進行連續拍攝(每秒30訊框)。即，相機70自如下時點開始進行動態圖像拍攝，於該時點，旋轉夾盤20保持成為處理對象之新的基板W，上表面處理液噴嘴30開始自待機位置向處理位置移動。再者，相機70開始進行連續拍攝之時點亦為上表面處理液噴嘴30開始自待機位置進行移動之時點，因此，上表面處理液噴嘴30尚未到達攝影區域PA。
相機70開始進行連續拍攝之後，判定部91判定上表面處理液噴嘴30之移動之停止(步驟S24)。上表面處理液噴嘴30之移動本身係藉由控制部9根據上述處理程式控制噴嘴基台33而進行，該移動之停止亦受到控制部9控制。判定部91與控制部9之控制獨立地，根據由相機70進行連續拍攝所獲取之複數個圖像，判定上表面處理液噴嘴30是否已停止移動。具體而言，判定部91逐一估算由相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分，根據該差分是否為固定值以下而判定上表面處理液噴嘴30之移動之停止。所謂連續圖像之差分之估算，係指求出如下總和，該總和係對藉由連續拍攝而獲取之複數個圖像中的某圖像與其下一個圖像之差分之圖像中之全部像素之灰階值的絕對值進行累計所得者。
圖9係表示攝影區域PA內之上表面處理液噴嘴30之移動之圖。當上表面處理液噴嘴30於攝影區域PA內移動時，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝，則於某圖像與其下一個圖像中，上表面處理液噴嘴30之位置不同，處理液噴嘴30之圖像殘留於上述兩個圖像之差分中。相對於此，於攝影區域PA中，上表面處理液噴嘴30於處理位置(圖9中之點線位置)停止移動之後，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝，則於某圖像與其下一個圖像中，上表面處理液噴嘴30之位置相同，於上述兩個圖像之差分中，上表面處理液噴嘴30亦消失。因此，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分(某圖像與其下一 個圖像之差分)之圖像中的全部像素之灰階值之總和為固定值以下，則判定部91判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動。再者，為了防止由雜訊等引起之誤判定，例如判定部91亦可針對連續之5張圖像，估算某圖像與其下一個圖像之差分(於該情形時，估算4個差分)，若該差分均為固定值以下，則判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動。
其次，判定部91將相機70所連續獲取之圖像中之、於步驟S24中判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點之圖像，特定為用於處理液噴出判定之噴出基準圖像(第1基準圖像)(步驟S25)。所特定出之噴出基準圖像記憶於控制部9之記憶部92。以上述方式獲得之噴出基準圖像係於上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之時點，對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像。於上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之時點，未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。藉此，噴出基準圖像係移動至處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。
又，自步驟S21至步驟S25為止之步驟係每當成為新的處理對象之基板W搬入至洗淨處理單元1時所執行之處理。即，於本實施形態中，每當旋轉夾盤20保持搬入至洗淨處理單元1之成為新的處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時，獲取噴出基準圖像。
其次，判定部91對噴嘴位置基準圖像與噴出基準圖像進行比較，判定上表面處理液噴嘴30之處理位置之位置異常(步驟S26)。噴嘴位置基準圖像係於示教時，上表面處理液噴嘴30正確地位於處理位置時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。噴出基準圖像係旋轉夾盤20保持成為處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置且停止時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。藉此，只要對噴嘴位置基準圖像與噴出基準圖像進行比較，便可判定移動至成為處理對象之基板W上方之上表面處理液噴嘴30是否停止於適 當之處理位置。
具體而言，判定部91對於步驟S13中所切出之噴嘴位置基準圖像之參考圖案RP、與對應於該參考圖案RP之噴出基準圖像中之一部分區域圖像進行比較，估算兩個圖像中之上表面處理液噴嘴30之座標之差(位置偏移)。於該比較中，可使用眾所周知之圖案匹配之方法。繼而，於藉由圖案匹配而估算出之上表面處理液噴嘴30之位置偏移為步驟S15中所設定之臨限值以上之情形時，判定部91判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常。於判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常之情形時，控制部9進行特定之異常對應處理(例如發出警告或停止處理等)。 另一方面，於所估算出之上表面處理液噴嘴30之位置偏移小於步驟S15中所設定之臨限值之情形時，判定部91判定為上表面處理液噴嘴30之位置無異常。
上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之後，基板W藉由控制部9之控制而旋轉，並且開始自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。繼而，判定部91基於相機70所連續拍攝之圖像，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。
判定部91於處理液噴出之判定時，使噴出判定區域SP移位(步驟S27)。噴出判定區域SP於步驟S16中，被設定為噴嘴位置基準圖像內之包含自上表面處理液噴嘴30之前端至基板W為止之一部分的區域。於上述步驟S26中，估算噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之位置與噴出基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之位置的位置偏移。於步驟S27中，判定部91基於上述估算結果而使噴出判定區域SP移位。即，使噴出判定區域SP移動步驟S26中所估算出之位置偏移量。
於步驟S24中，即使判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，相機70仍對攝影區域PA進行連續拍攝。即，相機70於上表面處理液噴嘴30開始移動之同時，開始對攝影區域PA進行連續拍攝(步驟S23) 之後，以固定間隔繼續進行連續拍攝。
判定部91對噴出基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述上表面處理液噴嘴30噴出處理液之後，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像(步驟S28)。更詳細而言，判定部91於判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，依序對相機70所連續獲取之複數個監視對象圖像與噴出基準圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。
監視對象圖像係判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點之後(即，特定出噴出基準圖像之後)，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。即使判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，相機70亦會對攝影區域PA進行連續拍攝，因此會獲取以固定間隔所拍攝之複數個監視對象圖像。而且，上表面處理液噴嘴30於處理位置停止移動起經過特定時間之後，開始噴出處理液，因此，處理液之噴出會顯現於上述複數個監視對象圖像中之於任一個時點以後所獲得之圖像。判定部91依序對如上所述之複數個監視對象圖像與噴出基準圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。
圖10係表示噴出基準圖像及監視對象圖像之圖。圖10(a)中表示有噴出基準圖像之噴出判定區域SP，圖10(b)中表示有開始噴出處理液之後的監視對象圖像之噴出判定區域SP。又，圖12係模式性地表示處理液噴出判定之運算法之一例之圖。判定部91針對噴出判定區域SP中所含之全部像素，累計複數個監視對象圖像中之一張圖像中的噴出判定區域SP之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴出基準圖像中之噴出判定區域SP之像素的灰階值之差分之絕對值。即，判定部91算出構成 圖10(a)之各像素之灰階值、與對應於該像素之構成圖10(b)之像素之灰階值的差分之絕對值之總和。再者，噴出基準圖像及監視對象圖像之噴出判定區域SP均為於步驟S27中移位後之區域。因此，即使處理位置之上表面處理液噴嘴30之停止位置以不會被判定為位置異常之程度而偏離示教位置，噴出判定區域SP亦會被正確地設定為包含自上表面處理液噴嘴30之前端至基板W為止之一部分之區域。
繼而，判定部91對以上述方式算出之差分總和與步驟S17中所設定之臨限值進行比較。接著，於差分總和為步驟S17中所預先設定之臨限值以上之情形時，判定部91判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。另一方面，於差分總和小於該臨限值之情形時，判定部91判定為未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。判定部91針對於判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點之後，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之複數個監視對象圖像，依序進行如上所述之比較。
圖11係表示差分總和與臨限值之比較之圖。於該圖之縱軸中，表示對像素灰階值之差分之絕對值進行累計所得之總和。於該圖之橫軸中，依序表示於判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點之後所獲取的複數個監視對象圖像之序號。自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前之時點的監視對象圖像(圖11之直至第10個為止之監視對象圖像)與圖10(a)所示之噴出基準圖像大致相同。藉此，監視對象圖像中之噴出判定區域SP之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴出基準圖像中之噴出判定區域SP之像素的灰階值之差分之絕對值之總和相對較低，其小於步驟S17中所預先設定之臨限值TH。
相對於此，開始自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之後之監視對象圖像(圖11之第11個以後之監視對象圖像)中，如圖10(b)所示，包含所噴出之處理液之圖像。因此，監視對象圖像中之噴出判定區域SP之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴出基準圖像中之噴出判定區域 SP之像素的灰階值之差分之絕對值之總和相對較高，其大於步驟S17中所預先設定之臨限值TH。
當判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之狀態持續2秒以上時，即，若攝影間隔為33毫秒，則當針對60張以上之監視對象圖像，判定為已噴出處理液時，判定部91判斷為已自上表面處理液噴嘴30穩定且確實地噴出處理液。另一方面，當即使自判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點經過了特定時間(例如5秒)，像素灰階值之差分總和仍未達到臨限值以上，判定為未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，判斷為處理液噴出異常。判定部91對於處理液噴出之判定結果例如亦可顯示於控制部9中所附設之顯示器等。又，於判定為來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出異常之情形時，控制部9亦可進行處理停止等異常對應處理。
以上為與上表面處理液噴嘴30相關之判定處理，但於使用其他上表面處理液噴嘴60、65之情形時，可依照與圖7所示之順序相同之順序，進行與上表面處理液噴嘴60或上表面處理液噴嘴65相關之判定處理。
於第1實施形態中，對噴出基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上表面處理液噴嘴30噴出處理液之後由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。繼而，每當旋轉夾盤20保持搬入至洗淨處理單元1之成為新的處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時，獲取噴出基準圖像。
相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲得之圖像中，除了包含上表面處理液噴嘴30之前端附近以外，亦包含保持於旋轉夾盤20之基板W或 洗淨處理單元1內之機器等。為了儘可能排除該等背景之影響，尤其排除基板W之表面所反射之處理液之影像的影響，預先設定噴出判定區域SP，根據噴出基準圖像及監視對象圖像之噴出判定區域SP之差分，與臨限值作比較。
然而，如圖8所示，亦無法自噴出判定區域SP消除保持於旋轉夾盤20之基板W表面之圖像。如上所述，於基板W之表面形成有光阻膜或絕緣膜等各種膜而形成圖案，其結果，表面反射率會根據基板W之種類而大不相同。
根據第1實施形態，每當旋轉夾盤20保持成為新的處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時，獲取噴出基準圖像，因此，於噴出基準圖像及監視對象圖像雙方中包含相同之基板W之表面圖像作為背景。藉此，對於噴出基準圖像與監視對象圖像之差分而言，無論基板W之表面反射率之大小如何，其影響均會被排除。其結果，無論成為處理對象之基板W之種類如何，均可確實地對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。
又，只要相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便可判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動，因此，可自動地對上表面處理液噴嘴30之移動停止進行判定。因此，於上表面處理液噴嘴30於處理位置停止移動之後，可不發送特別之觸發信號，而藉由相機70進行拍攝，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。其結果，亦可簡化與處理液噴出判定相關之硬體構成。
又，判定部91除了對處理液之噴出進行判定之外，亦對上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時之位置異常進行判定。當由於維護時之調整錯誤或經時變化等，上表面處理液噴嘴30偏離示教位置而噴出處理液時，無法獲得原本所期待之結果，其成為處理不良之原因。於本 實施形態中，由於亦對上表面處理液噴嘴30之位置異常進行判定，故而可防止產生由上表面處理液噴嘴30之位置偏移引起之處理不良。
<第2實施形態>
其次，說明本發明之第2實施形態。第2實施形態之基板處理裝置100之裝置構成與第1實施形態完全相同。又，第2實施形態中之基板W之通常之處理順序亦與第1實施形態相同。第2實施形態與第1實施形態之不同點在於判定用參數之設定方法。於第1實施形態中，由作業員手動地設定判定用參數，但於第2實施形態中，藉由設定部93自動地設定判定用參數。
於第2實施形態中，當將處理液自上表面處理液噴嘴30噴出至基板W之上表面時，亦對於藉由相機70對處理位置之上表面處理液噴嘴30進行拍攝所獲得之圖像，判定部91進行特定之圖像處理而判定上表面處理液噴嘴30有無位置偏移及處理液噴出。以下，詳細地說明該技術。再者，此處，對與上表面處理液噴嘴30相關之判定處理進行說明，但其他上表面處理液噴嘴60、65亦相同。
圖14係表示對第2實施形態之判定用參數進行設定之順序之流程圖。另一方面，判定部91之判定處理之順序與圖7所示之流程圖相同。 順序表示於圖14之判定用參數之設定係於實際的成為處理對象之基板W之處理製程之前先被執行者，且例如只要於基板處理裝置100之維護作業時實施即可。
首先，與第1實施形態同樣地，例如於維護作業時等，當對上表面處理液噴嘴30進行示教時，使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置(步驟S31)。所謂示教，係指對上表面處理液噴嘴30教示適當動作之作業，其將上表面處理液噴嘴30之停止位置修正至適當之位置(示教位置)。藉此，於示教時，當使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置時，上表面處理液噴嘴30會正確地移動至適當之處理位置。再者，所謂適 當之處理位置，係指只要於該處理位置自上表面處理液噴嘴30噴出處理液，便可進行所要求之基板處理之位置。
當上表面處理液噴嘴30移動至適當之處理位置時，藉由相機70對包含上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝(步驟S32)。圖8係表示相機70對包含處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝所得的圖像之一例之圖。於攝影區域PA中，包含位於旋轉夾盤20所保持之基板W上方之處理位置之上表面處理液噴嘴30的前端。再者，於維護時，有時旋轉夾盤20亦未保持有基板W，因此，攝影區域PA中亦可不一定包含基板W。
其次，設定部93自於步驟S32中進行拍攝所得之圖像切出參考圖案(步驟S33)。於步驟S32中之攝影時點，上表面處理液噴嘴30藉由示教而正確地位於適當之處理位置。因此，於步驟S32中藉由相機70進行拍攝所得之圖像可成為表示上表面處理液噴嘴30之適當處理位置之噴嘴位置基準圖像。於步驟S33中，如圖8所示，設定部93自動地自此種噴嘴位置基準圖像，設定包含上表面處理液噴嘴30之前端部分之一部分圖像區域作為參考圖案RP。以下，繼續說明設定部93對於參考圖案RP之設定。
設定部93於上表面處理液噴嘴30正確地位於處理位置時，特定出由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之座標。圖15係表示用以特定出上表面處理液噴嘴30之座標之圖像處理之圖。圖15(a)所示之圖像係上表面處理液噴嘴30正確地位於處理位置時，藉由相機70對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像，即與圖8相同之噴嘴位置基準圖像。
獲取噴嘴位置基準圖像之後，上表面處理液噴嘴30藉由控制部9之控制而向特定方向移動特定量。上表面處理液噴嘴30之移動方向亦可為圖4中之順時針方向或逆時針方向中的任一個方向。即，於攝影區 域PA中，上表面處理液噴嘴30亦可向右方向或左方向中之任一個方向移動。上表面處理液噴嘴30之移動量亦無特別限定，其只要大於上表面處理液噴嘴30之直徑即可。
當正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30向特定方向移動特定量而停止時，相機70對攝影區域PA進行拍攝而獲取參照圖像。圖15(b)所示之圖像係以上述方式獲取之參照圖像之一例。圖15(a)所示之噴嘴位置基準圖像與圖15(b)所示之參照圖像之不同點僅在於上表面處理液噴嘴30之位置。
繼而，設定部93算出圖15(a)之噴嘴位置基準圖像與圖15(b)之參照圖像之差分之絕對值，獲取差分圖像。更詳細而言，針對全部像素，算出噴嘴位置基準圖像中所含之各像素之灰階值、與對應於該像素之參照圖像之像素之灰階值的差分之絕對值，獲取差分圖像。圖15(c)所示之圖像係以上述方式獲取之差分圖像之一例。
相機70藉由對完全相同之攝影區域PA進行拍攝而獲取噴嘴位置基準圖像及參照圖像，除了上表面處理液噴嘴30之位置之外，兩個圖像之背景(例如，基板W之表面或洗淨處理單元1內之構造物)相同。因此，於噴嘴位置基準圖像與參照圖像之差分即差分圖像中，如圖15(c)所示，基板W表面等背景完全消失，僅抽出噴嘴位置基準圖像及參照圖像中所含之上表面處理液噴嘴30之圖像。差分圖像為噴嘴位置基準圖像與參照圖像之差分之絕對值，因此，兩個圖像中所含之總計2個上表面處理液噴嘴30殘留於差分圖像中。於圖15(c)之例子中，差分圖像中所含之2個上表面處理液噴嘴30中之右側之圖像係正確地位於適當之處理位置之上表面處理液噴嘴30之圖像。
其次，設定部93沿差分圖像中之線PX而獲取灰階值分佈，該線PX於X軸方向上，通過2個上表面處理液噴嘴30雙方之前端部(噴出頭31)。圖16表示沿著差分圖像中之線PX之灰階值分佈。於該圖中，灰階 值相對升高之2個部分對應於差分圖像中之2個上表面處理液噴嘴30。 設定部93特定出其中之右側部分即與正確地位於適當之處理位置之上表面處理液噴嘴30相對應之部分的兩端之座標x1、x2。該座標x1、x2係正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30之差分圖像中的寬度方向兩端之座標。差分圖像中之右側之上表面處理液噴嘴30之座標、與噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之座標相同，因此，座標x1、x2亦係噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之寬度方向兩端之座標。再者，可根據獲取參照圖像時之移動方向，容易地識別灰階值分佈中，灰階值相對升高之2個部分中之哪一個部分為與正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30相對應之部分。
其次，設定部93沿差分圖像中之線PY而獲取灰階值分佈，該線PY於Y軸方向上通過座標x1與座標x2之間。圖17表示沿著差分圖像中之線PY之灰階值分佈。通過座標x1與座標x2之間之線PY通過差分圖像中的正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30，因此，於圖17中，灰階值相對升高之部分對應於正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30。設定部93特定出灰階值升高之部分之端部即灰階值急遽減少之位置的座標y1。該座標y1係正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30之差分圖像中的前端之座標。藉此，座標y1亦係噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之前端之座標。
如上所述，設定部93根據噴嘴位置基準圖像與參照圖像之差分即差分圖像中之灰階值分佈，特定出上表面處理液噴嘴30之寬度方向兩端及前端之座標。設定部93基於已特定出之上表面處理液噴嘴30之寬度方向兩端及前端之座標，決定噴嘴位置基準圖像中之參考圖案RP之座標。具體而言，設定部93將座標x1-α、x2+α設為參考圖案RP之寬度方向兩端之座標，該座標x1-α、x2+α係對噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之寬度方向兩端之座標x1、x2添加少許之容限所 得之座標。又，設定部93將座標y1-β、y1+γ設為參考圖案RP之上下方向兩端之座標，該座標y1-β、y1+γ係與噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之前端之座標y1相隔特定距離的座標。只要特定出寬度方向兩端及上下方向兩端之座標，便可決定矩形區域之參考圖案RP。
如此，設定部93特定出噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之座標，將包含上表面處理液噴嘴30之前端之矩形區域設定為參考圖案RP。設定部93所設定之參考圖案RP本身與第1實施形態之圖8所示之參考圖案相同。如該圖所示，參考圖案RP中包含上表面處理液噴嘴30之前端部分。設定部93所切出之參考圖案RP與噴嘴位置基準圖像內之座標(寬度方向兩端之座標x1-α、x2+α及上下方向兩端之座標y1-β、y1+γ)一併記憶於控制部9之記憶部92(步驟S34)。
其次，設定部93對位置異常判定之臨限值進行設定(步驟S35)。此處所設定之臨限值係用於上表面處理液噴嘴30之位置異常之判定(圖7之步驟S26)者，且係於步驟S32中所拍攝之噴嘴位置基準圖像之參考圖案RP之噴嘴位置、與步驟S25中所特定出之圖像中之噴嘴位置之偏差的臨限值。步驟S35中所設定之臨限值越低，則即使兩個圖像中之噴嘴位置之偏差小，亦可判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常。即，判定基準變嚴格。設定部93將預先規定之值(例如2mm)設定為位置異常判定之臨限值。步驟S35中所設定之臨限值儲存於記憶部92。
其次，測試性地自正確地位於適當之處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液，並且由相機70以固定間隔，連續地對攝影區域PA進行拍攝而獲取一連串之圖像(步驟S36)。即，相機70自正確地位於處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前至正在噴出處理液為止，進行動態圖像拍攝。步驟S36中所獲取之複數個圖像保存於記憶部92。
其次，於步驟S32中進行拍攝所得之圖像內，設定部93設定噴出 判定區域(步驟S37)。如圖8所例示，於相機70對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像中，除了映入有上表面處理液噴嘴30之前端附近以外，亦映入有保持於旋轉夾盤20之基板W或洗淨處理單元1內之機器等。當對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定時，較佳為儘可能減少該等背景之影響，尤其必需排除基板W之表面所反射之處理液之影像的影響。因此，於步驟S37中，設定由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像中之噴出判定區域SP，該噴出判定區域SP包含直至自上表面處理液噴嘴30之前端噴出之處理液到達保持於旋轉夾盤20之基板W為止的液柱部分。
設定部93將少許之容限與上表面處理液噴嘴30之噴出寬度相加或減去少許之容限而設為噴出判定區域SP之寬度。又，設定部93將少許之容限與如下距離相加或減去少許之容限而設為噴出判定區域SP之長度，上述距離為上表面處理液噴嘴30之前端與保持於旋轉夾盤20之基板W之距離。只要特定出寬度及長度，便可決定矩形之噴出判定區域SP。再者，上表面處理液噴嘴30之噴出寬度及上表面處理液噴嘴30之前端與保持於旋轉夾盤20之基板W之距離均為預先規定之值。
設定部93將寬度及長度已特定出之噴出判定區域SP設定於噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之前端之處理液的噴出側(下側)。上表面處理液噴嘴30之前端之座標(x1，y1)、(x2，y1)已於切出上述參考圖案RP時被求出。設定部93相對於該上表面處理液噴嘴30之前端之座標而設定噴出判定區域SP，且特定出噴出判定區域SP之座標。
如此，設定部93基於上表面處理液噴嘴30之噴出寬度及上表面處理液噴嘴30之前端與保持於旋轉夾盤20之基板W之距離，相對於噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30而設定噴出判定區域SP。該噴出判定區域SP中至少包含噴嘴位置基準圖像中之直至自上表面處理液 噴嘴30之前端噴出之處理液到達保持於旋轉夾盤20的基板W為止之液柱部分。設定部93所設定之噴出判定區域SP記憶於控制部9之記憶部92。再者，此處所設定之噴出判定區域SP與上述參考圖案RP不同，其並非為圖像本身，而係終究由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像中之區域，且由表示噴出判定區域SP之矩形區域之座標表示。
設定噴出判定區域SP之後，繼而由設定部93設定噴出判定之臨限值(步驟S38)。此處所設定之臨限值係用於處理液之噴出判定(圖7之步驟S28)者，且係相機70所拍攝之處理液噴出前後之圖像之差分的臨限值。此處所設定之臨限值越低，則即使差分小，亦易於判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。
設定部93使用步驟S36中所連續拍攝之自上表面處理液噴嘴30噴出處理液前後之一連串的圖像，設定噴出判定之臨限值。設定部93針對噴出判定區域SP中所含之全部像素，累計步驟S36中所獲取之複數個圖像各自之噴出判定區域SP之各像素的灰階值、與對應於該像素之噴嘴位置基準圖像中之噴出判定區域SP之像素的灰階值之差分之絕對值。於步驟S36中所獲取之複數個圖像中，包含未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像、與噴出處理液時之圖像。
步驟S36中所拍攝之自上表面處理液噴嘴30噴出處理液前後之圖像與圖10所示之圖相同。圖10(a)中表示有未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像之噴出判定區域SP，圖10(b)中表示有自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像之噴出判定區域SP。
設定部93算出未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像、與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分。即，設定部93算出構成圖10(a)之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴嘴位置基準圖像之像素之灰階值的差分之絕對值之總和。同樣地，設定部93算出自上表面處理液噴嘴30噴出處理 液時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像、與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分。即，設定部93算出構成圖10(b)之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴嘴位置基準圖像之像素之灰階值的差分之絕對值之總和。
圖18係用以對噴出判定之臨限值設定進行說明之圖。該圖之縱軸表示對像素灰階值之差分之絕對值進行累計所得之總和。該圖之橫軸表示步驟S36中所連續拍攝之圖像之序號。於步驟S36中進行連續拍攝所獲取之複數個圖像中，比較初期之圖像為未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像(圖10(a))。於圖18中，圖像之序號N1以前所描繪之差分總和為未自如上所述之上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分總和。而且，該差分總和之最大值為C1。
另一方面，於步驟S36中進行連續拍攝所獲取之複數個圖像中，比較後期之圖像為自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像(圖10(b))。於圖18中，圖像之序號N1之後所描繪之差分總和為自如上所述之上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分總和。而且，該差分總和之最小值為C2。
設定部93將差分之最大值C1與差分之最小值C2之中間值設定為臨限值TH，上述差分之最大值C1係未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分之最大值，上述差分之最小值C2係自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像與噴嘴位置基準圖像之噴出判定區域SP中的差分之最小值。所謂中間值，例如可為最大值C1與最小值C2之平均值((C1+C2)/2)，亦可為自該平均值算起之特定範圍內之任意值。設定部93所設定之臨限值TH儲存於記憶部92。
以上述方式進行與上表面處理液噴嘴30相關之事先準備(判定用參數之設定)。對於其他上表面處理液噴嘴60、65，亦執行與步驟S31至步驟S38所示之事先準備相同之事先準備(步驟S39)。此種事先準備只要於進行示教時預先實施即可，一旦實施後，無需再次實施直至示教位置變更為止。再者，關於固定之下表面處理液噴嘴28，不進行如上所述之事先準備處理。
進行圖14所示之判定用參數之設定之後，對成為處理對象之基板W進行處理時之順序與第1實施形態相同(圖7)。然而，於第2實施形態中，依照圖14所示之順序，使用設定部93所設定之判定用參數(各種臨限值等)而執行圖7之判定處理。
於第2實施形態中，亦對噴出基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出處理液之前，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上表面處理液噴嘴30噴出處理液之後，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。繼而，每當旋轉夾盤20保持搬入至洗淨處理單元1之成為新的處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時，獲取噴出基準圖像。
相機70對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像中，除了包含上表面處理液噴嘴30之前端附近以外，亦包含保持於旋轉夾盤20之基板W或洗淨處理單元1內之機器等。為了儘可能排除該等背景之影響，尤其排除基板W之表面所反射之處理液之影像的影響，藉由設定部93而預先設定噴出判定區域SP，根據噴出基準圖像及監視對象圖像之噴出判定區域SP中之差分，與臨限值作比較。
然而，如圖8所示，亦無法自噴出判定區域SP消除保持於旋轉夾盤20之基板W表面之圖像。如上所述，於基板W之表面形成有光阻膜 或絕緣膜等各種膜而形成圖案，其結果，表面反射率會根據基板W之種類而大不相同。
根據第2實施形態，每當旋轉夾盤20保持成為新的處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時，獲取噴出基準圖像，因此，於噴出基準圖像及監視對象圖像雙方中包含相同之基板W之表面圖像作為背景。藉此，對於噴出基準圖像與監視對象圖像之差分而言，無論基板W之表面反射率之大小如何，其影響均會被排除。其結果，與第1實施形態同樣地，無論成為處理對象之基板W之種類如何，均可確實地對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。
又，判定部91除了對處理液之噴出進行判定之外，亦對上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時之位置異常進行判定。當由於維護時之調整錯誤或經時變化等，上表面處理液噴嘴30偏離示教位置而噴出處理液時，無法獲得原本所期待之結果，其成為處理不良之原因。於本實施形態中，由於亦對上表面處理液噴嘴30之位置異常進行判定，故而可檢測出上表面處理液噴嘴30之位置偏移，從而可防止產生由該位置偏移引起之處理不良。
而且，於第2實施形態中，藉由控制部9之設定部93，進行上表面處理液噴嘴30之位置異常判定及處理液噴出判定所需之參考圖案RP之設定、噴出判定區域SP之設定、及臨限值之設定。因此，即使裝置之作業員不具有圖像處理之知識或與判定運算法相關之知識，或者並未十分熟練，由於藉由設定部93而自動地設定參考圖案RP、噴出判定區域SP及臨限值，故而亦可穩定且確實地進行上表面處理液噴嘴30之位置異常判定及處理液噴出判定。
<第3實施形態>
其次，說明本發明之第3實施形態。第3實施形態之基板處理裝置100之裝置構成與第1實施形態完全相同。又，第3實施形態中之基板W 之通常之處理順序亦與第1實施形態相同。第3實施形態與第1實施形態之不同點在於處理液噴出之判定方法。於第3實施形態中，根據像素之亮度值之分散度而判定有無噴出處理液。
於第3實施形態中，當將處理液自上表面處理液噴嘴30噴出至基板W之上表面時，亦對於藉由相機70進行拍攝所得之圖像，判定部91進行特定之圖像處理而判定有無噴出處理液。以下，詳細地說明該技術。再者，此處，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出的判定進行說明，但其他上表面處理液噴嘴60、65亦相同。
表示用於判定處理之事先準備及判定處理之順序之流程圖本身與圖6及圖7所示之流程圖相同，因此，一面參照圖6及圖7，一面繼續進行說明。然而，於第3實施形態中，流程圖所示之各順序之內容與第1實施形態不同。
首先，例如於維護作業時等，當對上表面處理液噴嘴30進行示教時，使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置(步驟S11)。所謂示教，係指對上表面處理液噴嘴30教示適當動作之作業，其將上表面處理液噴嘴30之停止位置修正至適當之位置(示教位置)。藉此，於示教時，當使上表面處理液噴嘴30移動至示教位置時，上表面處理液噴嘴30會正確地移動至適當之處理位置。再者，所謂適當之處理位置，係指只要於該處理位置自上表面處理液噴嘴30噴出處理液，便可進行所要求之基板處理之位置。
當上表面處理液噴嘴30移動至適當之處理位置時，藉由相機70對包含上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝(步驟S12)。圖19係表示相機70對包含處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端之攝影區域進行拍攝所得的圖像(靜止圖像)之一例之圖。於攝影區域PA中，至少包含位於旋轉夾盤20所保持之基板W上方之處理位置之上表面處理液噴嘴30的前端。而且，於攝影區域PA中，包含保持於旋轉夾盤20之 基板W之表面作為上表面處理液噴嘴30之背景。再者，於維護時，有時旋轉夾盤20亦未保持有基板W，因此，攝影區域PA中亦可不一定包含基板W。
其次，自於步驟S12中進行拍攝所得之圖像切出參考圖案(步驟S13)。於步驟S12中之攝影時點，上表面處理液噴嘴30藉由示教而正確地位於適當之處理位置。因此，於步驟S12中藉由相機70進行拍攝所得之圖像可成為表示上表面處理液噴嘴30之適當之處理位置之噴嘴位置基準圖像。於步驟S13中，如圖19所示，自如上所述之噴嘴位置基準圖像，切出包含上表面處理液噴嘴30之前端部分之一部分圖像區域作為參考圖案RP。例如只要於示教時，由作業員一面觀察於步驟S12中所拍攝之圖像，一面手動地指定成為參考圖案RP之區域而進行該切出即可。所切出之參考圖案RP與圖像內之座標一併記憶於控制部9之記憶部92(步驟S14)。
繼而，作業員設定位置異常判定之臨限值(步驟S15)。此處所設定之臨限值係用於上表面處理液噴嘴30之位置異常之判定(圖7之步驟S26)者，且係於步驟S12中所拍攝之噴嘴位置基準圖像之參考圖案RP中的噴嘴位置、與步驟S25中所特定出之圖像中之噴嘴位置之偏差的臨限值。此處所設定之臨限值越低，則即使兩個圖像中之噴嘴位置之偏差小，亦可判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常。即，判定基準變嚴格。步驟S15中所設定之臨限值儲存於記憶部92。
其次，於步驟S12中進行拍攝所得之圖像內設定噴出判定區域(步驟S16)。如圖19所例示，於相機70對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像中，除了映入有上表面處理液噴嘴30之前端附近以外，亦映入有保持於旋轉夾盤20之基板W或洗淨處理單元1內之機器等。當對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定時，較佳為儘可能減少該等背景之影響。因此，於步驟S16中，將由相機70對攝影區域PA進行拍攝 所獲取之圖像中之、自上表面處理液噴嘴30噴出之處理液所覆蓋之區域的一部分設定為噴出判定區域SP。於本實施形態中，於自適當之處理位置之上表面處理液噴嘴30噴出後，直至附著於旋轉夾盤20所保持之基板W為止之期間中形成之處理液之液柱的一部分設定噴出判定區域SP。即，如圖19所示，於適當之處理位置之上表面處理液噴嘴30之前端正下方設定噴出判定區域SP。亦只要由作業員一面觀察於步驟S12中所拍攝之圖像，一面手動地進行區域指定而進行該設定即可。所設定之噴出判定區域SP記憶於控制部9之記憶部92。再者，此處所設定之噴出判定區域SP與上述之參考圖案RP不同，其並非為圖像本身，而係終究由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像中之區域，且例如由表示圖19之噴出判定區域SP之四邊形之座標資料表示。
設定噴出判定區域SP之後，繼而由作業員設定噴出判定之臨限值(步驟S17)。此處所設定之臨限值係用於處理液之噴出判定(圖7之步驟S28)者，且係構成噴出判定區域SP之像素之亮度值之標準偏差的臨限值。雖於後文中詳述，但此處所設定之臨限值越大，則越易於判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。步驟S17中所設定之臨限值儲存於記憶部92。
以上述方式進行與上表面處理液噴嘴30相關之事先準備。對於其他上表面處理液噴嘴60、65，亦執行與步驟S11至步驟S17所示之事先準備相同之事先準備(步驟S18)。此種事先準備只要於進行示教時預先實施即可，一旦實施後，無需再次實施直至示教位置變更為止。再者，關於固定之下表面處理液噴嘴28，不進行如上所述之事先準備處理。
其次，一面參照圖7，一面說明於進行圖6所示之事先準備後，對成為處理對象之基板W進行處理時的順序。首先，成為處理對象之基板W藉由主搬送機器人103而被搬入至洗淨處理單元1(步驟S21)。搬入之基板W以水平姿勢藉由旋轉夾盤20保持。並且，處理護罩40以到達 特定之高度位置之方式進行升降動作。
成為新的處理對象之基板W保持於旋轉夾盤20之後，上表面處理液噴嘴30開始自待機位置向處理位置移動(步驟S22)。控制部9根據預先設定之處理程式(記述有基板W之處理順序及條件者)而控制噴嘴基台33，藉此，使上表面處理液噴嘴30移動。又，於該處理程式中記述有以特定時間以上(例如5秒以上)之時間，自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之情形時，控制部9以與使上表面處理液噴嘴30開始移動之時序相同之時序，指示判定部91進行噴出判定。由控制部9指示進行噴出判定之時序亦可並非嚴格地與使上表面處理液噴嘴30開始移動之時序相同，但較佳為足以於上表面處理液噴嘴30停止移動之前，由判定部91進行步驟S23以後之處理。
接受了噴出判定之指示之判定部91使相機70開始進行連續拍攝(步驟S23)。相機70以固定間隔連續地對攝影區域PA進行拍攝。例如，相機70以33毫秒之間隔進行連續拍攝(每秒30訊框)。即，相機70自如下時點開始進行動態圖像拍攝，於該時點，旋轉夾盤20保持成為處理對象之新的基板W，上表面處理液噴嘴30開始自待機位置向處理位置移動。再者，相機70開始進行連續拍攝之時點亦為上表面處理液噴嘴30開始自待機位置進行移動之時點，因此，上表面處理液噴嘴30尚未到達攝影區域PA。
相機70開始進行連續拍攝之後，判定部91判定上表面處理液噴嘴30之移動之停止(步驟S24)。上表面處理液噴嘴30之移動本身係藉由控制部9根據上述處理程式控制噴嘴基台33而進行，該移動之停止亦受到控制部9控制。判定部91與控制部9之控制獨立地，根據由相機70進行連續拍攝所獲取之複數個圖像，判定上表面處理液噴嘴30是否已停止移動。具體而言，判定部91逐一估算由相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分，根據該差分是否為固定值以下而判定 上表面處理液噴嘴30之移動之停止。所謂連續圖像之差分之估算，係指求出如下總和，該總和係對藉由連續拍攝而獲取之複數個圖像中的某圖像與其下一個圖像之差分之圖像中之全部像素之灰階值的絕對值進行累計所得者。
圖20係表示攝影區域PA內之上表面處理液噴嘴30之移動之圖。當上表面處理液噴嘴30於攝影區域PA內移動時，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝，則於某圖像與其下一個圖像中，上表面處理液噴嘴30之位置不同，處理液噴嘴30之圖像殘留於上述兩個圖像之差分中。相對於此，於攝影區域PA中，上表面處理液噴嘴30於處理位置(圖20中之點線位置)停止移動之後，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝，則於某圖像與其下一個圖像中，上表面處理液噴嘴30之位置相同，於上述兩個圖像之差分中，上表面處理液噴嘴30亦消失。因此，若相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分(某圖像與其下一個圖像之差分)之圖像中的全部像素之灰階值之總和為固定值以下，則判定部91判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動。再者，為了防止由雜訊等引起之誤判定，例如判定部91亦可針對連續之5張圖像，估算某圖像與其下一個圖像之差分(於該情形時，估算4個差分)，若該差分均為固定值以下，則判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動。
其次，判定部91將相機70所連續獲取之圖像中之、於步驟S24中判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點之圖像，特定為噴嘴位置判定用圖像(步驟S25)。所特定之噴嘴位置判定用圖像記憶於控制部9之記憶部92。以上述方式獲得之噴嘴位置判定用圖像係於上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之時點，對攝影區域PA進行拍攝所得之圖像。再者，噴嘴位置判定用圖像亦可為於步驟S24中判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點以後的任意之一張攝影區域PA之圖像。
其次，判定部91對噴嘴位置基準圖像與噴嘴位置判定用圖像進行 比較，判定上表面處理液噴嘴30之處理位置之位置異常(步驟S26)。噴嘴位置基準圖像係於示教時，上表面處理液噴嘴30正確地位於處理位置時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。噴嘴位置判定用圖像係旋轉夾盤20保持成為處理對象之基板W，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置且停止時，由相機70對攝影區域PA進行拍攝所獲取之圖像。藉此，只要對噴嘴位置基準圖像與噴嘴位置判定用圖像進行比較，便可判定移動至成為處理對象之基板W上方之上表面處理液噴嘴30是否停止於適當之處理位置。
具體而言，判定部91對於步驟S13中所切出之噴嘴位置基準圖像之參考圖案RP、與對應於該參考圖案RP之噴嘴位置判定用圖像中之一部分區域圖像進行比較，估算兩個圖像中之上表面處理液噴嘴30之座標之差(位置偏移)。於該比較中，可使用眾所周知之圖案匹配之方法。 繼而，於藉由圖案匹配而估算出之上表面處理液噴嘴30之位置偏移為步驟S15中所設定之臨限值以上之情形時，判定部91判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常。於判定為上表面處理液噴嘴30之位置異常之情形時，控制部9進行特定之異常對應處理(例如發出警告或停止處理等)。另一方面，於所估算出之上表面處理液噴嘴30之位置偏移小於步驟S15中所設定之臨限值之情形時，判定部91判定為上表面處理液噴嘴30之位置無異常。
藉由控制部9之控制，上表面處理液噴嘴30移動至處理位置，並且基板W旋轉。又，典型而言，於上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之後，開始自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。繼而，判定部91基於上表面處理液噴嘴30停止後由相機70連續拍攝之圖像，判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。
判定部91於處理液噴出之判定時，使噴出判定區域SP移位(步驟S27)。噴出判定區域SP於步驟S16中，被設定為噴嘴位置基準圖像內之 自上表面處理液噴嘴30噴出之處理液所覆蓋之區域的一部分。於上述步驟S26中，估算噴嘴位置基準圖像中之上表面處理液噴嘴30之位置與噴嘴位置判定用圖像中之上表面處理液噴嘴30之位置的位置偏移。於步驟S27中，判定部91基於上述估算結果而使噴出判定區域SP移位。 即，使噴出判定區域SP移動步驟S26中所估算出之位置偏移量。
於步驟S24中，即使判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，相機70仍對攝影區域PA進行連續拍攝。即，相機70於上表面處理液噴嘴30開始移動之同時，開始對攝影區域PA進行連續拍攝(步驟S23)之後，以固定間隔繼續進行連續拍攝。
判定部91基於如下圖像，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定，上述圖像係於步驟S24中判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，由相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所得之圖像(步驟S28)。於攝影區域PA中包含噴出判定區域SP(參照圖19)。藉此，對攝影區域PA進行連續拍攝，即亦為藉由相機70對噴出判定區域SP進行連續拍攝。繼而，如下圖像成為用以對處理液之噴出進行判定之噴出判定用圖像，上述圖像係上表面處理液噴嘴30停止移動之後，藉由相機70對噴出判定區域SP進行連續拍攝所獲取之圖像。判定部91對噴出判定用圖像中所含之像素之亮度值之標準偏差與步驟S17中所設定之臨限值進行比較，判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。
噴出判定區域SP係噴嘴位置基準圖像內之自上表面處理液噴嘴30噴出之處理液所覆蓋之區域的一部分，且係自相機70側觀察，使噴出之處理液映入至較處於背景中之區域更靠近前之區域的一部分。於本實施形態中，上述噴出判定區域SP設定於自上表面處理液噴嘴30對基板W噴出處理液而形成之液柱的一部分，即映入至較處於背景中之基板W更靠近前之液柱的一部分。因此，當自處理位置之上表面處理液噴嘴30正常地噴出處理液時，處理液映入至自相機70所見之整個噴 出判定區域SP。另一方面，當未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，保持於旋轉夾盤20之基板W之表面映入至自相機70所見之噴出判定區域SP之整體。此處，基板W之表面為高反射率之鏡面，因此，當未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，基板W之表面所反射之腔室10內之構造物等會映入至自相機70所見之噴出判定區域SP。
其結果，如圖21所示，當未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，腔室10內之構造物等作為圖像要素，進入至藉由相機70對噴出判定區域SP進行拍攝所得之噴出判定用圖像。另一方面，如圖22所示，當自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，僅噴出之處理液映入至藉由相機70對噴出判定區域SP進行拍攝所得之噴出判定用圖像。
判定部91進行圖像運算處理，該圖像運算處理用以對複數個判定用圖像逐一進行處理液噴出判定，上述複數個判定用圖像係於步驟S24中判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，藉由相機70對噴出判定區域SP進行連續拍攝所獲取之圖像。具體而言，判定部91根據下述之式(1)而估算判定用圖像中所含之像素之亮度值之標準偏差σ，對所獲得之標準偏差σ與步驟S17中所設定之臨限值進行比較，從而判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。
於式(1)中，n為判定用圖像中所含之像素之像素數，S1、S2、S3、…、Sn為各像素之亮度值(對應於相機70所獲取之像素之灰階值)，m為判定用圖像中所含之像素亮度值之平均值。圖23係表示如圖21所示之未噴出處理液時之判定用圖像之像素亮度值的一例之圖。當未噴出處理液時，腔室10內之構造物等作為圖像要素而進入至噴出判定用圖像，因 此，於噴出判定用圖像內形成花紋，像素亮度值之分散度(不均)增大。 其結果，噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ亦增大，於圖23之例子中，標準偏差σ=23.1。
相對於此，圖24係表示如圖22所示之噴出處理液時之判定用圖像之像素亮度值的一例之圖。當噴出處理液時，僅噴出之處理液映入至噴出判定用圖像，因此，噴出判定用圖像內之像素亮度值實現均一化，分散度減小。其結果，噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ亦減小，於圖24之例子中，標準偏差σ=5.4。
圖23及圖24之例子中之標準偏差σ如上所述，但未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ大致處於20~30之範圍內。又，自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ大致處於5~10之範圍內。因此，於步驟S17中，較佳為於10~20之範圍內，設定用於處理液噴出判定之臨限值，於第3實施形態中，臨限值被設定為15。
如圖24之例子般，判定部91於噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ小於臨限值即15時，判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。另一方面，如圖23之例子般，判定部91於噴出判定用圖像之像素亮度值之標準偏差σ大於臨限值即15時，判定為未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。再者，於亮度值之標準偏差σ與臨限值相同之情形時，亦可進行任意判定。
當判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液之狀態持續例如2秒以上時，即，若攝影間隔為33毫秒，則當針對60張以上之噴出判定用圖像，亮度值之標準偏差σ持續地小於臨限值而判定為已噴出處理液時，判定部91判定為已自上表面處理液噴嘴30穩定且確實地噴出處理液。另一方面，當即使自判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之時點經過了特定時間(例如5秒)，標準偏差σ仍未小於臨限值，判定為未 自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，判斷為處理液噴出異常。判定部91對於處理液噴出之判定結果例如亦可顯示於控制部9中所附設之顯示器等。又，於判定為來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出異常之情形時，控制部9亦可進行處理停止等異常對應處理。
以上為與上表面處理液噴嘴30相關之噴出判定處理，但於使用其他上表面處理液噴嘴60、65之情形時，可依照與上述順序相同之順序，進行與上表面處理液噴嘴60或上表面處理液噴嘴65相關之噴出判定處理。
於第3實施形態中，估算藉由相機70對噴出判定區域SP進行拍攝所獲取之噴出判定用圖像中所含之像素亮度值之標準偏差σ，對所獲得之標準偏差σ與預先設定之臨限值進行比較，從而判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。即，於第3實施形態中，於進行處理液噴出判定時，無需未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時所拍攝之成為基準之比較用的圖像。
又，於第3實施形態中，上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之後，開始噴出處理液，但亦存在如下情形，即，於上表面處理液噴嘴30到達處理位置且停止之前，開始噴出處理液。於極端之情形下，有時亦於上表面處理液噴嘴30開始自待機位置移動之同時，開始噴出處理液。即使於如上所述之情形時，根據第3實施形態，無需成為基準之比較用之圖像，可僅基於噴出判定用圖像而判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液，上述噴出判定用圖像係判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動之後，藉由相機70對噴出判定區域SP進行拍攝所獲取之圖像，因此，可確實地檢測出來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出。
又，由於利用如下現象，該現象係指當未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，腔室10內之構造物等會被基板W之表面反射而映入至 相機70，故而能夠利用簡單之照明與攝影系統實現，無需嚴格之光路調整等。
又，只要相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便可判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動，因此，可自動地對上表面處理液噴嘴30之移動停止進行判定。因此，於上表面處理液噴嘴30於處理位置停止移動之後，可不發送特別之觸發信號，而藉由相機70進行拍攝，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。其結果，亦可簡化與處理液噴出判定相關之硬體構成。
又，判定部91除了對處理液之噴出進行判定之外，亦對上表面處理液噴嘴30移動至處理位置時之位置異常進行判定。當由於維護之調整錯誤或經時變化等，上表面處理液噴嘴30偏離示教位置而噴出處理液時，無法獲得原本所期待之結果，其成為處理不良之原因。於本實施形態中，由於亦對上表面處理液噴嘴30之位置異常進行判定，故而可防止產生由上表面處理液噴嘴30之位置偏移引起之處理不良。
<變化例>
以上，說明了本發明之實施形態，但本發明能夠於不脫離其宗旨之範圍內，進行上述內容以上之各種變更。例如，於第1實施形態及第2實施形態中，判定部91於對上表面處理液噴嘴30之移動之停止進行判定時，根據相機70進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分是否為固定值以下而進行判定，但並不限定於此，亦可根據各圖像與噴嘴位置基準圖像之比較而進行判定。即，判定部91進行複數個圖像與噴嘴位置基準圖像之圖案匹配，於上表面處理液噴嘴30之座標變動量為固定值以下時，判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動，上述複數個圖像係相機70對攝影區域PA進行連續拍攝所獲取之圖像，上述噴嘴位置基準圖像係示教時所獲取之圖像。即使於該情形時，較佳為判定部91例如 針對連續之5張圖像，與噴嘴位置基準圖像進行圖案匹配，於上表面處理液噴嘴30之座標變動量穩定地為固定值以下時，判定為上表面處理液噴嘴30已停止移動。
又，於第1實施形態及第2實施形態中，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定之運算法亦可為如圖13所示之運算法。與第1實施形態(圖12)之相同點在於：判定部91針對噴出判定區域SP中所含之全部像素，累計複數個監視對象圖像中之一張圖像中的噴出判定區域SP之各像素之灰階值、與對應於該像素之噴出基準圖像中之噴出判定區域SP之像素的灰階值之差分之絕對值。於圖13所示之例子中，判定部91利用噴出判定區域SP之面積而對像素灰階值之差分總和進行標準化，從而對噴出基準圖像與監視對象圖像進行比較。即，判定部91將像素灰階值之差分總和除以噴出判定區域SP之面積而算出單位面積之差分總和。繼而，判定部91對利用噴出判定區域SP之面積而標準化後之像素灰階值之差分總和、與步驟S17中所預先設定之臨限值進行比較，從而對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。於第1實施形態中，只要步驟S16中所設定之噴出判定區域SP之尺寸變動，則像素灰階值之差分總和亦會與其對應地變動，其結果，步驟S17中所設定之臨限值亦必然變更。於圖13所示之例子中，利用噴出判定區域SP之面積而對像素灰階值之差分總和進行標準化，因此，即使於步驟S16中所設定之噴出判定區域SP之尺寸變動之情形時，亦能夠不加以變更地運用步驟S17中所設定之臨限值。
進而，於圖13之例子中，判定部91算出噴出基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均，且對該移動平均與臨限值進行比較。即，判定部91例如針對連續之就近之5張監視對象圖像，個別地算出與噴出基準圖像之間之像素灰階值之差分總和，且算出該差分總和之平均值。繼而，判定部91對像素灰階值之差分總和之平均值與步驟 S17中所預先設定之臨限值進行比較，對來自上表面處理液噴嘴30之處理液之噴出進行判定。只要差分之移動平均為步驟S17中所設定之臨限值以上，便判定為已自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。若使用此種移動平均，則可緩和由相機70進行連續拍攝所獲取之複數個監視對象圖像中所含之雜訊或不均之影響，從而可進行更確實之噴出判定處理。
又，於第2實施形態中，基於上表面處理液噴嘴30之噴出寬度、及上表面處理液噴嘴30之前端與保持於旋轉夾盤20之基板W之距離，設定噴出判定區域SP，但取而代之，亦可由設定部93根據步驟S36中所獲取之圖像而設定噴出判定區域SP。更詳細而言，設定部93對步驟S36中所獲取之圖像中之自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時之圖像(圖10(b))進行二值化，將噴出之處理液之液柱部分抽出，將該抽出部分設定為噴出判定區域SP。於該情形時，較佳為相對於攝影區域PA而將相機70與照明部71設置於相同側，使得可利用相機70接收處理液之液柱部分所反射之光。
又，亦可使用於步驟S36中獲取且保存於記憶部92之圖像，進行與噴出判定區域SP及用於噴出判定之臨限值TH相關之驗證。具體而言，針對於步驟S36中獲取且保存於記憶部92之自上表面處理液噴嘴30噴出處理液前後之圖像，使用步驟S37中所設定之噴出判定區域SP及步驟S38中所設定之臨限值TH，由判定部91進行步驟S28之噴出判定。 即，使用步驟S36中所獲取之圖像而進行模擬，藉此，對噴出判定區域SP及臨限值TH之妥當性進行驗證。如此，可不實際使用洗淨處理單元1而對設定部93所自動設定之噴出判定區域SP及臨限值TH之妥當性進行驗證。
又，於第3實施形態中，於自上表面處理液噴嘴30噴出處理液而形成之液柱的一部分設定噴出判定區域SP，但並不限定於此，噴出判定區域SP只要為自上表面處理液噴嘴30噴出之處理液所映入之區域的 一部分即可。例如，亦可於如下區域之一部分設定噴出判定區域SP，於該區域中，自上表面處理液噴嘴30噴出且附著於基板W之處理液於基板W之表面上擴散而覆蓋該表面。即使以上述方式設定噴出判定區域SP，當自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，處理液亦會映入至自相機70所見之整個噴出判定區域SP，從而可進行與第3實施形態相同之判定處理。然而，從開始自上表面處理液噴嘴30噴出處理液至該處理液於基板W之表面上擴散而覆蓋該表面之前，存在少許之時滯，因此，若如第3實施形態般，於自上表面處理液噴嘴30噴出處理液而形成之液柱之一部分設定噴出判定區域SP，則可更迅速地檢測出處理液之噴出。
又，於第3實施形態中，對像素亮度值之標準偏差σ與臨限值進行比較而判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液，但亦可使用其他表示分散度之指標代替標準偏差σ。作為代替標準偏差σ之表示分散度之指標，例如可採用由像素亮度值之最大值與最小值之差所定義之範圍、表現分佈擴散程度之分散等。即使於使用如上所述之標準偏差以外之表示分散度之指標之情形時，藉由對亮度值之分散度與預先設定之臨限值進行比較，亦可判定有無自上表面處理液噴嘴30噴出處理液。
又，為了確實地使未噴出處理液時之判定用圖像中所含之像素亮度值之標準偏差σ增大，亦可於腔室10內之部位形成對比度高之花紋，該腔室10內之部位係未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，由保持於旋轉夾盤20之基板W之表面反射且由相機70拍攝之部位。例如，於由基板W之表面反射且由相機70拍攝之腔室10之內壁，描繪出如圖25至圖27所示之對比度高之花紋。
於圖25所示之例子中，於腔室10之內壁描繪有方格花紋。又，圖26所示之例子為格子花紋。進而，圖27所示之例子為條紋花紋。於相機70所間接地拍攝之腔室10之內壁形成如圖25至圖27所示之花紋，藉此，當未自上表面處理液噴嘴30噴出處理液時，基板W之表面所反射 之如圖25至圖27所示之花紋會映入至自相機70所見之噴出判定區域SP。其結果，當未噴出處理液時，於噴出判定用圖像中形成如圖25至圖27所示之對比度高之花紋，像素亮度值之分散度顯著增大。
於由基板W之表面反射且由相機70拍攝之腔室10內的部位為無花紋之壁面之情形下，有可能即使於未噴出處理液時，仍使噴出判定用圖像之亮度值均一化，像素亮度值之分散度減小，導致誤判定為已噴出處理液。於由基板W之表面反射且由相機70拍攝之腔室10內之部位形成如圖25至圖27所示之對比度高之花紋，藉此，可確實地使未噴出處理液時之噴出判定用圖像中之像素亮度值之分散度大於臨限值，從而可防止誤判定而確實地對處理液之噴出進行檢測。
又，成為基板處理裝置100之處理對象之基板並不限定於半導體用途之基板，亦可為太陽電池用途之基板或用於液晶顯示裝置等平板顯示器之玻璃基板。
進而，只要為將處理液自能夠移動之噴嘴噴出至基板而進行特定處理之裝置，便可應用本發明之技術。例如，除了上述實施形態之單片式之洗淨處理裝置之外，亦可將本發明之技術應用於將光阻液自噴嘴噴出至旋轉之基板而進行光阻塗佈之旋轉塗佈裝置(旋塗機)、將除膜液自噴嘴噴出至於表面形成有膜之基板的端緣部之裝置、或將蝕刻液自噴嘴噴出至基板表面之裝置等。
1‧‧‧洗淨處理單元
9‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
12‧‧‧頂壁
13‧‧‧底壁
14‧‧‧風扇過濾器單元
15‧‧‧分隔板
18‧‧‧排氣風道
20‧‧‧旋轉夾盤
21‧‧‧旋轉基座
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧覆蓋構件
24‧‧‧旋轉軸
25‧‧‧凸緣狀構件
26‧‧‧夾盤銷
28‧‧‧下表面處理液噴嘴
30‧‧‧上表面處理液噴嘴
31‧‧‧噴出頭
32‧‧‧噴嘴臂
40‧‧‧處理護罩
41‧‧‧內護罩
42‧‧‧中護罩
43‧‧‧外護罩
43a、52a‧‧‧下端部
43b、47b、52b‧‧‧上端部
43c、52c‧‧‧折返部
44‧‧‧底部
45‧‧‧內壁部
46‧‧‧外壁部
47‧‧‧第1導引部
48‧‧‧中壁部
49‧‧‧廢棄槽
50‧‧‧內側回收槽
51‧‧‧外側回收槽
52‧‧‧第2導引部
53‧‧‧處理液分離壁
70‧‧‧相機
71‧‧‧照明部
CX‧‧‧旋轉軸
W‧‧‧基板

Claims (41)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包括：基板保持部，其保持基板；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍；噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；以及判定部，其對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，每當上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板而上述噴嘴移動至上述處理位置時，上述攝影部獲取第1基準圖像。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其進而包括記憶判定區域之記憶部，上述判定區域係上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像中之、包含自上述噴嘴之前端至保持於上述基板保持部之基板為止之一部分而設定的區域，只要第1基準圖像及監視對象圖像之上述判定區域中之差分為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述攝影部自上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板，且上述噴嘴開始自上述待機位置 向上述處理位置移動之時點起，以特定間隔連續地拍攝上述攝影區域，只要上述攝影部對上述攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，上述判定部便判定為上述噴嘴已停止移動。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述判定部將上述攝影部所連續獲取之圖像中的判定為上述噴嘴已停止移動之時點之圖像設為第1基準圖像。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述判定部依序對複數個監視對象圖像與第1基準圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述複數個監視對象圖像係判定為上述噴嘴已停止移動之後由上述攝影部連續獲取之圖像。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述判定部利用上述判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
  8. 如請求項4至7中任一項之基板處理裝置，其中上述判定部對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中只要第2基準圖像及第1基準圖像中之上述噴嘴之座標之差為特定之臨限值以上，上述判定部便判定為上述噴嘴之位置異常。
  10. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述判定部基於第2基準圖像與 第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之上述判定區域之位置移動。
  11. 一種基板處理方法，其特徵在於包括：保持步驟，其將成為新的處理對象之基板保持於基板保持部；噴嘴移動步驟，其於成為新的處理對象之基板保持於上述基板保持部之後，使噴出處理液之噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置，向保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置移動；攝影步驟，其藉由攝影部而拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；以及噴出判定步驟，其對第1基準圖像與監視對象圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述第1基準圖像係於移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，於上述攝影步驟中，每當上述基板保持部保持成為新的處理對象之基板而上述噴嘴移動至上述處理位置時，獲取第1基準圖像。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其進而包括預先設定判定區域之步驟，該判定區域係上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像中之、包含自上述噴嘴之前端至保持於上述基板保持部之基板為止之一部分的區域，於上述噴出判定步驟中，只要第1基準圖像及監視對象圖像之上述判定區域中之差分為特定之臨限值以上，便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中於上述攝影步驟中，自上述基 板保持部保持成為新的處理對象之基板，且上述噴嘴開始自上述待機位置向上述處理位置移動之時點起，以特定間隔連續地拍攝上述攝影區域，且進而包括停止判定步驟，於該停止判定步驟中，只要上述攝影部對上述攝影區域進行連續拍攝所獲取之連續圖像之差分為固定值以下，便判定為上述噴嘴已停止移動。
  14. 如請求項13之基板處理方法，其中將上述攝影部所連續獲取之圖像中的判定為上述噴嘴已停止移動之時點之圖像設為第1基準圖像。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中於上述噴出判定步驟中，依序對複數個監視對象圖像與第1基準圖像進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述複數個監視對象圖像係判定為上述噴嘴已停止移動之後，由上述攝影部連續獲取之圖像。
  16. 如請求項15之基板處理方法，其中於上述噴出判定步驟中，利用上述判定區域之面積進行標準化，進行第1基準圖像與監視對象圖像之比較。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其中於上述噴出判定步驟中，只要第1基準圖像與特定數之監視對象圖像之差分之移動平均為特定之臨限值以上，便判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
  18. 如請求項14至17中任一項之基板處理方法，其進而包括位置判定步驟，該位置判定步驟對第2基準圖像與第1基準圖像進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述第2基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  19. 如請求項18之基板處理方法，其中於上述位置判定步驟中，只要第2基準圖像及第1基準圖像中之上述噴嘴之座標之差為特定之 臨限值以上，便判定為上述噴嘴之位置異常。
  20. 如請求項18之基板處理方法，其中於上述噴出判定步驟中，基於第2基準圖像與第1基準圖像之比較結果，使第1基準圖像及監視對象圖像中之上述判定區域之位置移動。
  21. 一種基板處理裝置，其特徵在於包括：基板保持部，其保持基板；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍；噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝包含上述處理位置之上述噴嘴之前端之攝影區域；設定部，其特定出位置基準圖像中之上述噴嘴之座標，將包含上述噴嘴之前端之矩形區域設定為參考圖案，上述位置基準圖像係上述噴嘴正確地位於上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及判定部，其對如下圖像中之對應於上述參考圖案之一部分區域圖像與上述位置基準圖像中之上述參考圖案進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述圖像係上述基板保持部保持成為處理對象之基板且上述噴嘴移動至上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  22. 如請求項21之基板處理裝置，其中上述設定部根據參照圖像與上述位置基準圖像之差分即差分圖像而特定出上述噴嘴之座標，上述參照圖像係正確地位於上述處理位置之上述噴嘴向特定方向移動特定量時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  23. 如請求項22之基板處理裝置，其中上述設定部根據上述差分圖像中之灰階值分佈而特定出上述噴嘴之寬度方向兩端及前端之座標。
  24. 如請求項21至23中任一項之基板處理裝置，其中上述設定部基於上述噴嘴之噴出寬度、及上述噴嘴之前端與保持於上述基板保持部之基板之距離，設定上述位置基準圖像中之噴出判定區域，該噴出判定區域包含直至自上述噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於上述基板保持部之基板為止之液柱部分，上述判定部對噴出基準圖像中之上述噴出判定區域、與監視對象圖像中之上述噴出判定區域進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  25. 如請求項24之基板處理裝置，其中上述設定部將差分之最大值與差分之最小值之中間值設定為臨限值，上述差分之最大值係未自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最大值，上述差分之最小值係自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最小值，上述判定部對上述監視對象圖像與上述噴出基準圖像之上述噴出判定區域中的差分及上述臨限值進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定。
  26. 一種基板處理方法，其特徵在於包括：圖案設定步驟，其特定出位置基準圖像中之上述噴嘴之座標， 將包含上述噴嘴之前端之矩形區域設定為參考圖案，上述位置基準圖像係噴出處理液之噴嘴正確地位於應保持於基板保持部之基板上方之處理位置時，由攝影部對包含上述處理位置之噴嘴之前端之攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及位置判定步驟，其對如下圖像中之對應於上述參考圖案之一部分區域圖像與上述位置基準圖像中之上述參考圖案進行比較，從而判定上述噴嘴之上述處理位置之位置異常，上述圖像係上述基板保持部保持成為處理對象之基板，且上述噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置移動至上述處理位置時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  27. 如請求項26之基板處理方法，其中於上述圖案設定步驟中，根據參照圖像與上述位置基準圖像之差分即差分圖像而特定出上述噴嘴之座標，上述參照圖像係正確地位於上述處理位置之上述噴嘴向特定方向移動特定量時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  28. 如請求項27之基板處理方法，其中於上述圖案設定步驟中，根據上述差分圖像中之灰階值分佈而特定出上述噴嘴之寬度方向兩端及前端之座標。
  29. 如請求項26至28中任一項之基板處理方法，其進而包括：區域設定步驟，其基於上述噴嘴之噴出寬度、及上述噴嘴之前端與保持於上述基板保持部之基板之距離，設定上述位置基準圖像中之噴出判定區域，該噴出判定區域包含直至自上述噴嘴之前端噴出之處理液到達保持於上述基板保持部之基板為止之液柱部分；以及噴出判定步驟，其對噴出基準圖像中之上述噴出判定區域、與監視對象圖像中之上述噴出判定區域進行比較，從而對來自上述 噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述噴出基準圖像係移動至上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液之前，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像，上述監視對象圖像係上述噴嘴噴出處理液之後對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像。
  30. 如請求項29之基板處理方法，其進而包括臨限值設定步驟，於該臨限值設定步驟中，將差分之最大值與差分之最小值之中間值設定為臨限值，上述差分之最大值係未自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最大值，上述差分之最小值係自上述噴嘴噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像與上述位置基準圖像之上述噴出判定區域中的差分之最小值，於上述噴出判定步驟中，對上述監視對象圖像與上述噴出基準圖像之上述噴出判定區域中之差分及上述臨限值進行比較，從而對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定。
  31. 如請求項30之基板處理方法，其進而包括：保存步驟，其保存上述臨限值設定步驟中所使用之如下圖像，該圖像係未自上述噴嘴噴出處理液時及噴出處理液時，由上述攝影部對上述攝影區域進行拍攝所獲取之圖像；以及驗證步驟，其使用上述保存步驟中所保存之圖像，對上述區域設定步驟中所設定之上述噴出判定區域及上述臨限值設定步驟中所設定之上述臨限值進行驗證。
  32. 一種基板處理裝置，其特徵在於包括：腔室，其收容基板；基板保持部，其將基板保持於上述腔室內；護罩，其包圍上述基板保持部之周圍； 噴嘴，其噴出處理液；驅動部，其使上述噴嘴於保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置與較上述護罩更靠外側之待機位置之間移動；攝影部，其拍攝判定區域，於自上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液時，上述處理液映入至上述判定區域，且於停止自上述噴嘴噴出處理液時，保持於上述基板保持部之基板之表面映入至上述判定區域；以及判定部，其基於上述攝影部對上述判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像，對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，上述判定部於上述判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液，於上述分散度大於上述臨限值時，判定為未自上述噴嘴噴出處理液。
  33. 如請求項32之基板處理裝置，其中上述分散度為標準偏差。
  34. 如請求項32之基板處理裝置，其中上述攝影部對上述判定區域進行連續拍攝而獲取複數個判定圖像，上述判定部利用上述複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於上述分散度持續地小於上述臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
  35. 如請求項32至34中任一項之基板處理裝置，其中於上述腔室內之部位形成花紋，上述腔室內之部位係於停止自上述噴嘴噴出處理液時，由保持於上述基板保持部之基板之表面反射且由上述攝影部拍攝之部位。
  36. 如請求項35之基板處理裝置，其中上述花紋為方格花紋。
  37. 如請求項35之基板處理裝置，其中上述花紋為格子花紋。
  38. 如請求項35之基板處理裝置，其中上述花紋為條紋花紋。
  39. 一種基板處理方法，其特徵在於包括： 保持步驟，其將成為新的處理對象之基板搬入至腔室內且保持於基板保持部；噴嘴移動步驟，其於成為新的處理對象之基板保持於上述基板保持部之後，使噴出處理液之噴嘴自較包圍上述基板保持部之周圍之護罩更靠外側之待機位置，向保持於上述基板保持部之基板上方之處理位置移動；攝影步驟，其拍攝判定區域，於自上述處理位置之上述噴嘴噴出處理液時，上述處理液映入至上述判定區域，且於停止自上述噴嘴噴出處理液時，保持於上述基板保持部之基板之表面映入至上述判定區域；以及判定步驟，其基於在上述攝影步驟中對上述判定區域進行拍攝所獲取之判定圖像，對來自上述噴嘴之處理液之噴出進行判定，於上述判定步驟中，當上述判定圖像中所含之像素亮度值之分散度小於特定之臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液，當上述分散度大於上述臨限值時，判定為未自上述噴嘴噴出處理液。
  40. 如請求項39之基板處理方法，其中上述分散度為標準偏差。
  41. 如請求項39或40之基板處理方法，其中於上述攝影步驟中，對上述判定區域進行連續拍攝而獲取複數個判定圖像，於上述判定步驟中，利用上述複數個判定圖像中之特定數之判定圖像，於上述分散度持續地小於上述臨限值時，判定為已自上述噴嘴噴出處理液。
TW104107817A 2014-03-11 2015-03-11 基板處理裝置及基板處理方法 TWI613010B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014047590A JP6278759B2 (ja) 2014-03-11 2014-03-11 基板処理装置および基板処理方法
JP2014-047590 2014-03-11
JP2014048807A JP6251086B2 (ja) 2014-03-12 2014-03-12 基板処理装置および基板処理方法
JP2014-048807 2014-03-12
JP2014-254881 2014-12-17
JP2014254881A JP6353780B2 (ja) 2014-12-17 2014-12-17 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201538231A true TW201538231A (zh) 2015-10-16
TWI613010B TWI613010B (zh) 2018-02-01

Family

ID=54069649

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104107817A TWI613010B (zh) 2014-03-11 2015-03-11 基板處理裝置及基板處理方法
TW106141247A TWI649130B (zh) 2014-03-11 2015-03-11 基板處理裝置及基板處理方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106141247A TWI649130B (zh) 2014-03-11 2015-03-11 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20150262848A1 (zh)
KR (4) KR102340465B1 (zh)
CN (2) CN108155130B (zh)
TW (2) TWI613010B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI612598B (zh) * 2017-01-25 2018-01-21 帆宣系統科技股份有限公司 晶圓檢測分類裝置及其檢測分類方法
TWI619193B (zh) * 2016-02-17 2018-03-21 斯庫林集團股份有限公司 基板保持狀態之異常檢查之檢查區域的自動決定方法及基板處理裝置
TWI687266B (zh) * 2017-09-26 2020-03-11 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US20150262848A1 (en) 2014-03-11 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle
JP6339909B2 (ja) * 2014-09-17 2018-06-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6423672B2 (ja) 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
CN107535089B (zh) * 2015-05-25 2019-10-01 株式会社富士 元件安装机
JP6537992B2 (ja) * 2016-03-30 2019-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、及び基板処理システム
KR101915479B1 (ko) * 2016-12-28 2018-11-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2018200398A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Veeco Precision Surface Processing Llc Semiconductor wafer processing chamber
JP6932597B2 (ja) * 2017-09-25 2021-09-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6921725B2 (ja) * 2017-12-04 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 判定方法および基板処理装置
TWI746907B (zh) * 2017-12-05 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 煙霧判定方法、基板處理方法及基板處理裝置
JP6954160B2 (ja) * 2018-02-02 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理装置のティーチング方法
WO2019159560A1 (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 Ｊｆｅスチール株式会社 連続塗布装置
JP7072415B2 (ja) 2018-03-26 2022-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10670540B2 (en) 2018-06-29 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photolithography method and photolithography system
JP7122192B2 (ja) * 2018-08-21 2022-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP7219190B2 (ja) * 2018-08-27 2023-02-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 教師データ生成方法および吐出状態の判定方法
JP2020034344A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 可動部位置検出方法、基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
JP7179568B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7165019B2 (ja) * 2018-10-05 2022-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7211751B2 (ja) * 2018-10-05 2023-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7157629B2 (ja) * 2018-11-02 2022-10-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7190892B2 (ja) * 2018-12-12 2022-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液濃縮方法
US20210129166A1 (en) * 2019-11-04 2021-05-06 Tokyo Electron Limited Systems and Methods for Spin Process Video Analysis During Substrate Processing
US11276157B2 (en) * 2019-11-14 2022-03-15 Tokyo Electron Limited Systems and methods for automated video analysis detection techniques for substrate process
CN114667592A (zh) * 2019-11-15 2022-06-24 东京毅力科创株式会社 监视装置、基板处理装置、监视方法以及存储介质
US11624607B2 (en) * 2020-01-06 2023-04-11 Tokyo Electron Limited Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates
CN111812341A (zh) * 2020-07-22 2020-10-23 英华达（上海）科技有限公司 自动化设备检测系统和检测自动化设备内部运作的方法
KR102655947B1 (ko) * 2020-09-03 2024-04-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11738363B2 (en) 2021-06-07 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Bath systems and methods thereof
KR102611146B1 (ko) * 2021-06-28 2023-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 예열 방법 및 이를 위한 컴퓨터 프로그램
JP2023010271A (ja) * 2021-07-09 2023-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 状態検出装置、および、状態検出方法
US11852983B2 (en) * 2021-08-12 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Coater photoresist arm smart centering jig
CN115793417A (zh) * 2021-09-10 2023-03-14 长鑫存储技术有限公司 显影设备的状态监测方法、装置及系统
CN114153405B (zh) * 2021-12-03 2024-05-28 中科计算技术西部研究院 用于dna序列打印设备故障检测的数据处理方法及系统

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06111167A (ja) 1992-09-29 1994-04-22 Fujikura Ltd 高電圧設備の監視装置
JPH07333197A (ja) 1994-06-09 1995-12-22 Nippon Steel Corp 表面疵自動探傷装置
JP2981857B2 (ja) 1996-10-29 1999-11-22 株式会社イムテック 包装容器の製函中の接着部材塗着状態判別装置、方法、システム及び接着部材塗着状態の判別を実行するためのプログラムを記録した媒体
JPH115056A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP4020489B2 (ja) 1998-05-19 2007-12-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2002316080A (ja) 2001-04-19 2002-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6680078B2 (en) * 2001-07-11 2004-01-20 Micron Technology, Inc. Method for dispensing flowable substances on microelectronic substrates
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
JP2003173999A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板洗浄装置、半導体基板洗浄方法および半導体装置の製造方法
JP2003273003A (ja) 2002-03-15 2003-09-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005114500A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Dainippon Printing Co Ltd 光学特性の不均一性測定方法および装置ならびにこれを利用した製品良否判定装置
JP4194541B2 (ja) * 2004-08-05 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液状態検出装置
JP4486476B2 (ja) * 2004-10-29 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP4601452B2 (ja) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4494332B2 (ja) * 2005-11-29 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム
JP2007144494A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
CN101617535B (zh) * 2007-03-28 2011-07-06 富士通株式会社 图像处理装置、图像处理方法
JP2009032830A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板検出装置および基板処理装置
JP2009072945A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Seiko Epson Corp ヘッド位置検出機構、ヘッドユニット組立装置、ヘッドユニットの組立方法
JP2009095826A (ja) 2007-09-25 2009-05-07 Toray Ind Inc 塗布ノズル検査装置および検査方法ならびに塗布ノズルを用いた塗布方法
JP5285916B2 (ja) * 2008-01-09 2013-09-11 東レ株式会社 塗布ノズル検査装置および検査方法ならびに塗液の塗布方法
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP4982527B2 (ja) * 2009-06-08 2012-07-25 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法
JP5304474B2 (ja) 2009-06-22 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2011095071A (ja) 2009-10-29 2011-05-12 Seiko Epson Corp 非接触計測装置および非接触計測方法
JP5251845B2 (ja) 2009-11-26 2013-07-31 株式会社安川電機 半導体装置の製造方法
JP2011146683A (ja) * 2009-12-14 2011-07-28 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、塗布、現像装置、塗布、現像方法、及び記憶媒体
JP5457384B2 (ja) 2010-05-21 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5336441B2 (ja) * 2010-08-24 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5314657B2 (ja) 2010-11-12 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP2012158044A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Brother Industries Ltd 画像形成装置
JP5681021B2 (ja) 2011-04-01 2015-03-04 アークハリマ株式会社 表面性状測定装置
TWI511794B (zh) * 2011-08-05 2015-12-11 Sumitomo Heavy Industries A film pattern forming apparatus, a film pattern forming method, and a device adjusting method
JP5841389B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5809920B2 (ja) 2011-10-14 2015-11-11 東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社 画像処理方法及び装置
JP5619041B2 (ja) * 2012-01-23 2014-11-05 富士フイルム株式会社 吐出不良検出方法及び装置、画像処理装置、プログラム、並びに印刷システム
JP5729326B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6018528B2 (ja) * 2013-03-13 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20150262848A1 (en) 2014-03-11 2015-09-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method for discharge of processing liquid from nozzle

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619193B (zh) * 2016-02-17 2018-03-21 斯庫林集團股份有限公司 基板保持狀態之異常檢查之檢查區域的自動決定方法及基板處理裝置
US10242459B2 (en) 2016-02-17 2019-03-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Automatic determination method of inspection region for substrate holding state abnormality inspection and substrate processing system
TWI612598B (zh) * 2017-01-25 2018-01-21 帆宣系統科技股份有限公司 晶圓檢測分類裝置及其檢測分類方法
TWI687266B (zh) * 2017-09-26 2020-03-11 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104916570A (zh) 2015-09-16
KR102473026B1 (ko) 2022-12-01
TWI649130B (zh) 2019-02-01
KR20210154789A (ko) 2021-12-21
CN108155130A (zh) 2018-06-12
CN104916570B (zh) 2018-03-02
CN108155130B (zh) 2022-03-08
TWI613010B (zh) 2018-02-01
KR102522967B1 (ko) 2023-04-18
US20180323085A1 (en) 2018-11-08
KR20150106368A (ko) 2015-09-21
TW201808465A (zh) 2018-03-16
KR102522968B1 (ko) 2023-04-18
US10665481B2 (en) 2020-05-26
KR102340465B1 (ko) 2021-12-16
KR20210154787A (ko) 2021-12-21
KR20210154788A (ko) 2021-12-21
US20150262848A1 (en) 2015-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201538231A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6278759B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI593464B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6251086B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI550748B (zh) 位移檢測裝置、基板處理裝置、位移檢測方法及基板處理方法
US10651064B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP7211751B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7443163B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI714186B (zh) 可動部位置檢測方法、基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統
JP2023009226A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6353780B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6397557B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7165019B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置